TWI666974B - 用於在一極紫外光源中清潔一元件之方法、極紫外光源系統及用於極紫外光源之基傳送系統 - Google Patents

用於在一極紫外光源中清潔一元件之方法、極紫外光源系統及用於極紫外光源之基傳送系統 Download PDF

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Abstract

與將一標靶混合物轉換至發射EUV光的電漿所生成之碎屑作組合之自由基係被接收於由一導管的一第一端所界定之一第一開口處，導管係包括一使自由基通過之材料，且導管包括一延伸遠離第一開口且界定至少另一開口之側壁，至少另一係被定位以將自由基釋放朝向一在一表面上累積碎屑之元件。導管中的自由基被導引朝向至少另一開口。自由基係穿過至少另一開口並來到元件的表面以從元件的表面移除碎屑而不從EUV光源移除元件。

Description

用於在一極紫外光源中清潔一元件之方法、極紫外光源系統及用於極 紫外光源之基傳送系統
所揭露的標的物係有關一用於一極紫外光源之傳送系統。
背景
極紫外(EUV)光，譬如具有約50nm或更小波長的電磁輻射(有時亦稱為軟x射線)，且包括約13nm波長的光，係可使用於光微影術程序中以在例如矽晶圓等基材中產生極小的形貌體。
生成EUV光之方法係包括但未必限於轉換一材料，該材料具有一在一電漿狀態中擁有位於EUV範圍中的一發射線之譬如氙、鋰或錫等元素。在一種常稱為雷射生成式電漿(LPP)的如是方法中，可藉由一稱為驅動雷射的經放大光束輻照例如呈現一微滴、板、卷帶、流束或叢簇材料形式的一標靶材料，藉以生成所需要的電漿。對於此程序，電漿典型係在一例如真空腔室等密封容器中產生，並利用不同類型的量測術設備予以監測
在一一般形態中，一用於在一極紫外(EUV)光源中清潔一元件之方法係包括在由一導管的一第一端所界定 之一第一開口處接收與將一標靶混合物轉換至發射EUV光的電漿所生成之碎屑作組合之自由基，導管係包括一使自由基通過之材料，且導管包括一延伸遠離第一開口且界定至少另一開口之側壁，至少另一開口係穿過側壁並被定位以將自由基釋放朝向一在一表面上累積碎屑之元件；將導管中的自由基導引朝向至少另一開口；及使自由基穿過至少另一開口並來到元件的表面以從元件的表面移除碎屑而不從EUV光源移除元件。
實行方式係可包括下列特徵構造的一或多者。自由基可藉由蝕刻從元件的表面移除碎屑。
由側壁所界定的至少另一開口係可為具有不同尺寸的複數個開口，其各穿過側壁，且使自由基穿過至少另一開口係可包括使自由基穿過複數個開口。穿過側壁之複數個開口的最小者係可為最靠近第一開口之開口，且穿過側壁之複數個開口的最大者係可為最遠離第一開口之開口。複數個開口的尺寸係可在複數個開口的最小者及複數個開口的最大者之間增大。
碎屑可以一均勻速率從元件的表面被移除。
由導管所界定的至少另一開口可相對於元件被定位。使由導管所界定的至少另一開口相對於元件被定位係可包括使至少另一開口相對於元件移動。至少另一開口可在一平行於元件的一周邊之平面中被移動。至少另一開口可相對於一包括元件的一周邊之平面被旋轉。
導管中的自由基可藉由生成一自由基源與至少 另一開口之間的一壓力差而被導引朝向至少另一開口，其中至少另一開口係處於比起自由基源更低的一壓力及比起導管外側的一區更高的一壓力。
在另一一般形態中，一系統係包括一極紫外光源，其包括一用以產生一經放大光束之源；一真空腔室；一標靶材料輸送系統，其將標靶材料導引朝向真空腔室中的一標靶區位，標靶區位接收經放大光束，且標靶材料包括一當轉換至電漿時發射極紫外光之材料；及一收集器，其接收及反射經發射的極紫外光。系統亦包括一基傳送系統，其包括一導管，其包括一使自由基通過之材料，導管界定由導管的一第一端所界定之一第一開口及由導管的一側壁所界定之至少另一開口，導管的側壁係穿過真空腔室的一壁且被定位以第一開口位於真空腔室外部且至少另一開口位於真空腔室內側且被定向朝向收集器。
實行方式可包括下列特徵構造的一或多者。
基傳送系統亦可包括一自由基源。
基傳送系統亦可包括複數個導管。
至少另一開口可包括由側壁所界定且穿過側壁之複數個開口。開口可沿著一平行於由導管所界定的一縱軸線之路徑而彼此分隔。開口可具有不同尺寸，複數個開口的最小者可最靠近導管的第一端，且複數個開口的最大者可最遠離導管的第一端。導管可被定位以使複數個開口的各者位於真空腔室內側且被定向朝向收集器。
導管可被定位於經放大光束的一傳播路徑外側。 導管可組構以相對於收集器移動。
在另一一般形態中，一系統係包括一極紫外光源，其包括一產生一經放大光束之源；一真空腔室；一標靶材料輸送系統，其將標靶材料導引朝向真空腔室中的一標靶區位，標靶區位接收經放大光束，且標靶材料包括一當轉換至電漿時發射極紫外光之材料；及一收集器，其位於真空腔室內側及電漿的路徑中，收集器係接收及反射經發射的極紫外光及碎屑。系統亦包括一基傳送系統，其包括一導管，其包括一使自由基通過之材料，導管界定由導管的一第一端所界定之一第一開口及由導管的一側壁所界定之至少另一開口，導管的側壁係穿過真空腔室的一壁且組構以將自由基導引至收集器以一恆定速率從收集器移除碎屑而不從真空腔室移除收集器。
實行方式可具有導管的一側壁，其具有至少0.8公尺的一縱範圍。
上述技術的任一者之實行方式係可包括一用於一雷射生成式電漿EUV光源之傳送系統，一EUV光源，一用於翻新一EUV光源之系統，一方法，一程序，一裝置，儲存在一電腦可讀取式媒體中的可執行指令，或一裝備。一或多個實行方式的細節係在附圖與下文描述中提供。將從描述與圖式及申請專利範圍得知其他的特徵構造。
100‧‧‧LPP EUV光源
105‧‧‧標靶區位
107‧‧‧真空腔室130的內部
110‧‧‧經放大光束
114‧‧‧標靶混合物
115,180‧‧‧驅動雷射系統
120‧‧‧束傳送系統
122‧‧‧聚焦總成
124‧‧‧量測術系統
125‧‧‧標靶材料輸送系統
126‧‧‧標靶材料輸送控制系統
127‧‧‧標靶材料供應裝備
130‧‧‧真空腔室
135‧‧‧收集器面鏡
140,197,1019‧‧‧開孔
145‧‧‧中間區位
150‧‧‧開端式中空圓錐形罩套
155‧‧‧主控制器
156‧‧‧微滴位置偵測回饋系統
157‧‧‧雷射控制系統
158‧‧‧束控制系統
160‧‧‧標靶或微滴成像器
165,170‧‧‧光源偵測器
175‧‧‧引導雷射
181,182,183‧‧‧功率放大器
184,191‧‧‧光
185,190,194‧‧‧輸出窗口
186,188‧‧‧彎曲狀面鏡
187‧‧‧空間性濾器
189,193‧‧‧輸入窗口
192,196‧‧‧摺疊面鏡
195‧‧‧輸出束
200,300,900,1000,1100‧‧‧自由基傳送系統
205,305,905‧‧‧自由基
207,307,308,309,707,807,907‧‧‧方向
210,310‧‧‧源
220,320,920,1020,1120‧‧‧元件
222‧‧‧表面
224,324,1024‧‧‧碎屑
226,326‧‧‧距離
228‧‧‧經清潔區
230,330,1030,1130‧‧‧容器
232‧‧‧內部
234‧‧‧經密封開口或埠
236‧‧‧壁
250,350,550,650,750,850,950a-950g,1050a,1050b,1150‧‧‧導管
252,254,352,354a-354l,552,554a-554p,652,654a-654s,752,754,852,854,954a-954l,1054a-1054k‧‧‧開口
256‧‧‧側壁
258‧‧‧內部
321a,321b‧‧‧區
322‧‧‧表面
327‧‧‧周邊或邊緣
328‧‧‧刈幅
329a-329l‧‧‧突部
332‧‧‧內部
336‧‧‧側壁
340‧‧‧定位機構
356‧‧‧導管350的壁
359,559,659,759,859‧‧‧縱軸線
359,873‧‧‧軸線
400‧‧‧程序
410,420,430‧‧‧步驟
556,656,756,856‧‧‧外表面
560,660,760,860‧‧‧源端
561,661,761,861‧‧‧容器端
563,759‧‧‧縱範圍
564,664,764,864‧‧‧直徑
565,665,765,865‧‧‧內表面
566,666,766,866‧‧‧外緣
567,657,667,767,867‧‧‧壁
663,763,874‧‧‧範圍
667‧‧‧側壁
767‧‧‧側壁
870‧‧‧曲率半徑
871,1080a,1080b‧‧‧線性部分
872,1081,1081a,1081b‧‧‧彎曲狀部分
950‧‧‧歧管
1010a,1010b,1110‧‧‧自由基源
1022‧‧‧表面
1027‧‧‧邊緣
1032‧‧‧內部
1132‧‧‧內部
A‧‧‧縱軸線859與軸線873之間的角度
t1,t2,t3‧‧‧時間
圖1A是一範例雷射生成式電漿極紫外光源之方塊圖； 圖1B是可使用於圖1A的光源中之一驅動雷射系統的一範例之方塊圖；圖2A至2C顯示一範例自由基傳送系統在三個不同時間之側視圖；圖3A顯示另一範例自由基傳送系統之方塊圖的側視圖；圖3B顯示圖3A的系統沿著線3B-3B所取之平面圖；圖3C顯示圖3A的系統沿著線3C-3C所取之平面圖；圖4是一用於清潔一真空腔室內側的一元件之範例程序的流程圖；圖5至7及8A顯示用於傳送自由基之範例導管的立體圖；圖8B顯示另一範例自由基傳送系統之側視圖；圖9A顯示另一範例自由基傳送系統之側視圖；圖9B顯示圖9A的系統沿著線9B-9B所取之平面圖；圖10A顯示另一範例自由基傳送系統之平面圖；圖10B顯示使用於圖10A的系統中之一導管的立體圖；圖11顯示另一範例自由基傳送系統之平面圖。
描述
係揭露用於將自由基(或基)輸送至一元件之技術。自由基係與元件的一表面上所收集之碎屑作組合，藉此從表面移除碎屑且清潔該元件。自由基以一自由基傳送系統被輸送至元件，其容許元件被清潔而不從其操作環境予以移除。
一自由基係為一原子、分子或離子，其具有一不成對的價電子或一開放電子殼，且因此可被看成具有一懸置共價鍵。懸置鍵可使得自由基具有高度化學反應性，亦即，一自由基可易與其他物質起反應。因為其反應性本質，自由基可用來從一物體移除一物質(諸如碎屑)。自由基可例如藉由蝕刻、與碎屑起反應及/或燃燒碎屑而移除碎屑。
在一雷射生成式電漿(LPP)極紫外(EUV)光源中，一標靶混合物係以一經放大光束被輻照並轉換至發射EUV光之電漿。電漿產生程序亦可產生粒子、蒸氣殘留物、或位於標靶混合物中的物質塊件形式之碎屑。此碎屑可在電漿路徑中累積於物體的表面上。例如，標靶混合物可包括熔融金屬諸如錫，且錫粒子可累積在一位於電漿路徑中之收集器表面上。
錫碎屑存在係會降低收集器面鏡的效能，因此面鏡作清潔係會有益於系統效能。然而，收集器面鏡(及/或電漿路徑中的其他元件)係以一特定光學對準被定位於一真空腔室內側。從EUV光源移除收集器面鏡以供清潔係會導致損失的系統時間。本文揭露的傳送系統係將自由基從自 由基源輸送至一位於真空腔室內側之元件。藉由將自由基輸送至收集器面鏡、或受碎屑影響之EUV光源中的其他元件，元件可藉由曝露於自由基受到清潔而不從EUV光源被移除。
自由基可例如藉由一微波電漿產生器所產生。然而，因為自由基可易與許多材料、特別是金屬作組合，將基從一產生點傳送至與自由基源分離之一位於一較大系統(諸如一EUV光源)內側之供清潔的區位係會具有挑戰性。
如下文所討論，藉由形成由一不易與自由基作組合的材料製成且具有一容許傳送系統跨越源與待清潔元件之間的一距離之幾何結構之一傳送系統同時亦促進自由基運動，自由基可從一外部自由基源輸送一待清潔元件，而不使待清潔元件重新移置至自由基源之區位。亦即，元件可受到清潔而不從其操作環境被移除。
在討論自由基傳送系統之前先討論UV光源。
參照圖1A，顯示一LPP EUV光源100。LPP EUV光源100包括一自由基傳送系統200。傳送系統200顯示成身為源100的部份。然而，傳送系統200可從源100被移除及重新插入。在討論自由基傳送系統200之前先討論EUV光源100。自由基傳送系統200從圖2A開始作更詳細討論。
LPP EUV光源100係由在一標靶區位105以沿著一束路徑移行朝向標靶混合物114之一經放大光束110輻照一標靶混合物114而形成。亦稱為輻照部位的標靶區位105係位於一真空腔室130的一內部107內。當經放大光束110打 擊標靶混合物114時，標靶混合物114內的一標靶材料被轉換成一電漿狀態，其具有一元件擁有位於EUV範圍內的一發射線。所生成的電漿具有依據標靶混合物114內之標靶材料的組成物而定之特定特徵。這些特徵可包括電漿所產生之EUV光的波長及從電漿釋放之碎屑的量。
光源100亦包括一標靶材料輸送系統125，其係以液體微滴、一液體流束、固體粒子或叢簇、液體微滴內含的固體粒子或一液體流束內含的固體粒子之形式輸送、控制及導引標靶混合物114。標靶混合物114包括標靶材料，例如水、錫、鋰、氙、或當轉換至一電漿狀態時具有位於EUV範圍內的一發射線之任何材料。例如，元素錫可用來作為純錫(Sn)；作為一錫化合物，例如SnBr4、SnBr2、SnH4；作為一錫合金，例如錫-鎵合金、錫-銦合金、錫-銦-鎵合金、或這些合金的任一組合。標靶混合物114亦可包括諸如非標靶粒子等雜質。因此，在沒有雜質的情形中，標靶混合物114僅由標靶材料構成。標靶混合物114被標靶材料輸送系統125輸送至腔室130的內部107中且輸送至標靶區位105。
光源100係包括一驅動雷射系統115，其由於雷射系統115的一或多個增益媒體內之一居量反轉(population inversion)而產生經放大光束110。光源100包括雷射系統115與標靶區位105之間的一束輸送系統，束輸送系統包括一束傳送系統120及一聚焦總成122。束輸送系統120從雷射系統115接收經放大光束110，並依需要操控及修改經放大光束110且將經放大光束110輸出至聚焦總成122。聚焦總成122 接收經放大光束110且將束110聚焦至標靶區位105。
在部分實行方式中，雷射系統115可包括一或多個光學放大器、雷射、及/或燈，以供提供一或多個主脈衝及在部分實例中提供一或多個預脈衝。各光學放大器係包括一能夠以一高增益光學放大所欲波長之增益媒體、一激勵源、及內部光學件。光學放大器可具有或不具有用以形成一雷射腔穴之雷射面鏡或其他回饋裝置。因此，縱使沒有雷射腔穴，由於雷射放大器的增益媒體中之居量反轉，雷射系統115產生一經放大光束110。並且，若具有一雷射腔穴以提供足夠回饋至雷射系統115，雷射系統115可產生一身為同調性雷射束的經放大光束110。“經放大光束”用語係涵蓋下列的一或多者：僅被放大但未必為同調性雷射振盪之來自雷射系統115的光，以及被放大且亦身為同調性雷射振盪之來自雷射系統115的光。
雷射系統115中的光學放大器可包括一充填氣體作為一增益媒體，其包括CO2並可以大於或等於100的增益放大介於約9100與約11000nm之間且特別是約10600nm波長的光。供雷射系統115中使用之適當的放大器及雷射係可包括一脈衝式雷射裝置，例如一脈衝式氣體放電CO2雷射裝置，其以例如10kW或更高的相對高功率及例如40kHz或更大的高脈衝重覆率操作例如以DC或RF激勵產生約9300nm或約10600nm的輻射。雷射系統115中的光學放大器亦可包括一冷卻系統、諸如水，其可在以較高功率操作雷射系統115時使用。
圖1B顯示一範例驅動雷射系統180的方塊圖。驅動雷射系統180可用來作為源100中的驅動雷射系統115。驅動雷射系統180係包括三個功率放大器181、182及183。功率放大器181、182及183的任一者或全部係可包括內部光學元件(未圖示)。
光184自功率放大器181離開經過一輸出窗口185並被反射離開一彎曲狀面鏡186。在反射之後，光184穿過一空間性濾器187，被反射離開一彎曲狀面鏡188，且經過一輸入窗口189進入功率放大器182。光184在功率放大器182中被放大且經過一輸出窗口190被重新導引出功率放大器182外成為光191。光191以一摺疊面鏡192被導引朝向放大器183並經過一輸入窗口193進入放大器183。放大器183係放大光191並經過一輸出窗口194將光191導引出放大器183外成為一輸出束195。一摺疊面鏡196將輸出束195往上導引(至頁面外)並朝向束傳送系統120。
空間性濾器187係界定一開孔197，其可例如為一具有約2.2mm與3mm之間直徑之圓形。彎曲狀面鏡186及188可例如為分別約有1.7m及2.3m焦長度之偏離軸線拋物面鏡。空間性濾器187可被定位以使開孔197重合於驅動雷射系統180的一焦點。
再度參照圖1A，光源100係包括一收集器面鏡135，收集器面鏡135具有一開孔140，以容許經放大光束110通過並抵達標靶區位105。收集器面鏡135可例如為一橢面面鏡，其具有一位於標靶區位105之主要焦點及一位於一中 間區位145之次要焦點(亦稱為中間焦點)，其中EUV光可從光源100輸出且可例如輸入至一積體電路微影術工具(未圖示)。光源100亦可包括一開端式中空圓錐形罩套150(譬如一氣體圓錐)，其從收集器面鏡135推拔朝向標靶區位105以將進入聚焦總成122及/或束傳送系統120之由電漿產生的碎屑量予以降低，同時容許經放大光束110抵達標靶區位105。基於此目的，可在罩套中提供一被導引朝向標靶區位105之氣流。
光源100亦可包括一主控制器155，其連接至一微滴位置偵測回饋系統156、一雷射控制系統157、及一束控制系統158。光源100可包括一或多個標靶或微滴成像器160，其提供一用以指示一微滴例如相對於標靶區位105的位置之輸出並將此輸出提供至微滴位置偵測回饋系統156，其可例如運算一微滴位置及軌跡，可自其以逐一微滴基礎抑或平均地運算一微滴位置誤差。微滴位置偵測回饋系統156因此以微滴位置誤差作為一輸入提供至主控制器155。主控制器155可因此例如將一雷射位置、方向及選時修正信號提供至雷射控制系統157，其可例如用來控制雷射選時電路及/或束控制系統158，以控制束傳送系統120的一經放大光束位置及定形以改變腔室130內之束焦斑的區位及/或焦度。
標靶材料輸送系統125係包括一標靶材料輸送控制系統126，其能夠回應於來自主控制器155的一信號而操作，以例如修改微滴被一標靶材料供應裝備127釋放時的釋放點以修正抵達所欲標靶區位105的微滴中之誤差。
此外，光源100可包括光源偵測器165及170，其測量一或多個EUV光參數，包括但不限於脈衝能量，身為波長的函數之能量分配，波長的一特定帶內之能量，位於波長的一特定帶外之能量，及EUV強烈度(intensity)的角度性分佈及/或平均功率(average power)。光源偵測器165產生一回饋信號以被主控制器155使用。回饋信號可例如指示出諸如雷射脈衝的選時及聚焦等參數中之誤差，以在對的地點及時間妥當地攔截微滴以供有效且有效率的EUV光生成。
光源100亦可包括一引導雷射175，其可用來對準光源100的不同段或是輔助將經放大光束110操控至標靶區位105。連同引導雷射175，光源100係包括一量測術系統124，其被放置於聚焦總成122內以從引導雷射175及經放大光束110取樣光的一部分。在其他實行方式中，量測術系統124係被放置於束傳送系統120內。量測術系統124可包括一光學元件，其取樣或重新導引一次組的光，如是的光學元件係由可承受引導雷射束及經放大光束110的功率之任何材料構成。由於主控制器155分析從引導雷射175所取樣的光並經由束控制系統158利用此資訊來調整聚焦總成122內的組件，一束分析系統係由量測術系統124及主控制器155形成。
因此，綜言之，光源100產生一沿著束路徑被導引以在標靶區位105輻照標靶混合物114之經放大光束110，以將標靶混合物114內的標靶材料轉換成用以發射位於 EUV範圍的光之電漿。經放大光束110以雷射系統115的設計及性質為基礎所決定之一特定波長(其亦稱為一源波長)操作。此外，當標靶材料將足夠的回饋提供回到雷射系統115中以產生同調性雷射光時或者若驅動雷射系統115包括適當光學回饋以形成一雷射腔穴，經放大光束110係可為一雷射束。
圖2A至2C顯示一範例自由基傳送系統200分別在三個不同時間t1、t2及t3之方塊圖。時間t1是最早時間，時間t2發生於時間t1後，且時間t3發生於時間t2後。自由基傳送系統200將自由基205輸送至一位於一容器230內側之元件220。自由基傳送系統200亦顯示於圖1A。
自由基傳送系統200包括一導管250，其連接至自由基205的一源210。自由基205係流入由導管250所界定之一開口252中且沿著一方向207移行於導管250中。導管250亦界定另一開口254，其穿過導管250的一側壁256以提供導管250的一內部258與容器230的內部232之間的一通道。容器230可為一真空腔室，諸如上文討論的真空腔室130。元件220可為曝露於容器230的內部232中所產生的碎屑之任何元件。元件220可為位於內部232中所產生電漿的路徑中之一光學元件。例如，元件220可為一收集器面鏡，諸如圖1A的收集器面鏡135。
參照圖2A，自由基205在方向207從一源210移行經過導管250並經過開口254離開進入內部232中。開口254被定位以使基205在經過開口254離開之後流到元件220。例 如，開口254可被定位以面對元件220的一表面222。開口254被定位以相距表面222呈一距離226。距離226可例如為15至30cm。在所顯示範例中，導管250包括一額外的開口254，然而，在其他實行方式中，諸如圖3A至3C及5至11所示者，複數個開口形成於導管中。
元件220位居容器230的一內部232中。導管250係穿過容器230的一壁236中之一經密封開口或埠234。因此，導管250將自由基205從外部源210傳送至元件220。自由基205經過開口254離開導管250並通入內部232中。
參照圖2B，基205抵達位於表面222上的碎屑224。繼續描述元件220位於內部232中所產生的電漿路徑中之範例，碎屑224可為源自於從一用以產生電漿的標靶混合物所形成的蒸氣、離子、粒子及/或叢簇之污染。標靶混合物可為當轉換至電漿時發射EUV光之任何材料。因此，碎屑224可包括蒸氣殘留物，粒子，離子，或諸如錫等金屬的叢簇，或當轉換至一電漿時發射EUV光之任何其他物質。如圖2C所示，基205係與碎屑224重新組合以從表面222移除碎屑224。重新組合係生成一不含碎屑224之經清潔區228。經清潔區228可為一具有例如6吋(15.24cm)或更大直徑之圓形區域。
導管250係由一與自由基不起反應或組合之材料或具有低重新組合係數(例如約5x10-3或更小的重新組合係數)者製成。重新組合係數係為在材料表面上重新組合或另行作附接的部分之一測量。在移行經過導管250之自由基 205的脈絡中，開口252及254及一內壁上之材料的重新組合係數係部份地決定了由抵達元件220的源210所決定之基的部分。具有較低重新組合係數的材料係容許所產生的基205有一較大部分抵達元件220，原因在於源310所產生之相對少數的自由基205經由與導管250內壁作碰撞之重新組合而損失。
導管250可由鐵氟龍(Teflon)、石英或玻璃諸如硼矽酸鹽玻璃(例如派瑞克斯(Pyrex))製成。在部分實行方式中，導管250可由一在會接觸到一自由基205的部分處被塗覆一具有低重新組合係數的材料之金屬製成。例如，導管250可為具有被塗覆派瑞克斯(Pyrex)的一內部表面及端之鋁導管。在另一範例中，導管250可由一諸如二氧化矽(SiO2)、氧化鈦(TiO2)、或氧化鋁(AlO2)等氧化金屬製成。在又另一範例中，導管可由諸如陽極化鋁等陽極化金屬製成。雖然由一金屬氧化物製成的導管可比起一非金屬材料製成者具有更高的重新組合係數，金屬導管可相對更易機械加工且可更為堅固。
導管250的材料及基205經過導管之質量流率係容許導管250成為夠長以將基205在現場輸送至元件220，亦即元件位於容器230內側。例如，導管250可具有0.8至2公尺之沿著方向207的一縱範圍。
參照圖3A至3C，顯示另一範例自由基傳送系統300的方塊圖。圖3A顯示傳送系統300的側視圖，圖3B顯示圖3A的傳送系統300沿著線3B-3B所取之圖式，且圖3C顯示 圖3A的傳送系統300沿著線3C-3C所取之圖式。
自由基傳送系統300包括一導管350，導管350界定開口354a-354l，自由基305經過其離開導管350並被導引朝向一元件320。開口354a-354l的可變尺寸及特定放置係容許系統300以一均勻速率將基提供至元件320，藉此以一均勻速率清潔元件320。開口354a-354l的尺寸係在方向307增大，其中最小開口(開口354a)最靠近源310，且最大開口(開口354)最遠離源310。
參照圖3A，自由基傳送系統300包括一用以產生自由基305之源310。圖3A從側邊顯示導管350，其中開口354a-354l被定向為垂直於方向307，俾使自由基305在一朝向元件320的方向308流出開口354a-354l外。導管350界定一開口352，開口352係耦合至源310且接收所產生的自由基305。導管350穿過一側壁336及一密封的埠334(例如一真空腔室)且進入容器330的一內部332中。自由基305在方向307移行於導管350中並經過開口354a~354l離開朝向元件320。導管350位居相距元件320的一距離326。對於一元件，諸如具有一面對導管的彎曲狀表面之元件320，距離326係為從導管至元件之最大距離。距離326可例如為15至30cm。
元件320係位於一容器330的內部332中。容器330係為一LLP EUV光源(諸如圖1A及1B的光源100)的部份。元件320界定一表面322，其位於容器330中所產生的電漿之路徑中，且電漿產生係會造成碎屑324形成於表面322上。碎屑可例如包括身為用以產生電漿之標靶混合物的部份之微 滴的蒸氣殘留物、粒子、及離子。
當基305抵達碎屑324時，基305係與碎屑324組合，藉此從表面322移除碎屑324。因為導管350將自由基305輸送至元件320，不需要從容器330移除元件320以供清潔。而是，元件320在殘留於容器330內側之同時被清潔。清潔該元件320而不從容器330移除係降低了系統停工時間，原因例如在於元件320不受打擾且不必在清潔後重新對準。
亦參照圖3B及3C，導管350係包括開口354a-354l，其各形成一經過導管350的一壁356之通道。圖3B顯示以與方向308相反的方向從元件320在導管350往上看之導管350的圖式。圖3C顯示以進入頁面中的方向308往下看到元件320之圖式。圖3C亦分別顯示元件320的表面322上之開口354a-354l各者之突部329a-329l。突部329a-329l共同界定一刈幅328，其係為曝露於從開口354a-354l發射的自由基305之元件320的部分。
開口354a-354l的尺寸係在方向307增大，其中最小開口(開口354a)最靠近源310且最大開口(開口354l)最遠離源310。如下文討論，開口354a-354l在方向307的增大尺寸係造成自由基305以一均勻速率抵達刈幅328。
源310可為一微波電漿產生器。為了以如是一源產生自由基，一自其形成自由基之氣體係被提供至源310。例如，為了產生氫基，提供氫氣(H2)。一額外氣體可在氣體提供至源310之前被添加至氣體。例如，氬與氧的一混合物(Ar/O2)可被添加至氫氣。氫氣與額外氣體混合物當被提供 至源310時皆具有一質量流率及速度。例如，氫氣可以3標準公升每分鐘(SLM)的質量流率被提供至源310，且Ar/O2混合物可以21標準立分公分每分鐘(SCCM)的質量流率被提供至源。
氫及Ar/O2氣體係進入源310，並用來產生氫自由基及一在方向307通入導管350中之移動的氣體。在導管中移行之移動的氣體係上升至一背壓力，其沿著與方向307相反的一方向產生作用。背壓力係為移動的氣體隨著其流過導管350所遭遇之阻力。
若存在時，背壓力具有降低在導管350中移行的氣體的質量流率或速度之效應，其轉而造成氣體所攜載的自由基停留在導管350中達一較長的時間期間。自由基305位於導管350中的時間係為“居留時間”。背壓力的存在會導致氫基的一較長居留時間，且較長的居留時間導致基有更多機會與導管350的內部壁作重新組合且有較少個氫基抵達元件320。
增大在方向307中流動於導管350中之氣體的流率或速度係亦會快速增加自由基305移行於導管350中之速度，因此以一較高速率將自由基輸送至元件320且更快速地清潔元件320。然而，增大流動的氣體之質量流率或速度係會增加背壓力，其會(經過基之增大的導管中居留時間期間之增加的重新組合)降低被輸送至元件320之自由基量並亦會(經過背壓力所造成流動的氣體之降低速度)降低基被輸送至元件320之速度。因此，在導管350中流動的氣體之質 量流率或速度的增加係相對於背壓力的生成受到平衡。
此外，在一於一側壁中缺乏開口之導管中，導管中流動的氣體之壓力或阻力係可在氣體流的方向中增大。若側壁中的開口皆為相同尺寸，比起任何其他開口將有更多的基305從最靠近源之開口離開，原因在於導管350內側的壓力係朝向源310而增加。並且，在此情形中，基305隨著其在方向307移動經過導管350而減小速度，原因在於降低或減小方向307中的質量流。結果，若導管側壁中的全部開口皆為相同尺寸，基305抵達刈幅328，但抵達刈幅328之基305的速度可能在刈幅328的不同部分並非恆定。
反之，導管350的開口354a-354l具有不同尺寸，且開口尺寸在氣體流方向(方向307)增大。此配置係降低上文所討論的效應。因此，當一在一側壁中具有可變尺寸開口之導管諸如導管350等用來將基305輸送至表面322時，刈幅328的全部部分皆以相同速率被清潔。
在部分實行方式中，導管中的背壓力係保持低於0.9至1.2托耳(torr)，且在方向307之流動氣體的中線速度係為1至4SLM之間。碎屑324的移除速率或蝕刻速率可例如為5至125奈米每分鐘(nm/分鐘)。移除速率可大於125nm/分鐘。
開口354a-354l可具有4.5至6.5mm直徑之圓形橫剖面並可在方向307於導管350上彼此呈等距分隔。開口各者之間沿著方向307的縱向間隔係可例如為40mm。雖然圖3A至3C所示的範例包括十二個開口，在其他範例中，可使 用更多或更少個開口。例如，導管350可界定十個開口或不只十二個開口。
參照圖3B及3C，為了加大受清潔之元件320上的區域，導管350可繞由導管350界定而延伸且沿著平行於方向307的一方向作延伸之一縱軸線359被旋轉。以添加或取代方式，導管350可沿著一方向309被來回平移。系統300包括一定位機構340，其容許系統300的一使用者移動導管350。定位機構340可組構以供人工操作，例如藉由一槓桿、輪或可從容器330外側近接且容許使用者移動導管350之其他機械裝置。定位機構340可受電腦控制。例如，導管350可被耦合至一步進馬達或其他裝置，其在藉由一使用者或一自動式電子程序啟動時將移動導管350。
導管350沿著方向309來回平移係使導管350相對於元件320移動同時使距離326保持恆定(圖3A)。易言之，導管350係在一平行於包括元件320的一周邊或邊緣327的平面之平面中相對於元件320移動。使導管350繞軸線359旋轉係容許自由基305被輸送至位於刈幅328外側之元件320的區，諸如區321a及321b。導管350沿著方向309來回平移係亦容許自由基305被輸送至位於刈幅328外側之元件320的區。
參照圖4，顯示一用於清潔一EUV光源的一真空腔室中之一光學元件而不從真空腔室移除元件之範例程序400的流程圖。程序400可以本文揭露的任何自由基傳送系統進行。例如，程序400可以傳送系統200或300進行。在程 序400的討論中，系統300用來作為一範例。
自由基305被接收於導管350所界定之第一開口352處(410)。自由基係與一待清潔元件上的碎屑作組合。碎屑可在一標靶混合物轉換至發射EUV光的電漿時被產生，且碎屑可藉由位於電漿路徑中的元件而累積於元件的一表面上。自由基305由源310產生。源310可例如為一微波電漿產生器，諸如得自美國麻州安多福的MKS儀器股份有限公司(MKS Instruments,Inc.)之智慧型功率產生器(SMART POWER GENERATOR)。源可例如以3000瓦特(Watts)操作
為了產生自由基，一能夠解離成自由基的氣體係被提供至源310。氣體可身為或包括例如氫(H2)，碘化氫(HI)，溴(Br2)，氯(Cl2)，碘(I2)，甲烷或水。一額外氣體(諸如氬與氧的一混合物)可在混合物提供至源310之前被添加。氣體以一質量流率或速度提供至源310，且在源310所產生的自由基係與來自源310的一氣流流入導管350中。
開口352及用以傳送或另行位於自由基305路徑中之導管350的部分係由一具有低重新組合係數的材料製成。開口352被耦合至微波電漿產生器的一施加器，俾使開口352接收自由基305。微波電漿產生器的施加器可由藍寶石製成，且導管350及開口352可耦合至藍寶石施加器，俾使自由基在從源310流入導管350中之時不遭遇任何金屬表面。如是一配置可幫助降低耦合處的基損失。
導管350中的自由基305可被導引朝向開口354a-354l(420)。自由基305可藉由從源310流動於導管350 中的氣體而被導引朝向開口354a-354l。以添加或取代方式，在容器330的內部323中、即開口354a-354l提供一通道處之壓力，係低於位於源310及導管350中的壓力。例如，該容器330的內部中之壓力能夠為毫托(40帕斯卡)。結果，自由基305從導管350被抽取，經過開口354a-354l，且進入內部332中。
如上文討論，為了幫助促進基的傳送，導管350由一與流入導管350中的自由基具有低重新組合速率之材料製成。此外，導管中用以攜載基之氣體的質量流率或速度係盡可能地增大，同時盡量減小背壓力的效應。增大自由基305在導管350中移動的速度係亦降低了自由基305位於導管350中的時間量，而減輕可歸因於與導管350內部壁作碰撞之基損失量。增大自由基305的速度亦將增高元件的清潔速率。在部分實行方式中，自由基305在導管350的縱向範圍上係以恆定的1至4SLM移行於導管350中。導管350的縱範圍可例如為0.8至2公尺。
自由基305穿過開口354a-354l的至少一者並朝向元件320的表面322(430)。如上文討論，容器330的內部332、源310、及導管350內部之間的一壓力差(且其中壓力在容器330中為最低)係可造成自由基305穿過開口354a-354l。開口354a-354l被定向朝向刈幅328且將自由基305導引至刈幅328。基305係與刈幅328上的碎屑324組合並移除碎屑324。基可例如藉由蝕刻、燃燒或與碎屑324起反應而與碎屑作組合。基305可以5至125nm/分鐘的速率移除碎屑。
在部分實行方式中，諸如圖3B及3C所示，開口354a-354l可藉由將導管350旋轉及/或平移而被定向朝向元件320，俾使開口354a-354l指向朝向元件320的一特定部份。
圖5至8分別顯示其他的範例導管550至850。導管的任一者均可使用於傳送系統200或300中。
參照圖5，顯示一範例導管550。導管550界定一縱軸線559及兩端，一源端560及一容器端561。導管550具有一縱範圍563，其係為在一平行於縱軸線559的方向位於源端560與容器端561之間的距離。範圍563可為0.8至2m。例如，範圍563可為0.8m，0.9m，0.95m，0.975m，或1m。導管550具有一壁567，其界定一外表面556，一內表面565，及一外緣566。緣端的外緣566係界定一開口552，其具有一直徑564。直徑564可例如為2.5cm。
壁567係界定開口554a-554p，其各穿過壁567以形成一通道，其容許流體及自由基從導管550的一內部通往導管550的一外部。開口554a-554p的尺寸可改變，其中尺寸沿著方向507而增加。亦即，開口554a係為最小開口，且開口554p為最大開口。開口554a-554p可為圓形橫剖面，並可具有介於4.5至6.5mm之間的直徑。開口可在方向507彼此分隔20至40mm。並且，導管550可具有比起圖5所示範例而言更多或更少個的開口。
外緣566及內表面565係由一具有低重新組合係數的材料製成及/或被其塗覆。外緣566及內表面565係可身 為例如派瑞克斯(Pyrex)、石英、玻璃、一原生氧化物(諸如二氧化矽或二氧化鈦)、或一陽極化金屬諸如陽極化鋁或是被其塗覆。外緣566及內表面565係可為具有約5x10-3或更小的重新組合係數之任何材料。利用此方式，外緣566及內表面565係與相對少數個新基作重新組合，而非將自由基傳送經過導管並將自由基輸送至一待清潔元件。在其他實例中，具有1x10-2或更高的重新組合係數之材料亦可配合清潔速率的對應減小作使用。
在使用中，源端560被耦合至一自由基源並在開口552處接收自由基。例如，源端560可被耦合至一微波電漿產生器的一施加器。一微波電漿產生器的施加器係為一將微波能量轉換至電漿之元件。一微波電漿產生器的施加器可為例如由藍寶石製成的一管。將藍寶石施加器管耦合至開口552係容許源所產生的自由基流入導管550中而不遭遇與自由基作重新組合之金屬或其他元件。結果，導管550耦合至源係導致毫無或較少個自由基之損失。自由基係從源移行至導管550中並經由孔554a-554p離開導管。
圖6及7分別顯示其他範例導管650及750。導管650及750可使用在本文揭露的傳送系統之任一者中，例如上文討論的系統200或300。導管650及750類似於導管550，差異在於：導管650及750具有藉由被定位成穿過導管650、750的一側壁667、767上的不同點而以不同角度呈偏移之開口。該定位係造成從導管650及750發射以在待清潔元件的一較大面積上發射之基。易言之，當被投射至待清潔的元 件上時，導管650及750的開口係覆蓋住比起一具有相對於待清潔元件皆被定向呈相同角度的開口之導管的開口而言更大之一面積。如是導管的一範例係為其中所有開口皆沿著一條平行於導管(諸如導管550)的一縱軸線之線被對準者。
參照圖6，導管650具有一源端660及一容器端661。導管650具有一用以界定一縱軸線659之壁667，一外表面656，一內表面665，及一外緣666。緣端660的外緣666係界定一開口652，其具有一直徑664。直徑664可例如為2.5cm。壁亦界定開口654a-654s。開口654a-654s係以一螺旋配置被配置於壁657上。開口654a-654s可僅配置於導管的一半上，如圖6所示。在其他實行方式中，開口654a-654s可配置於整體導管650的表面上，俾使基在所有方向從導管650發射。
導管650在一平行於縱軸線659之方向具有一範圍663。範圍663可為0.8至2m。例如，範圍663可為0.8m，0.9m，0.95m，0.975m，或1m。類似於導管550，導管650的內表面665及導管650的外緣666係為一具有低重新組合係數的材料。
參照圖7，導管750具有一源端760及一容器端761。導管750具有一用以界定一縱範圍759之壁767，一外表面756，一內表面765，及一外緣766。緣端760的外緣766係界定一開口752，其具有一直徑764。直徑764可例如為2.5cm。壁亦界定複數個開口754，其各提供導管650的內部與外部之間的一通道以供基與氣體用。開口754係配置在平行於縱 軸線759延伸之直行中。開口754具有不同尺寸，其中尺寸在方向707增大。圖7所示的範例導管750係具有三直行的開口。然而，可使用更多或更少直行的開口。
導管750在一平行於縱軸線759之方向具有一範圍763。範圍763可為0.8至2m。例如，範圍763可為0.8m，0.9m，0.95m，0.975m，或1m。類似於導管550，導管750的內表面765及外緣766係為一具有低重新組合係數的材料。
參照圖8A，顯示另一範例導管850。導管850可用來作為本文揭露的傳送系統之一導管。例如，且亦參照圖8B，導管850可取代導管350被使用於傳送系統300中。導管850類似於導管550，差異在於：導管850具有一曲率半徑870。因為該曲率半徑，導管850具有一用以界定一縱軸線859之線性部分871，及一彎折遠離線性部分871且沿著一軸線873延伸之彎曲狀部分872。曲率半徑870係可為使得縱軸線859與軸線873之間的角度“A”大於0°且不大於90°之任何曲率。
導管850具有一源端860及一容器端861。導管具有沿著一平行於縱軸線859的方向807之一範圍874。例如，範圍763可為0.8m，0.9m，0.95m，0.975m，或1m。
導管850具有一用以界定一縱範圍859之壁867，一外表面856，一內表面865，及一外緣866。緣端860的外緣866係界定一開口852，其具有一直徑864。直徑864可例如為2.5cm。壁亦界定複數個開口854，其各提供導管850的 內部與外部之間的一通道以供基與氣體用。開口854係具有不同尺寸，其中尺寸在方向807增大。
類似於導管550，導管850的內表面865及外緣866係為一具有低重新組合係數的材料。
參照圖9A及9B，顯示另一範例自由基傳送系統900的方塊圖。圖9A顯示傳送系統900的側視圖。圖9B顯示傳送系統900沿著圖9A的線9B-9B所取之橫剖視圖。
傳送系統900包括一歧管950(圖9B)，其包括複數個導管950a-950g。複數個導管950a-950g被連接至一自由基源905。在部分實行方式中，各導管950a-950g被連接至一分離的自由基源。源910產生自由基905，其係分別在開口952a-952g進入導管950a-950g且在一方向907流動於導管950a-950g中。
導管950a-950g的各者具有開口954a-954l，其全部形成經過導管的一壁之一通道且將自由基905釋放朝向元件920。因此，相較於一包括單一導管之傳送系統，傳送系統900可清潔一元件920的一更大面積而不必使歧管950旋轉或平移。然而，在部分實行方式中，歧管950可被旋轉或平移以進一步增大藉由自由基905所清潔之區的尺寸。
並且，在導管950a-950g中，開口954a-954l各具有不同尺寸，其中尺寸在方向907增大。這類似於上文對於圖3A-3C所討論之導管350的開口354a-354l。因此，導管950a-950g以一均勻速率將自由基905輸送至元件920，其導致碎屑以一均勻速率從元件920被清潔。在其他實行方式中， 開口954a-954l可皆為相同尺寸。雖然歧管950包括七(7)個導管，可使用更多或更少個導管。此外，歧管的導管可包括比所顯示者更多或更少個的開口，且導管可包括不同數目的開口。
參照圖10A，顯示另一範例自由基傳送系統1000的方塊圖。傳送系統1000的圖式係往下朝向一待清潔元件1020。傳送系統1000係為一LPP EUV光源的部份，諸如圖1A的源100，且元件1020位於一容器1030的內部1032中。
傳送系統1000包括導管1050a、1050b，其各分別被連接至一自由基源1010a、1010b。來自自由基源1010a、1010b的自由基係流入導管1050a、1050b中。類似於上文討論的導管550，導管1050a、1050b由一具有低重新組合速率的材料製成。
元件1020界定一表面1022，表面1022藉由位於容器1030中所產生的電漿之路徑中而累積碎屑1024。電漿可藉由使一經放大光束穿過元件1020中的一開孔1019以輻照一標靶混合物(未圖示)且將標靶混合物轉換至電漿而被產生。元件1020可例如為一收集器面鏡，其接收電漿所發射的EUV光並將該光聚焦至一位於圖10A頁面外之區位。因此，在圖10A中，經放大光束及經聚焦EUV光的光學路徑係位於一位居頁面外的方向(與進入頁面中的方向308相反)。經放大光束的光學路徑係位於頁面外，但亦穿過開孔1019。
如同相較於圖3A-3C、8B、9A及9B所示的傳送系統，傳送系統1000的導管1050a及1050b係位於光學路徑 外側。就像傳送系統300，傳送系統1000可用來“在現場”、或在元件1020位於容器1030內側之時清潔元件1020。此外，因為傳送系統1000位於光學路徑外，傳送系統1000可在光源處於操作中之時作使用。
導管1050a、1050b具有線性部分1080a、1080b及彎曲狀部分1081a、1081b。彎曲狀部分1081a、1081b係循元件1020的一邊緣1027行進，而避免光學路徑。導管1050a、1050b由一具有低重新組合係數的材料製成並因此將自由基從源1010a、1010b輸送至容器1030的內部。
亦參照圖10B，其更詳細地顯示彎曲狀部分1081a，彎曲狀部分1081a係界定用以使自由基從導管1050的一內部通往元件1020之開口1054a-1054k。開口1054a-1054k具有不同尺寸，且隨著相距源1010a的增加距離而增大尺寸。
比起圖10B的範例所示者有更多或更少個開口可形成於彎曲狀部分1081中。開口可類似於對於圖3A-3B、5、6及7所顯示與描述的開口配置之一或多者作配置。例如，類似於開口1054a-1054k的系列之複數橫列的開口係可形成於部分1081a中。導管1050b具有部分1081b中之類似的開口，其被定向成將自由基導引朝向元件1020。
參照圖11，顯示另一範例自由基傳送系統1100。自由基傳送系統1100包括一循元件1120的一邊緣1127行進之導管1150。就像圖10A的傳送系統1000，傳送系統1100包括一導管，導管係位於用來產生電漿及/或由元件1120所聚焦的EUV光之經放大光束的光學路徑外。
傳送系統1100包括一被耦合至一自由基源1110之導管1150。就像導管1050a、1050b，導管1150由一具有低重新組合係數的材料製成並因此將源1110所產生的自由基傳送至一用於固持元件1120之容器1130的內部1132。導管1150係界定用以使自由基通往元件1120之開口。
其他實行方式係位於下列申請專利範圍的範疇內。

Claims (44)

  1. 一種用於在一極紫外(EUV)光源中清潔一元件之方法，該方法包含下列步驟：相對於該元件配置一導管，該元件位於該EUV光源的一真空腔室內部以及從一電漿發射的EUV光的路徑中，碎屑藉由將一標靶材料轉換為發射該EUV光的該電漿而產生，該導管具有包含一彎曲部分及一線性部分的側壁，該導管經配置使得該線性部分穿過該真空腔室的一壁且該彎曲部分位於該真空腔室內；在由該導管的一第一端所界定之一第一開口處接收一移動氣體及自由基，該移動氣體經配置以在該導管中攜帶該等自由基(free radicals)，該自由基經配置與藉由將該標靶材料轉換至發射該EUV光的該電漿所生成之該碎屑作組合，該導管係包含一使該等自由基通過之材料，且該導管定義複數個另外開口，該等另外開口係穿過該側壁之該彎曲部分並被定位以將該等自由基朝向一在一表面上累積該等碎屑之元件釋放；導引該移動氣體將該導管中的自由基帶向該等複數個另外開口，該移動氣體具有一速度且在該導管中產生一背(back)壓力，該背壓力和該速度在不同的方向上；通過增加該移動氣體的該速度減少該等自由基在該導管中花費的時間，該移動氣體的增加速度改變該導管中的該背壓力；及使該等自由基穿過該等複數個另外開口的至少一者並來到該元件的表面，以從該元件的表面移除該等碎屑而不從該EUV光源移除該元件。
  2. 如請求項1之方法，其中該等自由基藉由蝕刻從該元件的表面移除該等碎屑。
  3. 如請求項1之方法，其中該等複數個另外開口係包含具有不同尺寸的複數個開口，其各穿過該側壁，且使該等自由基穿過該等複數個另外開口之步驟係包含使該等自由基穿過該等複數個開口。
  4. 如請求項3之方法，其中穿過該側壁之該等複數個開口的最小者係為最靠近該第一開口之開口，且穿過該側壁之該等複數個開口的最大者係為最遠離該第一開口之開口。
  5. 如請求項4之方法，其中該等複數個開口的尺寸係在該等複數個開口的最小者及該等複數個開口的最大者之間增大。
  6. 如請求項1之方法，其中該等碎屑係以一均勻速率從該元件的表面被移除。
  7. 如請求項1之方法，其進一步包含將由該導管所界定的該等複數個另外開口相對於該元件作定位之步驟。
  8. 如請求項7之方法，其中將由該導管所界定的該等複數個另外開口相對於該元件作定位之步驟係包含使該等複數個另外開口相對於該元件移動。
  9. 如請求項7之方法，其中該等複數個另外開口係在一平行於該元件的一周邊之平面中被移動。
  10. 如請求項7之方法，其中該等複數個另外開口係相對於一包括該元件的一周邊之平面被旋轉。
  11. 如請求項1之方法，其中將該導管中的自由基導引朝向該等複數個另外開口之步驟係包含生成一自由基源與該等複數個另外開口之間的一壓力差，其中該等複數個另外開口係處於比起該自由基源更低的一壓力及比起該導管外側的一區更高的一壓力。
  12. 如請求項1之方法，其中當該EUV光源運作時，該等自由基穿過該等另外開口。
  13. 如請求項1之方法，其中該等另外開口位於該導管的該彎曲部分中。
  14. 一種極紫外(EUV)光源系統，其包含：一極紫外光源，其包含：一真空腔室；一標靶材料輸送系統，其將該標靶材料導引朝向該真空腔室中的一標靶區位，該標靶區位係接收一經放大光束，且該標靶材料包括在一電漿狀態時發射極紫外光之一材料；及一收集器，其接收及反射至少部分該經發射的極紫外光；一基(radical)傳送系統，其包含：一導管，其包括位於該導管的一第一端之一第一開口、定義一內表面及一外表面之一側壁、及從該內表面穿過該側壁至該外表面的複數個另外開口，該第一開口和該導管的該內表面包括具有一重新組合係數為5x10-3或更小的一材料，該重新組合係數是一自由基重新組合或另行附著到該材料上的可能性的測量，該導管的該側壁穿過該真空腔室的一壁且被定位為該第一開口位於該真空腔室外部且該等複數個開口位於該真空腔室內側且被定向朝向該收集器，其中該導管的該外表面包括與該側壁之一量相比由該等複數個另外開口形成的相對量的開放區域，且與該側壁的該量相比，該等開放區域的該相對量沿著該導管增加，該導管的該側壁具有至少0.8公尺的一範圍，該導管的該側壁包括一線性部分和一彎曲部分，該等複數個開口的至少一者係位於該導管的該彎曲部分中，該導管包含一金屬材料，且該導管的該金屬材料在該內表面及該第一開口塗有具有重新組合係數為5x10-3或更小的該材料，及一自由基源，其包括經配置從微波能量產生自由基的一施加器，該自由基源在該真空腔室外部，且該自由基源的該施加器在該第一開口耦合該導管。
  15. 如請求項14之系統，其中與該側壁的該量相比，該等開放區域的該相對量沿著該導管增加，該等開口具有不同尺寸，該等複數個開口的最小者係最靠近該導管的該第一端，且該等複數個開口的最大者係最遠離該導管的該第一端。
  16. 如請求項14之系統，其中該導管係被定位於該經放大光束的一傳播路徑外側。
  17. 如請求項14之系統，其中該導管係組構以相對於該收集器移動。
  18. 如請求項14之系統，其中該基傳送系統係包含複數個導管。
  19. 如請求項14之系統，其中該收集器的周邊是彎曲的，且該導管的該彎曲部分跟隨該收集器的該彎曲周邊。
  20. 如請求項19之系統，其中該收集器包括一開孔，該經放大光束通過該開孔傳播，且該收集器的該彎曲部分在該收集器的該開孔和該收集器的該周邊之間。
  21. 如請求項20之系統，其中該導管的該彎曲部分位於與該收集器的任何部分不重合的一平面內。
  22. 如請求項19之系統，其中該導管的該彎曲部分是一單件環。
  23. 如請求項20之系統，更包含一中空罩套從該收集器的該開孔向該標靶區位延伸，該中空罩套經配置將氣體導向該標靶區位。
  24. 如請求項23之系統，其中該中空罩套經配置通過該收集器的該開孔將氣體導向該標靶區位。
  25. 如請求項14之系統，其中該導管完全在該收集器接收及反射的EUV光路徑之外。
  26. 如請求項14之系統，其中具有重新組合係數為5x10-3或更小的該材料包括一非金屬材料。
  27. 如請求項26之系統，其中該非金屬材料包括石英。
  28. 如請求項14之系統，其中該導管的該金屬材料包含氧化金屬和陽極化金屬中的一種。
  29. 如請求項14之系統，其中該導管的該金屬材料包括鋁、二氧化矽、氧化鈦和氧化鋁中的一種或多種。
  30. 一種極紫外(EUV)光源系統，其包含：一極紫外光源，其包含：一真空腔室；一標靶材料輸送系統，其將該標靶材料導引朝向該真空腔室中的一標靶區位，該標靶區位接收一經放大光束，且該標靶材料包括在一電漿狀態時發射極紫外(EUV)光之一材料；及一收集器，其位於該真空腔室內側以及該經發射EUV光的路徑中，碎屑藉由該標靶材料至電漿的轉換而產生，該收集器被定位以接收及反射至少部分該經發射的極紫外光，並接收該碎屑的至少一些；及一基傳送系統，其包含：一導管，其包含在該導管的一第一端之一第一開口、及定義一內表面、一外表面和從該內表面穿過至該外表面之複數個另外開口的一側壁，該導管的該第一開口及該內表面包含具有重新組合係數為5x10-3或更小的一非金屬材料，該重新組合係數是一自由基重新組合或另行附著到該材料上的可能性的測量，該導管的該側壁穿過該真空腔室的一壁且經配置以將該等自由基導引至該收集器以從該收集器移除該等碎屑而不從該真空腔室移除該收集器，其中該導管的該外表面包括與該側壁之一量相比由該等複數個另外開口形成的相對量的開放區域，且與該側壁的該量相比，該等開放區域的該相對量沿著該導管增加，該導管被定位在與包括該收集器的任何部分的一平面不同的一平面中，該導管包含一金屬材料，且該導管的該金屬材料在該內表面、該第一開口及該等複數個另外開口塗有具有重新組合係數為5x10-3或更小的該非金屬材料。
  31. 如請求項30之系統，其中該導管的側壁具有至少0.8公尺的一縱範圍。
  32. 如請求項30之系統，其中該導管經配置以一恆定速率將該等自由基導引至該收集器。
  33. 如請求項30之系統，其中該導管經配置以相對於該收集器移動。
  34. 如請求項30之系統，其中該導管經配置以相對於該收集器移動，同時自由基穿過該等複數個另外開口。
  35. 如請求項34之系統，其中該導管經配置以相對於該收集器旋轉，且當該導管相對於該收集器旋轉時，該等複數個另外開口相對於該收集器旋轉。
  36. 如請求項34之系統，其中該導管經配置在該導管所在的該平面中相對於該收集器橫向移動，且當該導管相對於該收集器橫向移動時，該等複數個另外開口在該導管所在的該平面中相對於該收集器移動。
  37. 如請求項30之系統，其中該標靶材料和該等碎屑包含錫，且該基傳送系統包括至少一個氫自由基源，其中一個氫自由基源與該導管耦合。
  38. 如請求項30之系統，其中該導管完全在該收集器接收及反射的EUV光路徑之外。
  39. 如請求項30之系統，其中具有重新組合係數為5x10-3或更小的該非金屬材料包括石英。
  40. 如請求項30之系統，其中具有重新組合係數為5x10-3或更小的該非金屬材料包括鐵氟龍、玻璃和硼矽酸鹽玻璃中的一種。
  41. 如請求項30之系統，其中該導管的該金屬材料包含氧化金屬和陽極化金屬中的一種。
  42. 如請求項30之系統，其中該導管的該金屬材料包括鋁、二氧化矽、氧化鈦和氧化鋁中的一種或多種。
  43. 一種用於一極紫外(EUV)光源之基傳送系統，該基傳送系統包含：一第一導管和一第二導管，該第一導管和該第二導管中的每一者包括：一線性部分，其包括一第一端和從該第一端延伸到一第二端的一側壁，該第一端包括一開口且經配置為連接到一第一和一第二自由基源中的一者，以通過該開口從該第一或第二自由基源之一者接收自由基，該側壁經配置為穿過一極紫外(EUV)光源的一真空腔室的一壁，該第一端和該開口在該真空腔室的外部；及一彎曲部分，其與該線性部分流體連通，該彎曲部分包括從該線性部分的該第二端延伸的一彎曲側壁，該彎曲側壁包括複數個另外開口，該複數個另外開口經配置為將自由基從該導管的該彎曲部分的一內部傳送到該導管的該彎曲部分的一外部，且該彎曲側壁經配置跟隨該EUV光源的該真空腔室內部的一光學元件的一彎曲周邊，其中該彎曲部分的該外部包括與該側壁之一量相比由該等複數個另外開口形成的相對量的開放區域，且與該側壁的該量相比，該等開放區域的該相對量隨著與該源的距離而增加，該線性部分與該彎曲部分包含具有重新組合係數為5x10-3或更小的一非金屬材料，該重新組合係數是一自由基重新組合或另行附著到該材料上的可能性的測量，且該第一導管和該第二導管中的至少一個包括一金屬材料，該金屬材料塗有具有重新組合係數為5x10-3或更小的該非金屬材料。
  44. 如請求項43之系統，更包含該第一自由基源及該第二自由基源。
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