JP2016534409A - 極端紫外光源用搬送システム - Google Patents
極端紫外光源用搬送システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016534409A JP2016534409A JP2016540905A JP2016540905A JP2016534409A JP 2016534409 A JP2016534409 A JP 2016534409A JP 2016540905 A JP2016540905 A JP 2016540905A JP 2016540905 A JP2016540905 A JP 2016540905A JP 2016534409 A JP2016534409 A JP 2016534409A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conduit
- opening
- openings
- free radicals
- source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
- H05G2/005—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas containing a metal as principal radiation generating component
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Toxicology (AREA)
Abstract
Description
Claims (22)
- 極端紫外(EUV)光源内の素子を清浄化する方法であって、
導管がフリーラジカルを通過させる材料を備え、前記導管が第1の開口から遠ざかって延伸し少なくとも1つの他の開口を定義する側壁を含み、前記少なくとも1つの他の開口が、前記側壁を貫通し、表面上にデブリを堆積する素子に向かって前記フリーラジカルを放出するように位置決めされているところ、前記導管の第1の端部により定義される前記第1の開口において、ターゲット混合物をEUV光を放出するプラズマに変換することにより創出された前記デブリと結合する前記フリーラジカルを受け取ることと、
前記導管内の前記フリーラジカルを前記少なくとも1つの他の開口に向かって誘導することと、
前記素子を前記EUV光源から取り外すことなく前記素子の前記表面から前記デブリを除去するために、前記フリーラジカルを前記少なくとも1つの他の開口を通過させて前記素子の前記表面に移すことと、
を備える、方法。 - 前記フリーラジカルは、エッチングにより前記素子の前記表面から前記デブリを除去する、請求項1に記載の方法。
- 前記側壁により定義される前記少なくとも1つの他の開口は、各々が前記側壁を貫通する異なる寸法の複数の開口を備え、前記フリーラジカルに前記少なくとも1つの他の開口を通過させることは前記フリーラジカルに前記複数の開口を通過させることを備える、請求項1に記載の方法。
- 前記側壁を貫通する前記複数の開口のうち最小のものは、前記第1の開口に最も近い開口であり、
前記側壁を貫通する前記複数の開口のうち最大のものは、前記第1の開口から最も遠い開口である、請求項3に記載の方法。 - 前記複数の開口の前記寸法は、前記複数の開口のうち前記最小のものと前記複数の開口のうち前記最大のものとの間で拡大する、請求項4に記載の方法。
- 前記デブリは、前記素子の前記表面から均一な速さで除去される、請求項1に記載の方法。
- 前記導管により定義される前記少なくとも1つの他の開口を前記素子に対して位置決めすることをさらに備える、請求項1に記載の方法。
- 前記導管により定義される前記少なくとも1つの他の開口を前記素子に対して位置決めすることは、前記少なくとも1つの他の開口を前記素子に対して移動させることを備える、請求項7に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの他の開口は、前記素子の外周に平行な平面内で移動される、請求項7に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの他の開口は、前記素子の外周を含む平面に対して回転される、請求項7に記載の方法。
- 前記導管内の前記フリーラジカルを前記少なくとも1つの他の開口に向かって誘導することは、フリーラジカル源と前記少なくとも1つの他の開口との間に圧力差を作り出すことを備え、
前記少なくとも1つの他の開口は、前記フリーラジカル源よりも低い圧力及び前記導管の外側の領域よりも高い圧力にある、請求項1に記載の方法。 - 増幅光ビームを生成する源と、
真空チャンバと、
プラズマに変換されたときに極端紫外光を放出する材料を備えたターゲット材を、前記真空チャンバ内の、前記増幅光ビームを受光するターゲット位置に向かって誘導する、ターゲット材送達システムと、
前記放出された極端紫外光を集光及び反射するコレクタと、
を有する、極端紫外光源と、
フリーラジカルを通過させる材料を備える導管であって、前記導管は、前記導管の第1の端部により定義される第1の開口と、前記導管の側壁により定義される少なくとも1つの他の開口と、を定義し、前記導管の前記側壁は、前記真空チャンバの壁を貫通し、前記第1の開口が前記真空チャンバの外部にあり、前記少なくとも1つの他の開口が前記真空チャンバの内側にあって前記コレクタに向かって配向されている状態で位置決めされている、導管
を有する、ラジカル搬送システムと、
を備える、システム。 - 前記ラジカル搬送システムは、フリーラジカル源をさらに備える、請求項12に記載のシステム。
- 前記少なくとも1つの他の開口は、前記側壁により定義され前記側壁を貫通する複数の開口を備える、請求項12に記載のシステム。
- 前記開口は、前記導管により定義される長手軸に平行な経路に沿って互いに間隔をあけられる、請求項14に記載のシステム。
- 前記開口は、異なる寸法を有し、
前記複数の開口のうち最小のものは、前記導管の前記第1の端部に最も近く、
前記複数の開口のうち最大のものは、前記導管の前記第1の端部から最も遠い、請求項14に記載のシステム。 - 前記導管は、前記複数の開口の各々が前記真空チャンバの内側にあり前記コレクタに向かって配向されるように位置決めされる、請求項14に記載のシステム。
- 前記導管は、前記増幅光ビームの伝播経路の外側に位置決めされる、請求項12に記載のシステム。
- 前記導管は、前記コレクタに対して移動する、請求項12に記載のシステム。
- 前記ラジカル搬送システムは、複数の導管を備える、請求項12に記載のシステム。
- 増幅光ビームを生成する源と、
真空チャンバと、
プラズマに変換されたときに極端紫外光を放出する材料を備えたターゲット材を、前記真空チャンバ内の、前記増幅光ビームを受光するターゲット位置に向かって誘導する、ターゲット材送達システムと、
前記真空チャンバの内側の、前記プラズマの経路中にあるコレクタであって、前記放出された極端紫外光及びデブリを受け取り反射する、コレクタと、
を有する、極端紫外光源と、
フリーラジカルを通過させる材料を備える導管であって、前記導管は前記導管の第1の端部により定義される第1の開口と、前記導管の側壁により定義される少なくとも1つの他の開口と、を定義し、前記導管の前記側壁は、前記真空チャンバから前記コレクタを取り外すことなく前記デブリを前記コレクタから一定の速さで除去するために、前記真空チャンバの壁を貫通し、前記フリーラジカルを前記コレクタへと誘導する、導管
を有する、ラジカル搬送システムと、
を備える、システム。 - 前記導管の前記側壁は、少なくとも0.8メートルの長手方向の大きさを有する、請求項21に記載のシステム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/022,026 US9560730B2 (en) | 2013-09-09 | 2013-09-09 | Transport system for an extreme ultraviolet light source |
US14/022,026 | 2013-09-09 | ||
PCT/US2014/052177 WO2015034687A1 (en) | 2013-09-09 | 2014-08-21 | Transport system for an extreme ultraviolet light source |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019171576A Division JP6864725B2 (ja) | 2013-09-09 | 2019-09-20 | 極端紫外光源用搬送システム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016534409A true JP2016534409A (ja) | 2016-11-04 |
Family
ID=52624604
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016540905A Pending JP2016534409A (ja) | 2013-09-09 | 2014-08-21 | 極端紫外光源用搬送システム |
JP2019171576A Active JP6864725B2 (ja) | 2013-09-09 | 2019-09-20 | 極端紫外光源用搬送システム |
JP2021041521A Active JP7153753B2 (ja) | 2013-09-09 | 2021-03-15 | 極端紫外光源用搬送システム |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019171576A Active JP6864725B2 (ja) | 2013-09-09 | 2019-09-20 | 極端紫外光源用搬送システム |
JP2021041521A Active JP7153753B2 (ja) | 2013-09-09 | 2021-03-15 | 極端紫外光源用搬送システム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9560730B2 (ja) |
JP (3) | JP2016534409A (ja) |
KR (1) | KR102281016B1 (ja) |
CN (1) | CN105580117B (ja) |
TW (1) | TWI666974B (ja) |
WO (1) | WO2015034687A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021513097A (ja) * | 2018-02-13 | 2021-05-20 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Euvチャンバにおける構造物表面の洗浄 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9557650B2 (en) | 2013-09-09 | 2017-01-31 | Asml Netherlands B.V. | Transport system for an extreme ultraviolet light source |
US9776218B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-10-03 | Asml Netherlands B.V. | Controlled fluid flow for cleaning an optical element |
US9888554B2 (en) * | 2016-01-21 | 2018-02-06 | Asml Netherlands B.V. | System, method and apparatus for target material debris cleaning of EUV vessel and EUV collector |
US10606180B2 (en) | 2017-03-08 | 2020-03-31 | Asml Netherlands B.V. | EUV cleaning systems and methods thereof for an extreme ultraviolet light source |
KR20200133126A (ko) | 2019-05-17 | 2020-11-26 | 삼성전자주식회사 | 소스 용기용 잔류물 제거 장치 |
CN116088275A (zh) * | 2021-11-05 | 2023-05-09 | 邱俊荣 | 半导体工艺设备的清洁方法及清洁系统 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08279468A (ja) * | 1995-04-05 | 1996-10-22 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法 |
JP2000144421A (ja) * | 1998-11-09 | 2000-05-26 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置および成膜方法 |
JP2004200686A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-15 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2006202671A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Ushio Inc | 極端紫外光光源装置及び極端紫外光光源装置で発生するデブリの除去方法 |
JP2009510714A (ja) * | 2005-06-13 | 2009-03-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置およびそのためのクリーニング方法 |
JP2009517880A (ja) * | 2005-12-02 | 2009-04-30 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 洗浄デバイスを含むリソグラフィ装置、および光学エレメントを洗浄するための方法 |
JP2010538420A (ja) * | 2007-08-31 | 2010-12-09 | サイマー インコーポレイテッド | レーザ生成プラズマeuv光源のためのガス管理システム |
JP2011230053A (ja) * | 2010-04-27 | 2011-11-17 | Canon Inc | 洗浄装置、および洗浄方法 |
JP2012169580A (ja) * | 2010-03-18 | 2012-09-06 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置 |
JP2012256944A (ja) * | 2012-09-20 | 2012-12-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | 光学面から汚染層を除去するための方法、洗浄ガスを生成するための方法、ならびに対応する洗浄および洗浄ガス生成の構造 |
JP2013004369A (ja) * | 2011-06-17 | 2013-01-07 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1469629A (fr) | 1966-01-07 | 1967-02-17 | Centre Nat Rech Scient | Perfectionnements apportés aux moyens pour produire un écoulement permanent de plasma |
US4687544A (en) * | 1985-05-17 | 1987-08-18 | Emergent Technologies Corporation | Method and apparatus for dry processing of substrates |
JP2595894B2 (ja) * | 1994-04-26 | 1997-04-02 | 日本電気株式会社 | 水素ラジカル発生装置 |
US6263830B1 (en) | 1999-04-12 | 2001-07-24 | Matrix Integrated Systems, Inc. | Microwave choke for remote plasma generator |
US7491954B2 (en) | 2006-10-13 | 2009-02-17 | Cymer, Inc. | Drive laser delivery systems for EUV light source |
US6868856B2 (en) * | 2001-07-13 | 2005-03-22 | Applied Materials, Inc. | Enhanced remote plasma cleaning |
US6738452B2 (en) | 2002-05-28 | 2004-05-18 | Northrop Grumman Corporation | Gasdynamically-controlled droplets as the target in a laser-plasma extreme ultraviolet light source |
US7732789B2 (en) * | 2004-07-22 | 2010-06-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical system having a cleaning arrangement |
US7355191B2 (en) | 2004-11-01 | 2008-04-08 | Cymer, Inc. | Systems and methods for cleaning a chamber window of an EUV light source |
WO2006136967A2 (en) * | 2005-06-21 | 2006-12-28 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Method of cleaning optical surfaces of an irradiation unit in a two-step process |
KR100903177B1 (ko) * | 2005-09-16 | 2009-06-17 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 전기 방전 제너레이터를 포함하는 리소그래피 장치 및리소그래피 장치의 요소의 세정 방법 |
US7504643B2 (en) * | 2005-12-22 | 2009-03-17 | Asml Netherlands B.V. | Method for cleaning a lithographic apparatus module, a cleaning arrangement and a lithographic apparatus comprising the cleaning arrangement |
DE102008028868A1 (de) * | 2008-06-19 | 2009-12-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Optische Baugruppe |
JP2010062422A (ja) * | 2008-09-05 | 2010-03-18 | Ushio Inc | 極端紫外光光源装置 |
JP5329265B2 (ja) * | 2009-03-09 | 2013-10-30 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
US20120212136A1 (en) | 2009-08-27 | 2012-08-23 | Mosaic Crystals Ltd. | Penetrating plasma generating apparatus for high vacuum chambers |
US8872142B2 (en) | 2010-03-18 | 2014-10-28 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generation apparatus |
US8633459B2 (en) | 2011-03-02 | 2014-01-21 | Cymer, Llc | Systems and methods for optics cleaning in an EUV light source |
US9516730B2 (en) | 2011-06-08 | 2016-12-06 | Asml Netherlands B.V. | Systems and methods for buffer gas flow stabilization in a laser produced plasma light source |
JP5846572B2 (ja) * | 2011-07-27 | 2016-01-20 | ギガフォトン株式会社 | チャンバ装置、極端紫外光生成装置および極端紫外光生成装置の制御方法 |
US20130068161A1 (en) * | 2011-09-15 | 2013-03-21 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery and distribution for uniform process in linear-type large-area plasma reactor |
JP5876711B2 (ja) * | 2011-11-17 | 2016-03-02 | ギガフォトン株式会社 | チャンバ装置および極端紫外光生成装置 |
JP2013135033A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置 |
JP6034598B2 (ja) * | 2012-05-31 | 2016-11-30 | ギガフォトン株式会社 | Euv光生成装置の洗浄方法 |
US9989758B2 (en) * | 2013-04-10 | 2018-06-05 | Kla-Tencor Corporation | Debris protection system for reflective optic utilizing gas flow |
-
2013
- 2013-09-09 US US14/022,026 patent/US9560730B2/en active Active
-
2014
- 2014-08-20 TW TW103128618A patent/TWI666974B/zh active
- 2014-08-21 CN CN201480049748.9A patent/CN105580117B/zh active Active
- 2014-08-21 JP JP2016540905A patent/JP2016534409A/ja active Pending
- 2014-08-21 KR KR1020167008615A patent/KR102281016B1/ko active IP Right Grant
- 2014-08-21 WO PCT/US2014/052177 patent/WO2015034687A1/en active Application Filing
-
2019
- 2019-09-20 JP JP2019171576A patent/JP6864725B2/ja active Active
-
2021
- 2021-03-15 JP JP2021041521A patent/JP7153753B2/ja active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08279468A (ja) * | 1995-04-05 | 1996-10-22 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法 |
JP2000144421A (ja) * | 1998-11-09 | 2000-05-26 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置および成膜方法 |
JP2004200686A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-15 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2006202671A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Ushio Inc | 極端紫外光光源装置及び極端紫外光光源装置で発生するデブリの除去方法 |
JP2009510714A (ja) * | 2005-06-13 | 2009-03-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置およびそのためのクリーニング方法 |
JP2009517880A (ja) * | 2005-12-02 | 2009-04-30 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 洗浄デバイスを含むリソグラフィ装置、および光学エレメントを洗浄するための方法 |
JP2010538420A (ja) * | 2007-08-31 | 2010-12-09 | サイマー インコーポレイテッド | レーザ生成プラズマeuv光源のためのガス管理システム |
JP2012169580A (ja) * | 2010-03-18 | 2012-09-06 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置 |
JP2011230053A (ja) * | 2010-04-27 | 2011-11-17 | Canon Inc | 洗浄装置、および洗浄方法 |
JP2013004369A (ja) * | 2011-06-17 | 2013-01-07 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置 |
JP2012256944A (ja) * | 2012-09-20 | 2012-12-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | 光学面から汚染層を除去するための方法、洗浄ガスを生成するための方法、ならびに対応する洗浄および洗浄ガス生成の構造 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021513097A (ja) * | 2018-02-13 | 2021-05-20 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Euvチャンバにおける構造物表面の洗浄 |
JP7340524B2 (ja) | 2018-02-13 | 2023-09-07 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | Euvチャンバにおける構造物表面の洗浄 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150069273A1 (en) | 2015-03-12 |
KR102281016B1 (ko) | 2021-07-23 |
WO2015034687A1 (en) | 2015-03-12 |
CN105580117A (zh) | 2016-05-11 |
KR20160054521A (ko) | 2016-05-16 |
TWI666974B (zh) | 2019-07-21 |
JP2021099526A (ja) | 2021-07-01 |
JP2020016894A (ja) | 2020-01-30 |
JP7153753B2 (ja) | 2022-10-14 |
US9560730B2 (en) | 2017-01-31 |
TW201515521A (zh) | 2015-04-16 |
CN105580117B (zh) | 2021-07-23 |
JP6864725B2 (ja) | 2021-04-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6864725B2 (ja) | 極端紫外光源用搬送システム | |
US10232413B2 (en) | Controlled fluid flow for cleaning an optical element | |
US8368039B2 (en) | EUV light source glint reduction system | |
US9557650B2 (en) | Transport system for an extreme ultraviolet light source | |
US9516730B2 (en) | Systems and methods for buffer gas flow stabilization in a laser produced plasma light source | |
US8847183B2 (en) | System, method and apparatus for laser produced plasma extreme ultraviolet chamber with hot walls and cold collector mirror | |
JP2021501907A (ja) | 極端紫外線光源のチャンバ内の光学系の表面の洗浄 | |
JP2022532840A (ja) | 極端紫外光源の保護システム | |
WO2020183550A1 (ja) | スズトラップ装置、極端紫外光生成装置、及び電子デバイスの製造方法 | |
JPWO2020100269A1 (ja) | 極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170530 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180313 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180322 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180612 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181119 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190212 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20190528 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20190920 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20200309 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20200413 |
|
C23 | Notice of termination of proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C23 Effective date: 20200727 |
|
C03 | Trial/appeal decision taken |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C03 Effective date: 20200826 |
|
C30A | Notification sent |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C3012 Effective date: 20200826 |