JP2017034107A - 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板同士を接合する接合装置41は、対向して配置された上ウェハWUと下ウェハWLを押圧して接合する接合部と、接合部に搬送される前の上ウェハWUを一時的に載置する上部トランジションと、上ウェハWUの表裏面を反転させる反転機構130と、接合部と上部トランジションに反転機構130で反転させた上ウェハWUを搬送するウェハ搬送機構111と、を有する。
【選択図】図4
Description
先ず、本発明の第1の実施の形態について説明する。図1は、第1の実施の形態にかかる接合システム1の構成の概略を示す平面図である。図2は、接合システム1の内部構成の概略を示す側面図である。
おいて略平行四辺形状に形成されていたが、上ウェハWUの汚染を防止するという観点からは、支持面106aと上ウェハWUの接触面積を極力小さくすることが好ましい。したがって、例えば図18に示すように、上ウェハWUの保持に必要な最小限の面積を確保した、突起状の支持面106fを用いるようにしてもよい。かかる場合も、支持面106fの幅K1とガイド面106bの幅K2を適正に設定することで、略平行四辺形状の支持面106aを用いた場合と同様、上ウェハWUの外周縁部Eを適切に保持することができる。
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。第1の実施の形態における接合システム1では、ファンデルワールス力及び分子間力を用いた接合を行ったが、第2の実施の形態では、接着剤を介在させて接合を行う接合システムについて説明する。図19は、本実施の形態にかかる接合システム300の構成の概略を示す平面図である。図20は、接合システム300の内部構成の概略を示す側面図である。
2 搬入出ステーション
3 処理ステーション
30 表面改質装置
40 表面親水化装置
41 接合装置
61 ウェハ搬送装置
70 制御部
100 処理容器
105 トランジション
106 保持部材
300 接合システム
WU 上ウェハ
WL 下ウェハ
WT 重合ウェハ
Claims (14)
- 基板同士を接合する接合装置であって、
対向して配置された第1の基板と第2の基板を押圧して接合する接合部と、
前記接合部に搬送される前の前記第1の基板または前記第2の基板の少なくともいずれかを一時的に載置するバッファ載置部と、
前記接合部と前記バッファ載置部に前記第1の基板または前記第2の基板の少なくともいずれかを搬送する基板搬送機構と、を有することを特徴とする、接合装置。 - 前記バッファ載置部は、前記第1の基板の接合面または前記第2の基板の接合面を下に向けた状態で、当該第1の基板または当該第2の基板を載置することを特徴とする、請求項1に記載の接合装置。
- 前記第1の基板の表裏面を反転させる反転機構をさらに有し、
前記基板搬送機構は、前記反転機構に対して前記第1の基板を搬送可能であり、
前記バッファ載置部は、前記反転機構で反転した前記第1の基板を下方から支持する基板保持部材を複数備えていることを特徴とする、請求項1または2のいずれか一項に記載の接合装置。 - 前記接合装置内は、搬送領域と処理領域に区画されており、
前記搬送領域には、前記バッファ載置部、前記基板搬送機構及び前記反転機構が配置され、
前記処理領域には、前記接合部が配置されていることを特徴とする、請求項3に記載の接合装置。 - 前記基板保持部材は、
水平な支持面と、
前記支持面から鉛直上方に延伸するガイド面と、
前記ガイド面の上端部から、平面視において前記支持面と離れる方向に向かって次第に上がる傾斜面と、を有することを特徴とする、請求項3または4のいずれか一項に記載の接合装置。 - 前記基板保持部材のガイド面の上端部の高さは、前記第1の基板において直径が最大となる部分の厚み方向の高さと同じかまたは高く設定されていることを特徴とする、請求項5に記載の接合装置。
- 前記基板保持部材の前記支持面における、前記ガイド面から、前記ガイド面と反対側の端部までの間の幅は、前記第1の基板の外周縁部の幅と略同じに形成されていることを特徴とする、請求項5または6のいずれか一項に記載の接合装置。
- 前記基板保持部材の前記支持面における、前記ガイド面から、前記ガイド面と反対側の端部までの間の幅は、0.3mm〜1mmであることを特徴とする、請求項5〜7のいずれか一項に記載の接合装置。
- 前記基板保持部材は、
前記支持面における、前記ガイド面と反対側の端部から鉛直下方に延伸する垂下面と、
前記垂下面の下端部から、平面視において前記支持面と離れる方向に向かって水平に延伸する下段支持面と、をさらに有することを特徴とする、請求項5〜8のいずれか一項に記載の接合装置。 - 請求項1〜9のいずれか一項に記載の接合装置を備えた接合システムであって、
前記接合装置を備えた処理ステーションと、
前記第1の基板、前記第2の基板または前記第1の基板と前記第2の基板が接合された重合基板をそれぞれ複数保有可能で、且つ前記処理ステーションに対して前記第1の基板、前記第2の基板または前記重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、を備え、
前記処理ステーションは、
前記第1の基板または前記第2の基板の接合される表面を改質する表面改質装置と、
前記表面改質装置で改質された前記第1の基板または前記第2の基板の表面を親水化する表面親水化装置と、
前記表面改質装置、前記表面親水化装置及び前記接合装置に対して、前記第1の基板、前記第2の基板または前記重合基板を搬送するための搬送装置と、を有し、
前記接合装置では、前記表面親水化装置で表面が親水化された第1の基板と第2の基板を接合することを特徴とする、接合システム。 - 請求項1〜9のいずれか一項に記載の接合装置を備えた接合システムであって、
前記接合装置と、前記第1の基板に接着剤を塗布する塗布装置と、前記接着剤が塗布された第1の基板を所定の温度に加熱する熱処理装置と、前記塗布装置、前記熱処理装置及び前記接合装置に対して、前記第1の基板、前記第2の基板、または前記第1の基板と前記第2の基板が接合された重合基板を搬送するための搬送領域と、を有する処理ステーションと、
前記第1の基板、前記第2の基板または前記重合基板を、前記処理ステーションに対して搬入出する搬入出ステーションと、を有していることを特徴とする、接合システム。 - 接合装置を用いて基板同士を接合する接合方法であって、
前記接合装置は、
対向して配置された第1の基板と第2の基板を押圧して接合する接合部と、
前記接合部に搬送される前の前記第1の基板または前記第2の基板の少なくともいずれかを一時的に載置するバッファ載置部と、
前記接合部と前記バッファ載置部に前記第1の基板または前記第2の基板の少なくともいずれかを搬送する基板搬送機構と、を有し、
前記接合方法は、
前記基板搬送機構により前記第1の基板と前記第2の基板を前記接合部に搬送し、
前記接合部で前記第1の基板と前記第2の基板を接合する間に、次回前記接合部で接合する第1の基板と第2または基板の少なくともいずれかを、前記基板搬送機構により前記バッファ載置部に載置し、
前記接合部での接合が完了して当該接合部から前記第1の基板と前記第2の基板が搬出された後、前記バッファ載置部に載置された第1の基板または第2の基板の少なくともいずれかを前記接合部に搬送することを特徴とする、接合方法。 - 請求項12に記載の接合方法を接合装置によって実行させるように、当該接合装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
- 請求項13に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020012986A1 (ja) * | 2018-07-12 | 2020-01-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び基板処理方法 |
CN112038220A (zh) * | 2020-08-31 | 2020-12-04 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 晶圆键合工艺中改善晶圆边缘形变的方法 |
CN112400217A (zh) * | 2018-07-19 | 2021-02-23 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理系统和基板处理方法 |
CN114695227A (zh) * | 2022-03-29 | 2022-07-01 | 苏州矽行半导体技术有限公司 | 一种载台系统及采用该载台系统的晶圆驱动方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113458577A (zh) * | 2020-03-30 | 2021-10-01 | 超众科技股份有限公司 | 金属的接合装置和热传导部件的壳体的制造装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11322070A (ja) * | 1998-05-19 | 1999-11-24 | Sony Corp | ウェーハ搬送装置 |
JP2008010670A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Nikon Corp | ウェハ接合装置用のロードロック装置、及びウェハ接合システム |
JP2011199139A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2013062352A (ja) * | 2011-09-13 | 2013-04-04 | Tokyo Electron Ltd | 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2014229677A (ja) * | 2013-05-21 | 2014-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2015018919A (ja) | 2013-07-10 | 2015-01-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
-
2015
- 2015-08-03 JP JP2015153200A patent/JP6512986B2/ja active Active
-
2016
- 2016-07-29 KR KR1020160096600A patent/KR102519106B1/ko active IP Right Grant
- 2016-07-29 TW TW105123983A patent/TWI668068B/zh active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11322070A (ja) * | 1998-05-19 | 1999-11-24 | Sony Corp | ウェーハ搬送装置 |
JP2008010670A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Nikon Corp | ウェハ接合装置用のロードロック装置、及びウェハ接合システム |
JP2011199139A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2013062352A (ja) * | 2011-09-13 | 2013-04-04 | Tokyo Electron Ltd | 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2014229677A (ja) * | 2013-05-21 | 2014-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020012986A1 (ja) * | 2018-07-12 | 2020-01-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び基板処理方法 |
JPWO2020012986A1 (ja) * | 2018-07-12 | 2021-07-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び基板処理方法 |
JP7058737B2 (ja) | 2018-07-12 | 2022-04-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び基板処理方法 |
CN112400217A (zh) * | 2018-07-19 | 2021-02-23 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理系统和基板处理方法 |
CN112038220A (zh) * | 2020-08-31 | 2020-12-04 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 晶圆键合工艺中改善晶圆边缘形变的方法 |
CN114695227A (zh) * | 2022-03-29 | 2022-07-01 | 苏州矽行半导体技术有限公司 | 一种载台系统及采用该载台系统的晶圆驱动方法 |
Also Published As
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