CN112868093B - 检查装置 - Google Patents

Abstract

本发明的目的在于，在向检查室供给洁净的空气的检查装置中，使基板周边的洁净的空气流可靠地朝向基板的下方。本发明的检查装置包括整流板，该整流板覆盖载置基板的工作台的上表面的一部分，并且配置在气体供给部与上述工作台之间，阻断朝向上述基板的气流(参照图4A)。

Description

检查装置

技术领域

本发明涉及一种检查基板的检查装置。

背景技术

在半导体制造工序中，若在基板(半导体晶片)上存在异物，则成为布线的绝缘不良、短路等不良的原因。这些异物以从搬运装置等可动部产生的状态、从人体产生的状态、由工艺气体在处理装置内反应生成的状态、混入有药品、材料的状态等各种状态混入。在磁盘、液晶显示元件的制造工序中也相同，产生的异物在基板(磁盘或液晶显示元件)的附着成为不良的原因。

因此，在制造工序中，使用表面检查装置来检测基板表面的异物并进行管理，由此监视、控制各制造装置的发尘状况、各工序的洁净度等，抑制产品的品质降低、成品率降低等。但是，在这样的表面检查装置中，并非完全不会从可动部等产生异物，从而担心与其它工序相同地异物附着于检查对象的基板(被检查基板)。

作为与检查装置的洁净技术相关的现有技术，主要举出专利文献1、2。

专利文献1记载了检查基板的表面状态的表面检查装置。该文献以“提供能够容易地进行检测灵敏度的校正的表面检查装置及其校正方法。”作为课题，记载了“在通过使在壳体15内的检测单元14内设置的晶片卡盘7所载置的晶片1高速旋转来进行检查的表面检查装置中，由FFU3向检测单元14内的晶片1周边供给洁净的空气，并利用设于晶片卡盘7的下方的排气口来排出检测单元14内的空气，由此在由设于晶片卡盘7的下方的旋转机构4使晶片卡盘7及晶片1高速旋转的情况下，使其周边所产生的紊流成为层流。”这一技术(参照摘要)。

专利文献2公开了以下内容：为了实现装置内的净化，配置多个被称为风扇过滤单元的供给洁净空气的风扇和排气单元，通过控制上述部件各自的流量来抑制装置内的气流的紊乱，减少异物附着数。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-236948号公报

专利文献2：日本特开2011-75351号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在专利文献1中，利用气流导向件212(该文献的图2)、通气孔412(该文献的图6)等部件将晶片周边的气流引导至排气口，并且抑制了紊流产生。但是，在该文献中，将气流引导至排气口的吸入力大部分取决于排气风扇单元11。因此，在该文献中，晶片周边的气流有可能被从FFU9供给的气流推回而返回到晶片上。由此，晶片因异物附着受到污染的可能性增加。

在专利文献2中，在检查装置中，由载置晶片的工作台的几千rpm左右的旋转而产生的旋转气流的流速比专利文献1所公开的从风扇过滤单元供给的气流的流速较高，在检查部内容易成为支配性的流动。因而，仅利用专利文献1所公开的方法，无法完全排除由旋转气流引起的异物的卷起、气流的紊乱。

本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于，在向检查室供给洁净的空气的检查装置中，使基板周边的洁净的空气流可靠地朝向基板的下方。

用于解决课题的方案

本发明的检查装置具备整流板，该整流板以在外周部与载置基板的工作台的上表面的一部分重叠的方式覆盖该工作台的上表面的一部分，并且将来自气体供给部的气流从上述工作台的外周部向下方引导，并且上述整流板配置在气体供给部与上述工作台之间，阻断朝向上述基板的气流。

发明的效果如下。

根据本发明的检查装置，能够使相对于检查室供给的洁净的空气在基板周边处可靠地朝向基板的下方。由此，能够抑制气流返回到基板上而基板因异物附着受到污染的可能性。

附图说明

图1是示出实施方式1的检查装置10的构成要素的简要俯视图。

图2是示出检查室100的内部结构的透视侧视图。

图3A是说明整流板140的配置的图。

图3B是说明整流板140的配置的简要俯视图。

图4A是说明整流板140周边的气流的图。

图4B是说明整流板140周边的气流的图。

图4C是说明整流板140周边的气流的图。

图4D是说明整流板140周边的气流的图。

图5A示出将第一部位141与第二部位142所形成的角度设为直角的结构例作为比较例。

图5B示出将第一部位141与第二部位142所形成的角度设为直角的结构例作为比较例。

图5C示出将第一部位141与第二部位142所形成的角度设为锐角的结构例作为比较例。

图5D示出将第一部位141与第二部位142所形成的角度设为锐角的结构例作为比较例。

图6A示出与图4A相比扩大第一部位141与工作台120的上表面之间的空隙的距离的结构例作为比较例。

图6B示出工作台120附近的气流的速度分布。

图6C示出与图4相比加长第一部位141与工作台120的重叠的结构例作为比较例。

图7A示出实施方式2中的整流板140的结构例。

图7B示出实施方式3中的整流板140的结构例。

图8A示出整流板140具有圆形形状的开口部的情况的例子作为实施方式4中的结构。

图8B示出整流板140具有圆形形状的开口部的情况的例子作为实施方式4中的结构。

图8C示出整流板140具有圆形形状的开口部的情况的例子作为实施方式4中的结构。

图8D示出整流板140具有圆形形状的开口部的情况的例子作为实施方式4中的结构。

图8E示出整流板140具有圆形形状的开口部的情况的例子作为实施方式4中的结构。

图9A示出整流板140具有长圆状的开口部的情况的例子作为实施方式5中的结构。

图9B示出整流板140具有长圆状的开口部的情况的例子作为实施方式5中的结构。

图9C示出整流板140具有长圆状的开口部的情况的例子作为实施方式5中的结构。

图9D示出整流板140具有长圆状的开口部的情况的例子作为实施方式5中的结构。

图9E示出整流板140具有长圆状的开口部的情况的例子作为实施方式5中的结构。

图10示出整流板140的上部开口形状为矩形的结构例作为比较例。

图11示出整流板140的上部具有图8A的圆形形状的开口部的情况下的检查位置MP处的气流的状况。

具体实施方式

＜实施方式1＞

图1是示出本发明的实施方式1的检查装置10的构成要素的简要俯视图。当搭载有作为基板的半导体晶片20的盒200装配于检查装置10时，半导体晶片20由处理机构300导入到检查装置10，并由预对准器310实施半导体晶片20的对位等。之后，半导体晶片20被搬运到检查室100。检查室100在接收位置(Transfer Position：TP)处接收半导体晶片20，移动到检查位置(Measurement Position：MP)而开始半导体晶片20的检查。之后，半导体晶片20通过一边从MP位置朝向TP位置旋转一边并进移动来检查整个面，在检查结束后在TP位置处将半导体晶片20移交给处理机构300，并回收到盒200中。气体供给装置110向检查室100内供给洁净的气流。

图2是示出检查室100的内部结构的透视侧视图。图2示出半导体晶片20位于检查位置MP的状态。半导体晶片20载置在工作台120上。工作台120能够利用工作台机构121使半导体晶片20在接收位置TP与检查位置MP之间并进移动，并且使半导体晶片20在光学检查单元130的下方旋转。光学检查单元130检查半导体晶片20的表面状态。根据该结构，工作台120一边从MP位置朝向TP位置旋转一边并进移动，从而检查半导体晶片20的整个面。

由气体供给装置110从检查室100的侧方(工作台120的侧方)供给洁净的空气流。气体供给装置110例如能够由风扇过滤单元(FFU)构成。FFU从所安装的壁抽吸外部空气，对其进行净化并将其转换成平行气流。气体供给装置110向检查室100供给该洁净空气的平行气流。

在气体供给装置110供给气流的供给口与工作台120之间配置有整流板140。整流板140配置于以下位置：将气体供给装置110所供给的气流的一部分引导至工作台120的上方，并且遮挡气体供给装置110的供给口与工作台120之间的空间，由此气流不会直接接触到半导体晶片20。另一方面，通过工作台120的旋转，从工作台120外周部放出流速较高的回旋流。整流板140具有以下功能：利用来自工作台120外周部的回旋流的作用，使被引导至工作台120的上方的气流通过整流板140与工作台120外周的间隙向工作台120的下方引导。另外，将被引导至整流板140的内侧的气流向检查室100的下方引导。在整流板140与工作台机构121之间设有狭窄的间隙122，整流板140内侧的空间因文丘里效应而变成负压，从而高效地将从回旋流放出的气流引导至检查室100的下方。并且，整流板140将气体供给装置110所供给的气流的一部分引导至检查室的下方。被引导至检查室的下方、进而被引导至工作台机构121的下方的气流从配置于检查室100的下方的排气口150向检查室100外排出。整流板140也能够配置于在从工作台120观察时的气体供给装置110的相反侧。从气体供给装置110起通过光学检查单元130后的气流在整流板上侧通过并向检查室100之外排出。并且，气流从整流板140的开口部起通过整流板140与工作台120外周的间隙，被引导至工作台120的下方(气体供给装置110的相反侧)，之后在整流板下侧通过而向检查室100之外排出。

图3A、图3B是说明整流板140的配置的图。图3A是将图2中的工作台120的周边放大的侧视图。图3B是从上方观察到的整流板140的俯视图。整流板140由第一部位141、第二部位142以及具有将两者连接的曲率的第三部位143构成。第一部位141配置为与工作台120的上表面之间具有空隙141G。另外，第一部位141在MP位置处具有与工作台120同心的圆形的开口部141P，并且在从上方投影时，在第一部位141与工作台120的上表面的一部分在外周部处重叠的位置配置有开口部141P。另外，优选也与半导体晶片20的上表面的一部分重叠或者大致相等。第二部位142配置于以下位置：将来自气体供给装置110的气流引导至第一部位141、进而引导至工作台120的上方，并且遮挡气体供给装置110的供给口与工作台120之间的空间，由此气流不会直接接触到半导体晶片20。优选第二部位142还延伸到比工作台120的底面更靠下方的位置。第三部位143是以连续的曲线将第一部位141与第二部位142连接的部位，曲率的大小由第二部位142与气体供给装置110的空间距离决定。在第一部位141与工作台120的上表面之间、以及第二部位142与工作台120的侧端部之间分别设有空隙。第一部位141与第二部位142所形成的角度为90°以上的钝角。在下文中详细地说明上述空隙、角度。

接下来，使用图4A～图4D对整流板的作用效果进行说明。图4A是说明整流板140周边的气流的图，图4B是说明没有整流板140的情况下的半导体晶片20上的气流的侧视图，图4C是示出整流板140与半导体晶片20不重叠的情况下的半导体晶片20上的气流的侧视图，图4D是整流板140与半导体晶片20的边缘一致的情况下的半导体晶片20上的气流的侧视图。为了便于记载，省略了一部分的符号和部件。

图4A中，气体供给装置110所供给的水平方向的气流因从第二部位142通过第三部位143而到达第一部位141的连续的曲线形状，被引导至工作台120及半导体晶片20的上方。另一方面，通过工作台120的旋转，来自工作台上表面及下表面的气流被输送到工作台120的外周，从而在外周产生回旋流。利用该回旋流，对被引导至工作台120及半导体晶片20的上方的气流进行吸引，并且气流因回旋惯性力而强力地向外周方向放出。由于该气流有可能包含从工作台120的机构等产生的尘埃，所以需要不使其向半导体晶片20的上方循环而可靠地向工作台120的下方引导。

图4A中，以整流板的第一部位141与工作台120的上表面具有空隙且与工作台120的一部分在外周部处重叠的方式配置有开口部141P。通过该配置，因工作台120的回旋流，在工作台120的外周部与第一部位141之间的空间内产生压力比周围低的负压区域144。在整流板的第一部位141与工作台120的上表面之间的空间内，因工作台120的旋转而气流速度比周围快，从而根据伯努利原理产生该负压。

利用该负压区域144的作用，到达至工作台120及半导体晶片20的上方的气流被吸引至第一部位141与工作台120的上表面之间的空隙，进而因旋转惯性力而强力地向外周方向放出。该气流进一步在整流板的第三部位143的下侧被顺畅地向第二部位142方向引导，另外被引导至第二部位142与工作台120的侧端部之间的空隙。由此，气流不会形成停滞点地被向工作台120的下方引导。由于气体供给装置110所供给的水平方向的气流由第二部位142遮挡，所以被引导至工作台120的下方的气流被再次向半导体晶片20的上方卷起的可能性较小。

除此之外，在工作台120下表面也产生回旋流，产生由朝向外周的回旋惯性力引起的气流。该气流与半导体晶片20上表面的气流相同地朝向第二部位142，但该部位成为向下方引导气流的倾斜形状，从而来自工作台120下表面的气流在不会妨碍来自工作台120上表面的气流的流动的情况下向工作台120的下方被引导。在工作台120上有机构部等，有可能产生尘埃等异物，但来自工作台120的气流不会向半导体晶片20的上方循环而被引导至工作台120的下方并从排气口150排出，从而能够提高检查装置10相对于异物附着、污染的稳定性、可靠性。

为了进行比较，如图4B所示，在没有对通过工作台120的旋转而产生的回旋流的流动进行引导的整流板的情况下，因离心力向工作台120外周放出的气流在工作台120的外侧部与来自气体供给装置110的气流相遇，从而示出在工作台120的上方或下方产生涡流的举动。因此，在从工作台120的机构等产生了尘埃等异物的情况下，异物有可能随着气流而飞回到工作台120上方并附着于半导体晶片20。

并且，如图4C所示，即使设置有对通过工作台120的旋转而产生的回旋流的流动进行引导的整流板，在设于整流板的第一部位141的开口部141P较大、整流板的第一部位141与工作台120的外周部不重叠的情况下，也没有图4A所示的负压区域144进行的气流的吸引作用，从而从工作台120外周部放出的气流在工作台120外周部处与来自气体供给装置110的气流相遇而急剧减速，在外周漂浮，有可能再次飞回到半导体晶片面上。

另一方面，如图4D所示，设置对通过工作台120的旋转而产生的回旋流的流动进行引导的整流板，并且以使整流板的第一部位141与工作台120的外周部重叠的方式配置开口部141P，由此工作台120上方的气流由负压区域144吸引而向外周方向放出。这样一来，可知将对通过工作台120的旋转而产生的回旋流的流动进行引导的整流板配置为产生负压区域144是重要的。

并且，图4A中，关于整流板140的形状，以相对于来自气体供给装置110的平行气流成比90°大的钝角形状来构成上游侧的第二部位142，设置第二部位142与构成下游侧的第一部位141之间的第三部位143，并且第三部位143的形状以连续的曲线(例如圆弧形状)连接。通过图5A、图5B来说明该形状的作用效果。

图5A、图5B示出将第一部位141与第二部位142所形成的角度设为直角的结构例作为比较例。图5A中，未设置第三部位143，第一部位141与第二部位142直接连接。图5B中，通过第三部位143，第一部位141与第二部位142以连续的曲线连接。如上所述，在图4A所示的本实施方式1的结构例中，第一部位141与第二部位142所形成的角度为钝角，通过第三部位143以连续的曲线连接。相对于此，在图5A所示地使两部位间的角度形成为直角的情况下，被引导至由单点划线包围的角部的气流产生紊流，有可能妨碍朝向工作台120的下方的气流。该角部的紊流通过如图5B所示地设置第三部位143而被缓和。但是，工作台120下表面的气流与第二部位142成直角地相遇，产生气流不稳定的状况。由此，从半导体晶片20上表面向下方的流动也不稳定。因此，可以说不期望图5A、图5B所示的结构。

图5C、图5D示出将第一部位141与第二部位142所形成的角度设为锐角的结构例作为比较例。图5C是未设置第三部位143的情况，图5D是设置第三部位143的情况。在该情况下，也与图5A、图5B相同地有可能在角部产生紊流，除此之外，与图4、图5A、图5B相比，向工作台120的下方引导气流的力减弱。另外，当工作台120下表面的气流到达第二部位时，该部位成为向工作台上方进行引导的倾斜形状，从而产生妨碍从半导体晶片20向下方的流动的作用。这样的结构比图5A、图5B更不优选。

关于图4、图5A、图5B的整流板的结构、形状，考虑从来自气体供给装置110的气流的流动的观点。

关于从整流板前表面侧的气体供给装置110供给的平行气流，需要增加被引导至半导体晶片上表面部的气流流量、以及不产生紊流而以层流状态从工作台上方向下方引导。这是因为，若产生紊流，则无法使气流从上游向下游顺畅地流动，并且随着紊流，涡流发展，向下游排出的异物飞回上游，有可能滞留在半导体晶片20上。

为了不产生紊流地保持层流，关于由整流板140引导的气流，防止整流板上的边界层的剥离是重要的。边界层是在远离整流板的方向上具有气流的速度分布的区域的层。当边界层剥离时，整流板附近的气流的速度分布紊乱，从而生成紊流。为了抑制边界层的剥离，需要减小整流板相对于气流的流动方向的形状变化率，形成没有不连续部位、相对于气流的阻力较小的形状。

针对该要求，图4A中，从气体供给装置110送出的平行气流的大部分通过整流板140向半导体晶片20上方流动。并且，整流板的第三部位143的形状为以连续的曲线(例如圆弧形状)连接的结构，不会有边界层剥离而产生紊流的情况，向半导体晶片20上方引导气流。

相对于此，图5A、图5B中，向半导体晶片20上方流动的平行气流较少，并且整流板140的第一部位141与第二部位142形成的角度为直角，从而在其附近有可能产生因边界层剥离而引起的紊流。图5C、图5D中，相对于平行气流的方向，整流板的第二部位142成为锐角，在该部分容易产生边界层剥离，并且接触到该部位的气流向下方流动，从而与图5A、图5B的构造相比，向半导体晶片20上方流动的平行气流较少。

根据以上内容，整流板140的形状为图4A的结构，即以相对于平行气流成比90°大的钝角形状来构成上游侧的第二部位142，该部位与构成下游侧的第一部位141之间的形状为没有不连续部位的形状(例如圆弧形状)即可。根据以上的结构，整流板附近的平行气流在整流板处不剥离地流动至下游，从而向下游排出的异物因紊流的产生而飞回到上游并附着在半导体晶片20上的可能性变少。

接下来，对图4A中的整流板的第一部位141与工作台120的上表面之间的空隙的距离、以及整流板的第一部位141与工作台120的外周部的重叠进行考察。如图4A所述，通过该配置，因工作台120的回旋流，在工作台120外周部与第一部位141之间的空间内产生压力比周围低的负压区域144。

图6A示出与图4A相比扩大整流板的第一部位141与工作台120的上表面之间的空隙141G的距离的结构例作为比较例。与图4A相同，开口部141P的大小配置为整流板的第一部位141与工作台120的外周部重叠。在该结构例中，气流在第一部位141与工作台120的上表面之间的空间内卷起而返回到半导体晶片20的上方的可能性变高。另外，由于工作台120的端部与第一部位141之间的空隙较大，所以产生的负压也变小，气流的吸引效果变小。因此，整流板的第一部位141与工作台120的上表面之间的空隙的距离优选设定为适当的值，以便抑制图6A所示的卷起气流而能够产生负压。

图6A的空隙141G的距离能够根据回旋流在半导体晶片20附近的速度分布来考察。图6B示出由工作台120的旋转产生的回旋流在半导体晶片附近的垂直方向的速度分布。通过使工作台120旋转，来在工作台120及半导体晶片20上产生回旋流。此处，高度方向(远离半导体晶片20的Z方向)的速度分布成为以下分布：在半导体晶片20的最表面处与半导体晶片20的转速相等，随着在垂直方向上远离半导体晶片20的表面，速度减少，最终为零。数值分析的结果是，在的半导体晶片以50Hz(3000rpm)旋转的条件下，具有速度分布的高度为3mm左右。因此，只要用于吸引在半导体晶片20上流动的空气的整流板的第一部位141与工作台120的间隙141G至少为3mm，优选为具有其2倍的大致6mm的间隙，就能够实现目的。

图6C示出缩小整流板的开口部141P而与图4A相比增大第一部位141与工作台120外周部的重叠的结构例作为比较例。在该结构例中，由于工作台120与第一部位141之间的重叠的区域较大，所以在负压区域144内产生的负压在负方向上变小(绝对值变大)。因此，与周围的压力差变大，产生欲从工作台120的外周部吸引气流的力。另一方面，对于来自半导体晶片20上方的气流的吸引而言，随着向工作台120的中心接近，回旋流的速度下降，从而吸引效果变小。因上述作用，气流容易滞留在工作台120的附近。因此，整流板的第一部位141开口部与工作台120外周部的重叠也优选设定为适当的值。

数值解析的结果是，在的半导体晶片以50Hz(3000rpm)旋转的条件下，与周围的负压之差在重叠的宽度为3mm时达到5Pa以上，而在重叠的宽度为30mm时达到20Pa以上(整流板的第一部位141与工作台120的间隙为8mm的情况)。因此，只要将整流板的第一部位141与工作台120外周部的重叠的宽度设定为3mm左右，最大为30mm，优选设定为其1/2倍的大致15mm，就能够实现目的。

首先，在图3的整流板140的配置说明中，记载了以下内容：整流板140的第一部位141构成为在检查位置MP设有圆形的开口部141P，并且开口部的大小比工作台120小，在从侧方观察时，配置于在与工作台120的上表面之间具有空隙并在工作台120的上表面的外周部处重叠的位置，并且在从上方观察时，形成为在外周部具有与工作台120重叠的区域。此处，基于气流解析等，在图6A、图6B、图6C中研究了工作台120的上表面与第一部位141的重叠、工作台120的上表面与第一部位141的空隙141G、整流板140的开口部141P的大小的具体数值。其结果，发现在工作台120的转速为几千rpm的情况下，在以下的条件时，本发明的效果很好地显现。

·工作台120上表面与第一部位141的重叠：3mm～30mm

·工作台120上表面与第一部位141的空隙：3mm～30mm

更优选为，

·工作台120上表面与第一部位141的重叠：3mm～15mm

·工作台120上表面与第一部位141的空隙：6mm～30mm

通常，在气流等的流体解析中，流动的特征不是流体流动的空间的大小的值本身，而是由使用了代表性的尺寸的无量纲量、比率来表示的情况较多。例如雷诺数由下式表示，

R＝LU/ν(L：代表性的长度，U：代表性的流速，ν：流体的动粘性率)

这是用惯性力与粘性力之比来定义的无量纲量，用于对层流、紊流等的流动赋予特征。在本实施例中，通过将工作台120的直径设为代表尺寸，能够用与工作台120的直径之间的比率来表示气流流动部分的重叠、空隙。即，在工作台120的转速为几千rpm的情况下，在为以下的条件时，本发明的效果很好地显现。

·工作台120上表面与第一部位141的重叠：工作台120直径的1％～10％

·工作台120上表面与第一部位141的空隙：工作台120直径的1％～10％

·整流板140开口部的直径：工作台120的直径的98％～80％

更优选为，

·工作台120上表面与第一部位141的重叠：工作台120直径的1％～5％

·工作台120上表面与第一部位141的空隙：工作台120直径的2％～5％

·整流板140开口部的直径：工作台120直径的98％～90％

此外，这里将工作台120的直径设为与半导体晶片20的直径相同，即设为300mm。实际上，由于在工作台120的外周部存在半导体晶片的夹紧机构等，所以工作台120的直径有时也比半导体晶片20的直径大，但在例如增大到350mm左右或400mm左右的情况下，也能够应用上述的范围。

＜实施方式1：总结＞

本实施方式1的检查装置10具备配置在气体供给装置110与工作台120之间的整流板140，第一部位141在与工作台120之间具有空隙并且用外周部来覆盖工作台120的上表面的一部分，第二部位142将气体供给装置110所供给的气流引导至第一部位141、进而引导至工作台120的上方。由此，从气体供给装置110到达至工作台120及半导体晶片20上方的气流由工作台120的旋转所产生的回旋流吸引，强力地向外周方向放出，之后通过整流板140的第一部位141、第三部位143、第二部位142向工作台120的下方排出。

并且，第二部位142遮挡气体供给装置110所供给的气流，使其不会直接接触到半导体晶片20。由此，在将气流引导至工作台120下方时，能够抑制气流在工作台120的下方被从气体供给装置110供给的新的气流卷起的可能性。因此，能够将从工作台120的机构等产生的有可能包含尘埃等异物的气流可靠地引导至工作台120下方。即，能够抑制由于卷起气流而半导体晶片20因异物附着受到污染的可能性。

＜实施方式2＞

图7A是示出本发明的实施方式2中的整流板140的结构例的图。整流板140以外的结构与实施方式1相同，从而以下主要对与整流板140相关的不同点进行说明。在本实施方式2中，第一部位141与第二部位142形成的角度为钝角且比实施方式1大。在本实施方式2中，也与实施方式1相同地产生将气流引导至工作台120的下方的作用，但以下方面与实施方式1不同。

为了将半导体晶片20的周边维持为洁净，优选从半导体晶片20的上方朝向工作台120的下方可靠地引导洁净气流。如图6所示，在本实施方式2中，第一部位141与工作台120的上表面之间的距离构成为从工作台120的上表面的中心朝向外周逐渐变小(即第一部位141相对于工作台120的上表面倾斜)。由此，将气流吸引到工作台120下方的负压力从工作台120的上表面的中心朝向外周逐渐变强。即，与实施方式1相比，将气流引导至工作台120下方的作用变强，从而与实施方式1相比，能够更可靠地从半导体晶片20的上方朝向工作台120的下方引导洁净气流。

此外，若气流进入第一部位141的下方的开口部分过大，则容易产生与图5C相同的卷起气流，从而优选伴随使第一部位141倾斜，也调整整流板140整体的位置。

＜实施方式3＞

图7B是示出本发明的实施方式3中的整流板140的结构例的图。整流板140以外的结构与实施方式1相同，从而以下主要对与整流板140相关的不同点进行说明。在本实施方式3中，整流板140弯曲成拱状。拱形中在投影到水平面时大致与工作台120的上表面重叠的部分相当于第一部位141，剩余部分相当于第二部位142。

在本实施方式3中，也与实施方式1相同，产生将气体供给装置110所供给的洁净气流从半导体晶片20的上方引导至工作台120的下方的作用。并且，与实施方式2相同，第一部位141与工作台120的上表面之间的距离从工作台120的上表面的中心朝向外周逐渐变小。由此，与实施方式2相同，将气流引导至工作台120下方的作用变得更强。

比较实施方式2与3时，在实施方式2中，工作台120端部附近的压力随着第一部位141的倾斜而呈一次函数地变化，从而压力梯度平缓。因此，可以说产生由急剧的压力变化引起的振动的可能性比实施方式3低。另一方面，在实施方式2中，由于在第一部位141与第二部位142之间存在角部，所以有可能在角部处产生紊流。

＜实施方式4＞

接下来，对研究整流板的开口部的形状的结果进行说明。图8A～图8E示出本发明的实施方式4。与图3相同，图8A示出整流板的俯视图，图8B示出工作台120位于检查位置MP时的侧视图，另外在图8C中示出工作台120位于接收位置TP时的侧视图。并且，在图8A的整流板俯视图中，用虚线示出工作台120的检查位置MP、接收位置TP处的位置120(MP)、120(TP)。再者，用实线示出整流板140的上表面处的气流，用虚线示出下表面处的气流。

图8A中，整流板140构成为在检查位置MP设置圆形的开口。开口部141P的大小比工作台120(图中的检查位置MP处的虚线)小，形成为在外周部具有整流板140与工作台120重叠的区域。由此，在图8B所示的检查位置MP处，因工作台120的旋转，气流在工作台120的外周部被吸引而向下方排出，从而能够将载置于工作台120的半导体晶片20维持为洁净。

另一方面，在图8C所示的接收位置TP处，工作台120不仅进行旋转动作，还为了半导体晶片20的载置、装卸而进行上下动作。此处，上下动作在工作台120的旋转停止中进行。图8C中，用绕旋转轴的旋转箭头示出工作台120的旋转动作，用向上/向下的箭头示出上下动作，但它们并非同时进行。在检查开始前，在将半导体晶片20载置于工作台120时，工作台120位于下方位置120(TP-L)(用虚线示出)。由处理机构300(此处未图示)将半导体晶片20载置于工作台120，在处理机构退避后，工作台120上升到上方位置120(TP-H)。之后，如在图2中所说明，工作台120和半导体晶片20移动到MP位置，一边从检查位置MP朝向接收位置TP旋转一边并进移动，从而检查半导体晶片20的整个面。然后，在检查结束后，工作台120返回到TP位置，工作台120停止旋转，之后在TP位置处，工作台120从上方位置120(TP-H)下降到下方位置120(TP-L)，利用处理机构300相对于工作台120装卸半导体晶片20。

此处，构成为在接收位置TP处，如图8A、图8C所示地在整流板并在工作台120的上方未设置开口部。因此，工作台120外周部处的气流的吸引效果产生限制。在检查结束后工作台120返回TP位置时，在MP位置处残留工作台120外周部处的气流的吸引效果。另一方面，在检查开始前，在TP位置处难以获得本发明的气流的吸引效果。在工作台120刚上升到上方位置120(TP-H)后不久，工作台120不旋转，从而无法获得气流的吸引效果。另外，即使在工作台120在接收位置TP处开始了旋转的情况下，由于在工作台120的上方未设置开口部，所以也不从此处供给气流。如图8A所示，气流也通过检查位置MP的开口部141P从整流板140的下表面向接收位置TP供给，从而在接收位置TP处也能够获得由旋转产生的气流的吸引效果，但与检查位置MP相比获得较难。

并且，由于在工作台120的上方未设置开口部，所以工作台120的上升、下降动作有可能影响半导体晶片20周围的气流。通过图8D、图8E来示意性地示出该状况。即，如图8D所示，在工作台120上升的情况下，半导体晶片20与第一部位141的间隙的空气被压缩，产生被推出到工作台120、半导体晶片20的外周部的方向的气流。该被推出的气流通过整流板140向工作台120的下方排出。但是，如图8E所示，在工作台120下降的情况下，在半导体晶片20与第一部位141的间隙产生从工作台120、半导体晶片20的周围吸引空气的方向的气流。

此处，如在图8A中示出整流板140上表面、下表面处的气流那样，在接收位置TP处，在工作台120(TP)的周围，从气体供给装置110供给的洁净的气流也从整流板140的检查位置MP的开口部朝向工作台120(TP)流动。因此，即使在如上所述地气流的吸引效果在接收位置TP处存在制约的情况下、或者在由工作台120的上下动作而产生气流的推出或吸引的情况下，异物也不会立即附着于半导体晶片20，但无法完全排除局部地产生气流的紊乱将来自工作台120机构部的异物卷起等、而异物附着于半导体晶片20的概率变高的可能性。该课题能够通过整流板的开口部的形状来改善。在实施方式5中说明具体例。

＜实施方式5＞

图9A～图9E示出本发明的实施方式5的结构。与图8相同，图9A示出整流板的俯视图，图9B示出工作台120位于检查位置MP时的侧视图，并且图9C示出工作台120位于接收位置TP时的侧视图。并且，在图9A的整流板俯视图中，用虚线示出检查位置MP、接收位置TP处的工作台120的位置120(MP)、120(TP)。另外，用实线示出整流板140的上表面处的气流，用虚线示出下表面处的气流。

图9A～图9E中，整流板140的开口部141P构成为从检查位置MP延伸到接收位置TP的长圆形状。开口部141P的大小在检查位置MP、接收位置TP的两端位置处形成为比工作台120(图中的检查位置MP、接收位置TP处的虚线)小。开口部141P还在两端部具有半圆形状，该半圆部分构成为与工作台120外周部重叠。在工作台120的外周部处形成为在半圆状的区域内重叠。

根据该结构，在图9B的检查位置MP处，与图8B相同，在与工作台120的近前侧的整流板140呈半圆状地重叠的区域内产生负压，因工作台120的旋转，气流在工作台120的外周部处被吸引而向下方排出。在从侧方观察工作台120时的TP侧(图9A中用单点划线的椭圆示出)，在工作台120的上方未配置整流板140，从而不会产生图4中说明的负压区域。但是，由从整流板140通过开口部141P而朝向工作台120下方的流动，对气流施加向下的力。因上述作用，气流在工作台120的外周部处向下方排出，从而能够将载置于工作台120的半导体晶片20维持为洁净。

另外，在该结构中，如图9C所示，在接收位置TP处，在整流板且在工作台120的上方也设有开口部。因此，在检查开始前工作台120在TP位置处开始了旋转的情况下，或者在检查结束后工作台120返回到TP位置并停止旋转之前的期间，与图9B的检查位置MP相同，利用工作台120的外周部处的吸引和朝向工作台120下方的流动，也获得由旋转产生的气流的吸引效果，从而气流在工作台120的外周部处向下方排出。

进而，在该结构中，在检查位置MP、接收位置TP之间，在工作台120一边旋转一边移动时，也存在工作台120外周部与整流板140重叠的区域，在该部分处获得由旋转产生的气流的吸引效果。

并且，作为该结构的优点，举出以下优点：通过在整流板140设置开口部141P，接收位置TP处的工作台120的上升、下降动作对半导体晶片20周围的气流的影响也变少。如图9D所示，在工作台120周围，从气体供给装置110供给的洁净的气流从接收位置TP处的开口部141P朝向工作台120下方流动。因此，在工作台120上升的情况下，半导体晶片20上表面的空气从工作台120、半导体晶片20的外周部向工作台120下方排出。即使在气流的一部分从开口部141P朝向上方的情况下，也被从气体供给装置110流动的气流引导，在整流板140的下表面通过而向下游侧排出。并且，如图9E所示，在工作台120下降的情况下，也从开口部141P向半导体晶片20上表面供给洁净的气流，从而从工作台120外周部朝向下方排出气流。因此，与图8D、图8E不同，难以由工作台120的上下动作而产生气流的推出、吸引，从而异物附着于半导体晶片20的可能性大幅度降低。

此外，之前在图3中，关于整流板140的开口部呈圆形的情况，研究了开口的大小、与工作台120的重叠的数值范围。图9中，在长圆部的开口的大小、接收位置TP、检查位置MP的两端位置处的与工作台120的重叠在上述的范围内时，本发明的效果也适当地显现。

图10示出整流板140的上部开口形状为矩形的结构例作为比较例。在图9所示的例子中，整流板140的上部具有长圆形状的开口部，没有角部而形成为圆形。相对于此，图9中的开口部为矩形，角部为直角(或接近直角的形状)。若像这样角部为直角，则在角部处不存在与半导体晶片20重叠的区域，从而向工作台120下方引导气流的作用有可能变弱。另一方面，若以晶片周围全部重叠的方式减小矩形的开口部，则与半导体晶片20重叠的区域在周向上不一样，例如在重叠的区域较大的部位处成为与图5D相同的作用，除此以外成为与实施方式1相同的作用等，在该形状中向工作台120下方引导气流的作用产生偏差，从而成为不稳定的气流状态。因此，优选整流板140的上部开口如图8、图9所示地具有圆形或者长圆的形状。然而，即使图10的开口形状为矩形，也可以说能够限定地获得本发明的效果。

图11是示出本结构的效果的图，示出整流板140的上部具有图8A的圆形形状的开口部的情况下的检查位置MP处的气流的状况。此处，通过立体图与气流的流线一起示出图8A的整流板的简要构造。如图4的说明，在工作台120中，来自机构部等的尘埃有可能随着从外周放出的气流而排出。因此，图11中，假设从工作台120的外周部放出尘埃，并且示出以外周为起点的流线。

来自工作台120外周的流线在通过由旋转产生的回旋流而向外周方向放出后，利用由工作台120的旋转产生的负压所引起的来自工作台120上方的气流吸引的作用，来自工作台120外周的流线朝向工作台120的下方。并且，朝向整流板140的流动也由整流板140的第一部位141、第三部位143、第二部位142引导至工作台120的下方而排出。由此，即使从工作台120的机构等朝向外周部放出尘埃，也能够将来自工作台120外周的气流可靠地引导至工作台120下方。即，能够抑制由于气流的卷起而半导体晶片20因异物附着受到污染的可能性。

图11是整流板140的开口部为图8的圆形形状的情况下的检查位置MP处的结果，在接收位置TP处也能够获得相同的结果。并且，即使在开口部为图9的长圆形状的情况下，也能够在检查位置MP、接收位置TP双方获得相同的气流的举动。

定量地验证了通过应用本发明的结构来减少异物附着的效果。用将半导体晶片20向检查装置10搬运1000次后的异物增加率或异物增加数，对异物附着数进行了评价。通常，对于半导体晶片的表面检查装置，要求将检查工序中的异物附着控制在最小限度，其规格为异物增加率0.01～0.02个/次左右。这相当于在将半导体晶片20搬运1000次后异物增加数为10～20个。

在应用本发明的结构之前，异物增加率也为0.01～0.02个/次左右，满足规格。相对于此，通过应用本发明的实施方式5、即图9所示的具有长圆形状的开口部的整流板，异物增加率为0.001～0.002个/次左右。这是应用前的约1/10，相当于即使在将半导体晶片搬运1000次的情况下异物也仅附着1～2个。根据本发明，具有能够将检查工序中的异物附着降低到约1/10的效果，能够有助于检查工序的品质提高。

＜关于本发明的变形例＞

本发明并不限定于上述实施方式，包括各种变形例。例如，上述实施方式是为了容易理解地说明本发明而进行了详细说明，并不限定于必须具备所说明的所有结构。并且，能够将某实施方式的结构的一部分置换成其它实施方式的结构，再者也能够在某实施方式的结构中追加其它实施方式的结构。另外，对于各实施方式的结构的一部分，能够进行其它结构的追加、删除、置换。

例如能够在整流板140的上游侧(气体供给装置110侧)采用在实施方式2中说明的图7A的结构，在下游侧(气体供给装置110侧的相反侧)采用在实施方式3中说明的图7B的结构。

在以上的实施方式中，说明了将整流板140配置于上游侧(气体供给装置110侧)、下游侧(气体供给装置110侧的相反侧)双方的例子，但通过至少配置上游侧的整流板140，能够相应地发挥本发明的效果。

在以上的实施方式中，作为检查装置10所检查的被检物，示出了半导体晶片20的例子，但被检物不限定于此，在检查半导体晶片20以外的被检物的检查装置10中也能够应用本发明。

符号说明

10—检查装置，20—半导体晶片，100—检查室，110—气体供给装置，120—工作台，130—光学检查单元，140—整流板，150—排气口，200—盒，300—处理机构，310—预对准器。

Claims (22)

1.一种检查装置，对载置于工作台的基板进行检查，其特征在于，具备：

气体供给部，其从上述工作台的侧方对配置有上述工作台的检查室的内部供给气体的流动；

排出部，其将上述气体从上述检查室排出；以及

整流板，其对上述气体的流动进行整流，

上述整流板具有第一部位，该第一部位覆盖上述工作台的上表面的一部分，

上述整流板具有第二部位，该第二部位配置在上述气体供给部喷射上述气体的供给口与上述工作台之间，由此使上述气体供给部所供给的上述气体的流动不会直接接触到上述基板，

上述第一部位和上述第二部位形成为上述整流板的连续的部位，

上述整流板配置于在上述第一部位与上述工作台的上表面之间形成第一空间的位置，

上述整流板配置于在上述第二部位与上述工作台之间形成第二空间的位置。

2.根据权利要求1所述的检查装置，其特征在于，

上述整流板通过利用弯折或弯曲的形状形成上述第一部位和上述第二部位，来形成为上述第一部位覆盖上述工作台的上表面的一部分，并且上述第二部位相对于上述气体的流动覆盖上述工作台的侧方。

3.根据权利要求2所述的检查装置，其特征在于，

上述整流板具有通过将平板弯折成钝角而形成有上述第一部位和上述第二部位的形状。

4.根据权利要求3所述的检查装置，其特征在于，

上述整流板配置为上述第一部位相对于上述工作台的上表面具有倾斜角而并非平行。

5.根据权利要求3所述的检查装置，其特征在于，

上述整流板配置为上述第二部位相对于上述工作台的法线方向具有倾斜角而并非平行。

6.根据权利要求2所述的检查装置，其特征在于，

上述整流板具有通过弯曲成拱状而形成有上述第一部位和上述第二部位的形状。

7.根据权利要求6所述的检查装置，其特征在于，

上述整流板形成为上述第一部位与上述工作台的上表面之间的距离从上述工作台的上表面的中心朝向外周而逐渐变小的形状。

8.根据权利要求6所述的检查装置，其特征在于，

上述整流板形成为上述第二部位与上述工作台之间的距离随着朝向上述工作台的下方而逐渐变大的形状。

9.根据权利要求1所述的检查装置，其特征在于，

上述工作台构成为能够使上述基板在从上述检查室之外接收上述基板的接收位置与检查上述基板的检查位置之间相互移动，

上述整流板从上述接收位置延伸到上述检查位置。

10.根据权利要求1所述的检查装置，其特征在于，

上述整流板具有供上述气体从上述供给口朝向上述工作台的上表面通过的开口部，

上述开口部在投影到上述工作台的上表面时，呈在检查上述基板的检查位置具有与上述工作台重叠的区域的圆形形状。

11.根据权利要求1所述的检查装置，其特征在于，

上述整流板具有供上述气体从上述供给口朝向上述工作台的上表面通过的开口部，

上述开口部在投影到上述工作台的上表面时，呈从自上述检查室之外接收上述基板的接收位置延伸到检查上述基板的检查位置、并在各个位置具有与上述工作台重叠的区域的长圆形状。

12.根据权利要求11所述的检查装置，其特征在于，

上述工作台构成为能够在上述接收位置沿上下方向从第一位置移动到上述第一位置的上方的第二位置，

上述工作台在上述第一位置从上述检查室之外接收上述基板后，移动到上述第二位置，进一步沿水平方向移动到上述检查位置。

13.根据权利要求1所述的检查装置，其特征在于，

上述整流板构成为按照上述第一部位的上方、上述工作台的上表面、上述第一空间、上述第二空间的顺序引导上述气体供给部所供给的上述气体的流动。

14.根据权利要求1～13任一项所述的检查装置，其特征在于，

上述整流板配置于上述气体供给部侧、上述气体供给部侧的相反侧的双方，上述整流板在上述气体供给部侧的相反侧具有与上述第一部位相同的形状。

15.根据权利要求14所述的检查装置，其特征在于，

上述气体供给部从侧面方向供给气体。

16.根据权利要求15所述的检查装置，其特征在于，

上述气体供给部向上述整流板内侧的空间供给气体。

17.根据权利要求16所述的检查装置，其特征在于，

设置有在上述整流板内侧的空间因文丘里效应而产生负压的狭窄的间隙。

18.一种检查装置，对载置于工作台的被检查基板进行检查，其特征在于，具备：

供给单元，其将洁净的气体的平行流从侧方供给到装置内；

排出部，其排出上述气体；

旋转驱动单元，其驱动上述工作台使之旋转；以及

整流板，其对上述洁净的气体进行整流，

上述整流板具有与被检查基板对置的第一面和与第一面连续且不平行的第二面，

在上述被检查基板与上述整流板的第一面之间具有空间，

配置为上述洁净的气体依次通过上述第一面、上述空间、上述第二面，并流入到上述排出部。

19.根据权利要求18所述的检查装置，其特征在于，

上述整流板配置于上述供给单元侧、上述供给单元侧的相反侧的双方，上述整流板在上述供给单元侧的相反侧具有与上述第一面相同的形状。

20.根据权利要求19所述的检查装置，其特征在于，

上述供给单元从侧面方向供给气体。

21.根据权利要求20所述的检查装置，其特征在于，

上述供给单元向上述整流板内侧的空间供给气体。

22.根据权利要求21所述的检查装置，其特征在于，

设置有在上述整流板内侧的空间因文丘里效应而产生负压的狭窄的间隙。