TW202243353A - 氣體處理裝置 - Google Patents

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TW202243353A
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半田達也
笹原麗紅
旭健史郎
西村和晃
吉村章弘
古澤正樹
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

提供一種能夠在使用含氟氣體與鹼性氣體來進行氣體處理時抑制基板因顆粒而產生缺陷之情形的氣體處理裝置。 會對基板施予氣體處理之氣體處理裝置係具有：腔室，係收納基板；氣體供給機構，係分別供給含氟氣體與鹼性氣體；以及氣體導入構件，係使從氣體供給機構所供給之含氟氣體與鹼性氣體匯流，並將含氟氣體與鹼性氣體混合後之混合氣體導入至腔室；氣體導入構件之包含含氟氣體與鹼性氣體的匯流處之部分係以鋁系材料來加以構成；至少包含匯流處之部分係形成有樹脂覆層。

Description

氣體處理裝置
本發明係關於一種氣體處理裝置。
最近，在半導體元件的製程中，已知有一種不會在腔室內產生電漿的情形下來進行化學蝕刻而被稱為化學氧化物去除處理(Chemical Oxide Removal：COR)的方法。作為COR則已知有一種技術，係將為含氟氣體的氟化氫(HF)氣體與為鹼性氣體的氨(NH 3)氣透過噴淋頭來供給至基板以進行處理(例如，專利文獻1)。
國際公開第2013/183437號
本揭露係提供一種能夠在使用含氟氣體與鹼性氣體來進行氣體處理時抑制基板因顆粒而產生缺陷之情形的氣體處理裝置。
本揭露一態樣之氣體處理裝置，係會對基板施予氣體處理，具有：腔室，係收納基板；氣體供給機構，係分別供給含氟氣體與鹼性氣體；以及氣體導入構件，係使從該氣體供給機構所供給之該含氟氣體與該鹼性氣體匯流，並將該含氟氣體與該鹼性氣體混合後之混合氣體導入至該腔室；該氣體導入構件之包含該含氟氣體與該鹼性氣體的匯流處之部分係以鋁系材料來加以構成；至少包含該匯流處之部分係形成有樹脂覆層。
根據本揭露，便可提供一種能夠在使用含氟氣體與鹼性氣體來進行氣體處理時抑制基板因顆粒而產生缺陷之情形的氣體處理裝置。
以下，一邊參照圖式一邊針對實施形態加以說明。
＜第1實施形態＞ [氣體處理裝置的整體構成] 圖1係顯示第1實施形態相關之氣體處理裝置的剖面圖。圖1所示之氣體處理裝置係構成為會對基板的例如表面上所存在之矽氧化物系材料進行蝕刻的蝕刻裝置。作為矽氧化物系材料的代表例雖然可以舉出SiO 2，但只要是SiOCN等會含有矽與氧的材料即可。另外，矽氧化物系材料的典型係膜。
如圖1所示，氣體處理裝置1係具備密閉構造的腔室10，腔室10內部係設有會以大致水平的狀態來載置基板W的載置台12。作為基板W雖然示範了Si晶圓等之半導體晶圓的範例，但並不限於此。
另外，氣體處理裝置1係具備會將處理氣體供給至腔室10的氣體供給機構13、及會對腔室10內進行排氣的排氣機構14。
腔室10係由腔室本體21與蓋部22所加以構成。腔室本體21係具有大致圓筒形狀的側壁部21a與底部21b，上部係開口且該開口會被內部具有凹部的蓋部22來加以封閉。側壁部21a與蓋部22係藉由密封構件(未圖示)來加以密閉，以確保腔室10內的氣密性。
蓋部22的內部係以會面對載置台12之方式來嵌入有為氣體導入構件的噴淋頭26。噴淋頭26係將氣體噴淋狀地噴出至腔室10內者。關於噴淋頭26的細節將於之後加以說明。
腔室本體21之側壁部21a係設有會將基板W搬出入的搬出入口41，該搬出入口41係可藉由閘閥42來加以開閉，而可在和相鄰之其他模組之間來搬送基板W。
載置台12在俯視時係呈大致圓形，且會被固定在腔室10的底部21b。載置台12的內部係設有會調節載置台12之溫度的調溫器45。調溫器45係例如能以會調節溫度的調溫媒體(例如水等)所循環之調溫媒體流道或電阻加熱器來加以構成。藉由調溫器45來將載置台12的溫度調整成所欲溫度，藉此便能夠控制載置台12所載置之基板W的溫度。
氣體供給機構13係具有HF氣體供給源51、Ar氣體供給源52、NH 3氣體供給源53、及N 2氣體供給源54。
HF氣體供給源51係供給HF氣體來作為含氟氣體者。此處，雖然示範了HF氣體作為含氟氣體的範例，但除了HF氣體外，也可以使用F 2氣體、ClF 3氣體、NF 3氣體來作為含氟氣體。
NH 3氣體供給源53係供給NH 3氣體來作為鹼性氣體者。此處，雖然示範了NH 3氣體作為鹼性氣體的範例，但除了NH 3氣體外，也可以使用胺氣來作為鹼性氣體。作為胺係可以舉出甲基胺、二甲基胺、三甲基胺等。
Ar氣體供給源52及N 2氣體供給源54係供給N 2氣體、Ar氣體來作為會兼具有稀釋氣體、吹淨氣體、載體氣體之功能的惰性氣體。然而，兩者也可以皆為Ar氣體或者N 2氣體。另外，惰性氣體並不限定於Ar氣體及N 2氣體，也可以使用He氣體等其他的稀有氣體。
該等氣體供給源51~54係分別連接有第1~第4氣體供給配管61~64的一端。HF氣體供給源51所連接之第1氣體供給配管61及NH 3氣體供給源53所連接之第3氣體供給配管63的另一端係連接於噴淋頭26。Ar氣體供給源52所連接之第2氣體供給配管62的另一端係連接於第1氣體供給配管61。N 2氣體供給源54所連接之第4氣體供給配管64的另一端係連接於第3氣體供給配管63。
為含氟氣體的HF氣體與為鹼性氣體的NH 3氣體係分別會與為惰性氣體的Ar氣體及N 2氣體一起被導向噴淋頭26。
第1~第4氣體供給配管61~64係設有會進行流道的開閉動作及流量控制之流量控制部65。流量控制部65係例如藉由開閉閥及質流控制器(MFC)或者流量控制系統(FCS)般的流量控制器來加以構成。
排氣機構14係具有會連接於腔室10的底部21b上所形成之排氣口71的排氣配管72，進而會具有設在排氣配管72上而用於控制腔室10內的壓力之自動壓力控制閥(APC)73及用於對腔室10內進行排氣的真空泵74。
腔室10側壁係設有高壓用及低壓用的2個電容真空計76a,76b以控制腔室10內的壓力。載置台12所載置之基板W附近係設有會檢測基板W之溫度的溫度感應器(未圖示)。
構成氣體處理裝置1的腔室10、載置台12可以由鋁系材料來加以形成。作為鋁系材料可以僅為鋁或鋁合金，也可以為在鋁表面形成有陽極氧化皮膜(Al 2O 3)者。
氣體處理裝置1係進一步具有控制部80。控制部80係以電腦來加以構成，具有會具備CPU的主控制部、輸入裝置、輸出裝置、顯示裝置、記憶裝置(記憶媒體)。主控制部會控制氣體處理裝置1之各構成部的動作。主控制部所致之各構成部的控制係根據內建在記憶裝置之記憶媒體(硬碟、光碟、半導體記憶體等)所儲存之控制程式來加以進行。記憶媒體係儲存有處理程式庫來作為控制程式，會根據處理程式庫來執行氣體處理裝置1的處理。
此外，圖1之氣體處理裝置可以具有電漿源。藉由以電漿源來激發氣體便能夠提昇反應性，視所使用的氣體而會有使用電漿較佳的情形。
[噴淋頭] 接著，針對噴淋頭26來加以說明。噴淋頭26係具有會構成蓋體22之上壁的上部板30、上部板30下側的中間板31、及中間板31下側的下部板32，該等便會構成本體。上部板30、中間板31、及下部板32係以與腔室10或載置台12同樣的鋁系材料來加以構成，噴淋頭26係藉由密封環(未圖示)來被密封而成為密閉構造。中間板31的中央部係形成有氣體流道31a。
以會貫穿上部板30及中間板31的上部之方式來垂直地形成有第1氣體導入孔33及第2氣體導入孔34，該等第1氣體導入孔33及第2氣體導入孔34係連接於氣體流道31a。第1氣體導入孔33係連接有會連接於HF氣體供給源51的第1氣體供給配管61，第2氣體導入孔34則連接有會連接於NH 3氣體供給源53的第3氣體供給配管63。因此，為含氟氣體的HF氣體與為鹼性氣體的NH 3氣體便會在氣體流道31內匯流而被加以混合。中間板31之氣體流道31a的內面係形成有樹脂覆層39。
下部板32的上面側係形成有會成為氣體擴散空間的凹部32a。另外，下部板32的上面側係形成有會從凹部32a垂直地延伸貫穿而面對腔室10的內部之多個氣體噴出孔37。中間板31係設有會連接氣體流道31a與成為氣體擴散空間的凹部32a之多個(圖1中僅圖示一個)連接孔35，對應於中間板31下面之連接孔35的部分係安裝有樹脂製的氣體噴頭36。
如圖2所示，氣體噴頭36係具有被安裝在中間板31的凸緣部36a、及會從凸緣部36a的下部中央往下方突出的氣體噴出部36b。凸緣部36a的中央係形成有會連通於連接孔35的縱孔36c。縱孔36c會連通至氣體噴出部36b的中途，且氣體噴出部36b的側面係開設有會從縱孔36c延伸之多個氣體噴出孔36d。此外，從氣體噴出孔36d會使含氟氣體(HF氣體)與鹼性氣體(NH 3氣體)的混合氣體噴出至為氣體擴散空間的凹部32a。在凹部32a擴散後的混合氣體會從氣體噴出孔37噴出至腔室10內。
[樹脂覆層] 接著，針對樹脂覆層39來加以說明。 如上述，噴淋頭26之中間板31的氣體流道31a之內面係形成有樹脂覆層39。藉由設置樹脂覆層39，便能夠在為含氟氣體的HF氣體與為鹼性氣體的NH 3氣體於氣體流道31a內匯流時，使該等成為不會與構成噴淋頭26之鋁系材料接觸的狀態。藉此，便能夠有效地防止為含氟氣體的HF氣體及為鹼性氣體的NH 3氣體之混合氣體與鋁系材料反應而產生顆粒的情形。
作為樹脂覆層39，較合適地可以使用例如使用氟樹脂之PFA的PFA覆層。PFA覆層係有各式各樣的種類，雖然也有會添加雲母者，但雲母中Al或S般的雜質較多且該等有較高可能性會成為顆粒的原因。因此，作為PFA覆層，較佳地係不含有雲母者。
樹脂覆層39可藉由粉體塗裝、浸漬途裝、或者噴塗塗裝來加以形成，膜厚可為40μm~1.0mm左右。作為樹脂覆層39，也可以使用PFA以外的其他氟樹脂，例如PTFE、PCTFE、FEP、ETFE、PCTFE。
為含氟氣體的HF氣體及為鹼性氣體的NH 3氣體與Al的反應，大多會在該等氣體的匯流處產生。因此，藉由至少在包含該等氣體的匯流處之部分形成樹脂覆層39，便能夠抑制上述反應。另外，上述反應也會在含氟氣體與鹼性氣體匯流後而在混合有該等的混合氣體之流道產生。因此，本實施形態中，包含為含氟氣體的HF氣體及為鹼性氣體的NH 3氣體之匯流處，也會在該等的混合氣體較多接觸之氣體流道31a的內面部分形成樹脂覆層39。
只要是為含氟氣體的HF氣體及為鹼性氣體的NH 3氣體之混合氣體所接觸的鋁系材料部分，藉由在中間板31的氣體流道31a之內面部分以外也形成樹脂覆層，便能夠獲得防止產生反應的效果。例如，如圖3所示，也可以在凹部32a之內面部分形成樹脂覆層。然而，由於凹部32a之內面部分係具有會包含對應於氣體噴出孔37的部分之複雜形狀，因此也會有難以形成樹脂覆層的情形。
另外，不僅是噴淋頭26，如圖4所示，也可以在含氟氣體(HF氣體)與鹼性氣體(NH 3氣體)的混合氣體所接觸之其他鋁系材料部分的腔室10之內表面形成樹脂覆層39。進而，由於含氟氣體(HF氣體)與鹼性氣體(NH 3氣體)也會接觸載置台12，因此在載置台12以鋁系材料來構成的情形，也可以在載置台12形成樹脂覆層。
[氣體處理裝置的動作] 接著，針對以上述方式構成之氣體處理裝置1的動作來加以說明。 首先，將基板W設置在腔室10內。具體而言，將基板W搬入至腔室10內，並載置在以調溫器45調整溫度後的載置台12。作為基板W，係使用例如表面具有為蝕刻對象膜之矽氧化物系膜者。
接著，以下述說明之方式來將為含氟氣體的HF氣體與為鹼性氣體的NH 3氣體供給至腔室10內以對基板W進行氣體處理。
首先，將惰性氣體(Ar氣體、N 2氣體)從氣體供給機構13而透過噴淋頭26供給至腔室10內，以使基板W的溫度穩定且使腔室10的壓力穩定。接著，在維持從氣體供給機構13供給惰性氣體的狀態下，藉由含氟氣體與鹼性氣體來進行氣體處理。例如，作為含氟氣體係使用HF氣體，作為鹼性氣體則使用NH 3氣體，來進行基板W表面之矽氧化物系材料，例如SiO 2膜的蝕刻。此情形，含氟氣體係透過第1氣體供給配管61及第1氣體導入孔33而被供給至噴淋頭26的氣體流道31a，鹼性氣體則係透過第3氣體供給配管63及第2氣體導入孔34而被供給至氣體流道31a。藉此，含氟氣體(HF氣體)與鹼性氣體(NH 3氣體)便會在被供給至腔室10之前在噴淋頭26的氣體流道31a匯流而被加以混合(預混合)。接著，以上述方式混合後的混合氣體會透過連接孔35及氣體噴頭36而到達凹部32a，再從氣體噴出孔37噴出至腔室10內。
在進行該氣體處理時，可以進行會反覆多次將含氟氣體(HF氣體)與鹼性氣體(NH 3氣體)供給至腔室10內的期間、與對腔室10內進行吹淨的吹淨期間之循環蝕刻。
腔室10內的吹淨係藉由在停止氣體供給之狀態下對腔室10內進行排氣、或者停止含氟氣體(HF氣體)及鹼性氣體(NH 3氣體)而供給惰性氣體、或者進行該等兩者來加以進行。
作為含氟氣體係使用HF氣體，作為鹼性氣體係使用NH 3氣體之情形，在供給該等之期間，在基板W表面會形成氟矽酸銨來作為反應生成物，在吹淨期間則會去除氟矽酸銨。
結束蝕刻後，會將惰性氣體供給至腔室10內以進行腔室10內的吹淨，之後，開啟閘閥42以將基板W從搬出入口41來加以搬出。
使用習知的氣體處理裝置來進行如此般HF氣體與NH 3氣體所致之氣體處理的情形，已明白到在噴淋頭26內的HF氣體與NH 3氣體之匯流處，在存在有水(H 2O)的情形下則HF氣體與NH 3氣體會與噴淋頭的Al產生反應。接著，發現到因為如此般反應便會產生AlF x或者AlO xF y般的AlF系顆粒。可以認為在使用其他含氟氣體及鹼性氣體之情形也會產生同樣的AlF系顆粒。
作為此時的反應模型係示範了以下式(1)~(3)的範例。
Figure 02_image001
是以，藉由抑制該等反應，便能夠抑制產生AlF x或AlO xF y般的AlF系顆粒。
因此，本實施形態中，會在以鋁系材料構成之噴淋頭26的至少包含含氟氣體(HF氣體)與鹼性氣體(NH 3氣體)所匯流的匯流處之部分形成樹脂覆層39。藉此，便能夠防止含氟氣體(HF氣體)與鹼性氣體(NH 3氣體)直接接觸鋁系材料部分的情形。因此，能夠抑制上述反應(1)~(3)，而極為有效地抑制產生AlF x或AlO xF y般的AlF系顆粒。
該等反應也會在含氟氣體與鹼性氣體匯流後而在混合有該等的混合氣體之流道產生。因此，本實施形態中，包含為含氟氣體的HF氣體及為鹼性氣體的NH 3氣體之匯流處，也會在該等的混合氣體較多接觸之氣體流道31a的內面部分形成樹脂覆層39。藉此，便能夠更有效地抑制產生顆粒，能夠使中間板的壽命變長。
另外，含氟氣體(HF氣體)與鹼性氣體(NH 3氣體)的混合氣體也會接觸凹部32a之內面部分。是以，如圖3所示，藉由也在凹部32a之內面部分形成樹脂覆層39，便能夠進一步提昇抑制產生顆粒的效果。然而，相較於凹部32a，氣體流道31a之樹脂覆層39的必要性是較高的。亦即，由於上述反應(1)~(3)係NH 3氣體濃度越高、越高壓則容易進行，因此NH 3會以高濃度來接觸壁面且氣體流通區域較窄而成為高壓的氣體流道31a相較於凹部32a對於樹脂覆層39的必要性會變高。此外，關於氣體比例，在HF：NH 3=6.5：1以上的NH 3氣體比例之情形，在匯流處等會較容易產生上述反應，故樹脂覆層39會更為有效。
再者，雖然不如噴淋頭26的程度，但為含氟氣體的HF氣體與鹼性氣體的混合氣體也會接觸到腔室10的內表面。另外，如此般混合氣體也會接觸到載置台12。是以，如圖4所示，藉由也在腔室10的內表面或載置台12形成樹脂覆層39，便能夠進一步提昇抑制產生顆粒的效果。
較合適地可以將使用氟樹脂之PFA的PFA覆層使用來作為樹脂覆層39，更佳地係不含有會成為顆粒的原因之雲母者。另外，藉由同樣地以PFA來構成氣體噴頭36，便能夠提昇抑制產生顆粒的效果。
＜第2實施形態＞ 圖5係顯示第2實施形態相關之氣體處理裝置的剖面圖，圖6係顯示第2實施形態相關之氣體處理裝置的主要部位之噴淋頭的一部分之局部剖面圖，圖7係圖6之AA線所致的剖面圖，圖8係圖6之BB線所致的剖面圖。
圖5所示之本實施形態相關的氣體處理裝置1’的基本構成，除了未形成樹脂覆層外，係與圖1的第1實施形態之氣體處理裝置1相同。因此，圖5中會對與圖1相同者賦予相同符號以省略說明。
本實施形態係在中間板31的氣體流道31a內之為含氟氣體的HF氣體與為鹼性氣體的NH 3氣體之匯流部具有其特徵。如圖6~8所示，噴淋板26之中間板31的氣體流道31a係從第1氣體導入孔33的連接部分起圓周狀地延伸，首先會使含氟氣體(HF氣體)從第1氣體導入孔33流通。
氣體流道31a係在中途形成有匯流部31aE。匯流部31aE係具有會將鹼性氣體(NH 3氣體)沿著氣體流道31a內的含氟氣體之流向噴出的氣體噴出構件38，氣體流道31a之匯流部31aE的部分之直徑係較大。氣體噴出構件38係連接有會從第2氣體導入孔34延伸的副氣體流道34a。副氣體流道34a係從第2氣體導入孔34往下方延伸至較氣體流道31a要下方的位置，再從該位置進一步水平地朝向匯流部31aE延伸且在對應於氣體噴出構件38的位置朝向上方而連接於氣體噴出構件38的底面。
氣體流道31a係從匯流部31aE進一步圓周狀地延伸，會使含氟氣體(HF氣體)與鹼性氣體(NH 3氣體)在混合狀態下流通。氣體流道31a係會在匯流部31aE之後的特定位置上以特定形狀分歧為多道，氣體流道31a的分歧部分之端部係設有多個會連接於成為氣體擴散空間之凹部32a的連接孔35。藉此，含氟氣體(HF氣體)與鹼性氣體(NH 3氣體)混合後的混合氣體會從氣體流道31a經過多個連接孔35及氣體噴頭36而到達成為氣體擴散空間之凹部32a，再從多個氣體噴出孔37噴出。
亦即，匯流部31aE係在氣體流道31a內具有氣體噴出構件38的雙重構造，構成為會從氣體噴出構件38往和在氣體流道31a內流動之含氟氣體(HF氣體)的流向相同之方向噴出鹼性氣體(NH 3氣體)。因此，鹼性氣體(NH 3氣體)係在氣體流道31a內以會在含氟氣體(HF氣體)的流向之中央部分而沿著其流向之方式來流動，可抑制鹼性氣體(NH 3氣體)在高濃度狀態下接觸壁部的情形。
如上述，噴淋頭26係以鋁系材料來構成之情形，若單純地從第2氣體導入孔34將鹼性氣體(NH 3氣體)導入至氣體流道31a，則在該等氣體的匯流部分，鹼性氣體便會在高濃度狀態下接觸由鋁系材料所構成的壁部。因此，在匯流部分會容易產生例如為含氟氣體的HF氣體、為鹼性氣體的NH 3氣體、Al及水所致之上述式(1)~(3)的反應，而容易產生顆粒。
相對於此，本實施形態中，由於會在匯流部31aE使鹼性氣體(NH 3氣體)從氣體噴出構件38沿著含氟氣體的流向來匯流，因此可抑制鹼性氣體(NH 3氣體)以高濃度來接觸由鋁系材料所構成的壁部。因此，便難以產生上述式(1)~(3)的反應，而能夠抑制產生顆粒。
此時，從可提昇抑制產生顆粒的效果之觀點來看，來自氣體噴出構件38之鹼性氣體(NH 3氣體)的噴出流與氣體流道31a的壁部之距離d(參照圖8)較佳地係2.5mm以上。另外，關於氣體比例的話，在HF：NH 3=6.5：1以上的NH 3氣體比例之情形，在匯流處等會較容易產生上述反應，故本實施形態之匯流部的構成會更為有效。
(其他適用) 以上，已針對實施形態加以說明，但應認為本次所揭露之實施形態在所有方面皆為範例而非用來加以限制。上述實施形態在不脫離申請專利範圍及其要旨的範圍內也能以各種形態來加以省略、置換、變更。
例如，第1實施形態也可以使含氟氣體與鹼性氣體的匯流部為雙重管構造，而為會沿著含氟氣體的流向來噴出鹼性氣體的構成。另外，第2實施形態也可以至少在氣體流道31a的內面塗覆樹脂。藉由如此構成，便能夠獲得樹脂覆層所致之效果與可抑制鹼性氣體以高濃度來接觸氣體流道的壁部之效果的兩者，能夠更有效地抑制產生顆粒。另外，此情形，即使損耗掉皮膜而使鋁系材料露出，也能夠抑制在匯流部的反應，能夠有效地抑制產生顆粒。
另外，上述實施形態之氣體處理裝置不過是範例，可以適用在各種構成的氣體處理裝置。
再者，上述實施形態中，作為處理氣體雖然示範了基板表面上所存在的矽氧化物系材料的蝕刻，但並不限於此，也可以為洗淨處理等其他處理。另外，作為基板雖然示範了半導體晶圓的範例，但並不限於半導體晶圓，也可以為LCD(液晶顯示器)用基板所代表的FPD(平板顯示器)基板、或陶瓷基板等其他基板。
1:氣體處理裝置 10:腔室 12:載置台 13:氣體供給機構 14:排氣機構 26:噴淋頭 30:上部板 31:中間板 31a:氣體流道 31aE:匯流部 32:下部板 32a:凹部 33:第1氣體導入孔 34:第2氣體導入孔 36:氣體噴頭 37:氣體噴出孔 38:氣體噴出構件 39:樹脂覆層 45:調溫器 51:HF氣體供給源 53:NH 3氣體供給源 80:控制部 W:基板
圖1係顯示第1實施形態相關之氣體處理裝置的剖面圖。 圖2係用以說明氣體噴頭之構造的剖面圖。 圖3係顯示在第1實施形態相關之氣體處理裝置中，在噴淋頭的下部板上所形成而為氣體擴散空間之凹部的內面也形成有樹脂覆層之狀態的剖面圖。 圖4係顯示在第1實施形態相關之氣體處理裝置中，在腔室的內表面及載置台的表面也形成有樹脂覆層之狀態的剖面圖。 圖5係顯示第2實施形態相關之氣體處理裝置的剖面圖。 圖6係顯示用於實施第2實施形態之氣體處理裝置的一例之主要部位的噴淋頭之一部分的局部剖面圖。 圖7係圖6之AA線所致的剖面圖。 圖8係圖6之BB線所致的剖面圖。
1:氣體處理裝置
10:腔室
12:載置台
13:氣體供給機構
14:排氣機構
21:腔室本體
21a:側壁部
21b:底部
22:蓋部
26:噴淋頭
30:上部板
31:中間板
31a:氣體流道
32:下部板
32a:凹部
33:第1氣體導入孔
34:第2氣體導入孔
35:連接孔
36:氣體噴頭
37:氣體噴出孔
39:樹脂覆層
41:搬出入口
42:閘閥
45:調溫器
51:HF氣體供給源
52:Ar氣體供給源
53:NH3氣體供給源
54:N2氣體供給源
61:第1氣體供給配管
62:第2氣體供給配管
63:第3氣體供給配管
64:第4氣體供給配管
65:流量控制閥
71:排氣口
72:排氣配管
73:自動壓力控制閥
74:真空泵
76a,76b:電容真空計
80:控制部
W:基板

Claims (20)

  1. 一種氣體處理裝置，係會對基板施予氣體處理，具有： 腔室，係收納基板； 氣體供給機構，係分別供給含氟氣體與鹼性氣體；以及 氣體導入構件，係使從該氣體供給機構所供給之該含氟氣體與該鹼性氣體匯流，並將該含氟氣體與該鹼性氣體混合後之混合氣體導入至該腔室； 該氣體導入構件之包含該含氟氣體與該鹼性氣體的匯流處之部分係以鋁系材料來加以構成； 至少包含該匯流處之部分係形成有樹脂覆層。
  2. 如申請專利範圍第1項之氣體處理裝置，其中該樹脂覆層係形成在該匯流處及會使該含氟氣體與該鹼性氣體之混合氣體流通的部分。
  3. 如申請專利範圍第2項之氣體處理裝置，其中該氣體導入構件係具有： 本體，係以鋁系材料來加以構成； 第1氣體導入部及第2氣體導入部，係分別導入該含氟氣體及該鹼性氣體；以及 氣體流道，係設在該本體之內部，具有該匯流處且會使該混合氣體流通； 該樹脂覆層係形成在該本體之該氣體流道的內面。
  4. 如申請專利範圍第3項之氣體處理裝置，其中該氣體導入構件係會將氣體噴淋狀地噴出至該腔室內的噴淋頭； 該本體係具有： 第1板件，係具有該氣體流道；以及 第2板件，係具有會使該混合氣體從該氣體流道流入的氣體擴散空間及會使該混合氣體從該氣體擴散空間噴出至該腔室內的多個氣體噴出孔。
  5. 如申請專利範圍第4項之氣體處理裝置，其中該樹脂覆層也會形成在該氣體擴散空間的內面。
  6. 如申請專利範圍第4或5項之氣體處理裝置，其係進一步具有設在會使該混合氣體從該氣體流道流入至該氣體擴散空間的部分，使該混合氣體噴出至該氣體擴散空間之樹脂製的氣體噴頭。
  7. 如申請專利範圍第6項之氣體處理裝置，其中該氣體噴頭係以PFA來加以構成。
  8. 如申請專利範圍第3至7項中任一項之氣體處理裝置，其中該氣體導入構件進一步具有匯流部，係設在該氣體流道，會使從該第2氣體導入部所導入之該鹼性氣體匯流至從該第1氣體導入部所導入至該氣體流道的該含氟氣體並加以混合； 該匯流部係在該氣體流道內具有會將該鹼性氣體沿著該含氟氣體之流向噴出的氣體噴出構件。
  9. 如申請專利範圍第1至8項中任一項之氣體處理裝置，其中該腔室係以鋁系材料來加以構成，該樹脂覆層也會形成在該腔室的內表面。
  10. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之氣體處理裝置，其中該樹脂覆層係以PFA來加以構成。
  11. 一種氣體處理裝置，係會對基板施予氣體處理，具有： 腔室，係收納基板； 氣體供給機構，係分別供給含氟氣體與鹼性氣體；以及 氣體導入構件，係使從該氣體供給機構所供給之該含氟氣體與該鹼性氣體匯流，並將該含氟氣體與該鹼性氣體混合後之混合氣體導入至該腔室； 該氣體導入構件係具有： 本體，係以鋁系材料來加以構成； 第1氣體導入部及第2氣體導入部，係分別導入該含氟氣體及該鹼性氣體； 氣體流道，係設在該本體之內部；以及 匯流部，係使從該第2氣體導入部所導入之該鹼性氣體匯流至從該第1氣體導入部所導入有該含氟氣體之該氣體流道並加以混合； 該匯流部係在該氣體流道內具有會將該鹼性氣體沿著該含氟氣體之流向噴出的氣體噴出構件。
  12. 如申請專利範圍第11項之氣體處理裝置，其中該氣體導入構件係會將氣體噴淋狀地噴出至該腔室內的噴淋頭； 該本體係具有： 第1板件，係具有該氣體流道；以及 第2板件，係具有會使該混合氣體從該氣體流道流入的氣體擴散空間及會使該混合氣體從該氣體擴散空間噴出至該腔室內的多個氣體噴出孔。
  13. 如申請專利範圍第12項之氣體處理裝置，其係進一步具有設在會使該混合氣體從該氣體流道流入至該氣體擴散空間的部分，使該混合氣體噴出至該氣體擴散空間之樹脂製的氣體噴頭。
  14. 如申請專利範圍第13項之氣體處理裝置，其中該氣體噴頭係以PFA來加以構成。
  15. 如申請專利範圍第11至14項中任一項之氣體處理裝置，其中該第2氣體導入部具有副氣體流道，係往下方延伸至較該氣體流道要下方的位置，再從該位置水平地朝向該匯流部延伸，且會在對應於該氣體噴出構件的位置朝向上方而連接於該氣體噴出構件的底面。
  16. 如申請專利範圍第11至15項中任一項之氣體處理裝置，其中在該氣體流道中，來自該氣體噴出構件之該鹼性氣體的噴出流與該氣體流道的壁部之距離係2.5mm以上。
  17. 如申請專利範圍第11至16項中任一項之氣體處理裝置，其中該氣體流道的內面係形成有樹脂覆層。
  18. 如申請專利範圍第17項之氣體處理裝置，其中該樹脂覆層係以PFA來加以構成。
  19. 如申請專利範圍第1至18項中任一項之氣體處理裝置，其中該含氟氣體係選自HF氣體、F 2氣體、ClF 3氣體、NF 3氣體的至少一種，該鹼性氣體係選自NH 3氣體、胺氣的至少一種。
  20. 如申請專利範圍第19項之氣體處理裝置，其中該含氟氣體係HF氣體，該鹼性氣體係NH 3氣體，該氣體處理係對存在於該基板上之矽氧化物系材料進行蝕刻的處理。
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