JP2003003263A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 消耗品としてのシール部材の劣化を抑えて寿
命を伸ばすことができ、メンテナンスの頻度を減らして
コストを低減する。 【解決手段】 クリーニング処理を実施する際、天井板
４の部位の円環溝３２及び搬入・搬出口５１の部位の円
環溝５５に成膜室３内よりも高い所定圧力の不活性ガス
を圧送し、成膜室３側とＯリング３１、５３側とを遮断
してフッ素イオンの到達を阻止することでフッ素イオン
に晒されることを防止し、Ｏリング３１、５３の劣化を
抑制し、消耗品としての高価なＯリング３１、５３の寿
命を大幅に伸ばし、メンテナンスの頻度を減らしてコス
トを飛躍的に抑制する。
命を伸ばすことができ、メンテナンスの頻度を減らして
コストを低減する。 【解決手段】 クリーニング処理を実施する際、天井板
４の部位の円環溝３２及び搬入・搬出口５１の部位の円
環溝５５に成膜室３内よりも高い所定圧力の不活性ガス
を圧送し、成膜室３側とＯリング３１、５３側とを遮断
してフッ素イオンの到達を阻止することでフッ素イオン
に晒されることを防止し、Ｏリング３１、５３の劣化を
抑制し、消耗品としての高価なＯリング３１、５３の寿
命を大幅に伸ばし、メンテナンスの頻度を減らしてコス
トを飛躍的に抑制する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、気相成長法により
基板の表面に成膜を行うプラズマＣＶＤ装置に関する。
基板の表面に成膜を行うプラズマＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、半導体の製造では、プラズマＣＶ
Ｄ(Chemical Vapor Deposition) 装置を用いた成膜が知
られている。プラズマＣＶＤ装置は、膜の材料となる材
料ガスを容器内の成膜室の中に導入してプラズマ状態に
し、プラズマ中の活性な励起原子によって基板表面の化
学的な反応を促進して成膜を行う装置である。
Ｄ(Chemical Vapor Deposition) 装置を用いた成膜が知
られている。プラズマＣＶＤ装置は、膜の材料となる材
料ガスを容器内の成膜室の中に導入してプラズマ状態に
し、プラズマ中の活性な励起原子によって基板表面の化
学的な反応を促進して成膜を行う装置である。
【０００３】プラズマＣＶＤ装置においては、基板上の
みならず、電極や成膜室の内壁にも成膜されるため、成
膜工程の繰り返しに伴い電極や成膜室の内壁に付着・堆
積した膜は剥離して基板を汚染してしまう。このため、
従来から、成膜室の内部は定期的にクリーニング処理が
施されて付着・堆積した膜が除去されている。クリーニ
ング処理は、ＮＦ3 等のフッ化ガス（エッチングガス）
を成膜室に供給しながらプラズマを発生させ、気相のフ
ッ化ガス分子をプラズマにより分解して電極や成膜室の
内壁に付着・堆積した膜を除去するようになっている。
みならず、電極や成膜室の内壁にも成膜されるため、成
膜工程の繰り返しに伴い電極や成膜室の内壁に付着・堆
積した膜は剥離して基板を汚染してしまう。このため、
従来から、成膜室の内部は定期的にクリーニング処理が
施されて付着・堆積した膜が除去されている。クリーニ
ング処理は、ＮＦ3 等のフッ化ガス（エッチングガス）
を成膜室に供給しながらプラズマを発生させ、気相のフ
ッ化ガス分子をプラズマにより分解して電極や成膜室の
内壁に付着・堆積した膜を除去するようになっている。
【０００４】ところで、プラズマＣＶＤ装置にあって
は、所定形状の容器の内部に成膜室が形成され、容器の
上部には電磁波透過窓を備えた天井板が配されている。
そして、天井板はシール部材（Ｏリング）で成膜室内を
封止した状態で容器に設けられている。また、プラズマ
ＣＶＤ装置にあっては、容器の内部を排気するための真
空排気系（図示省略）に接続される排気口や、基板の搬
入・搬出口が設けられ、排気口や搬入・搬出口の周囲に
も蓋との間で成膜室内を封止するＯリングが設けられて
いる。更に、容器が分割されている場合、分割部にもＯ
リングが設けられて成膜室内を外部から封止している。
は、所定形状の容器の内部に成膜室が形成され、容器の
上部には電磁波透過窓を備えた天井板が配されている。
そして、天井板はシール部材（Ｏリング）で成膜室内を
封止した状態で容器に設けられている。また、プラズマ
ＣＶＤ装置にあっては、容器の内部を排気するための真
空排気系（図示省略）に接続される排気口や、基板の搬
入・搬出口が設けられ、排気口や搬入・搬出口の周囲に
も蓋との間で成膜室内を封止するＯリングが設けられて
いる。更に、容器が分割されている場合、分割部にもＯ
リングが設けられて成膜室内を外部から封止している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のプラズマＣＶＤ
装置には、成膜室内を封止するＯリングが設けられ、プ
ラズマＣＶＤ装置は定期的にクリーニング処理が施され
るため、フッ化ガス分子のプラズマによりＯリングが晒
されることになる。このＯリングは耐熱性や耐プラズマ
性に優れたもので、非常に高価な部材となっているが、
クリーニング処理の度にフッ化ガス分子のプラズマによ
り晒されるため、劣化は避けられず定期的に交換する必
要があった。このため、消耗品としてのＯリングのコス
トが高くなっているのが現状であった。
装置には、成膜室内を封止するＯリングが設けられ、プ
ラズマＣＶＤ装置は定期的にクリーニング処理が施され
るため、フッ化ガス分子のプラズマによりＯリングが晒
されることになる。このＯリングは耐熱性や耐プラズマ
性に優れたもので、非常に高価な部材となっているが、
クリーニング処理の度にフッ化ガス分子のプラズマによ
り晒されるため、劣化は避けられず定期的に交換する必
要があった。このため、消耗品としてのＯリングのコス
トが高くなっているのが現状であった。
【０００６】本発明は上記状況に鑑みてなされたもの
で、成膜室内を封止するシール部材の劣化を低減して消
耗品としてのシール部材のコストを抑制することができ
るプラズマＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
で、成膜室内を封止するシール部材の劣化を低減して消
耗品としてのシール部材のコストを抑制することができ
るプラズマＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明のプラズマＣＶＤ装置は、シール部材で封止さ
れた成膜室にプラズマを発生させてそこで励起・活性化
された原子・分子により基板の表面に成膜が施されるプ
ラズマＣＶＤ装置において、成膜室とシール部材の間に
流体圧入部を設け、成膜室側とシール部材側とを遮断す
るように流体圧入部に流体を圧送する圧送手段を設けた
ことを特徴とする。
の本発明のプラズマＣＶＤ装置は、シール部材で封止さ
れた成膜室にプラズマを発生させてそこで励起・活性化
された原子・分子により基板の表面に成膜が施されるプ
ラズマＣＶＤ装置において、成膜室とシール部材の間に
流体圧入部を設け、成膜室側とシール部材側とを遮断す
るように流体圧入部に流体を圧送する圧送手段を設けた
ことを特徴とする。
【０００８】また、上記目的を達成するための本発明の
プラズマＣＶＤ装置は、シール部材で封止された成膜室
にプラズマを発生させてそこで励起・活性化された原子
・分子により基板の表面に成膜が施されると共に、所定
の周期でクリーニングガスを導入してプラズマを発生さ
せ、装置側に付着・堆積した膜を除去するクリーニング
処理を行うプラズマＣＶＤ装置において、成膜室とシー
ル部材の間に流体圧入部を設け、少なくともクリーニン
グ処理の時に成膜室側とシール部材側とを遮断するよう
に流体圧入部に流体を圧送する圧送手段を設けたことを
特徴とする。
プラズマＣＶＤ装置は、シール部材で封止された成膜室
にプラズマを発生させてそこで励起・活性化された原子
・分子により基板の表面に成膜が施されると共に、所定
の周期でクリーニングガスを導入してプラズマを発生さ
せ、装置側に付着・堆積した膜を除去するクリーニング
処理を行うプラズマＣＶＤ装置において、成膜室とシー
ル部材の間に流体圧入部を設け、少なくともクリーニン
グ処理の時に成膜室側とシール部材側とを遮断するよう
に流体圧入部に流体を圧送する圧送手段を設けたことを
特徴とする。
【０００９】そして、流体通路に圧送される流体は不活
性ガスであることを特徴とする。また、流体通路に圧送
される流体は酸素ガスであることを特徴とする。
性ガスであることを特徴とする。また、流体通路に圧送
される流体は酸素ガスであることを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１には本発明の一実施形態例に
係るプラズマＣＶＤ装置の概略側面、図２には天井板部
の詳細断面、図３にはＯリングと流体圧入部の関係を表
す図１中のIII-III 線矢視を示してある。また、図４に
は搬入・搬出口の詳細断面を示してある。
係るプラズマＣＶＤ装置の概略側面、図２には天井板部
の詳細断面、図３にはＯリングと流体圧入部の関係を表
す図１中のIII-III 線矢視を示してある。また、図４に
は搬入・搬出口の詳細断面を示してある。
【００１１】図１に示すように、基部１には円筒状のア
ルミニウム製の容器２が設けられ、容器２内に成膜室３
が形成されている。容器２の上部には円形の天井板４が
設けられ、容器２の中心における成膜室３にはウエハ支
持台５が備えられている。ウエハ支持台５は半導体の基
板６を静電的に吸着保持する円盤状の載置部７を有し、
載置部７は支持軸８に支持されている。載置部７にはバ
イアス電源２１及び静電電源２２が接続され、載置部７
に低周波を発生させると共に静電気力を発生させる。ウ
エハ支持台５は全体が昇降自在もしくは支持軸８が伸縮
自在とすることで、上下方向の高さが最適な高さに調整
できるようになっている。
ルミニウム製の容器２が設けられ、容器２内に成膜室３
が形成されている。容器２の上部には円形の天井板４が
設けられ、容器２の中心における成膜室３にはウエハ支
持台５が備えられている。ウエハ支持台５は半導体の基
板６を静電的に吸着保持する円盤状の載置部７を有し、
載置部７は支持軸８に支持されている。載置部７にはバ
イアス電源２１及び静電電源２２が接続され、載置部７
に低周波を発生させると共に静電気力を発生させる。ウ
エハ支持台５は全体が昇降自在もしくは支持軸８が伸縮
自在とすることで、上下方向の高さが最適な高さに調整
できるようになっている。
【００１２】天井板４の上には、例えば、円形リング状
の高周波アンテナ１３が配置され、高周波アンテナ１３
には整合器１４を介して高周波電源１５が接続されてい
る。高周波アンテナ１３に電力を供給することにより電
磁波が容器２の成膜室３に入射する。容器２内に入射さ
れた電磁波は、成膜室３内のガスをイオン化してプラズ
マを発生させる。
の高周波アンテナ１３が配置され、高周波アンテナ１３
には整合器１４を介して高周波電源１５が接続されてい
る。高周波アンテナ１３に電力を供給することにより電
磁波が容器２の成膜室３に入射する。容器２内に入射さ
れた電磁波は、成膜室３内のガスをイオン化してプラズ
マを発生させる。
【００１３】容器２には、例えば、シラン（例えば SiH
4)等の材料ガスを供給するガス供給ノズル１６が設けら
れ、ガス供給ノズル１６から成膜室３内に成膜材料（例
えばSi）となる材料ガスが供給される。また、容器２に
はアルゴンやヘリウム等の不活性ガス（希ガス）や酸
素、水素、クリーニング用のＮＦ3 等の補助ガスを供給
する補助ガス供給ノズル１７が設けられ、基部１には容
器２の内部を排気するための真空排気系（図示省略）に
接続される排気口１８が設けられている。また、容器２
には基板６の搬入・搬出口５１が設けられ、図示しない
搬送室との間で基板６が搬入・搬出される。
4)等の材料ガスを供給するガス供給ノズル１６が設けら
れ、ガス供給ノズル１６から成膜室３内に成膜材料（例
えばSi）となる材料ガスが供給される。また、容器２に
はアルゴンやヘリウム等の不活性ガス（希ガス）や酸
素、水素、クリーニング用のＮＦ3 等の補助ガスを供給
する補助ガス供給ノズル１７が設けられ、基部１には容
器２の内部を排気するための真空排気系（図示省略）に
接続される排気口１８が設けられている。また、容器２
には基板６の搬入・搬出口５１が設けられ、図示しない
搬送室との間で基板６が搬入・搬出される。
【００１４】図２に示すように、天井板４はシール部材
としてのＯリング３１を介して容器２に設けられ、Ｏリ
ング３１により成膜室３内が封止されている。図２、図
３に示すように、成膜室３とＯリング３１の間における
容器２の上面には流体圧入部としての円環溝３２が形成
され、円環溝３２には不活性ガスライン３３が形成され
ている。円環溝３２にはクリーニング処理時に、不活性
ガスライン３３から所定圧力の不活性ガス（例えば、ア
ルゴン）が圧送される（圧送手段）。不活性ガスが圧送
される圧力は、クリーニング処理時の成膜室３内の圧力
（例えば１Torr）よりも若干高い圧力（例えば５Torr）
に設定され、Ｏリング３１側へのフッ素ガスプラズマ
（フッ素イオン）の到達が阻止されて、成膜室３側とＯ
リング３１側が遮断された状態になる。
としてのＯリング３１を介して容器２に設けられ、Ｏリ
ング３１により成膜室３内が封止されている。図２、図
３に示すように、成膜室３とＯリング３１の間における
容器２の上面には流体圧入部としての円環溝３２が形成
され、円環溝３２には不活性ガスライン３３が形成され
ている。円環溝３２にはクリーニング処理時に、不活性
ガスライン３３から所定圧力の不活性ガス（例えば、ア
ルゴン）が圧送される（圧送手段）。不活性ガスが圧送
される圧力は、クリーニング処理時の成膜室３内の圧力
（例えば１Torr）よりも若干高い圧力（例えば５Torr）
に設定され、Ｏリング３１側へのフッ素ガスプラズマ
（フッ素イオン）の到達が阻止されて、成膜室３側とＯ
リング３１側が遮断された状態になる。
【００１５】また、図１及び図４に示すように、搬入・
搬出口５１にはフランジ部５２が形成され、フランジ部
５２の周囲にはシール部材としてのＯリング５３が設け
られている。基板６の搬入・搬出を行う時以外には、フ
ランジ部５２に蓋５４が密着してＯリング５３により成
膜室３内が封止されている。図４に示すように、フラン
ジ部５２のＯリング５３の内周部位には流体圧入部とし
ての円環溝５５が形成され、円環溝５５には不活性ガス
ライン５６が形成されている。円環溝５５にはクリーニ
ング処理時に、不活性ガスライン５６から所定圧力の不
活性ガス（例えば、アルゴン）が圧送される（圧送手
段）。円環溝３２と同様に、不活性ガスが圧送される圧
力は、クリーニング処理時の成膜室３内の圧力（例えば
１Torr）よりも若干高い圧力（例えば５Torr）に設定さ
れ、Ｏリング３１側へのフッ素ガスプラズマ（フッ素イ
オン）の到達が阻止されて、成膜室３側とＯリング３１
側が遮断された状態になる。
搬出口５１にはフランジ部５２が形成され、フランジ部
５２の周囲にはシール部材としてのＯリング５３が設け
られている。基板６の搬入・搬出を行う時以外には、フ
ランジ部５２に蓋５４が密着してＯリング５３により成
膜室３内が封止されている。図４に示すように、フラン
ジ部５２のＯリング５３の内周部位には流体圧入部とし
ての円環溝５５が形成され、円環溝５５には不活性ガス
ライン５６が形成されている。円環溝５５にはクリーニ
ング処理時に、不活性ガスライン５６から所定圧力の不
活性ガス（例えば、アルゴン）が圧送される（圧送手
段）。円環溝３２と同様に、不活性ガスが圧送される圧
力は、クリーニング処理時の成膜室３内の圧力（例えば
１Torr）よりも若干高い圧力（例えば５Torr）に設定さ
れ、Ｏリング３１側へのフッ素ガスプラズマ（フッ素イ
オン）の到達が阻止されて、成膜室３側とＯリング３１
側が遮断された状態になる。
【００１６】図示及び説明は省略したが、排気口１８に
も同様にＯリング及び円環溝が設けられ、円環溝には所
定圧力の不活性ガスが圧送されるようになっている。ま
た、容器が分割されている場合等においても、成膜室３
と外部とを封止するためにＯリング及び円環溝が設けら
れ、円環溝には所定圧力の不活性ガスが圧送されるよう
になっている。尚、円環溝に送られる流体は、アルゴン
等の不活性ガスに限らず、酸素ガスを用いることも可能
である。また、場合によっては、クリーニング用のＮＦ
3 等の補助ガスを加圧して供給することも可能である。
また、不活性ガスを成膜時に圧送するようにすることも
可能である。
も同様にＯリング及び円環溝が設けられ、円環溝には所
定圧力の不活性ガスが圧送されるようになっている。ま
た、容器が分割されている場合等においても、成膜室３
と外部とを封止するためにＯリング及び円環溝が設けら
れ、円環溝には所定圧力の不活性ガスが圧送されるよう
になっている。尚、円環溝に送られる流体は、アルゴン
等の不活性ガスに限らず、酸素ガスを用いることも可能
である。また、場合によっては、クリーニング用のＮＦ
3 等の補助ガスを加圧して供給することも可能である。
また、不活性ガスを成膜時に圧送するようにすることも
可能である。
【００１７】上述したプラズマＣＶＤ装置では、ウエハ
支持台５の載置部７に基板６が載せられ、静電的に吸着
される。ガス供給ノズル１６から所定流量の材料ガスを
成膜室３内に供給すると共に補助ガス供給ノズル１７か
ら所定流量の補助ガスを成膜室３内に供給し、成膜室３
内を成膜条件に応じた所定圧力に設定する。その後、高
周波電源１５から高周波アンテナ１３に電力を供給して
高周波を発生させると共にバイアス電源２１から載置部
７に電力を供給して低周波を発生させる。
支持台５の載置部７に基板６が載せられ、静電的に吸着
される。ガス供給ノズル１６から所定流量の材料ガスを
成膜室３内に供給すると共に補助ガス供給ノズル１７か
ら所定流量の補助ガスを成膜室３内に供給し、成膜室３
内を成膜条件に応じた所定圧力に設定する。その後、高
周波電源１５から高周波アンテナ１３に電力を供給して
高周波を発生させると共にバイアス電源２１から載置部
７に電力を供給して低周波を発生させる。
【００１８】これにより、成膜室３内の材料ガスが放電
して一部がプラズマ状態となる。このプラズマは、材料
ガス中の他の中性分子に衝突して更に中性分子を電離、
あるいは励起する。こうして生じた活性な粒子は、基板
６の表面に吸着して効率良く化学反応を起こし、堆積し
てＣＶＤ膜となる。
して一部がプラズマ状態となる。このプラズマは、材料
ガス中の他の中性分子に衝突して更に中性分子を電離、
あるいは励起する。こうして生じた活性な粒子は、基板
６の表面に吸着して効率良く化学反応を起こし、堆積し
てＣＶＤ膜となる。
【００１９】所定枚数の基板６に対する成膜が行われた
後、成膜室３の内壁等に成膜された成膜材を除去するク
リーニング処理が実施される。所定枚数の基板６に対す
る成膜が行われた後、補助ガス供給ノズル１７からエッ
チングガスとしてのフッ化ガス（例えば、ＮＦ3 ガス）
が成膜室３内に導入され、プラズマを発生させてプラズ
マエッチングにより成膜室３の内壁等に成膜された成膜
材が除去される。クリーニング処理を実施する際、天井
板４の部位の円環溝３２及び搬入・搬出口５１の部位の
円環溝５５には成膜室３内よりも高い所定圧力の不活性
ガスが圧送され、成膜室３側とＯリング３１、５３側と
が遮断された状態にされている。
後、成膜室３の内壁等に成膜された成膜材を除去するク
リーニング処理が実施される。所定枚数の基板６に対す
る成膜が行われた後、補助ガス供給ノズル１７からエッ
チングガスとしてのフッ化ガス（例えば、ＮＦ3 ガス）
が成膜室３内に導入され、プラズマを発生させてプラズ
マエッチングにより成膜室３の内壁等に成膜された成膜
材が除去される。クリーニング処理を実施する際、天井
板４の部位の円環溝３２及び搬入・搬出口５１の部位の
円環溝５５には成膜室３内よりも高い所定圧力の不活性
ガスが圧送され、成膜室３側とＯリング３１、５３側と
が遮断された状態にされている。
【００２０】従って、クリーニング処理時に、円環溝３
２、５５に所定圧力の不活性ガスを圧送することで、Ｏ
リング３１、５３側へのフッ素ガスプラズマ（フッ素イ
オン）の到達が阻止され、Ｏリング３１、５３がフッ素
イオンに晒されることが防止される。これにより、Ｏリ
ング３１、５３の劣化を抑制することが可能になる。こ
のため、消耗品としての高価なＯリング３１、５３の寿
命を大幅に伸ばすことができ、メンテナンスの頻度を減
らしてコストを飛躍的に抑制することが可能になる。ク
リーニング処理時以外の成膜時等にに円環溝３２、５５
に所定圧力の不活性ガスを圧送することで、材料ガスイ
オンのＯリング３１、５３側への到達が阻止され、更な
る劣化の抑制が可能になる。
２、５５に所定圧力の不活性ガスを圧送することで、Ｏ
リング３１、５３側へのフッ素ガスプラズマ（フッ素イ
オン）の到達が阻止され、Ｏリング３１、５３がフッ素
イオンに晒されることが防止される。これにより、Ｏリ
ング３１、５３の劣化を抑制することが可能になる。こ
のため、消耗品としての高価なＯリング３１、５３の寿
命を大幅に伸ばすことができ、メンテナンスの頻度を減
らしてコストを飛躍的に抑制することが可能になる。ク
リーニング処理時以外の成膜時等にに円環溝３２、５５
に所定圧力の不活性ガスを圧送することで、材料ガスイ
オンのＯリング３１、５３側への到達が阻止され、更な
る劣化の抑制が可能になる。
【００２１】
【発明の効果】本発明のプラズマＣＶＤ装置は、シール
部材で封止された成膜室にプラズマを発生させてそこで
励起・活性化された原子・分子により基板の表面に成膜
が施されるプラズマＣＶＤ装置において、成膜室とシー
ル部材の間に流体圧入部を設け、成膜室側とシール部材
側とを遮断するように流体圧入部に流体を圧送する圧送
手段を設けたので、流体圧入部に流体を圧送すること
で、成膜室側とシール部材側とが遮断されて材料ガスプ
ラズマにシール部材が晒されることを抑制することがで
きる。この結果、消耗品としてのシール部材の劣化を抑
えて寿命を伸ばすことができ、メンテナンスの頻度を減
らしてコストを低減することが可能になる。
部材で封止された成膜室にプラズマを発生させてそこで
励起・活性化された原子・分子により基板の表面に成膜
が施されるプラズマＣＶＤ装置において、成膜室とシー
ル部材の間に流体圧入部を設け、成膜室側とシール部材
側とを遮断するように流体圧入部に流体を圧送する圧送
手段を設けたので、流体圧入部に流体を圧送すること
で、成膜室側とシール部材側とが遮断されて材料ガスプ
ラズマにシール部材が晒されることを抑制することがで
きる。この結果、消耗品としてのシール部材の劣化を抑
えて寿命を伸ばすことができ、メンテナンスの頻度を減
らしてコストを低減することが可能になる。
【００２２】また、本発明のプラズマＣＶＤ装置は、シ
ール部材で封止された成膜室にプラズマを発生させてそ
こで励起・活性化された原子・分子により基板の表面に
成膜が施されると共に、所定の周期でクリーニングガス
を導入してプラズマを発生させ、装置側に付着・堆積し
た膜を除去するクリーニング処理を行うプラズマＣＶＤ
装置において、成膜室とシール部材の間に流体圧入部を
設け、少なくともクリーニング処理の時に成膜室側とシ
ール部材側とを遮断するように流体圧入部に流体を圧送
する圧送手段を設けたので、少なくともクリーニング処
理の時に流体圧入部に流体を圧送することで、成膜室側
とシール部材側とが遮断されてクリーニングガスプラズ
マにシール部材が晒されることを抑制することができ
る。この結果、消耗品としてのシール部材の劣化を抑え
て寿命を伸ばすことができ、メンテナンスの頻度を減ら
してコストを低減することが可能になる。
ール部材で封止された成膜室にプラズマを発生させてそ
こで励起・活性化された原子・分子により基板の表面に
成膜が施されると共に、所定の周期でクリーニングガス
を導入してプラズマを発生させ、装置側に付着・堆積し
た膜を除去するクリーニング処理を行うプラズマＣＶＤ
装置において、成膜室とシール部材の間に流体圧入部を
設け、少なくともクリーニング処理の時に成膜室側とシ
ール部材側とを遮断するように流体圧入部に流体を圧送
する圧送手段を設けたので、少なくともクリーニング処
理の時に流体圧入部に流体を圧送することで、成膜室側
とシール部材側とが遮断されてクリーニングガスプラズ
マにシール部材が晒されることを抑制することができ
る。この結果、消耗品としてのシール部材の劣化を抑え
て寿命を伸ばすことができ、メンテナンスの頻度を減ら
してコストを低減することが可能になる。
【図１】本発明の一実施形態例に係るプラズマＣＶＤ装
置の概略側面図。
置の概略側面図。
【図２】天井板部の詳細断面図。
【図３】Ｏリングと流体圧入部の関係を表す図１中のII
I-III 線矢視図。
I-III 線矢視図。
【図４】搬入・搬出口の詳細断面図。
１ 基部
２ 容器
３ 成膜室
４ 天井板
５ ウエハ支持台
６ 基板
７ 載置部
８ 支持軸
１３ 高周波アンテナ
１４ 整合器
１５ 高周波電源
１６ ガス供給ノズル
１７ 補助ガス供給ノズル
１８ 排気口
２１ バイアス電源
２２ 静電電源
３１，５３ Ｏリング
３２，５５ 円環溝
３３，５６ 不活性ガスライン
５１ 搬入・搬出口
５２ フランジ部
５４ 蓋
Claims (4)
- 【請求項１】 シール部材で封止された成膜室にプラズ
マを発生させてそこで励起・活性化された原子・分子に
より基板の表面に成膜が施されるプラズマＣＶＤ装置に
おいて、成膜室とシール部材の間に流体圧入部を設け、
成膜室側とシール部材側とを遮断するように流体圧入部
に流体を圧送する圧送手段を設けたことを特徴とするプ
ラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 シール部材で封止された成膜室にプラズ
マを発生させてそこで励起・活性化された原子・分子に
より基板の表面に成膜が施されると共に、所定の周期で
クリーニングガスを導入してプラズマを発生させ、装置
側に付着・堆積した膜を除去するクリーニング処理を行
うプラズマＣＶＤ装置において、成膜室とシール部材の
間に流体圧入部を設け、少なくともクリーニング処理の
時に成膜室側とシール部材側とを遮断するように流体圧
入部に流体を圧送する圧送手段を設けたことを特徴とす
るプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 請求項１もしくは請求項２において、流
体圧入部に圧送される流体は不活性ガスであることを特
徴とするプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項４】 請求項１もしくは請求項２において、流
体圧入部に圧送される流体は酸素ガスであることを特徴
とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001185840A JP2003003263A (ja) | 2001-06-20 | 2001-06-20 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001185840A JP2003003263A (ja) | 2001-06-20 | 2001-06-20 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003003263A true JP2003003263A (ja) | 2003-01-08 |
Family
ID=19025356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001185840A Withdrawn JP2003003263A (ja) | 2001-06-20 | 2001-06-20 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003003263A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009060756A1 (ja) * | 2007-11-06 | 2009-05-14 | Tohoku University | プラズマ処理装置及び外気遮断容器 |
| JP2013201421A (ja) * | 2012-02-22 | 2013-10-03 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| KR101732215B1 (ko) * | 2012-02-22 | 2017-05-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 |
| US20180327903A1 (en) * | 2011-06-21 | 2018-11-15 | Tokyo Electron Limited | Batch type processing apparatus |
-
2001
- 2001-06-20 JP JP2001185840A patent/JP2003003263A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US20180327903A1 (en) * | 2011-06-21 | 2018-11-15 | Tokyo Electron Limited | Batch type processing apparatus |
| JP2013201421A (ja) * | 2012-02-22 | 2013-10-03 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| TWI578380B (zh) * | 2012-02-22 | 2017-04-11 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing device |
| KR101732215B1 (ko) * | 2012-02-22 | 2017-05-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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