KR20180059914A - 반도체 시스템의 습도 제어 - Google Patents

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브룩스 씨씨에스 게엠베하
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Abstract

반도체 기판(380)을 위한 저습도 레벨(115)의 깨끗한 환경을 형성하는 방법은, 습도 설정값(140) 주변의 사전결정된 간격내에 또는 습도 설정값(140)에서 환경(100)을 유지하기 위해 습도 센서(110)를 사용하여 환경(100) 안의 습도 레벨(115)을 측정하는 단계; 및 설정값(140) 주변의 사전결정된 간격내의 값 또는 설정값(140) 까지 습도 레벨(115)이 감소할 때까지 환경(100)에 가스(120)를 제공하는 단계를 포함한다.

Description

반도체 시스템의 습도 제어
본 발명은 낮은 습도 레벨을 갖는 환경을 형성하는 것을 포함하는, 반도체 기판에 대해 깨끗한 환경을 형성하기 위한 방법 및 시스템을 개시한다.
반도체 장치의 제조는 웨이퍼, 마스킹 판(reticle), 및 유리 기판과 같은 기판뿐만 아니라 이 기판을 저장 및 이송하는 데 사용되는 컨테이너 및 이 기판을 저장하기 위해 사용되는 스태커(stacker)의 청결이 요구된다. 미립자 및 다른 오염물질의 존재는 제조 수율에 부정적인 영향을 줄 수 있다. 반도체 기판의 운반은 카세트, 캐리어, 트레이, FOUB( Front Opening Unified Pod), FOSB(Front-Opening Shipping Box), 표준 기계적 인터페이스(Standard Mechanical Interface, SMIF), 포드(pods), 및 박스와 같은 컨테이너에서 일반적으로 수행된다. 예를 들어, FOUB는 기판을 지지하기 위한 쉘 내부에 위치하는 하나 이상의 빗 모양의 가이딩 구조를 일반적으로 포함한다. FOUB는 또한 쉘로부터 제거될 수 있고 기판 조종(handling) 로봇이 쉘로부터 기판에 접근하도록 허용하는 문을 포함한다. 반도체 기판은 일반적으로 다수의 기판을 수용하기 위한 저장 챔버를 포함하는 스토커(stocker)안에 저장된다.
반도체 기판을 저장 및 이송하는데 사용되는, FOUP와 같은, 컨테이너는 기판의 오염을 방지하고 기판에 대해 필요한 표준 청결도를 유지하지 위해 주기적으로 세정될 필요가 있다. 또한, 가스 배출(outgasing) 및 잠재적으로 기판을 오염시키는 것을 방지하기 위해 컨테이너의 내부에 퍼지(purge) 가스가 제공될 수 있다.
스토커는 베어 기판, 예를 들어 컨테이너가 없는 기판, 또는 FOUP와 같은 컨테이너에 배치된 기판을 저장하는 것과 같은, 반도체 기판을 저장하는데 사용될 수 있다. 또한 스토커 내부의 청결도를 유지하기 위해, 오염을 방지하기 위해 스토커 내에 퍼지 가스가 제공될 수 있다.
컨테이너 및 스토커의 청결도를 개선하는 것이 필요하다.
본 발명의 목적은 컨테이너 및 스토커의 청결도를 개선하여 반도체 기판에 대해 저습도 레벨의 깨끗한 환경을 형성하는 것이다.
본 발명에 따르는 반도체 기판(380)을 위한 저습도 레벨(115)의 깨끗한 환경을 형성하는 방법은,
습도 설정값(140) 주변의 사전결정된 간격내에 또는 습도 설정값(140)에서 환경을 유지하기 위해 습도 센서(110)를 사용하여 환경(100) 안의 습도 레벨(115)을 측정하는 단계; 및
설정값(140) 주변의 사전결정된 간격내의 값 또는 설정값(140)으로 습도 레벨(115)이 감소할 때까지 환경(100)에 가스(120)를 제공하는 단계를 포함하고,
제1 환경은 설정값(140) 주변의 사전결정된 간격내의 값 또는 설정값(140)으로 제1 환경안의 습도가 감소할 때까지 낮은 습도의 가스에 의해 퍼지되고,
제1 환경 안에 형성되는 제2 환경은 제2 퍼지 가스에 의해 퍼지되는 것을 구성적 특징으로 한다.
본 발명에 따르는 반도체 기판(380)을 위한 저습도 레벨(115)의 깨끗한 환경을 형성하는 시스템은,
습도 설정값(140) 주변의 사전결정된 간격내에 또는 습도 설정값(140)에서 환경을 유지하기 위해 환경(100) 안의 습도 레벨(115)을 측정하도록 구성되는 습도 센서(110); 및
설정값(140) 주변의 사전결정된 간격내의 값 또는 설정값(140)으로 습도 레벨(115)이 감소할 때까지 환경(100)에 가스(120)를 제공하도록 구성되는 메커니즘을 포함하고,
상기 시스템은 설정값(140) 주변의 사전결정된 간격내의 값 또는 설정값(140)으로 제1 환경안의 습도가 감소할 때까지 낮은 습도의 가스에 의해 퍼지하도록 구성되는 수단에 의해 컨테이너(1041) 저장용 스토커(1000) 내에 제1 환경을 형성하도록 추가로 구성되고, 제2 퍼지 가스에 의해 퍼지하도록 구성되는 수단에 의해 반도체 기판(1080) 저장용 컨테이너(1041) 내에 제2 환경을 형성하도록 구성되는 것을 구성적 특징으로 한다.
본 발명은 반도체 기판(380)을 위한 저습도 레벨(115)의 깨끗한 환경을 형성하는 방법 및 시스템을 제공할 수 있다.
도1a-1b는 일부 실시예에 따르는 습도 제어 시스템을 도시한다.
도2a-2c는 일부 실시예에 따라 습도 제어된 환경에 대한 흐름도를 도시한다.
도3a-3b는 일부 실시예에 따르는 상이한 습도 레벨을 구비한 퍼징 시스템에 대한 구조를 도시한다.
도4a-4b는 일부 실시예에 따르는 진공 오염제거 챔버에 대한 구성을 도시한다.
도5a-5b는 일부 실시예에 따르는 진공 오염제거 챔버에 대한 구성을 도시한다.
도6a-6b는 일부 실시예에 따르는 오염제거 컨테이너에 대한 흐름도를 도시한다.
도7a-7b는 일부 실시예에 따르는 컨테이너를 조절하기 위한 구조를 도시한다.
도8a-8c는 일부 실시예에 따라 컨테이너를 조절하기 위한 흐름도를 도시한다.
도9a-9b는 일부 실시예에 따라 스토커를 조절하기 위한 구조를 도시한다.
도10a-10b는 일부 실시예에 따르는 습도 제어를 구비한 스태커 구조를 도시한다.
도11a-11b는 일부 실시예에 따르는 스태커를 조절하기 위한 흐름도를 도시한다.
도12a-12c는 일부 실시예에 따르는 퍼지 가스 구조를 도시한다.
도13a-13b는 일부 실시예에 따르는 EUV 마스킹 판 캐리어 저장을 위한 구조를 도시한다.
도14a-14b는 일부 실시예에 따라는 상이한 별도의 저장 챔버를 갖는 스태커를 도시한다.
도15a-15b는 일부 실시예에 따라는 이중 컨테이너를 저장하기 위한 흐름도를 도시한다.
도16a-16c는 일부 실시예에 따르는 버퍼 저장 어셈블리를 갖는 스토커의 구조를 도시한다.
도17a-17b는 일부 실시예에 따르는 이중 컨테이너를 저장하기 위한 흐름도를 도시한다.
도18은 일부 실시예에 따르는 습도 제어부를 구비한 스토커 구조를 도시한다.
도19는 일부 실시예에 따르는 습도 제어부를 구비한 스토커 구조를 도시한다.
도20a-20b는 일부 실시예에 따르는 스토커를 조절하기 위한 흐름도를 도시한다.
도21a-21c는 일부 실시예에 따르는 퍼지 구획에 대한 구조를 도시한다.
도22는 일부 실시예에 따르는 다수의 퍼지 구획을 포함하는 저장 챔버를 도시한다.
도23a-23b는 일부 실시예에 따르는 퍼지 구획 저장소에 대한 흐름도를 도시한다.
도24a-24b는 일부 실시예에 따르는 스토커를 도시한다.
도25는 일부 실시예에 따라 마스킹 판을 저장하기 위한 흐름도를 도시한다.
본 발명은 낮은 습도 레벨을 갖는 환경을 형성하는 것을 포함하는, 반도체 기판에 대해 깨끗한 환경을 형성하기 위한 방법 및 시스템을 개시한다. 사전결정된 습도 설정 값 주위의 사전결정된 간격 내에 또는 사전결정된 습도 설정값에서 환경을 유지하도록 환경의 온도 레벨을 검출하는데 습도계 센서가 사용될 수 있다. 설정값 주변의 사전결정된 간격내의 값까지 설정값까지 온도 레벨이 감소될 때까지 가스가 환경에 제공될 수 있다.
바람직한 실시예에 따르면, 환경의 가스는 예를 들어 가스 소비를 감소시키기 위해 재순환될 수 있다.
바람직하게는, 습도 감소 어셈블리는 복귀 가스 스트림의 습도 레벨을 감소시키기 위해 재순환 가스에 결합될 수 있다.
또한, 습도 레벨이 사전결정된 임계값을 초과할 때 바람직하게는 신선한 건조 가스가 추가될 수 있다. 신선한 건조 가스는 예를 들어 환경 또는 재순환된 가스 스트림에 직접 추가될 수 있다. 사전결정된 임계값은 예를 들어 사전결정된 설정값 주변의 경계 중 하나일 수 있다.
습도 레벨은 바람직하게는 환경의 가스로부터, 또는 제공된 가스의 배출 또는 재순환된 가스 스트림의 가스로부터 측정될 수 있다.
습도 레벨은 바람직하게는 압력 감소 속도로부터 측정될 수 있는데, 예를 들어 환경 내부의 가스는 고습도 가스가 저습도 가스보다 더욱 느리게 배출될 수 있다.
일부 실시예에서, 세정된 후, 컨테이너는 오염물질 제거를 위한 챔버를 필요로 한다. 챔버는 컨테이너로부터 오염물질을 가스 배출하기 위한 진공 챔버일 수 있다. 챔버는 컨테이너로부터 오염물질을 제거하기 위한 퍼지(purge) 챔버일 수 있다. 진공 챔버에서의 가스 배출, 또는 퍼지 챔버에서의 가스의 퍼지는 습도 레벨 센서에 결합되어, 컨테이너의 습도 레벨이 설정값, 예를 들어 10% 미만 또는 5% 상대 습도 미만, 또는 5 내지 10% 습도에 도달할 때 프로세스가 중단되거나 상이한 프로세싱 모드로 지속될 수 있도록 한다. 일부 실시예에서, 컨테이너의 내부는 컨테이너의 습도 레벨이 10% 미만 또는 5% 상대 습도 미만, 또는 5 내지 10% 습도와 같은 설정값에 도달할 때까지, 건조 공기 또는 건조 질소 가스와 같은 낮은 습도의 가스에 의해 퍼징될 수 있다. 그 다음에 퍼지 가스는, 예를 들어 일정한 습도 레벨을 유지하기 위해 습도 피드백에 기반하여 첨가되는 신선한 건조 가스에 의해 재순환될 수 있다.
일부 실시예에서, 스토커는 청결도 레벨을 유지하기 위해 재순환 가스를 가질 수 있다. 스토커는 일정한 습도 레벨을 유지하기 위해 피드백 루프를 가질 수 있다. 예를 들어, 신선한 건조 가스는 스토커안의 습도가 설정 값을 초과할 때 첨가될 수 있다. 재순환 가스는 스토커의 내부 및 반도체 기판이 저장되는 저장 모듈 외부에 제공될 수 있다. 퍼지 가스는 낮은 미립자 환경을 유지하기 위해 저장 모듈에 제공될 수 있다. 저장 모듈에 대한 퍼지 가스는, 습도 피드백에 기반하여 첨가되는 신선한 건조 가스에 의해 재순환될 수 있다.
도1a-1b는 일부 실시예에 따르는 습도 제어 시스템을 도시한다. 환경(100)은 예를 들어 운반을 위해 반도체 기판을 저장하기 위한 컨테이너 내에 또는 반도체 기판 저장하거나 컨테이너를 저장하기 위한 챔버 내에 형성된다. 다른 표현을 사용하기 위해, 컨테이너뿐만 아니라 이러한 컨테이너를 유지 또는 프로세싱하기 위한 챔버가 때때로 이 명세서에서 직접적으로 환경으로 불릴 수 있다.
환경(100)은 공기 또는 질소와 같은 불활성 가스에 의해 퍼지될 수 있다. 습도 센서(110)는 배기 스트림안의 습도를 측정하기 위해. 불활성 가스의 배기 스트림(130)에 결합될 수 있다. 대안적으로, 습도 센서는 환경안의 습도를 측정기 위해 환경에 결합될 수 있다. 습도 센서는 습도계를 포함할 수 있고, 용량성 습도계, 저항성 습도계, 온습도계, 중량 습도계를 사용하여 습도를 측정할 수 있다. 습도 센서는 예를 들어 습도 레벨을 추출하기 위한 압력 감소 속도를 측정하기 위해 압력 센서를 사용하여, 간접적으로 습도를 측정할 수 있다.
일부 실시예에서, 배기 스트림(130)은 재순환될 수 있는데, 예를 들어 배기 스트림(130)으로부터의 가스 흐름이 입력 스트림(120)에 제공될 수 있다. 가스 정화장치 및 습도 감소를 포함할 수 있는 가스 조절 시스템(160)은 퍼지 가스 흐름을 조절하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 입력 가스 흐름(120)은 예를 들어 10% 미만, 5% 미만, 또는 5 내지 10% 습도 레벨을 갖는 건조 가스를 포함할 수 있다. 배기 스트림(130)은 환경(100) 안의 습도에 따라, 더 높은 습도를 가질 수 있다. 가스 조절 시스템(160)은, 예를 들어 필터에 의해 미립자를 제거하고 배기 스트림안의 건조제에 의해 습기를 제거함으로써, 배기 흐름(130)을 조절할 수 있다.
일부 실시예에서, 재순환된 루프, 예를 들어 입력 스트림(120)에 배기 스트림(130)을 결합하는 것(가스 조절 시스템(160)을 통해)은 신선한 건조 가스 입력(170)에 의해 공급될 수 있다. 신선한 건조 가스 입력(170)은 예를 들어 재순환된 가스에서의 습도 레벨이 예를 들어 습도 센서(110)에 의해 측정되는 것처럼 특정 설정값을 초과할 때 예를 들어 신선한 건조 가스를 첨가함으로써 입력 스트림(120) 안의 습도를 추가로 감소시키는데 사용될 수 있다.
예를 들어 불활성 가스(120)에 의한 환경(100)의 퍼징은 환경안의 습도를 감소시킬 수 있다. 환경안의 습도(115)는 시각 t=150에서 설정값(140)까지 감소될 수 있다. 일부 실시예에서, 퍼지 가스(120)는 습도가 습도 설정값(140)에 도달할 때 중단되거나, 다른 프로세싱 조건이 발생할 수 있다.
일부 실시예에서, 본 발명은 반도체 기판을 보유하는 컨테이너 또는 컨테이너 또는 반도체 기판을 저장하는 스토커와 같은 저장 환경안에서 청결도를 유지하기 위한 조건으로서 습도를 사용하는 것을 개시한다.
도2a-2c는 일부 실시예에 따라 습도 제어된 환경에 대한 흐름도를 도시한다. 도2a에서, 환경의 내부는 환경안의 습도가 설정값까지 감소할 때까지 처리될 수 있다. 환경은 컨테이너상의 오염물질을 제거하는 것과 같이, 컨테이너를 처리하기 위한 챔버 내에 형성되거나 제공될 수 있다. 예를 들어, 컨테이너가 챔버안에 제공될 수 있다. 컨테이너는 컨테이너의 표면에 부착되는 습기 또는 미립자, 또는 컨테이너 벽 내부에 내재된 분자와 같은 오염물질에 의해 오염될 수 있다. 컨테이너는 먼저 표면 오염물질을 제거하기 위해 세정되고, 선택적으로 건조될 수 있다. 챔버는 컨테이너로부터 오염물질을 가스 배출하거나, 컨테이너 표면상에 부착된 습기를 제거하기 위한 진공 챔버일 수 있다, 챔버 안의 진공 레벨은 습도 레벨이 10% 미만, 5% 상대 습도 미만, 또는 5 내지 10% 습도까지 감소할 때까지 처리될 수 있다. 진공 챔버는 일정 시간 동안 낮은 습도 설정값에서 유지될 수 있다.
동작(200)은 챔버 내부에 컨테이너를 제공, 특히 배치하거나 놓는다. 컨테이너는 세정되고, 선택적으로 건조되거나 부분적으로 건조될 수 있다. 컨테이너는, 컨테이너의 덮개가 열려 있거나 컨테이너의 내부를 노출할 위치에 배치되는 것과 같이, 개방 구조로 배치될 수 있다.
동작(210)은 설정값에 습도가 도달할 때까지 습기를 제거한다. 예를 들어, 챔버는 펌핑 메커니즘을 사용하여 비워질 수 있다. 펌프/퍼지 프로세스는 습기를 제거하기 위해 사용될 수 있는데, 예를 들어, 챔버는 퍼지 가스 공급 다음에 비워질 수 있다. 배출 및 퍼징 프로세스는 설정값 주변의 사전결정된 간격내의 값 또는 설정값까지 습도 레벨이 감소될 때까지 반복될 수 있다. 습도 레벨은 챔버로부터 배출된 배기 가스로부터 측정될 수 있다. 습도 레벨은 예를 들어, 챔버 내부의 가스의 펌핑 속도로부터 간접적으로 측정될 수 있다.
동작(220)은 사전결정된 일정 시간 동안 챔버안의 저습도 조건을 선택적으로 유지한다. 저습도 레벨은 컨테이너 표면의 습기와 같은 오염물질을 제거하거나 컨테이너 안의 오염물질을 가스배출(outgasing)하는 것을 도울 수 있다. 또한, 10 또는 5% 미만의 습도 레벨은 컨테이너에 대해 장기간의 청결도를 제공할 수 있다.
도2b에서, 환경의 내부는, 환경안의 습도가 설정값까지 감소할 때까지, 건조 공기 또는 건조 질소 가스와 같은 저습도 가스에 의해 퍼지될 수 있다. 환경은 반도체 기판을 보유하기 위한 컨테이너 내에 존재할 수 있다. 예를 들어, 컨테이너의 내부는 그 안에 저장된 반도체 기판을 컨테이너의 표면에 부착되어 있는 습기 또는 미립자, 또는 컨테이너 벽 내부에 내장된 분자로부터 오염시키지 않기 위해 세정될 필요가 있다. 컨테이너는 오염물질이 컨테이너 안의 기판에 도달하는 것을 방지하는 것을 돕도록 저습도 가스로 채워질 수 있다. 컨테이너 내부의 습도 레벨은 오염의 장기간 방지를 제공하기 위해 10% 또는 5% 상대 습도 미만과 같은 설정값 미만일 수 있다.
동작(240)은 컨테이너를 선택적으로 세정하고 선택적으로 건조한다. 동작(250)은 습도 레벨이 설정값에 도달할 때까지 가스 흐름에 의해 컨테이너의 내부를 퍼지한다. 컨테이너는 미리 세정 및 건조될 수 있다. 컨테이너는, 예를 들어, 퍼징 동작 바로 전에 세정되지 않은 사용중인 컨테이너일 수 있다. 습도 레벨은 컨테이너 안의 습도 레벨을 나타내는 신호로부터 측정 또는 계산될 수 있다. 예를 들어, 습도 레벨은 습도계를 사용하여, 컨테이너로부터 배출된 배기 가스로부터 측정될 수 있다. 습도 레벨은 컨테이너 안의 압력 하강 속도로부터 측정될 수 있다. 예를 들어, 퍼지 가스는 중단되고, 컨테이너 내부의 가스는 배출될 수 있는데, 이때, 압력 감소 속도가 습도 레벨의 표시를 위해 측정될 수 있다. 퍼지 가스는 다시 시작될 수 있고, 이 프로세스는 습도 레벨이 충족될 때까지 반복될 수 있다.
퍼지 가스는 신선한 건조 가스이거나, 재순환된 가스일 수 있다. 퍼지 가스가 재순환된 가스일 경우, 습도 제어, 예를 들어 습도 감소 시스템(건조 필터와 같은)은 복귀 가스가 낮은 습도를 갖게 하는데 사용될 수 있다. 또한, 낮은 습도 레벨을 유지하기 위해 신선한 건조 가스가 추가될 수 있다. 신선 가스는 예를 들어 복귀 가스안에 설치된 습도 센서로부터의 습도 피드백에 기반하여 추가될 수 있다.
도2c에서, 제1 환경의 내부는, 설정값 주변의 사전결정된 간격 내의 값 또는 설정값까지 환경 안의 습도가 감소할 때까지, 건조 공기 또는 건조 질소와 같은 낮은 습도 가스에 의해 퍼지될 수 있다. 제2 환경은 제2 환경에 대한 다른 퍼지 가스와 함께, 제1 환경안에 형성될 수 있다. 제1 환경은 컨테이너를 저장하기 위한 스토커일 수 있으며, 제2 환경은 반도체 기판을 보유하기 위한 컨테이너일 수 있다. 컨테이너 안에 저장된 반도체 기판은 컨테이너 전체에 퍼지 가스를 통해 깨끗한 환경으로 유지될 수 있고, 컨테이너는 스토커 전체에 퍼지 가스를 통해 깨끗한 환경을 유지할 수 있다. 스토커 및/또는 컨테이너 내부의 습도 레벨은, 오염의 장기간 방지를 제공하기 위해 10%, 5% 상대 습도 미만, 또는 5 내지 10%의 설정값 미만일 수 있다. 컨테이너 및/또는 스토커에 대한 퍼지 가스는 습도 피드백을 기반으로 추가된 신선한 건조 가스에 의해 재순환될 수 있다.
동작(270)은 스토커 내부의 가스를 재순환시킨다. 가스 재순환은 가스 소비를 감소시킬 수 있으며, 스토커에 대한 운전 비용을 감소시킬 수 있다. 재순환 가스는 스토커 안의 낮은 습도 환경을 유지하기 위해 건조 시스템과 같은 습기 제거 어셈블리에 적용을 받을 수 있다.
동작(280)은 스토커 안에 원하는 습도 레벨을 유지하기 위해, 예를 들어 스토커 또는 재순환 가스안에서 측정된 습도 레벨을 기반으로, 재순환 가스에 신선 가스를 추가한다.
스토커 안에 저장된 컨테이너에 퍼지 가스가 공급된다. 퍼지 가스는 원하는 청결도 레벨에서 컨테이너 안에 반도체 기판을 유지할 수 있다. 퍼지 가스는 컨테이너를 빠져나간 후 스토커 안의 재순환 가스와 합쳐질 수 있다. 퍼지 가스는 컨테이너로 돌아가기 전에, 여과된 미립자 및 여과된 습기를 재순환할 수 있고, 예를 들어 컨테이너를 빠져나오는 배기 스트림이 여과될 수 있다. 컨테이너 안의 원하는 습도 레벨을 유지하기 위해, 예를 들어 컨테이너 또는 재순환 가스 안에서 측정된 습도 레벨을 기반으로, 신선 가스가 컨테이너 전체의 재순환 가스에 추가될 수 있다.
일부 실시예에서, 본 발명은 10% 초과 또는 5% 초과와 같은 특정 설정값 보다 큰 상대 습도는 반도체 기판을 오염시킨다는 것을 확인하였다. 데이터는, 예를 들어, 퍼지 후에도 습도 레벨이 여전히 높을 경우, 가스배출은 높을 수 있으며 습도 레벨은 빠져나오는 액체로 인해 너무 높아질(overshoot) 수 있다는 것을 나타낸다. 반대로, 컨테이너가 5-10% 미만의 습도 레벨로 퍼지되는 경우, 습도 레벨은 퍼지가 중단된 후 실내 습도에 점차 도달할 것이다.
도3a-3b는 일부 실시예에 따르는 상이한 습도 레벨을 구비한 퍼징 시스템에 대한 구조를 도시한다. 반도체 기판(380)이 컨테이너(300) 안에 저장된다. 퍼지 가스(320)가 컨테이너에 공급될 수 있다. 컨테이너 안의 습도 레벨은 습도계와 같은 습도 센서(310)에 의해 측정될 수 있다. 건조 질소 또는 건조 공기와 같은 퍼지 가스(320)는 10 또는 5% 미만의 낮은 습도를 가질 수 있다. 컨테이너안의 습도 레벨(312 및 315)은 예를 들어 습기를 몰아내는 퍼지 가스로 인해 시간에 따라 점차 감소할 수 있다. 시각 t=350에서, 퍼지 가스는 중단된다.
습도 레벨(315)이 범위(360) 미만인 경우, 습도는 대기 습도(370)까지 점차 증가할 수 있다. 퍼징이 시각 t=350에서 중단된 때 습도 레벨(312)이 컨테이너에서 여전히 높은 경우, 습도 레벨은 대기 값(370)으로 돌아가기 전에 오버슈트(overshoot)할 수 있다. 오버슈트는 컨테이너 안의 잔류 습도에 의해 야기될 수 있고, 컨테이너안의 기판의 오염의 원인이 될 수 있다.
따라서, 일부 실시예에서, 본 발명은 환경안에 저장된 기판의 오염을 감소시키기 위해, 낮은 습도 환경, 예를 들어 10% 미만, 5% 습도 미만, 일부 경우 2% 또는 1% 습도 미만, 또는 5 내지 10% 습도를 형성하는 것을 개시한다.
일부 실시예에서, 본 발명은 컨테이너의 본체 또는 덮개와 같은, 컨테이너의 오염제거를 위한 오염제거 챔버를 개시한다. 예를 들어 컨테이너의 표면에 부착된 오염물질을 배출하거나 컨테이너 재료에 혼입된 오염물질을 가스배출함으로써, 진공 챔버가 오염제거를 위해 사용될 수 있다. 오염 제거는 10% 또는 5% 상대 습도 미만, 또는 5 내지 10% 습도와 같은 설정값 미만의 습도 레벨을 가질 수 있다. 오염 제거는 1분보다 길거나, 2, 5 또는 10분보다 긴 일정 시간 동안 유지되는 저습도 레벨을 가질 수 있다. 오염 제거 챔버의 저습도 레벨은, 오염제거 챔버로부터 제거된 후 장기간 청결도를 유지하는 것과 같이, 오염제거되는 물체의 청결도를 개선한다.
도4a-4b는 일부 실시예에 따르는 진공 오염제거 챔버에 대한 구성을 도시한다. 챔버(400)는 챔버 내부의 가스를 배출하기 위한 펌핑 메커니즘을 포함할 수 있다. 펌핑 메커니즘은 챔버(400)를 빠져나오는 배기 흐름(402)을 형성할 수 있다. 습도 센서(410)는 챔버안의 습도 레벨을 측정하기 위해 배기 흐름(402)에 결합될 수 있다. 대안적으로, 습도 센서(415)는 챔버안의 습도 레벨을 측정하기 위해 챔버에 결합될 수 있다.
동작시, 컨테이너 본체(480) 및 컨테이너 덮개(485)를 포함할 수 있는 컨테이너는 예를 들어 오염제거를 위한 챔버(400)안에 배치될 수 있다. 챔버(400)안의 진공 환경은 컨테이너로부터 미립자 및 가스배출 분자를 제거할 수 있다. 컨테이너는 챔버안에 배치하기 전에 세정될 수 있다. 컨테이너는 챔버안에 배치하기 전에 건조 또는 부분 건조될 수 있다. 대안적으로, 챔버는 컨테이너를 건조하는데 사용될 수 있다.
일부 실시예에서, 본 발명은 오염제거를 위한 저습도 챔버를 개시한다. 저습도는 장기간의 청결도를 보장할 수 있다. 예를 들어, 고습도 환경에서 오염제거는 컨테이너가 세정된 것으로 보일 수 있지만, 특정한 시간 후, 습기가 컨테이너로부터 방출되어, 저장된 기판상에 미립자를 형성할 수 있다. 습기는 오염제거 프로세스 도중에 컨테이너의 표면상에 흡수될 수 있다. 따라서 낮은 습도에서의 오염제거는 장기간의 청결도를 제공할 수 있으며, 예를 들어 컨테이너로부터 습기 또는 미립자가 방출되는 것을 방지할 수 있다.
일부 실시예에서, 오염제거 챔버안의 압력은, 예를 들어 대기 압력으로부터 기본 압력까지, 감소할 수 있다(430). 동일한 시간안에, 습도 레벨(450)도 감소될 수 있다. 기본 압력은 일정한 시간 동안, 예를 들어 시각 t=445까지, 10 또는 5% 상대 습도 레벨 미만, 또는 5 내지 10% 습도와 같은 설정값(440)에 습도 레벨이 도달할 때까지, 유지될 수 있다. 따라서, 습도는 오염제거 프로세스에서의 기준을 나타낼 수 있으며, 습도 조건이 충족될 때까지 오염제거가 완료되지 않는다는 것을 의미한다.
일부 실시예에서, 습도 조건은 컨테이너가 완전히 세정되었다는 것을 보장하기 위해 일정시간 동안 낮은 습도를 유지하는 것을 포함할 수 있다.
도5a-5b는 일부 실시예에 따르는 진공 오염제거 챔버에 대한 구성을 도시한다. 챔버(500)는 챔버 내부의 가스를 배출하기 위한 펌핑 메커니즘을 포함할 수 있다. 펌핑 메커니즘은 챔버(500)를 빠져나오는 배기 흐름(502)을 형성할 수 있다. 챔버(500)는 챔버에 가스 흐름을 공급하기 위한 퍼징 메커니즘을 포함할 수 있다. 퍼징 메커니즘은 챔버(500)로의 입력 흐름(504)을 형성할 수 있다. 습도 센서(510)는 챔버안의 습도 레벨을 측정하기 위해 배기 흐름(502)에 결합될 수 있다. 대안적으로, 습도 센서(515)는 챔버안의 습도 레벨을 측정하기 위해 챔버에 결합될 수 있다.
동작시, 컨테이너 본체(580) 및 컨테이너 덮개(585)를 포함할 수 있는 컨테이너는 예를 들어 오염제거를 위한 챔버(500)안에 배치될 수 있다. 챔버는 펌핑 및 퍼징의 싸이클의 적용을 받을 수 있으며, 예를 들어 챔버안의 가스를 밖으로 펌핑함으로써 챔부 내부의 압력을 감소시킨 다음, 챔버에 새로운 가스를 흘려보낸다. 퍼징은 펌핑 동작 도중에 발생할 수 있다.
챔버(500)안의 진공 환경은 컨테이너로부터 미립자 및 가스배출 분자를 제거할 수 있다. 퍼징은 예를 들어 오염물질을 밀어냄으로써 펌핑 동작을 도울 수 있다.
일부 실시예에서, 오염제거 챔버안의 압력은, 예를 들어 대기 압력으로부터 기본 압력까지, 감소할 수 있다(530). 특정 펌핑 시간 후에, 퍼지 가스가 도입되어 챔버 압력을 증가(535)시킬 수 있다. 습도 레벨(550)은 또한 감소할 수 있다. 기본 압력은 일정한 시간동안, 예를 들어 시각 t=545까지, 10 또는 5% 상대 습도 레벨 미만, 또는 5 내지 10% 습도와 같은 설정값(540)에 습도 레벨이 도달할 때까지, 유지될 수 있다.
습도 레벨은 습도계로부터 직접 측정될 수 있다. 대안적으로, 습도 레벨은 압력의 속도, 예를 들어 챔버의 펌핑의 속도로부터 계산될 수 있다. 예를 들어, 높은 펌핑 속도(562)는 중간 펌핑 속도(564) 또는 낮은 펌핑 속도(566)에 비해, 챔버 안의 낮은 습도 레벨을 나타낼 수 있다.
도6a-6b는 일부 실시예에 따르는 오염제거 컨테이너에 대한 흐름도를 도시한다. 도6a에서, 동작(600)은 컨테이너를 세정한다. 동작(610)은 챔버안에 컨테이너를 놓는다. 동작(620)은 습도가 설정값에 도달할 때까지 챔버안의 가스를 배출한다. 펌프/퍼지 동작은 챔버안의 가스를 배출하는데 사용될 수 있다. 동작(630)은 습도가 설정값에 도달할 때 가스 배출을 중단한다.
도6b에서, 동작(650)은 컨테이너를 세정한다. 동작(660)은 챔버안에 컨테이너를 놓는다. 동작(670)은 챔버안에 가스를 도입한다. 펌프/퍼지 동작은 챔버안에 가스를 공급하는데 사용될 수 있다. 동작(680)은 습도의 표시가 설정값에 도달할 때 가스 도입을 중단한다.
일부 실시예에서, 본 발명은 여기에 참고로 통합되어 있는 DMS032A(반도체 세정제 시스템 및 방법), 출원 번호 13/531,500, 제출일: 2012년 6월 23일에 관한 것이다. 본 출원의 방법 및 시스템은 DMS032A의 도21에 도시된 실시예, 도23a-23b에 도시된 실시예, 및 도25에 도시된 실시예에 적용될 수 있다.
일 실시예에서, 본 발명은 세정 후에 부품의 오염제거를 위해 오염제거 챔버를 개시한다. 오염제거는 바람직하게는 예를 들어 10-3 Torr 미만, 또는 바람직하게는 10-6Torr 미만의 높은 진공도를 갖는 진공 챔버를 이용할 수 있다. 진공 챔버는 부품의 가스배출을 가속하여, 부품 내에 갇혀있는 임의의 가스를 제거할 수 있다.
진공 챔버는 효율적인 펌핑 및 높은 펌핑 수행력을 구비한 구성을 제공하도록 디자인될 수 있다. 진공 챔버는 IR 히터 또는 챔버 벽 히터와 같은 가열 메커니즘을 추가로 포함할 수 있다. 히터는 40 내지 90℃, 및 바람직하게는 약 70℃로 가열될 수 있다. 가열 온도는 재료에 의해 결정되는데, 예를 들어, 100℃ 미만의 저온은 바람직하게는 폴리머 재료에 대한 것이고, 100℃를 초과하는 고온은 금속에 대해 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 잔류 가스 분석(RGA)과 같은 가스배출 감시 센서는 진공 챔버내의 오염물질의 방출을 측정하기 위해 제공될 수 있으며, 오염제거 프로세스를 감시하는데 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 질소 가스와 같은 불활성 순수 가스가 진공 챔버 내부에 제공되어 가스배출 오염물질에 의해 남겨진 임의의 틈을 다시 채운다. 주기적으로 압력을 가하고 진공을 만드는 것이 수행되어, 오염물질을 가스배출한 다음 불활성 가스로 다시 채운다.
일 실시예에서, 높은 진공도로 부품을 오염제거한 후, 챔버는 개방 전에 수소에 의해 가압되어, 수소 분자에 의해 부품의 표면을 효과적으로 코팅하고(및 하부표면을 채우고), 청결도를 추가로 개선하고 미립자 부착을 방지한다.
일부 실시예에서, 본 발명의 습도 제어 구성은 DMSO040의 도21에 적용될 수 있다. 진공 챔버는 챔버 내에 높은 진공도를 생성하는, 터보 펌프 또는 저온펌프(cryopump)와 같은, 진공 펌프에 연결된 진공 배관을 포함한다. 컨테이너의 부품과 챔버를 가열하기 위해 히터가 진공 챔버안에 배치된다. 가스배출 종을 감시하기 위한 RGA와 같은 센서가 포함될 수 있다. 퍼지 가스는, 예를 들어 부품을 외부로 이송하기 전에 오염물질의 역 흐름을 방지하기 위해, 진공 챔버에 불활성 대기를 제공할 수 있다.
진공 챔버는 챔버 또는 진공 배관에 결합될 수 있는, 습도계와 같은, 습도 센서를 포함할 수 있다. 습도 센서는 오염제거 프로세스에 대한 조건 또는 요구사항을 제시할 수 있으며, 예를 들어, 오염제거 프로세스는 설정값까지 습도 레벨이 떨어질 때까지 계속될 수 있다. 일부 실시예에서, 오염제거 프로세스는 습도 설정값에 도달한 후 일정 기간 동안 추가로 계속될 수 있다.
일 실시예에서, 본 발명은 조립 스테이션, 바람직하게는 제어 환경하에서 별도로 세정된 부품을 조립하기 위해 통합식 조립 스테이션을 개시한다. 높은 레벨의 청결도를 위해, 오염물질의 잠재적인 공급원을 피하는 것을 고려해야 한다. 따라서, 별도로 세정된 후, 외부 대기에 노출함으로써 내부 컨테이너의 임의의 오염을 최소화하기 위해, 부품은 세정된 환경 안에서 조립되어, 청결도 레벨을 유지한다.
일 실시예에서, 조립 스테이션은 질소에 의해 채워진다. 따라서 이송 프로세스에 대해 개방되기 전에 질소에 의해 채워져 있던 진공 오염제거 챔버로부터 이송한 후에, 질소에 의해 채워지는 조립 스테이션으로 부품이 이송된다. 조립 스테이션을 따라서 세정 후에 부품의 청결도를 보존할 수 있다.
일 실시예에서, 본 발명은 이중 컨테이너 마스킹 판 캐리어를 조립하기 위한 조립 스테이션을 개시한다. 조립 스테이션은 내부 및 외부 컨테이너 사이의 질소 퍼지에 의해 깨끗한 환경(바람직하게는 질소 환경) 안에서의 조립 프로세스를 제공할 수 있다.
일부 실시예에서, 이 습도 제어 구성은 DMS040의 도23a-23b에 적용될 수 있다. 조립될 컨테이너의 부품은 질소 순수 가스 주입구를 포함하는 조립 스테이션으로 이송된다. 하단 지지대는 질소 노즐상에 배치된다. 하단 지지대 및 상단 덮개는 하단 지지대상에 배치된다. 상단 덮개는 조립 스테이션안에 도입된다. 하단 지지대에 질소를 제공하는 질소 노즐에 의해, 상단 덮개는 하단 지지대에 조립되어, 하단 지지대 및 상단 덮개에 의해 외부 컨테이너 형태 내부의 볼륨을 효과적으로 퍼징하고 질소를 제공한다. 일부 경우, 가볍게 가압된, 질소 대기하의 조립 스테이션에 의해, 조립 스테이션은 개방된 다음, 조립된 캐리어는 외부로 이송된다.
조립 스테이션에 대한 질소 퍼지 및 하단 지지대에 대한 질소 노즐은 습도 레벨을 제어하기 위한 신선 질소의 선택적인 공급원과 함께 필터 및 습도 센서를 사용하여 재순환될 수 있다. 예를 들어, 필터는 재순환 경로안의 질소의 습기를 제거 또는 흡수하는데 사용될 수 있다. 습도 센서는, 습도 레벨이 임계값을 초과할 때 신선 질소를 추가하기 위해, 신선 질소 가스 공급원에 결합될 수 있다.
일 실시예에서, 본 발명은 물체 내부의 볼륨에 질소 퍼지를 구비한 세정기 시스템에 대한 로딩(loading) 및 언로딩 스테이션(unloading station)을 개시한다. 캐리어 내부의 물체에 대한 청결도 레벨을 유지하기 위해, 내부 볼륨은 질소와 같은 불활성 가스에 의해 일정하게 퍼지된다. 따라서 본 발명은 내부 볼륨의 일정한 퍼지를 보장하는 이송 및/또는 저장 스테이션에 대한 불활성 가스 퍼지를 개시한다. 일부 실시예에서, 이 습도 제어 구조는 DMS040의 도25에 적용될 수 있다. 이중 컨테이너 캐리어는 스테이션 안의 질소 퍼지 노즐 상에 배치된다. 이중 컨테이너 캐리어의 하단 지지대에 질소를 제공하는 질소 노즐에 의해, 외부 컨테이너 내부의 볼륨은 재생된 질소에 의해 계속 퍼지된다.
하단 지지대에 대한 질소 퍼지는 습도 레벨을 제어하기 위한 신선 질소의 선택적인 공급원과 함께, 필터 및 습도 센서를 사용하여, 재순환될 수 있다. 예를 들어, 필터는 재순환 경로안의 질소의 습기를 제거 또는 흡수하는데 사용될 수 있다. 습도 센서는, 습도 레벨이 임계값을 초과할 때 신선 질소를 추가하기 위해, 신선 질소 가스 공급원에 결합될 수 있다.
일부 실시예에서, 본 발명은 컨테이너 안의 습도 레벨이 예를 들어 10 또는 5% 상대습도와 같은 설정값 미만으로 충족될 때까지 컨테이너의 내부를 퍼징하는 것을 포함하여 컨테이너를 조절(conditioning)하기 위한 프로세스를 개시한다. 습도 조건은 컨테이너의 내부가 수용가능한 습도 레벨을 갖도록 보장하기 위해 특정한 일정 시간동안 유지될 수 있다. 컨테이너 내부의 낮은 습도 레벨은 반도체 기판을 위한 저장 환경의 청결도를 개선할 수 있으며, 컨테이너를 퍼징하기 위한 퍼지 시스템과 같은 청결 지지대로부터 컨테이너가 제거된 후 장기간의 청결 환경을 제공할 수 있다.
도7a-7b는 일부 실시예에 따르는 컨테이너를 조절하기 위한 구조를 도시한다. 컨테이너(700)는 컨테이너의 내부를 퍼징하기 위한 퍼징 메커니즘을 포함할 수 있다. 퍼징 메커니즘은 본체(780)에 결합되는 덮개(785)를 포함하는 컨테이너(700)에 제공하는 입력 흐름(702)을 포함할 수 있다. 퍼징 메커니즘은 컨테이너(700)를 빠져나오는 배기 흐름(703)을 포함할 수 있다. 습도 센서(710)는 컨테이너안의 습도 레벨을 측정하기 위해 배기 흐름(703)에 결합될 수 있다. 대안적으로, 습도 센서는 컨테이너 안의 습도 레벨을 측정하기 위해 컨테이너에 결합될 수 있다.
동작시, 그 안에 기판이 저장된 컨테이너는 건조 공기 또는 건조 질소와 같은 저습도 가스에 의해 퍼지될 수 있다. 일정한 퍼징(730)이 수행될 수 있는데, 불활성 가스의 흐름은 컨테이너의 내부에 공급될 수 있다. 대안적으로, 퍼징 흐름(732) 다음에 펌핑 주기(735)를 포함하는 펌프/퍼지 동작이 수행될 수 있다. 일정한 퍼징 또는 펌프/퍼지 동작은 시각 t 745까지, 습도 레벨이 10 미만 또는 5% 미만 상대 습도 레벨, 또는 5 내지 10% 습도에 도달할 때까지 계속될 수 있다. 따라서, 습도는 퍼징 프로세스의 기준을 나타낼 수 있는데, 습도 조건이 충족될 때까지 컨테이너의 퍼징은 완료되지 않는다는 것을 의미한다.
일부 실시예에서, 습도 조건은, 컨테이너가 전체적으로 세정되는 것을 보장하기 위해, 일정기간 동안 낮은 습도 환경을 유지하는 것을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 본 발명은 컨테이너에 대한 청결을 위지하기 위한 저습도 퍼징 프로세스를 개시한다. 낮은 습도는 저장된 기판에 대한 장기간의 청결을 보장할 수 있다. 예를 들어, 퍼징을 종료한 후, 컨테이너안의 습도 레벨이 설정값 미만인 경우, 기판은 장기간 청결한 상태를 유지할 수 있다.
도8a-8c는 일부 실시예에 따라 컨테이너를 조절하기 위한 흐름도를 도시한다. 도8a에서, 동작(800)은 습도 레벨이 설정값에 도달할 때까지 가스 흐름에 의해 컨테이너의 내부를 퍼지한다. 도8b에서, 동작(820)은 습도 레벨이 설정값에 도달할 때까지 컨테이너의 내부를 펌핑 및 퍼징하는 것을 반복한다.
도8c에서, 동작(840)은 컨테이너안에 기판을 저장한다. 동작(850)은 컨테이너의 내부 안으로 가스 흐름을 도입한다. 동작(860)은 가스 흐름의 배기 스트림안의 습도 레벨을 감시한다. 동작(870)은 습도 레벨이 설정값에 도달할 때 가스 흐름을 중단한다.
일 실시예에서, 본 발명은 여기에 참고로 통합되어 있는 DMS040(재순환 기판 컨테이너 퍼징 시스템 및 방법), 출원 번호 14/569,662, 제출일: 2014년 12월 13일에 관한 것이다. 본 출원의 방법 및 시스템은 DMS040의 실시예에 적용될 수 있다. 예를 들어, 습도 제어 구조가 도2b, 도3a-3b, 도5, 도7, 도8, 도10, 및 도12에 도시된 실시예에 적용될 수 있다.
일 실시예에서, 본 발명은 청결한 환경을 유지하기 위한 프로세스를 개시한다. 이 환경은 컨테이너 및 반도체 기판을 저장하기 위한 스토커일 수 있다. 이 프로세스는 스토커 내부에 재순환 흐름을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 재순환 흐름은 공기 또는 질소와 같은 불활성 가스를 포함할 수 있다. 재순환 흐름은 10 또는 5% 상대 습도와 같은 일정한 습도에서 유지될 수 있다. 일정한 습도는 스토커 안의 습도 레벨을 감시함으로써 유지될 수 있고, 신선 건조 가스는 습도 레벨이 습도 설정값을 초과할 때 스토커에 추가될 수 있다. 신선 건조 가스는 습도 레벨이 설정값 미만으로 돌아갈 때 중지될 수 있다. 따라서 습도는 시간 간격동안 일정할 수 있으며, 예를 들어, 시간 간격에서 평균 습도 레벨, 및 순간 습도는 설정값 주변에서 변동을 거듭할 수 있다. 또한, 재순환 흐름은 미립자 및 습기를 제거하기 위해 여과될 수 있다. 스토커의 낮은 습도 레벨은 저장된 반도체 기판에 대한 저장 환경의 청결도를 개선할 수 있다.
도9a-9b는 일부 실시예에 따라 스토커를 조절하기 위한 구조를 도시한다. 스토커(900)는 실리콘 웨이퍼 또는 마스킹 판과 같은 반도체 기판(980)을 저장하는데 사용될 수 있는 저장 챔버(940)를 포함할 수 있다. 도시된 바와 같이, 기판(980)은 저장 챔버 안에 노출된 채로(bared) 저장된다. 일부 실시예에서, 기판은 컨테이너 안에 저장되고, 컨테이너는 저장 챔버안에 저장될 수 있다.
저장 챔버 안의 청결한 환경을 유지하기 위해, 퍼지 가스(920)가 제공될 수 있다. 퍼지 가스는 예를 들어 미립자가 기판을 오염시키는 것을 방지하기 위해, 난기류 또는 죽은 공간이 전혀 없이 흐르는 층류(laminar flow)를 포함할 수 있다.
일부 실시예에서, 퍼지 가스는 예를 들어 가스의 소비를 감소시키기 위해 재순환될 수 있다, 재순환은 연속적일 수 있는데, 예를 들어, 가스는 저장 챔버상에서 연속적으로 순환된다. 재순환은 간헐적일 수 있는데, 예를 들어, 재순환된 가스는 흐름을 재개하기 전에 일정시간 동안 중지될 수 있다. 재순환된 가스의 습기를 여과하기 위한 필터(970)는 예를 들어, 재순환된 가스안의 습기를 감소시키기 위해 재순환 경로안에 제공될 수 있다. 습도계와 같은 습도 센서는 저장 챔버에(또는 재순환된 가스의 재순환 경로에) 결합될 수 있다. 가스 투입구(930)는 예를 들어 신선 건조 가스(935)를 저장 챔버에 제공하기 위해, 저장 챔버에 결합될 수 있다. 신선 건조 가스는 공기 또는 질소와 같은 불활성 가스안에 존재할 수 있다. 신선 건조 가스는 5% 습도 미만 또는 2% 습도 미만과 같은 낮은 습도를 가질 수 있다.
가스 투입구(930)는, 습도 레벨이 10% 상대 습도를 초과하거나 5% 상대 습도를 초과하는 것처럼 설정값(912)을 초과한다는 것을 센서가 표시할 때 가스 흐름(935)을 제공하기 위해 습도 센서(910)에 연결(link)될 수 있다. 일부 실시예에서, 습도 레벨이 6, 7, 8, 9 또는 10%처럼 습도의 높은 레벨을 초과할 때 가스 흐름(935)이 흐를 수 있다. 가스 흐름은, 습도 레벨이 5, 6, 7, 8 또는 9%처럼 습도의 낮을 레벨 미만으로 떨어질 때 중지될 수 있다. 예를 들어, 높은 레벨은 6% 습도일 수 있고, 낮은 레벨을 5% 습도일 수 있다. 따라서 저장 챔버안의 높은 레벨은 5 내지 6% 습도 레벨 사이에서 변동을 거듭할 수 있다.
일 실시예에서, 반도체 기판은 보호용 컨테이너안에 저장되고, 이 컨테이너는 저장 챔버안에 저장될 수 있다. 안에 저장된 보호용 컨테이너의 오염을 방지하기 위해 퍼지 가스가 저장 챔버 안에 제공될 수 있다. 안에 저장된 기판의 오염을 방지하기 위해 보호용 컨테이너 안에 다른 퍼지 가스가 제공될 수 있다. 퍼지 가스 중 하나 또는 둘 다는 재순환될 수 있다. 습도 센서는 저장 챔버 안의 또는 보호용 컨테이너 안의 습도 레벨을 조정하는데 사용될 수 있다.
도10a-10b는 일부 실시예에 따르는 습도 제어를 구비한 스태커 구조를 도시한다. 도10a에서, 스태커(1000)는 보호 컨테이너(1041)를 저장하기 위한 저장 챔버(1001)를 포함할 수 있다. 다수의 반도체 기판(1080)이 보호 컨테이너(1041) 안에 저장될 수 있다. 층류 퍼지 흐름(1020)은 보호 컨테이너(1041)에 대해 청결한 환경을 제공하기 위해 저장 챔버(1001) 안에 제공될 수 있다. 퍼지 흐름(1020)은 재순환 경로 안에 배치된 습기 필터(1070)에 의해 재순환되어, 재순환된 퍼지 흐름안의 습기 함량을 감소시킬 수 있다. 일부 실시예에서, 예를 들어 재순환 경로안의 임의의 가스 손실을 보상하기 위해, 및/또는 예를 들어 대기압력보다 높은 정압(positive pressure)을 유지하기 위해, 저장 챔버(1001) 안의 재순환 경로에 선택적인 가스 흐름(1021)이 추가될 수 있다. 저장 챔버안의 습도를 측정하기 위해 저장 챔버(1001)에 습도 센서(1010)가 결합될 수 있다. 대안적으로, 습도 센서는 재순환된 가스 안의 습도를 측정하기 위해 재순환 경로상의 임의의 위치에 결합될 수 있다. 습도 센서(1010)는 저장 챔버안의 습도 레벨을 조정하기 위해 신선 건조 가스(1030)를 제어하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 습도가 상부 레벨을 초과할 경우, 습도가 습도의 하부 레벨 미만으로 떨어질 때까지 신선 건조 가스(1030)가 시작될 수 있다.
보호 컨테이너(1041)에 대해 청결한 환경을 제공하기 위해 퍼지 가스(1040)가 사용될 수 있다. 퍼지 가스(1040)는 반도체 기판을 지나 흐르고, 그 다음에 저장 챔버안의 퍼지 흐름과 섞일 수 있다.
도10b에서, 스태커(1005)는 보호 컨테이너(1046)를 저장하기 위한 저장 챔버(1006)를 포함할 수 있다. 다수의 반도체 기판(1085)이 보호 컨테이너(1046) 안에 저장될 수 있다. 층류 퍼지 흐름(1025)은 저장 챔버(1006)안에 제공되어 보호 컨테이너(1046)에 대해 청결한 환경을 제공할 수 있다. 퍼지 흐름(1025)은 재순환 경로 안에 배치된 습기 필터(1075)에 의해 재순환되어, 재순환된 퍼지 흐름안의 습기 함량을 감소시킬 수 있다. 일부 실시예에서, 예를 들어 재순환 경로안의 임의의 가스 손실을 보상하기 위해, 및/또는 예를 들어 대기압력보다 높은 정압(positive pressure)을 유지하기 위해, 저장 챔버(1006) 안의 재순환 경로에 선택적인 가스 흐름(1026)이 추가될 수 있다. 저장 챔버안의 습도를 측정하기 위해 저장 챔버(1006)에 습도 센서(1015)가 결합될 수 있다. 대안적으로, 습도 센서는 재순환된 가스 안의 습도를 측정하기 위해 재순환 경로상의 임의의 위치에 결합될 수 있다. 습도 센서(1015)는 저장 챔버안의 습도 레벨을 조정하기 위해 신선 건조 가스(1035)를 제어하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 습도가 상부 레벨을 초과할 경우, 습도가 습도의 하부 레벨 미만으로 떨어질 때까지 신선 건조 가스(1035)가 시작될 수 있다.
보호 컨테이너(1046)에 대해 청결한 환경을 제공하기 위해 퍼지 가스(1045)가 사용될 수 있다. 퍼지 가스(1045)는 반도체 기판을 지나 흐르고, 그 다음에 재순환된 퍼지 흐름안의 습기 함량을 감소시키기 위해 재순환 경로 안에 배치된 습기 필터(1076)에 의해 보호 컨테이너로 다시 재순환할 수 있다. 재순환된 가스 안의 습도를 측정하기 위해 재순환 경로상의 위치에 습도 센서(1016)가 결합될 수 있다. 습도 센서(1016)는 보호 컨테이너안의 습도 레벨을 조정하기 위해 퍼지 가스(1045)의 흐름을 제어하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 퍼지 가스(1045)는 정상 흐름 속도를 갖는다. 습도가 상부 레벨을 초과할 경우, 퍼지 가스(1045)는 습도의 하위 레벨 미만으로 습도가 떨어질 때까지 정상 흐름 속도 위로 증가할 수 있다. 그 후에, 퍼지 가스(1045)는 정상 흐름 속도로 돌아갈 수 있다. 프로세스는 반복될 수 있으며, 보호 컨테이너 내부의 습도가 하위 및 상위 레벨 사이에 존재하도록 제어될 수 있다.
도11a-11b는 일부 실시예에 따르는 스태커를 조절하기 위한 흐름도를 도시한다. 도11a에서, 동작(1100)은 챔버안의 습도 레벨이 설정값을 초과할 때 챔버 안으로 신선 건조 가스 흐름을 도입한다.
도11b에서, 동작(1120)은 챔버안에 가공품(workpiece)을 저장한다. 동작(1130)은 선택적으로 가공품을 퍼지한다. 동작(1140)은 챔버 내부의 가스를 재순환시킨다. 동작(1150)은 챔버안의 습도 레벨을 감시한다. 동작(1160)은 습도 레벨이 설정값을 초과할 때 챔버 안으로 신선 가스 흐름을 도입한다.
일부 실시예에서, 본 발명은 여기에 참고로 통합되어 있는 DMS033A(반도체 세정제 시스템 및 방법), 출원 번호 13/537,009, 제출일: 2012년 6월 28일에 관한 것이다. 본 출원의 방법 및 시스템은 DMS033A의 도2a-2b. 도3a-3b에 도시된 실시예, 도7, 도8에 도시된 실시예, 및 도19에 도시된 실시예에 적용될 수 있다.
질소 퍼지는 습도 레벨을 제어하기 위한 신선 질소의 선택적인 공급원과 함께 필터 및 습도 센서를 사용하여 재순환될 수 있다. 예를 들어, 필터는 재순환 경로안의 질소의 습기를 제거 또는 흡수하는데 사용될 수 있다. 습도 센서는, 습도 레벨이 임계값을 초과할 때 신선 질소를 추가하기 위해, 신선 질소 가스 공급원에 결합될 수 있다.
일부 실시예에서, 본 발명은 청결한 환경을 유지하기 위한 퍼지 가스 시스템을 개시한다. 퍼지 가스 시스템은 습도 센서에 의해 제어될 수 있는데, 예를 들어 습도 레벨이 임계값을 초과할 때 신선 건조 가스를 환경에 공급한다. 퍼지 가스 시스템은 환경 내부의 가스를 재순환시키기 위한 재순환 경로를 포함할 수 있다. 재순환 경로는 예를 들어 재순환 경로안의 임의의 가스 손실을 보상하기 위해 추가 신선 건조 가스 공급을 포함할 수 있다.
도12a-12c는 일부 실시예에 따르는 퍼지 가스 구조를 도시한다. 도12a에서, 퍼지 가스 시스템(1200)은 습도 센서에 의해 제어되는 가스 공급원을 포함할 수 있다. 예를 들어, 가스 공급원은 신선 건조 가스, 예를 들어 질소 또는 공기를 공급하도록 구성될 수 있다. 가스 흐름(1240)을 켜거나 끄기 위해 밸브(1250)가 가스 흐름 경로에 결합될 수 있다. 습도 센서(1230)는 컨테이너 또는 챔버와 같은 환경(1210)에 결합될 수 있다. 밸브(1250)는 습도 센서에 의해 제어될 수 있는데, 예를 들어, 습도 센서(1230)에 의해 측정된, 환경 안의 습도가 10% 초과 또는 약 5% 상대 습도와 같은 제1 임계값 레벨을 초과할 때 밸브가 켜질 수 있다(가스(1240)가 흐를 수 있음). 밸브(1250)는 습도 센서(1230)에 의해 측정된, 환경(1210)안의 습도가 10% 미만 또는 5% 미만 상대 습도와 같은 제2 임계값 레벨 미만으로 떨어질 때 꺼질 수 있다. 10 내지 5%, 또는 6 내지 5% 상대 습도와 같은 임의의 다른 범위의 습도가 사용될 수 있다.
도12b는 재순환 가스 경로(1221)를 포함할 수 있는 퍼지 가스 시스템의 다른 구조를 나타낸다. 따라서 퍼지 가스는 필터(1271)(미립자 필터 및/또는 습기 필터와 같은)에 의해 여과되면서, 환경(1211) 안에서 재순환될 수 있다. 재순환 가스 경로는 펌프 시스템(1261)에 의해 형성될 수 있다. 습도 센서(1231)는 재순환 가스 경로에 결합될 수 있다. 밸브(1251)는 신선 건조 가스(1241)에 결합될 수 있으며, 습도 센서에 의해 제어될 수 있는데, 예를 들어, 밸브는 습도 센서(1231)에 의해 측정된, 환경(1211)안의 습도가 10% 초과 또는 약 5% 상대 습도와 같은 제1 임계값 레벨을 초과할 때 켜질 수 있다(가스(1241)가 흐를 수 있다). 밸브(1251)는 습도 센서(1231)에 의해 측정된, 환경(1211)안의 습도가 10% 미만 또는 5% 미만 상대 습도와 같은 제2 임계값 레벨 미만으로 떨어질 때 꺼질 수 있다.
도12c는 신선 건조 가스 흐름(1282)에 의한 재순환 가스 경로(1221)를 포함할 수 있는 퍼지 가스 시스템의 다른 구조를 나타낸다. 따라서 퍼지 가스는 필터(1272)(미립자 필터 및/또는 습기 필터와 같은)에 의해 여과되면서, 환경(1212) 안에서 재순환될 수 있다. 재순환 가스 경로는 펌프 시스템(1262)에 의해 형성될 수 있다. 신선 건조 가스(1282)는 예를 들어 환경(1212) 안의 가스 손실을 보상하거나 습기 증가를 감소시키기 위해 재순환 가스 경로에 추가될 수 있다.
습도 센서(1232)는 재순환 가스 경로에 결합될 수 있다. 밸브(1252)는 신선 건조 가스(1242)에 결합될 수 있으며, 습도 센서에 의해 제어될 수 있는데, 예를 들어, 밸브는 습도 센서(1232)에 의해 측정된, 환경(1212)안의 습도가 10% 초과 또는 약 5% 상대 습도와 같은 제1 임계값 레벨을 초과할 때 켜질 수 있다(가스(1242)가 흐를 수 있다). 밸브(1252)는 습도 센서(1232)에 의해 측정된, 환경(1212)안의 습도가 10% 미만 또는 5% 미만 상대 습도와 같은 제2 임계값 레벨 미만으로 떨어질 때 꺼질 수 있다.
일부 실시예에서, 본 발명은 극자외선(EXJY) 마스킹 판 캐리어와 같은 고레벨 청결 제품을 위한 프로세스 및 시스템을 개시한다. 이하의 설명은 EUV 마스킹 판 캐리어를 예로서 사용하지만, 본 발명은 낮은 미립자 오염물질 및 낮은 가스배출 부품과 같은 엄격한 청결도 요구사항을 갖는 임의의 물체에 대해 적용될 수 있다.
도13a-13b는 일부 실시예에 따르는 EUV 마스킹 판 캐리어 저장을 위한 구조를 도시한다. 도13a에서, EUV 마스킹 판(1300)은 내부 컨테이너(1301) 및 외부 컨테이너(1303) 사이의 공간(1307) 안에 질소를 갖는 이중 컨테이너 캐리어(1309) 안에 저장될 수 있다. 내부 컨테이너는 알루미늄과 같은 금속으로 만들어질 수 있고, 하부 지지대(1301B)와 일치하는 상부 덮개(1301A)를 포함할 수 있다. 외부 컨테이너는 일반적으로 낮은 가스배출 폴리머로 만들어지며, 하부 지지대(1303B)와 일치하는 상부 덮개(1303A)를 포함한다. 두 컨테이너는 조작자 또는 자동 운반 시스템에 의해 잡기 위한 핸들을 가질 수 있다. 핸들(1305)은 외부 컨테이너의 상부 덮개(1303A)에 대해 도시되어 있다. 외부 컨테이너의 지지대(1303B)는 마스킹 판 캐리어의 내부 볼륨(1307)에 질소 퍼지를 수용하기 위한 주입구(1306)를 가질 수 있다.
이중 컨테이너 EUV 마스킹 판 캐리어는 반도체 프로세싱을 위한 고레벨 청결도의 예이며, 마스킹 판은 오염을 방지하기 위해 컨테이너의 두 개 레벨안에 저장된다. 또한, 박테리아 성장을 피하기 위해, 또는 외부 컨테이너로부터 내부 컨테이너에 가스 배출 입자가 부착되는 것을 방지하기 위해, 두 레벨 사이의 볼륨은 질소로 채워지거나 질소로 퍼지될 수 있다. 내부 컨테이너 안의 볼륨은 또한 질소로 채워지거나 퍼지될 수 있다. 도시된 바와 같이, 내부 컨테이너는 질소로 채워지며, 예를 들어 내부 컨테이너의 내부의 질소 퍼지를 위한 주입구가 없다. 대안적으로, 예를 들어 외부 컨테이너에 대한 주입구(1306)와 유사한, 내부 컨테이너에 대한 주입구가 존재할 수 있다.
일부 실시예에서, 본 발명은 텅 빈 EUV 마스킹 판 캐리어 및 내부에 저장된 마스킹 판을 갖는 EUV 마스킹 판 캐리어를 저장하는 것처럼, 이중 컨테이너를 저장하기 위한 저장 시스템을 개시한다. 저장 시스템은 내부 컨테이너 및 외부 컨테이너를 별도로 저장하여 두 컨테이너 사이의 상호 오염을 피할 수 있도록 한다. 예를 들어, 외부 컨테이너는 재료의 차이로 인해, 내부 컨테이너보다 높은 가스배출 속도를 가질 수 있다. 따라서 컨테이너를 별도로 저장함으로써, 마스킹 판에 대한 원하는 레벨의 청결도가 유지될 수 있다.
저장 시스템은 오직 컨테이너 이송 레벨에서만 결합되는 두 개의 별도의 저장 챔버를 포함할 수 있다. 각각의 저장 챔버는 예를 들어 공기 또는 질소와 같은 불활성 가스에 의해 퍼지될 수 있다. 습도 센서는 일정한 범위의 습도에서 저장 챔버를 유지하기 위해 저장 챔버에 결합될 수 있다. 퍼지된 가스는, 예를 들어 저장 챔버 안의 임의의 가스 손실을 보상하거나 정압을 유지하기 위해, 선택적인 신선 가스 주입구에 의해 재순환될 수 있다. 습도 센서는 저장 챔버 또는 재순환된 루프에 결합될 수 있다. 습도 센서는 예를 들어 가스 공급원의 흐름을 제어하기 위해, 설정 값 또는 습도 범위에서 저장 챔버안의 습도 레벨을 유지하기 위해, 다른 신선 건조 가스 공급원에 결합될 수 있다.
도13b는 두 개의 별도 저장 챔버를 갖는 스태커를 나타낸다. 스태커(1380)는 외부 컨테이너 저장용 저장 챔버(1363), 내부 컨테이너 저장용 저장 챔버(1362), 및 기판 및 컨테이너 조종(handling)을 위한 부분(1370)을 포함할 수 있다. 저장 챔버는 내부 컨테이너, 또는 내부에 기판이 저장된 컨테이너를 저장하는데 사용될 수 있다. 로딩 스테이션(1377)은 수동 또는 자동으로 컨테이너를 로딩 및 언로딩하기 위해 구성된다. 이송 스테이션(1373)은 컨테이너 또는 가공품 지지대에 대해 선택적으로 포함된다. 로봇(1372)은 로딩 스테이션(1377)과 저장 챔버(1375 및 1376) 사이의 가공품 및 가공품 컨테이너를 조종(handling)할 수 있다. 컨트롤러(1371)는 스토커를 조작하기 위한 프로그램, 센서 및 명령을 보유한다.
저장 챔버는 습도 제어와 함께 퍼지될 수 있다. 예를 들어, 저장 챔버(1363)는 재순환 루프(1320)를 가질 수 있다. 신선 건조 가스 공급원(1340)은 저장 챔버 및 재순환 루프에 결합될 수 있다. 습도 센서(1330)는 재순환 루프에 결합될 수 있으며, 가스 공급원(1340)을 조정하기(regulating) 위한 밸브(1350)를 제어하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 재순환 루프에서 측정된 저장 챔버(1363) 안의 습도 레벨이 상한(higher limit)을 초과할 경우, 밸브(1350)는 저장 챔버 안으로 신선 건조 가스가 들어오게 하기 위해 열리고, 따라서 챔버 안의 습도를 감소시킨다. 습도가 예를 들어 하한(lower limit) 미만으로 감소한 후, 밸브(1350)는 닫힐 수 있다. 따라서 저장 챔버(1363) 안의 습도는 상한과 하한 사이의 범위안에 존재하도록 제어될 수 있다.
마찬가지로, 저장 챔버(1362)는 재순환 루프(1325)를 가질 수 있다. 신선 건조 가스 공급원(1345)은 저장 챔버 및 재순환 루프에 결합될 수 있다. 습도 센서(1335)는 재순환 루프에 결합될 수 있고, 가스 공급원(1345)을 조정하기 위해 밸브(1355)를 제어하는 데 사용할 수 있다. 예를 들어, 재순환 루프에서 측정된, 저장 챔버(1362) 안의 습도 레벨이 상한을 초과할 경우, 밸브(1355)는 저장 챔버 안으로 신선 건조 가스가 들어오게 하기 위해 열리고, 따라서 챔버 안의 습도를 감소시킨다. 습도가 예를 들어 하한(lower limit) 미만으로 감소한 후, 밸브(1355)는 닫힐 수 있다. 따라서 저장 챔버(1362) 안의 습도는 상한과 하한 사이의 범위안에 존재하도록 제어될 수 있다.
두 저장 챔버 사이의 청결도 레벨은 다를 수 있다. 예를 들어, 내부 컨테이너를 저장하기 위한 저장 챔버(1362)는 기판을 저장하는데 사용되기 때문에 저장 챔버(1363)보다 깨끗할 수 있다.
일부 실시예에서, 스토커는 외부 컨테이너, 내부 컨테이너, 및 기판(마스킹 판과 같은)을 저장하기 위한 3개의 별도 저장 챔버를 가질 수 있다. 대안적으로, 스토커는 외부 컨테이너와, 기판이 내부에 저장된 내부 컨테이너를 저장하기 위한 두 개의 저장 챔버를 가질 수 있다.
도14a-14b는 일부 실시예에 따라는 상이한 별도의 저장 챔버를 갖는 스태커를 도시한다. 도14a에서, 스태커(1480)는 외부 컨테이너 저장용 저장 챔버(1463), 내부 컨테이너 저장용 저장 챔버(1462), 및 기판 저장용 저장 챔버(1461), 및 기판 및 컨테이너 조종을 위한 부분(1470)을 포함할 수 있다. 로딩 스테이션(1477)은 수동 또는 자동으로 컨테이너를 로딩 및 언로딩하기 위해 구성된다. 이송 스테이션(1473)은 컨테이너 또는 가공품 지지대에 대해 선택적으로 포함된다. 로봇(1472)은 로딩 스테이션(1477)과 저장 챔버(1475 및 1476) 사이의 가공품 및 가공품 컨테이너를 조종할 수 있다. 컨트롤러(1471)는 스태커를 조작하기 위한 프로그램, 센서 및 명령을 보유한다.
저장 챔버는 습도 제어와 함께 퍼지될 수 있다. 예를 들어, 저장 챔버(1463/1462/1461)는 재순환 루프(1423/1422/1421)를 가질 수 있다. 신선 건조 가스 공급원(1443/1442/1441)은 저장 챔버 및 재순환 루프에 결합될 수 있다. 습도 센서(1433/1432/1431)는 재순환 루프에 결합될 수 있으며, 가스 공급원(1433/1432/1431)을 조정하기 위한 밸브(1453/1452/1451)를 제어하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 재순환 루프에서 측정된 저장 챔버(1463/1462/1461) 안의 습도 레벨이 상한(higher limit)을 초과할 경우, 밸브(1453/1452/1451)는 저장 챔버 안으로 신선 건조 가스가 들어오게 하기 위해 열릴 수 있고, 따라서 챔버 안의 습도를 감소시킨다. 습도가 예를 들어 하한(lower limit) 미만으로 감소한 후, 밸브(1453/1452/1451)는 닫힐 수 있다. 따라서 저장 챔버(1463/1462/1461) 안의 습도는 상한과 하한 사이의 범위안에 존재하도록 제어될 수 있다. 비록 도면이 저장 챔버에 대해 유사한 구조를 나타내고 있더라도, 예를 들어 원하는 레벨의 청결도에 따라 챔버에 대해 추가적인 특징 또는 변형이 존재할 수 있다. 예를 들어, 이 부품들은 높은 정도의 청결도를 요구하기 때문에, 내부 컨테이너 또는 기판을 수용하는 저장 챔버에 퍼지된 구획(compartment)이 추가될 수 있다. 또한, 컨테이너는 닫힌 구조로 도시되어 있지만, 열린 구조와 같은 다른 구조도 사용될 수 있으며, 예를 들어, 컨테이너의 상부 덮개 및 하단 지지대가 컨테이너의 내부 부분을 퍼징할 수 있도록 분리될 수 있다. 대안적으로, 닫힌 컨테이너는 예를 들어 컨테이너 하단 지지대안의 퍼지 기둥을 통해 내부에 공급된 퍼지 가스를 가질 수 있다.
도14b에서, 스태커(1481)는 외부 컨테이너 저장용 저장 챔버(1466), 내부 컨테이너 저장용 저장 챔버(1465), 및 기판 및 컨테이너 조종을 위한 부분(1470)을 포함할 수 있다. 저장 챔버는 내부에 기판이 저장된 내부 컨테이너를 저장하는 데 사용될 수 있다. 로딩 스테이션(1477)은 수동 또는 자동으로 컨테이너를 로딩 및 언로딩하기 위해 구성된다. 이송 스테이션(1473)은 컨테이너 또는 가공품 지지대에 대해 선택적으로 포함된다. 로봇(1472)은 로딩 스테이션(1477)과 저장 챔버(1475 및 1476) 사이의 가공품 및 가공품 컨테이너를 조종할 수 있다. 컨트롤러(1471)는 스토커를 조작하기 위한 프로그램, 센서 및 명령을 보유한다.
저장 챔버는 습도 제어와 함께 퍼지될 수 있다. 예를 들어, 저장 챔버는 재순환 루프를 가질 수 있다. 신선 건조 가스 공급원은 저장 챔버 및 재순환 루프에 결합될 수 있다. 습도 센서는 재순환 루프에 결합될 수 있으며, 가스 공급원을 조정하기 위한 밸브를 제어하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 재순환 루프에서 측정된 저장 챔버 안의 습도 레벨이 상한을 초과할 경우, 밸브는 저장 챔버 안으로 신선 건조 가스가 들어오게 하기 위해 열릴 수 있고, 따라서 챔버 안의 습도를 감소시킨다. 습도가 예를 들어 하한 미만으로 감소한 후, 밸브는 닫힐 수 있다. 따라서 저장 챔버 안의 습도는 상한과 하한 사이의 범위안에 존재하도록 제어될 수 있다. 비록 도면이 저장 챔버에 대해 유사한 구조를 나타내고 있더라도, 예를 들어 원하는 레벨의 청결도에 따라 챔버에 대해 추가적인 특징 또는 변형이 존재할 수 있다.
도15a-15b는 일부 실시예에 따라는 이중 컨테이너를 저장하기 위한 흐름도를 도시한다. 도15a에서, 동작(1500)은 이중 컨테이너를 제공하는데, 이중 컨테이너는 내부 컨테이너를 에워싸는 외부 컨테이너를 포함하며, 내부 컨테이너 및 외부 컨테이너는 상이한 재료를 포함한다. 동작(1510)은 내부 컨테이너 및 외부 컨테이너를 상이한 저장 챔버 안에 저장한다.
도15b에서, 동작(1530)은 이중 컨테이너를 제공하는데, 이중 컨테이너는 내부 컨테이너를 에워싸는 외부 컨테이너를 포함한다.동작(1540)은 내부 컨테이너 및 외부 컨테이너를 상이한 저장 챔버 안에 저장한다. 동작(1550)은 습도 레벨이 설정값에 도달할 때까지 가스 흐름으로 상이한 저장 챔버를 퍼지한다.
일부 실시예에서, 본 발명은 내부 컨테이너(내부 컨테이너 안에 기판을 저장하거나 저장하지 않은) 저장용 저장 챔버 및 외부 컨테이너 저장용 버퍼 저장 어셈블리를 갖는 스토커를 개시한다. 버퍼 저장 어셈블리는 예를 들어 폴리머 기반 외부 컨테이너 저장을 위한 일반적인 청결도를 가질 수 있다. 저장 챔버는 금속 기반 내부 컨테이너 저장을 위한 개선된 청결도를 위해 변형될 수 있다.
스토커는 본 발명의 전체에 참고로 통합되어 있는 출원 번호 13/225,547, 제출일: 2011년 9월 5일(DMS034)의 도1에 기재된 스토커와 유사할 수 있다.
일부 실시예에서, 버퍼 저장 어셈블리는 저장 챔버 및 저장 챔버와 인터페이스하는 로봇 시스템을 포함할 수 있다. 로봇 시스템은 저장 챔버 및 장비의 스테이션 사이에서 물체를 이송하기 위해, 로드 고정 스테이션(예를 들어 로딩 또는 언로딩 스테이션), 또는 임의의 중간 스테이션(이송 스테이션 또는 교환 스테이션과 같은)에 추가로 접근할 수 있다. 예를 들어, 버퍼 저장 시스템은 장비의 측면에서 및 장비의 로드 고정 스테이션 근처에서 장비에 인접하게 설치될 수 있다. 로봇 아암은, 컨테이너를 로드 고정 스테이션으로부터 저장 챔버로 가져오기 위해 들어올리기 위해, 또는 저장 챔버로부터 가져온 컨테이너를 로드 고정 스테이션에 배치하기 위해, 로드 고정 스테이션안에 도달하도록 구성될 수 있다.
도16a-16c는 일부 실시예에 따르는 버퍼 저장 어셈블리를 갖는 스토커의 구조를 도시한다. 도16a에서, 외부 컨테이너 추가 저장소(1611)는 로딩 스테이션(1613)을 갖는 내부 컨테이너 스토커(1612)에 결합된다. 용어 "로딩 스테이션"은 예를 들어, I/O 스테이션과 스토커 시스템 사이의 수송 스테이션으로서 컨테이너를 지지하는 역할을 하는, 컨테이너를 지지하기 위한 스테이션, 예를 들어, 수동 I/O 스테이션(예를 들어, 조작자에 의해 스토커(1612)로부터 컨테이너를 로딩 및 언로딩하기 위한 스테이션), 자동 I/O 스테이션(예를 들어, 자동 오버헤드 이송 시스템에 의해 스토커(1612)로부터 컨테이너를 로딩 및 언로딩하기 위한 스테이션), 또는 스토커(1612) 내의 중간 또는 인터페이스 스테이션으로서 본 발명의 문맥에서 사용된다. 예를 들어, 외부 컨테이너는 I/O 스테이션에 로드된 다음(수동 또는 자동), 중간 스테이션으로 이송될 수 있는데, 외부 컨테이너는 안에서 내부 컨테이너에 접근하도록 로봇에 대해 개방된다.
일부 실시예에서, 스토커(1612)는 실리콘웨이퍼 제조공장안의 다른 장비와 인터페이스하기 위한 수동 또는 자동 I/O 스테이션과 독립적으로 동작할 수 있는 독립 스토커이다. 스토커는 기판이 안에 저장되어 있는 내부 컨테이너를 수용한다. 외부 컨테이너 추가 저장소(1611)는 스토커의 측면에 고정되어, 스토커에 대해 외부 저장소 역할을 할 수 있다. 외부 컨테이너 추가 저장소(1611) 및 스토커(1612) 사이의 결합은 스토커(1612)의 로딩 스테이션(1613)과 외부 컨테이너 추가 저장소(1611)의 로봇 팔을 결합시키는 것을 포함하여, 예를 들어 컨테이너 추가 어셈블리(1611)의 저장 챔버안에 저장하기 위해 로딩 스테이션(1613) 안의 컨테이너를 들어올리거나, 외부 컨테이너 추가 어셈블리(1611)의 저장 챔버로부터 로딩 스테이션(1613)에 컨테이너를 배치하기 위해, 외부 컨테이너 추가 저장소(1611)가 로딩 스테이션(1613) 안의 컨테이너에 접근할 수 있다.
예시적인 프로세스 흐름에서, 컨테이너는 가공품 스태커(1612)로 보내지고 컨테이너 안의 내부 컨테이너는 스태커(1612)에서 제거되고 스태커(1612)에 저장된다. 외부 컨테이너 추가 저장소의 로봇은 그 다음에 외부 컨테이너를 들어 올려서 외부 컨테이너 추가 저장소(1611)의 외부 컨테이너 저장 챔버에 저장한다.
도16b 및 도16c는 스태커(1612)에 고정된 추가 저장소(1611)의 상면도 및 전면도를 각각 나타낸다. 스태커(1612)는 I/O 스테이션(1613)과 저장 챔버(1616) 사이에서 컨테이너를 이송하기 위해 컨테이너, 저장 챔버(1616), 및 로봇(1618)을 수용하기 위한 수동 I/O 스테이션을 포함할 수 있다. 자동 오버헤드 수송 시스템과 결합하기 위한 자동 오버헤드 I/O 스테이션(1619), 및 컨테이너에 대한 인터페이스 스테이션의 역할을 할 수 있는 중간 스테이션(1613A)과 같은, 추가 스테이션이 포함될 수 있다. 예를 들어, I/O 스테이션(1613)안의 컨테이너는 인터페이스 스테이션으로 보내질 수 있으며, 그 덮개는 개방될 수 있으며, 내부 컨테이너에는 로봇(1618)이 접근한다.
외부 스테이션 추가 저장 어셈블리(1611)는 로봇 어셈블리(1615) 및 외부 컨테이너 저장을 위한 다수의 선반(1614)을 포함할 수 있다. 로봇 어셈블리(1615)는 스태커(1612)의 선반(1614) 또는 로딩 스테이션(1613 및 1613A) 안의 외부 컨테이너에 접근하도록 구성된다. 추가 저장 어셈블리(1611)는 또한 그 동작을 제어하기 위한 컨트롤러(1617A)를 포함할 수 있다. 컨트롤러(1617A)는 스태커(1612)의 컨트롤러(1617B)와 동일한 기능을 가질 수 있다. 컨트롤러(1617A)는 정보를 얻기 위해 컨트롤러(1617B)와 통신하거나, 공장 컴퓨터와 통신할 수 있다.
저장 챔버는 텅 빈 내부 컨테이너, 또는 안에 기판을 갖는 컨테이너를 저장하는 데 사용될 수 있다. 대안적으로, 저장 챔버는 예를 들어 두 개의 별도 저장 챔버를 가짐으로써, 내부 컨테이너 및 기판을 별도로 저장하는데 사용될 수 있다.
도17a-17b는 일부 실시예에 따르는 이중 컨테이너를 저장하기 위한 흐름도를 도시한다. 도17a에서, 동작(1700)은 이중 컨테이너를 제공하는데, 이중 컨테이너는 내부 컨테이너를 둘러싸는 외부 컨테이너를 포함하고, 내부 컨테이너 및 외부 컨테이너는 상이한 재료를 포함한다. 동작(1710)은 스태커의 퍼지된 저장 챔버 안에 내부 컨테이너를 저장한다. 동작(1720)은 스태커 옆의 버퍼 저장 챔버안에 외부 컨테이너를 저장한다.
도17b에서, 동작(1740)은 이중 컨테이너를 제공하는데, 이중 컨테이너는 내부 컨테이너를 둘러싸는 외부 컨테이너를 포함한다. 동작(1750)은 스토커의 퍼지된 저장 챔버안에 내부 컨테이너를 저장하는데, 퍼지된 저장 챔버는 일정한 범위의 습도를 갖는 가스 흐름을 포함한다. 동작(1760)은 스토커 옆의 버퍼 저장 챔버안에 외부 컨테이너를 저장한다.
일부 실시예에서, 저장 챔버 안에 보호 컨테이너가 저장된 상태로, 내부 컨테이너는 보호 컨테이너안에 저장될 수 있다. 퍼지 가스는 저장 챔버 안에 제공되어 저장 챔버 안에 저장된 보호 컨테이너의 오염을 방지할 수 있다. 안에 저장된 내부 컨테이너의 오염을 방지하기 위해 보호 컨테이너 안에 다른 퍼지 가스가 제공될 수 있다. 퍼지 가스 중 하나 또는 둘 다가 재순환될 수 있다. 저장 챔버 또는 보호 컨테이너 안의 습도 레벨을 조정하기 위해 습도 센서가 사용될 수 있다.
도18은 일부 실시예에 따르는 습도 제어부를 구비한 스토커 구조를 도시한다. 스토커(1800)는 외부 컨테이너(1880)를 저장하기 위한 저장 챔버(1801)를 포함할 수 있다. 층류 퍼지 흐름(1820)이 저장 챔버(1801) 안에 제공되어 외부 컨테이너(1880)를 위한 깨끗한 환경을 제공할 수 있다. 재순환된 퍼지 흐름안의 습기 함량을 감소시키기 위해 재순환 경로안에 습기 필터(1870)가 배치된 상태로, 퍼지 흐름(1820)은 재순환될 수 있다. 일부 실시예에서, 예를 들어 재순환 경로안의 임의의 가스 손실을 보상하기 위해, 및/또는 예를 들어 대기압력보다 높은 정압(positive pressure)을 유지하기 위해, 저장 챔버(1801) 안의 재순환 경로에 선택적인 가스 흐름(1821)이 추가될 수 있다. 저장 챔버안의 습도를 측정하기 위해 저장 챔버(1801)에 습도 센서(1810)가 결합될 수 있다. 대안적으로, 습도 센서는 재순환된 가스 안의 습도를 측정하기 위해 재순환 경로상의 임의의 위치에 결합될 수 있다. 습도 센서(1810)는 저장 챔버안의 습도 레벨을 조정하기 위해 신선 건조 가스(1830)를 제어하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 습도가 상부 레벨을 초과할 경우, 습도가 습도의 하부 레벨 미만으로 떨어질 때까지 신선 건조 가스(1830)가 시작될 수 있다.
스토커(1800)는 보호 컨테이너(1846)를 저장하기 위한 저장 챔버(1806)를 추가로 포함할 수 있다. 다중 반도체 내부 컨테이너(1885)는 보호 컨테이너(1846)안에 저장될 수 있다. 내부 컨테이너는 저장 구획(1886)안에 저장될 수 있다. 층류 퍼지 흐름(1825)은 보호 컨테이너(1846)에 대해 깨끗한 환경을 제공하기 위해 저장 챔버(1806) 안에 제공될 수 있다. 재순환된 퍼지 흐름안의 습기 함량을 감소시키기 위해 재순환 경로 안에 습기 필터가 배치된 상태로, 퍼지 흐름(1825)은 재순환될 수 있다. 일부 실시예에서, 예를 들어 재순환 경로안의 임의의 가스 손실을 보상하기 위해, 및/또는 예를 들어 대기압력보다 높은 정압(positive pressure)을 유지하기 위해, 저장 챔버(1801) 안의 재순환 경로에 선택적인 가스 흐름(1826)이 추가될 수 있다. 저장 챔버안의 습도를 측정하기 위해 저장 챔버(1806)에 습도 센서(1815)가 결합될 수 있다. 대안적으로, 습도 센서는 재순환된 가스 안의 습도를 측정하기 위해 재순환 경로상의 임의의 위치에 결합될 수 있다. 습도 센서(1815)는 저장 챔버안의 습도 레벨을 조정하기 위해 신선 건조 가스(1835)를 제어하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 습도가 상부 레벨을 초과할 경우, 습도가 습도의 하부 레벨 미만으로 떨어질 때까지 신선 건조 가스(1835)가 시작될 수 있다.
퍼지 가스(1845)는 보호 컨테이너(1846)에 대해 깨끗한 환경을 제공하는데 사용될 수 있다. 퍼지 가스(1845)는 내부 컨테이너(1885)(및 구획(1886)를 통과하여 흐르고, 그 다음에 재순환된 퍼지 흐름안의 습기 함량을 감소시키기 위해 재순환 경로 안에 습기 필터(1876)가 배치된 상태로, 보호 컨테이너(1846)로 다시 재순환될 수 있다. 재순환된 가스안의 습도를 측정하기 위해 재순환 경로상의 위치에 습도 센서(1816)가 결합될 수 있다. 습도 센서(1816)는 보호 컨테이너안의 습도 레벨을 조정하기 위해 퍼지 가스의 흐름(1845)을 제어하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 퍼지 가스(1845)는 정상 흐름 속도를 갖는다. 습도가 상부 레벨을 초과할 경우, 습도가 습도의 하부 레벨 미만으로 떨어질 때까지 퍼지 가스(1845)는 정상 흐름 속도를 초과하여 증가할 수 있다. 그 후에, 퍼지 가스(1845)는 정상 흐름 속도로 돌아갈 수 있다. 이 프로세스는 반복될 수 있으며, 보호 컨테이너의 내부의 습도가 하부 및 상부 레벨 사이에 존재하도록 제어할 수 있다.
대안적으로, 퍼지 가스(1845)는 저장 챔버(1806)의 흐름(1825)과 병합될 수 있다.
도시된 바와 같이, 내부 컨테이너는 기판없이 저장된다. 일부 실시예에서, 내부 컨테이너는 안에 저장된 기판과 함께 저장된다.
도시된 바와 같이, 내부 컨테이너는 저장 구획(1886)안에 저장된다. 일부 실시예에서, 내부 컨테이너는 저장 구획 안에 배치되지 않고 노출되게 저장될 수 있다.
도19는 일부 실시예에 따르는 습도 제어부를 구비한 스토커 구조를 도시한다. 스토커(1900)는 외부 컨테이너(1980)를 저장하기 위한 저장 챔버(1901) 및 내부 컨테이너(1985)를 저장하기 위한 저장 챔버(1906)를 포함할 수 있다. 층류 퍼지 흐름(1920)이 저장 챔버(1901 및 1906) 안에 제공되어 내부 및 외부 컨테이너(1980)를 위한 깨끗한 환경을 제공할 수 있다. 재순환된 퍼지 흐름안의 습기 함량을 감소시키기 위해 재순환 경로안에 습기 필터(1970)가 배치된 상태로, 퍼지 흐름(1920)은 재순환될 수 있다. 일부 실시예에서, 예를 들어 재순환 경로안의 임의의 가스 손실을 보상하기 위해, 및/또는 예를 들어 대기압력보다 높은 정압(positive pressure)을 유지하기 위해, 저장 챔버(1901) 안의 재순환 경로에 선택적인 가스 흐름(1921)이 추가될 수 있다. 저장 챔버안의 습도를 측정하기 위해 저장 챔버(1901)에 습도 센서(1910)가 결합될 수 있다. 대안적으로, 습도 센서는 재순환된 가스 안의 습도를 측정하기 위해 재순환 경로상의 임의의 위치에 결합될 수 있다. 습도 센서(1910)는 저장 챔버안의 습도 레벨을 조정하기 위해 신선 건조 가스(1930)를 제어하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 습도가 상부 레벨을 초과할 경우, 습도가 습도의 하부 레벨 미만으로 떨어질 때까지 신선 건조 가스(1930)가 시작될 수 있다.
저장 챔버(1906)는 내부 컨테이너(기판과 함께 또는 기판 없이)를 저장하기 위한 보호 컨테이너(1946)를 포함할 수 있다. 퍼지 가스(1945)는 보호 컨테이너(1946)에 대해 깨끗한 환경을 제공하는데 사용될 수 있다. 퍼지 가스(1945)는 내부 컨테이너(1985)를 통과하여 흐르고, 그 다음에 재순환된 퍼지 흐름안의 습기 함량을 감소시키기 위해 재순환 경로 안에 습기 필터(1976)가 배치된 상태로, 보호 컨테이너(1946)로 다시 재순환될 수 있다. 재순환된 가스안의 습도를 측정하기 위해 재순환 경로상의 위치에 습도 센서(1916)가 결합될 수 있다. 습도 센서(1916)는 보호 컨테이너안의 습도 레벨을 조정하기 위해 퍼지 가스의 흐름(1945)을 제어하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 퍼지 가스(1945)는 정상 흐름 속도를 갖는다. 습도가 상부 레벨을 초과할 경우, 습도가 습도의 하부 레벨 미만으로 떨어질 때까지 퍼지 가스(1945)는 정상 흐름 속도를 초과하여 증가할 수 있다. 그 후에, 퍼지 가스(1945)는 정상 흐름 속도로 돌아갈 수 있다. 이 프로세스는 반복될 수 있으며, 보호 컨테이너의 내부의 습도가 하부 및 상부 레벨 사이에 존재하도록 제어할 수 있다.
대안적으로, 퍼지 가스(1945)는 저장 챔버(1906)의 흐름(1920)과 병합될 수 있다.
도시된 바와 같이, 내부 컨테이너는 기판과 함께 저장된다. 일부 실시예에서, 내부 컨테이너는 안에 저장된 기판없이 저장된다.
도시된 바와 같이, 내부 컨테이너는 저장 구획 안에 배치되지 않고 노출되게 저장될 수 있다. 일부 실시예에서, 내부 컨테이너는 저장 구획안에 저장될 수 있다.
도20a-20b는 일부 실시예에 따르는 스토커를 조절하기 위한 흐름도를 도시한다. 도20a에서, 동작(2000)은 이중 컨테이너를 제공하는데, 이중 컨테이너는 내부 컨테이너를 둘러싸는 외부 컨테이너를 포함하고, 내부 컨테이너 및 외부 컨테이너는 상이한 재료를 포함한다. 동작(2010)은 제1 퍼지된 구획안에 내부 컨테이너를 저장한다. 동작(2020)은 선택적인 습도 제어부를 구비한 제1 저장 챔버안의 제2 퍼지된 구획안에 제1 퍼지된 구획을 저장한다. 동작(2030)은 선택적인 습도 제어부를 구비한 제2 퍼지된 저장 챔버안에 외부 컨테이너를 저장한다.
도20b에서, 동작(2050)은 이중 컨테이너를 제공하는데, 이중 컨테이너는 내부 컨테이너를 둘러싸는 외부 컨테이너를 포함한다. 동작(2060)은 선택적인 습도 제어부를 구비한 제1 저장 챔버의 퍼지된 구획안에 내부 컨테이너를 저장한다. 동작(2070)은 선택적인 습도 제어부를 구비한 제2 퍼지된 저장 챔버안에 외부 컨테이너를 저장한다.
일부 실시예에서, 본 발명은 마스킹 판 저장을 위한 euv 내부 포드(pod)와 같은, 내부 컨테이너를 조종하기 위한 퍼지 구획을 개시한다. 퍼지 구획은 퍼지 가스를 받아들이기 위한 주입구를 포함할 수 있으며, 저장된 내부 컨테이너가 깨끗한 환경에 존재하게 할 수 있다. 또한, 퍼지 구획은 내부 컨테이너를 격리시킬 수 있으며, 따라서 예를 들어 외부 컨테이너로부터 교차 오염을 방지할 수 있다. 퍼지 구획은 내부 컨테이너, 예를 들어 euv 내부 포드를 저장할 수 있으며, 내부 컨테이너에 대한 운반 캐리어로서 사용될 수 있다. 퍼지 구획은 금속 또는 합금과 같은 낮은 가스배출 특성을 갖는 재료로 제작될 수 있다. euv 이중 컨테이너의 내부 포드는 일반적으로 금속으로 제작되기 때문에, 금속 퍼지 구획은 euv 이중 컨테이너의 폴리머 기반 외부 포드에 비해 깨끗한 환경을 제공할 수 있다.
도21a-21c는 일부 실시예에 따르는 퍼지 구획에 대한 구조를 도시한다. 도21a에서, 퍼지 구획(2100)은 텅 빈 내부 컨테이너(2110), 예를 들어 마스킹 판이 내부에 저장되어 있지 않은 euv 이중 컨테이너의 내부 포드를 수용하는데 사용될 수 있다. 퍼지 구획은 질소 또는 공기와 같은 퍼지 가스를 받아들이기 위한 주입구(2130)를 가질 수 있다. 저장을 위해, 퍼지 구획은 연속적으로 퍼지될 수 있다. 퍼지 동작은 신선 건조 가스에 의해 이뤄지거나, 재순환된 가스에 의해 이뤄질 수 있다. 재순환된 가스는 예를 들어 설정값 미만(예를 들어 10 또는 5% 미만)으로 또는 습도 범위(예를 들어 5 내지 10%)로 습도 레벨을 조정하도록 습도 피드백을 가질 수 있다. 습도 피드백은 신선 건조 가스 공급원을 제어하는 습도 센서를 포함할 수 있어서, 습도 레벨이 설정값을 초과할 때 신선 건조 가스 흐름이 공급될 수 있다.
운반을 위해, 퍼지 구획은 퍼지된 장소로부터 제거되고, 그 다음에 구획의 내부를 다시 퍼징하기 위해 퍼지된 가스를 구비한 장소와 같은 새로운 장소로 이송될 수 있다. 퍼지 구획 내부의 퍼지된 환경은 일정 시간, 예를 들어 운반 시간동안, 내부 컨테이너(2110)의 오염을 방지할 수 있다.
내부 컨테이너는 퍼지 구획안에 폐쇄 또는 개방상태로 저장될 수 있다. 저장된 폐쇄 구조에서, 내부 컨테이너의 내부도 또한 퍼지된다. 예를 들어 내부 컨테이너는 퍼지 가스를 받아들이기 위한 주입구를 가질 수 있다. 퍼지 구획의 퍼지된 환경은 대기 보다 높은 압력에 존재하여, 퍼지 가스가 예를 들어 내부 컨테이너의 주입구를 통해 내부 구획의 내부로 들어갈 수 있다. 내부 컨테이너의 주입구는 퍼지 구획의 주입구로 들어가는 퍼지된 가스의 일부분이 내부 컨테이너로 들어가도록 배치될 수 있다. 퍼지 구획은 내부 컨테이너의 주입구로 퍼지 가스의 일부분을 유도하기 위해 도관 어셈블리(2140)를 가질 수 있다.
도21b에서, 퍼지 구획(2101)은 마스킹 판(2121)이 내부에 저장된 euv 이중 컨테이너의 내부 포드와 같은 내부 컨테이너(2111)를 수용하는데 사용될 수 있다. 퍼지 구획은 질소 또는 공기와 같은 퍼지 가스를 받아들이기 위한 주입구(2131)를 가질 수 있다. 퍼지 구획(2101)에 대한 동작, 구조 및 사용법은 퍼지 구획(2100)과 유사할 수 있다.
도21c에서, 퍼지 구획(2102)은 마스킹 판(2122)이 내부에 저장된 euv 이중 컨테이너의 내부 포드와 같은 내부 컨테이너(2112)를 수용하는데 사용될 수 있다. 퍼지 구획은 외부 대기에 대해 폐쇄될 수 있으며, 예를 들어, 퍼지 구획은 퍼지 가스로 채워진 다음, 예를 들어 운반을 위해 밀폐해지(sealed off)될 수 있다.
일 실시예에서, 퍼지 구획은 euv 이중 컨테이너의 내부 포드와 같은, 저장된 물체의 내부 볼륨을 깨끗하게 유지하기 위한 퍼지 가스 시스템을 갖는 스태커의 저장 챔버안에 저장될 수 있다. 퍼지 가스 시스템은 물체의 내부로 질소를 전달하여 내부 대기를 효과적으로 교체하고, 세정도 레벨을 복원하며, 미립자 가스배출을 제거 또는 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 퍼지 구획과 이중 컨테이너 euv 마스킹 판 캐리어 사이의 볼륨은 저장하는 도중에 질소에 이해 연속적으로(또는 간헐적으로) 퍼지된다. 또한, 퍼지 구획(가스배출을 감소시키기 위해 금속으로 제작될 수 있는)과 euv 이중 컨테이너의 폴리머 기반 외부 컨테이너를 교체함으로써, 내부 컨테이너의 환견은 더욱 깨끗해질 수 있다.
일 실시예에서, 저장 챔버는 저장소를 깨끗하게 유지하고, 임의의 오염물질이 캐리어의 외부에 부착되는 것을 방지 또는 감소시키기 위해 층류에 의해 퍼지될 수 있다. 예를 들어, 여과된 후 압축된 공기와 같은, 깨끗한 가스는 교차 오염을 감소시키거나 제거하기 위해 상단 부분 또는 측면 부분으로부터 저장 챔버에 도입될 수 있다.
일 실시예에서, 퍼지 가스는 재순환되어, 외부 대기로부터의 오염 기회를 제거할 수 있다. 재순환하는 가스는 질소와 같은 불활성 가스 또는 공기와 같은 활성 가스를 포함할 수 있다. 재순환 가스는 미립자를 제거하기 위해 여과되고, 열운동(thermal motion)을 감소시키기 위해 냉각될 수 있다. 따라서 저장 챔버의 내부 대기는 외부 대기로부터 격리되어, 저장된 물체에 대해 적합한 세정도 레벨을 허용할 수 있다. 전술된 바와 같이, 습도 피드백은 저장 챔버안의 습도 레벨을 감소시키는데 사용될 수 있다.
도22는 일부 실시예에 따르는 다수의 퍼지 구획을 포함하는 저장 챔버를 도시한다. 저장 챔버는 본 발명 전체에 참고로 통합되어 있는 출원 번호 13/537,009(DMS033A)의 도7에 기재된 저장 챔버와 유사할 수 있다.
중앙 가스 배관(2274)은 퍼지 구획으로 퍼지 가스를 전달한다. 일부 실시예에서, 퍼지 가스는 능동적인 계량(metering) 또는 제어 밸브 없이 퍼지 가스를 연속적으로 전달(2273A/2273B)한다. 퍼지 가스 흐름은 가공 도중에 사전결정될 수 있고, 수동 조정을 위한 선택적인 계량 밸브를 가질 수 있으며, 모든 구획에 대해 동일하거나 상이한 구역에 대해 상이하지만, 능동 또는 피드백 제어 수단이 존재하지 않을 수도 있다. 퍼지 가스는 물체가 그 구획에 위치하는지 여부에 상관없이 고정된 양의 가스를 흘려보낼 수 있다. 다른 실시예에서, 퍼지 가스는 예를 들어 저장된 물체가 없는 구획에 대한 퍼지 가스 손실을 감소시키기 위해 능동적으로 제어될 수 있다. 전술된 바와 같이, 습도 피드백은 퍼지된 가스 경로안의 습도 레벨을 감소시키는데 사용될 수 있다.
퍼지 가스는 이중 컨테이너 마스킹 판 캐리어의 퍼지 구획(2272A) 및 내부 컨테이너(2272B) 사이의 볼륨과 같은, 저장된 물체의 내부 볼륨으로 질소와 같은 청결한 가스를 전달할 수 있다. 층류(외부 대기로부터 또는 재순환된 대기로부터의)는 상단으로부터(2271A)(또는 하단으로부터, 도시되지 않음) 모든 구획에 대해, 또는 개별 구획에 대해 측면으로부터(2271B), 저장 구획으로 전달될 수 있다.
내부 컨테이너는 퍼지 구획안에 폐쇄상태로 저장되거나 개방상태로 저장될 수 있다. 저장된 폐쇄 구조에 대해, 내부 컨테이너의 내부도 또한 퍼지될 수 있다. 예를 들어, 내부 컨테이너는 퍼지 가스를 받아들이기 위한 주입구를 가질 수 있다. 퍼지 구획의 퍼지된 환경은 대기보다 높은 압력으로 존재할 수 있으며, 따라서 퍼지 가스는 예를 들어 내부 컨테이너의 주입구를 통해 내부 구획의 내부로 들어갈 수 있다. 내부 컨테이너의 주입구는, 퍼지 구획의 주입구로 들어가는 퍼지된 가스의 일부분이 내부 컨테이너로 들어갈 수 있도록, 배치될 수 있다. 퍼지 구획은 내부 컨테이너의 주입구로 퍼지 가스의 일부분을 유도하기 위해 도관 어셈블리를 가질 수 있다.
내부 컨테이너는 기판, 예를 들어 euv 마스킹 판과 함께 또는 기판을 갖지 않고 저장될 수 있다. 내부의 마스킹 판과 함께 내부 컨테이너는 예를 들어 고진공 챔버안에서 주기적으로 오염제거될 수 있다. 오염제거 고진공 챔버는 예를 들어 청결하지 않은 환경에 내부 컨테이너 및 마스킹 판을 노출하는 것을 피하기 위해, 스토커안에 배치될 수 있다.
퍼지 구획은 내부 컨테이너 및 마스킹 판에 의해 오염제거될 수 있다. 예를 들어, 내부 컨테이너 및 마스킹 판을 구비한 퍼지 구획은 오염제거를 위한 오염제거 챔버로 이송된다. 대안적으로, 퍼지 구획이 개방되고, 내부 컨테이너 및 마스킹 판은 오염제거를 위한 오염제거 챔버로 이송된다. 오염제거 후, 내부 컨테이너 및 마스킹 판은 저장을 위한 퍼지 구획안에 다시 놓인다.
도23a-23b는 일부 실시예에 따르는 퍼지 구획 저장소에 대한 흐름도를 도시한다. 도23a에서, 동작(2300)은 퍼지된 구획안에 이중 컨테이너의 내부 컨테이너를 저장하며, 이중 컨테이너는 내부 컨테이너를 둘러싸는 외부 컨테이너를 포함하고, 내부 컨테이너 및 외부 컨테이너는 상이한 재료를 포함한다. 동작(2310)은 퍼지가스의 연결을 끊는다. 동작(2320)은 내부 컨테이너를 운반한다.
도23b에서, 동작(2340)은 구획안에 이중 컨테이너의 내부 컨테이너를 저장하며, 이중 컨테이너는 내부 컨테이너를 둘러싸는 외부 컨테이너를 포함하고, 내부 컨테이너 및 외부 컨테이너는 상이한 재료를 포함한다. 동작(2350)은 구획을 퍼지한다. 동작(2360)은 내부 컨테이너를 저장한다.
일부 실시예에서, 본 발명은 euv 마스킹 판과 같은 기판을 주기적으로 오염제거하기 위한 오염제거 챔버를 갖는 스토커를 개시한다. 내부 컨테이너는 퍼지 구획안에 저장되고 퍼지 구획은 제1 저장 챔버안에 저장된 상태로, 마스킹 판은 내부 컨테이너 안에 저장될 수 있다. 외부 컨테이너는 제2 저장 챔버안에 별도로 저장될 수 있다. 고진공 챔버와 같은 오염제거 챔버는 마스킹 판을 주기적으로 오염제거하기 위해 포함될 수 있으며, 선택적으로 내부 컨테이너를 구비하고 선택적으로 퍼지 구획을 구비한다.
도24a-24b는 일부 실시예에 따르는 스토커를 도시한다. 도23a에서, 스토커(2480)는 외부 컨테이너 저장용 저장 챔버(2463), 퍼지 구획안에 저장될 수 있는 내부 컨테이너 저장용 저장 챔버(2462), 오염제거용 고진공 챔버(2461), 및 기판 및 컨테이너 조종을 위한 부분(2470)을 포함할 수 있다. 로딩 스테이션(2477)은 컨테이너를 수동 또는 자동 로딩 및 언로딩하기 위해 구성된다. 이송 스테이션(2473)은 컨테이너 또는 가공품 지지대에 대해 선택적으로 포함된다. 로봇(2472)은 로딩 스테이션(2477)과 저장 챔버(2475 및 2476) 사이의 가공품 및 가공품 컨테이너를 조종할 수 있다. 컨트롤러(2471)는 스토커를 조작하기 위한 프로그램, 센서 및 명령을 보유한다.
저장 챔버는 습도 제어와 함께 퍼지될 수 있다. 예를 들어, 저장 챔버(2463/2462)는 재순환 루프(2423, 2422)를 가질 수 있다. 신선 건조 가스 공급원(2443/2442)은 저장 챔버 및 재순환 루프에 결합될 수 있다. 습도 센서(2433/2432)는 재순환 루프에 결합될 수 있으며, 가스 공급원(2433/2432)을 조정하기 위한 밸브(2453/2452)를 제어하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 재순환 루프에서 측정된, 저장 챔버 안의 습도 레벨이 상한을 초과할 경우, 밸브(2453/2452)는 저장 챔버 안으로 신선 건조 가스가 들어오게 하기 위해 열릴 수 있고, 따라서 챔버 안의 습도를 감소시킨다. 습도가 예를 들어 하한 미만으로 감소한 후, 밸브(2453/2452)는 닫힐 수 있다. 따라서 저장 챔버(2463/2462) 안의 습도는 상한과 하한 사이의 범위안에 존재하도록 제어될 수 있다.
외부 컨테이너(2403)는 저장 챔버(2463) 안에 저장될 수 있다. 내부 컨테이너(2402)는 마스킹 판(2401)과 함께 퍼지 구획(2407) 안에 저장될 수 있다. 내부 컨테이너 및 마스킹 판과 함께 퍼지 구획(2407)은 저장 챔버(2462) 안에 저장될 수 있다. 퍼지된 가스(2408)는 전술된 구조와 유사한 퍼지 구획(2407)의 내부로 제공될 수 있다.
오염 제거 챔버(2461)는 예를 들어 일정시간의 저장 후, 주기적으로 마스킹 판을 오염제거하는데 사용될 수 있다. 오염제거 프로세스는 내부 컨테이너 및 내부 컨테이너가 개방된 상태에서 마스킹 판을 포함할 수 있는데, 예를 들어 상단 덮개는 하단 지지대로부터 분리되어 마스킹 판을 노출시킨다. 대안적으로, 오염제거 프로세스는 내부 컨테이너 및 내부 컨테이너가 폐쇄된 상태에서 마스킹 판을 포함할 수 있는데, 예를 들어 마스킹 판은 내부 컨테이너 내부에 밀폐된다. 퍼지 가스는 오염제거를 위해 내부 컨테이너의 내부에 제공될 수 있다.
대안적으로, 오염제거 프로세스는 마스킹 판이 있거나 없는 상태로, 퍼지 구획 및 내부 컨테이너를 포함할 수 있다.
도23b에서, 스태커(2481)는 외부 컨테이너 저장용 저장 챔버(2468), 보호 구획안에 저장될 수 있는 내부 컨테이너 저장용 저장 챔버(2467), 오염 제거용 고진공 챔버(2466), 및 기판 및 컨테이너 조종을 위한 부분을 포함할 수 있다.
저장 챔버는 습도 제어에 의해 퍼지될 수 있다. 마스킹 판과 함께, 내부 컨테이너는 보호 구획안에 저장될 수 있으며, 저장 챔버(2467) 안에 저장될 수 있다. 퍼지된 가스(2409)는 전술된 구조와 유사하게 보호 구획의 내부에 제공될 수 있다.
오염제거 챔버(2461)는 주기적으로, 예를 들어 일정 시간 저장 후, 마스킹 판의 오염제거를 하는데 사용될 수 있다. 오염제거 프로세스는 내부 컨테이너 및 내부 컨테이너가 폐쇄된 상태에서 마스킹 판을 포함할 수 있는데, 예를 들어 마스킹 판은 내부 컨테이너 내부에 밀폐된다. 퍼지 가스는 오염제거를 위한 내부 컨테이너의 내부에 제공될 수 있다.
도25는 일부 실시예에 따라 마스킹 판을 저장하기 위한 흐름도를 도시한다. 동작(2500)은 퍼지된 구획안의 이중 컨테이너의 내부 컨테이너안에 기판을 저장하며, 이중 컨테이너는 내부 컨테이너를 둘러싸는 외부 컨테이너를 포함하며, 내부 컨테이너 및 외부 컨테이너는 상이한 재료를 포함한다. 동작(2510)은 주기적으로 오염제거 챔버에 기판 및 내부 컨테이너를 이송한다. 동작(2520)은 기판 및 내부 컨테이너의 오염제거를 한다. 동작(2530)은 퍼지된 구획안에 기판 및 내부 컨테이너를 돌려보낸다.
100 : 환경
110, 310, 410, 415, 510, 515, 1010, 1015, 1016, 1330, 1335, 1431, 1432, 1433, 1810, 1815: 습도 센서
120 : 입력 스트림 130 : 배기 스트림
160 : 가스 조절 시스템 300, 700 : 컨테이너
320 : 퍼지 가스
380 : 반도체 기판 400, 500 : 챔버
402, 502, 703 : 배기 흐름
480, 780 : 컨테이너 본체 485, 785 : 컨테이너 덮개
504, 702 : 입력 흐름
900, 1000, 1612, 1800, 1900, 2480 : 스토커
930 : 가스 투입구 935, 1830, 1835 : 신선 건조 가스
940, 1001, 1362, 1363, 1375, 1376, 1461, 1462, 1463, 1465, 1466, 1475, 1476, 1801 : 저장 챔버
980, 1085 : 반도체 기판
1000, 1005, 1380, 1480, 1481, 1612, 2481 : 스태커
1020, 1025, 1820 : 층류 퍼지 흐름
1041, 1046 : 보호 컨테이너 1070, 1075, 1076, 1870 : 습기 필터
1300 : EUV 마스킹 판 1301 : 내부 컨테이너
1303A : 상부 덮개
1325, 1421, 1422, 1423 : 재순환 루프
1345, 1441, 1442, 1443, 1431, 1432, 1433 : 신선 건조 가스 공급원
1393B : 하부 지지대
1305 : 핸들 1306 : 주입구
1350, 1355, 1451, 1452, 1453 :밸브
1377 : 로딩 스테이션
1472, 2472 : 로봇
1473, 2473 : 이송 스테이션
1477, 2477 : 로딩 스테이션
1611 : 외부 컨테이너 추가 저장소 1614 : 선반 1615 : 로봇 어셈블리
1613 : I/O 스테이션 1613A : 중간 스테이션
2140 : 도관 어셈블리 2272A : 퍼지 구획
2272B : 내부 컨테이너
2274 : 가스 배관

Claims (12)

  1. 습도 설정값(140) 주변의 사전결정된 간격내에 또는 습도 설정값(140)에서 환경을 유지하기 위해 습도 센서(110)를 사용하여 환경(100) 안의 습도 레벨(115)을 측정하는 단계; 및
    설정값(140) 주변의 사전결정된 간격내의 값 또는 설정값(140)으로 습도 레벨(115)이 감소할 때까지 환경(100)에 가스(120)를 제공하는 단계를 포함하고,
    제1 환경은 설정값(140) 주변의 사전결정된 간격내의 값 또는 설정값(140)으로 제1 환경안의 습도가 감소할 때까지 낮은 습도의 가스에 의해 퍼지되고,
    제1 환경 안에 형성되는 제2 환경은 제2 퍼지 가스에 의해 퍼지되는
    반도체 기판(380)을 위한 저습도 레벨(115)의 깨끗한 환경을 형성하는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    환경(100) 안의 가스(120, 130)는 재순환되는
    반도체 기판(380)을 위한 저습도 레벨(115)의 깨끗한 환경을 형성하는 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    복귀 가스 스트림(120) 안의 습도 레벨(115)은 재순환된 가스 스트림(120, 130)에 결합된 습도 감소 어셈블리(160)에 의해 감소되는
    반도체 기판(380)을 위한 저습도 레벨(115)의 깨끗한 환경을 형성하는 방법.
  4. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서,
    습도 레벨(115)이 사전결정된 임계값을 초과할 때 신선 건조 가스(170)가 추가되는
    반도체 기판(380)을 위한 저습도 레벨(115)의 깨끗한 환경을 형성하는 방법.
  5. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서,
    습도 레벨(115)은
    환경 안의 가스로부터 또는
    제공된 가스의 배기시 가스(130)로부터 또는
    압력 감소 속도로부터 측정되는
    반도체 기판(380)을 위한 저습도 레벨(115)의 깨끗한 환경을 형성하는 방법.
  6. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서,
    운반을 위해 반도체 기판(380) 저장용 컨테이너(300) 내에 환경(100)이 형성되거나
    운반을 위해 반도체 기판을 저장하거나 컨테이너(480)를 저장하기 위한 챔버(400) 내에 환경(100)이 형성되는
    반도체 기판(380)을 위한 저습도 레벨(115)의 깨끗한 환경을 형성하는 방법.
  7. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서,
    컨테이너(480)를 프로세싱하기 위해 챔버(400) 내에 환경(100)이 형성되고,
    챔버(400) 내부에 컨테이너(480)를 제공, 특히 배치하거나 놓는, 단계(200);
    표면 오염을 제거하기 위해 컨테이너(480)를 세정하는 단계(200);
    챔버(400)를 비우고 퍼지 가스를 챔버(400)에 공급함으로써 습도 레벨(115)이 설정값(140) 주변의 사전결정된 간격내의 값 또는 설정값(140)에 도달할 때까지 챔버(400)의 내부로부터 습기를 제거하는 단계(210)를 포함하는
    반도체 기판(380)을 위한 저습도 레벨(115)의 깨끗한 환경을 형성하는 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    챔버(400) 안의 저습도 조건이 사전결정된 일정 시간 동안 유지되는(220)
    반도체 기판(380)을 위한 저습도 레벨(115)의 깨끗한 환경을 형성하는 방법.
  9. 전술한 항 중 어느 한 항에 있어서,
    환경(100)은 반도체 기판(380) 저장용 컨테이너(300) 내에 형성되고,
    컨테이너를 세정 및/또는 컨테이너(300)를 건조하는 단계(240);
    습도 레벨(115)이 설정값(140) 주변의 사전결정된 간격내의 값 또는 설정값(140)에 도달할 때까지 가스 흐름에 의해 컨테이너(300)의 내부를 퍼지하는 단계를 포함하는
    반도체 기판(380)을 위한 저습도 레벨(115)의 깨끗한 환경을 형성하는 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    제1 환경은 컨테이너(1041) 저장용 스토커(1000) 내에 형성되고,
    제2 환경은 반도체 기판(1080) 저장용 컨테이너(1041) 내에 형성되는
    반도체 기판(380)을 위한 저습도 레벨(115)의 깨끗한 환경을 형성하는 방법.
  11. 반도체 기판(380)을 위한 저습도 레벨(115)의 깨끗한 환경을 형성하는 시스템으로서,
    습도 설정값(140) 주변의 사전결정된 간격내에 또는 습도 설정값(140)에서 환경을 유지하기 위해 환경(100) 안의 습도 레벨(115)을 측정하도록 구성되는 습도 센서(110); 및
    설정값(140) 주변의 사전결정된 간격내의 값 또는 설정값(140)으로 습도 레벨(115)이 감소할 때까지 환경(100)에 가스(120)를 제공하도록 구성되는 메커니즘을 포함하고,
    상기 시스템은 설정값(140) 주변의 사전결정된 간격내의 값 또는 설정값(140)으로 제1 환경안의 습도가 감소할 때까지 낮은 습도의 가스에 의해 퍼지하도록 구성되는 수단에 의해 컨테이너(1041) 저장용 스토커(1000) 내에 제1 환경을 형성하도록 추가로 구성되고, 제2 퍼지 가스에 의해 퍼지하도록 구성되는 수단에 의해 반도체 기판(1080) 저장용 컨테이너(1041) 내에 제2 환경을 형성하도록 구성되는
    반도체 기판(380)을 위한 저습도 레벨(115)의 깨끗한 환경을 형성하는 시스템.
  12. 제11항에 있어서,
    운반을 위해 반도체 기판(380) 저장용 컨테이너(300) 내에, 또는 운반을 위해 또는 컨테이너(480) 저장을 위해 반도체 기판 저장용 챔버(400) 내에, 환경을 형성하도록 구성되는
    반도체 기판(380)을 위한 저습도 레벨(115)의 깨끗한 환경을 형성하는 시스템.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200128880A (ko) * 2019-05-07 2020-11-17 주식회사 야스 공기의 공기 수분 흡착 및 순환을 위한 자동화 시스템
KR20210000526A (ko) 2019-06-25 2021-01-05 오브유니티 주식회사 배기장치 및 그 제어 방법
KR20230053081A (ko) 2021-10-14 2023-04-21 주식회사 저스템 불활성 기체의 공급장치
KR20240044625A (ko) 2022-09-29 2024-04-05 주식회사 저스템 불활성 기체의 안정화 공급장치

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10115607B2 (en) * 2016-09-16 2018-10-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for wafer outgassing control
US11056365B2 (en) * 2017-09-27 2021-07-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Fault detection method in semiconductor fabrication facility
TWI756475B (zh) * 2017-10-06 2022-03-01 日商東京威力科創股份有限公司 抑制粒子產生之方法及真空裝置
US10763134B2 (en) 2018-02-27 2020-09-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing apparatus and methods with factory interface chamber filter purge
US10962285B2 (en) 2018-07-13 2021-03-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer drying system
CN110957235B (zh) * 2018-09-26 2023-03-21 北京北方华创微电子装备有限公司 工艺气体流量补偿的装置及方法、半导体处理设备
US11373891B2 (en) 2018-10-26 2022-06-28 Applied Materials, Inc. Front-ducted equipment front end modules, side storage pods, and methods of operating the same
US11189511B2 (en) * 2018-10-26 2021-11-30 Applied Materials, Inc. Side storage pods, equipment front end modules, and methods for operating EFEMs
US11244844B2 (en) * 2018-10-26 2022-02-08 Applied Materials, Inc. High flow velocity, gas-purged, side storage pod apparatus, assemblies, and methods
US11581199B2 (en) * 2018-10-30 2023-02-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer drying system
JP7198133B2 (ja) 2019-03-22 2022-12-28 オークマ株式会社 水分侵入検知システムおよび水分侵入検知方法
CN111829572A (zh) * 2019-04-17 2020-10-27 京元电子股份有限公司 湿度计测试模块及其测试系统
KR20210014824A (ko) 2019-07-30 2021-02-10 삼성전자주식회사 마스크 저장 장치
JP7362920B2 (ja) 2019-11-08 2023-10-17 インテグリス・インコーポレーテッド 環境調整物質ホルダ
US11813649B2 (en) * 2020-05-29 2023-11-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Semiconductor arrangement and method for making
US11631604B2 (en) * 2020-07-17 2023-04-18 Nanya Technology Corporation Load port device, gas gate and gas-providing method
JPWO2022137438A1 (ko) * 2020-12-24 2022-06-30
JP7430677B2 (ja) * 2021-09-21 2024-02-13 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
TWI830502B (zh) * 2022-11-17 2024-01-21 家碩科技股份有限公司 自動量測光罩載具之流量的治具
CN116967939B (zh) * 2023-09-22 2023-12-26 大儒科技(苏州)有限公司 一种打磨抛光专用力控制系统
CN118023242A (zh) * 2024-02-06 2024-05-14 江苏芯梦半导体设备有限公司 半导体存储容器的清洁方法、清洁单元及清洁系统

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4006235B2 (ja) * 2002-02-05 2007-11-14 キヤノン株式会社 不活性ガス置換方法及び装置、レチクル保管庫、レチクル検査装置、レチクル搬送ボックス、デバイスの製造方法
JP2003318254A (ja) * 2002-04-24 2003-11-07 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp 半導体ウェーハの環境湿度管理方法およびその管理用の密閉構造体
JP4123824B2 (ja) 2002-05-23 2008-07-23 株式会社大林組 ウエハポッドの清浄化システム、ウエハポッド
KR100486690B1 (ko) * 2002-11-29 2005-05-03 삼성전자주식회사 기판 이송 모듈의 오염을 제어할 수 있는 기판 처리 장치및 방법
JP2006021913A (ja) * 2004-07-09 2006-01-26 Tohoku Univ クリーンストッカー
US8776841B2 (en) * 2006-06-19 2014-07-15 Entegris, Inc. System for purging reticle storage
FR2920046A1 (fr) * 2007-08-13 2009-02-20 Alcatel Lucent Sas Procede de post-traitement d'un support de transport pour le convoyage et le stockage atmospherique de substrats semi-conducteurs, et station de post-traitement pour la mise en oeuvre d'un tel procede
US20110114129A1 (en) * 2007-12-18 2011-05-19 Entegris, Inc. Methods and apparatuses for controlling contamination of substrates
CN103620758B (zh) * 2011-06-28 2017-02-15 动力微系统公司 半导体储料器系统和方法
JP6526660B6 (ja) * 2013-08-12 2019-06-26 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ファクトリインターフェースの環境制御を伴う基板処理のシステム、装置、及び方法
US9312152B2 (en) * 2013-12-13 2016-04-12 Brooks Automation, Inc. Recirculation substrate container purging systems and methods
JP6132036B2 (ja) 2014-02-07 2017-05-24 村田機械株式会社 パージ装置及びパージ方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200128880A (ko) * 2019-05-07 2020-11-17 주식회사 야스 공기의 공기 수분 흡착 및 순환을 위한 자동화 시스템
KR20210000526A (ko) 2019-06-25 2021-01-05 오브유니티 주식회사 배기장치 및 그 제어 방법
KR20230053081A (ko) 2021-10-14 2023-04-21 주식회사 저스템 불활성 기체의 공급장치
KR20240044625A (ko) 2022-09-29 2024-04-05 주식회사 저스템 불활성 기체의 안정화 공급장치

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