JP7340524B2 - Euvチャンバにおける構造物表面の洗浄 - Google Patents
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Description
[0001] 本願は、2018年2月13日に提出された米国出願第62/630,036号及び2019年1月22日に提出された米国出願第62/795,107号の優先権を主張するものであり、両出願はその全体が参照により本出願に組み込まれる。
EUV光145の最も効率的な生成には、ある特定の圧力が適当であろう。洗浄装置100はチャンバ120の環境内で動作するように構成されており、したがって、チャンバ120が1Tに維持されるのであれば、洗浄装置100はその圧力で動作することができる。
リソグラフィ装置1485は、放射ビームB(例えばEUV光1484)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、パターニングデバイス(例えばマスク又はレチクル)MAを支持するように構築され、パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構築され、基板を正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、パターニングデバイスMAによって放射ビームBに付与されたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ以上のダイを含む)に投影するように構成された投影システム(例えば反射型投影システム)PSとを備える。
1.ステップモードでは、支持構造(例えばマスクテーブル)MT及び基板テーブルWTは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに付与されたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち単一静的露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動される。
2.スキャンモードでは、支持構造(例えばマスクテーブル)MT及び基板テーブルWTは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに付与されるパターンがターゲット部分Cに投影される(すなわち単一動的露光)。支持構造(例えばマスクテーブル)MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)及び像反転特性によって求めることができる。
3.別のモードでは、支持構造(例えばマスクテーブル)MTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
1. 極端紫外線(EUV)光源のチャンバ内の構造物の表面を洗浄する方法であって、方法は、
チャンバ内にある非導電体に隣接する場所に存在する材料のプラズマ状態を発生させることであって、
発生させることは、非導電体に隣接する場所で電流を電磁的に誘起し、それによって非導電体に隣接する材料を第1の状態からプラズマ状態に変化させることを含み、材料のプラズマ状態はプラズマ粒子を含み、その少なくともいくつかは材料のフリーラジカルである、発生させることと、
プラズマ粒子に構造物表面を通過させて、構造物をEUV光源のチャンバから取り外すことなく構造物表面からデブリを除去することと、
を備える、方法。
2. 構造物の温度を50℃未満に維持することを更に備える、条項1の方法。
3. 構造物表面は、チャンバ内に存在する光と光学的に相互作用するとともに光を修正するように位置決めされる、条項1の方法。
4. 材料のプラズマ状態を発生させることは、酸素の存在なしに材料のプラズマ状態を発生させることを備える、条項1の方法。
5. 材料のプラズマ状態を発生させることは、構造物表面を横切って流れる材料の量を低減させることなしに材料のプラズマ状態を発生させることを備える、条項1の方法。
6. 電流を電磁的に誘起することは、非導電体に隣接する導電性の管を通じて電流を流すことを備える、条項1の方法。
7. 導電性の管を通じて流れる電流は無線周波数である、条項6の方法。
8. 電流を電磁的に誘起することは、非導電体でマイクロ波放射を発生させること又は非導電体に沿って電磁表面波を伝搬することを備える、条項1の方法。
9. 導電性の管の内部を通じて冷却流体を提供して非導電体又は構造物の温度を閾値温度未満に維持することを更に備える、条項6の方法。
10. 構造物は非導電体を含み、
非導電体に隣接する場所で材料のプラズマ状態を発生させることは、構造物表面に隣接する場所で材料のプラズマ状態を発生させることを備える、条項6の方法。
11. 構造物は非導電体とは異なる、条項6の方法。
12. 材料のプラズマ状態に構造物表面を通過させることは、非導電体の付近の場所から構造物表面の方に向かって及び構造物表面を横切ってプラズマ粒子を移動させることを備える、条項11の方法。
13. 非導電体に隣接する場所で電流を電磁的に誘起することは、チャンバ内において非導電体の付近で時間変動磁界を生成することを備え、
チャンバ内で時間変動磁界を生成することは、非導電体に隣接する電気導体を通じて時間変動電流を流すことを備える、条項1の方法。
14. プラズマ粒子は、少なくとも材料のイオン、電子、及びフリーラジカルを含む、条項1の方法。
15. 材料は水素を備える、条項1の方法。
16. 構造物表面からデブリを除去することは、構造物表面上でプラズマ粒子をデブリと化学反応させて構造物表面から放出される化学物質を形成することを備える、条項1の方法。
17. 放出される化学物質をチャンバから除去することを更に備える、条項16の方法。
18. 材料は水素を含み、プラズマ粒子は水素のフリーラジカルを含み、
基板表面上のデブリはスズ又は炭素を含み、
放出される化学物質は、デブリがスズを含む場合には水素化スズを、又は、デブリが炭素を含む場合にはメタンを含む、条項16の方法。
19. チャンバは大気圧よりも低い圧力に保持される、条項1の方法。
20. 非導電体は誘電体で作製される、条項1の方法。
21. 電流を電磁的に誘起することは、非導電体に隣接する電気導体を通じて電流を流すことを備え、電気導体を通じて電流を流すことは、第1の周波数の第1の電流を電気導体に印加すること、及び第1の周波数とは異なる第2の周波数の第2の電流を電気導体に印加することを備える、条項1の方法。
22. 第1の周波数は無線周波数であり、第2の周波数は無線周波数よりも低い、条項21の方法。
23. 第1の電流及び第2の電流を印加することは、デュアル周波数交流又はパルス直流を電気導体に印加することを備える、条項21の方法。
24. 第1の電流を第1の周波数で電気導体に印加し、それによって非導電体に隣接する材料を第1の状態からプラズマ粒子を含む材料のプラズマ状態に変化させ、
第2の電流を第2の周波数で電気導体に印加し、それによって構造物表面上のデブリを誘導加熱し蒸発させる、条項21の方法。
25. 極端紫外線(EUV)光源であって、
チャンバと、
ターゲットをチャンバ内の相互作用領域の方に向けるように構成されたターゲットデリバリシステムと、を備え、ターゲットはプラズマに変換されたときに極端紫外線光を放出する物質を備える、EUV光源と、
曝露面を含むチャンバ内の構造物と、
構造物の付近にあり、チャンバから構造物を取り外すことなしに構造物の曝露面からターゲットデブリを除去するように構成された洗浄装置であって、
非導電体に接触する電気導体を備え、
非導電体に隣接する場所で電流を電磁的に誘起し、それによってチャンバ内に存在する材料を第1の状態からプラズマ粒子を含むプラズマ状態に変化させるように構成されており、プラズマ粒子のうち少なくともいくつかは材料のフリーラジカル及びイオンである、洗浄装置と、
を備える装置において、
非導電体は、構造物に対して、プラズマ粒子が構造物の曝露面上のデブリに接触するように構成される、装置。
26. 電気導体に熱的に結合された温度制御システムを更に備え、温度制御システムは、洗浄装置に隣接する構造物の温度を閾値範囲内に維持するように構成された、条項25の装置。
27. 温度制御システムは、洗浄装置に隣接する構造物の温度を最大閾値未満に維持する、条項26の装置。
28. 最大閾値は50℃である、条項27の装置。
29. 温度制御システムは、電気導体の内部通路を通じて冷却流体を送り込むように構成された流体制御システムを含む、条項25の装置。
30. 曝露面は光と光学的に相互作用するとともに光を修正する、条項25の装置。
31. 光は、ターゲットと相互作用する増幅光ビームであるか、又はターゲットによって生成されるEUV光である、条項30の装置。
32. 非導電体に隣接する場所から曝露面に向かって及び曝露面上にプラズマ粒子を流すように構成された流れ装置を更に備える、条項25の装置。
33. 電流を電磁的に誘起することは電気導体を通じて電流を流すことを備え、電気導体を通じて流れる電流は無線周波数である、条項25の装置。
34. 曝露面を有する構造物と非導電体とは同一の物理的構造物である、条項25の装置。
35. 曝露面を有する構造物は非導電体とは物理的に異なる、条項25の装置。
36. 非導電体は、ターゲットデリバリシステムから相互作用領域へのターゲットのための通路を含むシュラウドを含む、条項25の装置。
37. 曝露面を有する構造物はEUV光源の集光ミラーであり、集光ミラーはプラズマから放出されるEUV光の少なくとも一部を捕捉するように位置決めされ、非導電体は集光ミラーの外面周りに位置決めされたリングを含む、条項25の装置。
38. 曝露面を有する構造物は非導電体であり、
EUV光源は、集光ミラーと中間焦点との間にライナを含み、
構造物はライナを備え、ライナの内部表面は、集光ミラーから中間焦点に向かって反射されたEUV光に対向するとともに曝露構造物表面を構成する、条項25の装置。
39. 電気導体は、ライナの外部表面が内部表面の圧力とは異なる圧力にある場合にはライナの外部表面の外部に位置決めされ、又は、電気導体は、ライナの外部表面が内部表面と同一の圧力に保持される場合にはライナに埋め込まれ、
誘起された電流はライナの内部表面にある、条項38の装置。
40. ライナは、集光ミラーに隣接して位置決めされた平坦な基部から中間焦点に開口する頂点まで滑らかに先細になった円錐形の形状を有する、条項38の装置。
41. 非導電体は誘電体で作製される、条項25の装置。
42. 誘電体はセラミックを含む、条項41の装置。
43. セラミックは窒化アルミニウム又は窒化ホウ素を含む、条項41の装置。
44. ターゲットはスズを含み、材料は水素を含み、洗浄装置は、酸素の存在なしに構造物の曝露面からスズデブリ及び炭素デブリのうち1つ以上を除去するように構成される、条項25の装置。
45. 電気導体は、非導電体の第1の側と第2の側とにおける圧力が等しい場合には、非導電体に埋め込まれ、又は、
電気導体は、非導電体の第1の側における圧力が第2の側における圧力と異なる場合には、非導電体の第1の側の外部に隣接して第1の側の外部にある、条項25の装置。
46. チャンバは大気圧よりも低い圧力に保持される、条項25の装置。
47. 電気導体に電流を供給するように構成された電源を更に備える、条項25の装置。
48. 電源が接続された制御装置を更に備え、制御装置は、電源に信号を送信し、それによって洗浄装置を動作させるように構成される、条項47の装置。
49. 材料をチャンバ内に導入するように構成された流体ポートを更に備える、条項25の装置。
50. 洗浄装置は、非導電体に沿って電磁表面波を伝搬すること又は非導電体においてマイクロ波放射を発生させることによって、非導電体に隣接する場所で電流を電磁的に誘起するように構成される、条項25の装置。
51. 洗浄装置は、電気導体に電流を供給するために電気的に接続された電源を含み、
電源は、第1の周波数の第1の電流を電気導体に供給するとともに第2の周波数の第2の電流を電気導体に供給するように構成されており、第2の周波数は第1の周波数とは異なる、条項25の装置。
52. 第1の周波数は無線周波数であり、第2の周波数は無線周波数未満である、条項51の装置。
53. 電源は、デュアル周波数交流又はパルス直流のいずれかを電気導体に印加するように構成される、条項51の装置。
54. 極端紫外線(EUV)光源であって、
チャンバと、
ターゲットをチャンバ内の相互作用領域の方に向けるように構成されたターゲットデリバリシステムと、を備え、ターゲットはプラズマに変換されたときに極端紫外線光を放出する物質を備える、EUV光源と、
ターゲットデリバリシステムから相互作用領域に延びるチャネルを定義するチャンバ内のシュラウドであって、シュラウドの外部表面はターゲットから生成されるデブリに曝露され、
チャネルを定義する非導電体と、
非導電体に隣接する電気導体と、を含み、
電気導体は、シュラウドに隣接する場所で電流を電磁的に誘起し、それによってチャンバ内に存在する材料を第1の状態からプラズマ粒子を含むプラズマ状態に変化させ、プラズマ粒子のうち少なくともいくつかは材料のフリーラジカル及びイオンである、シュラウドと、
を備える装置において、
電気導体は、非導電体に対して、プラズマ粒子が曝露シュラウド表面に固定されたデブリと化学反応し、それによって曝露シュラウド表面からデブリを放出するように位置決めされる、装置。
55. 電気導体に熱的に結合された温度制御システムを更に備え、温度制御システムは、チャネル表面の温度を閾値未満に維持するように構成された、条項54の装置。
56. 温度制御装置は、チャネル表面を冷却するように構成されており、それによってデブリがチャネル表面で溶融することを防止する、条項55の装置。
57. 電気導体は非導電体に埋め込まれ、及び/又は
電気導体は非導電体に接触する、条項54の装置。
58. 非導電体は誘電体で作製される、条項54の装置。
59. 電気導体は非導電体の外部表面に回り込み、電気導体は誘電体材料で被覆される、条項54の装置。
Claims (15)
- 極端紫外線(EUV)光源のチャンバ内の構造物の表面を洗浄する方法であって、前記方法は、
前記チャンバ内にある非導電体に隣接する場所に存在する材料のプラズマ状態を発生させることであって、
前記発生させることは、前記非導電体に隣接する前記場所で電流を電磁的に誘起し、それによって前記非導電体に隣接する前記材料を第1の状態から前記プラズマ状態に変化させることを含み、前記材料の前記プラズマ状態はプラズマ粒子を含み、その少なくともいくつかは前記材料のフリーラジカルである、前記発生させることと、
前記プラズマ粒子に前記構造物表面を通過させて、前記構造物を前記EUV光源の前記チャンバから取り外すことなく前記構造物表面からデブリを除去することと、
を備え、
前記電流を電磁的に誘起することは、前記非導電体に接触する電気導体を通じて電流を流すことを備える、
方法。 - 前記電気導体を通じて前記電流を流すことは、第1の周波数の第1の電流を前記電気導体に印加すること、及び前記第1の周波数とは異なる第2の周波数の第2の電流を前記電気導体に印加することを備える、請求項1の方法。
- 極端紫外線(EUV)光源であって、
チャンバと、
ターゲットを前記チャンバ内の相互作用領域の方に向けるように構成されたターゲットデリバリシステムと、を備え、前記ターゲットはプラズマに変換されたときに極端紫外線光を放出する物質を備える、EUV光源と、
曝露面を含む前記チャンバ内の構造物と、
前記構造物の付近にあり、前記チャンバから前記構造物を取り外すことなしに前記構造物の前記曝露面からターゲットデブリを除去するように構成された洗浄装置であって、
非導電体に接触する電気導体を備え、
前記非導電体に隣接する場所で電流を電磁的に誘起し、それによって前記チャンバ内に存在する材料を第1の状態からプラズマ粒子を含むプラズマ状態に変化させるように構成されており、前記プラズマ粒子のうち少なくともいくつかは前記材料のフリーラジカル及びイオンである、洗浄装置と、
を備える装置において、
前記非導電体は、前記構造物に対して、前記プラズマ粒子が前記構造物の前記曝露面上の前記デブリに接触するように構成される、装置。 - 前記電気導体に熱的に結合された温度制御システムを更に備え、前記温度制御システムは、前記洗浄装置に隣接する前記構造物の温度を閾値範囲内に維持するように構成された、請求項3の装置。
- 前記温度制御システムは、前記電気導体の内部通路を通じて冷却流体を送り込むように構成された流体制御システムを含む、請求項4の装置。
- 前記曝露面は光と光学的に相互作用するとともに前記光を修正する、請求項3の装置。
- 前記曝露面を有する前記構造物と前記非導電体とは同一の物理的構造物である、請求項3の装置。
- 前記曝露面を有する前記構造物は前記非導電体とは物理的に異なる、請求項3の装置。
- 前記非導電体は、前記ターゲットデリバリシステムから前記相互作用領域への前記ターゲットのための通路を含むシュラウドを含む、請求項3の装置。
- 前記曝露面を有する前記構造物は前記EUV光源の集光ミラーであり、前記集光ミラーは前記プラズマから放出される前記EUV光の少なくとも一部を捕捉するように位置決めされ、前記非導電体は前記集光ミラーの外面周りに位置決めされたリングを含む、請求項3の装置。
- 前記曝露面を有する前記構造物は前記非導電体であり、
前記EUV光源は、前記集光ミラーと中間焦点との間にライナを含み、
前記構造物は前記ライナを備え、前記ライナの内部表面は、前記集光ミラーから前記中間焦点に向かって反射された前記EUV光に対向するとともに前記曝露構造物表面を構成する、請求項3の装置。 - 前記ターゲットはスズを含み、前記材料は水素を含み、前記洗浄装置は、酸素の存在なしに前記構造物の前記曝露面からスズデブリ及び炭素デブリのうち1つ以上を除去するように構成される、請求項3の装置。
- 前記洗浄装置は、前記非導電体に沿って電磁表面波を伝搬すること又は前記非導電体においてマイクロ波放射を発生させることによって、前記非導電体に隣接する場所で電流を電磁的に誘起するように構成される、請求項3の装置。
- 極端紫外線(EUV)光源であって、
チャンバと、
ターゲットを前記チャンバ内の相互作用領域の方に向けるように構成されたターゲットデリバリシステムと、を備え、前記ターゲットはプラズマに変換されたときに極端紫外線光を放出する物質を備える、EUV光源と、
前記ターゲットデリバリシステムから前記相互作用領域に延びるチャネルを定義する前記チャンバ内のシュラウドであって、前記シュラウドの外部表面は前記ターゲットから生成されるデブリに曝露され、
前記チャネルを定義する非導電体と、
前記非導電体に隣接する電気導体と、を含み、
前記電気導体は、前記シュラウドに隣接する場所で電流を電磁的に誘起し、それによって前記チャンバ内に存在する材料を第1の状態からプラズマ粒子を含むプラズマ状態に変化させ、前記プラズマ粒子のうち少なくともいくつかは前記材料のフリーラジカル及びイオンである、シュラウドと、
を備える装置において、
前記電気導体は、前記非導電体に対して、前記プラズマ粒子が前記曝露シュラウド表面に固定されたデブリと化学反応し、それによって前記曝露シュラウド表面から前記デブリを放出するように位置決めされる、装置。 - 前記電気導体は前記非導電体の外部表面に回り込み、前記電気導体は誘電体材料で被覆される、請求項14の装置。
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WO2024076679A1 (en) * | 2022-10-07 | 2024-04-11 | Lam Research Corporation | Dry chamber clean using thermal and plasma processes |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009016640A (ja) | 2007-07-06 | 2009-01-22 | Ushio Inc | 極端紫外光光源装置及び極端紫外光集光鏡のクリーニング方法 |
JP2016534409A (ja) | 2013-09-09 | 2016-11-04 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 極端紫外光源用搬送システム |
WO2017127182A1 (en) | 2016-01-21 | 2017-07-27 | Asml Netherlands B.V. | System, method and apparatus for target material debris cleaning of euv vessel and euv collector |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0977470A3 (en) * | 1994-03-17 | 2003-11-19 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method and apparatus for generating induced plasma |
US6963071B2 (en) * | 2002-11-25 | 2005-11-08 | Intel Corporation | Debris mitigation device |
US7230258B2 (en) * | 2003-07-24 | 2007-06-12 | Intel Corporation | Plasma-based debris mitigation for extreme ultraviolet (EUV) light source |
JP2006202671A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Ushio Inc | 極端紫外光光源装置及び極端紫外光光源装置で発生するデブリの除去方法 |
JP4710463B2 (ja) * | 2005-07-21 | 2011-06-29 | ウシオ電機株式会社 | 極端紫外光発生装置 |
US8317929B2 (en) | 2005-09-16 | 2012-11-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus comprising an electrical discharge generator and method for cleaning an element of a lithographic apparatus |
US7372049B2 (en) * | 2005-12-02 | 2008-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus including a cleaning device and method for cleaning an optical element |
JP2008042078A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Hyogo Prefecture | スズ除去方法及び装置 |
US7696492B2 (en) * | 2006-12-13 | 2010-04-13 | Asml Netherlands B.V. | Radiation system and lithographic apparatus |
DE102007033701A1 (de) * | 2007-07-14 | 2009-01-22 | Xtreme Technologies Gmbh | Verfahren und Anordnung zur Reinigung von optischen Oberflächen in plasmabasierten Strahlungsquellen |
US7812329B2 (en) * | 2007-12-14 | 2010-10-12 | Cymer, Inc. | System managing gas flow between chambers of an extreme ultraviolet (EUV) photolithography apparatus |
JP2011023712A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-02-03 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光源装置 |
JP5702164B2 (ja) * | 2010-03-18 | 2015-04-15 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置、極端紫外光源装置の制御方法及びターゲット供給装置 |
US8633459B2 (en) | 2011-03-02 | 2014-01-21 | Cymer, Llc | Systems and methods for optics cleaning in an EUV light source |
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JP6395832B2 (ja) | 2013-08-02 | 2018-09-26 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 放射源用コンポーネント、関連した放射源およびリソグラフィ装置 |
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DE102015206114A1 (de) * | 2015-04-07 | 2016-05-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Kühler zur Verwendung in einer Vorrichtung im Vakuum |
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JP2016534409A (ja) | 2013-09-09 | 2016-11-04 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 極端紫外光源用搬送システム |
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