CN103295935B - 基板处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种不需要大量的处理气体也提高处理气体的使用效率、且对被处理体实施处理的处理空间的气密性也良好的基板处理装置。该基板处理装置包括：气体供给头（3），其设于具有用于载置被处理体的载置面（2a）的载置台（2）的一端，具有用于将处理气体向载置面喷出的多个气孔（4）；罩（6），其用于收容气体供给头和被处理体，以能够相对于载置台装卸自由的方式与载置台接合，用于在载置面之上形成处理空间（7）；密封构件（21)，其设于罩与载置台之间的接合部（20），对罩与载置台之间进行密封；吹扫气体槽（22），其设置于罩与载置台之间的接合部且设于密封构件与处理空间之间；吹扫气体供给机构，其用于向吹扫气体槽供给吹扫气体。

Description

基板处理装置

技术领域

本发明涉及基板处理装置。

背景技术

在用于在被处理体上实施成膜处理等处理的基板处理装置中，为了对构成处理容器的多个构成构件之间进行密封而利用O形环等密封构件。在专利文献1中记载有利用O形环对固定于钟形罩（日文：ベルジャ）的外环和配置有基座的底座（日文：ベースプレート）之间进行密封的立式外延生长装置。

通过利用O形环而对构成构件彼此之间进行密封。但是，若在构成构件彼此之间存在微小的间隙，则有时处理气体进入该间隙而在O形环上产生沉积物。若在O形环上产生沉积物，则构成构件彼此之间的密封性变差，处理容器的气密性变差。

因此，在专利文献1中，为了防止在O形环上附着反应生成物、即、防止在O形环上产生沉积物，而在外环和底座之间的间隙中设置圆环状的槽，根据外延生长的顺序经由该槽向上述间隙喷出用于对反应气体进行吹扫的气体。由此，在专利文献1中抑制了处理容器的气密性变差。

专利文献1：日本实公平6－459号公报

此外，在专利文献1中，由钟形罩和底座构成用于收容多个被处理体的较大的处理容器。在较大的处理容器的内部，利用钟形罩和底座形成有较大的气密空间。半导体晶圆等被处理体载置于配置在底座上的基座之上，在较大的气密空间内对载置在基座之上的被处理体实施成膜处理等处理。

还如专利文献1所记载那样，本来为了对被处理体实施处理而提供有气密空间较大，与被处理体的尺寸相比较，气密空间的容积也易于变大。为了用处理气体充满较大的气密空间，需要大量的处理气体。不仅如此，实际上有助于成膜等反应的处理气体在所供给的处理气体中也极少。

这样，在处理容器的内部具有较大的气密空间、并将较大的气密空间用作对被处理体实施处理的处理空间的基板处理装置中，存在有需要大量的处理气体，或处理气体的使用效率较低这样的情况。

发明内容

本发明提供一种不需要大量的处理气体、而且处理气体的使用效率也较高、并且对被处理体实施处理的处理空间的气密性也良好的基板处理装置。

本发明的一技术方案的基板处理装置包括：载置台，其具有用于载置被处理体的载置面；气体供给头，其设于上述载置台的一端，具有将用于对上述被处理体实施处理的处理气体向上述载置面喷出的多个气孔；罩，其用于收容上述气体供给头和载置在上述载置面上的上述被处理体，以能够相对于上述载置台装卸自由的方式接合于上述载置台，将用于对上述被处理体实施处理的处理空间形成在上述载置面之上；密封构件，其设于上述罩和上述载置台之间的接合部，用于对上述罩和上述载置台之间进行密封；吹扫气体槽，其设于上述罩和上述载置台之间的接合部、且设于上述密封构件和上述处理空间之间；以及吹扫气体供给机构，其用于向上述吹扫气体槽供给吹扫气体。

采用本发明，提供一种不需要大量的处理气体、而且处理气体的使用效率也较高、并且对被处理体实施处理的处理空间的气密性也良好的基板处理装置。

附图说明

图1是表示本发明的第1实施方式的基板处理装置的一个例子的水平剖视图。

图2的（A）和（B）是图1中的II－II剖视图。

图3是图1中的III－III剖视图。

图4是表示本发明的第1实施方式的基板处理装置的第1变形例的水平剖视图。

图5是图4中的V－V剖视图。

图6是图4中的VI－VI剖视图。

图7是表示本发明的第1实施方式的基板处理装置的第2变形例的水平剖视图。

图8是表示本发明的第1实施方式的基板处理装置的第3变形例的水平剖视图。

图9是图8中的IX－IX剖视图。

图10的（A）是表示本发明的第2实施方式的基板处理装置的一个例子的水平剖视图，图10的（B）是图10的（A）中的Ⅹ－Ⅹ剖视图。

图11的（A）是表示第2实施方式的参考例的基板处理装置的剖视图，图11的（B）是图10的（A）中的ⅪB－ⅪB剖视图。

图12是第2实施方式的参考例的基板处理装置的水平剖视图。

图13的（A）是表示本发明的第3实施方式的基板处理装置的一个例子的水平剖视图，图13的（B）是从图13的（A）中的箭头ⅩⅢB方向看到的侧视图，图13的（C）是从图13的（A）中的箭头ⅩⅢC方向看到的侧视图。

图14是表示气体流动方式的图。

图15是本发明的第4实施方式的参考例的基板处理装置的水平剖视图。

图16是表示本发明的第4实施方式的基板处理装置的第1例的水平剖视图。

图17是表示本发明的第4实施方式的基板处理装置的第2例的水平剖视图。

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的实施方式进行说明。在该说明中，在所参照的所有附图中对相同的部分标注相同的参照附图标记。

图1是表示本发明的第1实施方式的基板处理装置的一个例子的水平剖视图，图2的（A）和（B）是图1中的II－II剖视图，图3是图1中的III－III剖视图。

在第1实施方式中，作为被处理体的一个例子，使用的是用于FPD的制造或用于太阳能电池组件的玻璃基板，作为基板处理装置的一个例子，例示的是对玻璃基板实施成膜处理的成膜装置。

如图1～图3所示，基板处理装置1具有载置台2，该载置台2具有用于载置被处理体G的载置面2a。在载置台2的一端设有用于喷出对被处理体G实施处理的处理气体的气体供给头3。气体供给头3具有将处理气体向载置面2a喷出的多个气孔4、与上述多个气孔4分别连通的气体扩散室5、以及向气体扩散室5供给处理气体的处理气体供给路径5a。在载置台2的上方配置有能够以相对于载置台2装卸自如的方式与载置台2相接合的罩6。

载置台2和罩6以能够在高度方向上相对移动的方式构成。在使载置台2和罩6在高度方向上错开时，例如，如图2的（A）所示，使罩6上升而使罩6与载置台2分离时，载置台2的载置面2a向外部暴露。由此，能够使用向载置面2a上进行输送的输送臂TA来进行被处理体G的输入、载置及输出。另外，在图1～图3中，在载置面2a中，省略了使被处理体G上升、下降的升降器的图示。

此外，如图2的（B）和图3所示，若在将被处理体G载置在载置面2a上的状态下使罩6下降、使罩6紧贴于载置台2上，则在载置台2和罩6之间收容气体供给头3和载置于载置面2a之上的被处理体G，形成有用于对被处理体G实施处理的处理空间7。

这样，在基板处理装置1中，由载置台2和罩6形成仅限于载置台2的载置面2a的上方的处理空间7。与利用例如由钟形罩和底座形成气密空间、并将该气密空间用作处理空间的装置相比较，这样的处理空间7能够使与被处理体G的尺寸差不多大的处理空间7的容积变小。因此，在基板处理装置1中，能够获得如下优点：不需要大量的处理气体，而且处理气体的使用效率也提高。

此外，在本例中，示出了使罩6相对于载置台2上升下降的例子，但也可以构成为使载置台2相对于罩6上升下降。当然，也可以构成为使载置台2和罩6这两者上升下降。

在处理空间7的内部设有上述气体供给头3和排气槽8。排气槽8形成于载置台2，与排气装置9相连接。排气装置9经由排气槽8对处理空间7的内部进行排气。通过排气装置9对处理空间7的内部进行排气来进行处理空间7内的压力的调节、处理空间7内的气氛气体的置换（吹扫）。

在本例中，气体供给头3和排气槽8均为直线状。并且，直线状的气体供给头3和排气槽8沿着彼此相反的位置配置、例如沿着具有4边的矩形状的载置台2中的相对的2边配置。被处理体G以夹在直线状的气体供给头3和直线状的排气槽8之间的方式载置在上述载置面2a之上。由此，能够在被处理体G的被处理面的上方形成从气体供给头3朝向排气槽8沿着一个方向成为层流的气流F。这样，在本例中，利用沿着一个方向成为层流的气体对被处理体G进行均匀的处理、例如均匀的成膜处理。

气体供给机构10与气体供给头3的气体供给路径5a相连接，向气体供给路径5a供给在处理中使用的处理气体。被供给到气体供给路径5a中的处理气体经由气体扩散室5分别向多个气孔4供给。处理气体分别从多个气孔4朝向载置面2a喷出。多个气孔4的开口在沿着载置面2a的边的方向上形成列状。此外，沿着载置面2a的边的多个气孔4的开口的列的长度L3在载置在载置面2a上的被处理体G的、沿着气体供给头3的长度LG以上。由此，能够将沿着一个方向上成为层流的气流F相对于被处理体G的整个被处理面更均匀地供给，例如，有助于更均匀的成膜处理的促进。

而且，在本例中，具有吹扫气体供给机构11和吹扫气体排气机构12。详细而言，吹扫气体供给机构11向后述的吹扫气体槽22供给吹扫气体，吹扫气体排气机构12从吹扫气体槽22对吹扫气体进行排气。

这种基板处理装置1的各部分的控制由控制部13进行。控制部13具有例如由微处理器（计算机）构成的工艺控制器13a。在工艺控制器13a上连接有用户界面13b，该用户界面13b由操作者为了管理基板处理装置1而进行命令的输入操作等的键盘、使基板处理装置1的运转状况可视化来进行显示的显示器等构成。在工艺控制器13a上连接有存储部13c。存储部13c存储有用于在工艺控制器13a的控制下实现由基板处理装置1执行的各种处理的控制程序、用于根据处理条件使基板处理装置1的各部执行处理的制程程序。制程程序存储于例如存储部13c中的存储介质。存储介质可以是硬盘、半导体存储器，也可以是CD－ROM、DVD、闪存等可移动性的介质。此外，制程程序也可以例如经由专用线路从其他装置适当地传输。制程程序根据需要依据来自用户界面13b的指示等从存储部13c读出，通过工艺控制器13a执行按照所读出的制程程序的处理，从而基板处理装置1在工艺控制器13a的控制下实施所期望的处理、控制。

第1实施方式的基板处理装置1还具有密封构件21和吹扫气体槽22，该密封构件21设于罩6与载置台2之间的接合部20并对罩6和载置台2之间进行密封，该吹扫气体槽22同样设于接合部20且设于密封构件21和处理空间7之间。密封构件21的一个例子例如是O形环。密封构件21在本例中安装于载置台2，但也能够安装于罩6。

从上述的吹扫气体供给机构11经由吹扫气体供给路径23向吹扫气体槽22供给吹扫气体。吹扫气体的一个例子例如是氮气（N₂）。吹扫气体槽22和吹扫气体供给路径23在本例中形成于载置台2，但也能够形成于罩6。

若使罩6与载置台2相接合则密封构件21被压扁。由此，罩6与载置台2相紧贴而罩6与载置台2之间被密封，处理空间7成为气密空间。此时，在罩6与载置台2之间不存在间隙是理想的。然而，在罩6与载置台2之间产生微小的间隙。若处理气体进入该微小的间隙，则在密封构件21和接合部20的、向微小的间隙暴露的部分会产生沉积物。因此，在本例中，在接合部20上，且在密封构件21与处理空间7之间设有吹扫气体槽22。吹扫气体槽22以例如围绕载置在载置面2a上的被处理体G的方式配置。在例如至少对基板实施成膜处理的期间内向该吹扫气体槽22预先供给吹扫气体并使吹扫气体流动。由此，能够抑制处理气体从处理空间7进入微小的间隙，能够抑制在密封构件21上产生沉积物，能够防止在接合部20处的密封性变差。能够获得如下优点：通过防止在接合部20处的密封性变差，从而第1实施方式的基板处理装置1的处理空间7的气密性良好。

而且，由于在接合部20处的密封性不易变差，因此，能够获得如下优点：即使从维护到维护的期间延长，也能够长期维持良好的密封性。由于这样的优点，能够抑制用于基板处理装置1的维护的停机时间的增长，结果，也能够获得如下优点：也有益于基板处理装置1的生产率的提高。

此外，假使在密封构件21、或者接合部20上产生沉积物，则在每次开闭罩6或者载置台2，沉积物剥落而微粒飞散。在本例中，在载置台2上安装有密封构件21、或者密封构件21与载置台2相接触。也就是说，密封构件21以在载置台2上接近被处理体G的方式在整周上围绕在被处理体G的四周。若微粒从接近这样的被处理体G的密封构件21而飞散，则使用被处理体G而制造的电子产品的成品率很有可能急剧降低。

针对这一点，在第1实施方式的基板处理装置1中，由于能够抑制在密封构件21上产生沉积物，因此，能够抑制由密封构件21的沉积物产生的微粒所导致的成品率降低。这在密封构件21以在载置台2上接近被处理体G的方式在整周上围绕在被处理体G的四周的装置中是特别有效的优点。

此外，在本例中设有吹扫气体排气机构12，将供给到吹扫气体槽22的吹扫气体从吹扫气体槽22处经由吹扫气体排气路径24进行排气。吹扫气体排气机构12和吹扫气体排气路径24也未必一定要设置，只要根据需要进行设置即可，但从吹扫气体槽22对吹扫气体进行排气时，能够获得例如能够使从吹扫气体槽22朝向处理空间7漏出的吹扫气体的量减少这样的优点。通过使漏出的吹扫气体的量减少，能够抑制例如处理空间7内的处理气体的浓度因吹扫气体而不稳定地变化这样的情况。

在本例中，如图1所示，吹扫气体槽22是一根连续的槽，呈环状。在这种吹扫气体槽22的情况下，吹扫气体排气路径24也可以形成为顺时针绕和逆时针绕距例如吹扫气体槽22和吹扫气体供给路径23之间的连接点的距离为等距离的位置处与吹扫气体槽22相连接。通过这样配置吹扫气体排气路径24，能够在顺时针方向和逆时针方向上，使吹扫气体的在吹扫气体槽22内从吹扫气体供给路径23到吹扫气体排气路径24为止的气流均匀。如果在顺时针方向和逆时针方向上，使吹扫气体槽22内的吹扫气体的气流均匀，就能够使上述漏出的吹扫气体的量左右对称。在左右的吹扫气体供给路径不对称的情况下，漏出的吹扫气体量变得不均匀，有可能给处理气体的均匀性带来影响，但通过使吹扫气体供给路径左右对称，漏出的吹扫气体量变得均匀，能够保持处理气体的均匀性。由此，能够进行均匀的成膜处理。

此外，使吹扫气体槽22内的吹扫气体的气流FP在沿着从气体供给头3朝向排气槽8的气流F的部位中与气流F彼此一致较好（参照图1）。若使吹扫气体槽22内的吹扫气体的气流FP与处理空间7内的气流F反向行进，则有可能在处理空间7中产生气流的微妙的紊乱。气流的微妙的紊乱有可能对处理的均匀性带来不良影响。特别是，在本例中，吹扫气体槽22和被处理体G之间的距离较近。在这种装置中，若预先使吹扫气体的气流FP与气流F一致，则能够将非预期的处理的均匀性的紊乱抑制为最小限度。

采用这种第1实施方式的基板处理装置1，能够由载置台2和罩6仅在载置台2的载置面2a上方形成有限的狭窄的处理空间7。因此，能够获得不需要大量的处理气体、而且处理气体的使用效率也变高这样的优点。

此外，在罩6与载置台2之间的接合部20处、且在密封构件21与处理空间7之间设有吹扫气体槽22，通过使吹扫气体流经于此，能够获得如下优点：能够抑制在密封构件21上产生沉积物，处理空间7的气密性变得良好。

此外，通过抑制在密封构件21上产生沉积物，从而也能够抑制由密封构件21的沉积物所产生的微粒的飞散，特别是在密封构件21以在载置台2上接近被处理物G的方式在整周上围绕在被处理体G的四周的装置中，也能够获得能够抑制成品率的降低这样的优点。

接着，说明上述第1实施方式的基板处理装置的变形例。

（第1变形例）

图4是表示本发明的第1实施方式的基板处理装置的第1变形例的水平剖视图，图5是图4中的V－V剖视图，图6是图4中的VI－VI剖视图。

如图4～图6所示，第1变形例的基板处理装置1a与图1～图3所示的基板处理装置1不同之处在于：载置面2a具有凹部40，在凹部40中设有气体供给头3和排气槽8，被处理体G载置在凹部40内。密封构件21和吹扫气体槽22形成于罩6与形成于凹部40四周的凸部41之间的接合部20。但是，在本例中，特别是，如图6很好地所示，吹扫气体槽22的沿着气体供给头3的部分形成于凹部40。由此，吹扫气体槽22暴露于处理空间7，并且设于气体供给头3的背面。

采用第1的变形例的基板处理装置1a，由于吹扫气体槽22形成于凸部41，被处理体G载置于凹部40，因此吹扫气体槽22的位置和被处理体G的位置彼此错开（offset）。因此，与上述第1实施方式的基板处理装置1相比较，能够获得如下优点：能够使吹扫气体槽22与被处理体G之间的距离变远，在进行处理时，被处理体G不易受到从吹扫气体槽22漏出的吹扫气体的影响。

此外，由于密封构件21形成于凸部41，因此以与处理空间7的最高位置相同的高度配置。因此，也能够获得处理气体难以蔓延到凸部41与罩6之间的接合部20这样的优点。

而且，对于吹扫气体槽22的沿着气体供给头3的部分，吹扫气体槽22形成于作为处理空间7的凹部40、且设于气体供给头3的背面，因此能够防止吹扫气体主要通过气体供给头3的上部与罩6之间的间隙而流向处理空间7，处理气体蔓延到气体供给头3的背面。因此，也能够获得能够抑制在气体供给头3的背面产生沉积物这样的优点。

当然，对于吹扫气体槽22的沿着气体供给头3的部分，也可以与其他部分相同地，在优先确保使处理气体难以蔓延到凸部41与罩6之间的接合部20这样的优点的情况下，吹扫气体槽22也可以不形成于凹部40而形成于凸部41。

此外，对于将吹扫气体槽22的沿着气体供给头3的部分不形成于罩6与作为载置台2的突出部的凸部41之间的接合部20而形成于面向处理空间7的凹部40，并设于气体供给头3的背面，也能够将与此具有相同效果的结构适用于图1～图3所示的基板处理装置1，也能够适用于以后说明的任何变形例。在该情况下，在如图1～图3所示的未存在有凹部40的结构中，只要在载置台2之上的接合部20与气体供给头3之间的部分设置吹扫气体槽22，就能够获得同等的效果。

（第2变形例）

图7是表示本发明的第1实施方式的基板处理装置的第2变形例的水平剖视图。

如图7所示，第2变形例的基板处理装置1b与图1～图3所示的基板处理装置1不同之处在于：将吹扫气体槽22以围绕载置在载置面2a之上的被处理体G的方式配置，但将吹扫气体槽22分割成多个吹扫气体槽22a～22c2。在本例中，将吹扫气体槽22分割成沿着被处理体G的靠气体供给头3侧的端部（前端）的吹扫气体槽22a、沿着被处理体G的靠排气槽8侧的端部（后端）的吹扫气体槽22b、沿着将被处理体G的前端和后端连接起来的端部（侧端）的吹扫气体槽22c1、22c2这四个。

从吹扫气体供给机构11经由流量调整器51a～51c向各个吹扫气体槽22a～22c2供给吹扫气体。流量调整器51a对吹扫气体调整流量并将吹扫气体供向吹扫气体槽22a。流量调整器51b对吹扫气体调整流量并将吹扫气体供向吹扫气体槽22b。流量调整器51c对吹扫气体调整流量并将吹扫气体供向吹扫气体槽22c1、22c2。

在吹扫气体槽22a中，从中央部分供给吹扫气体。在本例中，在吹扫气体槽22a上未连接有吹扫气体排气机构12。由此，能够获得能够使吹扫气体向气体供给头3的背面漏出，能够抑制在气体供给头3上产生沉积物这样的优点。

在吹扫气体槽22b中，从两端供给吹扫气体，使用吹扫气体排气机构12从中央部分对吹扫气体进行排气。由此，在吹扫气体槽22b中分别形成有从两端朝向中央的均匀的吹扫气体的气流FP。

在吹扫气体槽22c1、22c2中，从气体供给头3侧端部供给吹扫气体，使用吹扫气体排气机构12从排气槽8侧端部对吹扫气体进行排气。由此，在吹扫气体槽22c1、22c2中，形成从气体供给头3侧朝向排气槽8侧的、与处理空间7内的气体的气流F的方向一致的吹扫气体的气流FP。

采用第2变形例的基板处理装置1b，通过分割成吹扫气体槽22a～22c2，从而由于能够对流入各个区域的吹扫气体的流量进行调整，因此能够获得能够在实际的成膜时根据密封构件21附近产生沉积物的状况设定最佳的吹扫气体流量这样的优点。

另外，第2变形例也能够与上述第1变形相组合地进行实施。例如，在第2变形例中也可以在载置台2上设有凸部41和凹部40，并且，对于吹扫气体槽22的沿着气体供给头3的部分，也可以不设于凸部41与罩6之间的接合部20而是设于凹部40。自不待言，也能够对能够适用于其他第2变形例的结构加以组合。

（第3变形例）

图8表示本发明的第1实施方式的基板处理装置的第3变形例的水平剖视图，图9是图8中的IX－IX剖视图。

如图8和图9所示，第3变形例的基板处理装置1c与图1～图3所示的基板处理装置1不同之处在于：还具有设于罩6与载置台2之间且设于密封部材21与外界之间的衬垫60。

衬垫60设于载置台2或罩6中任一个的周缘部，衬垫60的上表面的位置设定得比载置面2a的位置高。

采用第3变形例的基板处理装置1c，由于将衬垫60设于罩6与载置台2之间且设于密封构件21与外界之间，因此罩6与载置台2在密封构件21的外侧隔着衬垫60相接触。因此，也能够获得能够抑制因罩6与载置台2相接触而产生的微粒进入处理空间7这样的优点。

此外，也能够利用衬垫60的高度，使罩6与载置台2之间的微小的间隙的高度恒定。如果微小的间隙的高度为恒定的，则从吹扫气体槽22到处理空间7为止的传导率（日文：コンダクタンス）在整周上、以及在每次处理中都能够恒定。由此，能够使接合部20整周的吹扫气体的漏出的量恒定，此外，也能够使每次处理的来自吹扫气体槽22漏出吹扫气体的量恒定。并且，例如，在将多个罩6和多个载置台2设于外部腔室内、基板处理装置1c为分批处理型的情况下，也能够获得如下优点：能够使多个基板处理装置1c之间的从吹扫气体槽22传到到处理空间7的传导率恒定，能够使多个基板处理装置1c之间的工艺偏差变小。

（第2实施方式）

图10的（A）是表示本发明的第2实施方式的基板处理装置的一个例子的水平剖视图。

图10的（B）是图10的（A）中的X－X剖视图。

如图10的（A）和图10的（B）所示，第2实施方式的基板处理装置1d与图7所示的第2实施方式的基板处理装置1b的不同之处在于，在顺着排气槽8的沿着端部（后端）的吹扫气体槽22b中，使吹扫气体的气流FP成为从一端侧流向另一端侧的单一方向的气流。因此，在第2实施方式的基板处理装置1d中，吹扫气体供给路径23设于吹扫气体槽22b的一端侧，在另一端侧上设有吹扫气体排气路径24。

图11的（A）是表示第2实施方式的参考例的基板处理装置的剖视图，图11的（B）是图10的（A）中的ⅪB-ⅪB剖视图，图12是第2实施方式的参考例的基板处理装置的水平剖视图。

如图11的（A）所示，在吹扫气体槽22b的两端设有吹扫气体供给路径23，从吹扫气体槽22b的两端分别供给吹扫气体，从设于吹扫气体槽22b的中央部分的吹扫气体排气路径24对吹扫气体进行排气。在该情况下，吹扫气体槽22b内的吹扫气体的气流FP形成为，从吹扫气体槽22b的一端侧朝向中央部分流动的气流与从其另一端侧朝向中央部分流动的气流这样的彼此相向的两个方向的气流。该两个方向的气流在吹扫气体槽22b的中央部分，在吹扫气体排气路径24的上方从水平方向的流动换向为垂直方向的流动，彼此汇合并向吹扫气体排气路径24的内部流入。

采用这种吹扫气体的气流FP，在吹扫气体排气路径24的上方进行换向。因此，如图11的（A）中的圆A内所示，会在吹扫气体槽22b的底部的、存在有吹扫气体排气路径24的部分的上方，产生吹扫气体的气流FP的流速为“零”的部分。在存在有吹扫气体FP的部位，即使处理气体从处理空间7进入吹扫气体槽22b，也不会使处理气体横穿吹扫气体槽22b而通过吹扫气体槽22b，但是，流速为“零”的部分，会导致使从处理空间7进入的处理气体通过。因此，处理气体会经由处于沿着后端的吹扫气体槽22b的底部的吹扫气体排气路径24的上方，到达其下游，即，处理气体会到达吹扫气体排气路径24的后方侧的密封构件21。处理气体到达下游后，在图12中的圆圈B内所示的部分，例如产生由处理气体反应形成的沉积物。该沉积物是使密封构件21、例如树脂制的O形环劣化的主要原因。另外，图12中的ⅪA-ⅪA截面是图11的（A）。

因此，在第2实施方式中，在沿着后端的吹扫气体槽22b中，使吹扫气体的气流FP成为从一端侧流向另一端侧的单一方向的气流。

采用这种第2实施方式的基板处理装置1d，特别是如图11的（B）很好地所示，通过使吹扫气体的气流FP成为从一端侧流向另一端侧的单一方向的气流，从而在吹扫气体槽22b的上方，不会产生吹扫气体的气流FP的流速为“零”的部分。因此，处理气体难以翻越沿着后端的吹扫气体槽22b，处理气体难以到达至处于其下游的密封构件21。其结果，能够获得能够抑制产生像参考例那样的沉积物的优点。

另外，由于在后端流动的吹扫气体FP成为单一方向的气流，因此虽然相对于处理基板不对称，但是由于从吹扫气体槽22b漏出的吹扫气体立刻流入排气槽8，因此不会干扰处理气体的对称性。

另外，在第2实施方式的基板处理装置1d中，特别是如图10的（B）所示，为了以更简单的结构实现向气体供给头3供给处理气体和从排气槽8排气气体，而形成为在载置台2的底部安装有处理气体供给组件70和气体排气组件71的结构。

在处理气体供给组件70上形成有气体供给路径5b。气体供给路径5b连接在形成于载置台2的气体供给路径5a上。气体供给路径5b将来自图1所示的气体供给机构10的处理气体向气体供给路径5a导入。

若设为将这种处理气体供给组件70安装在载置台2的底部的结构，则例如对于形成于载置台2的气体供给路径5a，能够简单地采用从气体扩散室5朝向载置台2的底部贯通的呈直线状的孔。因此，当在载置台2上形成气体供给路径5a时，不需要实施使气体供给路径5a在载置台2的内部弯曲成钥匙形这样的复杂的加工。载置台2与被处理体G相比是具有较大面积的较大的构件。有时在这种较大的构件上实施复杂的孔加工是困难的，但是像第2实施方式那样将处理气体供给组件70与载置台2单独设置，例如在比载置台2小的处理气体供给组件70上进行复杂的孔加工。由此，能够获得即使是在载置台2更大型化的情况下，也能够抑制加工的困难性这样的优点。

气体排气组件71也与处理气体供给组件70相同。通过设为将气体排气组件71安装在载置台2的底部的结构，从而例如形成于载置台2的气体排气路径只简单地使排气槽8向载置台2的底部贯通即可。将该贯通的排气槽8连接在形成于气体排气组件71的气体排气路径8a上。然后，将气体排气路径8a连接在图1所示的排气装置9上。由此，能够不用在载置台2上实施复杂的孔加工，而简单地获得连接于排气装置9的气体排气路径。

另外，在第2实施方式的基板处理装置1d中，借助在吹扫气体槽22b的一端的侧面进行气体供给路径23与吹扫气体槽22b之间的连接。同样地，也还借助在吹扫气体槽22b的另一端的侧面进行气体供给路径24与吹扫气体槽22b之间的连接。但是，也能够借助吹扫气体槽22b的底部进行气体供给路径23与吹扫气体槽22b的连接和气体排气路径24与吹扫气体槽22b的连接。

但是，如果想在吹扫气体槽22b内部的处于处理气体的气流F的最下游侧的部分，可靠地消除流速为“零”的部分，则优选的是，像第2实施方式那样，吹扫气体的气流FP不会在垂直方向和水平方向上进行换向，借助吹扫气体槽22b的侧面进行气体供给路径23与吹扫气体槽22b的连接和气体排出路径24与吹扫气体槽22b的连接。这样做是因为吹扫气体的气流FP不用在垂直方向和水平方向上进行换向，能够在吹扫气体槽22b的内部消除吹扫气体的流速为“零”的部分。

（第3实施方式）

图13的（A）是表示本发明的第3实施方式的基板处理装置的一个例子的水平剖视图，图13的（B）是从图13的（A）中的箭头ⅩⅢB方向看到的侧视图，图13的（C）是从图13的（A）中的箭头XⅢC方向看到的侧视图。图14是表示气体的流动方式的图。另外，在图13的（A）～图13的（C）和图14中省略了密封构件21的图示。

如图13的（A）和（B）所示，第3实施方式的基板处理装置1e与图7所示的第2变形例的基板处理装置1b的不同之处在于吹扫气体的排气的方式。在第3实施方式中，首先，吹扫气体排气路径24c1、24c2用于从将沿着被处理体G的前端和后端的连接起来的端部（侧端）的吹扫气体槽22c1、22c2排出吹扫气体，使该吹扫气体排气路径24c1、24c2沿着气体排气路径8a内的气流，倾斜地与气体排气路径、即在本例中为气体排气组件71的气体排气路径8a汇合。更具体地说，如图14所示，吹扫气体的气流FP以具有与气体排气路径8a内的处理气体的气流F的方向相同方向的矢量成分C的状态，与处理气体的气流F汇合的方式，将吹扫气体排气路24c1、24c2以相对于气体排气路径8a倾斜的方式连接在气体排气路径8a上。

这样，通过将吹扫气体排气路径24c1、24c2以相对于气体排气路径8a倾斜的方式与之连接，从而例如与使吹扫气体排气路径24c1、24c2以与气体排气路径8a垂直的方式与之连接的情况相比，能够获得易于将吹扫气体从气体排气路径8a经由吹扫气体排气路径24c1、24c2进行排气这样的优点。

相同地，对于沿着被处理体G的后端的吹扫气体槽22b，也让用于从吹扫气体槽22b排出吹扫气体的吹扫气体排气路径24b与气体排气路径8a内的气流倾斜的方式，以使吹扫气体的气流FP具有与气体排气路径8a内的处理气体的气流F的方向相同方向的矢量成分D的状态下，使吹扫气体排气路径24b与气体排气路径8a汇合。

这样，通过使吹扫气体排气路径24b也通过相对于气体排气路径8a倾斜地与之连接，从而例如与使吹扫气体排气路径24b相对于气体排气路径8a呈直角地连接的情况相比较，能够获得易于将吹扫气体从气体排气路径8a经由吹扫气体排气路径24b进行排气这样的优点。

另外，虽然作为吹扫气体排气路径24c1、24c2与气体排气路径8a之间的汇合部，但是不使吹扫气体排气路径24c1、24c2在排气槽8或排气槽8的附近汇合是较好的。这是因为若使吹扫气体排气路径24c1、24c2在排气槽8或排气槽8的附近汇合，则存在有排气槽8或排气槽8的附近的气流由于吹扫气体汇合而形成紊乱的可能性。若排气槽8或排气槽8的附近的气流紊乱，则存在有其影响波及至处理空间7的内部的可能性，有时会对处理空间7的气流发生微小的“波动”的情况。气流的“波动”会对被处理体G的处理的均匀性产生影响，能够成为发生处理不均匀的原因。因此，使吹扫气体排气路径24c1、24c2和气体排气路径8a在与排气槽8的、例如中心线分开一定程度的距离E的地方汇合是较好的。虽然一定程度的距离E可依赖于基板处理装置1e的大小而进行各种变更，但是该距离E至少是即使将吹扫气体向气体排气路径8a进行排气，也能使排气槽8或排气槽8的附近的气流能够维持层流的距离。通过使排气槽8或排气槽8的附近的气流维持有层流，从而即使将吹扫气体向用于对处理气体进行排气的气体排气路径8a排气，也能够难以对被处理体G的处理的均匀性产生影响，例如能够抑制处理不均匀的发生。

对于吹扫气体排气路径24b与气体排气路径8a之间的汇合部也是相同的，优选使该汇合部与排气槽8的、例如中心线分开的距离为，即使将来自吹扫气体排气路径24b的吹扫气体向气体排气路径8a排气，也能使排气槽8或排气槽8的附近的气流能够维持层流的距离。

另外，第3实施方式的基板处理装置1e具有与第2实施方式的基板处理装置1d相同的吹扫气体槽22b。即，吹扫气体槽22b内的吹扫气体的流动方向为单一方向。在该情况下，起始于吹扫气体槽22b的吹扫气体排气路径24b为一根。因此，吹扫气体的向气体排气路径8a的汇合为左右不对称。在该情况下，若在吹扫气体排气路径24c1与气体排气路径8a的汇合部或24c2与气体排气路径8a的汇合部的附近，使吹扫气体排气路径24b与气体排气路径8a汇合，则排气的平衡易于被破坏。因此，也考虑到使排气槽8或排气槽8的附近的气流维持层流是困难的。在有只一根令人产生这样担心的吹扫气体排气路径24b的情况下，将吹扫气体排气路径24b与气体排气路径8a的汇合部、吹扫气体排气路径24c1或24c2与排气路径8a的汇合部分别单独设置，使吹扫气体排气路径24b与气体排气路径8a的汇合部离开吹扫气体排气路径24c1或24c2与排气路径8a的汇合部一定程度的距离F是较好的。对于一定程度的距离F也能依赖于基板处理装置1e的大小、气体排气路径8a的大小而进行各种变更，但是即使将吹扫气体从只有一根的吹扫气体排气路径24b向气体排气路径8a排气，也是不会使排气槽8或排气槽8的附近的气流紊乱，离开能够维持层流的距离是较好的。

通过这样设置，即使将吹扫气体从只有一根的吹扫气体排气路径24b向气体排气路径8a进行排气，也能够难以对被处理体G的处理的均匀性产生影响，例如能够抑制处理不均匀的发生。

另外，在第3实施方式中，虽然使吹扫气体排气路径24c1、24c2在气体排气路径8a的上部汇合，但是也可以它们在气体排气路径8a的侧面汇合。另外，虽然对于吹扫气体排气路径24b，使其在气体排气路径8a的侧面进行汇合，但是也可以使其在气体排出路径8a的上部汇合。

（第4实施方式）

图15是本发明的第4实施方式的参考例的基板处理装置的水平剖视图。

如图15所示，当从沿着被处理体G的侧端的吹扫气体槽22c1、22c2对吹扫气体进行排气时，在将吹扫气体排气路径24c1、24c2连接在吹扫气体槽22c1、22c2的底部的类型的基板处理装置中，在吹扫气体槽22c1、22c2中的吹扫气体排气路径24c1、24c2的上方产生吹扫气体的流速为“零”的部分。因此，在图15中的圆圈H1、H2内所示处理气体的下游侧的角部处，例如易于产生由于处理气体反应而形成的沉积物。

因此，在第4实施方式中，提供一种在吹扫气体槽22c1、22c2的底部连接有吹扫气体排气路径24c1、24c2的情况下、也能够难以在作为处理气体的下游侧的角部产生沉积物的基板处理装置。

图16是表示本发明的第4实施方式的基本处理装置的第1例的水平剖视图。

如图16所示，在第4实施方式的第1例的基本处理装置1f中，使沿着被处理体G的侧端的吹扫气体槽22c1、22c2的平面图形，在处理气体的气流F的下游侧，弯曲为大致平行于被处理体G的靠后端的吹扫气体槽22b。通过这样使吹扫气体槽22c1、22c2弯曲，从而通过使吹扫气体的流速成为“零”的吹扫气体排气路径24c1、24c2的上方的部分与吹扫气体的流速不为“零”的吹扫气体槽22b重叠，从而能够抑制处理气体到达位于处理气体的气流F的下游侧的角部。吹扫气体槽22b的结构形成为与第2实施方式的基板处理装置1d相同地使吹扫气体向一个方向流动是较好的。

采用这种第1例的基板处理装置1f，能够获得例如在吹扫气体槽22c1、22c2的底部连接有吹扫气体排气路径24c1、24c2的情况下，也能够使位于处理气体下游侧的角部难以产生沉积物这样的优点。

（第2例）

图17是表示本发明的第4实施方式的基板处理装置的第2例的水平剖视图。

如图17所示，第2例的基板处理装置1g与第1例的基板处理装置1f的不同之处在于，在第1例中将使吹扫气体槽22c1、22c2沿着被处理体G的靠后端的吹扫气体槽22b呈直角弯曲的部分改变为朝向吹扫气体槽22b倾斜地弯曲，即呈钝角弯曲。通过这样使吹扫气体槽22c1、22c2朝向吹扫气体槽22b倾斜地弯曲，从而能够将吹扫气体槽22c1、22c2的平面图形设为钝角。因此，与使吹扫气体槽22c1、22c2呈直角弯曲的情况相比较，能够获得使吹扫气体槽22c1、22c2的传导率下降，能够更易于使吹扫气体流动且易于排气这样的优点。

当然，在第4实施方式中也使吹扫气体的流速为“零”的吹扫气体排气路径24c1、24c2的上方的部分与吹扫气体的流速未为“零”的吹扫气体槽22b重叠。并且，吹扫气体槽22b的结构形成为与第2实施方式的基板处理装置1d相同地使吹扫气体向单一方向流动是较好的。由此，能够获得与第1例相同地，例如在吹扫气体槽22c1、22c2的底部连接有吹扫气体排气路径24c1、24c2的情况下，也能够使处于处理气体的下游侧的角部难以产生沉积物这样的优点。

另外，第4实施方式能够与第3实施方式一并使用。即第4实施方式与第3实施方式一并使用是优选的。

另外，如本第2例那样，在使吹扫气体槽22c1、22c2朝向吹扫气体槽22b倾斜地弯曲的情况下，能够将吹扫气体排气路径24c1、24c2的延伸方向与倾斜地弯曲的吹扫气体槽22c1、22c2的延伸方向在俯视角度来看呈一条直线的方式配置（参照图17）。在该情况下，能够获得与吹扫气体槽22c1、22c2的延伸方向和从俯视角度看到的吹扫气体排气路径24c1、24c2的延伸方向错开的情况相比较，能够将吹扫气体从吹扫气体槽22c1、22c2向吹扫气体排气路径24c1、24c2更顺畅地导入并进行排气这样的优点。

以上，根据实施方式说明了本发明，但是本发明并不限定于上述实施方式，能够进行各种变形。

例如，在上述实施方式中，载置台2仅为一个，但是也可以为呈多层地层叠载置台2、基板处理装置为分批处理型。

此外，也能够在例如从气体供给头3的背面通过上部而供给吹扫气体时将吹扫气体兼用作处理气体的载气。除此之外，本发明在不脱离其主旨的范围内能够进行各种变形。

附图标记说明

G…被处理体；2…载置台；2a…载置面；3…气体供给头；4…气孔；5…气体扩散室；6…罩；7…处理空间；8a…气体排气路径；11…吹扫气体供给机构；20…接合部；21…密封构件；22、22a、22b、22c1、22c2…吹扫气体槽；24、24b、24c1、24c2…吹扫气体排气路径。

Claims (13)

1.一种基板处理装置，其特征在于，

该基板处理装置包括：

载置台，其具有用于载置被处理体的载置面；

气体供给头，其设于上述载置台的一端，具有用于将对上述被处理体实施处理的处理气体向上述载置面喷出的多个气孔；

罩，其用于收容上述气体供给头和被载置在上述载置面之上的上述被处理体，以能够相对于上述载置台装卸自由的方式接合于上述载置台，将用于对上述被处理体实施处理的处理空间形成在上述载置面之上；

密封构件，其设于上述罩和上述载置台之间的接合部，用于对上述罩和上述载置台之间进行密封；

吹扫气体槽，其设于上述罩和上述载置台之间的接合部、且设于上述密封构件和上述处理空间之间；

吹扫气体供给机构，其用于向上述吹扫气体槽供给吹扫气体；

吹扫气体排气机构，其用于从上述吹扫气体槽对上述吹扫气体进行排气；以及

气体排气路径，该气体排气路径用于排出供给到上述处理空间中的处理气体。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

上述载置面具有凹部，在该凹部中设有上述气体供给头，在该凹部中载置有上述被处理体，

上述密封构件和上述吹扫气体槽的至少一部分设于上述罩与形成在上述凹部的四周的凸部之间的接合面。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，

上述吹扫气体槽以围绕被载置在上述载置面上的上述被处理体的方式配置。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

上述吹扫气体槽是一根连续的槽。

5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

上述吹扫气体槽是被分割成多个部分的槽。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，

在上述分割为多个部分的吹扫气体槽中、在位于上述处理气体的流动方向的下游侧的吹扫气体槽中，上述吹扫气体向单一方向流动。

7.根据权利要求5或6所述的基板处理装置，其特征在于，

以将从上述分割为多个部分的吹扫气体槽中排出的上述吹扫气体排出到上述气体排气路径中，并且使在用于排出上述吹扫气体的吹扫气体排气路径具有与在上述气体排气路径中流动的上述处理气体的流动方向相同方向的矢量成分的方式，使吹扫气体排气路径与上述气体排气路径倾斜地汇合。

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，

分别单独且彼此分离地设置上述分割为多个部分的吹扫气体槽中的、沿着上述被处理体的侧端的吹扫气体槽与上述气体排气路径的汇合部和沿着上述被处理体的后端的吹扫气体槽与上述气体排气路径的汇合部。

9.根据权利要求5或6所述的基板处理装置，其特征在于，

使上述分割为多个部分的吹扫气体槽中的、沿着上述被处理体的侧端的吹扫气体槽，在上述处理气体的流动方向的下游侧，朝向沿着上述被处理体的后端的吹扫气体槽弯曲，

使沿着上述被处理体的侧端的吹扫气体槽与用于排出吹扫气体的吹扫气体排气路径之间的连接部，与沿着上述被处理体的后端的吹扫气体槽重叠。

10.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

上述吹扫气体槽的沿着上述气体供给头的部分向上述处理空间内暴露且位于上述气体供给头的背面。

11.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，

该基板处理装置还具有衬垫，该衬垫设于上述罩与上述载置台之间且在上述密封构件与外界之间。

12.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，

上述气体供给头的上述多个气孔的开口在沿着上述载置面的边的方向呈列形成，

沿着上述载置面的边的上述气体供给头的长度，在载置于上述载置面之上的上述被处理体的、沿着上述气体供给头的长度以上。

13.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，

上述吹扫气体兼用作上述处理气体的载气。