TW201637112A - 搬送室 - Google Patents

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Abstract

提供利用適當保持內部的濕度，維持化學過濾 器所致之化學成分的去除功能，可在清淨的狀態下進行被搬送物的搬送的搬送室。 使用設置於內部的搬送機器人(2)，在與處 理裝置(6)側之間用以進行作為被搬送物之晶圓(W)的收授者，具備為了使氣體循環而形成於內部的循環路徑(CL)、設置於循環路徑(CL)的途中之作為化學過濾器的化學過濾器單元(7)、檢測出內部的濕度之作為濕度檢測手段的濕度檢測器(HG2)、對內部供給氣體的氣體供給手段(NS)、對內部供給水分的水分供給手段(HS)；以依據濕度檢測手段所致之濕度檢測值，使水分供給手段(HS)動作之方式構成。

Description

搬送室
本發明係關於可在不暴露於外部空氣之清淨之狀態下進行被搬送物之搬送的搬送室者。
先前，於半導體領域中，藉由對晶圓施加各種處理工程，進行半導體裝置的製造。
在半導體裝置製造工程中，被要求無粒子、無化學成分所致之晶圓的搬送環境，使用被稱為FOUP(Front-Opening Unified Pod)之密閉式的收容容器，與在與處理裝置之間進行晶圓的收授一般稱為EFEM(Equipment Front End Module)的搬送室(參照後述專利文獻1)。在搬送室中，通常藉由在設置於上部的FFU(Fun Filter Unit)吸入無塵室內的新鮮外部氣體，使內部降流從地面排出至外部，可穩定地獲得一定的清淨氣氛。
進而，近年來，隨著半導體裝置構造的細微化，更重視被水分、氧、化學成分等影響之問題，相對於該等，提案藉由惰性氣體即N2(氮)氣體來置換搬送室內 部，於N2氣氛下進行晶圓的搬送。此時，對於為了減少N2氣體的消費量而謀求運轉成本的抑制來說，根據一邊減少新鮮的N2氣體的供給量，一邊保持內部之清淨的必要性，考量邊通過過濾器邊使N2氣體循環的方法。
進而，為了有效率地從循環之N2氣體內去除化學成分，也考量設置化學過濾器。於搬送室內，根據因有藉由處理裝置製程處理的晶圓而化學成分被帶入之狀況，使用化學過濾器，有效率地去除如此之化學成分，可保持更清淨的氣氛。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2012-49382號公報
如上所述，在搬送室內部使氣體循環時，因幾乎無法期望將從處理裝置側帶入的化學成分排出至外部，需要更有效率地進行化學過濾器所致之去除。
在此，化學過濾器係關於酸成分與鹼性成分，是伴隨利用水解反應的去除機制，故濕度降為過低的話，會難以進行酸成分及鹼性成分的去除。然而，如上所述，供給至搬送室內的N2氣體通常幾乎不含有水分，所以，有搬送室內成為低濕度狀態，無法充分地去除化學成 分的去除之虞。
本發明係以有效地解決此種課題為目的，具體來說，目的為提供利用適當保持內部的濕度，維持化學過濾器所致之化學成分的去除功能，可在清淨的狀態下進行被搬送物的搬送的搬送室。
本發明為了達成相關目的，採用以下的手段。
亦即，本發明的搬送室，係使用設置於內部的搬送機器人，在與處理裝置側之間用以進行被搬送物的收授的搬送室，其特徵為：具備：循環路徑，係為了使氣體循環而形成於內部；化學過濾器，係設置於該循環路徑的途中；濕度檢測手段，係檢測出內部的濕度；氣體供給手段，係對內部供給氣體；及水分供給手段，係對內部供給水分；以依據前述濕度檢測手段所致之濕度檢測值，使前述水分供給手段動作之方式構成。
在此，前述的氣體係指水的氣體亦即水蒸氣以外者。
如上所述地構成時，利用依據濕度檢測手段所致之濕度檢測值來使水分供給手段動作，而可適當保持內部的濕度，故可使化學過濾器適切地進行水解反應，去除化學成分，將內部保持為清淨的狀態。因此，可在維持清淨之狀態下搬送被搬送物。
進而，對於為了可對搬送室內穩定供給水分來說，前述水分供給手段，係以於自前述氣體供給手段之氣體供給線的途中使前述氣體包含水分之方式構成為佳。
對於為了可藉由水分供給手段簡單地進行濕度的控制來說，將前述水分供給手段，藉由連接於水分供給源的流量控制部、將從該流量控制部供給的水，噴霧至前述氣體內的噴霧器、使被噴霧至氣體內的水汽化的汽化器所構成為佳。
對於為了抑制汽化之水分在配管內結露，多餘的水分侵入至搬送室內之狀況來說，於前述水分供給手段所致之水分的供給靠下游側的氣體供給線中，設置有對配管進行保溫的保溫手段為佳。
依據以上所說明之本發明，可提供利用適當保持內部的濕度，維持化學過濾器所致之化學成分的去除功能，可在清淨的狀態下進行被搬送物的搬送的搬送室。
1‧‧‧搬送室
2‧‧‧搬送機器人
5‧‧‧控制手段
6‧‧‧處理裝置
7‧‧‧化學過濾器單元(化學過濾器)
96‧‧‧噴霧器
97‧‧‧汽化器
99‧‧‧LFC(流量控制部)
CL‧‧‧循環路徑
GE‧‧‧氣體排出線
GS‧‧‧氣體供給線
HS‧‧‧水分供給手段
HG1,HG2‧‧‧濕度檢測器(濕度檢測手段)
HI‧‧‧保溫手段
NS‧‧‧氣體供給手段
W‧‧‧晶圓(被搬送物)
[圖1]模式揭示關於本發明的實施形態之搬送室與處理裝置的關係的俯視圖。
[圖2]模式揭示同搬送室的立體圖。
[圖3]圖1的A-A位置之同搬送室的剖面圖。
[圖4]圖3的B-B位置之同搬送室的剖面圖。
[圖5]模式揭示用以控制同搬送室之內部氣氛的構造的區塊圖。
以下，參照圖面來說明本發明的實施形態。
圖1模式揭示關於本發明的實施形態之搬送室1，與連接於其之處理裝置6的關係的俯視圖。如該圖所示，搬送室1係構成為一般稱為EFEM的模組機器。具體來說，該搬送室1係由在所定收授位置之間進行被搬送物即晶圓W之搬送的搬送機器人2、以包圍該搬送機器人2之方式設置的箱型的框體3、連接於框體3之前面側的壁(前面壁31)外側的複數(圖中為3個)裝載埠4~4所構成。
在此，於本發明中從框體3觀看，將連接裝載埠4~4之側的朝向界定為前方，將與前面壁31對向之背面壁32側的朝向界定為後方，進而，將正交於前後方向及垂直方向的方向界定為側方。亦即，3個裝載埠4~4並排且配置於側方。
又，搬送室1係如圖1所示，鄰接於背面壁32的外側，構成處理裝置6之一部分的加載互鎖真空室(Load lock chamber)61可以連接，利用開放設置在搬送室1與加載互鎖真空室61之間的門蓋1a，可成為連通搬送室1內與加載互鎖真空室61之狀態。作為處理裝置6可 使用各式各樣者，一般來說，作為與加載互鎖真空室61鄰接而設置中繼室62，進而與中繼室62鄰接，設置有對晶圓W進行處理之複數(在圖中為3個)處理單元63~63的構造。在中繼室62，與加載互鎖真空室61及處理單元63~63之間，分別設置有門蓋62a、63a~63a，利用開放該等可使個別之間連通，使用設置於中繼室62內的搬送機器人64，可在加載互鎖真空室61及處理單元63~63之間移動晶圓W。
圖2係從裝載埠4側觀看搬送室1的立體圖，圖3係揭示圖1的A-A位置之搬送室1的剖面者。
如圖2、3所示，構成搬送室1的框體3係由本體箱3A、化學過濾器箱3B、控制箱3C所構成，然後，本體箱3A係與內部的搬送機器人2(參照圖1)與設置於前面壁31的裝載埠4~4一起構成搬送室本體1A。又，本體箱3A、化學過濾器箱3B、控制箱3C可相互分離。
框體3的前面壁31、後面壁32、左側面壁33、右側面壁34係分別藉由本體箱3A、化學過濾器箱3B、控制箱3C的前面壁31A、31B、31C、後面壁32A、32B、32C、左側面壁33A、33B、33C、右側面壁34A、34B、34C所構成。然後，框體3的上面壁35係藉由控制箱3C的上面壁35C所構成，框體3的底面壁36係藉由本體箱3A的底面壁36A所構成。又，在化學過濾器箱3B的底面壁36B抵接於本體箱3A的上面壁35A，控制箱 3C的底面壁36C抵接於化學過濾器箱3B的上面壁35B之狀態下相互固定。
於設置於本體箱3A之前面壁31A的開口31a，連接裝載埠4，設置於背面壁32A之矩形狀的開口32a(參照圖1)係藉由一般稱為閘閥的門蓋1a閉止。進而，利用於本體箱3A的上面壁35A，設置有兩個開口35A1、35A2，於對應該等的位置，也於化學過濾器箱3B的底面壁36B，設置開口36B1、36B2，本體箱3A內的空間S1，與化學過濾器箱3B內的空間S2連通，形成1個大略密閉空間CS。
設置於本體箱3A內之空間S1的搬送機器人2係具有具備載置並搬送晶圓W之擷取器的機械臂部2a與具有從下方支持該機械臂部2a，用以使機械臂部2a動作的驅動機構及升降機構的基座部2b所構成，基座部2b係透過支持部21及導引軌道22被支持於本體箱3A的前面壁31A。然後，搬送機器人2係可沿著延伸於本體箱3A內之寬度方向的導引軌道22移動，藉由後述之控制手段5控制搬送機器人2的動作，可進行被載置於各裝載埠4~4的FOUP41所收容之晶圓W往加載互鎖真空室61的搬送，及將各處理單元63~63之處理後的晶圓W再次搬送至FOUP41內。
於化學過濾器箱3B內，設置有作為一般稱為化學過濾器的化學過濾器單元7。化學過濾器單元7係由用以去除通過其的氣體所包含之化學成分中有機物成分的 有機物去除過濾器71、用以去除酸成分的酸去除過濾器72、用以去除鹼成分的鹼去除過濾器73所構成，各過濾器71~73可分別獨立交換。
於控制箱3C的內部，設置有用以進行搬送室本體1A整體的控制的控制單元即控制手段5。控制手段5係藉由具備CPU、記憶體及介面的通常得微處理器等所構成者，於記憶體預先儲存處理所需的程式，CPU係依序取出並執行必要的程式，與周邊硬體資源協力動作而實現所期望的功能者。控制手段5係如後述般，進行本體箱3A內的搬送機器人2及裝載埠4的動作、各門蓋1a、4a的開閉、及對本體箱3A及化學過濾器箱3B內之氣體的供給等的控制。
本體箱3A內的空間S1係如圖3所示，藉由從底面壁36A延伸到上面壁35A為止的內部壁37A，區隔搬送機器人2動作之空間即搬送空間S11，與氣體回歸空間S12。然後，於內部壁37A的下部，設置有開口37A1，透過該開口37A1，搬送空間S11與氣體回歸空間S12在下側連通。進而，與開口37A1連續，於氣體回歸空間S12的下部設置有風扇77，利用驅動該風扇77，將搬送空間S11內的氣體擷取至氣體回歸空間S12，可在氣體回歸空間S12內作出朝上的氣流。
在此，圖4係圖3的B-B位置之剖面圖。由此圖可知，於氣體回歸空間S12的中央部，形成有包圍與加載互鎖真空室61(參照圖1)之間的門蓋1a的壁部38A， 於門蓋1a周圍的空間與搬送空間S11(參照圖3)連續。因此，氣體回歸空間S12係以從下方迴避門蓋1a之方式分成兩段，在上方再次合流之方式構成。
回到圖3，搬送空間S11及氣體回歸空間S12係透過上述之上面壁35A的開口35A1、35A2，分別與化學過濾器箱3B內的空間S2連通。因此，搬送空間S11與氣體回歸空間S12係於上側中也透過化學過濾器箱3B內的空間S2連通。
於搬送空間S11的上部，具體來說，比上面壁35A稍微往下方離開的位置，設置有FFU76，將從化學過濾器箱3B內的空間S2擷取的氣體，藉由FFU76送出至下方，在搬送空間S11內可形成降流。進而，於FFU76，組入有HEPA(High Efficiency Particulate Air)過濾器，或ULPA(Ultra Low Penetration Air)過濾器等的高性能過濾器，可進行通過之氣體的內部所包含之微小的粒子的捕捉。
另一方面，於化學過濾器箱3B，在上述之底面壁36B的開口36B1與化學過濾器單元7之間設置有吐出用風扇75，於開口36B2的上方設置有吸引用風扇76。開口36B2及與其連續之開口35A2係具有作為使氣體朝向化學過濾器單元7流入的氣體流入口的功能，透過該等開口36B2、35A2，吸引用風扇76係使氣體從氣體回歸空間S12流入至化學過濾器箱3B內。然後，開口36B1及與其連續的開口35A1係具有作為使氣體從化學過濾器單 元7吐出的氣體吐出口的功能，吐出用風扇75可將通過化學過濾器單元7的氣體，透過該等開口35B1、35A1，送至搬送空間S11。所以，藉由兩個風扇75、76，補償化學過濾器單元7所致之壓力損分的分量，可作出氣體的流向。
如上所述，在本體箱3A及化學過濾器箱3B內形成的大略密閉空間CS中，構成內部氣氛的氣體沿著如下之循環路徑CL循環。亦即，循環路徑CL係以從設置於搬送空間S11的上部之FFU76朝向下方前進，然後，通過設置於內部壁37A的下部之開口37A1及風扇77，往上方前進於氣體回歸空間S12，通過開口35A2、36B2後透過吸引用風扇74進入化學過濾器箱3B內的空間S2，通過化學過濾器單元7，並通過吐出用風扇75及開口36B1、35A1，回到搬送空間S11之方式形成。所以，化學過濾器單元7可設置於循環路徑CL的途中。
如此，因為對形成循環路徑CL的大略密閉空間CS，供給N2氣體來進行清洗，於化學過濾器箱3B的後面壁32B，設置有氣體供給口91，於本體箱3A的後面壁32A設置有氣體排出口92。
於該等氣體供給口91及氣體排出口92，如圖5所示，分別連接有氣體供給線GS、氣體排出線GE。
氣體供給線GS係具備以於從N2氣體供給源導引的配管，依序設置調節器93、閥94、MFC(氣體流量控制器)95、閥94所構成的氣體供給手段NS。
然後，於氣體排出線GE，於連接於氣體排出口92A的配管，依序設置流量調整閥98、閥94，並於其前端連接氣體的排出目標。
因此，利用藉由該等一邊從氣體排出口92進行排出，一邊從氣體供給口91供給N2氣體，可排除大略密閉空間CS內的空氣，而充滿N2氣體。
然後，在N2氣體的濃度提升為一定以上時，一邊減少來自氣體供給口91的N2氣體的供給量，一邊使來自氣體排出口92A的排出量僅剩微量，將內部保持為正壓。在此狀態下，利用使內部的氣體遵從循環路徑CL循環，藉由FFU76及化學過濾器單元7來去除氣體所包含的粒子及化學成分，可將內部保持為清淨的狀態。又，N2氣體是幾乎不包含水分的乾燥氣體，故也可減少內部的水分，防止晶圓W表面的腐蝕。
然而，如上所述，因為持續供給內部之氣氛的置換所用的N2氣體，會有內部的水分變成過少，化學過濾器單元7所致之化學成分的去除性能降低之狀況。
如圖3所示，對於構成化學過濾器單元7的有機物去除過濾器71、酸去除過濾器72、鹼去除過濾器73中，有機物去除過濾器71係藉由吸附來去除有機物成分，相對於此，酸去除過濾器72及鹼去除過濾器73係藉由水解反應來去除酸成分及鹼性成分。所以，對於為了酸成分及鹼性成分的去除來說，需要一定以上的水分，氣體中的濕度變過低的話，去除性能會明顯降低。
因此，在本實施形態中，為了將內部的濕度保持為一定，以可使從氣體供給手段NS供給之N2氣體包含水分之方式具備後述的水分供給手段HS。
水分供給手段HS係由連接於水供給源之配管的閥94、作為流量控制部的LFC(液體流量控制器)99、閥94、一般稱為噴射的噴霧器96、汽化器97、及使汽化器97所包含的加熱器97a動作的加熱器控制器97b所構成。
具體來說，於連接於水供給源的配管，依序連接閥94、LFC99、閥94，進而，連接於設置於氣體供給線GS的途中的噴霧器96。因此，可利用藉由LFC99調整水的流量，來決定水分量，藉由噴霧器96，使水成為微小的霧狀，包含於N2氣體。然後，於噴霧器96的下游側，設置有由形成為線圈狀的配管，與用以加熱該配管的加熱器97a所構成的汽化器97。加熱器97a可利用藉由加熱器控制器97b來供給電力，對流通於配管的氣體進行加熱，使包含於內部的水粒子汽化。進而，於從噴霧器96，透過汽化器97到氣體供給口91為止之構成氣體供給線GS的配管，設置有由配管保溫材與保溫用加熱器所成的保溫手段HI，使一旦汽化的水分結露，成為水滴而流入至化學過濾器箱3B內的狀況不會發生。
又，前述的氣體供給手段NS與水分供給手段HS係構成協力動作，用以對大略密閉空間CS內供給包含水分的N2氣體的氣體‧水分供給手段NHS。
為了進行如此之氣體‧水分供給手段NHS的控制，於本體箱3A內之空間S1與化學過濾器箱3B內之空間S2，分別設置有作為檢測出濕度之濕度檢測手段的濕度檢測器HG1、HG2。然後，進而設置有作為檢測本體箱3A內之空間S1與外部的壓力差之壓力檢測手段的壓力檢測器PG。
然後，以來自該等的檢測值為基準，進行氣體供給手段NS的控制，故上述之控制手段5具備以下所述構成。
控制手段5係具備氣體(N2)流量決定部51、水(H2O)流量決定部52、加熱器動作指令部53、壓力取得部54、濕度取得部55、記憶部56。
於記憶部56，記憶有預先訂定之所定值即壓力目標值及濕度目標值。壓力取得部54係取得來自壓力檢測器PG的輸出，可作為壓力檢測值而輸出。濕度取得部55係取得來自濕度檢測器HG1、HG2的輸出，可作為濕度檢測值而分別輸出。
氣體流量決定部51係以以藉由壓力取得部54所得之壓力檢測值為基準，決定從氣體供給線GS供給之N2氣體的流量，並將對應的氣體流量指令值輸出至MFC95之方式構成。更具體來說，以壓力檢測值在以壓力目標值為中心的所定範圍內時，則將氣體流量指令值維持本來狀態，壓力檢測值比前述所定範圍還小時，則增加N2氣體的供給量，壓力檢測值比前述所定範圍還大時， 則以減少N2氣體的供給量之方式使氣體流量指令值變化。
水流量決定部52係以以透過濕度取得部55所得之濕度檢測器HG2所致之濕度檢測值為基準，決定從水供給手段HS供給之水的流量，並將對應的水流量指令值輸出至LFC99之方式構成。更具體來說，以濕度檢測值在以濕度目標值為中心的所定範圍內時，則將水流量指令值維持本來狀態，濕度檢測值比前述所定範圍還小時，則增加水的供給量，濕度檢測值比前述所定範圍還大時，則以減少水的供給量之方式使水流量指令值變化。再者，在濕度檢測值比濕度目標值還大時，即使將水的供給量設為0，僅供給N2氣體亦可。關於如此之濕度的控制，利用PID控制，也抑制過衝(overshoot)及振動(hunting)為佳。再者，進行前述控制時，濕度檢測器HG1所致之濕度檢測值係用於監視用，但是，也可將濕度檢測器HG2所致之濕度檢測值設為監視用，濕度檢測器HG1所致之濕度檢測值使用於控制用。
加熱器動作指令部53係以為了對應藉由水流量決定部52所決定之水流量指令值來使加熱器97a動作，對加熱器控制器97b賦予命令之方式構成。
如上所述，藉由構成搬送室1，可如下所述進行動作。
首先，在開始搬送室1的動作時，如圖5所示，於內部的大略密閉空間CS，一邊從氣體供給口91透 過氣體供給線GS供給N2氣體，一邊從氣體排氣口92透過氣體排出線GE排除空氣，進行N2氣體所致之清洗。此時，根據從壓力檢測器PG取得之輸出，壓力取得部54取得壓力檢測值，以該壓力檢測值為基準，氣體流量決定部51決定氣體流量指令值，輸出至MFC95。然後，利用MFC95配合氣體流量指令值，調整氣體流量，變更供給至大略密閉空間CS之N2氣體的流量。如此一來，將大略密閉空間CS的內部保持為壓力比外部還高的正壓，可防止來自外部之粒子的侵入。
進而，藉由控制手段5，利用進行FFU76及風扇74、75、77的動作，可沿著循環路徑CL在內部使氣體循環，藉由化學過濾器單元7及FFU76，可去除包含於氣體中的粒子及化學成分，成為清淨之狀態。
然後，進而，構成控制手段5的濕度取得部55根據從濕度檢測器HG2所得之輸出，取得濕度檢測值，以該濕度檢測值為基準，水流量決定部52決定水流量指令值，輸出至LFC99。利用LFC99配合水流量指令值，調整水流量，調整供給至大略密閉空間CS之N2氣體所包含的水分量。又，水分係藉由噴霧器96作為微小粒子而賦予之後，使用下游側的汽化器97而被汽化之狀態下，被賦予至化學過濾器箱3B內。如此一來，在大略密閉空間CS中，可保持不損及化學過濾器單元7所致之水解反應程度的微濕度，有效地去除化學成分，並且也可防止過度的濕度所致之晶圓W的腐蝕。
如上所述，藉由內部的氣氛變成清淨，可一邊保持大略密閉空間CS內的正壓，一邊轉移至減少N2氣體之供給量的通常狀態，削減N2氣體的消費量。然後，利用藉由控制手段5使搬送機器人2、及圖1所示之裝載埠4~4及各門蓋1a、4a~4a動作，可一邊保持清淨之狀態，一邊進行被搬送物即晶圓W的搬送。
進而，即使在進行通常運轉之間，也繼續進行依據前述之濕度檢測器HG2所致之濕度檢測值的濕度控制，可維持化學過濾器單元7所致之去除性能，即使在從處理裝置6側化學成分與晶圓W一起流入之狀況中，也可適切去除化學成分，將內部保持為清淨之狀態。
如以上所述，本實施形態之搬送室1，係使用設置於內部的搬送機器人2，在與處理裝置6側之間用以進行作為被搬送物之晶圓W的收授者，具備為了使氣體循環而形成於內部的循環路徑CL、設置於循環路徑CL的途中之作為化學過濾器的化學過濾器單元7、檢測出內部的濕度之作為濕度檢測手段的濕度檢測器HG2、對內部供給氣體的氣體供給手段NS、對內部供給水分的水分供給手段HS；以依據濕度檢測手段所致之濕度檢測值，使水分供給手段HS動作之方式構成。
因為如此構成，利用依據濕度檢測手段HG2所致之濕度檢測值來使水分供給手段HS動作，而可適當保持內部的濕度，故可使化學過濾器單元7適切地進行水解反應，去除化學成分，將內部保持為清淨的狀態。因 此，可在維持清淨的狀態下搬送晶圓W，可提升使用晶圓W來製造半導體裝置的產率。
進而，水分供給手段HS以於自氣體供給手段NS之氣體供給線GS的途中使氣體包含水分之方式構成，所以，可更穩定地供給水分。
然後，將水分供給手段HS，藉由連接於水分供給源之作為流量控制部的LFC99、將從LFC99供給的水，噴霧至氣體內的噴霧器96、使被噴霧至氣體內的水汽化的汽化器97來構成，所以，可簡單且適切地控制供給的水分量。
又，以於水分供給手段HS所致之水分的供給靠下游側的氣體供給線GS中，設置對配管進行保溫的保溫手段HI之方式構成，所以，可防止水分供給手段HS所致之水分的供給後氣體的溫度降至露點以下而結露，故可一邊適當保持內部的濕度，一邊抑制多餘的水分侵入。
再者，各部的具體構造並不限定於僅上述之實施形態者。
例如，在上述的實施形態中，作為充滿內部的氣體，使用N2氣體，但是，也可適當利用同樣惰性氣體即Ar(氬)氣體。進而，只要是水的氣體亦即水蒸氣以外者，也可使用N2氣體或Ar氣體以外者，可因應對於被搬送物即晶圓W之處理的內容適當變更。
又，該搬送室1也可使用於用以搬送晶圓W以外的被搬送物。
進而，在上述的實施形態中，將水分供給手段HS以對供給至大略密閉空間CS的N2氣體供給水分之方式構成，但是，也可以對大略密閉空間CS內直接供給水分之方式構成，即使此狀況中也可獲得按照前述內容的效果。
然後，進而，在上述的實施形態中，利用依據濕度檢測器HG2所致之檢測值，來使水分供給手段HS動作，將大略密閉空間CS內維持為目的的濕度，但是，不使用濕度檢測器HG2所致之檢測值，以每經過所定時間，從水分供給手段HS供給所定量的水分之方式構成亦可。即使如此也可將大略密閉空間CS內維持為目的的濕度，可獲得按照前述內容的效果之外，因為不需要濕度檢測器HG2，也可更削減製造成本。
其他構造，也在不脫離本發明的要旨的範圍中可進行各種變形。
1‧‧‧搬送室
2‧‧‧搬送機器人
3‧‧‧框體
3A‧‧‧本體箱
3B‧‧‧化學過濾器箱
3C‧‧‧控制箱
4‧‧‧裝載埠
5‧‧‧控制手段
7‧‧‧化學過濾器單元(化學過濾器)
41‧‧‧FOUP
51‧‧‧氣體流量決定部
52‧‧‧水流量決定部
53‧‧‧加熱器動作指令部
54‧‧‧壓力取得部
55‧‧‧濕度取得部
56‧‧‧記憶部
74、75、77‧‧‧風扇
76‧‧‧FFU
91‧‧‧氣體供給口
92‧‧‧氣體排出口
93‧‧‧調節器
94‧‧‧閥
95‧‧‧MFC(氣體流量控制器)
96‧‧‧噴霧器
97‧‧‧汽化器
97a‧‧‧加熱器
97b‧‧‧加熱器控制器
98‧‧‧流量調整閥
99‧‧‧LFC(流量控制部)
CS‧‧‧大略密閉空間
GS‧‧‧氣體供給線
NS‧‧‧氣體供給手段
HS‧‧‧水分供給手段
CL‧‧‧循環路徑
GE‧‧‧氣體排出線
HG1,HG2‧‧‧濕度檢測器(濕度檢測手段)
HI‧‧‧保溫手段
PG‧‧‧壓力檢測器
S1、S2‧‧‧空間
S11‧‧‧搬送空間
S12‧‧‧氣體回歸空間

Claims (4)

  1. 一種搬送室，係使用設置於內部的搬送機器人，在與處理裝置側之間用以進行被搬送物的收授的搬送室，其特徵為：具備：循環路徑，係為了使氣體循環而形成於內部；化學過濾器，係設置於該循環路徑的途中；濕度檢測手段，係檢測出內部的濕度；氣體供給手段，係對內部供給氣體；及水分供給手段，係對內部供給水分；以依據前述濕度檢測手段所致之濕度檢測值，使前述水分供給手段動作之方式構成。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之搬送室，其中，前述水分供給手段，係以於自前述氣體供給手段之氣體供給線的途中使前述氣體包含水分之方式構成。
  3. 如申請專利範圍第2項所記載之搬送室，其中，前述水分供給手段，係藉由連接於水分供給源的流量控制部、將從該流量控制部供給的水，噴霧至前述氣體內的噴霧器、使被噴霧至氣體內的水汽化的汽化器所構成。
  4. 如申請專利範圍第2項或第3項所記載之搬送室，其中，於前述水分供給手段所致之水分的供給靠下游側的氣體供給線中，設置有對配管進行保溫的保溫手段。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI736154B (zh) * 2019-03-28 2021-08-11 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置
TWI775275B (zh) * 2020-01-17 2022-08-21 台灣積體電路製造股份有限公司 半導體處理裝置、方法與系統
TWI782071B (zh) * 2018-03-15 2022-11-01 日商昕芙旎雅股份有限公司 設備前端模組
TWI798355B (zh) * 2018-02-26 2023-04-11 日商東京威力科創股份有限公司 檢查裝置及檢查裝置之動作方法
TWI828710B (zh) * 2018-06-18 2024-01-11 美商蘭姆研究公司 基板處理系統及基板處理方法

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6511858B2 (ja) * 2015-02-27 2019-05-15 シンフォニアテクノロジー株式会社 搬送室
US10388548B2 (en) * 2016-05-27 2019-08-20 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for operating machinery under uniformly distributed mechanical pressure
JP7031131B2 (ja) * 2017-03-22 2022-03-08 Tdk株式会社 Ｅｆｅｍ及びｅｆｅｍのガス置換方法
JP6890029B2 (ja) * 2017-03-31 2021-06-18 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び基板搬送方法
US10566216B2 (en) * 2017-06-09 2020-02-18 Lam Research Corporation Equipment front end module gas recirculation
TWI630153B (zh) * 2017-11-07 2018-07-21 京鼎精密科技股份有限公司 晶圓裝卸及充氣系統
US10763134B2 (en) * 2018-02-27 2020-09-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing apparatus and methods with factory interface chamber filter purge
KR102277984B1 (ko) * 2018-10-30 2021-07-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP7198133B2 (ja) * 2019-03-22 2022-12-28 オークマ株式会社 水分侵入検知システムおよび水分侵入検知方法
KR102171905B1 (ko) * 2019-04-10 2020-10-30 이창은 오염 방지 기능이 향상된 efem
KR102159270B1 (ko) * 2019-04-10 2020-09-23 이창은 오염 방지 기능이 향상된 efem
WO2021150525A1 (en) * 2020-01-22 2021-07-29 Applied Materials, Inc. In-line monitoring of oled layer thickness and dopant concentration
US11856833B2 (en) 2020-01-22 2023-12-26 Applied Materials, Inc. In-line monitoring of OLED layer thickness and dopant concentration
KR20220053854A (ko) * 2020-10-23 2022-05-02 피코앤테라(주) 이에프이엠
US12076854B2 (en) * 2021-03-18 2024-09-03 Applied Materials, Inc. Increased number of load ports on factory interface with robot that moves on track
KR102523142B1 (ko) * 2021-06-15 2023-04-24 주식회사 테크엑스 이에프이엠
KR102523143B1 (ko) * 2021-06-15 2023-04-24 주식회사 테크엑스 이에프이엠
US20230029508A1 (en) * 2021-07-30 2023-02-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Interface tool and methods of operation
KR102553017B1 (ko) * 2021-10-14 2023-07-07 주식회사 저스템 불활성 기체의 공급장치

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11168135A (ja) * 1997-12-03 1999-06-22 Toshiba Corp 基板保管装置および基板保管方法
JP2002313867A (ja) * 2001-02-09 2002-10-25 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
KR100486690B1 (ko) * 2002-11-29 2005-05-03 삼성전자주식회사 기판 이송 모듈의 오염을 제어할 수 있는 기판 처리 장치및 방법
JP4432035B2 (ja) * 2004-03-31 2010-03-17 株式会社日立プラントテクノロジー ミニエンバイロメント装置
JP4383459B2 (ja) * 2007-02-13 2009-12-16 三機工業株式会社 汚染ガス除去空気調和装置
JP5202934B2 (ja) * 2007-12-04 2013-06-05 伸和コントロールズ株式会社 超高純度空気の調製方法
US8827695B2 (en) * 2008-06-23 2014-09-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer's ambiance control
JP2012049382A (ja) 2010-08-27 2012-03-08 Sinfonia Technology Co Ltd ロードポート、ｅｆｅｍ
JP2012094822A (ja) 2010-09-30 2012-05-17 Shibaura Mechatronics Corp 密閉型容器及び半導体製造装置
JP2014187346A (ja) * 2013-02-22 2014-10-02 Tokyo Electron Ltd 焼結銀被覆膜の作製方法及び焼成装置及び半導体装置
TWI678751B (zh) * 2013-12-13 2019-12-01 日商昕芙旎雅股份有限公司 設備前端模組（ｅｆｅｍ）

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI798355B (zh) * 2018-02-26 2023-04-11 日商東京威力科創股份有限公司 檢查裝置及檢查裝置之動作方法
TWI782071B (zh) * 2018-03-15 2022-11-01 日商昕芙旎雅股份有限公司 設備前端模組
TWI828710B (zh) * 2018-06-18 2024-01-11 美商蘭姆研究公司 基板處理系統及基板處理方法
TWI736154B (zh) * 2019-03-28 2021-08-11 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置
US11342201B2 (en) 2019-03-28 2022-05-24 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
TWI775275B (zh) * 2020-01-17 2022-08-21 台灣積體電路製造股份有限公司 半導體處理裝置、方法與系統
US11443966B2 (en) 2020-01-17 2022-09-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor processing flow field control apparatus and method

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Publication number Publication date
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