JP2019046850A5 - - Google Patents

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第２の工程では、基板Ｗの被処理面の全体に拡がったレジスト液の厚みが増加するように、基板Ｗの回転速度が第２の速度Ａ２に調整され、レジスト液の吐出レートが第２のレートｒ２に調整される。本例では、時点ｔ３ａから時点ｔ４までの期間に基板Ｗの回転速度が第１の変化率で第１の速度Ａ１から中間速度Ａ１’まで上昇された後、時点ｔ４から基板Ｗの回転速度が第２の変化率で中間速度Ａ１’から第２の速度Ａ２まで上昇される。第２の変化率は第１の変化率よりも高い。
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