TWI362068B - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
TWI362068B
TWI362068B TW096113508A TW96113508A TWI362068B TW I362068 B TWI362068 B TW I362068B TW 096113508 A TW096113508 A TW 096113508A TW 96113508 A TW96113508 A TW 96113508A TW I362068 B TWI362068 B TW I362068B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
liquid
cup
rotating
wafer
Prior art date
Application number
TW096113508A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200802579A (en
Inventor
Satoshi Kaneko
Kazuhisa Matsumoto
Norihiro Ito
Masami Akimoto
Takayuki Toshima
Hiromitsu Nanba
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW200802579A publication Critical patent/TW200802579A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI362068B publication Critical patent/TWI362068B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Description

1362068 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關例如對半導體晶圓等的基板進行所定的 液處理’例如用以除去附著於半導體晶圓的粒子或污染（ contamination)的洗浄處理之液處理裝置。 【先前技術】 在半導體裝置的製程或平面直角顯示器（Flat Panel Display; FPD)的製程中，大多是使用對被處理基板的半 導體晶圓或玻璃基板供給處理液而來進行液處理的製程。 就如此的製程而言，例如可舉除去附著於基板的粒子或污 染等的洗浄處理，光刻（photo lithography)工程的光阻 劑液或顯像液的塗佈處理等。 就如此的液處理裝置而言，是將半導體晶圓等的基板 保持於旋轉夾盤，在使基板旋轉的狀態下對晶圓的表面或 表背面供給處理液，於晶圓的表面或表背面形成液膜而進 行處理者。 在此種的裝置中，通常處理液是被供給至晶圓的中心 ，藉由使基板旋轉來將處理液擴散至外方而形成液膜，使 處理液脫離者爲一般所進行。而且，以可將往基板的外方 甩掉的處理液引導至下方的方式，設置圍繞晶圓的外側之 杯（cup )等的構件，而使從晶圓甩掉的處理液能夠迅速 地排出。但，在如此地設置杯等時，處理液會有成爲霧氣 (mist )飛散，到達基板而形成水印（watermark )或粒子 (2) 1362068 等的缺陷之虞。 可防止如此情況的技術，如揭示於日本特 號公報的技術，以能夠和旋轉支持手段（在水 的狀態下使旋轉）一體旋轉的方式，設置接受 至外周方向的處理液之處理液接受構件，接受 處理液引導至外方而回收。 就此技術而言，是與基板一起旋轉的處理 會接近於基板的外周部而配置，因此從基板飛 向的處理液會被確實地回收，防止處理液再附； 然而，即使利用上述特開平8- 1 064號公 還是會受到霧氣等的影響不少。特別是在洗浄 浄後的乾燥步驟的臨終時期，容易發生微小霧 、或使用於乾燥的異丙醇（isopropyl alcohol ； 部性蒸發促進所造成的乾燥不良》 【發明內容】 本發明的目的是在於提供一種邊旋轉基板 給處理液而對基板進行液處理之液處理裝置， 處理液的霧氣飛散至基板之液處理裝置。 根據本發明之一觀點，係提供一種液處理 徵係具備： 基板保持部，其係將基板保持於水平，且 起旋轉； 旋轉杯，其係圍繞被保持於上述基板保持 開平8-1064 平支持基板 從基板飛散 處理液，將 液接受構件 散至外周方 箸於基板。 報的技術， 處理中，洗 氣的再附著 IPA)的局 邊對基板供 亦即可抑止 裝置，其特 可與基板一 部的基板， -6- (3) (3)I362068 且可與基板一起旋轉； 旋轉機構’其係使上述旋轉杯及上述基板保持部一體 旋轉； 液供給機構’其係至少對基板的表面供給處理液； 排氣•排液部’其係從上述旋轉杯排氣及排液至外部 ;及 引導構件’其係以表面能夠和基板表面大致連續的方 式來設置於基板的外側，與上述基板保持部及上述旋轉杯 〜起旋轉，使供給至基板表面而從基板甩掉的處理液經由 其表面來從上述旋轉杯引導至上述排氣•排液部。 根據本發明的其他觀點，係提供一種液處理裝置，其 特徵係具備： 基板保持部，其係將基板保持於水平，且可與基板一 起旋轉； 旋轉杯，其係圍繞被保持於上述基板保持部的基板， 且可與基板一起旋轉； 旋轉機構，其係使上述旋轉杯及上述基板保持部一體 旋轉； 表面液供給機構，其係對基板的表面供給處理液； 背面液供給機構，其係對基板的背面供給處理液； 排氣·排液部，其係從上述旋轉杯排氣及排液至外部 :及 引導構件，其係以表背面能夠和基板表背面大致連續 的方式來設置於基板的外側，與上述基板保持部及上述旋 (4) (4)1362068 轉杯一起旋轉，使供給至基板表面而從基板甩掉的處理液 經由其表面來從上述旋轉杯引導至上述排氣·排液部，且 使供給至基板背面而從基板甩掉的處理液經由其背面來從 上述旋轉杯引導至上述排氣•排液部。 在旋轉基板而使處理液從基板脫離時，隨著基板周緣 的界面張力的影響，基板周緣附近的液流會從層流突然變 化成不均一的流向，因此基板邊緣周邊的氣流也會亂流化 ，有容易形成霧化的傾向，本發明是基於此認知，而抑止 如此的情況發生。 亦即，若利用本發明，則因爲設有與基板的旋轉一起 旋轉的旋轉杯，所以離心力會作用於旋轉杯，可抑止如設 置固定杯時那樣處理液的霧氣折返，且從基板的表面或表 背面甩掉的處理液可藉由引導構件在層流狀態下從旋轉杯 引導至排氣•排液部，因此亦可抑止處理液從基板甩掉時 的霧氣發生。所以，可極有效地抑止處理液的霧氣飛散至 液處理中的基板。 【實施方式】 以下，參照圖面來詳細說明有關本發明的實施形態。 在此是顯示有關將本發明適用於進行半導體晶圓（以下簡 稱爲晶圓）的表背面洗浄之液處理裝置時。 圖1是表示本發明的第1實施形態之液處理裝置的槪 略構成的剖面圖。圖2是表示其平面圖。圖3是表示擴大 其要部的剖面圖。 -8- (5) (5)1362068 此液處理裝置100是具有： 可旋轉保持被處理基板亦即晶圓w的晶圓保持部1; 使該晶圓保持部1旋轉的旋轉馬達2; 以能夠圍繞保持於晶圓保持部1的晶圓w之方式， 與晶圓保持部1 一起旋轉的旋轉杯3; 對晶圓W的表面供給處理液的表面處理液供給噴嘴4 t 對晶圓W的背面供給處理液的背面處理液供給噴嘴5 :及 設置於旋轉杯3的周緣部的排氣·排液部6。 並且’以能夠覆蓋排氣·排液部6的周圍及晶圓W的 上方之方式設置外箱（casing) 8。在外箱8的上部設有風 扇·過濾器•單元（FFU) 9，使清浄空氣的下流（ downflow )能夠被供給至晶圓保持部i所保持的晶圓w。 晶圓保持部1是具有：設置於水平呈圓板狀的旋轉板 11 ’及連接至其背面的中心部，延伸於下方鉛直的圓筒狀 的旋轉軸12。在旋轉板11的中心部形成有連通至旋轉軸 12内的孔12a之圓形的孔11a。而且，背面處理液供給噴 嘴5可昇降於孔12a及孔11a内。如圖2所示，在旋轉板 1 1中，保持晶圓W的外緣之保持構件1 3會以等間隔設置 3個。此保持構件1 3是在晶圓W可自旋轉板1 1少許浮起 的狀態下將晶圓W保持於水平。而且，此保持構件13可 移動於保持晶圓W的保持位置與轉動至後方解除保持的 解除位置之間。在旋轉板1 1的端部附近，以外側部份比 -9- (6) (6)1362068 中心側部份低的方式，一周形成傾斜部丨〗b。因此，旋轉 板11的端部會形成比其他的部份更薄。 在旋轉軸12的下端捲掛有傳動帶14，傳動帶14是被 捲掛於滑輪15。然後，滑輪15可藉由馬達2來旋轉，使 能夠利用馬達2的旋轉經由滑輪15及傳動帶14來使旋轉 軸12旋轉。 表面處理液供給噴嘴4是被保持於噴嘴臂16的前端 部’由未圖不的液供給管來供給處理液，經由設置於其内 部的噴嘴孔來吐出處理液。就吐出的處理液而言，可舉洗 浄用的藥液、純水等的洗滌液、IPA之類的乾燥溶媒等， 可吐出1種或2種以上的處理液。噴嘴臂16是如圖2所 不那樣’以軸17爲中心設置成可轉動，可藉由未圖示的 驅動機構來移動於晶圓W中心上的吐出位置與晶圓w夕'^ 方的退避位置之間。另外，噴嘴臂16是設置成可上下動 ，在轉動時是形成上昇的狀態，從表面處理液供給噴嘴4 來吐出處理液時是形成下降的狀態。 在背面處理液供給噴嘴5形成有在内部沿著其長度方 向而延伸的噴嘴孔5a。而且，經由未圖示的處理液管來從 噴嘴孔5a的下端供給所定的處理液，該處理液可經由噴 嘴孔5a來吐出至晶圓W的背面。就吐出的處理液而言， 與上述表面處理液供給噴嘴4同樣，可舉洗浄用的藥液、 純水等的洗滌液、IPA之類的乾燥溶媒等，可吐出1種或 2種以上的處理液。背面處理液供給噴嘴5是兼備作爲晶 圓昇降構件的機能，在其上端部具有支持晶圓W的晶圓 -10- (7) (7)1362068 支持台18。在晶圓支持台18的上面具有用以支持晶圓W 的3根晶圓支持銷19(只有2根被圖示）。而且，在背面 處理液供給噴嘴5的下端經由連接構件20來連接汽缸機 構21，藉由此汽缸機構21來使背面處理液供給噴嘴5昇 降，藉此使晶圓W昇降而進行晶圓W的裝載及卸載^ 如圖3所示，旋轉杯3具有： 圓筒狀的垂直壁構件31，其係設置成從旋轉板11的 端部延伸至上方而形成垂直壁； 圓環狀的庇護構件32，其係從垂直壁構件31的上端 延伸至内方。 並且，垂直壁構件31在與晶圓W大致同高度的位置 設有内端至晶圓W的周緣附近呈圓環狀且板狀的引導構 件3 5。引導構件3 5是以其表背面能夠與晶圓W的表背面 大致連續之方式設置。在垂直壁構件31中，於引導構件 3 5的上方位置及下方位置，從其内側往外側貫通的排出孔 33及34會分別沿著周方向來設置複數個。排出孔33是設 置成其下面會接於引導構件35的表面，排出孔34是設置 成其下面會接於旋轉板11的表面。然後，藉由馬達2來 使晶圓保持構件1及旋轉杯3與晶圓W —起旋轉而從表 面處理液供給噴嘴4來對晶圓W表面的中心供給處理液 時，處理液會藉離心力來擴散於晶圓 W的表面，從晶圓 W的周緣甩掉。從此晶圓W表面甩掉的處理液會被引導 至大致連續設置的引導構件35的表面而到達垂直壁構件 3 1，藉由離心力經由排出孔3 3來排出至旋轉杯3的外側 -11 - (8) (8)1362068 。又，同樣地使晶圓保持構件1及旋轉杯3與晶圓W — 起旋轉而從背面處理液供給噴嘴5來對晶圓W的背面中 心供給處理液時，處理液會藉離心力來擴散於晶圓W的 背面，從晶圓W周緣甩掉。從此晶圓W背面甩掉的處理 液會被引導至與晶圓W的背面大致連續設置的引導構件 3 5的背面而到達垂直壁構件3 1，藉由離心力經由排出孔 34來排出至旋轉杯3的外側。此時在垂直壁構件31因 有離心力作用，所以可阻止處理液的霧氣回到内側》 又，由於引導構件35是如此引導從晶圓W表面及背 面甩掉的處理液，因此從晶圓W的周緣脫離的處理液不 易亂流化，可不使處理液霧化來引導至旋轉杯外。如此， 引導構件35爲抑止從晶圓W的表面及背面甩掉的處理液 霧化者’因此，引導構件3 5的表背面及晶圓W的表背面 所被要求的連續性是意指不使從晶圓W的表面及背面甩 掉的處理液產生霧氣的飛散等引導可能程度的連續性，最 好與該晶圓W隣接的部份的表背面的高度和晶圓w的表 背面的高度相同。另外，如圖2所示，在引導構件35中 ，對應於晶圓保持構件1 3的位置，以能夠避開晶圓保持 構件13的方式設有缺口部36。 排氣·排液部6主要是用以回收從被旋轉板n及旋 轉杯3所圍繞的空間排出的排氣及排液者，如圖3的擴大 圖所示，具備：接受從旋轉杯3的垂直壁構件31的排出 孔33、34排出的排液之呈環狀的排液杯41、及以能夠圍 繞排液杯41的方式設置之呈環狀的排氣杯42。在排液杯 -12- (9) 1362068 41的底部設有1處的排液口 43，在排液口 43 44。在排液管44的下游側設有未圖示的吸引 轉杯3來集合於排液杯41的排液會經由排液| 管44來迅速地排出，廢棄或回收。另外，排密 設置複數處。又，排氣杯42亦圍繞旋轉杯3, 是位於庇護構件32的上方。而且，排氣杯42 42a與庇護構件32之間呈環狀的導入口 42b來 排氣。並且，在排氣杯42的下部，設有排氣[ 氣口 45連接排氣管46。在排氣管46的下游側 的吸引機構，可將旋轉杯3的周圍予以排氣。 是設置複數個，可對應於處理液的種類來切換 氣杯42中，如圖3所示，於其上壁沿著周方 數個空氣取入口 47，在其内側壁於上下2段沿 設有複數個空氣取入口 48。空氣取入口 47是 氣杯42的上方區域的氣氛，空氣取入口 48是 轉板11的下方所存在之機構部的氣氛，可除 理液的氣體化成份。又，由於在排液杯41的 繞彼之排氣杯42，因此從排液杯41漏出的霧 地吸引，防止處理液的霧氣擴散至外部。 其次，參照圖4A〜4D來説明有關以上那 處理裝置100的動作。首先，如圖4A所示， 理液供給噴嘴5上昇的狀態下，從未圖示的搬 晶圓W至晶圓支持台18的支持銷上。其次， 示，使背面處理液供給噴嘴5下降至可藉由保 連接排液管 機構，從旋 U 4 3、排液 芝口 43亦可 其上壁42a 是從其上壁 吸引氣體而 3 45，在排 設有未圖不 排氣口 45 使用。在排 向而設有複 著周方向而 在於吸引排 在於吸引旋 去滯留的處 外側設有圍 氣也可確實 樣構成的液 在使背面處 送臂來交接 如圖4B所 i持構件1 3 -13- (10) (10)1362068 來保持晶圓W的位置，藉由保持構件13來卡緊晶圓W。 然後，如圖4C所示，使表面處理液供給噴嘴4從退避位 置移動至晶圓W的中心上的吐出位置。 在此狀態下，如圖4D所示，一邊藉由馬達2來使保 持構件1與旋轉杯3及晶圓W —起旋轉，一邊從表面處 理液供給噴嘴4及背面處理液供給噴嘴5來供給所定的處 理液，進行洗浄處理。 在此洗浄處理中，是在晶圓W的表面及背面的中心 供給處理液，其洗浄液會藉由離心力來擴散至晶圓W的 外側，從晶圓 W的周緣甩掉。此情況，以能夠圍繞晶圓 w的外側之方式設置的杯是與晶圓W —起旋轉的旋轉杯3 ，因此如圖5所示，從晶圓W甩掉的處理液碰撞於垂直 壁構件31時，離心力會作用於處理液，在垂直壁構件31 的排出孔33，34的周圍形成液膜37，所以難以發生如固 定杯時之類的飛散（霧化）。而且，到達垂直壁構件31 的處理液會藉由離心力來從排出孔33，34排出至旋轉杯3 的外側。因此，可抑止碰撞於如設置固定杯時之類的杯而 霧化後的處理液回到晶圓W。一旦處理液的供給被停止， 則作爲液膜37之滯留於垂直壁構件31的排出孔33，34 周圍的處理液也會從排出孔33，34排出，形成處理液不 存在於旋轉杯3内的狀態。 又，以表背面能夠和晶圓W的表背面大致連續之方 式來設置引導構件3 5，因此如圖6所示，以離心力在晶圓 W的表背面從周緣甩掉的處理液會在層流狀態下被引導於 -14- (11) 1362068 引導構件35的表背面而至垂直壁構件31，從排 34來排出至外部。因此，可極有效地抑止處理 W甩掉的時間點之處理液的霧化。 亦即，未設置引導構件35時，如圖7所示 液從晶圓W的周緣離脫時，因爲晶圓W周緣的 的影響等的要因，處理液會容易亂流化，霧化， 那樣藉由設置引導構件35，如此的亂流化會被防 可抑止霧化。 如此，藉由旋轉杯3及引導構件35的相乘 極有效地防止晶圓W附近之處理液的霧氣飛散。 另外，在圖1的裝置的構成中，一度排出至 的外側之處理液碰撞於排液杯41的壁部時有可 氣狀態下朝旋轉杯3折返，但因爲在垂直壁構件 壁形成液膜3 7，所以如此的霧氣幾乎沒有到達旋 内部之虞。因此，不必考慮會在排液杯41内因 生而造成晶圓W汚染，所以可縮小排液杯4 1， 置的小型化。 又，由於排氣杯42會被設成圍繞排液杯41 使令排液杯41小型化，還是可藉排氣杯42來接 杯41漏出的霧氣，所以霧氣不會飛散至外部。 其次’說明有關本發明的第2實施形態之液 〇 圖8是擴大顯示本發明的第2實施形態之液 的要部剖面圖在本實施形態中，引導構件、旋 出孔3 3， 液從晶圓 ，當處理 界面張力 但如上述 止，因此 作用，可 旋轉杯3 能會在霧 3 1的内 轉杯3的 霧氣的發 可謀求裝 ，因此即 住從排液 處理裝置 處理裝置 轉杯及排 -15- (12) (12)1362068 氣·排液部的構造是與第1實施形態相異。以下，雖是以 該等相異的部份爲主來進行説明，但以下説明的部份以外 的其他部份是與第1實施形態同様構成。 在本實施形態中，與第1實施形態不同，是取代旋轉 杯3，而使用具有引導排液至下方的構造之旋轉杯3'。並 且，取代引導構件3 5，而使用具有背面會從内側往外側傾 斜至下方的構造之引導構件35'。而且，使用因如此構造 的不同而與排液杯41有若干構造相異的排液杯41，。更， 爲了容易引導排氣至排氣管（未圖示），而使用與排氣杯 42構造相異的排氣杯42% 具體而言，旋轉杯3 f具有： 庇護構件51，其係防止從晶圓W甩掉的處理液飛散 ，且將處理液引導至下方；及 複數個間隔物構件5 5及5 6，其係分別用以在庇護構 件51與引導構件35'之間、及引導構件35'與旋轉板M之 間形成通過處理液的複數個狹縫（slit) 53及54。 庇護構件5 1、間隔物構件5 5、引導構件3 5、間隔物 構件56、旋轉板11是藉由螺絲等來一體固定，該等可一 體旋轉。狹縫53及54是沿著周方向而配列複數個，爲了 形成該等複數個狹縫53及54，複數個間格物構件55及 5 6會沿著周方向而配置。亦可取代如此的間隔物構件，而 使用像第1實施形態那樣形成有孔的板。 庇護構件51是其内側壁從内側往外側彎曲至下方， 其下端是比旋轉板11更延伸至下方。在其下端部與旋轉 -16- (13) (13)1362068 板11之間的部份、亦即在旋轉杯3'的下端部份朝下方形 成有圓環狀的開口部57，使排液能夠排出至下方。而且， 以能夠接受該開口部5 7的方式，亦即以能夠圍繞開口部 57的方式配置有排液杯4厂。藉由如此將庇護構件51的 下端延伸至旋轉板11的下方，可使來自旋轉杯3的液體 之排出部遠離晶圓，可降低霧氣的折返。基於如此的觀點 ，最好庇護構件51的下端位置是儘可能延伸至下方而極 力遠離晶圓W。排液杯4Γ是與排液杯41僅接受排液的部 份構成相異，其他的構成則是與排液杯41大致相同，設 有排液口 43且於該處連接排液管44的點亦相同。 庇護構件51的外側面是從前端往外周側傾斜至下側 ，連續於該傾斜而形成往下側的曲線。並且，排氣杯42' 是其上壁42a會對應於庇護構件51的傾斜而往外周側傾 斜至下側，且與該傾斜部份連續而形成往下側的曲線。藉 此，可容易將從形成於上壁42 a'與庇護構件51之間的開 口部42b'所吸引的氣體引導至排氣管（未圖示）。 在如此構成的液處理裝置中，和第1實施形態同樣， 是一邊藉由馬達2來使保持構件1與旋轉杯3'及晶圓W 一起旋轉，一邊從表面處理液供給噴嘴4及背面處理液供 給噴嘴5供給所定的處理液，而進行洗浄處理。此時，在 晶圓W的表面及背面中從周緣甩掉的處理液是被引導於 引導構件35'的表面及背面，分別通過狹縫53及54後， 沿著庇護構件51的内壁來引導至下方，從形成於旋轉杯 3'的下端部份的圓環狀的開口部57來排出至排液杯41'。 (14) 1362068 此情況，由於設置具有與第1實施形態的引導構件35同 樣機能的引導構件35'，因此處理液不會亂流化，從旋轉 杯3'引導至排液杯41'»此情況，在本實施形態中，是從 旋轉杯3的下端來引導處理液至下方的排液杯4厂，因此 即使在排液杯41'處理液被霧化，還是會因與晶圓W離隔 ' ，所以更能夠減少霧氣對晶圓W的影響。 又，本發明並非限於上述實施形態，亦可實施各種的 φ 變形。例如，上述實施形態中雖是以進行晶圓的表背面洗 浄的液處理裝置爲例，但本發明並非限於此，亦可爲進行 表面的洗浄處理的液處理裝置，且有關液處理並非限於洗 浄處理，亦可爲阻劑液塗佈處理或其後的顯像處理等其他 的液處理。又，上述實施形態中雖針對被處理基板爲使用 半導體晶圓時，但亦可適用於以液晶顯示裝置（LCD )用 的玻璃基板爲代表之平面直角顯不器（Flat Panel Display ;FPD)用的基板等其他的基板。 【圖式簡單說明】 圖1是表示本發明的第1實施形態之液處理裝置的槪 略構成的剖面圖。 圖2是表示本發明的第1實施形態之液處理裝置的部 份切開的槪略平面圖。 圖3是擴大顯示圖1的液處理裝置的要部剖面圖。 圖4 A〜4 D是用以說明本發明的第1實施形態之液處 理裝置的處理動作。 -18- (15) (15)1362068 圖5是用以說明從晶圓甩掉的處理液的狀態。 圖6是用以說明引導構件的作用。 圖7是用以說明未設置引導構件時從晶圓甩掉的處理 液的狀態。 圖8是擴大顯示本發明的第2實施形態之液處理裝置 的要部剖面圖。 【主要元件符號說明】 100 :液處理裝置 W :晶圓 1 :晶圓保持部 2 :旋轉馬達 3 :旋轉杯 4:表面處理液供給噴嘴 5 :背面處理液供給噴嘴 5a :噴嘴孔 6 :排氣·排液部 8 :外箱 9:風扇·過濾器.單元（FFU) Π :旋轉板 12 :旋轉軸 1 1 a :孔 12a :孔 1 3 :保持構件 -19- 1362068 傳動帶 滑輪 噴嘴臂 軸 晶圓支持台 晶圓支持銷 連接構件 汽缸機構 垂直壁構件 庇護構件 排出孔 排出孔 引導構件 缺口部 液膜 排液杯 排氣杯 :上壁 :導入口 排液口 排液管 排氣口 排氣管 空氣取入口 -20- 1362068 空氣取入口 旋轉杯 引導構件 排液杯 排氣杯 :上壁 :開口部 庇護構件 54 :狹縫 5 6 :間隔物構件 開口部 -21

Claims (1)

1362068 j *
第096113508號專利申請案中文申請專利範圍修正本 民國100年11月17日修正 十、申請專利範圍 1. —種液處理裝置，其特徵係具備： 基板保持^，其係將基板保持於水平，且設於可與基 ' 板一起旋轉的旋轉板； 旋轉杯，其係圍繞被保持於上述基板保持部的基板， Φ 且可與基板一起旋轉； 旋轉機構，其係使上述旋轉杯及上述基板保持部一體 旋轉； 液供給機構，其係至少對基板的表面供給處理液； 排氣·排液部，其係從上述旋轉杯排氣及排液至外部 :及 引導構件，其係以表面能夠和基板表面大致連續的方 式來設置於基板的外側，與上述基板保持部及上述旋轉杯 • 一起旋轉’使供給至基板表面而從基板甩掉的處理液經由 其表面來從上述旋轉杯引導至上述排氣•排液部， 在上述旋轉杯與上述引導構件之間，及上述引導構件 與上述旋轉板之間具有間隔物構件。 2. 如申請專利範圍第1項之液處理裝置，其中，上 述引導構件係與基板隣接的部份的表面的高度位置係與基 板的表面的高度位置大略一致。 3 ·如申請專利範圍第1項之液處理裝置，其中，上 述引導構件係以其内端接近於基板的方式設置之環狀的板 1362068 狀體所構成。 4. 如申請專利範圍第1項之液處理裝置，其中，上 述旋轉杯係具有：將從基板甩掉的處理液往水平方向排出 的處理液排出部。 5. 如申請專利範圍第1項之液處理裝i，其中，上 述旋轉杯係具有： 引導壁，其係取入從基板甩掉的處理液，而引導至下 方；及 開口部，其係將取入的處理液排出至下方。 6. 如申請專利範圍第1項之液處理裝置，其中，上 述排氣•排液部係具有： 排液杯，其係接受從基板甩掉的排液，呈環狀；及 排氣杯，其係設置於上述排液杯的外側，進行上述旋 轉杯的排氣。 7. —種液處理裝置，其特徵係具備： 基板保持部，其係將基板保持於水平，且設於可與基 板一起旋轉的旋轉板； 旋轉杯，其係圍繞被保持於上述基板保持部的基板， 且可與基板一起旋轉； 旋轉機構，其係使上述旋轉杯及上述基板保持部一體 旋轉； 表面液供給機構，其係對基板的表面供給處理液； 背面液供給機構，其係對基板的背面供給處理液； 排氣·排液部，其係從上述旋轉杯排氣及排液至外部 -2- 1362068 :及 引導構件，其係以表背面能夠和基板表背面大致連續 的方式來設置於基板的外側，與上述基板保持部及上述旋 轉杯一起旋轉，使供給至基板表面而從基板甩掉的處理液 經由其表面來從上述旋轉杯引導至上述排氣·排液部，且 ' 使供給至基板背面而從基板甩掉的處理液經由其背面來從 上述旋轉杯引導至上述排氣•排液部， • 在上述旋轉杯與上述引導構件之間，及上述引導構件 與上述旋轉板之間具有間隔物構件。 8.如申請專利範圍第7項之液處理裝置，其中，上 述引導構件係與基板隣接的部份的表面及背面的高度位置 係與基板的表面及背面的高度位置大略一致。 9-如申請專利範圍第7項之液處理裝置，其中，上 述引導構件係以其内端接近於基板的方式設置之環狀的板 狀體所構成。 • 10.如申請專利範圍第7項之液處理裝置，其中，上 述旋轉杯係具有：將從基板甩掉的處理液往水平方向排出 的處理液排出部。 11.如申請專利範圍第7項之液處理裝置，其中，上 * 述旋轉杯係具有： 引導壁，其係取入從基板甩掉的處理液，而引導至下 方；及 開口部，其係將取入的處理液排出至下方。 12-如申請專利範圍第7項之液處理裝置，其中，上 -3- 1362068 述排氣·排液部係具有： 排液杯，其係接受從基板甩掉的排液，呈環狀；及 排氣杯，其係設置於上述排液杯的外側，進行上述旋 轉杯的排氣。
-4-
TW096113508A 2006-04-18 2007-04-17 Liquid processing apparatus TW200802579A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006114960 2006-04-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200802579A TW200802579A (en) 2008-01-01
TWI362068B true TWI362068B (zh) 2012-04-11

Family

ID=38120656

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096113508A TW200802579A (en) 2006-04-18 2007-04-17 Liquid processing apparatus

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7998308B2 (zh)
EP (1) EP1848025B1 (zh)
KR (1) KR101019445B1 (zh)
CN (2) CN101060070B (zh)
AT (1) ATE450885T1 (zh)
DE (1) DE602007003506D1 (zh)
TW (1) TW200802579A (zh)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7998308B2 (en) * 2006-04-18 2011-08-16 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus
JP4994501B2 (ja) 2007-12-10 2012-08-08 エーシーエム リサーチ （シャンハイ） インコーポレーテッド 半導体ウエハの洗浄方法及び装置
JP5005770B2 (ja) * 2007-12-27 2012-08-22 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
KR100969604B1 (ko) * 2008-06-26 2010-07-12 주식회사 에이앤디코퍼레이션 기판 처리장치 및 방법
JP5156661B2 (ja) * 2009-02-12 2013-03-06 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP5310693B2 (ja) * 2010-10-07 2013-10-09 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
US9799537B2 (en) * 2010-12-03 2017-10-24 Applied Materials, Inc. Processing assembly for semiconductor workpiece and methods of processing same
US20120286481A1 (en) * 2011-05-13 2012-11-15 Lam Research Ag Device and process for liquid treatment of wafer shaped articles
US20120305036A1 (en) * 2011-06-01 2012-12-06 Lam Research Ag Device for treating surfaces of wafer-shaped articles
JP5645796B2 (ja) * 2011-11-21 2014-12-24 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
JP5913937B2 (ja) * 2011-11-30 2016-05-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ カップおよび基板処理装置
JP6148475B2 (ja) * 2013-01-25 2017-06-14 株式会社東芝 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP6057334B2 (ja) * 2013-03-15 2017-01-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
TWI569349B (zh) * 2013-09-27 2017-02-01 斯克林集團公司 基板處理裝置及基板處理方法
JP6281161B2 (ja) * 2013-09-27 2018-02-21 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP6229933B2 (ja) 2013-09-27 2017-11-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理カップ洗浄方法、基板処理方法および基板処理装置
JP6090113B2 (ja) * 2013-10-30 2017-03-08 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP6134673B2 (ja) 2014-03-13 2017-05-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US10576604B2 (en) * 2014-04-30 2020-03-03 Ebara Corporation Substrate polishing apparatus
JP6267141B2 (ja) * 2014-06-04 2018-01-24 東京エレクトロン株式会社 液塗布方法、液塗布装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
KR101621482B1 (ko) * 2014-09-30 2016-05-17 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP6797526B2 (ja) * 2014-11-11 2020-12-09 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置
US10276425B2 (en) * 2014-11-21 2019-04-30 Tokyo Electron Limited Substrate processing system
KR102145950B1 (ko) * 2015-10-04 2020-08-19 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 지지체 및 배플 장치
CN105244304B (zh) * 2015-11-11 2018-12-18 北京七星华创电子股份有限公司 一种带静电液雾清洗装置和清洗方法
CN110021535A (zh) * 2018-01-10 2019-07-16 弘塑科技股份有限公司 基板处理装置及其旋转台
CN109411402B (zh) * 2018-08-08 2021-03-30 中芯集成电路（宁波）有限公司 湿法清洗设备
JP7037459B2 (ja) * 2018-09-10 2022-03-16 キオクシア株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP7438015B2 (ja) * 2020-05-01 2024-02-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
GB202018030D0 (en) * 2020-11-17 2020-12-30 Spts Technologies Ltd Spin rinse dryer with improved drying characteristics
CN112670207B (zh) * 2020-12-21 2023-10-31 长江存储科技有限责任公司 晶边处理设备及待处理晶圆结构的处理方法
CN112992733B (zh) * 2021-02-08 2022-03-11 江苏亚电科技有限公司 一种用于晶圆加工的刷洗装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3138897B2 (ja) 1993-10-07 2001-02-26 大日本スクリーン製造株式会社 回転式基板処理装置
US5718763A (en) * 1994-04-04 1998-02-17 Tokyo Electron Limited Resist processing apparatus for a rectangular substrate
JP3102831B2 (ja) 1994-06-20 2000-10-23 大日本スクリーン製造株式会社 回転処理装置
JPH0878368A (ja) 1994-09-07 1996-03-22 Hitachi Ltd ワークの処理方法および装置
US6350319B1 (en) * 1998-03-13 2002-02-26 Semitool, Inc. Micro-environment reactor for processing a workpiece
TW357406B (en) 1996-10-07 1999-05-01 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for cleaning and drying a substrate
US6558478B1 (en) 1999-10-06 2003-05-06 Ebara Corporation Method of and apparatus for cleaning substrate
US6827814B2 (en) * 2000-05-08 2004-12-07 Tokyo Electron Limited Processing apparatus, processing system and processing method
JP3837017B2 (ja) 2000-12-04 2006-10-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び基板処理方法ならびに基板処理装置の洗浄方法
JP2002176026A (ja) * 2000-12-05 2002-06-21 Ses Co Ltd 枚葉式基板洗浄方法および枚葉式基板洗浄装置
JP3958539B2 (ja) * 2001-08-02 2007-08-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP4018958B2 (ja) * 2001-10-30 2007-12-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4074814B2 (ja) 2002-01-30 2008-04-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP3890025B2 (ja) 2003-03-10 2007-03-07 東京エレクトロン株式会社 塗布処理装置及び塗布処理方法
US7998308B2 (en) * 2006-04-18 2011-08-16 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus
US8479753B2 (en) * 2006-06-16 2013-07-09 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus and method
KR100979979B1 (ko) * 2006-07-26 2010-09-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치 및 액처리 방법

Also Published As

Publication number Publication date
DE602007003506D1 (de) 2010-01-14
CN101441991A (zh) 2009-05-27
US20070240824A1 (en) 2007-10-18
CN101441991B (zh) 2010-11-03
CN101060070B (zh) 2010-10-27
US7998308B2 (en) 2011-08-16
ATE450885T1 (de) 2009-12-15
EP1848025B1 (en) 2009-12-02
TW200802579A (en) 2008-01-01
KR20070103314A (ko) 2007-10-23
EP1848025A1 (en) 2007-10-24
KR101019445B1 (ko) 2011-03-07
CN101060070A (zh) 2007-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI362068B (zh)
TWI353632B (zh)
TWI381435B (zh) Liquid treatment device, liquid treatment method and memory media
TWI353015B (en) Liquid processing apparatus and method
TWI354344B (zh)
KR101215705B1 (ko) 도포 장치, 도포 방법, 도포ㆍ현상 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 매체
TWI374485B (zh)
TWI757316B (zh) 液體處理裝置及液體處理方法
JP4805003B2 (ja) 液処理装置
JP2007330927A (ja) 液処理装置および液処理方法
TW200807541A (en) Liquid processing apparatus
JP4933945B2 (ja) 液処理装置
JP4832176B2 (ja) 液処理装置および液処理方法
JP4804407B2 (ja) 液処理装置
JP5036415B2 (ja) 液処理装置および液処理方法
JP4912020B2 (ja) 液処理装置
JP4805051B2 (ja) 液処理装置
JP4369022B2 (ja) スピン処理装置
JP2008117971A (ja) 液処理装置
JP5375793B2 (ja) 液処理装置
JP2009218376A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5100863B2 (ja) 液処理装置
JP5667592B2 (ja) 基板処理装置
JP2003338480A (ja) スピン処理装置