TWI578380B - Substrate processing device - Google Patents

Description

基板處理裝置

本發明關於一種基板處理裝置。

於被處理體上施予成膜處理等處理之基板處理裝置中，為了密封構成處理容器之複數構成組件之間，乃利用O型環等的密封組件。專利文獻1中記載一種縱型磊晶成長裝置，其係利用O型環來密封固定於鐘罩(bell jar)之外環與配置有晶座之底板之間。

構成組件彼此之間係藉由利用O型環而被密封。但若構成組件彼此之間有微小間隙，則處理氣體便會侵入該間隙，而有沉積物產生於O型環的情況。若沉積物產生於O型環，則構成組件彼此之間的密封性會劣化，導致處理容器的氣密性劣化。

於是，專利文獻1中，為了防止反應生成物附著於O型環，亦即沉積物產生於O型環，係在外環與底板之間的間隙設置圓心狀溝槽，透過該溝槽來對上述間隙對應於磊晶成長的序列而噴出用以吹淨反應氣體之氣體。藉此，專利文獻1可抑制處理容器的氣密性劣化。

【先前技術文獻】

專利文獻1：日本實公平6-459號公報

但專利文獻1係藉由鐘罩與底板來構成容納複數被處理體之大處理容器。大處理容器的內部藉由鐘罩與底板而形成有寬廣的氣密空間。半導體晶圓等被處理體係被載置於底板上所配置之晶座上，晶座上所載置之被處理體會在寬廣的氣密空間內被施予成膜處理等處理。

如專利文獻1中亦有記載，過去，為了對被處理體施予處理所提供之氣密空間較廣，相較於被處理體的尺寸，氣密空間的容積亦容易變大。為了以處理氣體來充滿寬廣的氣密空間，便必須大量處理氣體。不僅如此， 實際上有助於成膜等反應的處理氣體亦僅占所供應之處理氣體當中的極小量。

如此地，於處理容器內部具有寬廣的氣密空間且將寬廣的氣密空間作為對被處理體施予處理之處理空間來加以利用之基板處理裝置中，便需要大量的處理氣體，又，會有處理氣體的使用效率低之情況。

本發明乃提供一種不需大量處理氣體，又，處理氣體的使用效率高，且對被處理體施予處理之處理空間的氣密性亦良好之基板處理裝置。

本發明一樣態之基板處理裝置具備：台座，係具有載置被處理體之載置面；氣體供應頭，係設置於該台座的一端，且具有複數氣體孔，該複數氣體孔會對該載置面噴出對該被處理體施予處理的處理氣體；蓋體，係容納該氣體供應頭及載置於該載置面上之該被處理體，而於該載置面上形成對該被處理體施予處理之處理空間，且可相對於該台座自由裝卸地接合；密封組件，係設置於該蓋體與該台座的接合部，而密封該蓋體與該台座之間；吹淨氣體溝，係設置於該蓋體與該台座的接合部，並且，設置於該密封組件與該處理空間之間；以及吹淨氣體供應機構，係對該吹淨氣體溝供應吹淨氣體。

依據本發明，可提供一種不需大量處理氣體，又，處理氣體的使用效率高，且對被處理體施予處理之處理空間的氣密性亦良好之基板處理裝置。

G‧‧‧被處理體

2‧‧‧台座

2a‧‧‧載置面

3‧‧‧氣體供應頭

4‧‧‧氣體孔

5‧‧‧氣體擴散室

6‧‧‧蓋體

7‧‧‧處理空間

8a‧‧‧氣體排氣道

11‧‧‧吹淨氣體供應機構

20‧‧‧接合部

21‧‧‧密封組件

22、22a、22b、22c1、22c2‧‧‧吹淨氣體溝

24、24b、24c1、24c2‧‧‧吹淨氣體排氣道

圖1係顯示本發明第1實施型態之基板處理裝置一例之水平剖視圖。

圖2(A)、(B)為沿圖1中的II-II線之剖視圖。

圖3為沿圖1中的III-III線之剖視圖。

圖4係顯示本發明第1實施型態之基板處理裝置的第1變形例之水平剖視圖。

圖5為沿圖4中的V-V線之剖視圖。

圖6為沿圖4中的VI-VI線之剖視圖。

圖7係顯示本發明第1實施型態之基板處理裝置的第2變形例之水平 剖視圖。

圖8係顯示本發明第1實施型態之基板處理裝置的第3變形例之水平剖視圖。

圖9為沿圖8中的IX-IX線之剖視圖。

圖10(A)係顯示本發明第2實施型態之基板處理裝置一例之水平剖視圖，圖10(B)為沿圖10(A)中的X-X線之剖視圖。

圖11(A)係顯示第2實施型態的參考例之基板處理裝置之剖視圖，圖11(B)為沿圖10(A)中的XIB-XIB線之剖視圖。

圖12為第2實施型態的參考例之基板處理裝置的水平剖視圖。

圖13(A)係顯示本發明第3實施型態之基板處理裝置一例之水平剖視圖，圖13(B)為從圖13(A)中的箭頭XIIIB方向所觀看到之側面圖，圖13(C)為從圖13(A)中的箭頭XIIIC方向所觀看到之側面圖。

圖14係顯示氣體的流動之圖式。

圖15為本發明第4實施型態的參考例之基板處理裝置的水平剖視圖。

圖16係顯示本發明第4實施型態之基板處理裝置的第1例之水平剖視圖。

圖17係顯示本發明第4實施型態之基板處理裝置的第2例之水平剖視圖。

以下，參閱添附圖式加以說明本發明之實施型態。此說明當中，所參閱之所有圖式中，針對相同的部分則賦予相同的參考符號。

(第1實施型態)

圖1係顯示本發明第1實施型態之基板處理裝置一例之水平剖視圖，圖2(A)、(B)為沿圖1中的II-II線之剖視圖，圖3為沿圖1中的III-III線之剖視圖。

第1實施型態中，作為被處理體的一例，係使用FPD的製造或太陽電池模組中所使用之玻璃基板，作為基板處理裝置的一例，則係例示對玻璃基板施予成膜處理之成膜裝置。

如圖1~圖3所示，基板處理裝置1具備有台座2，該台座2具有用以載 置被處理體G之載置面2a。台座2的一端設置有氣體供應頭3，該氣體供應頭3會噴出對被處理體G施予處理之處理氣體。氣體供應頭3具備有：對載置面2a噴出處理氣體之複數氣體孔4、分別連通於該等複數氣體孔4之氣體擴散室5、以及對氣體擴散室5供應處理氣體之處理氣體供應道5a。台座2的上方配置有可相對於台座2而自由裝卸地接合之蓋體6。

台座2及蓋體6係構成為可相對於高度方向而相對地移動。使台座2與蓋體6於高度方向上錯開，例如圖2(A)所示，將蓋體6上升來使蓋體6自台座2遠離後，台座2的載置面2a便會露出於外部。藉此，便可使用搬送臂TA來進行往載置面2a上之被處理體G的搬入、載置及搬出。此外，圖1~圖3中，於載置面2a處，省略了使被處理體G上升或下降之升降機構的圖示。

又，如圖2(B)及圖3所示，將被處理體G載置於載置面2a上之狀態下使蓋體6下降來使蓋體6密接於台座2後，台座2與蓋體6之間會形成有容納氣體供應頭3及載置面2a上所載置的被處理體G，來對被處理體G施予處理之處理空間7。

如此地，基板處理裝置1中，便會藉由台座2與蓋體6而形成僅侷限於台座2的載置面2a上方之處理空間7。上述處理空間7相較於例如藉由鐘罩與底板來形成氣密空間並以此作為處理空間加以利用之裝置，可縮小相當於被處理體G尺寸的處理空間7容積。於是，基板處理裝置1中，便不需大量處理氣體，又，亦可獲得處理氣體的使用效率高之優點。

又，本例中，雖係顯示使蓋體6相對於台座2上升或下降之範例，但亦可為使台座2相對於蓋體6上升或下降之結構。當然，亦可為使台座2及蓋體6兩者同時上升或下降之結構。

處理空間7的內部除了上述氣體供應頭3，亦設置有排氣溝8。排氣溝8係形成於台座2，且連接於排氣裝置9。排氣裝置9係透過排氣溝8來將處理空間7的內部排氣。排氣裝置9係藉由將處理空間7內部排氣，來進行處理空間7內壓力的調節，或處理空間7內氛圍的置換(吹淨)。

本例中，氣體供應頭3及排氣溝8皆為直線狀。然後，直線狀的氣體供應頭3及排氣溝8係配置於相互呈對向之位置處，例如，沿著具有4邊 之矩形台座2當中之呈對向的2邊而加以配置。被處理體G係以被挾置在直線狀氣體供應頭3與直線狀排氣溝8之間之型態，而被載置於上述載置面2a上。藉此，便可於被處理體G的被處理面上方形成有從氣體供應頭3朝向排氣溝8而往一方向成為層流之氣流F。如此地，本例中，便可藉由往一方向成為層流之氣體來對被處理體G進行均勻的處理，例如均勻的成膜處理。

氣體供應機構10係連接於氣體供應頭3的氣體供應道5a，會對氣體供應道5a供應處理所使用的處理氣體。被供應至氣體供應道5a之處理氣體會經由氣體擴散室5而分別被供應至複數氣體孔4。處理氣體會分別從複數氣體孔4朝向載置面2a被噴出。複數氣體孔4的開口係於沿著載置面2a的邊之方向而成列。又，沿著載置面2a的邊之複數氣體孔4的開口列的長度L3係與載置面2a上所載置之被處理體G之沿著氣體供應頭3的長度LG為相同，或是大於該長度LG。藉此，便可將往一方向成為層流之氣流F更均勻地供應至被處理體G的被處理面整體，例如，有助於促進更均勻的成膜處理。

再者，本例中，具備有吹淨氣體供應機構11與吹淨氣體排氣機構12。吹淨氣體供應機構11詳細來說會對後述吹淨氣體溝22供應吹淨氣體，吹淨氣體排氣機構12會從吹淨氣體溝22將吹淨氣體排氣。

上述基板處理裝置1各部的控制係藉由控制部13而進行。控制部13具有例如微處理器(電腦)所構成的製程控制器13a。製程控制器13a係連接有作業員為了管理基板處理裝置1，而進行指令的輸入操作之鍵盤，或可視化地顯示基板處理裝置1的運轉狀況之顯示器等所構成的使用者介面13b。製程控制器13a連接有記憶部13c。記憶部13c係儲存有藉由製程控制器13a的控制來實現基板處理裝置1中所執行的各種處理之控制程式，或對應於處理條件來使基板處理裝置1的各部執行處理之配方。配方被記憶在例如記憶部13c中的記憶媒體。記憶媒體可為硬碟或半導體記憶體，或是CD-ROM、DVD、快閃記憶體等可移動性者。又，配方亦可透過例如專用回線，而從其他裝置來適當地傳送。配方係依需要而依據來自使用者介面13b的指示等從記憶部13c被讀取，且製程控制器13a會執行依循所讀取的 配方之處理，藉此，則基板處理裝置1便會在製程控制器13a的控制下實施所欲處理、控制。

第1實施型態之基板處理裝置1另具備有設置於蓋體6與台座2的接合部20來將蓋體6與台座2之間密封之密封組件21，以及，同樣地設置於接合部20且設置於密封組件21與處理空間7之間之吹淨氣體溝22。密封組件21的一例為例如O型環。密封組件21在本例中雖係安裝於台座2，但亦可安裝於蓋體6。

吹淨氣體溝22係從上述吹淨氣體供應機構11經由吹淨氣體供應道23而被供應吹淨氣體。吹淨氣體的一例為例如氮氣(N₂)。吹淨氣體溝22及吹淨氣體供應道23在本例中雖係形成於台座2，但亦可形成於蓋體6。

接合蓋體6與台座2之密封組件21會被壓扁。藉此，蓋體6與台座2便會密接來將蓋體6與台座2之間密封，以使處理空間7成為氣密空間。此時，蓋體6與台座2之間沒有間隙較為理想。然而，蓋體6與台座2之間會產生微小間隙。若處理氣體侵入此微小間隙，則密封組件21及接合部20之露出於微小間隙的部分便會產生沉積物。因而本例中，係在接合部20處，且為密封組件21與處理空間7之間設置吹淨氣體溝22。吹淨氣體溝22係配置為例如圍繞載置面2a上所載置之被處理體G。例如至少對基板施予成膜處理的期間，會預先對上述般的吹淨氣體溝22供應吹淨氣體。藉此，便可抑制處理氣體從處理空間7侵入微小間隙，且可抑制沉積物產生於密封組件21上，從而防止接合部20的密封性劣化。藉由防止接合部20的密封性劣化，則第1實施型態之基板處理裝置1可獲得處理空間7的氣密性良好之優點。

並且，由於接合部20的密封性劣化不易進行，故縱使上一維修保養至下一維修保養的期間較長，仍可獲得長時間地維持良好密封性之優點。由上述優點，可抑制為了維修保養基板處理裝置1而導致停機時間的增加，其結果，亦可獲得有助於基板處理裝置1的產能提升之優點。

又，倘若沉積物產生於密封組件21或接合部20，則每當開閉蓋體6或台座2，沉積物便會剝離而導致微粒飛散。本例中，密封組件21係安裝於台座2，或是與台座2相接觸。亦即，密封組件21係在被處理體G的周 圍，遍佈全周而接近並圍繞台座2上。若微粒自上述般接近被處理體G的密封組件21飛散，則有可能會導致使用被處理體G所製造之電子產品的良率急遽降低。

這一點，第1實施型態之基板處理裝置1由於可抑制沉積物產生於密封組件21上，故可抑制因密封組件21之沉積物而造成的微粒所導致之良率降低。這一點對於密封組件21係在被處理體G的周圍遍佈全周而接近並圍繞台座2上之裝置，為特別有效的優點。

又，本例中，係設置有吹淨氣體排氣機構12，而將被供應至吹淨氣體溝22之吹淨氣體，從吹淨氣體溝22經由吹淨氣體排氣道24來排氣。雖亦可不一定要設置吹淨氣體排氣機構12及吹淨氣體排氣道24，只要依需要加以設置即可，但若從吹淨氣體溝22來將吹淨氣體排氣，則可獲得例如，可減少從吹淨氣體溝22朝向處理空間7滲漏的吹淨氣體量之優點。藉由減少滲漏的吹淨氣體量，例如，可抑制處理空間7內的處理氣體濃度因吹淨氣體而不穩定地變化之情況。

本例中，如圖1所示，吹淨氣體溝22為一道連續的溝槽，且為環狀。上述般吹淨氣體溝22的情況，吹淨氣體排氣道24可形成為例如，從吹淨氣體溝22與吹淨氣體供應道23的連接點，不論是向右繞或向左繞皆為等距離之位置處而與吹淨氣體溝22相連接。藉由如此般地配置吹淨氣體排氣道24，便可使從吹淨氣體供應道23至吹淨氣體排氣道24之吹淨氣體溝22內的吹淨氣體流動，不論是向右繞或向左繞皆為均勻。若吹淨氣體溝22內的吹淨氣體流動不論是向右繞或向左繞皆為均勻，則可使上述滲漏的吹淨氣體量為左右對稱。若左右之吹淨氣體供應道為非對稱的情況，雖會有滲漏的吹淨氣體量不均勻，而對處理氣體的均勻性造成影響之虞，但藉由使吹淨氣體供應道為左右對稱，則可使滲漏的吹淨氣體量均勻，來保持處理氣體的均勻性。藉此，便可進行均勻的成膜處理。

又，吹淨氣體溝22內之吹淨氣體的流動FP可在從氣體供應頭3朝向排氣溝8之沿著氣流F的部位處相互為一致(參閱圖1)。若吹淨氣體溝22內之吹淨氣體的流動FP與處理空間7內之氣流F的行進方向相反，則會有處理空間7發生氣流的不尋常紊亂之可能性。氣流的不尋常紊亂會有對於 處理的均勻性造成不良影響之可能性。特別是，本例中，吹淨氣體溝22與被處理體G的距離很近。上述般的裝置中，若預先使吹淨氣體的流動FP與氣流F一致，則可將無法預期之處理的均勻性紊亂抑制在最小限度。

依據上述第1實施型態之基板處理裝置1，可藉由台座2與蓋體6來形成僅侷限於台座2的載置面2a上方之狹窄的處理空間7。從而可獲得不需大量處理氣體，且處理氣體的使用效率亦提高之優點。

又，藉由於蓋體6與台座2的接合部20且為密封組件21與處理空間7之間設置有吹淨氣體溝22，來使吹淨氣體流往此處，可獲得可抑制沉積物產生於密封組件21上，且處理空間7的氣密性良好之優點。

又，藉由抑制沉積物產生於密封組件21上，亦可抑制來自密封組件21的沉積物之微粒的飛散，特別是密封組件21係在被處理體G的周圍遍佈全周而接近並圍繞台座2上之裝置，亦可獲得可抑制良率的降低之優點。

接下來，說明上述第1實施型態之基板處理裝置的變形例。

(第1變形例)

圖4係顯示本發明第1實施型態之基板處理裝置的第1變形例之水平剖視圖，圖5為沿圖4中的V-V線之剖視圖，圖6為沿圖4中的VI-VI線之剖視圖。

如圖4~圖6所示，第1變形例之基板處理裝置1a與圖1~圖3所示基板處理裝置1之相異點為載置面2a係具有凹部40，於凹部40設置有氣體供應頭3及排氣溝8，而將被處理體G載置於凹部40這些點。密封組件21及吹淨氣體溝22係形成於凹部40周圍所形成之凸部41與蓋體6的接合部20。但本例中，特別是如圖6所顯示般，有關吹淨氣體溝22之沿著氣體供應頭3的部分，係使其形成於凹部40。藉此，則吹淨氣體溝22會露出於處理空間7，然後，會設置在氣體供應頭3的背面。

依據第1變形例之基板處理裝置1a，吹淨氣體溝22係形成於凸部41，而將被處理體G載置於凹部40，故吹淨氣體溝22的位置與被處理體G的位置會相互錯開。於是，相較於上述第1實施型態之基板處理裝置1，可使吹淨氣體溝22與被處理體G的距離較遠，從而，可獲得處理時，被處理體G不易受到從吹淨氣體溝22滲漏之吹淨氣體的影響之優點。

又，由於密封組件21係形成於凸部41，故會配置於與處理空間7的最高位置相同之高度。於是，亦可獲得處理氣體不易繞到凸部41與蓋體6的接合部20之優點。

再者，有關吹淨氣體溝22之沿著氣體供應頭3的部分，由於係將吹淨氣體溝22形成於為處理空間7之凹部40，並且，設置於氣體供應頭3的背面，故吹淨氣體主要會通過氣體供應頭3的上部與蓋體6之間的間隙而流往處理空間7，可防止處理氣體繞到氣體供應頭3的背面。從而可獲得亦可抑制沉積物產生於氣體供應頭3的背面之優點。

當然，有關吹淨氣體溝22之沿著氣體供應頭3的部分，亦與其他部分同樣地，若欲優先獲得處理氣體不易繞到凸部41與蓋體6的接合部20之優點的情況，亦可使吹淨氣體溝22並非形成於凹部40而是凸部41。

又，有關將吹淨氣體溝22之沿著氣體供應頭3的部分，並非形成於為台座2的突出部之凸部41與蓋體6的接合部20，而是面向處理空間7之凹部40，且設置於氣體供應頭3的背面一事，亦可將具有與此同樣效果的構造應用於圖1~圖3所示之基板處理裝置1，且亦可應用於之後說明的任何變形例。此情況下，有關如圖1~圖3般未存在有凹部40的構造，若將吹淨氣體溝22設置於接合部20與氣體供應頭3之間的台座2上，則可獲得同等的效果。

(第2變形例)

圖7係顯示本發明第1實施型態之基板處理裝置的第2變形例之水平剖視圖。

如圖7所示，第2變形例之基板處理裝置1b與圖1~圖3所示基板處理裝置1之相異點為係將吹淨氣體溝22配置為圍繞載置面2a上所載置的被處理體G，且將吹淨氣體溝22分割為複數個吹淨氣體溝22a~22c2。本例中，將吹淨氣體溝22分割為沿著被處理體G的氣體供應頭3之沿著端緣(前端(front-end))的吹淨氣體溝22a、沿著被處理體G的排氣溝8之沿著端緣(後端(back-end))的吹淨氣體溝22b、以及連接被處理體G的前端與後端之沿著端緣(側端(side-end))的吹淨氣體溝22c1、22c2之四個溝槽。

吹淨氣體係從吹淨氣體供應機構11，透過流量調整器51a~51c而被供 應至各個吹淨氣體溝22a~22c2。流量調整器51a會調整吹淨氣體的流量並供應至吹淨氣體溝22a。流量調整器51b會調整吹淨氣體的流量並供應至吹淨氣體溝22b。流量調整器51c會調整吹淨氣體的流量並供應至吹淨氣體溝22c1、22c2。

吹淨氣體溝22a係從中央部分被供應吹淨氣體。本例中，吹淨氣體溝22a並未連接於吹淨氣體排氣機構12。藉此，可使吹淨氣體滲漏至氣體供應頭3的背面，從而可獲得可抑制沉積物產生於氣體供應頭3之優點。

吹淨氣體溝22b係自兩端被供應有吹淨氣體，而自中央部分使用吹淨氣體排氣機構12來將吹淨氣體排氣。藉此，吹淨氣體溝22b便會形成有自兩端分別朝向中央之均勻吹淨氣體的流動FP。

吹淨氣體溝22c1、22c2係自氣體供應頭3側端部被供應吹淨氣體，而自排氣溝8側端部使用吹淨氣體排氣機構12來將吹淨氣體排氣。藉此，吹淨氣體溝22c1、22c2便會形成有自氣體供應頭3側朝向排氣溝8側且與處理空間7內之氣體流動F的方向一致之吹淨氣體的流動FP。

依據第2變形例之基板處理裝置1b，藉由分割為吹淨氣體溝22a~22c2，可調整流入各區域之吹淨氣體的流量，故可獲得當實際的成膜時，可對應於密封組件21附近的沉積物產生狀況來設定最佳吹淨氣體流量之優點。

此外，第2變形例可與上述第1變形例加以組合來實施。例如，第2變形例亦可於台座2設置有凸部41與凹部40，再者，有關吹淨氣體溝22之沿著氣體供應頭3的部分，亦可並非設置於凸部41與蓋體6的接合部20而是凹部4。當然，無需贅言亦可加以組合其他可應用於第2變形例的結構。

(第3變形例)

圖8係顯示本發明第1實施型態之基板處理裝置的第3變形例之水平剖視圖，圖9為沿圖8中的IX-IX線之剖視圖。

圖8及如圖9所示，第3變形例之基板處理裝置1c與圖1~圖3所示基板處理裝置1之相異點為另具備有設置於蓋體6與台座2之間，且為密封組件21與外界之間之間隔物60。

間隔物60係設置於台座2或蓋體6其中一者的周緣部，間隔物60的上面位置係設定為較載置面2a的位置要來得高。

依據第3變形例之基板處理裝置1c，由於係將間隔物60設置於蓋體6與台座2之間，且為密封組件21與外界之間，故蓋體6與台座2會在密封組件21的外側透過間隔物60而相接觸，於是，亦可獲得可抑制因蓋體6與台座2相接觸而產生的微粒侵入至處理空間7之優點。

又，亦可藉由間隔物60的高度，來使蓋體6與台座2之間之微小間隙的高度為一定。若使微小間隙的高度為一定，則可使從吹淨氣體溝22至處理空間7的傳導遍佈全周，又，在每次的處理時皆為一定。藉此，亦可使遍佈接合部20全周之吹淨氣體的滲漏量為一定，又，可使來自處理每的吹淨氣體溝22之吹淨氣體的滲漏量為一定。再者，例如，於外部腔室內設置有複數個蓋體6與台座2，來使基板處理裝置1c為批次處理型的情況下，可使複數基板處理裝置1c間之從吹淨氣體溝22至處理空間7的傳導為一定，而亦可獲得可使複數基板處理裝置1c間的製程變異較小之優點。

(第2實施型態)

圖10(A)係顯示本發明第2實施型態之基板處理裝置一例之水平剖視圖，圖10(B)為沿圖10(A)中的X-X線之剖視圖。

如圖10(A)及(B)所示，第2實施型態之基板處理裝置1d與圖7所示之第2變形例之基板處理裝置1b的相異點為沿著排氣溝8之沿著端緣(後端)的吹淨氣體溝22b中，係使吹淨氣體的流動FP成為從一端側往另一端側之一方向的流動。因而，第2實施型態之基板處理裝置1d中，吹淨氣體供應道23係設置於吹淨氣體溝22b的一端側，而另一端側則設置有吹淨氣體排氣道24。

圖11(A)係顯示第2實施型態的參考例之基板處理裝置之剖視圖，圖11(B)為沿圖10(A)中的XIB-XIB線之剖視圖，圖12為第2實施型態的參考例之基板處理裝置的水平剖視圖。

如圖11(A)所示，於吹淨氣體溝22b的兩端設置有吹淨氣體供應道23，而自吹淨氣體溝22b的兩端分別供應吹淨氣體，並從設置於吹淨氣體溝22b的中央部分處之吹淨氣體排氣道24來將吹淨氣體排氣。此情況下，吹淨氣 體溝22b內之吹淨氣體的流動FP會成為從吹淨氣體溝22b的一端側朝向中央部分之流動，與從另一端側朝向中央部分之流動相互呈對向之二方向的流動。該等二方向的流動會在吹淨氣體溝22b的中央部分處，於吹淨氣體排氣道24的上方，方向從水平方向的流動轉換成垂直方向的流動，而相互匯流並流入吹淨氣體排氣道24的內部。

依據上述般吹淨氣體的流動FP，會在吹淨氣體排氣道24的上方處轉換方向。於是，如圖11(A)中之圓A內所示，便會有在吹淨氣體溝22b底部之吹淨氣體排氣道24所存在部分的上方處，產生吹淨氣體的流動FP的流速為“零”之部分的情況。吹淨氣體FP所存在之部位處，雖然縱使處理氣體從處理空間7侵入至吹淨氣體溝22b，不會橫跨吹淨氣體溝22b來讓處理氣體通過，但流速為“零”之部分則會讓從處理空間7侵入的處理氣體通過。於是，處理氣體便會經由沿著後端之位在吹淨氣體溝22b底部的吹淨氣體排氣道24上方而到達其下游，亦即，吹淨氣體排氣道24後方側的密封組件21。處理氣體到達後的結果，會在圖12中之圓B內所示部分處，產生例如因處理氣體反應而生成的沉積物。此沉積物會成為導致密封組件21，例如樹脂製O型環劣化的原因。此外，圖12中之沿XIA-XIA線的剖面乃為圖11(A)。

此處，第2實施型態中，在沿後端之吹淨氣體溝22b處，係使吹淨氣體的流動FP成為從一端側往另一端側之一方向的流動。

依據上述第2實施型態之基板處理裝置1d，特別是，如圖11(B)所示，藉由吹淨氣體的流動FP會成為從一端側往另一端側之一方向的流動，則在吹淨氣體溝22b的上方處，便不會產生吹淨氣體的流動FP的流速為“零”之部分。於是，處理氣體便會難以越過沿後端之吹淨氣體溝22b，處理氣體會難以到達位在其下游之密封組件21。其結果，可獲得可抑制產生參考例般的沉積物之優點。

又，由於流往後端之吹淨氣體FP會成為一方向的流動，因此雖然相對於處理基板會變成非對稱，但由於從吹淨氣體溝22b滲漏的吹淨氣體會立即流入排氣溝8，因此不會破壞處理氣體的對稱性。

又，第2實施型態之基板處理裝置1d中，特別是如圖10(B)所示，為了 以更簡單的結構來實現對氣體供應頭3之處理氣體的供應，以及從排氣溝8之氣體的排氣，係成為於台座2的底部安裝有處理氣體供應塊70及氣體排氣塊71之構造。

處理氣體供應塊70形成有氣體供應道5b。氣體供應道5b係連接於台座2所形成之氣體供應道5a。氣體供應道5b會將來自圖1所示氣體供應機構10的處理氣體引導至氣體供應道5a。

若成為於台座2的底部安裝有上述般處理氣體供應塊70之構造，則例如，便可使台座2所形成之氣體供應道5a成為單純地從氣體擴散室5朝向台座2的底部貫穿之直線狀的孔洞。於是，於台座2形成氣體供應道5a時，便不需施予使得氣體供應道5a在台座2內部彎曲成鑰匙型般的複雜加工。台座2為面積大於被處理體G之組件。雖亦會有難以對上述般的大組件施予複雜的孔洞加工之情況，但如第2實施型態般，乃係使處理氣體供應塊70與台座2為個別地設置，例如，有關複雜的孔洞加工，係在較台座2要來得小之處理氣體供應塊70的部分進行。藉此，則縱使台座2變得更加大型化的情況，仍可獲得可抑制加工的困難性之優點。

氣體排氣塊71亦與處理氣體供應塊70相同。藉由成為於台座2的底部安裝有氣體排氣塊71之構造，則例如台座2所形成之氣體排氣道，只要單純地使排氣溝8朝向台座2的底部貫穿即可。使得該貫穿的排氣溝8連接於氣體排氣塊71所形成之氣體排氣道8a。然後，將氣體排氣道8a連接於圖1所示之排氣裝置9。藉此，不需對台座2施予複雜的孔洞加工，便可輕易地獲得連接於排氣裝置9之氣體排氣道。

又，第2實施型態之基板處理裝置1d中，氣體供應道23與淨氣體溝22b的連接係透過吹淨氣體溝22b的一端處之側面來進行。同樣地，氣體排氣道24與吹淨氣體溝22b的連接亦係透過吹淨氣體溝22b的另一端處之側面來進行。但氣體供應道23及氣體排氣道24與吹淨氣體溝22b的連接亦可透過吹淨氣體溝22b的底部來進行。

但是，位在處理氣體的流動F的最下游側之吹淨氣體溝22b的內部中，若欲確實地消除流速為“零”之部分，則較佳宜如第2實施型態般，吹淨氣體的流動FP不會在垂直方向與水平方向進行方向轉換，而係透過吹 淨氣體溝22b的側面來進行氣體供應道23及氣體排氣道24與吹淨氣體溝22b的連接。其係因為藉由上述方式，則吹淨氣體的流動FP便不會在垂直方向與水平方向進行方向轉換，可解消吹淨氣體溝22b的內部中，吹淨氣體的流速為“零”之部分的緣故。

(第3實施型態)

圖13(A)係顯示本發明第3實施型態之基板處理裝置一例之水平剖視圖，圖13(B)為從圖13(A)中的箭頭XIIIB方向所觀看到之側面圖，圖13(C)為從圖13(A)中的箭頭XIIIC方向所觀看到之側面圖。圖14係顯示氣體的流動之圖式。此外，圖13(A)~圖13(c)及圖14中省略密封組件21的圖示。

如圖13(A)及(B)所示，第3實施型態之基板處理裝置1e與圖7所示之第2變形例之基板處理裝置1b的相異點為吹淨氣體的排氣方法。第3實施型態中，首先，使得吹淨氣體排氣道24c1、24c2(其係從沿著連接被處理體G的前端與後端之端緣(側端)之吹淨氣體溝22c1、22c2來將吹淨氣體排氣)相對於氣體排氣道，本例中為氣體排氣塊71的氣體排氣道8a，來沿著氣體排氣道8a內的氣體流動而斜向地匯流。更具體地說明，如圖14所示，吹淨氣體的流動FP係以具有與氣體排氣道8a內的處理氣體的流動F方向之相同方向的向量成分C，而匯流至處理氣體的流動F之方式，來將吹淨氣體排氣道24c1、24c2斜向地連接於氣體排氣道8a。

如此地，藉由使得吹淨氣體排氣道24c1、24c2相對於氣體排氣道8a為斜向地連接，則例如，相較於使得吹淨氣體排氣道24c1、24c2相對於氣體排氣道8a為直角連接之情況，可獲得容易從氣體排氣道8a經由吹淨氣體排氣道24c1、24c2來將吹淨氣體排氣之優點。

同樣地，就沿著被處理體G的後端之吹淨氣體溝22b而言，亦係將從吹淨氣體溝22b來將吹淨氣體排氣之吹淨氣體排氣道24b相對於氣體排氣道8a而沿著氣體排氣道8a內的氣體流動而斜向地讓吹淨氣體的流動FP會以具有和氣體排氣道8a內的處理氣體的流動F的方向為相同方向的向量成分D之方式加以匯流。

如此地，有關吹淨氣體排氣道24b亦係藉由相對於氣體排氣道8a而斜向地連接，則例如，相較於使得吹淨氣體排氣道24b相對於氣體排氣道8a 為直角連接之情況，便可獲得容易從氣體排氣道8a經由吹淨氣體排氣道24b來將吹淨氣體排氣之優點。

又，雖為吹淨氣體排氣道24c1、24c2與氣體排氣道8a的匯流部，但較佳宜使吹淨氣體排氣道24c1、24c2不在排氣溝8或排氣溝8的附近匯流。其係因為若使吹淨氣體排氣道24c1、24c2在排氣溝8或排氣溝8的附近匯流，則有可能會因為吹淨氣體匯流而干擾到排氣溝8或排氣溝8附近的氣流之緣故。若干擾到排氣溝8或排氣溝8附近的氣流，其影響有可能會波及至處理空間7的內部，而有處理空間7的氣流產生微小“晃動”之情況。氣流的”晃動”會對針對被處理體G之處理的均勻性造成影響，而有可能成為處理不均發生的原因。於是，較佳宜使吹淨氣體排氣道24c1、24c2與氣體排氣道8a在排氣溝8之例如，從中心線遠離某種程度的距離E之地點處匯流。某種程度的距離E係依存於基板處理裝置1e的大小而有各種變化，但至少需要為即便將吹淨氣體排氣至氣體排氣道8a，排氣溝8或排氣溝8附近的氣流仍可維持層流之距離。關於排氣溝8或排氣溝8附近的氣流，藉由維持於層流，則縱使將吹淨氣體排氣至將處理氣體加以排氣的氣體排氣道8a，仍難以對針對被處理體G之處理的均勻性造成影響，可例如，抑制處理不良的發生。

有關吹淨氣體排氣道24b與氣體排氣道8a的匯流部亦相同，縱使將來自吹淨氣體排氣道24b之吹淨氣體排氣至氣體排氣道8a，關於排氣溝8或排氣溝8附近的氣流只要遠離能維持層流的距離即可。

又，第3實施型態之基板處理裝置1e係具備有與第2實施型態之基板處理裝置1d相同的吹淨氣體溝22b。亦即，吹淨氣體溝22b內之吹淨氣體的流動為一方向。此情況下，來自吹淨氣體溝22b的吹淨氣體排氣道24b乃為1道。於是，往氣體排氣道8a之吹淨氣體的匯流便會成為非左右對稱。此般情況下，若使吹淨氣體排氣道24b與氣體排氣道8a在吹淨氣體排氣道24c1或24c2與氣體排氣道8a的匯流部附近處匯流，則排氣的平衡會容易崩壞。於是，有關排氣溝8或排氣溝8附近的氣流便應難以維持層流。在會產生此般顧慮的吹淨氣體排氣道24b近存在有1道的情況，只要將吹淨氣體排氣道24b及氣體排氣道8a之匯流部、與吹淨氣體排氣道24c1或24c2及 氣體排氣道8a之匯流部分別獨立地設置，將吹淨氣體排氣道24b及氣體排氣道8a之匯流部設置於遠離吹淨氣體排氣道24c1或24c2及氣體排氣道8a之匯流部某種程度的距離即可。關於某種程度，雖係依存於基板處理裝置1e的大小或氣體排氣道8a的大小而有各種變化，但縱使係從僅有1道的氣體排氣道24b來將吹淨氣體排氣至氣體排氣道8a，只要不會干擾排氣溝8獲排氣溝8附近的氣流，而遠離在能維持層流之距離即可。

藉由此般的處理，則縱使是從僅有1道的氣體排氣道24b來將吹淨氣體排氣至氣體排氣道8a，仍可難以對被處理體G之處理均勻性構成影響，而例如可抑制處理不良的發生。

又，第3實施型態中，雖係將吹淨氣體排氣道24c1,24c2在氣體排氣道8a的上部加以匯流，但亦可在氣體排氣道8a的側面加以匯流。又，關於吹淨氣體排氣道24b雖係在氣體排氣道8a側面加以匯流，但亦可在氣體排氣道8a上部加以匯流。

(第4實施型態)

圖15係本發明第4實施型態的參考例之基板處理裝置的水平剖視圖。

如圖15所示，在從沿著被處理體G側端之吹淨氣體溝22c1,22c2將吹淨氣體排氣時，將吹淨氣體排氣道24c1,24c2連接至吹淨氣體溝22c1,22c2底部型態的基本處理裝置中，係在吹淨氣體溝22c1,22c2之吹淨氣體排氣道24c1,24c2上方產生吹淨氣體流速為”零”的部分。於是，圖15中的圓H1,H2內所示之處理氣體的下游側角落部中，便容易產生例如因處理氣體反應所產生的沉積物。

於是，第4實施型態中，便提供一種縱使將吹淨氣體排氣道24c1,24c2連接至吹淨氣體溝22c1,22c2的底部之情況，仍難以在處理氣體下游側之角落部產生沉積物之基板處理裝置。

(第1例)

圖16係顯示本發明第4實施型態之基板處理裝置的第1例之水平剖視圖。

如圖16所示，第4實施型態的第1例相關之基板處理裝置1f中，係將沿著被處理體G之側端的吹淨氣體溝22c1,22c2之平面圖案沿著在處理氣體 之流動F的下游側之沿著被處理體G之後端的吹淨氣體溝22b而彎曲。藉由如此般地將吹淨氣體溝22c1,22c2加以彎曲，便能將吹淨氣體流速會成為”零”之吹淨氣體排氣道24c1,24c2的上方部分與吹淨氣體流速不會成為”零”之吹淨氣體排氣道22b相重疊，而可抑制處理氣體到達位在處理氣體的流動F的下游側之角落部。吹淨氣體溝22b的結構可與第2實施型態之基板處理裝置1d同樣地，使吹淨氣體流往一方向。

依據上述第1例之基板處理裝置1f，縱使吹淨氣體溝22c1,22c2的底部連接有吹淨氣體排氣道24c1,24c2之情況，仍可獲得沉積物不易產生於處理氣體下游側的角落部之優點。

(第2例)

圖17係顯示本發明第4實施型態之基板處理裝置的第2例之水平剖視圖。

如圖17所示，第2例之基板處理裝置1g與第1例之基板處理裝置1f的相異點為第1例中，係將吹淨氣體溝22c1,22c2沿著沿被處理體G之後端的吹淨氣體溝22b而將彎曲呈直角之處朝吹淨氣體溝22b斜向地彎曲，即彎曲呈鈍角。藉由如此般地將吹淨氣體溝22c1,22c2朝吹淨氣體溝22b斜向地加以彎曲，便可將吹淨氣體溝22c1,22c2之平面圖案成為鈍角。因此，與將吹淨氣體溝22c1,22c2彎曲呈直角的情況相比，可獲得所謂降低吹淨氣體溝22c1,22c2之傳導，讓吹淨氣體流動更容易，且可容易排氣之優點

當然，4實施型態中，關於吹淨氣體的流速會成為”零”之吹淨氣體排氣道24c1,24c2之上方部分亦係與吹淨氣體流速不會成為”零”之吹淨氣體排氣道22b相重疊。然後，吹淨氣體溝22b的結構係與地2實施型態之基板處理裝置1d相同，將吹淨氣體潮一方向流動。藉此，與第1例同樣地，縱使吹淨氣體溝22c1,22c2的底部連接有吹淨氣體排氣道24c1,24c2之情況，仍可獲得沉積物不易產生於處理氣體下游側的角落部之優點。

此外，第4實施型態可與第3實施型態併用。不如說是第4實施型態與第3實施型態併用會更佳。

又，如本第2例般，在將吹淨氣體溝22c1,22c2朝吹淨氣體溝22b斜向地彎曲的情況，亦可將吹淨氣體排氣道24c1,24c2與斜向地彎曲之吹淨氣體 溝22c1,22c2的延伸方向在平面觀之配置呈成為一直線(參閱圖17)。此情況，和吹淨氣體溝22c1,22c2之延伸方向與平面觀之的吹淨氣體排氣道24c1,24c2在延伸方向為錯開的情況相比，可獲得能將吹淨氣體更順暢地從吹淨氣體溝22c1,22c2朝吹淨氣體排氣道24c1,24c2吸引而加以排氣之優點。

以上，雖已依據實施型態來加以說明本發明，但本發明不限於上述實施型態，可做各種變化。

例如，上述實施型態中，台座2僅為一個，但亦可多層地層積台座2，而使基板處理裝置為批次處理型。

又，例如，從氣體供應頭3的背面通過上部來供應吹淨氣體時，亦可兼使用作為處理氣體的載置氣體。此外，本發明可在不逸脫其要旨之範圍內做各種變化。

1‧‧‧基板處理裝置

2‧‧‧台座

2a‧‧‧載置面

20‧‧‧接合部

21‧‧‧密封組件

22‧‧‧吹淨氣體溝

23‧‧‧吹淨氣體供應道

24‧‧‧吹淨氣體排氣道

3‧‧‧氣體供應頭

4‧‧‧氣體孔

5‧‧‧氣體擴散室

5a‧‧‧處理氣體供應道

6‧‧‧蓋體

7‧‧‧處理空間

8‧‧‧排氣溝

G‧‧‧被處理體

F‧‧‧氣流

Claims (13)

1. 一種基板處理裝置，具備有：台座，係具有載置被處理體之載置面；氣體供應頭，係設置於該台座的一端，且具有複數氣體孔，該複數氣體孔會對該載置面噴出對該被處理體施予處理的處理氣體；蓋體，係容納該氣體供應頭及載置於該載置面上之該被處理體，而於該載置面上形成對該被處理體施予處理之處理空間，且可相對於該台座自由裝卸地接合；密封組件，係設置於該蓋體與該台座的接合部，而密封該蓋體與該台座之間；吹淨氣體溝，係設置於該蓋體與該台座的接合部，並且，設置於該密封組件與該處理空間之間；吹淨氣體供應機構，係對該吹淨氣體溝供應吹淨氣體；以及吹淨氣體排氣機構，係從該吹淨氣體溝將吹淨氣體加以排氣。
2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該載置面具有凹部，該凹部設置有該氣體供應頭，而將該被處理體載置於該凹部；該密封組件及該吹淨氣體溝的至少一部分係設置於該凹部的周圍所形成之凸部與該蓋體的接合面。
3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理裝置，其中該吹淨氣體溝係配置為圍繞該載置面上所載置之該被處理體。
4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中該吹淨氣體溝為一道連續的溝槽。
5. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中該吹淨氣體溝係分割為複數個之溝槽。
6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中該分割為複數個之吹 淨氣體溝當中，位在該處理氣體的流動下游側之吹淨氣體溝會使該吹淨氣體往一方向流動。
7. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其另具備有將被供應至該處理空間之處理氣體排氣之氣體排氣道；將自該分割為複數個之吹淨氣體溝被排氣之該吹淨氣體往該氣體排氣道排氣，並且，使得將該吹淨氣體排氣之吹淨氣體排氣道斜向地匯流，而具有與在該氣體排氣道中流動之該處理氣體的流動方向為相同方向的向量成分。
8. 如申請專利範圍第7項之基板處理裝置，其係將該分割為複數個之吹淨氣體溝當中，沿著該被處理體的側端之吹淨氣體溝與該氣體排氣道的匯流部，以及沿著該被處理體的後端之吹淨氣體溝與該氣體排氣道的匯流部，分別獨立地設置且相互遠離。
9. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中該分割為複數個之吹淨氣體溝當中，使得沿著該被處理體的側端之吹淨氣體溝，在該處理氣體的流動的下游側處，朝向沿著該被處理體的後端之吹淨氣體溝彎曲，並且，使得沿著該被處理體的側端之吹淨氣體溝與將吹淨氣體排氣之吹淨氣體排氣道的連接部，與沿著該被處理體的後端之吹淨氣體溝相重疊。
10. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中該吹淨氣體溝沿著該氣體供應頭之部分係露出於該處理空間，且位在該氣體供應頭的背面。
11. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其另具備有設置於該蓋體與該台座之間，且為該密封組件與外界之間之間隔物。
12. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該氣體供應頭之該複 數氣體孔的開口係於沿著該載置面的邊之方向成列；沿著該載置面的邊之該氣體供應頭的長度係與該載置面上所載置之該被處理體之沿著該氣體供應頭的長度相同或其以上。
13. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該吹淨氣體係兼使用作為該處理氣體的載置氣體。