JP2017139492A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】生産性の低下を防止すること。【解決手段】実施形態に係る基板処理方法は、塗布工程と、ベベル洗浄工程と、検査工程と、再洗浄工程とを含む。塗布工程は、基板に塗布材を塗り広げる。ベベル洗浄工程は、塗布工程後における基板のベベル部を洗浄する。検査工程は、ベベル洗浄工程後、ベベル部の表面状態を検査してベベル部における塗布材の有無を判定する。再洗浄工程は、検査工程においてベベル部に塗布材が有ると判定した場合に、検査工程後に、基板のベベル部を再洗浄する。また、ベベル洗浄工程は、基板を回転させつつ基板の裏面に向けて薬液を吐出し、基板の裏面側から表面側へ回り込む薬液によって基板のベベル部に付着した塗布材を除去する。また、再洗浄工程は、基板のベベル部を含む周縁部の表面側および裏面側から周縁部へ向けて薬液を吐出することによって基板の周縁部に付着した塗布材を除去する。【選択図】図１１

Description

開示の実施形態は、基板処理方法および基板処理装置に関する。

近年、たとえば半導体デバイスの製造工程において、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの被処理基板の大口径化および薄型化が進んでいる。大口径で薄い被処理基板は、搬送時や研磨処理時に反りや割れが生じるおそれがある。このため、被処理基板にガラス基板等の支持基板を貼り合わせることによって被処理基板を補強することが行われている。

たとえば、特許文献１には、被処理基板の表面に接着剤を塗り広げる塗布装置と、接着剤が塗布された被処理基板を加熱する熱処理装置と、熱処理後の被処理基板と支持基板とを接着剤を介して接合する接合装置とを備える接合システムが開示されている。

また、特許文献１には、塗布装置を用いて被処理基板の表面に接着剤を塗り広げた後、塗布装置内に配置されたバックリンスノズルを用いて被処理基板のベベル部を洗浄することが記載されている。

特開２０１３−２４７２９２号公報

しかしながら、特許文献１に記載の技術には、生産性の低下を防止するという点でさらなる改善の余地がある。

たとえば、特許文献１に記載の技術では、上述したように、被処理基板に接着剤を塗布した後、被処理基板のベベル部を洗浄することとしている。しかしながら、たとえば洗浄液の吐出不良等が生じた場合、ベベル部に付着した接着剤が十分に除去されない可能性がある。しかしながら、特許文献１に記載の技術には、接着剤がベベル部から除去されたかどうかを確認する手段がなかった。

被処理基板のベベル部に接着剤が残存していると被処理基板のアライメントずれが生じるおそれがあり、かかるアライメントずれによって被処理基板と支持基板との接合ずれ等が生じて生産性が低下するおそれがある。

なお、ここでは、基板同士を接合する処理において、被処理基板に接着剤を塗布した後、被処理基板のベベル部を洗浄する場合の例について説明した。しかし、本例に限らず、半導体デバイスの製造工程においては、たとえば基板に対してレジストの塗布および現像を行う塗布・現像処理においても、ベベル部の洗浄が行われる場合があり、基板のベベル部にレジストが残存することによって生産性の低下が生じるおそれがある。

実施形態の一態様は、生産性の低下を防止することのできる基板処理方法および基板処理装置を提供することを目的とする。

実施形態の一態様に係る基板処理方法は、塗布工程と、ベベル洗浄工程と、検査工程と、再洗浄工程とを含む。塗布工程は、基板に塗布材を塗り広げる。ベベル洗浄工程は、塗布工程後における基板のベベル部を洗浄する。検査工程は、ベベル洗浄工程後、ベベル部の表面状態を検査してベベル部における塗布材の有無を判定する。再洗浄工程は、検査工程においてベベル部に塗布材が有ると判定した場合に、検査工程後に、基板のベベル部を再洗浄する。また、ベベル洗浄工程は、基板を回転させつつ基板の裏面に向けて薬液を吐出し、基板の裏面側から表面側へ回り込む薬液によって基板のベベル部に付着した塗布材を除去する。また、再洗浄工程は、基板のベベル部を含む周縁部の表面側および裏面側から周縁部へ向けて薬液を吐出することによって基板の周縁部に付着した塗布材を除去する。

実施形態の一態様によれば、生産性の低下を防止することができる。

図１は、第１の実施形態に係る接合システムの構成を示す模式平面図である。 図２は、被処理基板および支持基板の模式側面図である。 図３は、第１塗布装置の構成を示す模式側面図である。 図４は、第２塗布装置の構成を示す模式側面図である。 図５は、熱処理装置の構成を示す模式側面図である。 図６は、熱処理装置の構成を示す模式平面図である。 図７は、エッジカット装置の構成を示す模式側面図である。 図８は、エッジカット装置の構成を示す模式斜視図である。 図９は、接合装置の構成を示す模式平面図である。 図１０は、接合部の構成を示す模式側面図である。 図１１は、第１の実施形態に係る接合システムが実行する処理の処理手順を示すフローチャートである。 図１２は、検査・再洗浄処理の処理手順を示すフローチャートである。 図１３は、接合処理の動作例を示す図である。 図１４は、各処理とその処理を実行する装置との関係を示す図である。 図１５は、各処理とその処理を実行する装置との関係を示す図である。 図１６は、各処理とその処理を実行する装置との関係を示す図である。 図１７は、第２の実施形態に係る被処理基板および支持基板の模式側面図である。 図１８は、剥離剤が塗布された被処理基板の接合面を示す模式側面図である。 図１９は、保護剤および剥離剤が塗布された被処理基板の接合面を示す模式側面図である。 図２０は、第２の実施形態に係る第１塗布装置の構成を示す模式側面図である。 図２１は、第２の実施形態に係る接合システムが実行する処理の処理手順を示すフローチャートである。 図２２は、各処理とその処理を実行する装置との関係を示す図である。 図２３は、第３の実施形態に係る接合処理および仮硬化処理の処理手順を示すフローチャートである。 図２４は、第４の実施形態に係る接合システムの構成を示す模式平面図である。 図２５は、第４の実施形態に係る仮硬化装置の構成を示す模式側面図である。 図２６は、第４の実施形態に係る仮硬化装置の構成を示す模式側面図である。 図２７は、第５の実施形態に係る第２塗布装置の構成を示す模式側面図である。 図２８は、変形例に係る検査部の構成を示す模式側面図である。

以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理方法および基板処理装置の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。

（第１の実施形態）
＜１．接合システムの構成＞
まず、第１の実施形態に係る接合システムの構成について、図１および図２を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る接合システムの構成を示す模式平面図である。
また、図２は、被処理基板および支持基板の模式側面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。

図１に示す第１の実施形態に係る接合システム１は、被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓ（図２参照）を、接着剤Ｇおよび剥離剤Ｒを介して接合することによって重合基板Ｔを形成する。

被処理基板Ｗは、たとえば、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板に複数の電子回路が形成された基板であり、電子回路が形成される側の板面を支持基板Ｓとの接合面Ｗｊとしている。かかる被処理基板Ｗは、支持基板Ｓとの接合後、接合面Ｗｊとは反対側の面である非接合面Ｗｎが研磨処理されることによって薄型化される。剥離剤Ｒは、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに塗布される。

一方、支持基板Ｓは、被処理基板Ｗと略同径の基板であり、被処理基板Ｗを支持する。支持基板Ｓとしては、たとえばガラス基板の他、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板等を用いることができる。接着剤Ｇは、かかる支持基板Ｓの被処理基板Ｗとの接合面Ｓｊに塗布される。

接着剤Ｇは、熱硬化性樹脂系の接着剤である。熱硬化性とは、常温（たとえば２０℃程度）では変形しにくいが加熱によって軟化して成形し易くなり、さらに加熱することで重合が進んで硬化し、もとの状態に戻らなくなる性質をいう。接合システム１において使用される接着剤Ｇとしては、たとえば軟化温度が１２０〜１４０℃程度、硬化温度が１８０℃程度のものが用いられる。

剥離剤Ｒは、重合基板Ｔを被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する際に、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとの剥離を円滑に行う目的で塗布される。剥離剤Ｒとしては、接着剤Ｇよりも接着力が低く、粘性が低い材料が用いられる。また、剥離剤Ｒは、シンナーなどの有機溶剤に可溶な性質を有するとともに、加熱しても硬化しない性質も有する。

被処理基板Ｗにおける接合面Ｗｊの外周部には、剥離剤Ｒが除去された領域（以下、「未塗布領域Ｑ」と記載する）が存在する。後述する接合処理おいて被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが接合された際、かかる未塗布領域Ｑには、支持基板Ｓに塗布された接着剤Ｇが付着する。これにより、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとは、未塗布領域Ｑにおいて接着剤Ｇによって強固に接合され、たとえば接合後の重合基板Ｔを搬送する際の位置ずれが防止される。

なお、未塗布領域Ｑは、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊの全面に剥離剤Ｒを塗布した後、被処理基板Ｗのベベル部を含む周縁部から剥離剤Ｒを除去するエッジカット処理を行うことによって形成される。かかる点については後述する。

図１に示すように、接合システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２および処理ステーション３は、Ｘ軸正方向にこの順番で一体的に接続される。

搬入出ステーション２は、カセット載置台１０と、第１搬送領域１１とを備える。カセット載置台１０は、複数枚（たとえば、２５枚）の基板を水平状態で収容するカセットＣｗ，Ｃｓ，Ｃｔが載置される場所である。かかる搬入出ステーション２には、たとえば４つの載置部１２が一列に並べて載置される。各載置部１２には、たとえば、被処理基板Ｗを収容するカセットＣｗ、支持基板Ｓを収容するカセットＣｓおよび重合基板Ｔを収容するカセットＣｔがそれぞれ載置される。

第１搬送領域１１には、Ｙ軸方向に延在する搬送路１３と、この搬送路１３に沿って移動可能な第１搬送装置１４とが配置される。第１搬送装置１４は、Ｘ軸方向にも移動可能かつＺ軸周りに旋回可能であり、載置部１２に載置されたカセットＣｗ，Ｃｓ，Ｃｔと、後述する処理ステーション３の第１受渡部２０との間で被処理基板Ｗ、支持基板Ｓおよび重合基板Ｔの搬送を行う。

処理ステーション３は、第１受渡部２０と、第２搬送領域３０と、第１塗布装置４０と、第２塗布装置５０と、複数の熱処理装置６０と、エッジカット装置７０と、接合装置８０とを備える。

第１受渡部２０は、第１搬送領域１１と第２搬送領域３０との間に配置される。第１受渡部２０では、第１搬送領域１１に配置される第１搬送装置１４と、第２搬送領域３０に配置される第２搬送装置３１との間で、被処理基板Ｗ、支持基板Ｓおよび重合基板Ｔの受け渡しが行われる。

第２搬送領域３０には、第２搬送装置３１が配置される。第２搬送装置３１は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に移動可能かつＺ軸周りに旋回可能であり、第１受渡部２０、第１塗布装置４０、第２塗布装置５０、熱処理装置６０、エッジカット装置７０および接合装置８０間での被処理基板Ｗ、支持基板Ｓおよび重合基板Ｔの搬送を行う。

第１塗布装置４０は、支持基板Ｓの接合面Ｓｊに接着剤Ｇを塗布する装置である。第２塗布装置５０は、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに剥離剤Ｒを塗布する装置である。熱処理装置６０は、接着剤Ｇが塗布された支持基板Ｓまたは剥離剤Ｒが塗布された被処理基板Ｗを所定の温度に加熱する装置である。エッジカット装置７０は、被処理基板Ｗの周縁部から剥離剤Ｒを除去する装置である。そして、接合装置８０は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを接着剤Ｇおよび剥離剤Ｒを介して接合する装置である。

これら第１塗布装置４０、第２塗布装置５０、複数の熱処理装置６０、エッジカット装置７０および接合装置８０は、第２搬送領域３０の周囲に並べて配置される。具体的には、第１塗布装置４０は、第２搬送領域３０のＹ軸正方向側のスペースのうち、第１受渡部２０に最も近い位置に配置され、第２塗布装置５０は、第２搬送領域３０を挟んで第１塗布装置４０と対向する位置に配置される。そして、接合装置８０は、第１塗布装置４０に隣接して配置され、複数の熱処理装置６０は、第２塗布装置５０に隣接して配置される。また、エッジカット装置７０は、第２搬送領域３０を挟んで第１受渡部２０と対向する位置に配置される。

複数の熱処理装置６０は、たとえば上下４段に積層された状態で、左右２列に並べて配置される。なお、熱処理装置６０の装置数や配置は、任意に設定することができる。

また、接合システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、接合システム１の動作を制御する。かかる制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部５と記憶部６とを備える。記憶部６には、接合処理等の各種処理を制御するプログラムが格納される。制御部５は、たとえばＣＰＵ（Central Processing Unit）であり、記憶部６に格納されたプログラムを読み出して実行することによって接合システム１の動作を制御する。

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から制御装置４の記憶部６にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記録媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。また、制御部５は、プログラムを用いずにハードウェアのみで構成されてもよい。

＜２．第１塗布装置の構成＞
次に、第１塗布装置４０の構成について図３を参照して説明する。図３は、第１塗布装置４０の構成を示す模式側面図である。

図３に示すように、第１塗布装置４０は、チャンバ４１と、基板保持機構４２と、液供給部４３と、回収カップ４４とを備える。

チャンバ４１は、基板保持機構４２と液供給部４３と回収カップ４４とを収容する。なお、チャンバ４１の天井部には、図示しないＦＦＵ（Fan Filter Unit）が設けられる。ＦＦＵは、チャンバ４１内にダウンフローを形成する。

基板保持機構４２は、チャンバ４１の略中央に設けられており、保持部４２１と、支柱部材４２２と、駆動部４２３とを備える。

保持部４２１は、たとえばポーラスチャックであり、支持基板Ｓを吸着保持する。支柱部材４２２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部４２３によって回転可能に支持され、先端部において保持部４２１を水平に支持する。駆動部４２３は、支柱部材４２２を鉛直軸まわりに回転させる。基板保持機構４２は、駆動部４２３を用いて支柱部材４２２を回転させることにより、支柱部材４２２に支持された保持部４２１を回転させる。これにより、保持部４２１に保持された支持基板Ｓが回転する。なお、支持基板Ｓは、接合面Ｓｊを上方に向けた状態で基板保持機構４２に保持される。

液供給部４３は、基板保持機構４２に保持された支持基板Ｓに対して接着剤Ｇを供給する。かかる液供給部４３は、接着剤吐出部４３１と、接着剤吐出部４３１を水平に支持するアーム４３２と、アーム４３２を旋回および昇降させる旋回昇降機構４３３とを備える。接着剤吐出部４３１は、バルブ４３４を介して接着剤供給源４３５に接続されており、接着剤供給源４３５から供給される接着剤Ｇを支持基板Ｓに吐出する。

接着剤吐出部４３１から吐出される接着剤Ｇには、接着剤Ｇの粘性を低下させて接着剤Ｇを支持基板Ｓ上に塗り広げやすくするために、たとえばシンナー等の有機溶剤が混合される。

回収カップ４４は、保持部４２１を取り囲むように配置され、保持部４２１の回転によって支持基板Ｓから飛散する接着剤Ｇを捕集する。回収カップ４４の底部には、排液口４４１が形成されており、回収カップ４４によって捕集された接着剤Ｇは、かかる排液口４４１から第１塗布装置４０の外部へ排出される。また、回収カップ４４の底部には、図示しないＦＦＵから供給されるダウンフローガスを第１塗布装置４０の外部へ排出する排気口４４２が形成される。

上記のように構成された第１塗布装置４０では、基板保持機構４２が、支持基板Ｓを回転させ、液供給部４３が、回転する支持基板Ｓの接合面Ｓｊに接着剤Ｇを供給する。支持基板Ｓの接合面Ｓｊに供給された接着剤Ｇは、支持基板Ｓの回転に伴う遠心力によって支持基板Ｓの接合面Ｓｊの全面に塗り広げられる。これにより、支持基板Ｓの接合面Ｓｊに、接着剤Ｇの塗布膜が形成される。

＜３．第２塗布装置の構成＞
次に、第２塗布装置５０の構成について図４を参照して説明する。図４は、第２塗布装置５０の構成を示す模式側面図である。

図４に示すように、第２塗布装置５０は、チャンバ５１と、基板保持機構５２と、液供給部５３と、回収カップ５４とを備える。チャンバ５１、基板保持機構５２および回収カップ５４の構成は、第１塗布装置４０と同様である。すなわち、基板保持機構５２は、保持部５２１、支柱部材５２２および駆動部５２３を備え、回収カップ５４は、排液口５４１および排気口５４２を備える。被処理基板Ｗは、接合面Ｗｊを上方に向けた状態で、基板保持機構５２に保持される。

液供給部５３は、剥離剤吐出部５３１と、剥離剤吐出部５３１を水平に支持するアーム５３２と、アーム５３２を旋回および昇降させる旋回昇降機構５３３とを備える。剥離剤吐出部５３１は、バルブ５３４を介して剥離剤供給源５３５に接続されており、剥離剤供給源５３５から供給される剥離剤Ｒを被処理基板Ｗに吐出する。

剥離剤吐出部５３１から吐出される剥離剤Ｒには、剥離剤Ｒの粘性を低下させて剥離剤Ｒを被処理基板Ｗ上に塗り広げやすくするために、たとえばシンナー等の有機溶剤が混合されている。

上記のように構成された第２塗布装置５０では、基板保持機構５２が、被処理基板Ｗを回転させ、液供給部５３が、回転する被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに剥離剤Ｒを供給する。被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに供給された剥離剤Ｒは、被処理基板Ｗの回転に伴う遠心力によって被処理基板Ｗの接合面Ｗｊの全面に塗り広げられる。これにより、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに、剥離剤Ｒの塗布膜が形成される。

また、第２塗布装置５０は、ベベル洗浄部５５を備える。第１の実施形態に係るベベル洗浄部５５は、支持基板Ｓのベベル部に付着した接着剤Ｇを除去する目的で使用される。

ベベル洗浄部５５は、基板保持機構５２に保持される支持基板Ｓより下方、たとえば回収カップ５４の底部に設けられる。ベベル洗浄部５５は、バルブ５５１を介して薬液供給源５５２に接続されており、かかる薬液供給源５５２から供給される薬液、ここではシンナー等の有機溶剤を支持基板Ｓの裏面外周部に向けて吐出する。

第２塗布装置５０では、基板保持機構５２が、支持基板Ｓを保持するとともに回転させ、ベベル洗浄部５５が、回転する支持基板Ｓの裏面外周部に有機溶剤を供給する。支持基板Ｓの裏面外周部に供給された有機溶剤は、支持基板Ｓの裏面側から表面側へ回り込み、支持基板Ｓのベベル部に付着した接着剤Ｇを溶解させてベベル部から除去する。

このように、第１の実施形態に係る第２塗布装置５０では、被処理基板Ｗに対して剥離剤Ｒを塗布する処理に加え、支持基板Ｓのベベル洗浄処理も行われる。かかる点については、後述する。

＜４．熱処理装置の構成＞
次に、熱処理装置６０の構成について図５を参照して説明する。図５は、熱処理装置６０の構成を示す模式側面図であり、図６は同模式平面図である。

図５に示すように、熱処理装置６０は、内部を閉鎖可能な処理容器６１０を有する。処理容器６１０の第２搬送領域３０（図１参照）側の側面には、搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられる。

処理容器６１０の天井面には、当該処理容器６１０の内部に例えば窒素ガスなどの不活性ガスを供給するガス供給口６１１が形成される。ガス供給口６１１には、ガス供給源６１２に連通するガス供給管６１３が接続される。ガス供給管６１３には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群６１４が設けられる。

処理容器６１０の底面には、当該処理容器６１０の内部の雰囲気を吸引する吸気口６１５が形成される。吸気口６１５には、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置６１６が接続される。

処理容器６１０の内部には、被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓを加熱処理する加熱部６２０と、被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓを温度調節する温度調節部６２１が設けられる。加熱部６２０と温度調節部６２１はＸ軸方向に並べて配置されている。

加熱部６２０は、熱板６３０を収容して熱板６３０の外周部を保持する環状の保持部材６３１と、その保持部材６３１の外周を囲む略筒状のサポートリング６３２を備える。熱板６３０は、厚みのある略円盤形状を有し、被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓを載置して加熱することができる。また、熱板６３０には、例えばヒータ６３３が内蔵される。熱板６３０の加熱温度は例えば制御部５により制御され、熱板６３０上に載置された被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓが所定の温度に加熱される。

熱板６３０の下方には、被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓを下方から支持し昇降させるための昇降ピン６４０が例えば３本設けられる。昇降ピン６４０は、昇降駆動部６４１により上下動できる。熱板６３０の中央部付近には、当該熱板６３０を厚み方向に貫通する貫通孔６４２が例えば３箇所に形成される。そして、昇降ピン６４０は貫通孔６４２を挿通し、熱板６３０の上面から突出可能になっている。

温度調節部６２１は、温度調節板６５０を有している。温度調節板６５０は、図６に示すように略方形の平板形状を有し、熱板６３０側の端面が円弧状に湾曲している。温度調節板６５０には、Ｙ軸方向に沿った２本のスリット６５１が形成される。スリット６５１は、温度調節板６５０の熱板６３０側の端面から温度調節板６５０の中央部付近まで形成される。このスリット６５１により、温度調節板６５０が、加熱部６２０の昇降ピン６４０および後述する温度調節部６２１の昇降ピン６６０と干渉するのを防止することができる。また、温度調節板６５０には、例えばペルチェ素子などの温度調節部材（図示せず）が内蔵される。温度調節板６５０の冷却温度は例えば制御部５により制御され、温度調節板６５０上に載置された被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓが所定の温度に冷却される。

温度調節板６５０は、図５に示すように支持アーム６５２に支持される。支持アーム６５２には、駆動部６５３が取り付けられている。駆動部６５３は、Ｘ軸方向に延在するレール６５４に取り付けられる。レール６５４は、温度調節部６２１から加熱部６２０まで延在する。この駆動部６５３により、温度調節板６５０は、レール６５４に沿って加熱部６２０と温度調節部６２１との間を移動可能になっている。

温度調節板６５０の下方には、被処理基板Ｗを下方から支持し昇降させるための昇降ピン６６０が例えば３本設けられる。昇降ピン６６０は、昇降駆動部６６１により上下動できる。そして、昇降ピン６６０はスリット６５１を挿通し、温度調節板６５０の上面から突出可能になっている。

被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓが処理容器６１０内に搬入されると、予め上昇して待機していた昇降ピン６６０が、被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓを受け取る。続いて昇降ピン６６０が下降して、被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓが温度調節板６５０に載置される。

その後、駆動部６５３により温度調節板６５０がレール６５４に沿って熱板６３０の上方まで移動し、被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓが予め上昇して待機していた昇降ピン６４０に受け渡される。その後、昇降ピン６４０が下降して、被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓが熱板６３０上に載置される。そして、被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓは、熱板６３０によって所定の温度に加熱される。

その後、昇降ピン６４０が上昇すると共に、温度調節板６５０が熱板６３０の上方に移動する。続いて被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓが昇降ピン６４０から温度調節板６５０に受け渡され、温度調節板６５０が第２搬送領域３０側に移動する。この温度調節板６５０の移動中に、被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓは所定の温度に温度調節される。

＜５．エッジカット装置の構成＞
次に、エッジカット装置７０の構成について図７および図８を参照して説明する。図７は、エッジカット装置７０の構成を示す模式側面図であり、図８は、同模式斜視図である。

図７に示すように、エッジカット装置７０は、内部を密閉可能な処理容器７１０を有する。処理容器７１０の第２搬送領域３０（図１参照）側の側面には、被処理基板Ｗの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられる。

処理容器７１０の天井部には、ＦＦＵ７１１が設けられる。ＦＦＵ７１１は、処理容器７１０内にダウンフローを形成する。ＦＦＵ７１１には、バルブや流量調節部等を含む供給機器群７１２を介して気体供給源７１３が接続される。また、処理容器７１０の底面には、当該処理容器７１０の内部の雰囲気を吸引する吸気口７１４が形成される。吸気口７１４には、たとえば真空ポンプなどの負圧発生装置７１５が接続される。

処理容器７１０内には、溶剤供給部７２０と、吸着移動部７３０とが設けられる。溶剤供給部７２０は、処理容器７１０内のＸ軸負方向側に設けられ、吸着移動部７３０は、処理容器７１０内のＸ軸正方向側に設けられる。

溶剤供給部７２０は、本体部７２１と、本体部７２１を所定の高さに支持するベース部材７２２と、本体部７２１のＸ軸正方向側の外部に設けられた上側ノズル７２３および下側ノズル７２４と、本体部７２１のＸ軸正方向側の内部に設けられた吸引部７２５とを備える。

上側ノズル７２３および下側ノズル７２４は、本体部７２１の外部に取り付けられており、所定の空間を空けて対向配置される。上側ノズル７２３は、シンナー等の有機溶剤を下方へ向けて吐出し、下側ノズル７２４は、上記有機溶剤を上方へ向けて吐出する。これら上側ノズル７２３および下側ノズル７２４には、それぞれバルブや流量調節部等を含む供給機器群７４１，７４３を介して有機溶剤供給源７４２，７４４が接続される。

吸引部７２５は、上側ノズル７２３と下側ノズル７２４との間に設けられており、上側ノズル７２３および下側ノズル７２４から吐出された有機溶剤を吸引する。かかる吸引部７２５には、たとえば真空ポンプなどの負圧発生装置７４５が接続される。

吸着移動部７３０は、Ｘ軸方向に延在するレール７３１と、レール７３１に沿って移動する移動機構７３２と、移動機構７３２の上部に設けられ、被処理基板Ｗを回転可能に吸着保持する吸着保持部７３３とを備える。

また、図８に示すように、エッジカット装置７０は、検査部７５０をさらに備える。検査部７５０は、たとえば吸着保持部７３３のＹ軸正方向側に配置される。検査部７５０は、本体部７５１と、本体部７５１を所定の高さに支持するベース部材７５２とを備える。

検査部７５０の本体部７５１は、たとえばＣＣＤ（Charge Coupled Device）カメラであり、被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓの外周部の表面およびベベル部を撮像する。具体的には、エッジカット装置７０は、吸着保持部７３３を回転させつつ本体部７５１による撮像を行う。これにより、被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓの外周部の表面およびベベル部が全周に亘って撮像される。撮像された画像の画像データは、制御部５へ送信される。

処理容器７１０内に被処理基板Ｗが搬入されると、吸着保持部７３３が被処理基板Ｗを吸着保持する。つづいて、移動機構７３２がレール７３１に沿って移動して、被処理基板Ｗの周縁部を検査部７５０内に配置させる。

その後、吸着保持部７３３が被処理基板Ｗを低速で回転させつつ、本体部７５１が被処理基板Ｗの周縁部を撮像する。そして、制御部５が、本体部７５１によって撮像された画像に基づいて、被処理基板Ｗの端面（ベベル部の先端）の検出を行う。

つづいて、移動機構７３２が、上記端面検出の結果に基づいてレール７３１上を移動して、被処理基板Ｗの周縁部を上側ノズル７２３と下側ノズル７２４との間に位置させる。

その後、吸着保持部７３３が被処理基板Ｗを回転させつつ、溶剤供給部７２０が、上側ノズル７２３および下側ノズル７２４から被処理基板Ｗの周縁部へ向けて有機溶剤を吐出する。これにより、被処理基板Ｗの周縁部に塗布された剥離剤Ｒが有機溶剤によって溶解されて被処理基板Ｗから除去される。なお、上側ノズル７２３および下側ノズル７２４から吐出された有機溶剤は、吸引部７２５によって吸引される。

ここで、吸着保持部７３３に保持された被処理基板Ｗは、必ずしも吸着保持部７３３の中心と被処理基板Ｗの中心が合った真円の状態で吸着保持部７３３上に戴置されるとは限らない。そのため、真円ではない状態で戴置された被処理基板Ｗの端面検出を行わずに被処理基板Ｗに対してエッジカット処理を行った場合、被処理基板Ｗの周縁部における剥離剤Ｒの除去幅が、被処理基板Ｗの回転位置によって異なってしまう。

これに対し、第１の実施形態に係るエッジカット装置７０によれば、事前に被処理基板Ｗの端面検出を行うことにより、被処理基板Ｗの各回転位置における端面位置を正確に把握することができる。すなわち、エッジカット装置７０は、溶剤供給部７２０の位置にて、吸着保持部７３３を水平方向に適宜移動させながら被処理基板Ｗを回転させることで、被処理基板Ｗの周縁部における剥離剤Ｒの除去幅を一定にすることが可能となる。

第１の実施形態に係るエッジカット装置７０は、検査部７５０を用いて、支持基板Ｓまたはエッジカット処理後の被処理基板Ｗの表面状態を検査する処理も行う。かかる点については、後述する。

＜６．接合装置の構成＞
次に、接合装置８０の構成について図９を参照して説明する。図９は、接合装置８０の構成を示す模式平面図である。

図９に示すように、接合装置８０は、内部を密閉可能な処理室８１を備える。処理室８１の第２搬送領域３０側の側面には、被処理基板Ｗ、支持基板Ｓおよび重合基板Ｔの搬入出口８１１が形成される。搬入出口８１１には、開閉シャッタ（図示せず）が設けられる。

処理室８１の内部には、処理室８１内の領域を前処理領域Ｄ１と接合領域Ｄ２とに区画する内壁８１２が設けられてもよい。内壁８１２を設ける場合、内壁８１２には、被処理基板Ｗ、支持基板Ｓおよび重合基板Ｔの搬入出口８１３が形成され、搬入出口８１３には、図示しない開閉シャッタが設けられる。なお、前述の搬入出口８１１は、前処理領域Ｄ１における処理室８１の側面に形成される。

前処理領域Ｄ１には、接合装置８０の外部との間で被処理基板Ｗ、支持基板Ｓおよび重合基板Ｔの受け渡しを行う受渡部８２が設けられる。受渡部８２は、搬入出口８１１に隣接して配置される。

受渡部８２は、受渡アーム８２１と支持ピン８２２とを備える。受渡アーム８２１は、第２搬送装置３１（図１参照）と支持ピン８２２との間で被処理基板Ｗ、支持基板Ｓおよび重合基板Ｔの受け渡しを行う。支持ピン８２２は、複数、例えば３箇所に設けられ、被処理基板Ｗ、支持基板Ｓおよび重合基板Ｔを支持する。

なお、受渡部８２は、鉛直方向に複数、たとえば２段に配置され、被処理基板Ｗ、支持基板Ｓおよび重合基板Ｔのいずれか２つを同時に受け渡すことができる。たとえば、一の受渡部８２で接合前の被処理基板Ｗ又は支持基板Ｓを受け渡し、他の受渡部８２で接合後の重合基板Ｔを受け渡してもよい。あるいは、一の受渡部８２で接合前の被処理基板Ｗを受け渡し、他の受渡部８２で接合前の支持基板Ｓを受け渡してもよい。

前処理領域Ｄ１のＹ軸負方向側、すなわち搬入出口８１３側には、たとえば被処理基板Ｗの表裏面を反転させる反転部８３が設けられる。

反転部８３は、被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓを挟み込んで保持する保持アーム８３１を備える。保持アーム８３１は、水平方向（図９においてはＸ軸方向）に延在しており、水平軸周りに回動自在であり、かつ、水平方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向）および鉛直方向（Ｚ軸方向）に移動可能である。

また、反転部８３は、被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓの水平方向の向きを調節する位置調節機構を備える。位置調節機構は、支持基板Ｓまたは被処理基板Ｗのノッチ部の位置を検出する検出部８３２を備える。そして、反転部８３では、保持アーム８３１に保持された支持基板Ｓまたは被処理基板Ｗを水平方向に移動させながら、検出部８３２でノッチ部の位置を検出することで、当該ノッチ部の位置を調節して被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓの水平方向の向きを調節する。

接合領域Ｄ２のＹ軸正方向側には、受渡部８２、反転部８３および後述する接合部８５に対して、被処理基板Ｗ、支持基板Ｓおよび重合基板Ｔを搬送する搬送部８４が設けられる。搬送部８４は、搬入出口８１３に隣接して配置される。

搬送部８４は、２本の搬送アーム８４１，８４２を備える。これら搬送アーム８４１，８４２は、鉛直方向に下からこの順で２段に配置され、図示しない駆動部によって水平方向および鉛直方向に移動可能である。

搬送アーム８４１，８４２のうち、搬送アーム８４１は、たとえば支持基板Ｓ等の裏面、すなわち非接合面Ｓｎを保持して搬送する。また、搬送アーム８４２は、反転部８３で表裏面が反転された被処理基板Ｗの表面、すなわち接合面Ｗｊの外周部を保持して搬送する。

そして、接合領域Ｄ２のＹ軸負方向側には、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを接合する接合部８５が設けられる。

上記のように構成された接合装置８０では、第２搬送装置３１（図１参照）によって被処理基板Ｗが受渡部８２の受渡アーム８２１に受け渡されると、受渡アーム８２１が被処理基板Ｗを支持ピン８２２へ受け渡す。その後、被処理基板Ｗは、搬送部８４の搬送アーム８４１によって支持ピン８２２から反転部８３に搬送される。

反転部８３に搬送された被処理基板Ｗは、反転部８３の検出部８３２によってノッチ部の位置が検出されて水平方向の向きが調節される。その後、被処理基板Ｗは、反転部８３によって表裏が反転される。すなわち、接合面Ｗｊが下方に向けられる。

その後、被処理基板Ｗは、搬送部８４の搬送アーム８４２によって反転部８３から接合部８５へ搬送される。このとき、搬送アーム８４２は、被処理基板Ｗの外周部を保持するため、たとえば搬送アーム８４２に付着したパーティクル等によって接合面Ｗｊが汚損することを防止することができる。

一方、第２搬送装置３１（図１参照）によって支持基板Ｓが受渡部８２の受渡アーム８２１に受け渡されると、受渡アーム８２１が支持基板Ｓを支持ピン８２２へ受け渡す。その後、支持基板Ｓは、搬送部８４の搬送アーム８４１によって支持ピン８２２から反転部８３に搬送される。

反転部８３に搬送された支持基板Ｓは、反転部８３の検出部８３２によってノッチ部の位置が検出されて水平方向の向きが調節される。その後、支持基板Ｓは、搬送部８４の搬送アーム８４１によって反転部８３から接合部８５へ搬送される。

被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓの接合部８５への搬入が完了すると、接合部８５によって被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが接合され、重合基板Ｔが形成される。形成された重合基板Ｔは、搬送部８４の搬送アーム８４１によって接合部８５から受渡部８２に搬送された後、支持ピン８２２を介して受渡アーム８２１へ受け渡され、さらに受渡アーム８２１から第２搬送装置３１へ受け渡される。

次に、接合部８５の構成について図１０を参照して説明する。図１０は、接合部８５の構成を示す模式側面図である。

図１０に示すように、接合部８５は、第１保持部１１０と、第１保持部１１０の上方において第１保持部１１０と対向配置される第２保持部１２０とを備える。

第１保持部１１０および第２保持部１２０は、たとえば静電チャックであり、支持基板Ｓおよび被処理基板Ｗを静電吸着により保持する。第１保持部１１０は、支持基板Ｓを下方から保持し、第２保持部１２０は、被処理基板Ｗを上方から保持する。支持基板Ｓおよび被処理基板Ｗは、接合面Ｓｊ，Ｗｊ同士が向かい合った状態で、第１保持部１１０および第２保持部１２０に保持される。

なお、第１保持部１１０および第２保持部１２０は、支持基板Ｓおよび被処理基板Ｗを静電吸着する静電吸着部に加え、支持基板Ｓおよび被処理基板Ｗを真空吸着する真空吸着部を備えていてもよい。

また、接合部８５は、第１加熱機構１３０と、第２加熱機構１４０と、加圧機構１５０とを備える。

第１加熱機構１３０は、第１保持部１１０に内蔵されており、第１保持部１１０を加熱することにより、第１保持部１１０に保持された支持基板Ｓを所定の温度に加熱する。また、第２加熱機構１４０は、第２保持部１２０に内蔵されており、第２保持部１２０を加熱することにより、第２保持部１２０に保持された被処理基板Ｗを所定の温度に加熱する。

加圧機構１５０は、第２保持部１２０を鉛直下方に移動させることにより、被処理基板Ｗを支持基板Ｓに接触させて加圧する。かかる加圧機構１５０は、ベース部材１５１と、
圧力容器１５２と、気体供給管１５３と、気体供給源１５４とを備える。ベース部材１５１は、後述する第１チャンバ部１６１内部の天井面に取り付けられる。

圧力容器１５２は、たとえば鉛直方向に伸縮自在なステンレス製のベローズにより構成される。圧力容器１５２の下端部は、第２保持部１２０の上面に固定され、上端部は、ベース部材１５１の下面に固定される。

気体供給管１５３は、その一端がベース部材１５１および後述する第１チャンバ部１６１を介して圧力容器１５２に接続され、他端が気体供給源１５４に接続される。

かかる圧力容器１５２は、気体供給源１５４から気体供給管１５３を介して圧力容器１５２の内部に気体を供給することにより、圧力容器１５２を伸長させて第２保持部１２０を降下させる。これにより、被処理基板Ｗは、支持基板Ｓと接触して加圧される。被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓの加圧力は、圧力容器１５２に供給する気体の圧力を調節することで調節される。

また、接合部８５は、チャンバ１６０と、移動機構１７０と、減圧部１８０と、第１撮像部１９１と、第２撮像部１９２とを備える。

チャンバ１６０は、内部を密閉可能な処理容器であり、第１チャンバ部１６１と、第２チャンバ部１６２とを備える。第１チャンバ部１６１は、下部が開放された有底筒状の容器であり、内部には、第２保持部１２０、圧力容器１５２等が収容される。また、第２チャンバ部１６２は、上部が開放された有底筒状の容器であり、内部には、第１保持部１１０等が収容される。

第１チャンバ部１６１は、エアシリンダ等の図示しない昇降機構によって鉛直方向に昇降可能に構成される。かかる昇降機構によって第１チャンバ部１６１を降下させて第２チャンバ部１６２に当接させることで、チャンバ１６０の内部に密閉空間が形成される。なお、第１チャンバ部１６１の第２チャンバ部１６２との当接面には、チャンバ１６０の機密性を確保するためのシール部材１６３が設けられる。シール部材１６３としては、たとえばＯリングが用いられる。

移動機構１７０は、第１チャンバ部１６１の外周部に設けられ、第１チャンバ部１６１を介して第２保持部１２０を水平方向に移動させる。かかる移動機構１７０は、第１チャンバ部１６１の外周部に対して複数（たとえば、５つ）設けられ、５つの移動機構１７０のうちの４つが第２保持部１２０の水平方向の移動に用いられ、残りの１つが第２保持部１２０の鉛直軸まわりの回転に用いられる。

移動機構１７０は、第１チャンバ部１６１の外周部に当接して第２保持部１２０を移動させるカム１７１と、シャフト１７２を介してカム１７１を回転させる回転駆動部１７３とを備える。カム１７１はシャフト１７２の中心軸に対して偏心して設けられている。そして、回転駆動部１７３によりカム１７１を回転させることで、第２保持部１２０に対するカム１７１の中心位置が移動し、第２保持部１２０を水平方向に移動させることができる。

減圧部１８０は、たとえば第２チャンバ部１６２の下部に設けられ、チャンバ１６０内を減圧する。かかる減圧部１８０は、チャンバ１６０内の雰囲気を吸気するための吸気管１８１と、吸気管１８１に接続された真空ポンプなどの吸気装置１８２とを備える。

第１撮像部１９１は、第２保持部１２０の下方に配置されて、第２保持部１２０に保持された被処理基板Ｗの表面を撮像する。また、第２撮像部１９２は、第１保持部１１０の上方に配置されて、第１保持部１１０に保持された支持基板Ｓの表面を撮像する。

第１撮像部１９１および第２撮像部１９２は、図示しない移動機構によって水平方向に移動可能に構成されており、第１チャンバ部１６１を降下させる前にチャンバ１６０内に侵入して、被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓを撮像する。第１撮像部１９１および第２撮像部１９２の撮像データは、制御部５へ送信される。なお、第１撮像部１９１および第２撮像部１９２としては、たとえば広角型のＣＣＤカメラがそれぞれ用いられる。

＜７．接合システムの具体的動作＞
次に、第１の実施形態に係る接合システム１が実行する接合処理の処理手順について図１１〜図１３を参照して説明する。図１１は、第１の実施形態に係る接合システム１が実行する処理の処理手順を示すフローチャートである。また、図１２は、検査・再洗浄処理の処理手順を示すフローチャートである。また、図１３は、接合処理の処理手順を示すフローチャートである。なお、接合システム１が備える各装置は、制御装置４の制御に従って、図１１に示す各処理手順を実行する。

接合システム１では、まず、複数枚の被処理基板Ｗが収容されたカセットＣｗ、複数枚の支持基板Ｓが収容されたカセットＣｓおよび空のカセットＣｔが、搬入出ステーション２の載置部１２にそれぞれ載置される。その後、第１搬送装置１４が、カセットＣｓから支持基板Ｓを取り出して処理ステーション３の第１受渡部２０へ搬送する。このとき、支持基板Ｓは、非接合面Ｓｎが下方を向いた状態で搬送される。

第１受渡部２０に搬送された支持基板Ｓは、第２搬送装置３１によって第１受渡部２０から取り出された後、第１塗布装置４０へ搬送される。

第１塗布装置４０では、接着剤吐出部４３１を用いて支持基板Ｓの接合面Ｓｊに接着剤Ｇを塗布する処理が行われる（ステップＳ１０１）。これにより、支持基板Ｓの接合面Ｓｊに接着剤Ｇの塗布膜が形成される。

つづいて、支持基板Ｓは、第２搬送装置３１によって第１塗布装置４０から取り出された後、熱処理装置６０へ搬送される。

熱処理装置６０では、支持基板Ｓを所定の温度に加熱する処理が行われる（ステップＳ１０２）。これにより、支持基板Ｓに塗布された接着剤Ｇに含まれる有機溶剤が気化する。その後、支持基板Ｓは、熱処理装置６０内で所定の温度、たとえば常温に冷却される。なお、有機溶剤が気化した接着剤Ｇは、支持基板Ｓを傾けても垂れない程度に硬くなる。

つづいて、支持基板Ｓは、第２搬送装置３１によって熱処理装置６０から取り出された後、第２塗布装置５０へ搬送される。

第２塗布装置５０では、ベベル洗浄部５５を用いて支持基板Ｓのベベル部を洗浄する処理が行われる（ステップＳ１０３）。これにより、支持基板Ｓのベベル部に付着した接着剤Ｇが除去される。

つづいて、支持基板Ｓは、第２搬送装置３１によって第２塗布装置５０から取り出された後、熱処理装置６０へ搬送される。

熱処理装置６０では、支持基板Ｓを所定の温度に加熱する処理が行われる（ステップＳ１０４）。かかる加熱処理により、ステップＳ１０３のベベル洗浄において支持基板Ｓに付着した有機溶剤が気化して支持基板Ｓから除去される。

つづいて、接合システム１では、検査・再洗浄処理が行われる（ステップＳ１０５）。検査・再洗浄処理は、ベベル洗浄後における支持基板Ｓのベベル部を検査し、ベベル部に接着剤Ｇが残存している場合には、ベベル部の再洗浄を行う処理である。ここで、かかる検査・再洗浄処理の内容について図１２を参照して説明する。

図１２に示すように、検査・再洗浄処理が開始されると、まず、第２搬送装置３１が、支持基板Ｓを熱処理装置６０から取り出してエッジカット装置７０へ搬送する（ステップＳ２０１）。

つづいて、エッジカット装置７０は、吸着保持部７３３を用いて支持基板Ｓを回転させつつ、検査部７５０を用いて支持基板Ｓの周縁部、具体的には、外周部の表面およびベベル部を撮像する（ステップＳ２０２）。検査部７５０は、撮像画像の画像データを制御部５へ送信する。

つづいて、制御部５は、検査部７５０から受け取った画像データに基づき、支持基板Ｓのベベル部に接着剤Ｇが付着しているか否かを判定する（ステップＳ２０３）。たとえば、制御部５は、撮像画像中における支持基板Ｓのベベル部に相当する部分の凹凸度合いが所定の閾値を超える場合に、支持基板Ｓのベベル部に接着剤Ｇが付着していると判定する。なお、制御部５は、接着剤Ｇを塗布する前の支持基板Ｓのベベル部の画像データを記憶部６に予め記憶しておき、かかる画像データと検査部７５０によって撮像された画像の画像データとの一致度が閾値を超える場合に、支持基板Ｓのベベル部に接着剤Ｇが付着していると判定してもよい。

ステップＳ２０３において支持基板Ｓのベベル部に接着剤Ｇが付着していると判定した場合（ステップＳ２０３，Ｙｅｓ）、制御部５は、異常を報知する処理を行う（ステップＳ２０４）。

たとえば、制御部５は、接合システム１が備える図示しない表示灯を点灯させる。そして、制御部５は、第２塗布装置５０のベベル洗浄部５５に接続される薬液供給源５５２に異常が発生した旨の情報を上位装置に通知する。また、制御部５は、上記の情報を接合システム１が備える図示しない表示部に表示してもよい。

支持基板Ｓのベベル部に接着剤Ｇが残存している場合、第２塗布装置５０のベベル洗浄部５５から吐出される薬液の吐出量が規定量に達しておらず、支持基板Ｓの裏面に薬液が十分に届いていないことが考えられる。そこで、支持基板Ｓのベベル部に接着剤Ｇが付着していると判定した場合には、薬液供給源５５２に異常が発生した旨の情報を報知することとした。これにより、作業者は、異常の発生およびその原因を迅速に特定することができる。

つづいて、エッジカット装置７０は、支持基板Ｓのベベル部の再洗浄を行う（ステップＳ２０５）。具体的には、エッジカット装置７０は、吸着保持部７３３を用いて支持基板Ｓを回転させつつ、溶剤供給部７２０を用いて、支持基板Ｓのベベル部を含む周縁部の表面側および裏面側から支持基板Ｓの周縁部へ向けて薬液である有機溶剤を吐出する。これにより、支持基板Ｓのベベル部に残存する接着剤Ｇが除去される。

ステップＳ２０５の処理を終えると、エッジカット装置７０は、処理をステップＳ２０２へ戻し、支持基板Ｓの周縁部を再び検査する。エッジカット装置７０は、ステップＳ２０３において支持基板Ｓのベベル部に接着剤Ｇが付着していると判定されなくなるまで、ステップＳ２０２〜Ｓ２０５の処理を繰り返す。そして、支持基板Ｓのベベル部に接着剤Ｇが付着していると判定されなくなると（ステップＳ２０３，Ｎｏ）、検査・再洗浄処理が終了する。

検査・再洗浄処理を終えると、支持基板Ｓは、第２搬送装置３１によってエッジカット装置７０から取り出された後、熱処理装置６０へ搬送される。

熱処理装置６０では、支持基板Ｓを所定の温度に加熱する処理が行われる（ステップＳ１０６）。ステップＳ１０６における加熱処理は、ステップＳ１０２およびステップＳ１０４における加熱処理よりも高い温度で行われる。具体的には、熱処理装置６０は、常温よりも高く接着剤Ｇの軟化温度（１２０〜１４０℃）よりも低い温度に支持基板Ｓを加熱する。

かかる加熱処理により、ステップＳ１０２およびステップＳ１０４の加熱処理において除去しきれなかった有機溶剤が気化し、接着剤Ｇがさらに硬化する。また、ステップＳ１０５の検査・再洗浄処理において支持基板Ｓに付着した有機溶剤が気化して支持基板Ｓから除去される。

つづいて、支持基板Ｓは、第２搬送装置３１によって熱処理装置６０から取り出された後、接合装置８０へ搬送される。

接合装置８０に搬送された支持基板Ｓは、反転部８３によって水平方向の向きが調節される（ステップＳ１０７）。具体的には、反転部８３は、保持アーム８３１に保持された支持基板Ｓを水平方向に移動させながら、検出部８３２でノッチ部の位置を検出する。そして、反転部８３は、検出したノッチ部の位置を調節する。これにより、支持基板Ｓの水平方向の向きが調節される。

ここで、ベベル洗浄処理（ステップＳ１０３）において支持基板Ｓのベベル部に付着した接着剤Ｇが除去しきれていない場合、支持基板Ｓのノッチ部に接着剤Ｇが付着した状態でステップＳ１０７の処理が行われる可能性がある。このような場合、接合装置８０は、ステップＳ１０７においてノッチ部の位置を検出できなかったり誤検出したりする可能性があり、支持基板Ｓの水平方向の向きの調節が適切に行えないおそれがある。

これに対し、第１の実施形態に係る接合システム１では、支持基板Ｓのベベル部の表面状態を検査・再洗浄処理（ステップＳ１０５）において検査し、ベベル部に接着剤Ｇが残存している場合には、ベベル部を再洗浄することとした。このため、ノッチ部の位置を検出できなかったり誤検出したりするおそれがなく、支持基板Ｓの水平方向の向きの調節を適切に行うことができる。

つづいて、支持基板Ｓは、第１加熱機構１３０によって接着剤Ｇの軟化温度（１２０〜１４０℃）であるＸ℃に予め加熱された第１保持部１１０に保持される（ステップＳ１０８）。これにより、支持基板Ｓに塗布された接着剤Ｇは軟化する。

なお、第１加熱機構１３０による加熱温度は、常温（２０℃程度）および接着剤Ｇの硬化温度（１８０℃程度）よりも接着剤Ｇの軟化温度（１２０〜１４０℃）に近い温度であればよい。支持基板Ｓは、接合面Ｓｊを上方に向けた状態で第１保持部１１０に保持される。

一方、上述したステップＳ１０１〜Ｓ１０８の処理と重複して、被処理基板Ｗに対する処理も行われる。

被処理基板Ｗは、第１搬送装置１４によってカセットＣｗから取り出されて処理ステーション３の第１受渡部２０へ搬送される。このとき、被処理基板Ｗは、非接合面Ｗｎが下方を向いた状態で搬送される。

第１受渡部２０に搬送された被処理基板Ｗは、第２搬送装置３１によって第１受渡部２０から取り出された後、第２塗布装置５０へ搬送される。

第２塗布装置５０では、剥離剤吐出部５３１を用いて被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに剥離剤Ｒを塗布する処理が行われる（ステップＳ１０９）。これにより、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに剥離剤Ｒの塗布膜が形成される。

つづいて、被処理基板Ｗは、第２搬送装置３１によって第２塗布装置５０から取り出された後、熱処理装置６０へ搬送される。

熱処理装置６０では、被処理基板Ｗを所定の温度に加熱する処理が行われる（ステップＳ１１０）。これにより、被処理基板Ｗに塗布された剥離剤Ｒに含まれる有機溶剤が気化する。その後、被処理基板Ｗは、熱処理装置６０内で所定の温度、たとえば常温に冷却される。なお、有機溶剤が気化した剥離剤Ｒは、被処理基板Ｗを傾けても垂れない程度に硬くなる。

つづいて、被処理基板Ｗは、第２搬送装置３１によって熱処理装置６０から取り出された後、エッジカット装置７０へ搬送される。

エッジカット装置７０では、溶剤供給部７２０を用いて被処理基板Ｗのベベル部を含む周縁部から剥離剤Ｒを除去するエッジカット処理が行われる（ステップＳ１１１）。これにより、被処理基板Ｗのベベル部を含む周縁部から剥離剤Ｒが除去されて、被処理基板Ｗにおける接合面Ｗｊの外周部に未塗布領域Ｑ（図２参照）が形成される。

つづいて、エッジカット処理後の被処理基板Ｗに対して検査・再洗浄処理が行われる（ステップＳ１１２）。

ステップＳ１１２における検査・再洗浄処理の内容は、ステップＳ１０５における検査・再洗浄処理の内容と同様である。すなわち、エッジカット装置７０が、検査部７５０を用いて被処理基板Ｗの外周部の表面およびベベル部を撮像し、制御部５が、被処理基板Ｗのベベル部に剥離剤Ｒが付着しているか否かを判定する。そして、被処理基板Ｗのベベル部に剥離剤Ｒが付着していると判定した場合、エッジカット装置７０は、溶剤供給部７２０を用いて被処理基板Ｗのベベル部を再洗浄する。

つづいて、被処理基板Ｗは、第２搬送装置３１によってエッジカット装置７０から取り出された後、熱処理装置６０へ搬送される。

熱処理装置６０では、被処理基板Ｗを所定の温度に加熱する処理が行われる（ステップＳ１１３）。ステップＳ１１３における加熱処理は、ステップＳ１１０における加熱処理よりも高い温度で行われる。

かかる加熱処理により、ステップＳ１１０の加熱処理において除去されずに剥離剤Ｒ中に残存する有機溶剤が気化して、剥離剤Ｒがさらに硬化する。また、ステップＳ１１２の検査・再洗浄処理において被処理基板Ｗに付着した有機溶剤が気化して被処理基板Ｗから除去される。

このように、エッジカット処理または検査・再洗浄処理を行った後に、加熱処理を行って被処理基板Ｗに付着した有機溶剤を除去することで、剥離剤Ｒ中にボイドが発生することを防止することができる。

つづいて、被処理基板Ｗは、第２搬送装置３１によって熱処理装置６０から取り出された後、接合装置８０へ搬送される。

接合装置８０に搬送された被処理基板Ｗは、反転部８３によって水平方向の向きが調節される（ステップＳ１１４）。

接合システム１では、被処理基板Ｗのベベル部の表面状態を検査・再洗浄処理（ステップＳ１１２）において検査し、ベベル部に剥離剤Ｒが残存している場合には、ベベル部を再洗浄することとした。このため、ノッチ部の位置を検出できなかったり誤検出したりするおそれがなく、被処理基板Ｗの水平方向の向きの調節を適切に行うことができる。

つづいて、被処理基板Ｗは、反転部８３によって表裏が反転される（ステップＳ１１５）。これにより、被処理基板Ｗは、接合面Ｗｊが下方を向いた状態となる。

つづいて、被処理基板Ｗは、第２加熱機構１４０によってＸ℃に予め加熱された第２保持部１２０に保持される（ステップＳ１１６）。なお、被処理基板Ｗは、接合面Ｗｊを下方に向けた状態で第２保持部１２０に保持される。

つづいて、被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓの水平位置の調節が行われる（ステップＳ１１７）。被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓの周縁部には、予め定められた複数の基準点が形成されている。接合部８５は、図１０に示す第１撮像部１９１および第２撮像部１９２を水平方向に移動させて、被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓの周縁部をそれぞれ撮像する。

つづいて、接合部８５は、第１撮像部１９１によって撮像された画像に含まれる基準点の位置と、第２撮像部１９２によって撮像された画像に含まれる基準点の位置とが合致するように、移動機構１７０を用いて被処理基板Ｗの水平方向の位置を調節する。すなわち、回転駆動部１７３によってカム１７１を回転させて第１チャンバ部１６１を介して第２保持部１２０を水平方向に移動させることにより、被処理基板Ｗの水平方向の位置が調節される。

ここで、ステップＳ１０３のベベル洗浄処理やステップＳ１１１のエッジカット処理において、支持基板Ｓのベベル部に付着した接着剤Ｇや被処理基板Ｗのベベル部に付着した剥離剤Ｒが完全に除去されずに、上記基準点に接着剤Ｇや剥離剤Ｒが付着したままの状態であったとする。このような場合、接合装置８０は、ステップＳ１１７において基準点の位置を検出できなかったり誤検出したりする可能性があり、ステップＳ１１７の処理を適切に行えないおそれがある。

これに対し、第１の実施形態に係る接合システム１では、ステップＳ１０５およびステップＳ１１２の検査・再洗浄処理において、支持基板Ｓおよび被処理基板Ｗのベベル部の表面状態を検査し、ベベル部に接着剤Ｇや剥離剤Ｒが残存している場合には、ベベル部を再洗浄することとした。このため、上記基準点を検出できなかったり誤検出したりするおそれがなく、ステップＳ１１７の処理を適切に行うことができる。

つづいて、接合部８５は、第１撮像部１９１および第２撮像部１９２をチャンバ１６０内から退出させた後、第１チャンバ部１６１を降下させる。これにより、第１チャンバ部１６１が第２チャンバ部１６２に当接して、チャンバ１６０内に密閉空間が形成される。その後、接合部８５は、減圧部１８０を用いてチャンバ１６０内の雰囲気を吸気することによってチャンバ１６０内を減圧する。

つづいて、接合部８５は、加圧機構１５０を用いて第２保持部１２０を降下させて、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを接触させる（ステップＳ１１８）。さらに、接合部８５は、圧力容器１５２に気体を供給して圧力容器１５２内を所望の圧力にすることにより、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを加圧する（ステップＳ１１９）。

支持基板Ｓの接合面Ｓｊに塗布された接着剤Ｇは、加熱によって軟化しており、支持基板Ｓが被処理基板Ｗに所望の圧力で所定時間押圧されることによって、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとは接合されて重合基板Ｔが形成される（図１３参照）。このとき、チャンバ１６０内は減圧雰囲気であるため、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとの間にボイドが生じるおそれがない。

つづいて、仮硬化処理が行われる（ステップＳ１２０）。仮硬化処理は、接着剤Ｇを完全に硬化しない程度に硬化させることによって、その後の搬送処理等において被処理基板Ｗと支持基板Ｓとの位置ずれを生じさせ難くする処理である。

接合部８５は、加圧機構１５０によって重合基板Ｔを加圧した状態を維持しつつ、第１加熱機構１３０および第２加熱機構１４０を用いて重合基板Ｔの加熱温度を上昇させる。

具体的には、第１加熱機構１３０および第２加熱機構１４０は、重合基板Ｔを接着剤Ｇの硬化温度（１８０℃程度）以上の温度、たとえば２００℃に加熱する。これにより、接着剤Ｇが硬化し始める。

そして、接合部８５は、接着剤Ｇが完全に硬化するより前に、第１加熱機構１３０および第２加熱機構１４０による加熱を停止する。たとえば、第１の実施形態に係る接合システム１において用いられる接着剤Ｇを完全に硬化させるために、接合システム１とは別の装置において重合基板Ｔを２００℃で２時間程度加熱する処理が行われる場合がある。これに対し、仮硬化処理では、重合基板Ｔを２００℃で５〜１０分程度の短い時間だけ加熱する。このため、接着剤Ｇは、完全に硬化しない程度に硬化した状態となる。なお、剥離剤Ｒは、加熱しても硬化しない性質を有するため、かかる仮硬化処理によっては硬化しない。

このように、第１の実施形態に係る接合部８５は、重合基板Ｔを接着剤Ｇの硬化温度以上の温度で、かつ、接着剤Ｇの硬化する時間よりも短い時間加熱することにより、接着剤Ｇを完全に硬化しない程度に硬化させる。

これにより、その後の搬送処理等において被処理基板Ｗと支持基板Ｓとの位置ずれが生じ難くなるため、重合基板Ｔの取り扱い容易性を向上させることができる。

また、接合部８５は、重合基板Ｔの支持基板Ｓ側の全面および被処理基板Ｗ側の全面を両側から加熱することとしたため、重合基板Ｔを均一に加熱することができる。したがって、重合基板Ｔを支持基板Ｓ側または被処理基板Ｗ側の一方側から加熱する場合と比べ、重合基板Ｔの歪みの発生を抑えることができ、重合基板Ｔの歪みによって接着剤Ｇや剥離剤Ｒ中にボイドが生じることを防止することができる。

さらに、接合部８５は、加圧機構１５０を用いて重合基板Ｔを加圧しながら重合基板Ｔの加熱を行うこととしたため、重合基板Ｔの歪みの発生をより確実に抑えることができる。

その後、重合基板Ｔは、第２搬送装置３１によって接合装置８０から取り出された後、第１受渡部２０を介して第１搬送装置１４へ受け渡され、第１搬送装置１４によってカセットＣｔへ収容される（ステップＳ１２１）。こうして、一連の接合処理は終了する。なお、上述したように、重合基板Ｔの接着剤Ｇは、仮硬化処理によって完全に硬化しない程度に硬化した状態となっている。このため、第２搬送装置３１や第１搬送装置１４による搬送中において、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとの位置ずれは生じ難い。

次に、上述した各処理とその処理を実行する装置との関係について図１４〜図１６を参照して説明する。図１４〜図１６は、各処理とその処理を実行する装置との関係を示す図である。なお、図１４には、支持基板Ｓに対する各処理を、図１５には、被処理基板Ｗに対する各処理を、図１６には、接合処理および仮硬化処理を、それぞれ示している。

図１４および図１５に示すように、接合システム１では、支持基板Ｓに対する処理のうちステップＳ１０１の接着剤塗布処理が第１塗布装置４０を用いて行われ、ステップＳ１０３のベベル洗浄処理が第２塗布装置５０を用いて行われる。また、接合システム１では、被処理基板Ｗに対する処理のうち、ステップＳ１０９の剥離剤塗布処理が第２塗布装置５０を用いて行われる。

このように、接合システム１では、支持基板Ｓに対するベベル洗浄処理を行う第２塗布装置５０が、被処理基板Ｗに対する剥離剤塗布処理も行う。つまり、接合システム１では、支持基板Ｓに対するベベル洗浄処理を実行する装置と、被処理基板Ｗに対する剥離剤塗布処理を実行する装置とが共用化されている。したがって、接合システム１によれば、これらの処理をそれぞれ異なる装置で実行する場合と比べ、装置の台数を削減することができる。

さらに、接合システム１では、支持基板Ｓに対する処理である接着剤塗布処理（ステップＳ１０１）およびベベル洗浄処理（ステップＳ１０３）をそれぞれ異なる装置で行うこととしている。

接着剤塗布処理とベベル洗浄処理とは、全て第１塗布装置４０で実行することも可能である。しかしながら、かかる場合、第１塗布装置４０の処理時間が長くなるため、たとえば次の支持基板Ｓを第１塗布装置４０へ搬入するタイミングが遅くなり、スループットが低下するおそれがある。これに対し、接合システム１によれば、接着剤塗布処理およびベベル洗浄処理をそれぞれ異なる装置で実行するため、接着剤塗布処理およびベベル洗浄処理を１つの装置で実行する場合と比べ、スループットの低下を抑えることができる。

このように、接合システム１は、第１塗布装置４０において支持基板Ｓに対する接着剤塗布処理を行うとともに、支持基板Ｓに対するベベル洗浄処理を第１塗布装置４０とは異なる第２塗布装置５０において行い、さらに、被処理基板Ｗに対する剥離剤塗布処理を第２塗布装置５０において行うこととした。したがって、接合システム１によれば、スループットの低下を防止しつつ、装置の台数を削減することができる。

なお、接合システム１では、接着剤塗布処理（ステップＳ１０１）後、加熱処理（ステップＳ１０２）を行ったうえでベベル洗浄処理（ステップＳ１０３）を行うこととしている。このため、接着剤塗布処理とベベル洗浄処理とを１つの装置で実行する場合であっても、加熱処理を行うために、接着剤塗布処理後の支持基板Ｓを装置から搬出する処理および加熱処理後の支持基板Ｓを再び装置へ搬入する処理が必要となる。このため、接着剤塗布処理を第１塗布装置４０で実行し、ベベル洗浄処理を第２塗布装置５０で実行することとした場合であっても、これらの処理を１つの装置で実行する場合と比べてスループットが低下するおそれはない。

また、接合システム１では、支持基板Ｓに対する接着剤塗布処理を第１塗布装置４０において実行し、被処理基板Ｗに対する剥離剤塗布処理を第２塗布装置５０において実行する。

これにより、接合システム１は、支持基板Ｓに対する接着剤塗布処理の終了を待つことなく、被処理基板Ｗに対する剥離剤塗布処理を開始することができる。したがって、接合システム１によれば、接着剤塗布処理と剥離剤塗布処理とを１つの装置で行う場合と比べて、一連の接合処理に要する時間を短縮することができる。

また、接合システム１では、支持基板Ｓに対するベベル洗浄処理を第２塗布装置５０で実行し、検査・再洗浄処理を第２塗布装置５０とは異なるエッジカット装置７０で実行することとした。

ベベル洗浄処理後の支持基板Ｓのベベル部に接着剤Ｇが残存している場合、第２塗布装置５０のベベル洗浄部５５に異常が発生している可能性がある。このため、かかるベベル洗浄部５５を用いてベベル部の再洗浄を行ったとしても、ベベル部に残存する接着剤Ｇを除去することができないおそれがある。

これに対し、接合システム１では、ベベル洗浄処理を行う第２塗布装置５０とは異なるエッジカット装置７０を用いてベベル部の再洗浄を行うこととしたため、支持基板Ｓのベベル部に残存する接着剤Ｇを確実に除去することができる。

なお、第１塗布装置４０は、第２塗布装置５０が備えるベベル洗浄部５５と同様のベベル洗浄部を備えていてもよい。かかる場合、接合システム１は、ベベル洗浄処理後の支持基板Ｓのベベル部に接着剤Ｇが残存している場合に、エッジカット装置７０に代えて、第２塗布装置５０において再洗浄を行うことができる。

また、接合システム１では、支持基板Ｓまたは被処理基板Ｗの表面状態を検査する検査部７５０をエッジカット装置７０に設けることとした。

これにより、検査部７５０による検査処理の後、支持基板Ｓまたは被処理基板Ｗを他の装置へ搬送することなく再洗浄処理へ移行できるため、検査・再洗浄処理に要する時間を短縮することができる。

また、接合システム１では、ベベル洗浄処理後かつ検査・再洗浄処理前に、支持基板Ｓに対して加熱処理を行うことによって、ベベル洗浄処理によって支持基板Ｓに付着した薬液（有機溶剤）を除去することとした。これにより、検査処理の際に、支持基板Ｓのベベル部に残存する薬液によって、ベベル部に接着剤Ｇが残存しているとの誤判定が生じることを防止することができる。

また、接合システム１では、被処理基板Ｗに対して剥離剤塗布処理（ステップＳ１０９）を行った後、エッジカット処理（ステップＳ１１１）を行う前に、加熱処理（ステップＳ１１０）を行うこととした。これにより、被処理基板Ｗに塗布された剥離剤Ｒに含まれる有機溶剤が除去されて剥離剤Ｒが硬くなるため、エッジカット処理の際に、被処理基板Ｗの周縁部から剥離剤Ｒをきれいに除去することができる。

また、図１６に示すように、接合システム１では、接合処理（ステップＳ１０７，Ｓ１０８，Ｓ１１４〜Ｓ１１６，Ｓ１１７〜Ｓ１１９）を行う接合装置８０を用いて、仮硬化処理（ステップＳ１２０）を行うこととした。これにより、接合処理後、重合基板Ｔを他の装置へ搬送することなく仮硬化処理へ移行できるため、仮硬化処理に要する時間を短縮することができる。また、仮硬化処理を接合装置８０とは別の装置で行う場合と異なり、搬送中における重合基板Ｔの温度管理を行う必要がない。

上述してきたように、第１の実施形態に係る接合システム１は、処理ステーション３と、搬入出ステーション２とを備える。処理ステーション３は、支持基板Ｓ（「第１基板」の一例に相当）および被処理基板Ｗ（「第２基板」の一例に相当）に対して所定の処理を行う。搬入出ステーション２は、支持基板Ｓ、被処理基板Ｗまたは重合基板Ｔを処理ステーション３に対して搬入出する。また、処理ステーション３は、第１塗布装置４０（「第１処理装置」の一例に相当）と、第２塗布装置５０（「第２処理装置」の一例に相当）と、接合装置８０とを備える。第１塗布装置４０は、接着剤Ｇを吐出する接着剤吐出部４３１を備え、接着剤吐出部４３１を用いて支持基板Ｓに接着剤Ｇを塗布する。第２塗布装置５０は、接着剤Ｇが塗布された支持基板Ｓのベベル部を洗浄するベベル洗浄部５５を備える。接合装置８０は、支持基板Ｓと被処理基板Ｗとを接着剤Ｇおよび接着剤Ｇよりも接着力の低い剥離剤Ｒを介して接合する。また、第２塗布装置５０は、剥離剤Ｒを吐出する剥離剤吐出部５３１をさらに備え、剥離剤吐出部５３１を用いて被処理基板Ｗに剥離剤Ｒを塗布する。

したがって、第１の実施形態に係る接合システム１によれば、スループットの低下を防止しつつ、装置の台数を削減することができる。

また、第１の実施形態に係る接合システム１は、処理ステーション３と、搬入出ステーション２とを備える。処理ステーション３は、支持基板Ｓ（「第１基板」の一例に相当）および被処理基板Ｗ（「第２基板」の一例に相当）に対して所定の処理を行う。搬入出ステーション２は、支持基板Ｓ、被処理基板Ｗまたは重合基板Ｔを処理ステーション３に対して搬入出する。また、処理ステーション３は、第１塗布装置４０（「塗布装置」の一例に相当）と、接合装置８０とを備える。第１塗布装置４０は、支持基板Ｓの表面に接着剤Ｇを塗り広げる。接合装置８０は、接着剤Ｇを接着剤Ｇの硬化温度よりも低い温度で加熱しつつ、支持基板Ｓと被処理基板Ｗとを接着剤Ｇを介して接合する接合処理を行う。また、接合装置８０は、接合処理後、重合基板Ｔを、重合基板Ｔの支持基板Ｓ側および被処理基板Ｗ側の両側から接着剤Ｇの硬化温度以上の温度かつ接着剤Ｇが硬化する時間よりも短い時間で加熱する仮硬化処理を行う。

したがって、第１の実施形態に係る接合システム１によれば、重合基板Ｔに対する熱処理を適切に行うことができる。

また、第１の実施形態に係る接合システム１は、処理ステーション３と、搬入出ステーション２とを備える。処理ステーション３は、支持基板Ｓ（「第１基板」の一例に相当）および被処理基板Ｗ（「第２基板」の一例に相当）に対して所定の処理を行う。搬入出ステーション２は、支持基板Ｓ、被処理基板Ｗまたは重合基板Ｔを処理ステーション３に対して搬入出する。また、処理ステーション３は、第１塗布装置４０（「第１処理装置」の一例に相当）と、第２塗布装置５０（「第２処理装置」の一例に相当）と、検査部７５０と、接合装置８０とを備える。第１塗布装置４０は、接着剤Ｇを吐出する接着剤吐出部４３１を備え、接着剤吐出部４３１を用いて支持基板Ｓに接着剤Ｇを塗布する。第２塗布装置５０は、接着剤Ｇが塗布された支持基板Ｓのベベル部を洗浄するベベル洗浄部５５を備える。検査部７５０は、接着剤Ｇが塗布された支持基板Ｓのベベル部の表面状態を検査する。接合装置８０は、支持基板Ｓと被処理基板Ｗとを接着剤Ｇを介して接合する。

したがって、第１の実施形態に係る接合システム１によれば、接合処理の前に、ベベル洗浄後の支持基板Ｓのベベル部に接着剤Ｇが残存していることを把握することができる。これにより、たとえば接合処理において行われる水平位置調整処理（ステップＳ１１７）において、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとの位置ずれが生じることを防止することができるため、かかる位置ずれに伴う生産性の低下を防止することができる。

（第２の実施形態）
上述した実施形態では、支持基板Ｓと被処理基板Ｗとを接着剤Ｇおよび剥離剤Ｒを介して接合する場合の例について説明した。しかしながら、これに限らず、支持基板Ｓと被処理基板Ｗとは、接着剤Ｇおよび剥離剤Ｒに加え、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに形成される回路やバンプ等を保護する保護剤をさらに介して接合されてもよい。

第２の実施形態では、支持基板Ｓと被処理基板Ｗとを、接着剤Ｇ、剥離剤Ｒおよび保護剤を介して接合する場合の例について説明する。図１７は、第２の実施形態に係る被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓの模式側面図である。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

図１７に示すように、第２の実施形態では、支持基板Ｓと被処理基板Ｗとが、接着剤Ｇ、剥離剤Ｒおよび保護剤Ｐを介して接合される。保護剤Ｐ、剥離剤Ｒおよび接着剤Ｇは、被処理基板Ｗ側からこの順番で設けられる。また、被処理基板Ｗには、第１の実施形態と同様に、未塗布領域Ｑがエッジカット処理により形成される。

保護剤Ｐとしては、接着剤Ｇよりも接着力が低く、粘性が低い材料が用いられる。また、保護剤Ｐは、シンナーなどの有機溶剤に可溶な性質を有するとともに、加熱しても硬化しない性質も有する。また、保護剤Ｐとしては、剥離剤Ｒよりも接着力が高いものが使用される。

かかる保護剤Ｐは、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに形成される回路やバンプ等を保護する目的で被処理基板Ｗに塗布される。かかる点について図１８および図１９を参照して説明する。図１８は、剥離剤Ｒが塗布された被処理基板Ｗの接合面を示す模式側面図であり、図１９は、保護剤Ｐおよび剥離剤Ｒが塗布された被処理基板Ｗの接合面を示す模式側面図である。

剥離剤Ｒは、接着剤Ｇと比べて接着力が低いため、剥離剤Ｒを厚く塗布すると、重合基板Ｔの接合力が弱くなってしまう。このため、剥離剤Ｒは、薄く塗布することが好ましい。

しかしながら、図１８に示すように、被処理基板Ｗの接合面ＷｊにはバンプＢ等が形成されているため、剥離剤Ｒを薄く塗布するとバンプＢが剥離剤Ｒに埋まらずに、剥離剤Ｒが塗布された後の接合面Ｗｊに段差が生じる可能性がある。このように、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに段差がある状態すなわち接合面Ｗｊの表面積が大きい状態で支持基板Ｓとの接合を行うと、接着剤Ｇによって被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが強力に接合されてしまうため、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを剥離する際に大きな力が必要となる。

一方、第２の実施形態では、図１９に示すように、剥離剤Ｒよりも接着力の強い保護剤Ｐを被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに塗布し、保護剤ＰでバンプＢを埋めたうえで剥離剤Ｒをさらに塗布する。これにより、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊの表面積を小さく抑えつつ、剥離剤Ｒを薄く塗布することができる。したがって、後の剥離工程において、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを容易に剥離することができる。

次に、第２の実施形態に係る接合システムの構成について図２０を参照して説明する。図２０は、第２の実施形態に係る第１塗布装置の構成を示す模式側面図である。

第２の実施形態に係る接合システムは、第１の実施形態に係る接合システム１が備える第１塗布装置４０に代えて、図２０に示す第１塗布装置４０Ａを備える。

図２０に示すように、第１塗布装置４０Ａは、第１塗布装置４０が備える液供給部４３に代えて、液供給部４３Ａを備える。そして、液供給部４３Ａは、保護剤吐出部４３６をさらに備える。

保護剤吐出部４３６は、バルブ４３７を介して保護剤供給源４３８に接続されており、保護剤供給源４３８から供給される保護剤Ｐを被処理基板Ｗに吐出する。

保護剤吐出部４３６から吐出される保護剤Ｐには、保護剤Ｐの粘性を低下させて保護剤Ｐを被処理基板Ｗ上に塗り広げやすくするために、たとえばシンナー等の有機溶剤が混合されている。

次に、第２の実施形態に係る接合システムの具体的動作について図２１を参照して説明する。図２１は、第２の実施形態に係る接合システムが実行する処理の処理手順を示すフローチャートである。

なお、図２１におけるステップＳ４１８以降の処理は、図１１に示すステップＳ１１７〜Ｓ１２１と同様であるため、ここでの図示を省略する。また、図２１におけるステップＳ４０１〜Ｓ４０８の処理は、図１１に示すステップＳ１０１〜Ｓ１０８の処理と同様であるため、ここでの説明を省略する。

図２１に示すように、第２の実施形態に係る接合システムでは、被処理基板Ｗに対する剥離剤Ｒの塗布に先立って、保護剤Ｐの塗布処理が行われる。

被処理基板Ｗは、第１搬送装置１４によってカセットＣｗから取り出されて処理ステーション３の第１受渡部２０へ搬送される。このとき、被処理基板Ｗは、非接合面Ｗｎが下方を向いた状態で搬送される。第１受渡部２０に搬送された被処理基板Ｗは、第２搬送装置３１によって第１受渡部２０から取り出された後、上述した第１塗布装置４０Ａへ搬送される。

第１塗布装置４０Ａでは、保護剤吐出部４３６を用いて被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに保護剤Ｐを塗布する処理が行われる（ステップＳ４０９）。これにより、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに保護剤Ｐの塗布膜が形成される。

つづいて、被処理基板Ｗは、第２搬送装置３１によって第１塗布装置４０Ａから取り出された後、熱処理装置６０へ搬送される。

熱処理装置６０では、被処理基板Ｗを所定の温度に加熱する処理が行われる（ステップＳ４１０）。これにより、被処理基板Ｗに塗布された保護剤Ｐに含まれる有機溶剤が気化する。その後、被処理基板Ｗは、熱処理装置６０内で所定の温度、たとえば常温に冷却される。なお、有機溶剤が気化した保護剤Ｐは、被処理基板Ｗを傾けても垂れない程度に硬くなる。

その後、被処理基板Ｗは、図１１に示すステップＳ１０９〜Ｓ１１６の処理を経た後（ステップＳ４１１〜Ｓ４１８）、支持基板Ｓと接合される。

次に、上述した各処理とその処理を実行する装置との関係について図２２を参照して説明する。図２２は、各処理とその処理を実行する装置との関係を示す図である。なお、図２２には、被処理基板Ｗに対する各処理を示している。

図２２に示すように、第２の実施形態に係る接合システムでは、保護剤塗布処理（ステップＳ４０９）および剥離剤塗布処理（ステップＳ４１１）をそれぞれ異なる装置で行うこととしている。仮に、これらの処理を第１塗布装置４０Ａで実行することとすると、第１塗布装置４０Ａの処理時間が長くなるため、たとえば次の被処理基板Ｗや支持基板Ｓを第１塗布装置４０Ａへ搬入するタイミングが遅くなり、スループットが低下するおそれがある。これに対し、接合システムによれば、保護剤塗布処理および剥離剤塗布処理をそれぞれ異なる装置で実行するため、これらの処理を１つの装置で実行する場合と比べ、スループットの低下を抑えることができる。

また、第２の実施形態に係る接合システムでは、支持基板Ｓに対する接着剤塗布処理を実行する第１塗布装置４０Ａを用いて、被処理基板Ｗに対する保護剤塗布処理も行う。つまり、第２の実施形態に係る接合システムでは、支持基板Ｓに対する接着剤塗布処理を実行する装置と、被処理基板Ｗに対する保護剤塗布処理を実行する装置とが共用化されている。このため、第２の実施形態に係る接合システムによれば、これらの処理をそれぞれ異なる装置で実行する場合と比べ、装置の台数を削減することができる。

なお、第２の実施形態に係る接合システムでは、ステップＳ４１０の加熱処理において、被処理基板Ｗの加熱処理を２つの熱処理装置６０を用いて２段階で行う。具体的には、２段階目の加熱処理を行う熱処理装置６０は、１段階目の加熱処理を行う熱処理装置６０よりも高温で被処理基板Ｗを加熱する。このように、被処理基板Ｗを段階的に加熱することで、保護剤Ｐの突沸等により保護剤Ｐの表面に凹凸が発生することを防止することができる。このような段階的な処理は、他の熱処理においても行ってよい。

（第３の実施形態）
第３の実施形態では、接合処理および仮硬化処理の変形例について図２３を参照して説明する。図２３は、第３の実施形態に係る接合処理および仮硬化処理の処理手順を示すフローチャートである。

図２３に示すように、接合部８５は、第１加熱機構１３０によって接着剤Ｇの軟化温度（１２０〜１４０℃）であるＸ℃に予め加熱された第１保持部１１０で支持基板Ｓを保持する（ステップＳ５０１）。これにより、支持基板Ｓに塗布された接着剤Ｇは、軟化する。

つづいて、接合部８５は、第２加熱機構１４０によって接着剤Ｇの硬化温度（１８０℃程度）以上の温度であるＹ℃（たとえば、２００℃）に予め加熱された第２保持部１２０で被処理基板Ｗを保持する（ステップＳ５０２）。被処理基板Ｗに塗布された保護剤Ｐおよび剥離剤Ｒは、加熱しても硬化しない性質を有するため、Ｙ℃に加熱されても硬化しない。なお、ステップＳ５０１の処理とステップＳ５０２の処理とは順序が逆であってもよい。

つづいて、接合部８５は、被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓの水平位置の調節を行った後（ステップＳ５０３）、加圧機構１５０を用いて第２保持部１２０を降下させて、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを接触させ（ステップＳ５０４）、さらに、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを加圧する（ステップＳ５０５）。

これにより、まず、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが接着剤Ｇ、剥離剤Ｒおよび保護剤Ｐを介して接合される。また、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが接触することにより、被処理基板Ｗの熱が支持基板Ｓに塗布された接着剤Ｇに伝わって接着剤Ｇの温度が上昇し、接着剤Ｇが硬化し始める。そして、接合部８５は、接着剤Ｇが完全に硬化するより前に、第１加熱機構１３０および第２加熱機構１４０による加熱を停止する。これにより、接着剤Ｇは、完全に硬化しない程度に硬化する。

このように、接合部８５は、支持基板Ｓを保持する第１保持部１１０を接着剤Ｇの軟化温度に加熱するとともに、被処理基板Ｗを保持する第２保持部１２０を接着剤Ｇの硬化温度以上の温度に加熱しておき、支持基板Ｓと被処理基板Ｗとを接触させて加圧することで、接合処理と仮硬化処理とを並行して進めることが可能となる。これにより、スループットを向上させることができる。

なお、かかる場合、重合基板Ｔの支持基板Ｓ側と被処理基板Ｗ側とに温度差が生じるため、重合基板Ｔに歪みが生じるおそれがある。これに対し、接合部８５は、重合基板Ｔを支持基板Ｓ側および被処理基板Ｗ側から加圧した状態で仮硬化処理を行うため、重合基板Ｔの歪みを抑えることができる。

（第４の実施形態）
上述した実施形態では、接合処理を行う接合装置８０を用いて仮硬化処理も行う場合の例について説明したが、仮硬化処理は、専用の装置を用いて行ってもよい。かかる点について図２４〜図２６を参照して説明する。図２４は、第４の実施形態に係る接合システムの構成を示す模式平面図である。また、図２５および図２６は、第４の実施形態に係る仮硬化装置の構成を示す模式側面図である。

図２４に示すように、第４の実施形態に係る接合システム１Ａは、処理ステーション３Ａに仮硬化装置９０を備える。仮硬化装置９０は、他の装置と同様、第２搬送領域３０に隣接して配置される。

図２５に示すように、仮硬化装置９０は、内部を閉鎖可能な処理容器９１を有する。処理容器９１の第２搬送領域３０側の側面には、搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられる。

処理容器９１の内部には、加熱機構９２を有し、重合基板Ｔにおける支持基板Ｓ側の板面と対向する第１プレート９３と、加熱機構９４を有し、重合基板Ｔにおける被処理基板Ｗ側の板面と対向する第２プレート９５とを備える。なお、図２５では、第１プレート９３が第２プレート９５の下方に配置される場合の例を示しているが、第１プレート９３は、第２プレート９５の上方に配置されていてもよい。

また、処理容器９１の内部には、加圧機構９６が配置される。加圧機構９６は、第１プレート９３を支持する支柱部材９６１と、支柱部材９６１を鉛直方向に移動させる移動機構９６２とを備える。

上記のように構成された仮硬化装置９０は、第２搬送装置３１によって第１プレート９３上に重合基板Ｔが載置された後、加圧機構９６を用いて第１プレート９３を上昇させて重合基板Ｔの被処理基板Ｗ側の板面を第２プレート９５に接触させて重合基板Ｔを加圧する。

その後、仮硬化装置９０は、加熱機構９２および加熱機構９４を用いて、第１プレート９３および第２プレート９５をそれぞれ接着剤Ｇの硬化温度（１８０℃程度）以上の温度、たとえば２００℃に加熱する。そして、仮硬化装置９０は、接着剤Ｇが完全に硬化するより前に、加熱機構９２および加熱機構９４による加熱を停止する。これにより、接着剤Ｇは、完全に硬化しない程度に硬化する。

このように、仮硬化処理は、接合装置８０ではなく、専用の装置を用いて行われてもよい。なお、仮硬化処理は、接合処理とは異なり、減圧雰囲気下で行うことを要しないため、仮硬化装置９０は、減圧装置を備えることを要しない。

（第５の実施形態）
上述してきた実施形態では、検査部７５０をエッジカット装置７０に配置し、支持基板Ｓに対する検査・再洗浄をエッジカット装置７０において実行する場合の例を示したが、支持基板Ｓに対する検査・再洗浄は、たとえば、支持基板Ｓに対するベベル洗浄処理を実行する第２塗布装置５０において行うようにしてもよい。

かかる点について図２７を参照して説明する。図２７は、第５の実施形態に係る第２塗布装置の構成を示す模式側面図である。

図２７に示すように、第５の実施形態に係る第２塗布装置５０Ａは、溶剤供給部７２０Ａと、検査部７５０Ａとをさらに備える。

溶剤供給部７２０Ａおよび検査部７５０Ａは、回収カップ５４の上方に配置される。また、溶剤供給部７２０Ａは、図示しない移動機構によって水平方向に移動可能に構成される。また、溶剤供給部７２０Ａには、図７に示す溶剤供給部７２０と同様、バルブや流量調節部等を含む供給機器群を介して有機溶剤供給源が接続される。

また、第２塗布装置５０Ａは、基板保持機構５２Ａを備える。基板保持機構５２Ａが備える駆動部５２３Ａは、支柱部材５２２を鉛直軸まわりに回転させるとともに鉛直方向に移動させる。

上記のように構成された第２塗布装置５０Ａは、ベベル洗浄部５５を用いてベベル洗浄処理を行った後、基板保持機構５２Ａを用いて支持基板Ｓを回収カップ５４よりも上方に移動させる。

つづいて、第２塗布装置５０Ａは、基板保持機構５２Ａを用いて支持基板Ｓを回転させつつ、検査部７５０Ａを用いて支持基板Ｓのベベル部の表面状態を検査する。かかる検査の結果、支持基板Ｓのベベル部に接着剤Ｇが残存していると判定された場合、第２塗布装置５０Ａは、溶剤供給部７２０Ａを移動させて支持基板Ｓの周縁部へ配置させる。

そして、第２塗布装置５０Ａは、溶剤供給部７２０Ａを用い、支持基板Ｓのベベル部を含む周縁部の表面および裏面に向けてシンナー等の有機溶剤を吐出することによって、支持基板Ｓの周縁部に付着した接着剤Ｇを除去する。

このように、支持基板Ｓに対するベベル洗浄処理を行う第２塗布装置５０Ａが、引き続き、支持基板Ｓに対する検査・再洗浄処理も行うこととしてもよい。

なお、ここでは、ベベル洗浄処理の直後に検査・再洗浄処理を行うこととしたが、第１の実施形態と同様、ベベル洗浄後に加熱処理を行い、その後、検査・再洗浄処理を行うこととしてもよい。かかる場合、ベベル洗浄後の支持基板Ｓを第２塗布装置５０Ａから一旦取り出して熱処理装置６０へ搬入し、加熱処理後の支持基板Ｓを再び第２塗布装置５０Ａへ搬入すればよい。

（その他の実施形態）
上述してきた実施形態では、検査部７５０，７５０ＡがＣＣＤカメラである場合の例を示したが、検査部７５０，７５０Ａは、必ずしもＣＣＤカメラであることを要しない。検査部の他の例について図２８を参照して説明する。図２８は、変形例に係る検査部の構成を示す模式側面図である。

図２８に示すように、検査部７５０Ｂとしては、ＣＣＤカメラに代えて、たとえば透過型フォトセンサを用いることができる。

検査部７５０Ｂは、発光素子７５３と受光素子７５４とを備える。図２８では、発光素子７５３が被処理基板Ｗの接合面Ｗｊ側に配置され、受光素子７５４が非接合面Ｗｎ側に配置される。なお、この配置は逆でもよい。

かかる検査部７５０Ｂでは、発光素子７５３から受光素子７５４へ向けて光が照射され、被処理基板Ｗに遮光されない光が受光素子７５４へ入ることで、被処理基板Ｗのベベル部の形状を検出することができる。制御部５は、かかる検査部７５０Ｂによる検出結果に基づいて、被処理基板Ｗのベベル部にたとえば剥離剤Ｒが残存しているか否かを判定する。

上述した実施形態では、支持基板Ｓまたは被処理基板Ｗのベベル部に接着剤Ｇ、剥離剤Ｒまたは保護剤Ｐが残存している場合に、ベベル部の再洗浄を行う場合の例について説明した。しかしながら、接合システムでは、支持基板Ｓまたは被処理基板Ｗのベベル部のうちの特定の箇所に接着剤Ｇ、剥離剤Ｒまたは保護剤Ｐが残存している場合にのみ、ベベル部の再洗浄を行うこととしてもよい。

たとえば、接合システムでは、支持基板Ｓのベベル部のうち、水平方向の位置調節に用いられる基準点が形成された場所に接着剤Ｇが有ると判定した場合に、支持基板Ｓのベベル部の再洗浄をおこなうこととしてもよい。また、被処理基板Ｗについても同様に、被処理基板Ｗのベベル部のうち、水平方向の位置調節に用いられる基準点が形成された場所に剥離剤Ｒや保護剤Ｐが有ると判定した場合に、被処理基板Ｗのベベル部の再洗浄をおこなうこととしてもよい。これにより、検査・再洗浄処理に要する時間を短縮することができる。

また、接合システムでは、支持基板Ｓのベベル部のうち、水平方向の向き調節に用いられるノッチ部に接着剤Ｇが有ると判定した場合に、支持基板Ｓのベベル部の再洗浄をおこなうこととしてもよい。同様に、被処理基板Ｗについても、被処理基板Ｗのベベル部のうちノッチ部に剥離剤Ｒや保護剤Ｐが有ると判定した場合に、被処理基板Ｗのベベル部の再洗浄をおこなうこととしてもよい。これにより、検査・再洗浄処理に要する時間を短縮することができる。

上述した実施形態では、支持基板Ｓが第１基板の一例であり、被処理基板Ｗが第２基板の一例である場合の例について説明したが、被処理基板Ｗが第１基板であり、支持基板Ｓが第２基板であってもよい。すなわち、被処理基板Ｗに接着剤Ｇが塗布され、支持基板Ｓに剥離剤Ｒが塗布されてもよい。

上述してきた実施形態では、加圧機構１５０が、第２保持部１２０を降下させることによって被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを接触させて加圧する場合について説明したが、加圧機構１５０は、第１保持部１１０を上昇させることによって被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを接触させて加圧してもよい。

また、上述してきた実施形態では、基板同士を接合する処理において、被処理基板に接着剤を塗布した後、被処理基板のベベル部を洗浄する場合の例について説明した。しかし、本例に限らず、半導体デバイスの製造工程においては、たとえば基板に対してレジストの塗布および現像を行う塗布・現像処理等においても、ベベル部の洗浄が行われる場合がある。これらの場合についても、上述してきた実施形態と同様の基板処理方法を適用することが可能である。

たとえば、図２７に示す第２塗布装置５０Ａの液供給部５３にレジスト供給源を接続することにより、第２塗布装置５０Ａをレジスト塗布装置として用いることができる。

かかる場合、第２塗布装置５０Ａは、基板保持機構５２Ａを用いて基板を回転させつつ、液供給部５３から基板へレジストを供給することによって、基板の表面全体にレジストを塗布する。また、第２塗布装置５０Ａは、ベベル洗浄部５５を用いてベベル洗浄処理を行った後、検査部７５０Ａを用いて基板のベベル部の表面状態を検査する。そして、かかる検査の結果、基板のベベル部にレジストが残存していると判定された場合、第２塗布装置５０Ａは、溶剤供給部７２０Ａを用いて基板の周縁部に付着したレジストを除去する。

また、第２塗布装置５０Ａをレジスト塗布装置として使用する場合、ベベル洗浄工程後かつ検査工程前に、基板を第２塗布装置５０Ａから取り出して熱処理装置へ搬送し、熱処理装置において、基板を加熱して基板に残存する薬液を除去するようにしてもよい。また、ベベル部にレジストが有ると判定した場合に、薬液供給源５５２に異常が発生した旨の情報を報知する処理を行ってもよい。

さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。

Ｗ 被処理基板
Ｓ 支持基板
Ｔ 重合基板
Ｇ 接着剤
Ｒ 剥離剤
Ｐ 保護剤
１ 接合システム
２ 搬入出ステーション
３ 処理ステーション
５ 制御部
４０ 第１塗布装置
５０ 第２塗布装置
６０ 熱処理装置
７０ エッジカット装置
８０ 接合装置
９０ 仮硬化装置
４３１ 接着剤吐出部
４３６ 保護剤吐出部
５３１ 剥離剤吐出部

Claims (5)

1. 基板に塗布材を塗り広げる塗布工程と、
   前記塗布工程後における前記基板のベベル部を洗浄するベベル洗浄工程と、
   前記ベベル洗浄工程後、前記ベベル部の表面状態を検査して該ベベル部における前記塗布材の有無を判定する検査工程と、
   前記検査工程において前記ベベル部に前記塗布材が有ると判定した場合に、前記検査工程後に、前記基板のベベル部を再洗浄する再洗浄工程と
   を含み、
   前記ベベル洗浄工程は、
   前記基板を回転させつつ該基板の裏面に向けて薬液を吐出し、前記基板の裏面側から表面側へ回り込む前記薬液によって前記基板のベベル部に付着した前記塗布材を除去し、
   前記再洗浄工程は、
   前記基板のベベル部を含む周縁部の表面側および裏面側から該周縁部へ向けて薬液を吐出することによって前記基板の周縁部に付着した前記塗布材を除去することを特徴とする基板処理方法。
2. 前記ベベル洗浄工程後かつ前記検査工程前に、前記基板を加熱して前記基板に残存する前記薬液を除去する加熱工程
   を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
3. 前記検査工程において前記ベベル部に前記塗布材が有ると判定した場合に、前記薬液の供給源に異常が発生した旨の情報を報知する報知工程と
   を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理方法。
4. 前記検査工程は、
   前記ベベル部の表面状態を検査する検査部を用いて前記ベベル部における前記塗布材の有無を判定し、
   前記検査部は、
   前記ベベル洗浄工程が行われる処理装置または前記再洗浄工程が行われる処理装置に配置されること
   を特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の基板処理方法。
5. 基板に塗布材を吐出する塗布材吐出部と、
   前記塗布材が塗布された基板のベベル部を洗浄するベベル洗浄部と、
   前記塗布材が塗布された基板のベベル部の表面状態を検査する検査部と、
   前記検査部による検査によって前記ベベル部に前記塗布材が有ると判定された場合に、前記基板のベベル部を再洗浄する再洗浄部と
   を備え、
   前記ベベル洗浄部は、
   前記基板を回転させつつ該基板の裏面に向けて薬液を吐出し、前記基板の裏面側から表面側へ回り込む前記薬液によって前記基板のベベル部に付着した前記塗布材を除去し、
   前記再洗浄部は、
   前記基板のベベル部を含む周縁部の表面側および裏面側から該周縁部へ向けて薬液を吐出することによって前記基板の周縁部に付着した前記塗布材を除去すること
   を特徴とする基板処理装置。

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