DE10351848A1 - System zur Detektion von Makrodefekten - Google Patents

System zur Detektion von Makrodefekten Download PDF

Info

Publication number
DE10351848A1
DE10351848A1 DE10351848A DE10351848A DE10351848A1 DE 10351848 A1 DE10351848 A1 DE 10351848A1 DE 10351848 A DE10351848 A DE 10351848A DE 10351848 A DE10351848 A DE 10351848A DE 10351848 A1 DE10351848 A1 DE 10351848A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
section
air
area
air flow
housing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE10351848A
Other languages
English (en)
Inventor
Albert Kreh
Rene Schenck
Henning Backhauss
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KLA Tencor MIE GmbH
Original Assignee
Leica Microsystems CMS GmbH
Vistec Semiconductor Systems GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Leica Microsystems CMS GmbH, Vistec Semiconductor Systems GmbH filed Critical Leica Microsystems CMS GmbH
Priority to DE10351848A priority Critical patent/DE10351848A1/de
Priority to JP2004317990A priority patent/JP2005140778A/ja
Priority to US10/978,527 priority patent/US7265823B2/en
Priority to TW093133575A priority patent/TW200520126A/zh
Publication of DE10351848A1 publication Critical patent/DE10351848A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

Es ist ein System zur Detektion von Makrodefekten offenbart, wobei das System von einem Gehäuse (50) umgeben und in einen ersten Abschnitt (6), einen zweiten Abschnitt (8) und einen dritten Abschnitt (10) unterteilt ist. Im zweiten Abschnitt (8) ist ein in X-Richtung und in Y-Richtung verfahrbarer Tisch (2) vorgesehen, auf dem ein Wafer (25) abgelegt ist. Im ersten Abschnitt (6) befindet sich eine Ansaugeinrichtung (36), die die angesaugte Luft über eine Luftführung (37) in den zweiten Abschnitt (8) leitet, wobei die Luftführung (37) mehrere Luftleitbleche (38) umfasst, so dass ein Luftstrom (60) parallel über den Wafer (25) geführt ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein System zur Detektion von Makrodefekten.
  • In der Halbleiterfertigung werden Wafer während des Fertigungsprozesses in einer Vielzahl von Prozessschritten sequentiell bearbeitet. Mit zunehmender Integrationsdichte steigen die Anforderungen an die Qualität der auf den Wafern ausgebildeten Strukturen. Um die Qualität der ausgebildeten Strukturen überprüfen und eventuelle Defekte finden zu können, ist das Erfordernis an die Qualität, die Genauigkeit und die Reproduzierbarkeit der den Wafer handhabenden Bauteile und Prozessschritte entsprechend. Dies bedeutet, dass bei der Produktion eines Wafer mit der Vielzahl von Prozessschritten und der Vielzahl der aufzutragenden Schichten an Photolack oder Ähnlichem eine zuverlässige und frühzeitige Erkennung von Defekten in den einzelnen Strukturen besonders wichtig ist. Auf einem strukturierten Halbleitersubstrat bzw. einem Wafer sind eine Vielzahl von gleichen wiederkehrenden Strukturelementen vorgesehen.
  • Die DE 43 10 149 C2 offenbart eine Einrichtung zur Handhabung von scheibenförmigen Objekten in einer Handlungsebene eines lokalen Reinraumes. Ferner sind Magazinaufnahmen vorgesehen, die bezüglich der Handlungsebene in der Höhe verstellbar sind. In der Handlungsebene befinden sich Arbeitsstationen für Bearbeitungs- oder Inspektionszwecke. Dabei ist die Handlungsebene oberhalb eines Zwischenbodens angeordnet, der den Reinraum in zwei übereinanderliegende Teilräume unterteilt, in denen eine Luftstromkomponente eines Luftstroms aus dem Teilraum oberhalb des Zwischenbodens in den Antriebsteile enthaltenden Teilraum unterhalb des Zwischenbodens gerichtet ist. Der Luftstrom dient dazu, dass kein durch die Antriebselemente entstehender Abrieb zu den Arbeitsstationen in der Handlungsebene gelangt. Die Luftaufbereitungsanlage besteht aus einem Gehäuse und dessen Luftauslass ist durch eine kreissektorförmige Ausschnitte mit Luftleitblechen auf. Es wird nichts über die besondere Ausrichtung, Führung und/oder Leitung des Luftstroms innerhalb des Gehäuses erwähnt.
  • Die deutsche Patenschrift DE 195 38 040 C2 offenbart eine Einrichtung zur Erzeugung eines gereinigten, turbulenten Luftstromes zur Versorgung lokaler Reinräume. Der lokale Reinraum ist von einem Gehäuse umgeben. Das Gehäuse besitzt an einer Seitenwand einen Einlass für die Luft auf. Hinter dem Einlass ist ein Radiallüfter vorgesehen, durch den die Luft in den Innenraum der Einrichtung gedrängt wird. An der Wand, die gegenüber der Wand mit dem Einlass angeordnet ist, ist ein Luftauslaß vorgesehen. Die Strömungsverteilung der Luft im Inneren des lokalen Reinraums ist nicht erwähnt oder berücksichtigt.
  • Das europäische Patent EP 0 335 752 offenbart ein System zur Halbleiterherstellung unter Reinraumbedingungen. Das System besteht aus einem mit Wänden umgebenen Gebäude, wobei in einem Teil des Gebäudes die Reinraumbedingungen vorherrschen. Über Filter wird die Luft dem Reinraum zugeführt. Löcher im Boden des Reinraums leiten die reine Luft z.B. zu einem anderen Teil der Einrichtung. Über eine Leitung oder Führung des Luftstroms ist hier nichts offenbart.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde ein System zu schaffen, bei dem im System Bedingungen vorherrschen, die die Detektion der Makrodefekte nicht negativ beeinflussen.
  • Diese Aufgabe wird durch ein System mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.
  • Es ist von besonderen Vorteil, wenn das System von einem Gehäuse umgeben und in einen ersten Abschnitt, einen zweiten Abschnitt und einen dritten Abschnitt unterteilt ist. Im zweiten Abschnitt ist ein in X-Richtung und in Y-Richtung verfahrbarer Tisch vorgesehenen, auf dem ein Wafer abgelegt ist. Im ersten Abschnitt ist eine Ansaugeinrichtung vorgesehen, die die angesaugte Luft über eine Luftführung in den zweiten Abschnitt leitet, wobei die Luftführung mehrere Luftleitbleche umfasst, so dass ein Luftstrom parallel über den Wafer geführt ist.
  • Der erste Abschnitt ist vom zweiten Abschnitt durch eine Montageplatte getrennt. Ebenso ist der zweite Abschnitt vom dritten Abschnitt durch eine Trennplatte getrennt. Der erste Abschnitt ist in einen ersten und einen zweiten Bereich unterteilt, wobei der zweite Bereich die Ansaugeinrichtung für die Luft des Systems enthält.
  • Im ersten Bereich des ersten Abschnitts sind im Wesentlichen mehrere Beleuchtungseinrichtungen und mindestens eine Detektionseinrichtung angeordnet, und wobei der erste Bereich ferner eine Ansteuerelektronik für die Beleuchtungseinrichtungen und Detektionseinrichtung umfasst.
  • Die Montageplatte hat mehrere Durchlässe ausgebildet, durch die ein erster Teil des Luftstroms aus dem zweiten Abschnitt in den ersten Bereich des ersten Abschnitts gelangt. Ebenso hat die Trennplatte mindestens einen Durchlass ausgebildet, durch den ein zweiter Teil des Luftstroms aus dem zweiten Abschnitt in den dritten Abschnitt gelangt. Im zweiten Abschnitt existiert ein Luftdruck um ca. 1 Pascal höher ist als in dem benachbarten ersten Abschnitt und dem benachbarten dritten Abschnitt. Das Gehäuse des Systems umfasst einen Boden, wobei der zweite Teil des Luftstroms das Gehäuse bzw. den dritten Abschnitt durch den Boden verlässt.
  • Der erste Teil des Luftstroms kühlt die Ansteuerelektronik im ersten Bereich des ersten Abschnitts und der zweite Teil des Luftstroms kühlt die Steuereinheiten im dritten Abschnitt des Systems.
  • In der Zeichnung ist der Erfindungsgegenstand schematisch dargestellt und wird anhand der Figuren nachfolgend beschrieben. Dabei zeigen:
  • 1 eine schematische Darstellung des Aufbaus des gesamten System zur Inspektion von Wafern und Detektion von Makrodefekten;
  • 2 eine Seitenansicht des Tisches parallel zu der X-Richtung;
  • 3 eine Seitenansicht des Tisches parallel zu der Y-Richtung;
  • 4 eine Detailansicht des Systems in Bereich um den in X- und Y-Richtung beweglichen Tisch; und
  • 5 eine schematische Darstellung des Luftstroms und dessen Führung innerhalb des Systems.
  • 1 zeigt eine Darstellung der Anordnung des Tisches 2 im gesamten System 100 zur Inspektion von Wafern. Das System 100 ist von einem Gehäuse 4 umschlossen und ist in einen ersten Abschnitt 6, einen zweiten Abschnitt 8 und einen dritten Abschnitt 10 unterteilt. Das Gehäuse 4 ist an allen Außenflächen mit Wänden (nicht dargestellt) verschlossen, so dass im Innern des Gehäuses 4 bestimmte klimatische bzw. Reinraumbedingungen vorliegen. Im ersten Abschnitt 6 des Gehäuses 4 sind im Wesentlichen mehrere Beleuchtungseinrichtungen 12 und mindestens eine Detektionseinrichtung 14 untergebracht. Die Detektionseinrichtung 14 ist in der Regel eine CCD-Kamera. Der erste Abschnitt 6 ist vom zweiten Abschnitt 8 durch eine Montageplatte 16 getrennt. Das Licht der Beleuchtungseinrichtungen 12 wird über optische Mittel 18 durch die Montageplatte 16 hindurch auf die Oberfläche des zu inspizierenden Wafers geleitet. Im zweiten Abschnitt 8 ist der Tisch 2 vorgesehen, der in X-Richtung X und in Y-Richtung verfahrbar ist. Der Tisch 2 ist auf einer Trennplatte 22 montiert, die den zweiten und den dritten Abschnitt 8 und 10 voneinander trennt. Der dritte Abschnitt 10 umfasst mehrere Steuereinheiten 20 oder Rechner, die für die Steuerung, Kontrolle und Regelung des Systems 100 und der einzelnen Komponenten des Systems 100 verantwortlich sind. Hinzu kommt, dass hiermit ebenfalls Daten aufgenommen und ausgewertet werden.
  • 2 zeigt eine Seitenansicht des Tisches 2. Auf einer Aufnahme 24 ist ein Wafer 25 aufgelegt und die Aufnahme 24 ist ferner um eine Drehachse 26 drehbar. Der Tisch 2 besteht aus einem ersten Tischelement 2a und einem zweiten Tischelement 2b. Das erste Tischelement 2a wirkt mit mehreren Luftdüsen 27 und einer mindestens ersten Schiene 28 zusammen. Durch die Luftdüsen 27 wird Gas unter einem Druck höher als der vorherrschende Normaldruck ausgeblasen. Somit wird zwischen den Luftdüsen 27 und der ersten Schiene 28 Luftkissen erzeugt, das das erste Tischelement 2a entlang der ersten Schiene 28 annähernd reibungsfrei gleiten lässt. Die Bewegung des ersten Tischelements 2a wird durch die Anschläge 29 beidseitig beschränkt. 3 zeigt die Seitenansicht des Tisches 2 parallel zur Richtung Y in 1. Das zweite Tischelement 2b ist entlang der zweiten Schiene 30 verfahrbar. Die zweite Schiene 30 wirkt mit den mehreren Luftdüsen 31 zusammen, die am zweiten Tischelement 2b vorgesehen sind. Die Luftdüsen 31 erzeugen über das mit Druck austretende Gas ein Luftkissen, auf dem das zweite Tischelement 2b entlang der zweiten Schiene 30 gleitet. Die Bewegung des zweiten Tischelements 2b ist beidseitig durch die Anschläge 32 begrenzt. Der Tisch 2 umfasst ferner eine Steuereinheit 33, mittels der die elektrischen Elemente bzw. die Luftzufuhr zu dem Luftdüsen 27 und 31 des ersten und des zweiten Tischelements 2a und 2b gesteuert und geregelt werden. Wie z.B. in 3 dargestellt ist, ist ein flexibles Band 34 zum zweiten Tischelement 2b geführt. Im oder am flexiblen Band 34 sind die entsprechenden elektrischen bzw. Luftleitungen von der Steuereinheit 33 zum zweiten Tischelement 2b bzw. zu dessen Luftdüsen 31 vorgesehen.
  • 4 zeigt eine Detailansicht des Systems 100 im Bereich um den in X- und Y-Richtung beweglichen Tisch 2. Der erste Abschnitt 6 ist in einen ersten und einen zweiten Bereich 6a und 6b unterteilt. Im ersten Bereich 6a ist Ansteuerelektronik 35 für die Beleuchtungseinrichtungen vorgesehen. Neben der Ansteuerelektronik 35 ist im ersten Bereich 6a ebenso die Beleuchtungseinrichtungen 12 und Detektionseinrichtung 14 (bzw. Kamera) vorgesehen. Der zweite Bereich 6b umfasst eine Ansaugeinrichtung 36 für die Umgebungsluft des Systems 100. Die Ansaugeinrichtung 36 endet im zweiten Abschnitt 8. Die Luft wird aus der Ansaugeinrichtung 36 in den zweiten Abschnitt 8 über eine Luftführung 37 in den zweiten Abschnitt geleitet. Die Luftführung umfasst mehrere Luftleitbleche 38, die die Luft in geeigneter Weise in den zweiten Abschnitt 8 leiten. Der Tisch 2 ist der Aufnahme 24 für den Wafer 25 im zweiten Abschnitt 8. Die Montageplatte 16 trennt den ersten Abschnitt 6 vom zweiten Abschnitt 8. In der Montageplatte 16 sind Durchlässe 40 ausgebildet, durch die das Licht von den Beleuchtungseinrichtungen 12 und das Licht aus dem zweiten Abschnitt 8 in den zur der Detektionseinrichtung 14 gelangt. Die Durchlässe 40 können dabei durch ein transparentes Fenster 40a verschlossen sein. Besonders vorteilhaft ist es, wenn der Durchlass vor der Detektionseinrichtung 14 ohne eintransparentes Fenster ausgestaltet ist. Wäre dieser Durchlass 40 mit einem Fenster versehen, so können sich hierauf Partikel ablagern, die die Abbildung durch die Detektionseinrichtung 14 negativ beeinflusst. Der Tisch 2 wird von der Trennplatte 22 getragen, die den zweiten vom dritten Abschnitt trennt. In der Trennplatte 22 ist derart ausgestaltet, dass mindestens ein Durchlass 42 zwischen dem zweiten Abschnitt 8 und dem dritten Abschnitt gebildet ist.
  • 5 zeigt eine schematische Darstellung des Luftstroms 60 und dessen Führung innerhalb des erfindungsgemäßen Systems 100. Das gesamte System ist von einem Gehäuse 50 umgeben. Das Gehäuse 50 ist aus mehreren Wänden gebildet, die das System 100 nach Außen hin abschließen. Wie bereits in der Beschreibung zu 4 erwähnt wird der Luftstrom 60 von der Ansaugeinrichtung 36 über Luftleitbleche 38 in dem zweiten Abschnitt 8 des System 100 geleitet. Die Luft wird von einer Ansaugeinrichtung 36 in einen vertikalen Luftkanal 52 gedrückt. Im vertikalen Luftkanal 52 werden Luftleitbleche 38 derart eingesetzt, dass der Luftstrom 60 im zweiten Abschnitt 8 horizontal umgelenkt wird und parallel über den Wafer 25 geführt ist. Der Wafer 25 ist im zweiten Abschnitt 8 auf der Aufnahme 24 des Tisches 2 aufgelegt. Um den Footprint des gesamten Systems 100 zu reduzieren, wird der zweite Abschnitt 8 mit der höchsten Reinraumklasse (z.B. DIN ISO Klasse 3) auf einen möglichst kleinen Raum beschränkt. Dieser möglichst kleine Raum herrscht im zweiten Abschnitt 8 vor. In dem zweiten Abschnitt 8 ist der Luftdruck um ca. 1 Pascal höher als in den benachbarten Bereichen (dem ersten und dem dritten Abschnitt 6 und 10). Hiermit wird eine Kontamination des zweiten Abschnitts, 8 in dem sich der Wafer 25 befindet, von außen her verhindert. Elektronik, Lichtquellen, Optik, bewegliche Mechanik und sonstiges ist möglichst außerhalb des zweiten Abschnitts 8 angeordnet. In dem ersten und dem dritten Abschnitt 6 und 10 existiert eine schlechtere Reinraumklasse (z.B. DIN ISO Klasse 6). Der zweite Abschnitt 8 wird nach oben, zum ersten Abschnitt 6 hin, von der Montageplatte 16 begrenzt. Auf dieser Montageplatte 16 sind Beleuchtungs- und Abbildungsoptiken montiert. In dieser Montageplatte 16 ermöglichen Durchlässe 40 oder 42 mit eingelassenen und/oder angesetzten optischen Elementen (z.B. Glasscheiben, Spiegel, ...) die Beleuchtung und Abbildung des Bildfeldes auf der Oberfläche des Wafers 25, ohne dass der Luftstrom negativ beeinflusst wird. Im ersten Abschnitt 6 oberhalb der Montageplatte 16, getrennt vom zweiten Abschnitt 8, sind Elektronik, Optik, Lichtquellen und Justageelemente untergebracht. Der in X-Richtung und Y-Richtung verfahrbare Tisch 2 ist im zweiten Abschnitt 8 unter dem Wafer 25 so angeordnet und konstruiert, dass bei der Bewegung des Tisches 2 möglichst keine Partikel entstehen. Der Tisch 2 ruht auf einer Trennplatte 22, die nach unten den zweiten Abschnitt 8, bis auf einige Durchlässe 42 abschließt. Im dritten Abschnitt 10 unter der Trennplatte 22 befindet sich Steuereinheiten 33, (Elektronik, Computer, ...). Durch die vorgesehenen Durchlässe 42 wird der Luftstrom hauptsächlich in den dritten Abschnitt 10 des Systems 100 weitergeleitet. Ein erster Teil des Luftstroms 60a strömt auch in den ersten Abschnitt 6 über der Montageplatte 16. Mit diesem Aufbau wird der Luftstrom 60 im zweiten Bereich 8 optimiert und die Kontamination des Wafers 25 minimiert. Der erster Teil des Luftstroms 60a und der zweite Teil des Luftstroms 60b kühlt gleichzeitig Elektronik im ersten und dritten Abschnitt 6 und 10, sowie die Beleuchtungseinrichtungen 12 im ersten Abschnitt 6. Die Beleuchtungseinrichtungen 12 sind als Blitzlampen 12a mit einer Leuchtfläche 12c ausgeführt. Das Licht wird von der Blitzlampe 12a zu der Leuchtfläche 12c über eine Lichtleitfaser 12b geführt. Die Blitzlampen 12a senden Licht einer vom Benutzer auswählbaren spektralen Zusammensetzung und Pulsdauer aus. Der erste Abschnitt 6 umfasst weitere Elektronik 64, die zur Ansteuerung der Blitzlampen 12a dient und die zur Auswertung der mit der Detektionseinrichtung 14 erfassten Signale umfasst. Das Gehäuse 50 steht auf Füssen 64, so dass der Boden 62 von der Aufstellfläche beabstandet ist.
  • 2
    Tisch
    2a
    erstes Tischelement
    2b
    zweites Tischelement
    4
    Gehäuse
    6
    erster Abschnitt
    8
    zweiter Abschnitt
    10
    dritter Abschnitt
    12
    Beleuchtungseinrichtungen
    14
    Detektionseinrichtung
    16
    Montageplatte
    18
    optische Mittel
    20
    Steuereinheiten
    22
    Trennplatte
    24
    Aufnahme
    25
    Wafer
    26
    Drehachse
    27
    Luftdüsen
    28
    ersten Schiene
    29
    Anschläge
    30
    zweite Schiene
    31
    Luftdüsen
    32
    Anschläge
    33
    Steuereinheit
    34
    flexibles Band
    35
    Ansteuerelektronik
    36
    Ansaugeinrichtung
    37
    Luftführung
    38
    Luftleitbleche
    40
    Durchlässe
    42
    Durchlass
    50
    Gehäuse
    52
    vertikaler Luftkanal
    60
    Luftstrom
    60a
    erster Teil des Luftstroms
    60b
    zweiter Teil des Luftstroms
    62
    Boden
    64
    Füße

Claims (15)

  1. System zur Detektion von Makrodefekten wobei das System von einem Gehäuse (50) umgeben und in einen ersten Abschnitt (6), einen zweiten Abschnitt (8) und einen dritten Abschnitt (10) unterteilt ist, einem im zweiten Abschnitt (8) vorgesehenen in X-Richtung und in Y-Richtung verfahrbaren Tisch (2), auf dem ein Wafer (25) abgelegt ist, eine im ersten Abschnitt (6) vorgesehene Ansaugeinrichtung (36), die die angesaugte Luft über eine Luftführung (37) in den zweiten Abschnitt (8) leitet, wobei die Luftführung (37) mehrere Luftleitbleche (38) umfasst, so dass ein Luftstrom (60) parallel über den Wafer (25) geführt ist.
  2. System nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Abschnitt (6) vom zweiten Abschnitt (8) durch eine Montageplatte (16) getrennt ist.
  3. System nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Abschnitt (8) vom dritten Abschnitt (10) durch eine Trennplatte (22) getrennt ist.
  4. System nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Abschnitt (6) in einen ersten und einen zweiten Bereich (6a, 6b) unterteilt ist, wobei der zweite Bereich (6b) die Ansaugeinrichtung (36) für die Luft des Systems (100) enthält.
  5. System nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass im ersten Bereich (6a) des ersten Abschnitts (6) im Wesentlichen mehrere Beleuchtungseinrichtungen (12) und mindestens eine Detektionseinrichtung (14) angeordnet sind, und wobei der erste Bereich (6a) ferner eine Ansteuerelektronik (35) für die Beleuchtungseinrichtungen (12) und Detektionseinrichtung (14) umfasst.
  6. System nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Trennplatte (22) den in X-Richtung und in Y-Richtung verfahrbaren Tisch (2) trägt.
  7. System nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der dritte Abschnitt (10) mehrere Steuereinheiten (20) oder Rechner enthält, die zur Steuerung, Kontrolle und Regelung des Systems (100) dienen.
  8. System nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Montageplatte (16) mehrere Durchlässe (40) ausgebildet hat, durch die ein erster Teil des Luftstroms (60a) aus dem zweiten Abschnitt (8) in den ersten Abschnitt (6) gelangt.
  9. System nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Trennplatte (22) mindestens einen Durchlass (42) ausgebildet hat, durch den ein zweiter Teil des Luftstroms (60b) aus dem zweiten Abschnitt (8) in den dritten Abschnitt (10) gelangt.
  10. System nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass im zweiten Abschnitt (8) der Luftdruck um ca. 1 Pascal höher ist als in dem benachbarten ersten Abschnitt (6) und dem benachbarten dritten Abschnitt (10).
  11. System nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass im zweiten Abschnitt (8) eine höher Reinraumklasse vorherrscht als in ersten Abschnitt (6) oder dem dritten Abschnitt (10).
  12. System nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Reinraumklasse im zweiten Abschnitt (8) der DIN ISO Klasse drei entspricht, und dass die Reinraumklasse im ersten Abschnitt (6) und dem dritten Abschnitt (10) der DIN ISO Klasse sechs entspricht.
  13. System nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuse (50) des Systems (100) einen Boden (62) umfasst, und dass der zweite Teil des Luftstroms (60b) das Gehäuse (50) bzw. den dritten Abschnitt (10) durch den Boden (62) verlässt
  14. System nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Durchlässe (40) Montageplatte (16) vor den Leuchtflächen (12c) durch ein transparentes Fenster (40a) verschlossen sind.
  15. System nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Teil des Luftstroms (60a) die Ansteuerelektronik (35) im ersten Bereich (6a) des ersten Abschnitts (6), und dass der zweite Teil des Luftstroms (60b) die Steuereinheiten (20) im dritten Abschnitt (10) kühlt.
DE10351848A 2003-11-06 2003-11-06 System zur Detektion von Makrodefekten Withdrawn DE10351848A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10351848A DE10351848A1 (de) 2003-11-06 2003-11-06 System zur Detektion von Makrodefekten
JP2004317990A JP2005140778A (ja) 2003-11-06 2004-11-01 マクロ欠陥検出のためのシステム
US10/978,527 US7265823B2 (en) 2003-11-06 2004-11-02 System for the detection of macrodefects
TW093133575A TW200520126A (en) 2003-11-06 2004-11-04 System for the detection of macrodefects

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10351848A DE10351848A1 (de) 2003-11-06 2003-11-06 System zur Detektion von Makrodefekten

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10351848A1 true DE10351848A1 (de) 2005-06-09

Family

ID=34530148

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10351848A Withdrawn DE10351848A1 (de) 2003-11-06 2003-11-06 System zur Detektion von Makrodefekten

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7265823B2 (de)
JP (1) JP2005140778A (de)
DE (1) DE10351848A1 (de)
TW (1) TW200520126A (de)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004062592B3 (de) * 2004-12-24 2006-06-08 Leica Microsystems Jena Gmbh System zur Untersuchung eines scheibenförmigen Substrats
DE102007051391B3 (de) * 2007-10-25 2008-12-18 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Einrichtung zum Bestimmen von Positionen von Strukturen auf einem Substrat
DE102007051943A1 (de) 2007-10-29 2009-04-30 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Verfahren zur Charakterisierung von Oberflächen von Wafern
US7817262B2 (en) 2007-06-27 2010-10-19 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Device for measuring positions of structures on a substrate
DE102009044151A1 (de) 2009-05-19 2010-12-30 Kla-Tencor Mie Gmbh Vorrichtung zur optischen Waferinspektion

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8582113B2 (en) 2007-02-13 2013-11-12 Kla-Tencor Mie Gmbh Device for determining the position of at least one structure on an object, use of an illumination apparatus with the device and use of protective gas with the device
DE102007049133A1 (de) * 2007-02-13 2008-08-21 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Vorrichtung zur Bestimmung der Position mindestens einer Struktur auf einem Objekt, Verwendung einer Beleuchtungseinrichtung für die Vorrichtung und Verwendung von Schutzgas für die Vorrichtung
US20090153875A1 (en) * 2007-12-12 2009-06-18 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Coordinate measuring machine with temperature adapting station
JP5314369B2 (ja) * 2008-09-12 2013-10-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査装置
JP5452152B2 (ja) * 2009-09-30 2014-03-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ 検査装置
DE102013105287A1 (de) * 2013-05-23 2014-11-27 Gerresheimer Regensburg Gmbh Reinraum zum Produzieren von Gegenständen und Verfahren zum Betreiben eines Reinraums
WO2014188580A1 (ja) * 2013-05-24 2014-11-27 ヤマハ発動機株式会社 プリント基板用作業装置
JP2022043361A (ja) * 2018-11-07 2022-03-16 株式会社日立ハイテク 検査装置
JP7323795B2 (ja) * 2019-09-03 2023-08-09 澁谷工業株式会社 物品検査装置
TWI729520B (zh) * 2019-10-04 2021-06-01 致茂電子股份有限公司 電子組件檢測系統

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0756879B2 (ja) 1988-03-31 1995-06-14 日鉄セミコンダクター株式会社 半導体の無塵化製造装置
JP3052096B2 (ja) * 1991-07-24 2000-06-12 東京エレクトロン株式会社 クライオポンプ
DE4310149C2 (de) 1993-03-29 1996-05-02 Jenoptik Jena Gmbh Einrichtung zur Handhabung von scheibenförmigen Objekten in einer Handhabungsebene eines lokalen Reinraumes
DE19538040C2 (de) 1995-10-13 1998-08-13 Jenoptik Jena Gmbh Einrichtung zur Erzeugung eines gereinigten, turbulenzarmen Luftstromes zur Versorgung lokaler Reinräume
KR100877044B1 (ko) * 2000-10-02 2008-12-31 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 세정처리장치
JP3939101B2 (ja) * 2000-12-04 2007-07-04 株式会社荏原製作所 基板搬送方法および基板搬送容器
DE10330506A1 (de) * 2003-07-05 2005-03-31 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Vorrichtung zur Waferinspektion
KR100549948B1 (ko) * 2003-11-11 2006-02-07 삼성전자주식회사 반도체 제조설비의 청정시스템
DE10359722A1 (de) * 2003-12-19 2005-07-14 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Verfahren zur Inspektion eines Wafers
DE102004062592B3 (de) * 2004-12-24 2006-06-08 Leica Microsystems Jena Gmbh System zur Untersuchung eines scheibenförmigen Substrats

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004062592B3 (de) * 2004-12-24 2006-06-08 Leica Microsystems Jena Gmbh System zur Untersuchung eines scheibenförmigen Substrats
US7426024B2 (en) 2004-12-24 2008-09-16 Vistec Semiconductor Systems Jena Gmbh System for inspecting a disk-shaped object
US7817262B2 (en) 2007-06-27 2010-10-19 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Device for measuring positions of structures on a substrate
DE102007051391B3 (de) * 2007-10-25 2008-12-18 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Einrichtung zum Bestimmen von Positionen von Strukturen auf einem Substrat
US7948635B2 (en) 2007-10-25 2011-05-24 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Method for determining positions of structures on a substrate
DE102007051943A1 (de) 2007-10-29 2009-04-30 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Verfahren zur Charakterisierung von Oberflächen von Wafern
DE102009044151A1 (de) 2009-05-19 2010-12-30 Kla-Tencor Mie Gmbh Vorrichtung zur optischen Waferinspektion
DE102009044151B4 (de) * 2009-05-19 2012-03-29 Kla-Tencor Mie Gmbh Vorrichtung zur optischen Waferinspektion

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005140778A (ja) 2005-06-02
US7265823B2 (en) 2007-09-04
TW200520126A (en) 2005-06-16
US20050101036A1 (en) 2005-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10351848A1 (de) System zur Detektion von Makrodefekten
DE3330536C2 (de) Deckenkonstruktion für Reinräume
DE60131539T2 (de) Anordnung zum lagern und entladen von objekten
DE69829607T2 (de) Lithographisches System mit Absaugesystem zur Debris-Entsorgung
KR920007809B1 (ko) 클린 룸
EP0926556A2 (de) Projektionsbelichtungsanlage und Belichtungsverfahren
DE19932735A1 (de) Mikroelektronik-Fabrikationssystem sowie Verfahren und Vorrichtung zu dessen Reinigung
DE102009044151A1 (de) Vorrichtung zur optischen Waferinspektion
DE102007049133A1 (de) Vorrichtung zur Bestimmung der Position mindestens einer Struktur auf einem Objekt, Verwendung einer Beleuchtungseinrichtung für die Vorrichtung und Verwendung von Schutzgas für die Vorrichtung
EP0631849A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Oberflächen
DE10010871B4 (de) System zum Bearbeiten von Halbleiterwafern, das einen nach unten gerichteten laminaren Strom von Reinstluft an der Vorderseite von Trocknereinheiten erzeugt
JPS61262537A (ja) 空気清浄装置
DE102004062592B3 (de) System zur Untersuchung eines scheibenförmigen Substrats
EP0604925A1 (de) Verfahren zur Luftführung in einem Aufnahmeraum sowie Vorrichtung zum Bearbeiten von Kleinteilen
TWI382144B (zh) 風淋室
DE60309255T2 (de) Abbildung und Entnahme von Gel
EP0634648A1 (de) Erfassungseinheit für die optronische Oberflächeninspektion
DE3445923A1 (de) Beleuchtungsvorrichtung fuer backoefen
DE19645833C2 (de) Vorrichtung zur optischen Untersuchung der Oberfläche von Rohren
DE102017121359A1 (de) Vorrichtung zum Erkennen und Ausscheiden von Fremdteilen in oder zwischen Fasermaterial
KR102253669B1 (ko) 드라이룸의 부스 장치
DE102014004921B3 (de) Reinraumbeleuchtungsvorrichtung
DE10330506A1 (de) Vorrichtung zur Waferinspektion
DE4041166A1 (de) Beleuchtungsanlage zur visuellen qualitaetskontrolle hochglaenzender oberflaechen
EP1506446B1 (de) Mikroskopanordnung zur inspektion eines substrates

Legal Events

Date Code Title Description
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: VISTEC SEMICONDUCTOR SYSTEMS GMBH, 35781 WEILB, DE

8110 Request for examination paragraph 44
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee