JP2015015453A - 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明では、基板(3)を処理液で処理した後に前記基板(3)を乾燥させる基板処理装置(1)において、前記基板(3)を回転させる基板回転機構(22)と、前記基板(3)に対して処理液を吐出する処理液吐出部(13)と、前記基板(3)に対して相対的に移動しながら、前記基板(3)上の処理液と置換される置換液を前記基板(3)に向けて吐出する置換液吐出部(14)と、前記基板(3)に対して前記置換液吐出部(14)とは異なる方向に移動しながら不活性ガスを前記基板(3)の上方から前記基板(3)に対して外周方向へ斜めに吐出する不活性ガス吐出部(15)とを有することにした。
【選択図】図2
Description
図1に示すように、実施例1に係る基板処理装置1は、前端部に搬入出部2を形成する。搬入出部2には、複数枚(たとえば、25枚)の基板3(ここでは、半導体ウエハ)を収容したキャリア4が搬入及び搬出され、左右に並べて載置される。
F=2・γ・cosθ・ΔH・D/S ・・・(式1)
γ:表面張力
θ:接触角
D:回路パターン50の長さ
S:回路パターン50の間隔
で表される。そのため、回路パターン50の両側の置換液の液面差ΔHが小さくなれば、上記式(1)から導かれるように回路パターン50に作用する外力(倒壊応力F)が小さくなって、回路パターン50の倒壊を防止することができる。なお、不活性ガスを基板3の法線49と同一方向に吐出した場合には、図10(c)に示すように、基板3の表面近傍において基板3の表面に沿った方向(水平方向)の速度(圧力)が基板3の表面に近いほど大きくなる。また、図10(d)に示すように、基板3の表面において比較的狭い範囲に不活性ガスが吹き付けられることになり、回路パターン50の両側に残留する置換液の液面差ΔHが大きくなり、上記式(1)から導かれる倒壊応力Fが増大して回路パターン50が倒壊するおそれがある。
上記実施例1に係る基板液処理装置10では、洗浄液吐出ノズル26と第1及び第2の不活性ガス吐出ノズル39,40を同一のアーム25に設けて第1のノズル移動機構29で一体的に移動可能とするとともに、リンス液吐出ノズル32と置換液吐出ノズル36とを同一のアーム31に設けて第2のノズル移動機構35で一体的に移動可能としているが、置換液吐出ノズル36と第2の不活性ガス吐出ノズル40とをそれぞれ異なる方向に移動することができれば上記構成に限定されない。
11 基板保持部
12 洗浄液吐出部
13 リンス液吐出部
14 置換液吐出部
15 不活性ガス吐出部
26 洗浄液吐出ノズル
32 リンス液吐出ノズル
36 置換液吐出ノズル
39 第1の不活性ガス吐出ノズル
40 第2の不活性ガス吐出ノズル
Claims (19)
- 基板を処理液で処理した後に前記基板を乾燥させる基板処理装置において、
前記基板を回転させる基板回転機構と、
前記基板に対して処理液を吐出する処理液吐出部と、
前記基板に対して相対的に移動しながら、前記基板上の処理液と置換される置換液を前記基板に向けて吐出する置換液吐出部と、
前記基板に対して前記置換液吐出部とは異なる方向に移動しながら不活性ガスを前記基板の上方から前記基板に対して外周方向へ斜めに吐出する不活性ガス吐出部と、
を有することを特徴とする基板処理装置。 - 前記置換液吐出部は、前記基板の中央部から外周方向に向けて移動しながら前記置換液を前記基板に吐出して、前記基板の中央部側よりも前記基板の外周部側の方が前記置換液の液膜の厚みが厚くなる境界を形成し、
前記不活性ガス吐出部は、前記境界よりも前記基板の中央部側に前記不活性ガスを吐出することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記不活性ガス吐出部は、前記基板に形成された前記置換液の境界の法線方向に向けて斜めに前記不活性ガスを吐出することを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記不活性ガス吐出部は、前記基板に対して移動する前に、前記基板の中央上方で前記基板の上方から鉛直下向きに前記不活性ガスを吐出して前記境界の形成を補助し、その後、前記基板の外周方向に向けて移動しながら前記不活性ガスを前記基板に対して外周方向に向けて斜めに吐出することを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記置換液吐出部は、前記基板に対して移動する前に、前記基板の中央上方で前記基板に向けて前記置換液を吐出して、前記処理液を前記置換液で置換させることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記処理液吐出部は、前記置換液吐出部から前記基板に前記置換液を吐出して前記基板に前記置換液の液膜を形成する際に、前記置換液よりも前記基板の外周側に前記処理液を吐出して前記処理液の液膜を形成し、その後、前記処理液の吐出を停止し前記置換液の液膜を形成することを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記不活性ガス吐出部は、前記基板の単位面積当たりの前記不活性ガスの吐出量が同一となる速度で移動することを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記置換液吐出部は、前記基板の単位面積当たりの前記置換液の吐出量が同一となる速度で移動することを特徴とする請求項1〜請求項7のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記不活性ガス吐出部と前記置換液吐出部は、同一の速度で移動することを特徴とする請求項1〜請求項8のいずれかに記載の基板処理装置。
- 基板を処理液で処理した後に前記基板を乾燥させる基板処理方法において、
前記基板を回転させるとともに、前記基板に対して処理液を吐出し、
その後、
前記基板に対して相対的に移動しながら前記基板に向けて前記置換液を吐出するとともに、前記基板に対して前記置換液とは異なる方向に移動しながら前記基板に向けて前記不活性ガスを前記基板の上方から前記基板に対して外周方向へ斜めに吐出して前記置換液を追い出すことを特徴とする基板処理方法。 - 前記基板の中央部から外周方向に向けて移動しながら前記置換液を前記基板に吐出して、前記基板の中央部側よりも前記基板の外周部側の方が置換液の液膜の厚みが厚くなる境界を形成し、その後、前記境界よりも前記基板の中央部側に前記不活性ガスを吐出することを特徴とする請求項10に記載の基板処理方法。
- 前記不活性ガスを前記基板に形成された前記置換液の境界の法線方向に向けて傾斜状に吐出することを特徴とする請求項11に記載の基板処理方法。
- 前記不活性ガスを前記基板の中央上方で前記基板の上方から鉛直下向きに吐出して前記境界の形成を補助した後に、前記基板の上方から外側方へ移動しながら前記基板に対して傾斜状に吐出することを特徴とする請求項11又は請求項12に記載の基板処理方法。
- 前記基板に対して移動しながら前記置換液を前記基板に吐出する前に、前記基板の中央上方で前記基板に向けて前記置換液を吐出して、前記処理液を前記置換液で置換させることを特徴とする請求項11〜請求項13のいずれかに記載の基板処理方法。
- 前記置換液吐出部から前記基板に前記置換液を吐出して前記基板に前記置換液の液膜を形成する際に前記置換液よりも前記基板の外周側に前記処理液を吐出して前記処理液の液膜を形成し、その後、前記処理液の吐出を停止し前記置換液の液膜を形成することを特徴とする請求項14に記載の基板処理方法。
- 前記不活性ガスを前記基板の単位面積当たりの吐出量が同一となる速度で移動しながら吐出することを特徴とする請求項10〜請求項15のいずれかに記載の基板処理方法。
- 前記置換液を前記基板の単位面積当たりの吐出量が同一となる速度で移動しながら吐出することを特徴とする請求項10〜請求項16のいずれかに記載の基板処理方法。
- 前記不活性ガスと前記置換液を同一の速度で移動しながら吐出することを特徴とする請求項10〜請求項17のいずれかに記載の基板処理方法。
- 基板を回転させる基板回転機構と、
前記基板に対して処理液を吐出する処理液吐出部と、
前記基板上の処理液と置換される置換液を前記基板に向けて吐出する置換液吐出部と、
前記基板に対して不活性ガスを吐出する不活性ガス吐出部と、
を有する基板処理装置を用いて、前記基板を前記処理液で処理した後に前記基板を乾燥させる基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体において、
前記基板回転機構によって前記基板を回転させるとともに、前記処理液吐出から前記基板に対して処理液を吐出させ、
その後、
前記置換液吐出を前記基板に対して相対的に移動させながら前記基板に向けて前記置換液を吐出させるとともに、
前記不活性ガス吐出部を前記基板に対して前記置換液とは異なる方向に移動させながら前記基板に向けて前記不活性ガスを前記基板の上方から前記基板に対して外周方向へ斜めに吐出させて前記置換液を追い出すことを特徴とする基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
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