CN108028193A - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

在比由处理室(81、201)内的基板保持部(89、204)保持着的基板(W)的端缘靠外侧的位置设置有喷射气体的气体喷射口(74、205)。从气体喷射口(74、205)喷射来的气体形成在沿着由基板保持部保持着的基板的第1面(表面)的方向上流动的气体的流动。随着气体的流动，升华了的升华性物质的气体和气体所含有的异物被从基板的附近去除。气体也作为从加热部(88、203)向基板的传热介质起作用。

Description

基板处理装置和基板处理方法
技术领域
本发明涉及使附着于基板的升华性物质升华的技术。
背景技术
在制造半导体装置之际，通过向半导体晶圆等基板供给化学溶液，来进行湿蚀刻处理或清洗处理等化学溶液处理。在化学溶液处理之后进行冲洗处理和甩干处理。随着在基板形成的图案的微细化和高纵横化，在干燥时由于要从图案凹部内出来的液体的表面张力而图案倒塌的风险变高。为了应对该问题，最近，在冲洗处理后进行使用了升华性物质的干燥处理(参照例如专利文献1)。使用了升华性物质的干燥处理包括：利用升华性物质溶液对充满图案凹部内的冲洗液或溶剂进行置换的工序；使升华性物质溶液固化的工序；以及使升华性物质升华的工序。
在上述的升华工序或紧接着该升华工序之后，有时因源自从基板暂且脱离了的升华性物质的异物附着或再次附着，基板表面被污染。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-243869号公报
发明内容
本发明的目的在于提供一种防止基板在升华工序时或紧接着该升华工序之后被源自从基板暂且脱离了的升华性物质的异物污染的技术。
根据本发明的一实施方式，提供一种基板处理装置，该基板处理装置具备：基板保持部，其保持基板，该基板具有：第1面，其涂敷有升华性物质；以及该第1面的相反侧的第2面；处理室，其收容由基板保持部保持着的基板；加热部，其对所述处理室的内部进行加热，以使涂敷于所述基板的第1面的升华性物质升华；以及气体供给部，其向所述处理室供给气体，所述气体供给部具有喷射气体的气体喷射口，所述气体喷射口设置于比由所述基板保持部保持着的所述基板的端缘靠外侧的位置，形成在沿着由所述基板保持部保持着的所述基板的所述第1面或所述第2面的方向上流动的气体的流动。
根据本发明的另一实施方式，提供一种基板处理方法，该基板处理方法具备：将具有涂敷有升华性物质的第1面和该第1面的相反侧的第2面的基板配置于处理室内；对所述基板进行加热，以使涂敷于所述基板的第1面的升华性物质升华；以及从所述处理室内的设置于比所述基板的端缘靠外侧的位置的气体喷射口喷射气体而形成在沿着配置于所述处理室内的所述基板的所述第1面或所述第2面的方向上流动的气体的流动。
根据上述本发明的实施方式，由于升华而从基板脱离了的升华性物质的气体被从气体喷射口喷射来的气体的流动从基板附近的空间去除。因此，能够防止源自升华性物质而产生的异物向基板的附着、再次附着。
附图说明
图1是表示基板处理装置的一实施方式的升华处理系统的整体结构的概略侧视图。
图2是升华处理单元的纵向剖切侧视图。
图3是沿着图2中的III-III线的剖视图。
图4是表示晶圆保持构件的另一形态的升华处理单元的水平方向剖切俯视图。
图5是表示气体供给部的另一形态的升华处理单元的水平方向剖切俯视图。
图6是对图5所示的气体供给管进行说明的概略图。
图7是表示在升华处理单元的处理室后部设置有电吸尘器的例子的升华处理单元的纵向剖切侧视图。
图8是对另一升华处理方法进行说明的概略图。
图9是说明气体供给对晶圆升温的影响的图表。
具体实施方式
以下，参照附图对发明的实施方式进行说明。
图1是表示升华处理系统1(基板处理装置)的整体结构的概略侧视图。升华处理系统1具备加载埠(输入输出部)2、大气输送室4、加载互锁室6以及升华处理单元8。
在加载部2能够载置已收容有多个晶圆W的基板输送容器C例如FOUP。
大气输送室4的内部空间成为与无尘室内的气氛相同的大气气氛。在大气输送室4内设置有第1晶圆输送机构41，在此设置有将晶圆W逐张输送的单张输送机器人。第1晶圆输送机构41也可以是批次输送机器人。利用设置于将加载部2与大气输送室4之间分隔开的壁体3的未图示的盖开闭装置，打开基板输送容器C的盖，能够利用第1晶圆输送机构41取出晶圆W。
在加载互锁室6内设置有：缓冲架61，其能够载置多张晶圆W；以及第2晶圆输送机构62，在此是能够同时输送多张晶圆W的批次输送机器人。加载互锁室6通过经由抽真空管线63进行抽真空，能够设为与升华处理单元8相同程度的真空度的减压气氛，另外，通过经由通气管线64导入大气，能够设为大气气氛。
在大气输送室4与加载互锁室6之间设置有闸阀5，也在加载互锁室6与升华处理单元8之间设置有闸阀7。
升华处理系统1具备控制装置100。控制装置100是例如计算机，具备控制部101和存储部102。存储部102储存对在升华处理系统中执行的各种处理进行控制的程序。控制部101通过将存储于存储部102的程序读出而执行，来对升华处理系统的动作进行控制。
此外，该程序既可以是记录于由计算机能够读取的存储介质的程序，也可以是从该存储介质安装至控制装置100的存储部102的程序。作为由计算机可读取的存储介质，存在例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
以下，参照图2和图3详细论述升华处理单元8的结构。升华处理单元8具有处理室(升华处理室)81。在处理室81的后面设置有排气口82。在排气口82与夹设有真空泵83(例如涡轮分子泵)的排气路径84连接。
处理室81的后侧的壁体形成为具有截面积朝向排气口82逐渐变小那样的锥形状的气体引导壁体85。气体引导壁体85能够形成为例如大致四棱锥的形状的漏斗形。
在处理室81内部设置有将处理室81的内部空间划分成沿着上下方向隔离开的多个分区86(也就是说，沿着晶圆W的厚度方向即晶圆W的排列方向彼此隔离开的多个分区86)的多个分隔板87。优选的是，各分隔板87的面积比晶圆W的面积大，在从上方观察晶圆W的情况下，晶圆W的轮廓完全内置于分隔板87的轮廓(也参照图5)。分隔板87的横向两端与处理室81的侧壁81a连结。
在各分隔板87设置用于对晶圆W进行加热的加热器(加热部)88。因而，各分隔板87也具有作为热板的作用。
在各分隔板87设置从下方支承晶圆W的背面(第2面)的、支承销的形态的晶圆支承构件(基板保持部)89。晶圆支承构件89将1张晶圆W支承于沿着上下方向彼此相邻的分隔板87之间的分区86内。此时，在各晶圆W与位于其上方的分隔板87之间、以及该晶圆W与位于其下方的分隔板87之间分别形成有成为气体通路的间隙90a、90b(仅对最上层的间隙标注有参照附图标记)。
替代设置支承销的形态的晶圆支承构件89，该晶圆支承构件89设置于各分隔板87的上表面，也可以将从处理室81的两侧壁81a朝向处理室81的内部空间的中央部水平地伸出的晶圆支承构件呈多层配置成架状(也参照图4)。
在处理室81的前表面设置有前述的闸阀7。闸阀7具有：阀主体71，其具有能够同时输送多个晶圆W的第2晶圆输送机构62的晶圆保持部可以通过的尺寸的开口72；以及可动的阀芯73，其被致动器78驱动而对阀主体71的开口72进行封闭。开口72和阀芯73的形状是例如矩形。
在闸阀7的阀芯73的朝向处理室81的面形成有喷射吹扫气体(例如氮气)的多个气体喷射口74。吹扫气体从吹扫气体供给源75经由夹设有开闭阀76的气体管线77向气体喷射口74供给。具备气体喷射口74的阀芯73和构件75、76、77构成气体供给部。
在图3中，为了附图的简单化，仅对与最上层的分区86相关联的气体喷射口74标注参照附图标记。气体喷射口74朝向各晶圆W与位于其上方的分隔板87之间的间隙90a、以及该晶圆W与位于其下方的分隔板87之间的间隙90b喷射气体。喷射至间隙90a和间隙90b的吹扫气体朝向排气口82流动。
优选的是以如下方式设置气体喷射口74：在各间隙90a、90b内(各分区86内)流动的吹扫气体的流量大致相等，且在各间隙90a、间隙90b内形成的吹扫气流沿着晶圆的宽度方向(图3的左右方向)均等地分布。升华性物质的气体的吹扫所需要的仅是间隙90a，但为了处理室81内的顺畅的气体的流动，期望的是气体以与在间隙90a内的流速相同的流速在间隙90b内流动。
具体而言，例如，如图3所示，气体喷射口74能够配置成大致棋盘格状(grid-likepattern：网状格图案)。在该情况下，能够针对例如各一个间隙90a、90b在晶圆W的宽度(直径)以上的长度的范围内沿着水平方向以等间隔设置多个气体喷射口74。
为了使从各气体喷射口74喷射的吹扫气体的流量均匀化，也可以是，将设置于CVD装置的喷头那样的气体缓冲室(未图示)设置于阀芯73内，经由气体缓冲室向各气体喷射口74分配吹扫气体。
为了使吹扫气体向间隙90a、90b内顺畅地流动，优选各分隔板87的闸阀7侧的端部的位置尽可能靠近地设定于关闭后的阀芯73。
此外，在图示的实施方式中，升华处理单元8构成为能够一次收容5张晶圆W，当然，也可以构成为能够收容比5张多的数量(例如25张)或者少的数量的晶圆W。
接着，对升华处理系统1的动作进行说明。以下说明的动作在控制装置100的控制下自动地进行。此时，控制装置100执行被储存于存储部102的控制程序而使升华处理系统1的各构成要素动作，以使被储存于存储部102的处理制所程定义的处理参数实现。
首先，收容有升华性物质涂敷于表面(器件形成面)的多个晶圆W的基板输送容器C向加载部2输入。在晶圆W的表面(第1面)形成有具有凹凸的图案，在包括图案的凹部的内部在内的晶圆W的表面已经形成有固体状态的升华性物质的膜。这样的升华性物质的膜能够使用任意的公知的方法(例如由本件申请人提出申请的日本特开2012-243869号所记载的方法)来形成。
在升华处理系统1的通常运转时，升华处理单元8的处理室81内经由排气口82被抽吸，常时成为减压气氛(例如10Pa或10Pa以下程度的压力)。另外，设置于分隔板87的加热器88从晶圆W被向处理室81内输入之前运转，处理室81内被加热成预先确定好的温度(例如150℃～200℃程度)。处理室81内的压力和温度根据晶圆W上的升华性物质的种类决定。
若基板输送容器C载置于加载部2，则加载互锁室6设为大气气氛，在闸阀7关闭的状态下闸阀5被打开。大气输送室4内的第1晶圆输送机构41从卸掉未图示的盖体的基板输送容器C取出晶圆W，向加载互锁室6内的缓冲架61输送晶圆W。
在将预先确定好的数量的晶圆W被载置于缓冲架61之后，保持关闭闸阀7的状态关闭闸阀5，加载互锁室6被抽真空，加载互锁室6内设为与升华处理单元8的处理室81内相同程度的减压气氛。
之后，在保持闸阀5被关闭的状态下闸阀7被打开。加载互锁室6内的第2晶圆输送机构62将位于缓冲架61的晶圆W成批取出，载置至位于处理室81内的晶圆支承构件89上。此时，各晶圆W的表面(作为器件形成面的第1面)朝上。接下来，闸阀7被关闭，由升华处理单元8进行的升华处理开始。
载置于晶圆支承构件89上的晶圆W由于加热器88产生的热被加热成比晶圆W上的升华性物质的升华温度高的温度，从而该升华性物质升华，成为气体的状态。
此时，在处理室81内，形成在从设置于晶圆W的端缘的外侧的闸阀7的阀芯73的气体喷射口74喷射了之后、经由各间隙90a、90b而朝向排气口82的吹扫气体的流动(从图2的左侧朝向右侧流动)。因而，升华性物质的气体随着该吹扫气体的流动而流动，被从处理室81内排出。
在经过预先确定好的时间而升华性物质被从晶圆W上完全去除之后，保持闸阀5被关闭了的状态，闸阀7被打开。接下来，第2晶圆输送机构62将处理室81内的晶圆W成批取出，载置于成为减压气氛的加载互锁室6内的缓冲架61。
接下来，在保持闸阀5被关闭了的状态下，闸阀7被关闭而加载互锁室6设为大气气氛。接下来，闸阀5被打开，第1晶圆输送机构41将缓冲架61上的晶圆W收纳于原来的基板输送容器C。通过以上步骤，一系列的动作结束。
根据上述实施方式，在进行着升华处理的期间内，吹扫气体在处理室81内在晶圆W的表面(第1面)的附近在沿着该表面的方向上流动，因此，从晶圆W的表面升华了的升华性物质随着吹扫气流而迅速地被向处理室81外排出。因此，升华性物质的气体不会滞留于晶圆W的周围。因此，能够防止或抑制因升华而从晶圆W暂且脱离了的升华性物质、或升华性物质所含有而与升华性物质的升华一起释放至晶圆周围的异物等源自暂且脱离了的升华性物质而形成的异物向相同的晶圆W或其他晶圆W附着或再次附着所产生的晶圆污染。此外，升华性物质的气体的产生量在加热开始后并不恒定，随着晶圆W的温度上升而慢慢地变大。并且，升华进行一定程度，随着晶圆W上的升华性物质的量减少而变小。因而，吹扫气体的供给量也与升华性物质的气体的产生量相对应，慢慢地变大，更优选的是升华性物质的气体的产生量在最大时吹扫气体的供给量也最大。而且，也可以是，之后，气体的产生量减少，随着接近升华处理的结束而吹扫气体的供给量也减少。进行调查升华性物质气体的产生量的经时变化的实验，能够基于该实验的结果决定吹扫气体的供给量的变更时刻而预先存储于控制装置100。在干燥处理时，控制装置100基于所存储的时刻对开闭阀76、设置于气体管线77的未图示的流量调整器进行控制。
在升华处理结束后，在第2晶圆输送机构62进入处理室81内时，第2晶圆输送机构62的晶圆保持部是常温的。因此，若气体状态的升华性物质较多地存在于处理室81内，则存在该升华性物质凝固而成为微粒并落下而污染晶圆W的可能性。另外，在第2晶圆输送机构62进入处理室81内时，若水分(水蒸气)存在于处理室81内，则也存在该水分凝固而产生微小水滴而将该微小水滴为核、升华性物质凝固而成为微粒的可能性。根据上述实施方式，也能够防止由上述那样的机理导致的晶圆污染。此外，气体状态的升华性物质在处理室81内越少，升华性物质凝固而成为微粒的可能性也越低。因而，也可以是，随着接近升华处理的结束而降低所供给的吹扫气体的温度，对处理室内进行冷却。由此，能够缩短直至使处于常温的下一组晶圆W、第2晶圆输送机构62输入为止的时间，能够使干燥处理的生产率提高。进行调查吹扫气体的降温时刻与微粒的产生量之间的关系的实验，能够基于该实验的结果决定吹扫气体的降温时刻，并预先存储于控制装置100。在干燥处理时，控制装置100基于所存储的时刻对设置于气体管线77的未图示的气体温度调整器(加热器、冷却器)进行控制。
另外，根据上述实施方式，处理室81的内部空间被分隔板87划分成沿着上下方向隔离开的多个分区86，因此，在各分区86内产生从闸阀7朝向排气口82的指向性较强的比较高流速的吹扫气体的流动。因此，能够使从晶圆W去除了的升华性物质的气体更顺畅地向排气口82排出。
另外，根据上述实施方式，在沿着上下方向相邻的晶圆W之间设置有分隔板87，因此，从某一个晶圆W产生的升华性物质的气体不会与位于上方的晶圆W的下表面直接接触。因此，升华性物质不会在该位于上方的晶圆W的下表面析出而使该晶圆W的下表面被污染。
另外，根据上述实施方式，在各分隔板87设置有加热器88，因此，能够对多个晶圆W均等地进行加热，能够提高成批处理的均匀性。
优选设置有分隔板87，但也可以不设置。在该情况下，例如，如图4所示，也可以将从处理室81的两侧的侧壁81a朝向处理室81的内部空间的中央部水平地伸出的板状的晶圆支承构件92呈多层设置成架状。图4的水平方向剖切俯视图表示一张晶圆W的周缘部被所对应的左右一对晶圆支承构件92支承着的状态。
在图4所示的变形实施方式中，处理室81的内部空间被晶圆W和晶圆支承构件92分割成多个分区，因此，从气体喷射口喷射来的吹扫气体能够以比较高流速在沿着晶圆W的表面的方向上流动。在该情况下，优选以晶圆W尽可能靠近关闭着的闸阀7的阀芯73的方式设置晶圆支承构件92。这样一来，能够使从阀芯73的气体喷射口74喷射来的吹扫气体顺畅地流入相邻的晶圆W间的间隙。
在采用了图4所示的结构的情况下，在图2和图3所示的结构中，设置于分隔板87的加热器能够设置于处理室81的壁。
另外，在如图4所示那样不具有分隔板87的结构的情况下，优选以表面(器件形成面)朝下的方式使晶圆W支承于晶圆支承构件92。在该情况下，晶圆支承构件92构成为，支承晶圆W的表面(第1面)的周缘部的器件非形成区域。在没有分隔板87的情况下，若使晶圆W的表面朝上，则在处理产生异常而在处理室内产生了异物时，存在该异物向晶圆W的表面落下而污染晶圆W的器件的可能性。通过预先使晶圆W的表面朝下，能够大幅度地降低产生那样的情况的可能性。
在上述实施方式中，从设置于闸阀7的阀芯73的气体喷射口74喷射了吹扫气体，取而代之，如图5和图6所示，也可以从设置于闸阀7的左右两侧的沿着铅垂方向延伸的气体喷射管94喷射气体。在气体喷射管94，沿着铅垂方向隔开间隔地设置有多个气体喷射口96。如在图6中概略地表示那样，气体以如下方式喷射：气体从位于某一高度位置的气体喷射口96向晶圆W的下表面与位于其下方的分隔板87之间的间隙90b喷射，气体从位于其下的高度位置的气体喷射口96向晶圆W的上表面与位于其上方的分隔板87之间的间隙90a喷射(这点与设置于闸阀7的阀芯73的气体喷射口74相同。)
如在图7中概略地表示那样，也可以在处理室81的后壁等的排气口82的附近设置利用静电力对升华性物质的气体中所含有的带电的异物进行吸附而收集的电吸尘器98。电吸尘器98既可以是对带正电的异物进行吸附，也可以是对带负电的异物进行吸附。
在上述的说明中，升华处理单元8是同时处理多张晶圆W的成批处理单元，但也可以是对单一晶圆进行处理的单张处理单元。在该情况下，也通过在晶圆W的表面的附近使在沿着晶圆W的表面的方向上流动的吹扫气流产生，能够防止晶圆W的污染。
接着，参照图8和图9对另一实施方式(也称为“第2实施方式”)进行说明。
在具有形成有高纵横比的凹凸的表面的晶圆、或者三维集成电路中，在升华性物质的涂敷时，必须使升华性物质溶液充分地渗透至凹部的深处。因此，通过发明人的研究，可知：(1)维持在晶圆等被处理体(基板)的表面(第1面)形成有较厚的升华性物质溶液的液膜的状态；(2)需要在升华性物质的涂敷后使升华性物质溶液迅速地干燥。
为了实现上述(1)，在例如一边使被处理体旋转一边将升华性物质溶液向被处理体表面供给之际，降低被处理体的旋转速度，从而离心力难以作用于升华性物质溶液的液膜即可。取而代之，也可以不使被处理体旋转，在被处理体的表面形成升华性物质溶液的浆(パドル)(液膜)。
为了实现上述(2)，通过隔着被处理体使升华性物质溶液的温度上升，使构成升华性物质溶液的溶剂迅速地蒸发。对于例如在上表面形成有升华性物质溶液的液膜的被处理体，利用设置于被处理体的下方的热板对被处理体进行加热即可。取而代之，也可以是，利用设置于被处理体的下方的喷嘴向被处理体吹送被加热后的液体或加热后的气体，对被处理体进行加热。或者，也可以是，利用设置于被处理体的上方的热板或者加热灯(例如LED灯)对被处理体和升华性物质溶液进行加热。或者，也可以是，利用设置于被处理体的上方的喷嘴向被处理体吹送加热后的气体(例如干燥空气或氮气)，对升华性物质溶液进行加热。在使用被设置于被处理体的上方的喷嘴的情况下，优选使用在下表面形成有许多喷出口的圆盘喷嘴。通过使用这样的圆盘喷嘴，防止因压力较高的气体与升华性物质溶液的液膜局部地碰撞而使升华性物质溶液从被处理体表面被冲洗。
也可以是，为了实现上述(2)，或者、通过设置包围被处理体的上方空间的罩，向该罩内供给被加热后的气体，对被处理体和升华性物质溶液进行加热。另外，此时，也可以是，通过对被处理体的下方空间进行抽吸，将蒸发后的升华性物质溶液的溶剂从被处理体的周围空间去除。
接着，对适于如上述(1)和(2)那样使附着于被处理体的第1面的固体状态的较厚的升华性物质升华的方法进行说明。在以下的说明中，对使用了单张式的处理单元的情况进行说明。
如图8所示，作为被处理体的晶圆W载置于设置于处理室201内的热板202之上。在热板202内置有加热器(加热部)203。在热板202的上表面设置有作为基板保持部的多个接近销204(或突起)。在处理室201的一侧(比晶圆W的端缘靠外侧的位置)设置有气体喷嘴205。气体喷嘴(气体喷射口)205将从气体供给机构206供给来的气体(例如氮气、清洁干燥空气等)向处理室201内喷射。气体喷嘴205和气体供给机构206构成气体供给部。在处理室201的另一侧设置有排气口207。处理室201内被连接于排气口207的真空泵208排气。图8所示的装置的动作由控制装置209控制。
处理室201内被真空泵208抽吸，成为例如内压是10Pa～数十Pa程度的减压状态。利用设置于热板202的上表面的接近销204，在热板202的上表面与晶圆W的下表面之间确保较窄的间隙(cap)。由此，即使对处理室201内进行抽真空，能够防止晶圆W粘贴于热板202的上表面。
气体从气体喷嘴205沿着与晶圆W的表面(第1面)大致平行的方向朝向晶圆W喷出。喷出来的气体在处理室内横断地流动，从位于气体喷嘴205的相反侧的排气口207被排气。供给至处理室201内的气体进入热板202的上表面与晶圆W的下表面(第2面)之间的间隙。因此，产生以气体为传热介质的从热板202向晶圆W的导热，提高由热板202进行的晶圆W的加热效率。此外，在不从气体喷嘴205供给气体的情况下，从热板202向晶圆W的导热仅通过效率比较低的热辐射来进行。
从气体喷嘴205喷射的气体在晶圆W的第1面的附近在沿着第1面的方向上流动。因此，从气体喷嘴205供给的气体如上述那样不仅使晶圆W的加热效率提高，而且起到作为将由于附着于晶圆W的表面(上表面)的升华性物质升华而生成的升华气体从晶圆W的上方的空间逐出的吹扫气体的作用。只要不妨碍升华反应，所使用的气体是任意的。优选气体的导热系数较高。若存在促进升华性物质的升华反应的气体，则也可以使用那样的气体。
也可以从气体喷嘴205喷出预先加热后的气体。由此，能够提高加热效率。
优选在升华反应开始前开始来自气体喷嘴205的气体的喷出。利用借助气体进行的导热使晶圆W的温度上升提前，因此，能够以短时间使升华处理(干燥处理)结束。
接着，参照图9，针对为了确认来自气体喷嘴205的气体的供给的效果而进行了的试验，参照图9的图表来进行说明。图表的横轴是从将晶圆W载置于热板202上经过的时间、纵轴是晶圆W的实际温度。在从气体喷嘴205未供给气体时，以处理室201内的压力成为10Pa的方式利用真空泵208进行了处理室201内的抽真空。热板202的设定温度设为120℃。在将真空泵208的抽真空条件维持相同的状态下，以通过气体供给使处理室201内的压力上升至60Pa那样的供给流量从气体喷嘴205供给了气体。
在图9的图表中，以虚线表示不进行来自气体喷嘴205的气体供给的情况的晶圆W的温度变化，以实线表示进行了气体供给的情况的晶圆W的温度变化。进行了气体供给的情况的晶圆W的温度的上升趋势快，直至温度稳定为止的时间也变短。
根据上述的试验结果，显而易见的是：通过进行气体供给，能够以短时间使升华处理完成。出于晶圆W的加热效率提高的观点考虑，气体的供给流量越大越优选。然而，随着气体的供给流量增大，处理室201内的压力上升。对处理室201内进行抽真空是为了使升华性物质不经过液相就从固相转换成气相(也就是说，使升华)。因此，需要决定气体的供给量，以使处理室201内的压力维持得比升华性物质产生液相的压力低。也就是说，来自气体喷嘴205的气体的供给流量设为不产生使升华性物质变化至液相那样的晶圆W周围的压力上升、且使从热板202(加热部)向晶圆W的导热被促进那样的量(浓度)的气体存在于晶圆W的周围那样的流量为佳。优选的气流量根据腔室内容积等处理装置的各种参数、升华性物质的种类、升华处理温度等处理条件而不同，因此，基于上述的流量设定的想法通过试验决定为佳。
如根据上述的说明能够理解那样，在之前参照图1～图7而进行了说明的实施方式中，从气体喷射口74、96喷射的吹扫气体不仅在各晶圆W的表面(第1面)的附近形成在沿着该表面的方向上流动的气流，也在各晶圆W的背面(第2面)的附近形成在沿着该背面的方向上流动的气流。对于减压空间内的传热，热辐射是支配性的，但通过向减压空间内供给气体，该气体也作为传热介质起作用，能够使传热效率大幅度地提高。在例如图2和图3所示的实施方式中，从气体喷射口74喷射的吹扫气体也作为从加热器88向晶圆W的传热介质发挥功能。
处理对象的基板并不限于半导体晶圆，也可以是其他种类的基板、例如玻璃基板、陶瓷基板等。

Claims (20)

1.一种基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置具备：
基板保持部，其保持基板，该基板具有：第1面，其涂敷有升华性物质；以及该第1面的相反侧的第2面；
处理室，其收容由基板保持部保持着的基板；
加热部，其对所述处理室的内部进行加热，以使涂敷于所述基板的第1面的升华性物质升华；以及
气体供给部，其向所述处理室供给气体，
所述气体供给部具有喷射气体的气体喷射口，所述气体喷射口设置于比由所述基板保持部保持着的所述基板的端缘靠外侧的位置，形成在沿着由所述基板保持部保持着的所述基板的所述第1面或所述第2面的方向上流动的气体的流动。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述基板保持部构成为将多个基板沿着该基板的厚度方向隔开间隔地排列保持，所述气体供给部具有以针对各基板形成所述气体的流动的方式与各基板相对应地设置的多个气体喷射口。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
所述气体供给部的各气体喷射口与各基板相对应地以一对一的关系设置。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
在与设置有所述多个气体喷射口的一侧相反的一侧设置有1个排气口，所述处理室的内部经由所述1个排气口被抽吸。
5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
所述基板保持部构成为将所述多个基板以水平姿势沿着铅垂方向隔开间隔地保持。
6.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置设置有将所述处理室内划分成沿着所述基板的排列方向彼此隔离开的多个分区的多个分隔板，所述分隔板与由所述基板保持部保持的所述基板平行地延伸，所述基板保持部在各封闭起来的分区内各自保持一张基板。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，
所述加热部具有设置于各所述分隔板的加热器。
8.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，
所述基板保持部具有设置于各所述分隔板的基板支承构件，以便从下方支承各基板的所述第2面。
9.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，
所述基板保持部具有多组一对架状的基板支承构件的组，该一对架状的基板支承构件从所述处理室的两侧壁朝向所述处理室的中央部延伸，并支承各基板的所述第2面的周缘部。
10.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还具备对用于相对于所述处理室输入输出基板的开口进行封闭的闸阀，所述多个气体喷射口设置于所述闸阀的阀芯。
11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述基板保持部将多个基板保持成以使各基板的所述第1面朝下的方式以水平姿势沿着铅垂方向隔开间隔地排列。
12.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述气体供给部在由所述基板保持部保持着的所述基板的所述第1面的附近形成在沿着所述第1面的方向上流动的气体的流动。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中，
所述加热部具有热板，该热板与由所述基板保持部保持着的所述基板的所述第2面之间隔开间隙地配置。
14.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述气体供给部在由所述基板保持部保持着的所述基板的所述第1面的附近形成在沿着所述第1面的方向上流动的气体的流动、以及在所述第2面的附近形成在沿着所述第2面的方向上流动的气体的流动。
15.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还具备对所述气体供给部的动作进行控制的控制部，所述控制部使所述气体供给部以如下这样的流量向处理室内供给气体：不产生使涂敷于所述基板的第1面的升华性物质变化至液相的所述基板的周围的压力上升、且从所述加热部向所述基板的导热被促进那样的量的气体存在于所述基板的周围。
16.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还具备对所述气体供给部的动作进行控制的控制部，所述控制部从涂敷于由所述基板保持部保持着的基板上的升华性物质的升华被开始之前使所述气体供给部喷射所述气体。
17.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还具备对所述气体供给部的动作进行控制的控制部，所述控制部根据由于涂敷于由所述基板保持部保持着的基板上的升华性物质升华而产生的升华气体的产生量使从所述气体供给部向所述处理室内供给的气体的供给流量变化。
18.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
该基板处理装置还具备：
气体温度调整部，其对从所述气体供给部向所述处理室内供给的气体的温度进行调整；以及
控制部，其对所述气体温度调整部的动作进行控制，所述控制部利用所述气体温度调整部使随着接近升华处理的结束而从所述气体供给部向所述处理室内供给的气体的温度降低。
19.一种基板处理方法，其中，该基板处理方法包括：
将具有涂敷有升华性物质的第1面和该第1面的相反侧的第2面的基板配置于处理室内；
对所述基板进行加热，以使涂敷于所述基板的第1面的升华性物质升华；以及
从所述处理室内的设置于比所述基板的端缘靠外侧的位置的气体喷射口喷射气体而形成在沿着配置于所述处理室内的所述基板的所述第1面或所述第2面的方向上流动的气体的流动。
20.根据权利要求19所述的基板处理方法，其中，
所述基板配置于处理室内的步骤包括将多个基板以各基板的所述第1面朝下的方式以水平姿势沿着铅垂方向隔开间隔地排列。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111696888A (zh) * 2019-03-12 2020-09-22 日新离子机器株式会社 基板冷却装置和基板冷却方法
CN111834247A (zh) * 2019-04-23 2020-10-27 北京北方华创微电子装备有限公司 冷却装置和半导体处理设备
CN112424922A (zh) * 2018-07-17 2021-02-26 Asml荷兰有限公司 粒子束检查装置
CN112640057A (zh) * 2018-08-31 2021-04-09 株式会社斯库林集团 衬底处理方法及衬底处理装置
CN112956010A (zh) * 2018-11-14 2021-06-11 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板输送方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022170013A (ja) * 2021-04-28 2022-11-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4522149A (en) * 1983-11-21 1985-06-11 General Instrument Corp. Reactor and susceptor for chemical vapor deposition process
US6042652A (en) * 1999-05-01 2000-03-28 P.K. Ltd Atomic layer deposition apparatus for depositing atomic layer on multiple substrates
JP2001345279A (ja) * 2000-03-29 2001-12-14 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造方法、基板処理方法、及び半導体製造装置
US20030049372A1 (en) * 1997-08-11 2003-03-13 Cook Robert C. High rate deposition at low pressures in a small batch reactor
US20050028734A1 (en) * 2003-02-11 2005-02-10 Carpenter Craig M. Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
CN1293600C (zh) * 2000-12-29 2007-01-03 应用材料有限公司 用于均匀加热衬底的腔室
US20080237182A1 (en) * 2007-03-26 2008-10-02 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN101585665A (zh) * 2008-05-21 2009-11-25 爱斯佩克株式会社 热处理装置
CN102246290A (zh) * 2008-12-12 2011-11-16 芝浦机械电子株式会社 衬底冷却装置及衬底处理系统
CN102445076A (zh) * 2010-10-05 2012-05-09 光洋热系统株式会社 热处理装置
WO2014088026A1 (ja) * 2012-12-07 2014-06-12 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法および制御プログラム

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62149137A (ja) * 1985-09-24 1987-07-03 Tomuko:Kk 乾燥装置
US7256370B2 (en) * 2002-03-15 2007-08-14 Steed Technology, Inc. Vacuum thermal annealer
JP4329403B2 (ja) * 2003-05-19 2009-09-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5681560B2 (ja) 2011-05-17 2015-03-11 東京エレクトロン株式会社 基板乾燥方法及び基板処理装置
JP2015133444A (ja) * 2014-01-15 2015-07-23 株式会社東芝 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP6427323B2 (ja) * 2014-02-26 2018-11-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板乾燥装置および基板乾燥方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4522149A (en) * 1983-11-21 1985-06-11 General Instrument Corp. Reactor and susceptor for chemical vapor deposition process
US20030049372A1 (en) * 1997-08-11 2003-03-13 Cook Robert C. High rate deposition at low pressures in a small batch reactor
US6042652A (en) * 1999-05-01 2000-03-28 P.K. Ltd Atomic layer deposition apparatus for depositing atomic layer on multiple substrates
JP2001345279A (ja) * 2000-03-29 2001-12-14 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造方法、基板処理方法、及び半導体製造装置
CN1293600C (zh) * 2000-12-29 2007-01-03 应用材料有限公司 用于均匀加热衬底的腔室
US20050028734A1 (en) * 2003-02-11 2005-02-10 Carpenter Craig M. Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
US20080237182A1 (en) * 2007-03-26 2008-10-02 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN101585665A (zh) * 2008-05-21 2009-11-25 爱斯佩克株式会社 热处理装置
CN102246290A (zh) * 2008-12-12 2011-11-16 芝浦机械电子株式会社 衬底冷却装置及衬底处理系统
US20110290185A1 (en) * 2008-12-12 2011-12-01 Shibaura Mechatronics Corporation Substrate cooling device and substrate treatment system
CN102445076A (zh) * 2010-10-05 2012-05-09 光洋热系统株式会社 热处理装置
WO2014088026A1 (ja) * 2012-12-07 2014-06-12 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法および制御プログラム

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112424922A (zh) * 2018-07-17 2021-02-26 Asml荷兰有限公司 粒子束检查装置
US11942340B2 (en) 2018-07-17 2024-03-26 Asml Netherlands B.V. Particle beam inspection apparatus
CN112640057A (zh) * 2018-08-31 2021-04-09 株式会社斯库林集团 衬底处理方法及衬底处理装置
CN112640057B (zh) * 2018-08-31 2024-04-12 株式会社斯库林集团 衬底处理方法及衬底处理装置
CN112956010A (zh) * 2018-11-14 2021-06-11 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板输送方法
CN111696888A (zh) * 2019-03-12 2020-09-22 日新离子机器株式会社 基板冷却装置和基板冷却方法
CN111834247A (zh) * 2019-04-23 2020-10-27 北京北方华创微电子装备有限公司 冷却装置和半导体处理设备
CN111834247B (zh) * 2019-04-23 2023-09-08 北京北方华创微电子装备有限公司 冷却装置和半导体处理设备

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