JP2008288488A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板上に供給された塗布液の周縁部分を短時間に精度よく除去することができ、かつ、塗布液の種類にかかわらず同一の除去液を使用することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗの上面に塗布された塗布液の液面から光干渉縞が消失する前に、基板Ｗの回転数を低下させるとともに除去液の供給を開始する。このため、レジストカバー膜として基板の上面に徐々に定着しつつも流動性が残る塗布液の周縁部分を、除去液の物理的な浸食により除去することができる。したがって、塗布液の周縁部分を短時間に精度よく除去することができる。また、物理的な浸食作用を利用するため、反射防止膜やレジスト膜用の除去液と同一の除去液を使用することができる。
【選択図】図６

Description

本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板等の基板の表面に塗布液を供給することにより基板の表面に塗布膜を形成する基板処理装置および基板処理方法に関する。

基板の製造工程では、基板の表面に塗布液を供給することにより、基板の表面に反射防止膜、レジスト膜、レジストカバー膜等の塗布膜を形成する基板処理装置が使用されている。このような基板処理装置では、基板の周縁部において塗布膜が保持部等の部材と接触して発塵することを防止するために、塗布処理後の基板の周縁部に除去液を供給し、塗布膜の周縁部分を除去する処理が行われる。

図１２は、従来の基板処理装置において、基板Ｗ上に形成された塗布膜ＣＶの周縁部分を除去する処理の一例を示した図である。図１２の基板処理装置２００は、基板Ｗの上面側から除去液を吐出するいわゆるＥＢＲ（Edge Bead Remover）ノズル２１０を備えており、ＥＢＲノズル２１０を揺動させつつＥＢＲノズル２１０から除去液を吐出することにより、基板Ｗの上面に形成された塗布膜ＣＶの周縁部分を除去する。

また、図１３は、基板Ｗ上に形成された塗布膜ＣＶの周縁部分を除去する処理の他の例を示した図である。図１３の基板処理装置３００は、基板Ｗの下面側から除去液を吐出するいわゆるバックリンスノズル３１０を備えており、バックリンスノズル３１０から吐出された除去液を基板Ｗの上面まで回り込ませることにより、基板Ｗの上面に形成された塗布膜ＣＶの周縁部を除去する。

このような従来の基板処理装置については、例えば特許文献１，２に開示されている。

特許第３１２６８７８号公報 特開平２−５１２１９号公報

図１２に示した従来の基板処理装置２００では、塗布膜ＣＶの膜端位置を制御するために、ＥＢＲノズル２１０の位置と基板Ｗの保持位置とをいずれも高精度に位置決めする必要があった。このため、塗布膜ＣＶの膜端位置を制御することが困難であり、結果として基板Ｗ上の有効部分（電子パターンが形成される部分）を制限することとなっていた。一方、図１３の基板処理装置３００は、バックリンスノズル３１０をＥＢＲノズル２１０のように高精度に位置決めする必要はないため、塗布膜ＣＶの膜端位置を制御することに関しては有利であった。

しかしながら、従来の基板処理装置３００では、基板の上面に塗布された塗布液から溶媒成分が気化し、塗布液が基板Ｗ上に塗布膜ＣＶとして完全に定着した後にバックリンスノズル３１０からの除去液の吐出が行われていた。すなわち、基板Ｗ上において一旦硬化した塗布膜ＣＶの周縁部分を、除去液により溶解させて除去していた。このため、塗布膜ＣＶの周縁部分を除去する処理に時間が掛かり、塗布膜の膜端位置を短時間に精度よく制御することが困難であった。

特に、近年では、光学系と基板との間に液体を介在させた状態で露光処理を行う液浸露光処理が提案されている。液浸露光処理では、レジスト膜と液体とが直接接触することを防止するために、レジスト膜の上部に撥水性の高いレジストカバー膜が形成される。このようなレジストカバー膜を形成する工程においては、レジストカバー膜の剥がれを防止するために、レジストカバー膜の膜端位置をより精度よく制御することが要求される。また、レジストカバー膜は、反射防止膜やレジスト膜とは膜質が大きく異なるため、反射防止膜やレジスト膜と同一の除去液では効率よく除去することができなかった。

本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、基板上に供給された塗布液の周縁部分を短時間に精度よく除去することができ、かつ、塗布液の種類にかかわらず同一の除去液を使用することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、請求項１に係る発明は、基板の表面に塗布液を供給することにより基板の表面に塗布膜を形成する基板処理装置であって、基板を水平姿勢に保持しつつ鉛直軸周りに回転させる保持部と、前記保持部に保持された基板の上面に塗布液を供給する塗布液供給部と、前記保持部に保持された基板の下面に向けて除去液を吐出し、基板の下面および端面を介して基板の上面側に除去液を回り込ませることにより、基板の上面の周縁部に除去液を供給する除去液供給部と、前記保持部、前記塗布液供給部、および前記除去液供給部の動作を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記塗布液供給部により基板の上面に塗布された塗布液の液面から光干渉縞が消失する前に、前記除去液供給部による除去液の供給を開始させることを特徴とする。

請求項２に係る発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記制御部は、前記塗布液供給部による塗布液の供給後、前記保持部により基板を第１の回転数で回転させ、前記除去液供給部による除去液の吐出前に、基板の回転数を第１の回転数より低い第２の回転数に低下させることを特徴とする。

請求項３に係る発明は、請求項２に記載の基板処理装置であって、前記制御部は、前記除去液供給部による除去液の供給を開始させた後、所定時間が経過すると、前記保持部による基板の回転数を前記第２の回転数よりも高い第３の回転数に上昇させることを特徴とする。

請求項４に係る発明は、請求項１から請求項３までのいずれかに記載の基板処理装置であって、前記塗布液供給部は、液浸露光処理においてレジスト膜を保護するためのレジストカバー膜を形成する塗布液を供給することを特徴とする。

請求項５に係る発明は、基板の表面に塗布液を塗布することにより基板の表面に塗布膜を形成する基板処理方法であって、水平姿勢に保持された基板の上面に塗布液を供給する第１の工程と、前記第１の工程において基板の上面に塗布された塗布液の液面から光干渉縞が消失する前に、基板の下面に向けて除去液を吐出し、基板の下面および端面を介して基板の上面側に除去液を回り込ませることにより、基板の上面の周縁部に除去液を供給する第２の工程と、を備えることを特徴とする。

請求項６に係る発明は、請求項５に記載の基板処理方法であって、前記第１の工程における塗布液の供給後、鉛直軸周りに基板を第１の回転数で回転させ、前記第２の工程における除去液の吐出前に、基板の回転数を前記第１の回転数より低い第２の回転数に低下させることを特徴とする。

請求項７に係る発明は、請求項６に記載の基板処理方法であって、前記第２の工程の後、前記除去液の吐出を継続しつつ、基板の回転数を前記第２の回転数よりも高い第３の回転数に上昇させる第３の工程を更に備えることを特徴とする。

請求項８に係る発明は、請求項５から請求項７までのいずれかに記載の基板処理方法であって、前記第１の工程では、液浸露光処理においてレジスト膜を保護するためのレジストカバー膜を形成する塗布液を供給することを特徴とする。

請求項１〜４に記載の発明によれば、基板処理装置は、塗布液供給部により基板の上面に塗布された塗布液の液面から光干渉縞が消失する前に、除去液供給部による除去液の供給を開始させる。このため、塗布膜として基板の上面に徐々に定着しつつも流動性が残る塗布液の周縁部分を、除去液の物理的な浸食により除去することができる。したがって、塗布液の周縁部分を短時間に精度よく除去することができる。また、物理的な浸食作用を利用するため、塗布液の種類にかかわらず同一の除去液を使用することができる。

特に、請求項２に記載の発明によれば、基板処理装置は、除去液供給部による除去液の吐出前に、基板の回転数を第１の回転数より低い第２の回転数に低下させる。このため、基板を低速回転させることにより除去液にはたらく遠心力と表面張力とのバランスを調整し、除去液を基板の表面側に適切に回り込ませることができる。

特に、請求項３に記載の発明によれば、基板処理装置は、除去液供給部による除去液の供給を開始させた後、所定時間が経過すると、保持部による基板の回転数を第２の回転数よりも高い第３の回転数に上昇させる。このため、除去液により基板の下面および端面を洗浄し、基板の下面および端面に塗布液の成分が残存することを防止することができる。

また、請求項５〜８に記載の発明によれば、水平姿勢に保持された基板の上面に塗布液を供給した後、塗布液の液面から光干渉縞が消失する前に、基板の下面に向けて除去液を吐出し、基板の下面および端面を介して基板の上面側に除去液を回り込ませることにより、基板の上面の周縁部に除去液を供給する。このため、塗布膜として基板の上面に徐々に定着しつつも流動性が残る塗布液の周縁部分を、除去液の物理的な浸食により除去することができる。したがって、塗布液の周縁部分を短時間に精度よく除去することができる。また、物理的な浸食作用を利用するため、塗布液の種類にかかわらず同一の除去液を使用することができる。

特に、請求項６に記載の発明によれば、塗布液の供給後、鉛直軸周りに基板を第１の回転数で回転させ、除去液の吐出前に、基板の回転数を前記第１の回転数より低い第２の回転数に低下させる。このため、基板を低速回転させることにより除去液にはたらく遠心力と表面張力とのバランスを調整し、除去液を基板の表面側に適切に回り込ませることができる。

特に、請求項７に記載の発明によれば、除去液の供給後、除去液の吐出を継続しつつ、基板の回転数を第２の回転数よりも高い第３の回転数に上昇させる。このため、除去液により基板の下面および端面を洗浄し、基板の下面および端面に塗布液の成分が残存することを防止することができる。

以下、本発明の一実施形態に係る基板処理装置５００について図面を参照しつつ説明する。なお、以下の説明において参照される図１〜図３には、各部の位置関係や動作方向を明確化するために、共通のＸＹＺ直交座標系が付されている。

＜１．基板処理装置の全体構成＞
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置５００の全体構成を示した平面図である。この基板処理装置５００は、液浸露光処理の前後において、半導体基板Ｗ（以下、単に「基板Ｗ」という。）に塗布処理、熱処理、現像処理等の一連の処理を行うための装置である。図１に示したように、基板処理装置５００は、主として、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４、洗浄／乾燥処理ブロック１５、およびインターフェースブロック１６をこの順に並設した構成となっている。

インターフェースブロック１６の＋Ｙ側には、この基板処理装置５００とは別体の露光装置１７が接続される。露光装置１７は、基板Ｗに対して液浸露光処理を行う機能を有している。

インデクサブロック９には、各ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）９１と、複数のキャリア載置台９２と、インデクサロボットＩＲとが設けられている。インデクサロボットＩＲは、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＩＲＨ１，ＩＲＨ２を上下に有している。

反射防止膜用処理ブロック１０には、反射防止膜用熱処理部１００，１０１と、反射防止膜用塗布処理部３０と、第２のセンターロボットＣＲ２とが設けられている。反射防止膜用熱処理部１００，１０１と反射防止膜用塗布処理部３０とは、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んで互いに対向配置されている。第２のセンターロボットＣＲ２は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２を上下に有している。

インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられている。また、隔壁２０の一部分には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられている。上段の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に使用され、下段の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に使用される。

レジスト膜用処理ブロック１１には、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１と、レジスト膜用塗布処理部４０と、第３のセンターロボットＣＲ３とが設けられている。レジスト膜用熱処理部１１０，１１１とレジスト膜用塗布処理部４０とは、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで互いに対向配置されている。第３のセンターロボットＣＲ３は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４を上下に有している。

反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられている。また、隔壁２１の一部分には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられている。上段の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に使用され、下段の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に使用される。

現像処理ブロック１２には、現像用熱処理部１２０，１２１と、現像処理部５０と、第４のセンターロボットＣＲ４とが設けられている。現像用熱処理部１２０，１２１と現像処理部５０とは、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んで互いに対向配置されている。第４のセンターロボットＣＲ４は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６を上下に有している。

レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁２２が設けられている。また、隔壁２２の一部分には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられている。上段の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に使用され、下段の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に使用される。

レジストカバー膜用処理ブロック１３には、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１と、レジストカバー膜用塗布処理部６０と、第５のセンターロボットＣＲ５とが設けられている。レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１とレジストカバー膜用塗布処理部６０とは、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで互いに対向配置されている。第５のセンターロボットＣＲ５は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８を上下に有している。

現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２３が設けられている。また、隔壁２３の一部分には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられている。上段の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に使用され、下段の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に使用される。

レジストカバー膜除去ブロック１４には、レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂと、第６のセンターロボットＣＲ６とが設けられている。レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂは、第６のセンターロボットＣＲ６を挟んで互いに対向配置されている。第６のセンターロボットＣＲ６は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０を上下に有している。

レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２４が設けられている。また、隔壁２４の一部分には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられている。上段の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に使用され、下段の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に使用される。

洗浄／乾燥処理ブロック１５には、露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１と、洗浄／乾燥処理部８０と、第７のセンターロボットＣＲ７とが設けられている。露光後ベーク用熱処理部１５１は、インターフェースブロック１６に隣接し、後述するように基板載置部ＰＡＳＳ１３，ＰＡＳＳ１４を有している。露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１と洗浄／乾燥処理部８０とは、第７のセンターロボットＣＲ７を挟んで互いに対向配置されている。また、第７のセンターロボットＣＲ７は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２を上下に有している。

レジストカバー膜除去ブロック１４と洗浄／乾燥処理ブロック１５との間には、雰囲気遮断用の隔壁２５が設けられている。また、隔壁２５の一部分には、レジストカバー膜除去ブロック１４と洗浄／乾燥処理ブロック１５との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に近接して設けられている。上段の基板載置部ＰＡＳＳ１１は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４から洗浄／乾燥処理ブロック１５へ搬送する際に使用され、下段の基板載置部ＰＡＳＳ１２は、基板Ｗを洗浄／乾燥処理ブロック１５からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に使用される。

インターフェースブロック１６には、第８のセンターロボットＣＲ８と、送りバッファ部ＳＢＦと、インターフェース用搬送機構ＩＦＲと、エッジ露光部ＥＥＷとが設けられている。また、エッジ露光部ＥＥＷの下側には、後述する基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６および戻りバッファ部ＲＢＦが設けられている。第８のセンターロボットＣＲ８は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ１３，ＣＲＨ１４を上下に有している、また、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＨ１，Ｈ２を上下に有している。

図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ側から見た側面図である。

反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部３０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３１と、スピンチャック３１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル３２と、基板周縁部に形成された反射防止膜を除去するための除去ノズル（図示省略）とを備える。

レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部４０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック４１と、スピンチャック４１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル４２と、基板周縁部に形成されたレジスト膜を除去するための除去ノズル（図示省略）とを備える。

現像処理ブロック１２の現像処理部５０（図１参照）には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１と、スピンチャック５１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル５２とを備える。

レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１と、スピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル６２と、基板周縁部に形成されたレジストカバー膜を除去するための除去ノズル６３（図６参照）とを備える。

レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部７０ｂ（図１参照）には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１と、スピンチャック７１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜を溶解させる除去液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル７２とを備える。

洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０（図１参照）には、３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤが積層配置される。

インターフェースブロック１６には、２個のエッジ露光部ＥＥＷと、基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６と、戻りバッファ部ＲＢＦとが上下に積層配置されているとともに、第８のセンターロボットＣＲ８（図１参照）およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが配置されている。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８と、スピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９とを備える。

図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ側から見た側面図である。

反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、それぞれ、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰと２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰとが上下に積層配置されている。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１の最上部には、冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置されている。

レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、それぞれ、２個の加熱ユニットＨＰと２個の冷却ユニットＣＰとが上下に積層配置されている。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１の最上部には、冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置されている。

現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０，１２１には、それぞれ、２個の加熱ユニットＨＰと２個の冷却ユニットＣＰとが上下に積層配置されている。また、現像用熱処理部１２０，１２１の最上部には、冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置されている。

レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、それぞれ、２個の加熱ユニットＨＰと２個の冷却ユニットＣＰとが上下に積層配置されている。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１の最上部には、冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置されている。

レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部７０ａには、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。

洗浄／乾燥処理ブロック１５の露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１には、それぞれ、２個の加熱ユニットＨＰと２個の冷却ユニットＣＰとが上下に積層配置されている。また、露光後ベーク用熱処理部１５１には、基板載置部ＰＡＳＳ１３，１４も配置されている。また、露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１の最上部には、冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置されている。

なお、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ、除去ユニットＲＥＭ、現像処理ユニットＤＥＶ、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの数は、各ブロックの処理速度に応じて適宜に変更されてもよい。

＜２．基板処理装置の全体動作＞
続いて、基板処理装置５００の全体的な動作の概略について、図１〜図３および図４のフローチャートを参照しつつ説明する。この基板処理装置５００において基板Ｗの処理を行うときには、まず、インデクサブロック９のキャリア載置台９２上に、複数枚の基板Ｗが多段に収納されたキャリアＣが搬入される（ステップＳ１）。

キャリア載置台９２上にキャリアＣが載置されると、インデクサロボットＩＲは、上側のハンドＩＲＨ１を用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。そして、インデクサロボットＩＲは、Ｘ軸方向に移動しつつθ方向に回転し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。

反射防止膜用処理ブロック１０の第２のセンターロボットＣＲ２は、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを受け取り、反射防止膜用塗布処理部３０の塗布ユニットＢＡＲＣへ当該基板Ｗを搬送する。塗布ユニットＢＡＲＣでは、露光処理時に発生する定在波やハレーションを減少させるための反射防止膜が基板Ｗの上面に塗布形成される（ステップＳ２）。また、基板Ｗの周縁部から所定幅の領域に形成された反射防止膜は、塗布ユニットＢＡＲＣ内の除去ノズルから吐出される除去液により除去される。

その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、反射防止膜用塗布処理部３０から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。反射防止膜用熱処理部１００，１０１では、基板Ｗに対して所定の熱処理（加熱処理および冷却処理）が行われる（ステップＳ３）。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１における熱処理が終了すると、第２のセンターロボットＣＲ２は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。

レジスト膜用処理ブロック１１の第３のセンターロボットＣＲ３は、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗを受け取り、レジスト膜用塗布処理部４０の塗布ユニットＲＥＳへ当該基板Ｗを搬送する。塗布ユニットＲＥＳでは、基板Ｗの上面の反射防止膜の上部に、レジスト膜が塗布形成される（ステップＳ４）。また、基板Ｗの周縁部から所定幅の領域に形成されたレジスト膜は、塗布ユニットＲＥＳ内の除去ノズルから吐出される除去液により除去される。

その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、レジスト膜用塗布処理部４０から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。レジスト膜用熱処理部１１０，１１１では、基板Ｗに対して所定の熱処理（加熱処理および冷却処理）が行われる（ステップＳ５）。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１における熱処理が終了すると、第３のセンターロボットＣＲ３は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。

現像処理ブロック１２の第４のセンターロボットＣＲ４は、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。

レジストカバー膜用処理ブロック１３の第５のセンターロボットＣＲ５は、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗを受け取り、レジストカバー膜用塗布処理部６０の塗布ユニットＣＯＶへ当該基板Ｗを搬送する。塗布ユニットＣＯＶでは、基板Ｗの上面のレジスト膜の上部に、レジストカバー膜が塗布形成される。（ステップＳ６）。また、基板Ｗの周縁部から所定幅の領域に形成されたレジストカバー膜は、塗布ユニットＣＯＶ内の除去ノズルから吐出される除去液により除去される。

その後、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜用塗布処理部６０から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に搬入する。レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１では、基板Ｗに対して所定の熱処理（加熱処理および冷却処理）が行われる（ステップＳ７）。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１における熱処理が終了すると、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。

図５は、上記のステップＳ２〜Ｓ７において基板Ｗの上面に形成された反射防止膜ＣＶＢ、レジスト膜ＣＶＲ、およびレジストカバー膜ＣＶＴの積層構造を示した縦断面図である。図５に示したように、基板Ｗの上面には、反射防止膜ＣＶＢ、レジスト膜ＣＶＲ、およびレジストカバー膜ＣＶＴが下から順に塗布形成される。各塗布膜の周縁部は除去液により除去され、これにより各塗布膜の膜端位置が規定される。

図５に示したように、レジストカバー膜ＣＶＴの膜端位置は、反射防止膜ＣＶＢの膜端位置よりも内周側であり、かつ、レジスト膜ＣＶＲの膜端位置よりも外周側とされる。すなわち、レジストカバー膜ＣＶＴの周縁部の除去領域は、反射防止膜ＣＶＢの周縁部の除去領域よりも広く、かつ、レジスト膜ＣＶＲの周縁部の除去領域よりも狭くなるように制御される。したがって、レジスト膜ＣＶＲの上部はレジストカバー膜ＣＶＴにより完全に覆われ、かつ、レジストカバー膜ＣＶＴと基板Ｗの上面との直接的な接触は排除される。これにより、露光装置１７における露光処理時に、液浸露光用の液体からレジスト膜ＣＶＲが保護されるとともに、レジストカバー膜ＣＶＴの膜端付近の剥がれが防止される。なお、レジストカバー膜ＣＶＴの膜端位置の制御については、後述する＜３．塗布ユニットＣＯＶの構成および動作＞において詳細に説明する。

図１〜図４に戻り、基板処理装置５００の動作説明を続ける。レジストカバー膜除去ブロック１４の第６のセンターロボットＣＲ６は、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。また、洗浄／乾燥処理ブロック１５の第７のセンターロボットＣＲ７は、基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。更に、インターフェースブロック１６の第８のセンターロボットＣＲ８は、基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板ＷをＰＡＳＳ１５に載置する。なお、インターフェースブロック１６において基板Ｗがエッジ露光部ＥＥＷに搬入され、基板Ｗの周縁部に露光処理が行われてもよい。

インターフェースブロック１６のインターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板載置部ＰＡＳＳ１５に載置された基板Ｗを露光装置１７の基板搬入部１７ａに搬入する（ステップＳ８）。なお、露光装置１７が基板Ｗを受け入れられない場合には、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦに一時的に収納保管される。露光装置１７では、基板Ｗに対して液浸露光処理が行われ、基板Ｗの上面に所定の電子パターンが露光される。

その後、インターフェースブロック１６のインターフェース用搬送機構ＩＦＲは、露光装置１７の基板搬出部１７ｂから露光処理後の基板Ｗを取り出し（ステップＳ９）、洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０に当該基板Ｗを搬入する。なお、洗浄／乾燥処理部８０が基板Ｗを受け入れられない場合には、基板Ｗは戻りバッファ部ＲＢＦに一時的に収納保管される。洗浄／乾燥処理部８０の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤでは、露光処理後の基板Ｗに対して、洗浄処理および乾燥処理が行われる（ステップＳ１０）。

洗浄／乾燥処理部８０における洗浄処理および乾燥処理が終了すると、インターフェースブロック１６のインターフェース用搬送機構ＩＦＲは、洗浄／乾燥処理部８０から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１６に載置する。

インターフェースブロック１６の第８のセンターロボットＣＲ８は、基板載置部ＰＡＳＳ１６に載置された基板Ｗを受け取り、洗浄／乾燥処理ブロック１５の露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１へ当該基板Ｗを搬送する。露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１では、露光処理後の基板Ｗに対して所定の熱処理（加熱処理および冷却処理）が行われる（ステップＳ１１）。また、露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１における熱処理が終了すると、インターフェースブロック１６の第８のセンターロボットＣＲ８は、露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１４に載置する。また、洗浄／乾燥処理ブロック１５の第７のセンターロボットＣＲ７は、基板載置部ＰＡＳＳ１４に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。

レジストカバー膜除去ブロック１４の第６のセンターロボットＣＲ６は、基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗを受け取り、レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂの除去ユニットＲＥＭへ当該基板を搬入する。除去ユニットＲＥＭでは、所定の除去液により基板Ｗの上面からレジストカバー膜が除去される（ステップＳ１２）。

その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂから基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。また、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第５のセンターロボットＣＲ５は、基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に載置する。

更に、現像処理ブロック１２の第４のセンターロボットＣＲ４は、基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗを受け取り、現像処理部５０の現像処理ユニットＤＥＶへ当該基板Ｗを搬入する。現像処理ユニットＤＥＶでは、基板Ｗの上面に現像液が供給されることにより、現像処理が行われる（ステップＳ１３）。

その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、現像処理部５０から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。現像用熱処理部１２０，１２１では、基板Ｗに対して所定の熱処理（加熱処理および冷却処理）が行われる（ステップＳ１４）。また、現像用熱処理部１２０，１２１における熱処理が終了すると、第４のセンターロボットＣＲ４は、現像用熱処理部１２０，１２１から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。

レジスト膜用処理ブロック１１の第３のセンターロボットＣＲ３は、基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４に載置する。また、反射防止膜用処理ブロック１０の第２のセンターロボットＣＲ２は、基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。更に、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲは、基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗをキャリア載置台９２上のキャリアＣに収納する。その後、キャリア載置台９２上からキャリアＣが搬出され（ステップＳ１５）、基板処理装置５００における一連の基板処理が終了する。

＜３．塗布ユニットＣＯＶの構成および動作＞
続いて、上記のレジストカバー膜用塗布処理部６０に設けられた塗布ユニットＣＯＶのより詳細な構成および動作について、図６〜図１１を参照しつつ説明する。図６は、塗布ユニットＣＯＶの構成を示した側面図である。図６に示したように、塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢に保持しつつ回転させるスピンチャック６１と、基板Ｗの上面にレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル６２と、基板Ｗの下面側から除去液を供給する除去ノズル６３とを有している。

スピンチャック６１は、回転駆動機構６１ａによって回転される回転軸６１ｂの上端に固定されている。スピンチャック６１には、スピンチャック６１の上面側に連通する吸気路（図示省略）が形成されている。基板Ｗをスピンチャック６１上に載置した状態で吸気路の内部を排気すると、基板Ｗはスピンチャック６１上に水平姿勢で吸着保持される。また、スピンチャック６１上に基板Ｗを保持した状態で回転駆動機構６１ａを動作させると、スピンチャック６１および基板Ｗは、基板Ｗの中心を通る鉛直軸周りに回転する。

供給ノズル６２は、スピンチャック６１の上方に配置されている。供給ノズル６２には塗布液供給配管６２ａが接続されており、塗布液供給配管６２ａの上流側には、レジストカバー膜の塗布液を供給する塗布液供給源６２ｂが接続されている。また、塗布液供給配管６２ａの経路途中にはバルブ６２ｃが介挿されている。このため、バルブ６２ｃを開放すると、塗布液供給源６２ｂから塗布液供給配管６２ａを介して供給ノズル６２へ塗布液が供給され、供給ノズル６２からスピンチャック６１に保持された基板Ｗの上面へ向けてレジストカバー膜の塗布液が吐出される。

除去ノズル６３は、スピンチャック６１の側方に配置されている。除去ノズル６３は、スピンチャック６１上に保持された基板Ｗの下面に対向し、その吐出方向は、鉛直上方よりもやや外周側を向いている。除去ノズル６３には、除去液供給配管６３ａが接続されており、除去液供給配管６３ａの上流側には、除去液を供給する除去液供給源６３ｂが接続されている。また、除去液供給配管６３ａの経路途中にはバルブ６３ｃが介挿されている。このため、バルブ６３ｃを開放すると、除去液供給源６３ｂから除去液供給配管６３ａを介して除去ノズル６３へ除去液が供給され、除去ノズル６３からスピンチャック６１に保持された基板Ｗの下面へ向けて除去液が吐出される。なお、除去液としては、例えば、レジストカバー膜を溶解する性質を有するアルコール系の有機溶剤を使用すればよい。

また、塗布ユニットＣＯＶは、ユニット内の各部の動作を制御するユニットコントローラ６４を有している。ユニットコントローラ６４は、上記の回転駆動機構６１ａと電気的に接続されており、回転駆動機構６１ａに制御信号を与えることにより、回転駆動機構６１ａのオンオフおよび回転数（回転速度）を制御することができる。また、ユニットコントローラ６４は、上記のバルブ６２ｃ，６３ｃと電気的に接続されており、これらのバルブ６２ｃ，６３ｃに制御信号を与えることにより、各バルブ６２ｃ，６３ｃの開閉動作を制御することができる。

図７は、この塗布ユニットＣＯＶにおけるレジストカバー膜の形成処理の流れを示したフローチャートである。また、図８は、処理中における基板Ｗの回転数の経時変化を示したグラフである。以下では、図７および図８を参照しつつ、塗布ユニットＣＯＶにおけるレジストカバー膜の形成処理について説明する。

塗布ユニットＣＯＶにおいて基板Ｗの表面にレジストカバー膜を形成するときには、まず、第５のセンターロボットＣＲ５（図１参照）により基板Ｗを塗布ユニットＣＯＶ内に搬入し、当該基板Ｗをスピンチャック６１上に載置する（ステップＳ２１）。基板Ｗは、その中心が回転軸６１ｂの回転中心と一致するようにスピンチャック６１上に載置され、吸気路の吸引圧によりスピンチャック６１上に固定的に保持される。

スピンチャック６１上に基板Ｗが保持されると、塗布ユニットＣＯＶは、回転駆動機構６１ａを動作させることにより、基板Ｗを回転させる。また、塗布ユニットＣＯＶは、バルブ６２ｃを開放し、供給ノズル６２から基板Ｗの上面に向けてレジストカバー膜の塗布液を吐出する（ステップＳ２２）。そして、基板Ｗの上面に所定量の塗布液を供給した後、塗布ユニットＣＯＶは、供給ノズル６２からの塗布液の吐出を停止し、基板Ｗの回転のみを継続する（ステップＳ２３）。なお、このときの基板Ｗの回転数をｒ１とする。

図９は、上記のステップＳ２２〜Ｓ２３における基板Ｗの上面の様子を示した状態図である。基板Ｗの上面に供給された塗布液は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの上面全体に広がる。基板Ｗの回転を継続すると、基板Ｗの上面における塗布液の液面は僅かな勾配を有する状態（塗布液の厚みに微小な差がある状態）となり、これにより、図９の基板Ｗ（２），Ｗ（３）のように、基板Ｗの上面に形成された塗布液の液面に光干渉縞Ｉが発生する。光干渉縞Ｉは、複数色の円環状の縞として塗布液の液面に順次に発生し、各色の光干渉縞Ｉは、基板Ｗの回転中心から外側へ向けて広がる。その後、仮に、回転数ｒ１のまま基板Ｗの回転を継続させると、やがて基板Ｗ上の塗布液の厚みは完全に均一化され、図９の基板Ｗ（４）のように、基板Ｗ上の塗布液の液面から光干渉縞Ｉは消失する。すなわち、塗布液の液面における色の変化が無くなる。このような光干渉縞Ｉが発生している状態と、光干渉縞Ｉが消失した状態との境界は、目視観察により明確に特定することができる。

基板Ｗの上面に光干渉縞Ｉが発生している間は、基板Ｗ上の塗布液中には、溶媒成分が比較的多量に残存している。このため、基板Ｗ上の塗布液は、レジストカバー膜として基板Ｗの上面に徐々に定着しつつも、塗布液としての流動性が残り、液体により容易に浸食可能な軟質の状態となっている。一方、基板Ｗの上面から光干渉縞Ｉが消失した時には、塗布液中の溶媒成分の大部分は揮発され、塗布液は乾燥硬化されて容易に浸食されない状態となる。

本実施形態の塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗ上の塗布液の液面に上記のような光干渉縞Ｉが発生している間に（光干渉縞Ｉが消失する前に）、基板Ｗの回転数をｒ１からｒ２まで低下させる（ステップＳ２４）。そして、塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転数ｒ２で低速回転させつつ、除去ノズル６３から除去液を吐出させることにより、第１のバックリンス処理を行う（ステップＳ２５）。除去ノズル６３から吐出された除去液は、図１０に示したように、基板Ｗの下面に供給され、その表面張力および遠心力により、基板Ｗの下面および端面を伝って基板Ｗの上面側に回り込む。

基板Ｗの上面側に回り込んだ除去液は、基板Ｗの上面側においてレジストカバー膜ＣＶＴとして定着しつつある塗布液の周縁部分を除去する。基板Ｗ上の塗布液中には溶媒成分がある程度残存しているため、塗布液の周縁部分は除去液により容易に浸食されて除去される。このように、本実施形態の塗布ユニットＣＯＶは、塗布液の液面から光干渉縞Ｉが消失する前に基板Ｗの回転数を低下させて除去液の供給を開始する。このため、塗布ユニットＣＯＶは、レジストカバー膜として定着しつつある塗布液の周縁部分を、除去液による溶解作用だけではなく、除去液の物理的な浸食の作用により除去する。このため、塗布液の周縁部分を短時間に精度よく除去することができる。

但し、レジストカバー膜ＣＶＴの膜端形状を良好化するためには、基板Ｗ上の塗布液の流動性がある程度低下した後に、除去液の供給を開始することが望ましい。例えば、塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗの上面に塗布液を供給した後、塗布液の表面から光干渉縞Ｉが消失するまでの時間の２／３の時間が経過した後に、除去液の供給を開始することが望ましい。

除去ノズル６３からの除去液の吐出を開始した後、所定時間が経過すると、次に、塗布ユニットＣＯＶは、ｒ１よりも低くｒ２よりも高い回転数ｒ３まで基板Ｗの回転数を上昇させる（ステップＳ２６）。そして、塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転数ｒ３で回転させつつ、除去ノズル６３からの除去液の吐出を継続することにより、第２のバックリンス処理を行う（ステップＳ２７）。除去ノズル６３から吐出された除去液は、基板Ｗの回転数を上昇させたことにより、図１１に示したように、基板Ｗの上面側まで回り込むことなく基板Ｗの下面および端面を伝って外周側へ振り切られる。これにより、基板Ｗの下面および端面は、除去液により洗浄され、塗布液の成分が基板の下面および端面に残存することが防止される。なお、除去液が基板Ｗの上面側まで回り込むことなく塗布液の成分が基板の下面および端面に残存することを防止できる限り、必ずしも回転数ｒ３はｒ１よりも低くする必要はなく、ｒ２よりも高い適宜の回転数に設定可能である。

その後、塗布ユニットＣＯＶは、除去ノズル６３からの除去液の吐出を停止させるとともに基板Ｗの回転数を更に上昇させ、ｒ１よりも高い回転数ｒ４で基板Ｗを高速回転させる。これにより、塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗの表面に残存する除去液を振り切り乾燥させる、すなわちスピンドライを行う（ステップＳ２８）。そして、所定時間が経過した後、塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗの回転を停止させることによりスピンドライを終了させる（ステップＳ２９）。その後、基板Ｗは、第５のセンターロボットＣＲ５により塗布ユニットＣＯＶから搬出され（ステップＳ３０）、塗布ユニットＣＯＶにおける１枚の基板Ｗに対するレジストカバー膜ＣＶＴの形成処理が終了する。

以上のように、本実施形態の基板処理装置５００に含まれる塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗの上面に塗布された塗布液の液面から光干渉縞が消失する前に、基板Ｗの回転数を低下させるとともに除去液の供給を開始する。このため、レジストカバー膜ＣＶＴとして基板の上面に徐々に定着しつつも流動性が残る塗布液の周縁部分を、除去液の物理的な浸食により除去することができる。したがって、塗布液の周縁部分を短時間に精度よく除去することができる。また、物理的な浸食作用を利用するため、反射防止膜やレジスト膜用の除去液と同一の除去液を使用することができる。

＜４．変形例＞
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記の例に限定されるものではない。上記の例では、複数の処理部を有する基板処理装置５００について説明したが、本発明の基板処理装置は、塗布ユニットの機能のみを有する独立した基板処理装置であってもよい。また、上記の３．では、レジストカバー膜ＣＶＴを形成する場合について説明したが、本発明の塗布液はレジストカバー膜用の塗布液に限定されるものではなく、反射防止膜用の塗布液や、レジスト膜用の塗布液や、その他の塗布液であってもよい。

また、上記の例では、半導体基板Ｗを処理対象としていたが、本発明の基板処理装置および基板処理方法は、液晶表示装置用ガラス基板やフォトマスク用ガラス基板等の他の基板を処理対象とするものであってもよい。

基板処理装置の平面図である。 基板処理装置を＋Ｘ側から見た側面図である。 基板処理装置を−Ｘ側から見た側面図である。 基板処理装置の全体的な動作の流れを示したフローチャートである。 反射防止膜、レジスト膜、およびレジストカバー膜の積層構造を示した縦断面図である。 レジストカバー膜用塗布処理部に設けられた塗布ユニットの構成を示した側面図である。 レジストカバー膜の形成処理の流れを示したフローチャートである。 処理中における基板の回転数の経時変化を示したグラフである。 塗布液が供給された基板の上面の様子を示した状態図である。 第１のバックリンス処理の様子を示した縦断面図である。 第２のバックリンス処理の様子を示した縦断面図である。 塗布膜の周縁部分を除去する処理の従来の一例を示した図である。 塗布膜の周縁部分を除去する処理の従来の他の例を示した図である。

符号の説明

９ インデクサブロック
１０ 反射防止膜用処理ブロック
１１ レジスト膜用処理ブロック
１２ 現像処理ブロック
１３ レジストカバー膜用処理ブロック
１４ レジストカバー膜除去ブロック
１５ 洗浄／乾燥処理ブロック
１６ インターフェースブロック
１７ 露光装置
６０ レジストカバー膜用塗布処理部
６１ スピンチャック
６２ 供給ノズル
６３ 除去ノズル
６４ ユニットコントローラ
５００ 基板処理装置
ＣＯＶ 塗布ユニット
ＣＶＢ 反射防止膜
ＣＶＲ レジスト膜
ＣＶＴ レジストカバー膜
Ｉ 光干渉縞
Ｗ 基板

Claims (8)

1. 基板の表面に塗布液を供給することにより基板の表面に塗布膜を形成する基板処理装置であって、
   基板を水平姿勢に保持しつつ鉛直軸周りに回転させる保持部と、
   前記保持部に保持された基板の上面に塗布液を供給する塗布液供給部と、
   前記保持部に保持された基板の下面に向けて除去液を吐出し、基板の下面および端面を介して基板の上面側に除去液を回り込ませることにより、基板の上面の周縁部に除去液を供給する除去液供給部と、
   前記保持部、前記塗布液供給部、および前記除去液供給部の動作を制御する制御部と、
   を備え、
   前記制御部は、前記塗布液供給部により基板の上面に塗布された塗布液の液面から光干渉縞が消失する前に、前記除去液供給部による除去液の供給を開始させることを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記制御部は、前記塗布液供給部による塗布液の供給後、前記保持部により基板を第１の回転数で回転させ、前記除去液供給部による除去液の吐出前に、基板の回転数を第１の回転数より低い第２の回転数に低下させることを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置であって、
   前記制御部は、前記除去液供給部による除去液の供給を開始させた後、所定時間が経過すると、前記保持部による基板の回転数を前記第２の回転数よりも高い第３の回転数に上昇させることを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項１から請求項３までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記塗布液供給部は、液浸露光処理においてレジスト膜を保護するためのレジストカバー膜を形成する塗布液を供給することを特徴とする基板処理装置。
5. 基板の表面に塗布液を塗布することにより基板の表面に塗布膜を形成する基板処理方法であって、
   水平姿勢に保持された基板の上面に塗布液を供給する第１の工程と、
   前記第１の工程において基板の上面に塗布された塗布液の液面から光干渉縞が消失する前に、基板の下面に向けて除去液を吐出し、基板の下面および端面を介して基板の上面側に除去液を回り込ませることにより、基板の上面の周縁部に除去液を供給する第２の工程と、
   を備えることを特徴とする基板処理方法。
6. 請求項５に記載の基板処理方法であって、
   前記第１の工程における塗布液の供給後、鉛直軸周りに基板を第１の回転数で回転させ、
   前記第２の工程における除去液の吐出前に、基板の回転数を前記第１の回転数より低い第２の回転数に低下させることを特徴とする基板処理方法。
7. 請求項６に記載の基板処理方法であって、
   前記第２の工程の後、前記除去液の吐出を継続しつつ、基板の回転数を前記第２の回転数よりも高い第３の回転数に上昇させる第３の工程を更に備えることを特徴とする基板処理方法。
8. 請求項５から請求項７までのいずれかに記載の基板処理方法であって、
   前記第１の工程では、液浸露光処理においてレジスト膜を保護するためのレジストカバー膜を形成する塗布液を供給することを特徴とする基板処理方法。

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