JP2019046850A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の概略断面図である。図1において、基板処理装置100は回転式基板処理装置であり、回転保持部10、飛散防止用のカップ20、ノズルユニット30および制御部40を備える。回転保持部10は、モータ11の回転軸12の先端に取り付けられ、基板Wを水平姿勢で保持した状態で鉛直軸の周りで回転駆動される。なお、本実施の形態においては、基板Wの直径は例えば300mmである。
図1の基板処理装置100における基板Wの処理工程について説明する。図2は、基板処理装置100における基板Wの回転速度の変化、ならびに溶剤およびレジスト液の吐出レートの変化を示す図である。図2において、横軸は時間を表し、縦軸は、基板Wの回転速度、ならびに溶剤およびレジスト液の吐出レートを表す。
膜形成工程の詳細について説明する。図3は、図2の膜形成工程における基板W上のレジスト液の状態の変化を示す図である。
図6は、基板処理装置100の機能的な構成を示すブロック図である。図6に示すように、基板処理装置100は、保持制御部51、吐出制御部53、第1の吐出レート調整部54、第2の吐出レート調整部55、第1の回転速度調整部56、第2の回転速度調整部57、第3の回転速度調整部58、第4の回転速度調整部59、第5の回転速度調整部60および時間制御部61を含む。これらの構成要素(51〜61)の機能は、制御部40のCPUがROMまたは記憶装置等の記憶媒体に記憶されたコンピュータプログラムを実行することにより実現される。
本実施の形態に係る基板処理装置100においては、膜形成工程の第1の工程において、回転する基板Wの一面(被処理面)の中心部に吐出されたレジスト液が基板Wの一面上で拡がるように、レジスト液の吐出レートが第1のレートr1に調整される。また、膜形成工程の第2の工程において、回転する基板Wの一面の全体に拡がったレジスト液の厚みが増加するように、レジスト液の吐出レートが第1のレートr1よりも高い第2のレートr2に調整される。
(a)上記実施の形態においては、第1の工程でレジスト液の吐出レートが第1のレートr1に調整され、第2の工程でレジスト液の吐出レートが第2のレートr2に調整されるが、第1の工程でレジスト液の吐出レートが第1のレートr1を含む複数段階に調整されてもよく、第2の工程でレジスト液の吐出レートが第2のレートr2を含む複数段階に調整されてもよい。また、第1の工程および第2の工程の少なくとも一方において、レジスト液の吐出レートが連続的に変化するように調整されてもよい。
Claims (7)
- 基板を水平姿勢で保持して回転させる回転保持部と、
前記回転保持部により回転する基板の一面の中心部に塗布液を吐出する塗布液吐出系と、
第1の期間に、前記塗布液吐出系から基板の前記一面の中心部に吐出された塗布液が基板の前記一面上で拡がるように、前記塗布液吐出系からの塗布液の吐出レートを第1のレートに調整する第1の吐出レート調整部と、
前記第1の期間の後の第2の期間に、基板の前記一面の全体に拡がった塗布液の厚みが増加するように、前記塗布液吐出系からの塗布液の吐出レートを前記第1のレートよりも高い第2のレートに調整する第2の吐出レート調整部とを備える、基板処理装置。 - 前記第1の期間に、前記回転保持部による基板の回転速度を第1の速度に調整する第1の回転速度調整部と、
前記第2の期間に、前記回転保持部による基板の回転速度を前記第1の速度よりも高い第2の速度に調整する第2の回転速度調整部とをさらに備える、請求項1記載の基板処理装置。 - 基板を水平姿勢で保持して回転させる回転保持部と、
前記回転保持部により回転する基板の一面の中心部に塗布液を吐出する塗布液吐出系と、
第1の期間に、前記塗布液吐出系からの塗布液の吐出レートを第1のレートに調整する第1の吐出レート調整部と、
前記第1の期間の後の第2の期間に、前記塗布液吐出系からの塗布液の吐出レートを前記第1のレートよりも高い第2のレートに調整する第2の吐出レート調整部と、
前記第1の期間に、前記回転保持部による基板の回転速度を第1の速度に調整する第1の回転速度調整部と、
前記第2の期間に、前記回転保持部による基板の回転速度を前記第1の速度よりも高い第2の速度に調整する第2の回転速度調整部とを備える、基板処理装置。 - 前記第2の期間の後の第3の期間に、前記回転保持部による基板の回転速度を前記第1の速度よりも高くかつ前記第2の速度よりも低い第3の速度に調整する第3の回転速度調整部と、
前記第3の期間に塗布液の吐出を停止させる吐出停止部とをさらに備える、請求項2または3記載の基板処理装置。 - 前記第3の期間の後の第4の期間に、前記回転保持部による基板の回転速度を前記第3の速度よりも高くかつ前記第2の速度よりも低い第4の速度に調整する第4の回転速度調整部をさらに備える、請求項4記載の基板処理装置。
- 第1の期間に、基板の一面上で塗布液が拡がるように、回転保持部により基板を回転させつつ塗布液吐出系により基板の前記一面の中心部に第1のレートで塗布液を吐出するステップと、
前記第1の期間の後の第2の期間に、基板の前記一面の全体に広がった塗布液の厚みが増加されるように、前記回転保持部により基板を回転させつつ前記塗布液吐出系により基板の前記一面の中心部に前記第1のレートよりも高い第2のレートで塗布液を吐出するステップとを含む、基板処理方法。 - 第1の期間に、回転保持部により基板を第1の速度で回転させつつ塗布液吐出系により基板の一面の中心部に第1のレートで塗布液を吐出するステップと、
前記第1の期間の後の第2の期間に、前記回転保持部により基板を前記第1の速度よりも高い第2の速度で回転させつつ前記塗布液吐出系により基板の前記一面の中心部に前記第1のレートよりも高い第2のレートで塗布液を吐出するステップとを含む、基板処理方法。
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