JP6046007B2 - 接合システム - Google Patents

Description

開示の実施形態は、接合システムに関する。

近年、たとえば半導体デバイスの製造工程において、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの被処理基板の大口径化および薄型化が進んでいる。大口径で薄い被処理基板は、搬送時や研磨処理時に反りや割れが生じるおそれがある。このため、被処理基板にガラス基板等の支持基板を貼り合わせることによって被処理基板を補強することが行われている。

被処理基板と支持基板との接合は、接合装置を用いて行われる。接合装置は、たとえば上部チャックと下部チャックとでそれぞれ支持基板と被処理基板とを保持した後、上部チャックまたは下部チャックを移動させて被処理基板と支持基板とを押圧する（特許文献１参照）。被処理基板または支持基板の表面には接着剤が塗布されており、上記のように被処理基板と支持基板とを押圧することによって両者は接合される。

また、特許文献１には、上記接合装置の他、被処理基板や支持基板の搬送を行う搬送装置、被処理基板に接着剤を塗布する塗布装置、接着剤が塗布された被処理基板を加熱する熱処理装置などが一体的に組み込まれた接合システムが開示されている。

特開２０１２−６９９００号公報

しかしながら、上述した従来技術には、接合システムがクリーンルーム等の床面積に占める割合であるフットプリントを小さくするという点で更なる改善の余地があった。

実施形態の一態様は、フットプリントを小さくすることのできる接合システムを提供することを目的とする。

実施形態の一態様に係る接合システムは、第１処理ステーションと、第２処理ステーションと、搬入出ステーションとを備える。第１処理ステーションおよび第２処理ステーションは、第１基板および第２基板に対して所定の処理を行う。搬入出ステーションは、第１基板、第２基板、および、第１基板と第２基板とが接合された重合基板を第１処理ステーションに対して搬入出する。また、第１処理ステーションは、第１搬送領域と、塗布装置と、熱処理装置と、除去装置と、第１受渡ブロックとを備える。第１搬送領域は、第１基板、第２基板および重合基板の搬送を行うための領域である。塗布装置は、第１搬送領域に隣接して配置され、第１基板に対して接着剤を塗布する。熱処理装置は、第１搬送領域に隣接して配置され、接着剤が塗布された第１基板を加熱する。除去装置は、第１搬送領域に隣接して配置され、接着剤が塗布された第１基板の周縁部から接着剤を除去する。第１受渡ブロックは、搬入出ステーションと第１搬送領域との間で、第１基板、第２基板および重合基板の受け渡しを行う。また、第２処理ステーションは、複数の接合装置と、第２搬送領域と、第２受渡ブロックとを備える。複数の接合装置は、第１基板と第２基板とを接合する。第２搬送領域は、複数の接合装置に対して第１基板および第２基板を搬送するための領域である。第２受渡ブロックは、第１搬送領域と第２搬送領域との間で、第１基板、第２基板および重合基板の受け渡しを行う。また、第１搬送領域内の圧力は、塗布装置内の圧力、熱処理装置内の圧力および除去装置内の圧力に対して陽圧であり、除去装置内の圧力は、塗布装置内の圧力および熱処理装置内の圧力に対して陰圧である。

実施形態の一態様によれば、フットプリントを小さくすることができる。

図１は、本実施形態に係る接合システムの構成を示す模式平面図である。 図２は、被処理基板および支持基板の模式側面図である。 図３Ａは、第１処理ステーションおよび第２処理ステーションの構成を示す模式平面図である。 図３Ｂは、第１処理ステーションおよび第２処理ステーションの構成を示す模式側面図である。 図４は、接合システム内に生じる気流の説明図である。 図５Ａは、塗布装置の構成を示す模式側面図である。 図５Ｂは、塗布装置の構成を示す模式平面図である。 図６Ａは、熱処理装置の構成を示す模式側面図である。 図６Ｂは、熱処理装置の構成を示す模式平面図である。 図７は、除去装置の構成を示す模式側面図である。 図８Ａは、受渡部の構成を示す模式平面図である。 図８Ｂは、受渡アームの構成を示す模式平面図である。 図８Ｃは、受渡アームの構成を示す模式側面図である。 図９Ａは、プリアライナの構成を示す模式平面図である。 図９Ｂは、プリアライナの構成を示す模式側面図である。 図９Ｃは、プリアライナの構成を示す模式側面図である。 図１０Ａは、接合装置の構成を示す模式側面図である。 図１０Ｂは、接合装置の構成を示す模式側面図である。 図１１は、接合システムが実行する処理の処理手順を示すフローチャートである。 図１２Ａは、第１変形例に係る接合システムの構成を示す模式平面図である。 図１２Ｂは、第２変形例に係る接合システムの構成を示す模式平面図である。 図１２Ｃは、第３変形例に係る接合システムの構成を示す模式平面図である。 図１２Ｄは、第４変形例に係る接合システムの構成を示す模式平面図である。

以下、添付図面を参照して、本願の開示する接合システムの実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。

＜１．接合システムの構成＞
まず、本実施形態に係る接合システムの構成について、図１および図２を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る接合システムの構成を示す模式平面図である。また、図２は、被処理基板および支持基板の模式側面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。

図１に示す本実施形態に係る接合システム１は、被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓ（図２参照）を、接着剤Ｇを介して接合することによって重合基板Ｔを形成する。

以下では、図２に示すように、被処理基板Ｗの板面のうち、接着剤Ｇを介して支持基板Ｓと接合される側の板面を「接合面Ｗｊ」といい、接合面Ｗｊとは反対側の板面を「非接合面Ｗｎ」という。また、支持基板Ｓの板面のうち、接着剤Ｇを介して被処理基板Ｗと接合される側の板面を「接合面Ｓｊ」といい、接合面Ｓｊとは反対側の板面を「非接合面Ｓｎ」という。

被処理基板Ｗは、製品となる基板である。具体的には、被処理基板Ｗは、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板に複数の電子回路が形成された基板であり、電子回路が形成される側の板面を接合面Ｗｊとしている。かかる被処理基板Ｗは、支持基板Ｓとの接合後、非接合面Ｗｎが研磨処理されることによって薄型化される。

一方、支持基板Ｓは、たとえばガラス基板であり、被処理基板Ｗとほぼ同径を有する。また、接着剤Ｇとしては、たとえば熱可塑性樹脂が用いられる。

図１に示すように、接合システム１は、搬入出ステーション２と、第１処理ステーション３と、第２処理ステーション４とを備える。搬入出ステーション２、第１処理ステーション３および第２処理ステーション４は、Ｘ軸正方向に、搬入出ステーション２、第１処理ステーション３および第２処理ステーション４の順番で並べて配置される。

搬入出ステーション２は、載置台１１と、搬送領域１２とを備える。載置台１１には、複数枚（たとえば、２５枚）の基板を水平状態で収容するカセットＣｗ，Ｃｓ，Ｃｔが載置される。カセットＣｗは被処理基板Ｗを収容するカセットであり、カセットＣｓは支持基板Ｓを収容するカセットであり、カセットＣｔは重合基板Ｔを収容するカセットである。

搬送領域１２は、載置台１１のＸ軸正方向側に隣接して配置される。かかる搬送領域１２には、Ｙ軸方向に延在する搬送路１２１と、この搬送路１２１に沿って移動可能な搬送装置１２２とが設けられる。搬送装置１２２は、Ｘ軸方向にも移動可能かつＺ軸周りに旋回可能であり、載置台１１に載置されたカセットＣｗ，Ｃｓ，Ｃｔと、後述する第１処理ステーション３の受渡ブロック１３との間で、被処理基板Ｗ、支持基板Ｓおよび重合基板Ｔの搬送を行う。

なお、載置台１１に載置されるカセットＣｗ，Ｃｓ，Ｃｔの個数は、図示のものに限定されない。また、載置台１１には、カセットＣｗ，Ｃｓ，Ｃｔ以外に、不具合が生じた基板を回収するためのカセット等が載置されてもよい。

第１処理ステーション３は、搬入出ステーション２に接続される。かかる第１処理ステーション３は、受渡ブロック１３（「第１受渡ブロック」の一例に相当）と、搬送領域１４（「第１搬送領域」の一例に相当）と、複数の塗布装置１５と、複数の熱処理装置１６と、複数の除去装置１７とを備える。

受渡ブロック１３は、搬送領域１２のＸ軸正方向側に隣接して配置され、搬送領域１４は、かかる受渡ブロック１３のＸ軸正方向側に隣接して配置される。また、塗布装置１５および除去装置１７は、搬送領域１４のＹ軸負方向側に隣接して配置され、熱処理装置１６は、搬送領域１４のＹ軸正方向側に隣接して配置される。

なお、除去装置１７は、塗布装置１５の上方に積層して配置される。また、熱処理装置１６は、多段に積層される。これらの点については後述する。

受渡ブロック１３は、搬送領域１２と搬送領域１４との間に配置される。かかる受渡ブロック１３では、搬送領域１２の搬送装置１２２と、後述する搬送領域１４の搬送装置１４１との間で、被処理基板Ｗ、支持基板Ｓおよび重合基板Ｔの受け渡しが行われる。

搬送領域１４には、搬送装置１４１が配置される。搬送装置１４１は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に移動可能かつＺ軸周りに旋回可能であり、受渡ブロック１３、塗布装置１５、熱処理装置１６、除去装置１７および後述する第２処理ステーション４の受渡ブロック１８との間で、被処理基板Ｗ、支持基板Ｓおよび重合基板Ｔの搬送を行う。

塗布装置１５は、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに接着剤Ｇを塗布する装置であり、熱処理装置１６は、接着剤Ｇが塗布された被処理基板Ｗを所定の温度に加熱する装置である。また、除去装置１７は、接着剤Ｇが塗布された被処理基板Ｗの周縁部にシンナー等の有機溶剤を供給することにより、かかる周縁部から接着剤Ｇを除去する装置である。これら塗布装置１５、熱処理装置１６および除去装置１７の具体的な構成については後述する。

第２処理ステーション４は、第１処理ステーション３に接続される。かかる第２処理ステーション４は、受渡ブロック１８（「第２受渡ブロック」の一例に相当）と、搬送領域１９（「第２搬送領域」の一例に相当）と、複数の接合装置２０とを備える。

受渡ブロック１８は、搬送領域１４のＸ軸正方向側に隣接して配置され、搬送領域１９は、かかる受渡ブロック１８のＸ軸正方向側に隣接して配置される。また、複数（ここでは、２つ）の接合装置２０は、搬送領域１９のＹ軸正方向側およびＹ軸負方向側にそれぞれ隣接して配置される。

受渡ブロック１８は、搬送領域１４と、搬送領域１９との間に配置される。かかる受渡ブロック１８では、搬送領域１４の搬送装置１４１と、後述する搬送領域１９の搬送装置１９１との間で被処理基板Ｗ、支持基板Ｓおよび重合基板Ｔの受け渡しが行われる。

搬送領域１９には、搬送装置１９１が配置される。搬送装置１９１は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に移動可能かつＺ軸周りに旋回可能であり、受渡ブロック１８と接合装置２０との間で、被処理基板Ｗ、支持基板Ｓおよび重合基板Ｔの搬送を行う。

接合装置２０は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとの接合を行う。接合装置２０の具体的な構成については後述する。

また、接合システム１は、制御装置５を備える。制御装置５は、接合システム１の動作を制御する。かかる制御装置５は、たとえばコンピュータであり、制御部５１と記憶部５２とを備える。記憶部５２には、接合処理等の各種処理を制御するプログラムが格納される。制御部５１は記憶部５２に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって接合システム１の動作を制御する。

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から制御装置５の記憶部５２にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記録媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

上記のように構成された接合システム１では、搬送領域１２の搬送装置１２２が、載置台１１に載置されたカセットＣｗから被処理基板Ｗを取り出す。搬送装置１２２によって取り出されたウェハＷは、受渡ブロック１３を介して搬送領域１４へ搬入される。

搬送領域１４へ搬入された被処理基板Ｗは、搬送装置１４１によって塗布装置１５へ搬入され、塗布装置１５によって接合面Ｗｊ（図２参照）に接着剤Ｇが塗布される。

なお、第１処理ステーション３に配置される２つの塗布装置１５は、それぞれ異なる種類の接着剤Ｇを被処理基板Ｗに塗布するものであってもよい。かかる場合、たとえば、一方の塗布装置１５において被処理基板Ｗに接着剤Ｇを塗布した後、かかる被処理基板Ｗを後述する熱処理装置１６へ搬入して接着剤Ｇを塗布時よりも硬くする。その後、被処理基板Ｗを他方の塗布装置１５へ搬入し、他方の塗布装置１５において別の種類の接着剤Ｇを塗布する。このように、被処理基板Ｗには２種類の接着剤Ｇが塗布されてもよい。

つづいて、被処理基板Ｗは、搬送装置１４１によって塗布装置１５から搬出された後、熱処理装置１６へ搬入される。熱処理装置１６は、たとえば不活性雰囲気に保たれた内部で被処理基板Ｗを加熱することにより、接着剤Ｇに含まれる有機溶剤等の溶媒を揮発させて接着剤Ｇを塗布時よりも硬くする。その後、被処理基板Ｗは、熱処理装置１６によって所定の温度、たとえば常温に温度調節される。

つづいて、被処理基板Ｗは、搬送装置１４１によって熱処理装置１６から搬出された後、除去装置１７へ搬入され、周縁部に塗布された接着剤Ｇが除去装置１７によって除去される。その後、被処理基板Ｗは、搬送装置１４１によって除去装置１７から取り出された後、受渡ブロック１８を介して搬送領域１９へ搬送され、搬送領域１９に設けられた搬送装置１９１によって接合装置２０へ搬入される。

一方、支持基板Ｓは、載置台１１に載置されたカセットＣｓから搬送領域１２の搬送装置１２２によって取り出された後、受渡ブロック１３を介して搬送領域１４の搬送装置１４１によって搬送領域１４へ搬入される。

搬送領域１４へ搬入された支持基板Ｓは、搬送装置１４１によって受渡ブロック１８へ搬送された後、搬送領域１９の搬送装置１９１によって搬送領域１９へ搬送されて、接合装置２０へ搬入される。

被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓが接合装置２０へ搬入されると、接合装置２０によって被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓの接合処理が行われる。これにより、重合基板Ｔが形成される。その後、重合基板Ｔは、搬送装置１９１，１４１，１２２によって第２処理ステーション４から搬入出ステーション２へ搬送されて、搬入出ステーション２の載置台１１に載置されたカセットＣｔへ収容される。こうして、一連の処理が終了する。

次に、第１処理ステーション３および第２処理ステーション４の具体的な構成について図３Ａおよび図３Ｂを参照して説明する。図３Ａは、第１処理ステーション３および第２処理ステーション４の構成を示す模式平面図であり、図３Ｂは、同模式側面図である。なお、図３Ｂには、第１処理ステーション３および第２処理ステーション４をＹ軸負方向側から見た場合の模式側面図を示している。

図３Ａに示すように、第１処理ステーション３の受渡ブロック１３は、ＩＤ（Identification）リーダ１３１と、受渡部１３２，１３３（「第１受渡部」の一例に相当）と、第１バッファ部１３４（「バッファ部」の一例に相当）と、第２バッファ部１３５，１３６とを備える。

なお、図中では、ＩＤリーダ１３１を「ＷＩＤＢ」、受渡部１３２，１３３を「ＴＲＳ」、第１バッファ部１３４および第２バッファ部１３５，１３６を「ＳＢＵ」と記載する。

また、第２処理ステーション４の受渡ブロック１８は、受渡部１８１〜１８４（「第２受渡部」の一例に相当）と、反転機構付きプリアライナ（以下、単に「プリアライナ」と記載する）１８５とを備える。なお、図中では、受渡部１８１〜１８４を「ＣＳＨＵ」、プリアライナ１８５を「ＷＲＡ」と記載する。

図３Ａでは、理解を容易にするために、立体的に積層されるユニットを平面的に表現している。すなわち、図３Ａに示すＩＤリーダ１３１、受渡部１３２，１３３、第１バッファ部１３４および第２バッファ部１３５，１３６は、図３Ｂに示すように、下から順にＩＤリーダ１３１、受渡部１３２，１３３、第１バッファ部１３４および第２バッファ部１３５，１３６の順番で多段に積層される。また、受渡ブロック１８が備える受渡部１８１〜１８４およびプリアライナ１８５も、下から順に受渡部１８１〜１８４およびプリアライナ１８５の順番で多段に積層される。

また、図３Ａでは、搬送領域１４と塗布装置１５との間に除去装置１７が設けられているように図示されているが、実際は、図３Ｂに示すように、塗布装置１５の上方に除去装置１７が積層されており、塗布装置１５および除去装置１７の双方が搬送領域１４に隣接した状態となっている。同様に、図３Ａでは、複数の熱処理装置１６が平面的に並べられているように図示されているが、実際は、４つの熱処理装置１６が多段に積層されたブロックが搬送方向に沿って３列並べて配置されており、全ての熱処理装置１６が搬送領域１４に隣接した状態となっている。

図３Ａでは、受渡ブロック１３および受渡ブロック１８の各ユニットに矢印が付されているが、この矢印は、基板の搬送方向を示すものである。たとえば、受渡ブロック１３の受渡部１３２には、Ｘ軸正方向の矢印が付されているが、これは、基板（具体的には、被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓ）が搬入出ステーション２の搬送領域１２（図１参照）から受渡部１３２を経由して第１処理ステーション３の搬送領域１４へ搬送されることを意味している。同様に、受渡ブロック１３の受渡部１３３には、Ｘ軸負方向の矢印が付されているが、これは、基板（具体的には、重合基板Ｔ）が第１処理ステーション３の搬送領域１４から受渡部１３３を経由して搬入出ステーション２の搬送領域１２へ搬送されることを意味している。

また、受渡ブロック１３のＩＤリーダ１３１および第２バッファ部１３５，１３６には、Ｘ軸負方向側に両方向の矢印が付されているが、これは、ＩＤリーダ１３１および第２バッファ部１３５，１３６が、搬送領域１２に設けられる搬送装置１２２（図１参照）によってアクセスされることを意味している。同様に、第１バッファ部１３４には、Ｘ軸正方向側に両方向の矢印が付されているが、これは、第１バッファ部１３４が、搬送領域１４に設けられる搬送装置１４１によってアクセスされることを意味している。

第１処理ステーション３のＩＤリーダ１３１は、被処理基板Ｗに付されたＩＤを読み取る装置である。被処理基板Ｗは、搬入出ステーション２の搬送領域１２に設けられた搬送装置１２２によってＩＤリーダ１３１に搬入出される。

受渡部１３２は、搬送領域１２から搬送領域１４へ搬送される基板、すなわち、被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓが載置されるユニットである。被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓは、搬送領域１２の搬送装置１２２によって受渡部１３２に載置され、搬送領域１４の搬送装置１４１によって受渡部１３２から取り出される。

受渡部１３３は、搬送領域１４から搬送領域１２へ搬送される基板、すなわち、重合基板Ｔが載置されるユニットである。重合基板Ｔは、搬送領域１４の搬送装置１４１によって受渡部１３３に載置され、搬送領域１２の搬送装置１２２によって受渡部１３３から取り出される。

第１バッファ部１３４は、１枚または複数枚の支持基板Ｓを一時的に保持するユニットであり、搬送領域１４の搬送装置１４１によりアクセスされる。受渡ブロック１３を介して搬送領域１４へ搬入された支持基板Ｓは、必要に応じて、第１バッファ部１３４へ搬入される。

すなわち、被処理基板Ｗは、第１処理ステーション３に搬入された後、塗布装置１５、熱処理装置１６および除去装置１７に順次搬送されたうえで第２処理ステーション４へ搬送される。これに対し、支持基板Ｓは、塗布装置１５、熱処理装置１６および除去装置１７へ搬送されることなく、第１処理ステーション３を素通りして第２処理ステーション４へ搬入される。このように、被処理基板Ｗの受け入れ先は、塗布装置１５、熱処理装置１６および除去装置１７を含め多数存在するのに対し、支持基板Ｓの受け入れ先は被処理基板Ｗと比べて少ない。

一方、接合システム１では、被処理基板Ｗと支持基板ＳとをカセットＣｗ，Ｃｓから交互に取り出して第１処理ステーション３へ搬入することとしている。

このため、状況によっては、被処理基板Ｗの受け入れ先である塗布装置１５、熱処理装置１６、除去装置１７に空きがあるにもかかわらず、支持基板Ｓの受け入れ先（受渡部１３２、第２バッファ部１３５，１３６、受渡部１８２，１８４および接合装置２０）が先に埋まってしまう可能性がある。そうなると、新たな被処理基板Ｗを第１処理ステーション３へ搬入することができなくなってしまうため、スループットが低下するおそれがある。

そこで、接合システム１では、搬送領域１４に搬入された支持基板Ｓを一時的に保持しておくための第１バッファ部１３４を受渡ブロック１３に設けることとした。これにより、支持基板Ｓの受け入れ先が埋まってしまう状況を緩和することができるため、スループットを向上させることができる。

第２バッファ部１３５，１３６は、被処理基板Ｗ、支持基板Ｓまたは重合基板Ｔを一時的に保持するユニットであり、搬送領域１２の搬送装置１２２によりアクセスされる。第２バッファ部１３５，１３６は、たとえば、カセットＣｗまたはカセットＣｓが空になってから新たなカセットＣｗ，Ｃｓが載置台１１に載置されるまでの間に処理が中断しないように、１枚でも多くの被処理基板Ｗや支持基板Ｓを接合システム１内に搬入しておくために用いられる。なお、第２バッファ部１３５，１３６は、カセットＣｔが満杯になってから空のカセットＣｔが載置台１１に載置されるまでの間に処理が中断しないように、１枚でも多くの重合基板Ｔを接合システム１内に保持しておくためのバッファとしても用いられる。

被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓは、塗布装置１５および除去装置１７においては室温で処理され、熱処理装置１６においては約１００〜３５０℃で処理され、接合装置２０においては約２００〜２５０℃で処理される。

そこで、接合システム１では、塗布装置１５および除去装置１７を搬送領域１４のＹ軸負方向側に配置し、熱処理装置１６を搬送領域１４のＹ軸正方向側に配置し、第２処理ステーション４を搬送領域１４のＸ軸正方向側に配置することとした。

このように、接合システム１では、処理温度が同じユニットを搬送領域１４の同じ側にまとめて配置することとした。これにより、温度管理を容易化することができる。

また、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、接合システム１では、除去装置１７を、塗布装置１５の上方に積層して配置することとした。

複数のユニットを上下に積層する場合、上方に配置されるユニットの排液管は、真っ直ぐに下ろすことが難しく、下方に配置されるユニットを迂回するように蛇行させるのが通常である。しかし、排液管を流れる排液の粘度が高いと、排液管の蛇行した部分等に排液が溜まりやすく、メンテナンス性を悪化させる原因となるおそれがある。

ここで、塗布装置１５からは、排液として接着剤Ｇが排出される。一方、除去装置１７からは、排液として接着剤Ｇよりも粘度の低いシンナー等の有機溶剤が排出される。このため、接合システム１では、塗布装置１５と比べて排液の粘度が低い除去装置１７を塗布装置１５の上方に配置することとした。これにより、排液を適切に接合システム１から排出することができる。

受渡ブロック１８の受渡部１８２，１８４は、搬送領域１４から搬送領域１９へ搬送される基板、すなわち、被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓが載置されるユニットである。被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓは、搬送領域１４の搬送装置１４１によって受渡部１８２，１８４に載置され、搬送領域１９の搬送装置１９１によって受渡部１８２，１８４から取り出される。

受渡部１８１，１８３は、搬送領域１９から搬送領域１４へ搬送される基板、すなわち、重合基板Ｔが載置されるユニットである。重合基板Ｔは、搬送領域１９の搬送装置１９１によって受渡部１８１，１８３に載置され、搬送領域１４の搬送装置１４１によって受渡部１８１，１８３から取り出される。

プリアライナ１８５は、被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓの水平方向の向きを調整するユニットであり、搬送領域１９の搬送装置１９１によってアクセスされる。また、プリアライナ１８５は、反転機構を有しており、搬送装置１９１によって搬入された被処理基板Ｗに対して表裏を反転させる処理も併せて行う。

ここで、従来の接合装置においては、１台の接合装置に対して、受渡部、反転機構付きプリアライナおよび搬送装置をそれぞれ設けていたため、フットプリントの増大を招いていた。これに対し、本実施形態に係る接合システム１では、図３Ａに示すように、複数の接合装置２０で、受渡部１８１〜１８４、プリアライナ１８５および搬送装置１９１を共用することとしている。

このため、本実施形態に係る接合システム１によれば、従来の接合システムと比較してフットプリントを小さくすることができる。

また、従来の接合装置では、反転機構付きプリアライナと受渡部とが平置きされるのに対し、本実施形態に係る接合システム１では、受渡部１８１〜１８４とプリアライナ１８５とを積層することとしている。したがって、この点でも、従来の接合システムと比較してフットプリントを小さくすることができる。

次に、接合システム１内における圧力の大小関係について図４を参照して説明する。図４は、接合システム１内に生じる気流の説明図である。なお、図４に示す白抜きの矢印は、気流の向きを示している。

図４に示すように、第１処理ステーション３の搬送領域１４には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）１４２が設けられる。ＦＦＵ１４２は、搬送領域１４の天井部に設けられて、搬送領域１４内にダウンフローを形成する。同様に、第２処理ステーション４の搬送領域１９にもＦＦＵ１９２が設けられる。ＦＦＵ１９２は、搬送領域１９の天井部に設けられて、搬送領域１９内にダウンフローを形成する。また、ここでは図示を省略するが、塗布装置１５、熱処理装置１６、除去装置１７および接合装置２０にもそれぞれＦＦＵが設けられている。これらのＦＦＵによって、接合システム１内は、外部に対して陽圧状態となっている。

第１処理ステーション３では、搬送領域１４内の圧力が最も高圧となる。したがって、受渡ブロック１３、塗布装置１５、熱処理装置１６、除去装置１７および受渡ブロック１８内の圧力は、搬送領域１４内の圧力に対して陰圧となり、受渡ブロック１３、塗布装置１５、熱処理装置１６、除去装置１７または受渡ブロック１８の開閉シャッタ（図示せず）が開かれると、搬送領域１４から受渡ブロック１３、塗布装置１５、熱処理装置１６、除去装置１７または受渡ブロック１８へ向かう気流が生じる。

また、第２処理ステーション４では、搬送領域１９内の圧力が最も高圧となる。したがって、接合装置２０内の圧力は搬送領域１９内の圧力に対して陰圧となり、接合装置２０の開閉シャッタが開かれると、搬送領域１９から接合装置２０へ向かう気流が生じる。なお、搬送領域１４内の圧力と搬送領域１９内の圧力は、ほぼ同一である。

このように、接合システム１では、搬送領域１４，１９に隣接する各ユニットの圧力が搬送領域１４および搬送領域１９よりも低くなるようにしている。これにより、接合システム１内の臭い、たとえば、除去装置１７で使用されるシンナー等の有機溶剤の臭いが、搬送領域１４や搬送領域１９から接合システム１の外部に漏れ出ることを防止することができる。

また、接合システム１では、搬送領域１４，１９に隣接する各ユニットのうち、接合装置２０の圧力を他のユニットの圧力よりも最も高くしている。これにより、他のユニットと比較し、接合装置２０内にパーティクル等が流入し難くなるため、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとの接合処理を適切に行うことができる。

また、接合システム１では、除去装置１７内の圧力を塗布装置１５および熱処理装置１６よりも低くしている。これにより、除去装置１７で使用されるシンナー等の有機溶剤の臭いが接合システム１の外部に漏れ出ることをより確実に防止することができる。

＜２．塗布装置の構成＞
次に、上述した塗布装置１５の構成について図５Ａおよび図５Ｂを参照して説明する。図５Ａは、塗布装置１５の構成を示す模式側面図であり、図５Ｂは、同模式平面図である。

図５Ａに示すように、塗布装置１５は、内部を密閉可能な処理容器１７０を有する。処理容器１７０の搬送領域１４（図１参照）側の側面には、被処理基板Ｗの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられる。

処理容器１７０内の中央部には、被処理基板Ｗを保持して回転させるスピンチャック１９０が設けられている。スピンチャック１９０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えば被処理基板Ｗを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、被処理基板Ｗをスピンチャック１９０上に吸着保持することができる。

スピンチャック１９０の下方には、例えばモータなどを備えたチャック駆動部１９２が設けられている。スピンチャック１９０は、チャック駆動部１９２により所定の速度に回転可能である。また、チャック駆動部１９２には、例えばシリンダなどの昇降駆動源が設けられており、スピンチャック１９０は昇降自在になっている。

スピンチャック１９０の周囲には、被処理基板Ｗから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ１９３が設けられる。カップ１９３の下面には、回収した液体を排出する排出管１９４と、カップ１９３内の雰囲気を真空引きして排気する排気管１９５が接続される。

図５Ｂに示すようにカップ１９３のＹ軸負方向側には、Ｘ軸方向に沿って延在するレール４００が設けられる。レール４００は、たとえばカップ１９３のＸ軸負方向側の外方からＸ軸正方向側の外方まで延在する。かかるレール４００には、アーム４０１が取り付けられる。

アーム４０１には、図５Ａおよび図５Ｂに示すように被処理基板Ｗに液体状の接着剤Ｇを供給する接着剤ノズル４０３が支持される。なお、接着剤Ｇは、被処理基板Ｗに塗り広げやすいように、有機溶剤等の溶媒と混ぜ合わされることにより、通常よりも粘度の低い液体状になっている。

アーム４０１は、図５Ｂに示すノズル駆動部４０４により、レール４００上を移動自在である。これにより、接着剤ノズル４０３は、カップ１９３のＸ軸正方向側の外方に設置された待機部４０５からカップ１９３内の被処理基板Ｗの中心部上方まで移動でき、さらに当該被処理基板Ｗ上を被処理基板Ｗの径方向に移動できる。また、アーム４０１は、ノズル駆動部４０４によって昇降自在であり、接着剤ノズル４０３の高さを調節できる。

接着剤ノズル４０３には、図５Ａに示すように当該接着剤ノズル４０３に接着剤Ｇを供給する供給管４０６が接続される。供給管４０６は、内部に接着剤Ｇを貯留する接着剤供給源４０７に連通する。また、供給管４０６には、接着剤Ｇの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群４０８が設けられる。

また、処理容器１７０の天井部には、ＦＦＵ１７１が設けられる。ＦＦＵ１７１は、処理容器１７０内にダウンフローを形成する。ＦＦＵ１７１には、バルブや流量調節部等を含む供給機器群１７２を介して気体供給源１７３が接続される。また、処理容器１７０の底面には、当該処理容器１７０の内部の雰囲気を吸引する吸気口１７４が形成される。吸気口１７４には、たとえば真空ポンプなどの負圧発生装置１７５が接続される。

上記のように構成された塗布装置１５は、搬送領域１４の搬送装置１４１によって搬入される被処理基板Ｗをスピンチャック１９０で吸着保持する。このとき、被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎが吸着保持される。

つづいて、アーム４０１によって待機部４０５の接着剤ノズル４０３を被処理基板Ｗの中心部の上方まで移動させる。その後、スピンチャック１９０によって被処理基板Ｗを回転させながら、接着剤ノズル４０３から被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに接着剤Ｇを供給する。供給された接着剤Ｇは遠心力により被処理基板Ｗの接合面Ｗｊの全面に拡散されて、当該被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに接着剤Ｇが塗布される。

＜３．熱処理装置の構成＞
次に、熱処理装置１６の構成について図６Ａおよび図６Ｂを参照して説明する。図６Ａは、熱処理装置１６の構成を示す模式側面図であり、図６Ｂは、同模式平面図である。

図６Ａに示すように、熱処理装置１６は、内部を閉鎖可能な処理容器２１０を有する。処理容器２１０の搬送領域１４（図１参照）側の側面には、被処理基板Ｗの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられる。

処理容器２１０の天井面には、当該処理容器２１０の内部に例えば窒素ガスなどの不活性ガスを供給するガス供給口２１１が形成される。ガス供給口２１１には、ガス供給源２１２に連通するガス供給管２１３が接続される。ガス供給管２１３には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群２１４が設けられる。

処理容器２１０の底面には、当該処理容器２１０の内部の雰囲気を吸引する吸気口２１５が形成される。吸気口２１５には、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置２１６が接続される。

処理容器２１０の内部には、被処理基板Ｗを加熱処理する加熱部２２０と、被処理基板Ｗを温度調節する温度調節部２２１が設けられる。加熱部２２０と温度調節部２２１はＸ軸方向に並べて配置されている。

加熱部２２０は、熱板２３０を収容して熱板２３０の外周部を保持する環状の保持部材２３１と、その保持部材２３１の外周を囲む略筒状のサポートリング２３２を備える。熱板２３０は、厚みのある略円盤形状を有し、被処理基板Ｗを載置して加熱することができる。また、熱板２３０には、例えばヒータ２３３が内蔵される。熱板２３０の加熱温度は例えば制御部５１により制御され、熱板２３０上に載置された被処理基板Ｗが所定の温度に加熱される。

熱板２３０の下方には、被処理基板Ｗを下方から支持し昇降させるための昇降ピン２４０が例えば３本設けられる。昇降ピン２４０は、昇降駆動部２４１により上下動できる。熱板２３０の中央部付近には、当該熱板２３０を厚み方向に貫通する貫通孔２４２が例えば３箇所に形成される。そして、昇降ピン２４０は貫通孔２４２を挿通し、熱板２３０の上面から突出可能になっている。

温度調節部２２１は、温度調節板２５０を有している。温度調節板２５０は、図６Ｂに示すように略方形の平板形状を有し、熱板２３０側の端面が円弧状に湾曲している。温度調節板２５０には、Ｙ軸方向に沿った２本のスリット２５１が形成される。スリット２５１は、温度調節板２５０の熱板２３０側の端面から温度調節板２５０の中央部付近まで形成される。このスリット２５１により、温度調節板２５０が、加熱部２２０の昇降ピン２４０及び後述する温度調節部２２１の昇降ピン２６０と干渉するのを防止することができる。また、温度調節板２５０には、例えばペルチェ素子などの温度調節部材（図示せず）が内蔵される。温度調節板２５０の冷却温度は例えば制御部５１により制御され、温度調節板２５０上に載置された被処理基板Ｗが所定の温度に冷却される。

温度調節板２５０は、図６Ａに示すように支持アーム２５２に支持されている。支持アーム２５２には、駆動部２５３が取り付けられている。駆動部２５３は、Ｘ軸方向に延在するレール２５４に取り付けられる。レール２５４は、温度調節部２２１から加熱部２２０まで延在する。この駆動部２５３により、温度調節板２５０は、レール２５４に沿って加熱部２２０と温度調節部２２１との間を移動可能になっている。

温度調節板２５０の下方には、被処理基板Ｗを下方から支持し昇降させるための昇降ピン２６０が例えば３本設けられる。昇降ピン２６０は、昇降駆動部２６１により上下動できる。そして、昇降ピン２６０はスリット２５１を挿通し、温度調節板２５０の上面から突出可能になっている。

上記のように構成された熱処理装置１６は、搬送領域１４の搬送装置１４１によって被処理基板Ｗが処理容器２１０内に搬入されると、かかる被処理基板Ｗを予め上昇して待機していた昇降ピン２６０で受け取る。続いて昇降ピン２６０を下降させ、被処理基板Ｗを温度調節板２５０に載置する。

その後、駆動部２５３により温度調節板２５０をレール２５４に沿って熱板２３０の上方まで移動させ、被処理基板Ｗは予め上昇して待機していた昇降ピン２４０に受け渡される。その後、昇降ピン２４０が下降して、被処理基板Ｗが熱板２３０上に載置される。そして、熱板２３０上の被処理基板Ｗは、所定の温度、例えば１００℃〜３５０℃に加熱される。かかる熱板２３０による加熱を行うことで被処理基板Ｗ上の接着剤Ｇが加熱されて、当該接着剤Ｇが硬化する。

その後、昇降ピン２４０が上昇すると共に、温度調節板２５０が熱板２３０の上方に移動する。続いて被処理基板Ｗが昇降ピン２４０から温度調節板２５０に受け渡され、温度調節板２５０が搬送領域１４側に移動する。この温度調節板２５０の移動中に、被処理基板Ｗは所定の温度に温度調節される。

＜４．除去装置の構成＞
次に、除去装置１７の構成について図７を参照して説明する。図７は、除去装置１７の構成を示す模式側面図である。

図７に示すように、除去装置１７は、内部を密閉可能な処理容器３１０を有する。処理容器３１０の搬送領域１４（図１参照）側の側面には、被処理基板Ｗの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられる。

処理容器３１０の天井部には、ＦＦＵ３１１が設けられる。ＦＦＵ３１１は、処理容器３１０内にダウンフローを形成する。ＦＦＵ３１１には、バルブや流量調節部等を含む供給機器群３１２を介して気体供給源３１３が接続される。また、処理容器３１０の底面には、当該処理容器３１０の内部の雰囲気を吸引する吸気口３１４が形成される。吸気口３１４には、たとえば真空ポンプなどの負圧発生装置３１５が接続される。

処理容器３１０内には、溶剤供給部３２０と、吸着移動部３３０とが設けられる。溶剤供給部３２０は、処理容器３１０内のＸ軸負方向側に設けられ、吸着移動部３３０は、処理容器３１０内のＸ軸正方向側に設けられる。

溶剤供給部３２０は、本体部３２１と、本体部３２１を所定の高さに支持する支柱部材３２２と、本体部３２１のＸ軸正方向側の外部に設けられた上側ノズル３２３および下側ノズル３２４と、本体部３２１のＸ軸正方向側の内部に設けられた吸引部３２５とを備える。

上側ノズル３２３および下側ノズル３２４は、本体部３２１の外部に取り付けられており、所定の空間を空けて対向配置される。上側ノズル３２３は、シンナー等の有機溶剤を下方へ向けて吐出し、下側ノズル３２４は、上記有機溶剤を上方へ向けて吐出する。これら上側ノズル３２３および下側ノズル３２４には、それぞれバルブや流量調節部等を含む供給機器群３４１，３４３を介して有機溶剤供給源３４２，３４４が接続される。

吸引部３２５は、上側ノズル３２３と下側ノズル３２４との間に設けられており、上側ノズル３２３および下側ノズル３２４から吐出された有機溶剤を吸引する。かかる吸引部３２５には、たとえば真空ポンプなどの負圧発生装置３４５が接続される。

吸着移動部３３０は、Ｘ軸方向に延在するレール３３１と、レール３３１に沿って移動する移動機構３３２と、移動機構３３２の上部に設けられ、被処理基板Ｗを吸着保持する吸着保持部３３３とを備える。

上記のように構成された除去装置１７は、搬送領域１４の搬送装置１４１によって被処理基板Ｗが処理容器３１０内に搬入されると、かかる被処理基板Ｗを吸着保持部３３３で吸着保持する。つづいて、移動機構３３２をレール３３１に沿って移動させて、被処理基板Ｗの周縁部を上側ノズル３２３と下側ノズル３２４との間に位置させる。

その後、上側ノズル３２３および下側ノズル３２４から有機溶剤を吐出する。これにより、被処理基板Ｗの周縁部に有機溶剤が供給され、被処理基板Ｗの周縁部に塗布された接着剤Ｇが除去される。上側ノズル３２３および下側ノズル３２４から吐出された有機溶剤は、吸引部３２５によって吸引される。

＜５．受渡部の構成＞
次に、受渡ブロック１８に設けられる受渡部１８２の構成について図８Ａ〜図８Ｃを参照して説明する。図８Ａは、受渡部１８２の構成を示す模式平面図である。また、図８Ｂは、受渡アーム７３０の構成を示す模式平面図であり、図８Ｃは、同模式側面図である。なお、受渡部１８１，１８３，１８４の構成は、受渡部１８２と同様であるため、これらの構成については説明を省略する。

図８Ａに示すように、受渡部１８２は、受渡アーム７３０と支持ピン７３１とを有する。受渡アーム７３０は、搬送領域１４の搬送装置１４１と搬送領域１９の搬送装置１９１（図１参照）との間で被処理基板Ｗ、支持基板Ｓ、重合基板Ｔを受け渡すことができる。支持ピン７３１は、複数、例えば３箇所に設けられ、被処理基板Ｗ、支持基板Ｓ、重合基板Ｔを支持することができる。

受渡アーム７３０は、被処理基板Ｗ、支持基板Ｓ、重合基板Ｔを保持するアーム部７４０と、例えばモータなどを備えたアーム駆動部７４１とを有している。アーム部７４０は、略円板形状を有する。アーム駆動部７４１は、アーム部７４０をＸ軸方向に移動させることができる。またアーム駆動部７４１は、Ｙ軸方向に延在するレール７４２に取り付けられ、当該レール７４２上を移動可能に構成されている。かかる構成により、受渡アーム７３０は、水平方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向）に移動可能となっており、搬送装置１４１と支持ピン７３１との間で、被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓ（受渡部１８１，１８３の場合には重合基板Ｔ）を円滑に受け渡すことができる。

図８Ａおよび図８Ｂに示すように、アーム部７４０上には、被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓを支持する支持ピン７５０が複数、例えば４箇所に設けられている。またアーム部７４０上には、支持ピン７５０に支持された被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓの位置決めを行うガイド７５１が設けられる。ガイド７５１は、被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓの側面をガイドするように複数、例えば４箇所に設けられる。

アーム部７４０の外周には、切り欠き７５２が例えば４箇所に形成されている。この切り欠き７５２により、搬送装置１４１の搬送アームから受渡アーム７３０に被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓを受け渡す際に、当該搬送装置１４１の搬送アームがアーム部７４０と干渉するのを防止できる。

アーム部７４０には、Ｘ軸方向に沿った２本のスリット７５３が形成されている。スリット７５３は、アーム部７４０の支持ピン７３１側の端面からアーム部７４０の中央部付近まで形成される。このスリット７５３により、アーム部７４０が支持ピン７３１と干渉するのを防止できる。

＜６．プリアライナの構成＞
次に、プリアライナ１８５の構成について図９Ａ〜図９Ｃを参照して説明する。図９Ａは、プリアライナ１８５の構成を示す模式平面図であり、図９Ｂおよび図９Ｃは、同模式側面図である。

図９Ａ〜図９Ｃに示すように、プリアライナ１８５は、被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓを保持する保持アーム７６０を有する。保持アーム７６０は、Ｙ軸方向に延在する。また保持アーム７６０には、被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓを保持する他の保持部材としての保持部材７６１が、例えば４箇所に設けられる。保持部材７６１は、保持アーム７６０に対して水平方向に移動可能に構成される。また保持部材７６１の側面には、被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓの外周部を保持するための切り欠きが形成される。そして、これら保持部材７６１は、被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓを挟み込んで保持することができる。

保持アーム７６０は、図９Ａ〜図９Ｃに示すように例えばモータなどを備えた第１の駆動部７６３に支持される。この第１の駆動部７６３によって、保持アーム７６０は水平軸周りに回動自在であり、且つ水平方向に移動することができる。保持アーム７６０が水平軸周りに回動することにより、保持アーム７６０に保持された被処理基板Ｗは表裏が反転される。なお、第１の駆動部７６３は、保持アーム７６０を鉛直軸周りに回動させて、当該保持アーム７６０を水平方向に移動させてもよい。

第１の駆動部７６３の下方には、例えばモータなどを備えた第２の駆動部７６４が設けられている。この第２の駆動部７６４によって、第１の駆動部７６３は鉛直方向に延伸する支持柱７６５に沿って鉛直方向に移動することができる。このように第１の駆動部７６３と第２の駆動部７６４によって、保持部材７６１に保持された被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓは、水平軸周りに回動できると共に鉛直方向及び水平方向に移動できる。

支持柱７６５には、保持部材７６１に保持された被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓの水平方向の向きを調節する位置調節機構７７０が支持板７７１を介して支持される。位置調節機構７７０は、保持アーム７６０に隣接して設けられる。

位置調節機構７７０は、基台７７２と、被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓのノッチ部の位置を検出する検出部７７３とを有する。そして、位置調節機構７７０では、保持部材７６１に保持された被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓを水平方向に移動させながら、検出部７７３で被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓのノッチ部の位置を検出することで、当該ノッチ部の位置を調節して被処理基板Ｗまたは支持基板Ｓの水平方向の向きを調節する。

＜７．接合装置の構成＞
次に、接合装置２０の構成について図１０Ａおよび図１０Ｂを参照して説明する。図１０Ａおよび図１０Ｂは、接合装置２０の構成を示す模式側面図である。

図１０Ａに示すように、接合装置２０は、第１保持部１０１と、第２保持部２０１とを備える。第１保持部１０１は、第２保持部２０１の上方に配置されて被処理基板Ｗを保持する。また、第２保持部２０１は、支持基板Ｓを保持する。第１保持部１０１および第２保持部２０１は、被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓよりも大径の略円板形状を有する。

第１保持部１０１および第２保持部２０１は、たとえば静電チャックであり、それぞれ被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓを静電吸着により保持する。第１保持部１０１および第２保持部２０１として静電チャックを用いることで、減圧雰囲気下において被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓを確実に保持しておくことができる。なお、第１保持部１０１および第２保持部２０１は、静電チャックに限らず、たとえば被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓを真空吸着により保持するポーラスチャック等であってもよい。

また、第１保持部１０１および第２保持部２０１は、それぞれ加熱機構１１７，２１７を内蔵する。加熱機構１１７は、第１保持部１０１によって保持された被処理基板Ｗを加熱し、加熱機構２１７は、第２保持部２０１によって保持された支持基板Ｓを加熱する。なお、第２保持部２０１は、スペーサー２０４によって所定の高さに支持される。

また、接合装置２０は、ベース部材１０５と、加圧機構１０６とを備える。ベース部材１０５は、後述する第１チャンバ部５１１の上面に取り付けられる。

加圧機構１０６は、第１保持部１０１を鉛直下方に移動させることにより、被処理基板Ｗを支持基板Ｓに接触させて加圧する。かかる加圧機構１０６は、圧力容器１６１と、気体供給管１６２と、気体供給源１６３とを備える。

圧力容器１６１は、たとえば鉛直方向に伸縮自在なステンレス製のベローズにより構成される。圧力容器１６１の下端部は、第１保持部１０１の上面に固定され、上端部は、ベース部材１０５の下面に固定される。

気体供給管１６２は、その一端がベース部材１０５および後述する第１チャンバ部５１１を介して圧力容器１６１に接続され、他端が気体供給源１６３に接続される。

かかる圧力容器１６１では、気体供給源１６３から気体供給管１６２を介して圧力容器１６１の内部に気体が供給されることにより、圧力容器１６１が伸長して第１保持部１０１を降下させる。これにより、被処理基板Ｗは、支持基板Ｓと接触して加圧される。被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓの加圧力は、圧力容器１６１に供給する気体の圧力を調節することで調節される。

また、接合装置２０は、チャンバ５０１と、移動機構５０２と、減圧機構５０３と、第１撮像部５０４と、第２撮像部５０５とを備える。

チャンバ５０１は、内部を密閉可能な処理容器であり、第１チャンバ部５１１と、第２チャンバ部５１２とを備える。第１チャンバ部５１１は、下部が開放された有底筒状の容器であり、内部には、第１保持部１０１、圧力容器１６１等が収容される。また、第２チャンバ部５１２は、上部が開放された有底筒状の容器であり、内部には、第２保持部２０１、スペーサー２０４等が収容される。

第１チャンバ部５１１は、エアシリンダ等の図示しない昇降機構によって鉛直方向に昇降可能に構成される。かかる昇降機構によって第１チャンバ部５１１を降下させて第２チャンバ部５１２に当接させることで、チャンバ５０１の内部に密閉空間が形成される。なお、第１チャンバ部５１１の第２チャンバ部５１２との当接面には、チャンバ５０１の機密性を確保するためのシール部材５１３が設けられる。シール部材５１３としては、たとえばＯリングが用いられる。

移動機構５０２は、第１チャンバ部５１１の外周部に設けられ、第１チャンバ部５１１を介して第１保持部１０１を水平方向に移動させる。かかる移動機構５０２は、第１チャンバ部５１１の外周部に対して複数（たとえば、５つ）設けられ、５つの移動機構５０２のうちの４つが第１保持部１０１の水平方向の移動に用いられ、残りの１つが第１保持部１０１の鉛直軸まわりの回転に用いられる。

移動機構５０２は、第１チャンバ部５１１の外周部に当接して第１保持部１０１を移動させるカム５２１と、シャフト５２２を介してカム５２１を回転させる回転駆動部５２３とを備える。カム５２１はシャフト５２２の中心軸に対して偏心して設けられている。そして、回転駆動部５２３によりカム５２１を回転させることで、第１保持部１０１に対するカム５２１の中心位置が移動し、第１保持部１０１を水平方向に移動させることができる。

減圧機構５０３は、たとえば第２チャンバ部５１２の下部に設けられ、チャンバ５０１内を減圧する。かかる減圧機構５０３は、チャンバ５０１内の雰囲気を吸気するための吸気管５３１と、吸気管５３１に接続された真空ポンプなどの吸気装置５３２とを備える。

第１撮像部５０４は、第１保持部１０１の下方に配置されて、第１保持部１０１に保持された被処理基板Ｗの表面を撮像する。また、第２撮像部５０５は、第２保持部２０１の上方に配置されて、第２保持部２０１に保持された支持基板Ｓの表面を撮像する。

第１撮像部５０４および第２撮像部５０５は、図示しない移動機構によって水平方向に移動可能に構成されており、第１チャンバ部５１１を降下させる前にチャンバ５０１内に侵入して、被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓを撮像する。第１撮像部５０４および第２撮像部５０５の撮像データは、制御装置５へ送信される。なお、第１撮像部５０４および第２撮像部５０５としては、たとえば広角型のＣＣＤカメラがそれぞれ用いられる。

なお、接合装置２０は、図示しない処理容器の内部に設けられており、かかる処理容器の天井部には、ＦＦＵが設けられる。

上記のように構成された接合装置２０では、まず、第１保持部１０１によって被処理基板Ｗが保持され、第２保持部２０１によって支持基板Ｓが保持される。

つづいて、接合装置２０では、図１０Ａに示す第１撮像部５０４および第２撮像部５０５が水平方向に移動してチャンバ５０１内に侵入し、被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓの表面をそれぞれ撮像する。

その後、第１撮像部５０４によって撮像された画像に表示される被処理基板Ｗの基準点の位置と、第２撮像部５０５によって撮像された画像に表示される支持基板Ｓの基準点の位置とが一致するように、移動機構５０２によって被処理基板Ｗの水平方向の位置が調節される。こうして被処理基板Ｗの支持基板Ｓに対する水平方向の位置が調節される。

つづいて、第１撮像部５０４および第２撮像部５０５がチャンバ５０１内から退出した後、図示しない移動機構によって第１チャンバ部５１１が降下する。そして、第１チャンバ部５１１が第２チャンバ部５１２に当接することにより、チャンバ５０１内に密閉空間が形成される。

つづいて、接合装置２０では、減圧機構５０３によってチャンバ５０１内の雰囲気が吸気されることによってチャンバ５０１内が減圧される。

その後、接合装置２０では、第１保持部１０１の加熱機構１１７および第２保持部２０１の加熱機構２１７によって被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓが所定の温度（たとえば、２００〜２５０℃）に加熱される。

つづいて、接合装置２０では、圧力容器１６１に気体を供給することにより、圧力容器１６１内を所望の圧力にする。これにより、第１保持部１０１が降下して被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが所望の圧力で加圧される（図１０Ｂ参照）。これにより、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとは接合される。

＜８．接合システムの動作＞
次に、上述した接合システム１の動作について図１１を参照して説明する。図１１は、接合システム１が実行する処理の処理手順を示すフローチャートである。

まず、被処理基板Ｗは、搬入出ステーション２の搬送装置１２２によってカセットＣｗから取り出されて、受渡ブロック１３の受渡部１３２に載置される。つづいて、被処理基板Ｗは、搬送領域１４の搬送装置１４１によって受渡部１３２から取り出された後、塗布装置１５へ搬入され、塗布装置１５によって接合面Ｗｊに接着剤Ｇが塗布される（ステップＳ１０１）。

つづいて、被処理基板Ｗは、搬送装置１４１によって塗布装置１５から取り出された後、熱処理装置１６へ搬入され、熱処理装置１６によって所定の温度に加熱される（ステップＳ１０２）。これにより、接着剤Ｇに含まれる有機溶剤等の溶媒が揮発して接着剤Ｇが硬くなる。

つづいて、被処理基板Ｗは、搬送装置１４１によって熱処理装置１６から取り出された後、除去装置１７へ搬入され、除去装置１７によって周縁部の接着剤Ｇが除去される（ステップＳ１０３）。その後、被処理基板Ｗは、搬送装置１４１によって除去装置１７から取り出された後、受渡ブロック１８の受渡部１８２へ搬入される。

なお、ここでは、被処理基板Ｗの周縁部に塗布された接着剤Ｇを除去装置１７によって除去した後、かかる被処理基板Ｗを受渡部１８２へ搬送することとしたが、受渡部１８２へ搬送する前に、再び熱処理装置１６へ搬送して熱処理装置１６で加熱処理してもよい。

つづいて、被処理基板Ｗは、搬送領域１９の搬送装置１９１によって受渡部１８２から取り出された後、プリアライナ１８５へ搬入され、プリアライナ１８５によって水平位置が調整される（ステップＳ１０４）。また、被処理基板Ｗは、プリアライナ１８５によって表裏が反転される（ステップＳ１０５）。

つづいて、被処理基板Ｗは、搬送装置１９１によってプリアライナ１８５から取り出された後、接合装置２０へ搬入され、接合装置２０の第１保持部１０１によって吸着保持される（ステップＳ１０６）。

一方、支持基板Ｓは、搬入出ステーション２の搬送装置１２２によってカセットＣｓから取り出された後、受渡ブロック１３の受渡部１３２に載置される。つづいて、支持基板Ｓは、搬送領域１４の搬送装置１４１によって受渡部１３２から取り出された後、受渡ブロック１８の受渡部１８２へ搬入される。

つづいて、支持基板Ｓは、搬送領域１９の搬送装置１９１によって受渡部１８２から取り出された後、プリアライナ１８５へ搬入され、プリアライナ１８５によって水平位置が調整される（ステップＳ１０７）。

つづいて、支持基板Ｓは、搬送装置１９１によってプリアライナ１８５から取り出された後、接合装置２０へ搬入され、接合装置２０の第２保持部２０１によって吸着保持される（ステップＳ１０８）。

そして、被処理基板Ｗが第１保持部１０１に保持され、支持基板Ｓが第２保持部２０１に保持された後、接合装置２０は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを接合する（ステップＳ１０９）。これにより、重合基板Ｔが形成される。

このようにして形成された重合基板Ｔは、図示しない移動機構によって第１チャンバ部５１１が上昇した後、搬送領域１９の搬送装置１９１（図１参照）によって接合装置２０から搬出され、上述した手順でカセットＣｔまで搬送される。

上述してきたように、本実施形態に係る接合システム１は、第１処理ステーション３と、第２処理ステーション４と、搬入出ステーション２とを備える。第１処理ステーション３および第２処理ステーション４は、被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓに対して所定の処理を行う。搬入出ステーション２は、被処理基板Ｗ、支持基板Ｓおよび重合基板Ｔを第１処理ステーション３に対して搬入出する。

また、第１処理ステーション３は、搬送領域１４と、塗布装置１５と、熱処理装置１６と、受渡ブロック１３とを備える。搬送領域１４は、被処理基板Ｗ、支持基板Ｓおよび重合基板Ｔの搬送を行うための領域である。塗布装置１５は、搬送領域１４に隣接して配置され、被処理基板Ｗに対して接着剤Ｇを塗布する。熱処理装置１６は、搬送領域１４に隣接して配置され、接着剤Ｇが塗布された被処理基板Ｗを加熱する。受渡ブロック１３は、搬入出ステーション２と搬送領域１４との間で、被処理基板Ｗ、支持基板Ｓおよび重合基板Ｔの受け渡しを行う。

また、第２処理ステーション４は、複数の接合装置２０と、搬送領域１９と、受渡ブロック１８とを備える。複数の接合装置２０は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを接合する。搬送領域１９は、複数の接合装置２０に対して被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓを搬送するための領域である。受渡ブロック１８は、搬送領域１４と搬送領域１９との間で、被処理基板Ｗ、支持基板Ｓおよび重合基板Ｔの受け渡しを行う。

したがって、本実施形態に係る接合システム１によれば、従来の接合システムと比較してフットプリントを小さくすることができる。

＜その他の実施形態＞
ところで、本願の開示する接合システムの構成は、上述した構成に限定されない。そこで、以下では、接合システムの変形例について図１２Ａ〜図１２Ｄを参照して説明する。図１２Ａ〜図１２Ｄは、第１変形例〜第４変形例に係る接合システムの構成を示す模式平面図である。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

たとえば、図１２Ａに示す接合システム１Ａは、第１処理ステーション３Ａを備える。第１処理ステーション３Ａは、第１処理ステーション３が備える搬送領域１４よりもＸ軸方向に長い搬送領域１４Ａを備える。

また、第１処理ステーション３Ａは、３つの塗布装置１５を備える。３つの塗布装置１５は、搬送領域１４ＡのＹ軸負方向側において搬送領域１４Ａに沿って並べて配置される。

このように、接合システム１Ａは、３つの塗布装置１５を備える構成であってもよい。３つの塗布装置１５は、たとえば接着剤Ｇの種類ごとに設けられてもよい。すなわち、３つの塗布装置１５は、それぞれ異なる種類の接着剤Ｇを塗布するものであってもよい。かかる場合、被処理基板Ｗには複数種類の接着剤Ｇが塗布されることとなる。

また、図１２Ｂに示す接合システム１Ｂは、第１処理ステーション３Ｂを備える。第１処理ステーション３Ｂは、第１処理ステーション３が備える搬送領域１４よりもＸ軸方向に長い搬送領域１４Ｂを備える。

また、第１処理ステーション３Ｂには、４つの熱処理装置１６が多段に積層されたブロックが搬送方向に沿って２列並べて配置される。すなわち、第１処理ステーション３Ｂに設けられる４つの熱処理装置１６が積層されたブロックは、第１処理ステーション３よりも１列少ない。

そして、第１処理ステーション３Ｂは、３つの塗布装置１５を備える。３つの塗布装置１５のうち２つは、搬送領域１４ＢのＹ軸負方向側に配置され、残りの１つは、搬送領域１４ＢのＹ軸正方向側に配置される。

このように、３つの塗布装置１５を設ける場合に、熱処理装置１６の数を減らしたうえで、３つの塗布装置１５のうち１つを熱処理装置１６が設けられる側に配置してもよい。これにより、第１変形例に係る接合システム１Ａと比較して、搬送領域１４Ｂの長さを抑えることができる。

また、図１２Ｃに示す接合システム１Ｃは、第１処理ステーション３Ｃを備える。第１処理ステーション３Ｃには、第２変形例に係る第１処理ステーション３Ｂと同様、４つの熱処理装置１６が多段に積層されたブロックが搬送方向に沿って２列並べて配置される。第１処理ステーション３Ｃでは、３つの除去装置１７が搬送領域１４のＹ軸正方向側、すなわち、複数の熱処理装置１６が配置される側に配置される。

また、第１処理ステーション３Ｃでは、３つの塗布装置１５が搬送領域１４のＹ軸負方向側に配置される。そして、これら３つの塗布装置１５のうち２つは、積層される。

このように、３つの塗布装置１５を設ける場合に、熱処理装置１６の数を減らし、除去装置１７を熱処理装置１６が設けられる側に配置し、さらに、熱処理装置１６および除去装置１７が設けられる側とは反対側に３つの塗布装置１５を配置して、そのうち２つを積層してもよい。これにより、接合システム１と同様のフットプリントで３つの塗布装置１５を配置することができる。

なお、３つの塗布装置１５で用いられる接着剤Ｇの種類がそれぞれ異なる場合には、積層される２つの塗布装置１５のうち、使用する接着剤Ｇの粘度がより低いものが上方に配置されることが好ましい。

また、図１２Ｄに示す接合システム１Ｄは、第１処理ステーション３Ｄを備える。第１処理ステーション３Ｄは、３つの塗布装置１５を備える。第３変形例に係る第１処理ステーション３Ｃと同様、３つの塗布装置１５は、搬送領域１４のＹ軸負方向側に配置され、そのうち２つは積層される。

そして、第１処理ステーション３Ｄでは、３つの塗布装置１５の上方に３つの除去装置１７がさらに積層される。除去装置１７で用いられる有機溶剤は、３つの塗布装置１５で用いられる接着剤Ｇよりも粘度が低いものとする。

このように、３つの塗布装置１５のうち２つを積層し、さらに、３つの塗布装置１５の上方に除去装置１７を積層することとしてもよい。これにより、熱処理装置１６の数を減らすことなく、接合システム１と同様のフットプリントで３つの塗布装置１５を配置することができる。

なお、図１２Ａ〜図１２Ｄでは、第１処理ステーション３Ａ〜３Ｄに対して３つの塗布装置１５を設ける場合の例について説明したが、第１処理ステーション３Ａ〜３Ｄには、４つ以上の塗布装置１５を設けてもよい。

上述してきた実施形態では、被処理基板Ｗが「第１基板」であり、支持基板Ｓが「第２基板」である場合の例について説明した。しかし、これに限ったものではなく、支持基板Ｓが「第１基板」であり、被処理基板Ｗが「第２基板」であってもよい。すなわち、支持基板Ｓが塗布装置１５、熱処理装置１６、除去装置１７による処理を受ける基板であり、被処理基板Ｗが塗布装置１５、熱処理装置１６、除去装置１７による処理を受けることなく第２処理ステーション４へ搬送される基板であってもよい。このように、支持基板Ｓに接着剤Ｇを塗布してもよい。

さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。

Ｗ 被処理基板
Ｓ 支持基板
Ｔ 重合基板
１ 接合システム
２ 搬入出ステーション
３ 第１処理ステーション
４ 第２処理ステーション
１３ 受渡ブロック
１４ 搬送領域
１５ 塗布装置
１６ 熱処理装置
１７ 除去装置
１８ 受渡ブロック
１９ 搬送領域
２０ 接合装置
１３１ ＩＤリーダ
１３２，１３３ 受渡部
１３４ 第１バッファ部
１３５，１３６ 第２バッファ部
１８１〜１８４ 受渡部
１８５ プリアライナ

Claims (8)

1. 第１基板と第２基板とを接合する接合システムであって、
   前記第１基板および前記第２基板に対して所定の処理を行う第１処理ステーションおよび第２処理ステーションと、
   前記第１基板、前記第２基板、および、前記第１基板と前記第２基板とが接合された重合基板を前記第１処理ステーションに対して搬入出する搬入出ステーションと
   を備え、
   前記第１処理ステーションは、
   前記第１基板、前記第２基板および前記重合基板の搬送を行うための第１搬送領域と、
   前記第１搬送領域に隣接して配置され、前記第１基板に対して接着剤を塗布する塗布装置と、
   前記第１搬送領域に隣接して配置され、前記接着剤が塗布された第１基板を加熱する熱処理装置と、
   前記第１搬送領域に隣接して配置され、前記接着剤が塗布された第１基板の周縁部から前記接着剤を除去する除去装置と、
   前記搬入出ステーションと前記第１搬送領域との間で、前記第１基板、前記第２基板および前記重合基板の受け渡しを行う第１受渡ブロックと
   を備え、
   前記第２処理ステーションは、
   前記第１基板と前記第２基板とを接合する複数の接合装置と、
   前記複数の接合装置に対して前記第１基板および前記第２基板を搬送するための第２搬送領域と、
   前記第１搬送領域と前記第２搬送領域との間で、前記第１基板、前記第２基板および前記重合基板の受け渡しを行う第２受渡ブロックと
   を備え、
   前記第１搬送領域内の圧力は、
   前記塗布装置内の圧力、前記熱処理装置内の圧力および前記除去装置内の圧力に対して陽圧であり、
   前記除去装置内の圧力は、
   前記塗布装置内の圧力および前記熱処理装置内の圧力に対して陰圧であること
   を特徴とする接合システム。
2. 前記除去装置は、
   前記塗布装置の上方に配置されること
   を特徴とする請求項１に記載の接合システム。
3. 第１基板と第２基板とを接合する接合システムであって、
   前記第１基板および前記第２基板に対して所定の処理を行う第１処理ステーションおよび第２処理ステーションと、
   前記第１基板、前記第２基板、および、前記第１基板と前記第２基板とが接合された重合基板を前記第１処理ステーションに対して搬入出する搬入出ステーションと
   を備え、
   前記第１処理ステーションは、
   前記第１基板、前記第２基板および前記重合基板の搬送を行うための第１搬送領域と、
   前記第１搬送領域の一方側において前記第１搬送領域に隣接して配置され、前記第１基板に対して接着剤を塗布する塗布装置と、
   前記第１搬送領域の他方側において前記第１搬送領域に隣接して配置され、前記接着剤が塗布された第１基板を加熱する熱処理装置と、
   前記搬入出ステーションと前記第１搬送領域との間で、前記第１基板、前記第２基板および前記重合基板の受け渡しを行う第１受渡ブロックと
   を備え、
   前記第２処理ステーションは、
   前記第１基板と前記第２基板とを接合する複数の接合装置と、
   前記複数の接合装置に対して前記第１基板および前記第２基板を搬送するための第２搬送領域と、
   前記第１搬送領域と前記第２搬送領域との間で、前記第１基板、前記第２基板および前記重合基板の受け渡しを行う第２受渡ブロックと
   を備えることを特徴とする接合システム。
4. 前記第１処理ステーションは、
   前記接着剤が塗布された第１基板の周縁部から前記接着剤を除去する除去装置
   を備え、
   前記除去装置は、
   前記塗布装置の上方に配置されること
   を特徴とする請求項３に記載の接合システム。
5. 前記第１搬送領域内の圧力は、
   前記塗布装置内の圧力、前記熱処理装置内の圧力および前記除去装置内の圧力に対して陽圧であること
   を特徴とする請求項４に記載の接合システム。
6. 前記第１受渡ブロックは、
   前記第１搬送領域へ搬入される前記第１基板もしくは前記第２基板、または、前記搬入出ステーションへ搬出される前記重合基板が載置される第１受渡部と、
   前記第１受渡ブロックを介して前記第１搬送領域へ搬入された前記第２基板を一時的に保持するバッファ部と
   を備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の接合システム。
7. 前記第２受渡ブロックは、
   前記第２搬送領域へ搬入される前記第１基板もしくは前記第２基板、または、前記第１搬送領域へ搬出される前記重合基板が載置される第２受渡部と、
   前記第１基板または前記第２基板を反転させる反転機構と
   を備え、
   前記第２受渡部と前記反転機構とは、多段に積層されること
   を特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の接合システム。
8. 前記第２搬送領域内の圧力は、前記接合装置内の圧力に対して陽圧であること
   を特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の接合システム。

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