KR101176737B1 - 액체 원료 기화기 및 이를 이용한 성막 장치 - Google Patents

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Abstract

액체 원료의 액적을 통기성 부재를 통과시켜서 기화시킬 때에, 통기성 부재 전체의 온도를 균일하게 해서, 액적이 완전히 기화되지 않아서 구멍 막힘을 일으키는 것을 방지한다. 액체 원료 기화기(300)는 액체 원료를 액적 상태로 해서 토출하는 액체 원료 공급부(300A)와, 기화부(300B)와, 액체 원료 공급부로부터의 액적 상태의 액체 원료를 기화부 내에 도입하는 도입구(338)와, 기화부 내에 배치되고, 복사열에 의해서 가열되는 재료로 구성된 통기성 부재(362)로 이루어지는 미스트 트랩부와, 통기성 부재의 외측 표면 전체에 열선을 조사하고, 그 복사열에 의해서 통기성 부재를 가열하는 복사열 히터(370)와, 가열된 통기성 부재에 액적 상태의 액체 원료를 통과시켜서 기화시킴으로써 생성한 원료 가스를 외부로 송출하는 송출구(340)를 구비한다.

Description

액체 원료 기화기 및 이를 이용한 성막 장치{LIQUID MATERIAL CARBURETOR, AND FILMING DEVICE USING THE CARBURETOR}
본 발명은 액체 원료를 기화시켜서 원료 가스를 생성하는 액체 원료 기화기 및 이를 이용한 성막 장치에 관한 것이다.
반도체 기판이나 유리 기판 등의 피처리 기판의 표면 상에, 유전체, 금속, 반도체 등의 박막을 성막하는 방법으로서, 상기 피처리 기판이 탑재되어 있는 성막실에 유기 금속 화합물 등의 유기 원료 가스를 공급하고, 이 유기 원료 가스와 산소나 암모니아 등의 다른 가스를 반응시켜서 성막하는 화학 기상 성장(CVD:Chemical Vapor Deposition)법이 알려져 있다. 이러한 CVD법에서 이용되는 유기 원료는, 상온에서 액체 또는 고체인 것이 많기 때문에, 유기 원료를 기화시키기 위한 기화기가 필요하게 된다.
통상, 상기 유기 원료는 미리 용매를 이용해서 액체 상태로 되고 나서 기화기에 도입된다. 이러한 액체 원료를 기화시켜서 원료 가스를 생성하는 종래의 기화기로서는, 예컨대 기화실 내에 다수의 구멍을 갖는 기화면을 설치하고, 이 기화면을 저항 가열 히터로 가열하면서, 노즐로부터 액체 원료를 토출하여 액적(mist)상태로 한 것을 캐리어 가스의 흐름을 타고 기화면으로 분출시킴으로써 기화시키는 것이 있다.
이러한 기화기에 있어서는, 기화 효율을 높이기 위해서 액체 원료를 가능한 한 소직경의 액적으로 하여 기화면으로 분출하는 것이 바람직하다. 그런데, 액적의 직경을 작게 할수록, 기화면에 접촉하지 않고 그 구멍을 빠져나가 버릴 염려가 있다. 이와 같이 완전히 기화되지 않은 액적은 캐리어 가스의 기류를 타고 성막실 내로 침입하여 파티클 발생의 요인이 된다. 예컨대 완전히 기화되지 않은 액체 원료의 액적이 성막실 내에 침입했을 때에 그 성막실에 산소가 잔류하고 있으면, 이 액적이 산화되어 미세한 파티클로 되고, 이것이 기판에 부착하면 이상 성막이나 막질 불량이 발생한다고 하는 문제가 있다.
이 때문에, 종래에는 기화기에서 생성된 원료 가스를 미소한 구멍을 갖는 필터를 통해서 성막실에 공급하도록 하고, 이 필터를 저항 가열 히터 등으로 가열해서, 원료 가스에 포함되는 완전히 기화되지 않은 액적을 필터를 통과시켜서 기화시키도록 하고 있었다. 이것에 의하면, 기화기 자체의 기화 효율이 다소 나빠도, 완전히 기화되지 않은 액적이 그대로 성막실 내로 침입하는 것을 막을 수 있다.
또한, 기화 효율을 높이기 위해서, 세공을 갖는 고체 충전물이나 다공질체와 같은 미소한 구멍을 갖는 통기성 부재를 배치하고, 이 통기성 부재를 저항 가열 히터나 열 매체 등으로 가열하며, 액체 원료의 액적을 통과시켜서 기화시키는 것도 있다(예컨대 특허 문헌 1, 2 참조). 이에 의하면, 액적이 통기성 부재에 접촉할 가능성도 늘어나기 때문에, 기화 효율을 높일 수 있다.
일본 특허 공개 제 2005-347598 호 공보 일본 특허 공개 평 10-85581 호 공보
그러나, 종래, 액체 원료의 액적을 기화하기 위해서 사용되던 고체 충전물, 다공질체, 필터 등의 통기성 부재는, 저항 가열 히터로부터의 열전도에 의해서 가열되고 있기 때문에, 통기성 부재 전체에 걸쳐서 균일하게 열량을 공급할 수 없었다. 통기성 부재 중 예컨대 저항 가열 히터로부터 떨어져 있어서 열량이 충분히 도달되지 않는 부분 등, 온도가 낮은 부분이 존재하기 때문에, 액적이 기화되지 않아서 구멍 막힘을 일으킬 염려가 있었다.
특히, 통기성 부재의 표면에는 다수의 구멍이 형성되어 있기 때문에 그 표면적이 넓고, 원래, 통기성 부재는 방열성이 높은 것이다. 더욱이 그 표면은 온도가 낮은 원료 가스나 액체 원료의 액적에 노출되어 있다. 이 때문에, 통기성 부재 전체 중 저항 가열 히터로부터의 열이 전달되기 어려운 영역은 더 온도가 저하되어 버린다. 또한, 통기성 부재의 표면에 액체 원료의 액적이 부착되어 기화되면, 이 때의 기화열에 의해서 통기성 부재로부터 열을 빼앗기게 된다. 이 때, 열이 전달되기 어려운 영역에서는 그 기화열만큼의 열 에너지를 충분히 보충할 수 없고, 그 결과 통기성 부재 안에서 온도 차이가 생겨 버린다.
예컨대 특허 문헌 1에 기재된 기화기에서는, 고체 충전물은 그 외측의 저항 가열 히터로부터의 열전도에 의해서 가열되기 때문에, 고체 충전물 중 저항 가열 히터에 가까운 외주 영역에 비해서 중앙 영역의 온도가 낮아지는 등, 고체 충전물 전체의 온도를 균일하게 하는 것이 곤란하다. 이러한 경우, 중앙 영역의 온도가 액체 원료를 기화시킬 수 있는 온도에 이르지 않아서, 기화 불량이 발생하여 고체 충전물의 구멍이 막힐 염려가 있다.
이것에 비해서, 특허 문헌 2에 기재된 기화기에서는, 다공질체로써 구멍 막힘을 일으키지 않고 액체 원료를 효율적으로 기화시키기 위해서, 다공질체 내의 일부를 지나는 유로를 마련하고, 이 유로에 열 매체를 유통시킴으로써 다공질체의 내부에서 가열하고 있다. 그러나, 이것만으로서는, 구멍 막힘을 방지한다는 관점에서 충분하다고 할 수 없다. 즉, 열 매체를 유통시키는 유로가 다공질체 내의 일부에 배치되어 있을 뿐이므로, 다공질체 전체에 걸쳐서 균일하게 열을 전달할 수 없다. 이 때문에 부분적으로 기화 불량이 발생하여, 다공질체의 구멍 막힘이 발생할 염려를 불식할 수 없다. 또한, 다공질체 전체에 걸쳐서 균일하게 열을 전달하기 위해서는, 다공질체 전체에 빠짐없이 유로를 형성하면 될 것으로도 생각된다. 그러나, 이와 같이 하면 구조가 복잡해질 뿐만 아니라, 유로를 형성한 분만큼 원료 가스가 통과할 수 있는 영역이 감소하여, 다공질체에서의 압력 손실이 커져 버린다. 이렇게 해서는, 소정의 유량의 원료 가스를 얻을 수 없게 된다.
그래서, 본 발명은 이러한 문제를 감안해서 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 것은 액체 원료의 액적을 통기성 부재를 통과시켜서 기화시킬 때에, 통기성 부재 전체의 온도를 균일하게 할 수 있어서, 완전히 기화되지 않고 구멍 막힘을 일으키는 일을 방지할 수 있는 액체 원료 기화기 및 이를 이용한 성막 장치를 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명이 있는 관점에 의하면, 액체 원료를 액적 상태로 하여 토출하는 액체 원료 공급부와, 상기 액적 상태의 액체 원료를 기화시켜 원료 가스를 생성하는 기화부와, 상기 액체 원료 공급부로부터의 상기 액적 상태의 액체 원료를 상기 기화부 내에 도입하는 도입구와, 상기 기화부 내에 배치되고, 복사열에 의해서 가열되는 재료로 구성된 통기성 부재로 이루어지는 미스트 트랩부와, 상기 통기성 부재의 외측 표면 전체에 열선을 조사하고, 그 복사열에 의해서 상기 통기성 부재를 가열하는 복사열 히터와, 가열된 상기 통기성 부재에 상기 액적 상태의 액체 원료를 통과시켜서 기화시킴으로써 생성한 원료 가스를 외부로 송출하는 송출구를 구비한 것을 특징으로 하는 액체 원료 기화기가 제공된다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 다른 관점에 의하면, 액체 원료를 기화시켜 원료 가스를 생성하는 액체 원료 기화기로부터 원료 가스를 도입하여 피처리 기판에 대하여 성막 처리를 행하는 성막실을 구비한 성막 장치로서, 상기 액체 원료 기화기는, 상기 액체 원료를 액적 상태로 하여 토출하는 액체 원료 공급부와, 상기 액적 상태의 액체 원료를 기화시켜 원료 가스를 생성하는 기화부와, 상기 액체 원료 공급부에서의 상기 액적 상태의 액체 원료를 상기 기화부 내에 도입하는 도입구와, 상기 기화부 내에 배치되고, 복사열에 의해서 가열되는 재료로 구성된 통기성 부재로 이루어지는 미스트 트랩부와, 상기 통기성 부재의 외측 표면 전체에 열선을 조사하고, 그 복사열에 의해서 상기 통기성 부재를 가열하는 복사열 히터와, 가열된 상기 통기성 부재에 상기 액적 상태의 액체 원료를 통과시켜서 기화시킴으로써 생성한 원료 가스를 외부로 송출하는 송출구를 구비한 것을 특징으로 하는 성막 장치가 제공된다.
이러한 본 발명에 의하면, 액적 상태의 액체 원료를 포착하여 기화시키는 미스트 트랩부를 복사열에 의해서 가열되는 통기성 부재로 구성하여, 복사열 히터에 의해서 통기성 부재의 외측 표면 전체에 열선을 조사하기 때문에, 통기성 부재 전체를 균일하게 가열할 수 있다. 이에 의해 전체에 걸쳐서 통기성 부재의 온도를 균일하게 할 수 있기 때문에, 통기성 부재에 액적 상태의 액체 원료를 통과시킬 뿐만 아니라, 액적을 빠짐없이 모두 기화시킬 수 있다. 이에 의해, 종래 이상으로 기화 효율을 향상시킬 수 있음과 아울러, 부분적인 온도 저하에 의한 기화 불량을 방지할 수 있기 때문에, 통기성 부재의 구멍 막힘을 방지할 수 있다. 더욱이, 통기성 부재의 외측 표면 전체를 직접 가열할 수 있기 때문에, 통기성 부재를 액적 상태의 액체 원료가 지날 때에, 액적의 기화열에 의해 어떤 부분에서 열을 빼앗겨도, 신속하게 열에너지를 보충할 수 있다.
또한, 상기 기화부의 상기 도입구와 상기 송출구는 대향해서 마련되고, 상기 통기성 부재는, 상기 도입구측부터 상기 송출구측에 걸쳐서 배치된 통 형상을 이루고, 상기 도입구측의 단부는 막혀 있고, 상기 송출구측의 단부는 상기 송출구에 연통하도록 구성하는 것이 바람직하다. 이와 같이, 통기성 부재를 통 형상으로 형성함으로써, 보다 컴팩트한 크기로 통기성 부재의 표면의 면적을 보다 크게 취할 수 있기 때문에, 보다 많은 액적 상태의 액체 원료를 기화시켜서 충분한 양의 원료 가스를 생성할 수 있음과 아울러, 소정의 온도까지 가열하는 시간을 줄일 수 있는 등, 가열 효율을 높이는 것도 가능하다. 또한, 도입구측의 단부가 막혀 있음으로써, 도입구로부터 공급되는 액체 원료의 액적을 복사열 히터로 둘러싸인 통기성 부재의 외측 측면으로 유도할 수 있다.
이 경우, 상기 복사열 히터는, 상기 통기성 부재의 외측 표면을 둘러싸도록 배치하는 것이 바람직하다. 이러한 복사열 히터는, 예컨대 원하는 형상으로 가공하기 쉬운 카본 히터에 의해 구성된다. 이에 의하면, 복사열 히터로부터 통기성 부재의 표면 전체를 한번에 가열할 수 있기 때문에, 가열 효율을 보다 높일 수 있다.
또한, 상기 통기성 부재와 상기 복사열 히터의 사이에, 상기 액적 상태의 액체 원료가 유통하는 기화 공간과 상기 복사열 히터의 배열 설치 공간의 칸막음을 이루는 통 형상의 칸막이 부재를 상기 통기성 부재를 둘러싸도록 마련하여, 상기 칸막이 부재는, 상기 복사열 히터가 조사하는 열선을 투과시키는 통기성이 없는 부재로 구성하는 것이 바람직하다. 이러한 칸막이 부재는 예컨대 석영으로 구성한다. 이러한 칸막이 부재를 마련함으로써, 복사열 히터의 표면에 파티클이 부착되는 것을 방지할 수 있음과 아울러, 액적 상태의 액체 원료의 기화 효율을 향상시킬 수 있다. 즉, 칸막이 부재의 내측 표면과 미스트 트랩부의 외측 측면 사이에 복사열 히터로 둘러싸인 유로가 형성되어 있기 때문에, 이 유로를 지나는 액적 상태의 액체 원료에 복사열 히터로부터의 열선이 직접 작용함과 아울러, 통기성 부재가 가열되면 유로 전체의 분위기도 가열된다. 이에 의해서, 액적 상태의 액적의 기화 효율을 보다 향상시킬 수 있다.
이 경우, 또한 통기성 부재의 도입구측의 단부를 막음으로써, 도입구로부터 공급되는 액체 원료의 액적 전부를 미스트 트랩부와 칸막이 부재 사이에 형성되는 복사열 히터로 둘러싸인 유로로 유도할 수 있다. 이에 의해, 모든 액체 원료의 액적에 복사열 히터의 열선을 작용시킬 수 있음과 아울러, 복사열 히터로 직접 가열되는 통기성 부재의 외측 표면으로 효율적으로 유도할 수 있다. 따라서, 기화 효율을 한층 더 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 통기성 부재의 온도를 측정하는 온도 센서와, 상기 온도 센서에 의해서 측정된 상기 통기성 부재의 온도에 따라서 상기 복사열 히터를 제어함으로써, 상기 통기성 부재의 온도를 소정의 온도로 조절하는 제어부를 마련하도록 해도 된다. 온도 센서에 의해서 통기성 부재의 온도를 직접 측정하여 감시하고, 이 측정된 온도에 기초해서, 복사열 히터를 제어함으로써, 통기성 부재의 온도를 정확하게 조정할 수 있다. 이 때문에, 통기성 부재 전체의 온도를 소정의 온도로 항상 유지할 수 있다.
또한, 상기 기화부의 바깥 틀을 구성하는 하우징의 내측면은 상기 복사열 히터로부터의 열선을 반사하여 상기 통기성 부재의 외측 표면을 향하도록 경면(鏡面) 가공하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 복사열 히터로부터의 열선을 효율적으로 통기성 부재로 모을 수 있기 때문에, 통기성 부재의 가열 효율을 높일 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 다른 관점에 의하면, 액체 원료를 기화시켜서 원료 가스를 생성하는 다른 액체 원료 기화기에 접속되는 액체 원료 기화기로서, 상기 다른 액체 원료 기화기에서 생성된 원료 가스를 도입하는 도입구와, 복사열에 의해서 가열되는 재료로 구성된 통기성 부재로 이루어지는 미스트 트랩부와, 상기 통기성 부재의 외측 표면 전체에 열선을 조사하고, 그 복사열에 의해서 상기 통기성 부재를 가열하는 복사열 히터와, 상기 도입구로부터 도입한 상기 다른 액체 원료 기화기로부터의 원료 가스를, 가열된 상기 통기성 부재를 통해서 외부로 송출하는 송출구를 구비한 것을 특징으로 하는 액체 원료 기화기가 제공된다.
이러한 본 발명에 의하면, 복사열 히터로부터의 복사열에 의해서 가열된 통기성 부재에 다른 액체 원료 기화기로 생성된 원료 가스를 통과시킴으로써 다른 액체 원료 기화기에서 완전히 기화되지 않은 액적도, 본 발명에 따른 액체 원료 기화기로 기화시킬 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 다른 관점에 의하면, 액체 원료를 기화시켜서 원료 가스를 생성하는 액체 원료 기화기로부터 원료 가스를 도입하여 피처리 기판에 대하여 성막 처리를 행하는 성막실을 구비한 성막 장치로서, 상기 액체 원료 기화기는, 액체 원료를 기화시켜서 원료 가스를 생성하는 제 1 액체 원료 기화기와 이에 접속된 제 2 액체 원료 기화기에 의해 구성되고, 상기 제 2 액체 원료 기화기는, 상기 제 1 액체 원료 기화기에서 생성된 원료 가스를 도입하는 도입구와, 복사열에 의해서 가열되는 재료로 구성된 통기성 부재로 이루어지는 미스트 트랩부와, 상기 통기성 부재의 외측 표면 전체에 열선을 조사하고, 그 복사열에 의해서 상기 통기성 부재를 가열하는 복사열 히터와, 상기 도입구로부터 도입한 상기 제 1 액체 원료 기화기로부터의 원료 가스를, 가열된 상기 통기성 부재를 통해서 외부로 송출하는 송출구를 구비한 것을 특징으로 하는 성막 장치가 제공된다.
이러한 본 발명에 의하면, 복사열 히터로부터의 복사열에 의해서 가열된 제 2 액체 원료 기화기의 통기성 부재에, 제 1 액체 원료 기화기로 생성된 원료 가스를 통과시킴으로써, 제 1 액체 원료 기화기에서 완전히 기화되지 않은 액적도, 제 2 액체 원료 기화기로 기화시킬 수 있다. 이에 의해, 성막실 등에 원료 가스와 함께 액체 원료의 액적이 들어가는 것을 방지할 수 있다.
본 발명에 의하면, 액체 원료의 액적을 통기성 부재에 통과시킬 때에, 복사열 히터에 의한 복사열에 의해서 통기성 부재 전체를 직접 가열할 수 있다. 이 때문에, 통기성 부재 전체에 걸쳐서 균일하게 가열할 수 있기 때문에, 액적을 빠짐없이 모두 기화시킬 수 있다. 이에 의해, 종래보다 기화 효율을 향상시킬 수 있음과 아울러, 부분적인 온도 저하에 의한 기화 불량을 방지할 수 있기 때문에, 통기성 부재의 구멍 막힘을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 성막 장치의 구성예를 나타내는 도면,
도 2는 동 실시예에 따른 액체 원료 기화기의 구성예를 나타내는 종단면도,
도 3은 도 2에 나타내는 기화부의 일부의 구성예를 나타내는 단면 사시도,
도 4는 도 2에 나타내는 복사열 히터의 배열 설치예를 나타내는 사시도,
도 5는 본 발명의 실시예 2에 따른 성막 장치의 구성예를 나타내는 도면,
도 6은 동 실시예에 따른 액체 원료 기화기의 구성예를 나타내는 종단면도이다.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
100, 102 : 성막 장치 110 : 액체 원료 공급원
112 : 액체 원료 공급 배관 114 : 액체 원료 유량 제어 밸브
120 : 캐리어 가스 공급원 122 : 캐리어 가스 공급 배관
124 : 캐리어 가스 유량 제어 밸브 132 : 원료 가스 공급 배관
134 : 원료 가스 유량 제어 밸브 140 : 제어부
200 : 성막실 210 : 측벽 부재
212 : 천정벽 부재 214 : 바닥벽 부재
222 : 서셉터 224 : 지지 부재
226 : 히터 228 : 전원
230 : 배기구 232 : 배기 수단
240 : 샤워 헤드 242 : 내부 공간
244 : 가스 토출 구멍 300 : 액체 원료 기화기
300A : 액체 원료 공급부 300B : 기화부
302, 304, 308 : 액체 원료 기화기 306 : 접속 배관
310 : 액체 원료 유로 312 : 캐리어 가스 유로
314 : 토출 노즐 316 : 토출구
318 : 캐리어 가스 분사부 320 : 캐리어 가스 분출구
330 : 하우징 331 : 측벽 부재
332 : 상류측 단벽 부재 334 : 하류측 단벽 부재
336 : 체결 부재 338 : 도입구
340 : 송출구 342 : 슬리브 부재
344, 346 : 스폿 페이싱부 348 : 밀봉 부재
350 : 기화 공간 360 : 미스트 트랩부
362 : 통기성 부재 364 : 막음 부재
366 : 내측 공간 368 : 외측 공간(유로)
370 : 복사열 히터 372 : 관통 구멍
374 : 히터 전원 376 : 온도 센서
W : 웨이퍼
이하에 첨부 도면을 참조하면서, 본 발명의 바람직한 실시의 형태에 대해서 구체적으로 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 구성 요소에 대해서는, 동일한 부호를 붙임으로써 중복 설명을 생략한다.
(실시예 1에 따른 성막 장치)
우선, 본 발명의 실시예 1에 따른 성막 장치에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 도 1은 실시예 1에 따른 성막 장치의 개략 구성예를 설명하기 위한 도면이다. 도 1에 나타내는 성막 장치(100)는, 피처리 기판 예컨대 반도체 웨이퍼(이하, 줄여서 「웨이퍼」라고 한다)(W) 상에 CVD 법에 의해 금속 산화물 막을 성막하는 것으로, 예컨대 HTB(하프늄 테트라 터트 부톡사이드) 등의 Hf를 함유하는 액체 원료를 공급하는 액체 원료 공급원(110)과, Ar 등의 불활성 가스를 캐리어 가스로서 공급하는 캐리어 가스 공급원(120)과, 액체 원료 공급원(110)으로부터 공급되는 액체 원료를 기화시켜서 원료 가스를 생성하는 액체 원료 기화기(300)와, 액체 원료 기화기(300)가 생성한 원료 가스를 이용해서 웨이퍼(W)에 예컨대 HfO2막을 형성하는 성막실(200)과, 성막 장치(100)의 각부를 제어하는 제어부(140)를 구비하고 있다.
액체 원료 공급원(110)과 액체 원료 기화기(300)는, 액체 원료 공급 배관(112)으로 접속되어 있고, 캐리어 가스 공급원(120)과 액체 원료 기화기(300)는, 캐리어 가스 공급 배관(122)으로 접속되어 있으며, 액체 원료 기화기(300)와 성막실(200)은 원료 가스 공급 배관(132)으로 접속되어 있다. 그리고, 액체 원료 공급 배관(112)에는 액체 원료 유량 제어 밸브(114)가 구비되고, 캐리어 가스 공급 배관(122)에는 캐리어 가스 유량 제어 밸브(124)가 구비되며, 원료 가스 공급 배관(132)에는 원료 가스 유량 제어 밸브(134)가 구비되어 있다. 이들 액체 원료 유량 제어 밸브(114), 캐리어 가스 유량 제어 밸브(124) 및 원료 가스 유량 제어 밸브(134)는, 제어부(140)로부터의 제어 신호에 의해서 각각의 닫힘 정도(開度)가 조정되도록 구성되어 있다. 제어부(140)는, 액체 원료 공급 배관(112)을 흐르는 액체 원료의 유량, 캐리어 가스 공급 배관(122)을 흐르는 캐리어 가스의 유량 및 원료 가스 공급 배관(132)을 흐르는 원료 가스의 유량을 측정하고, 그 측정 결과에 따라서 제어 신호를 출력하는 것이 바람직하다.
성막실(200)은 예컨대 대략 원통 형상의 측벽 부재(210)를 갖고, 이 측벽 부재(210)와 천정벽 부재(212)와 바닥벽 부재(214)로 둘러싸인 내부 공간에, 웨이퍼(W)가 수평으로 탑재되는 서셉터(222)를 구비하여 구성된다. 측벽 부재(210)와 천정벽 부재(212)와 바닥벽 부재(214)는, 예컨대 알루미늄, 스테인레스강 등의 금속으로 구성된다. 서셉터(222)는, 원통 형상의 복수의 지지 부재(224)(여기서는, 1개만 도시)에 의해 지지되어 있다. 또한, 서셉터(222)에는 히터(226)가 매립되어 있어서, 전원(228)으로부터 이 히터(226)에 공급되는 전력을 제어함으로써 서셉터(222) 상에 탑재된 웨이퍼(W)의 온도를 조정할 수 있다.
성막실(200)의 바닥벽 부재(214)에는 배기구(230)가 형성되어 있고, 이 배기구(230)에는 배기 수단(232)이 접속되어 있다. 그리고 배기 수단(232)에 의해서 성막실(200) 내를 소정의 진공도로 조절할 수 있다.
성막실(200)의 천정벽 부재(212)에는, 샤워 헤드(240)가 부착되어 있다. 이 샤워 헤드(240)에는 원료 가스 공급 배관(132)이 접속되어 있고, 이 원료 가스 공급 배관(132)을 경유하여, 액체 원료 기화기(300)에서 생성된 원료 가스가 샤워 헤드(240) 내에 도입된다. 샤워 헤드(240)는, 내부 공간(242)과, 이 내부 공간(242)에 연통하는 다수의 가스 토출 구멍(244)을 갖고 있다. 원료 가스 공급 배관(132)을 통해서 샤워 헤드(240)의 내부 공간(242)에 도입된 원료 가스는, 가스 토출 구멍(244)으로부터 서셉터(222) 상의 웨이퍼(W)를 향해서 토출된다.
이 성막 장치(100)에서는, 액체 원료 기화기(300)로부터의 원료 가스가 다음과 같이 하여 공급된다. 액체 원료 기화기(300)에 액체 원료 공급원(110)으로부터의 액체 원료가 액체 원료 공급 배관(112)을 통해서 공급됨과 아울러, 캐리어 가스 공급원(120)으로부터의 캐리어 가스가 캐리어 가스 공급 배관(122)을 통해서 공급되면, 액체 원료 기화기(300)의 후술하는 액체 원료 공급부(300A)에 의해서 캐리어 가스와 함께 액체 원료가 액적 상태가 되어서 기화부(300B)로 토출되고, 이 액적이 기화부(300B)에서 기화되어 원료 가스가 생성된다. 액체 원료 기화기(300)에서 생성된 원료 가스는, 원료 가스 공급 배관(132)을 통해서 성막실(200)에 공급되어서, 성막실(200) 내의 웨이퍼(W)에 대해 원하는 프로세스 처리가 실시된다.
상기와 같은 성막 장치(100)의 액체 원료 기화기(300)에 있어서 액체 원료를 완전히 기화시킬 수 없는 경우, 액체 원료의 액적의 일부가 원료 가스에 혼입되어 원료 가스 공급 배관(132)로 송출되어서, 성막실(200) 내로 유입될 염려가 있다. 이와 같이 성막실(200) 내에 유입된 액체 원료의 액적은 파티클로서 웨이퍼(W) 상에 형성되는 막의 막질을 저하시키는 요인이 될 수 있다. 또한, 액체 원료 기화기(300)에 있어서 액체 원료의 기화 효율이 악화된 경우, 성막실(200)에 공급되는 원료 가스의 유량이 부족해서, 웨이퍼(W)에 예컨대 HfO2막을 형성할 때에 원하는 성막 속도를 얻을 수 없을 염려가 있다.
그래서, 본 실시예에 따른 액체 원료 기화기(300)에서는, 액체 원료의 액적 전부를 효율적으로 기화시켜서, 성막실(200)에 있어서의 성막 처리에 충분한 양의 양질의 원료 가스를 생성할 수 있도록 구성한다. 이러한 액체 원료 기화기(300)의 구체적인 구성예를 이하에 설명한다.
(실시예 1에 따른 액체 원료 기화기의 구성예)
다음으로, 본 발명의 실시예 1에 따른 액체 원료 기화기(300)의 구성예에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 도 2는, 실시예 1에 따른 액체 원료 기화기(300)의 개략 구성예를 나타내는 종단면도이다. 이 액체 원료 기화기(300)는 크게 나눠서, 액체 원료를 액적 상태로 해서 후단에 공급하는 액체 원료 공급부(300A)와, 이 액체 원료 공급부(300A)로부터 공급되는 액체 원료를 기화시키는 기화부(300B)로 구성되어 있다.
우선 액체 원료 공급부(300A)의 구성예에 대해서 설명한다. 이 액체 원료 공급부(300A)에는, 상면으로부터 내부로 수직 방향으로 연장하는 액체 원료 유로(310)가 마련되어 있고, 측면으로부터 내부로 수평 방향으로 연장하는 캐리어 가스 유로(312)가 마련되어 있다. 액체 원료 유로(310)의 일단에는 액체 원료 공급 배관(112)이 접속되어 있고, 캐리어 가스 유로(312)의 일단에는 캐리어 가스 공급 배관(122)이 접속되어 있다.
액체 원료 유로(310)의 타단에는, 액체 원료를 액적 상태로 해서 토출하는 토출 노즐(314)이 구비되어 있다. 이 토출 노즐(314)은 예컨대, 테이퍼 형상으로 구성되고(도 2에서는 이 구성의 도시를 생략), 그 선단의 토출구(316)가 기화부(300B) 내의 기화 공간(350)을 향하도록 배치된다.
토출 노즐(314)의 토출구(316)의 직경은 기화부(300B) 내에 공급되는 액체 원료의 액적의 목표 크기에 따라 결정된다. 기화부(300B) 내에서, 액적 상태의 액체 원료를 확실하게 기화시키기 위해서는, 액적의 크기는 작은 편이 유리하기 때문에, 토출구(316)의 직경도 작은 편이 바람직하다. 단, 액적의 크기가 너무 작게 되면, 액적을 기화해서 얻어지는 원료 가스의 유량이 부족할 염려가 있다. 이러한 점을 고려해서, 토출구(316)의 직경을 결정하는 것이 바람직하다.
토출 노즐(314)의 구성 재료로서는, 유기 용매에 대한 내성을 갖는 폴리이미드 수지 등의 합성 수지 또는 스테인레스강이나 티타늄 등의 금속이 바람직하다. 토출 노즐(314)을 합성 수지로 구성하면, 토출되기 전의 액체 원료에 주위로부터 열이 전도되지 않게 할 수 있다. 특히 폴리이미드 수지를 이용함으로써, 액체 원료의 찌꺼기(석출물)가 토출 노즐(314)에 부착하기 어렵게 되어서, 노즐의 구멍 막힘을 방지할 수도 있다.
또한, 액체 원료 공급부(300A)의 내부에는, 토출 노즐(314)의 선단을 둘러싸도록 캐리어 가스 분사부(318)가 배열 설치되어 있다. 캐리어 가스 분사부(318)는 상기 캐리어 가스 유로(312)의 타단에 접속되어 있어서, 캐리어 가스 유로(312)로부터의 캐리어 가스를 액체 원료와 함께 기화부(300B)의 기화 공간(350)을 향해서 분출하도록 구성되어 있다.
구체적으로는, 캐리어 가스 분사부(318)는 토출 노즐(314)의 선단을 둘러싸는 컵 형상으로 형성되어 있고, 그 바닥부에 캐리어 가스 분출구(320)가 형성되어 있다. 캐리어 가스 분출구(320)는, 토출 노즐(314)의 선단의 토출구(316) 근방에서 이 토출구(316)를 둘러싸도록 형성되어 있다. 이로써 토출구(316)의 주위에서 캐리어 가스를 분출할 수 있게 되어서, 토출구(316)로부터 토출되는 액체 원료의 액적을 확실하게 기화부(300B)를 향해서 비행시켜서, 기화부(300B) 내에 마련된 후술하는 미스트 트랩부(360)로 유도할 수 있다.
다음으로, 기화부(300B)의 구성예에 대해서 설명한다. 기화부(300B)는, 대략 원통 형상의 하우징(330)과, 이 중심부에 형성된 기화 공간(350)에 마련된 원통 형상의 통기성 부재(362)로 이루어지는 미스트 트랩부(360)와, 이 통기성 부재(362)의 주위를 둘러싸도록 배열 설치되고, 복사열에 의해 통기성 부재(362)를 균일하게 가열하는 복사열 히터(370)와, 복사열 히터(370)와 통기성 부재(362) 사이에 복사열 히터(370)의 배열 설치 공간과 기화 공간(350)을 칸막음하는 칸막이 부재로서의 원통 형상의 슬리브 부재(342)를 구비한다.
이하, 기화부(300B)의 각부의 구성을 보다 구체적으로 설명한다. 하우징(330)의 상류측 단부에는 액체 원료 공급부(300A)로부터 공급되는 액체 원료의 액적을 받는 도입구(338)가 형성되어 있고, 하류측 단부에는 액체 원료의 액적이 기화 공간에서 기화되어 생성된 원료 가스를 송출하는 송출구(340)가 형성되어 있다. 미스트 트랩부(360)는 도입구(338)로부터 송출구(340)에 걸쳐 배치된 원통 형상의 통기성 부재(362)로 이루어진다. 통기성 부재(362)는, 그 일단이 막혀져 있고, 타단은 개구되어 송출구(340)를 덮도록 부착되어 있다. 이로써, 미스트 트랩부(360)에 의해서 기화 공간(350)은 통기성 부재(362)의 내측 공간(366)과 외측 공간(368)으로 칸막음된다.
이러한 미스트 트랩부(360)에는, 도입구(338)로부터의 액체 원료의 액적이 캐리어 가스와 함께 분출된다. 이 때, 액체 원료의 액적은 외측 공간(368)으로 돌아들어가서, 가열된 통기성 부재(362)의 외측 표면으로 분출되어 기화되고, 원료 가스로 되어서 내측 공간(366)으로 들어가서, 송출구(340)로부터 송출되게 된다.
이러한 기화부(300B)의 구성예를 도 3, 도 4를 참조하면서, 더 상세하게 설명한다. 도 3은 도 2에 나타내는 기화부(300B)의 구성예를 설명하기 위한 단면 사시도이다. 도 4는 복사열 히터(370)의 배열 설치예를 나타내는 사시도이다. 또한, 도 3에서는 복사열 히터(370)의 도시를 생략하고 있다. 기화부(300B)의 하우징(330)은 원통 형상의 측벽 부재(331)와 이 측벽 부재(331)의 상류측의 단부와 하류측의 단부를 막도록 각각 마련된 상류측 단벽 부재(332)와 하류측 단벽 부재(334)로 이루어진다.
상기 도입구(338)는 상류측 단벽 부재(332)에 형성되고, 상기 송출구(340)는 하류측 단벽 부재(334)에 형성된다. 하우징(330)을 구성하는 측벽 부재(331), 상류측 단벽 부재(332), 하류측 단벽 부재(334)는 각각, 예컨대 알루미늄, 스테인레스강 등의 금속으로 구성된다. 상류측 단벽 부재(332)와 하류측 단벽 부재(334)는 각각, 예컨대 도 2에 나타낸 바와 같이 복수의 볼트 등의 체결 부재(336)에 의해 측벽 부재(331)에 부착되어 있다. 또, 복사열 히터(370)로부터의 열선(예컨대 원적외선 등의 전자파)가 하우징(330)의 중심부의 기화 공간(350)을 향하도록, 측벽 부재(331)의 내측 표면은 경면(鏡面) 가공이 실시되어 있다. 이에 의해서, 복사열 히터(370)로부터의 열선을 효율적으로 기화 공간(350) 내의 통기성 부재(362)로 모을 수 있기 때문에, 통기성 부재(362)의 가열 효율을 높일 수 있다.
상기 슬리브 부재(342)는, 하우징(330)의 내측에 측벽 부재(331)와 동축인 2중관 구조를 이루도록 마련되어 있다. 슬리브 부재(342)는 상류측 단벽 부재(332)와 하류측 단벽 부재(334) 사이로 밀어넣어져서 부착되어 있다. 그리고, 예컨대 도 2에 나타낸 바와 같이, 슬리브 부재(342)의 양단에 형성된 플랜지가 각각, 상류측 단벽 부재(332)와 하류측 단벽 부재(334)의 내측에 형성되어 있는 스폿 페이싱부(344, 346)에 삽입되어 위치 결정된다.
슬리브 부재(342)와, 상류측 단벽 부재(332) 및 하류측 단벽 부재(334)의 접촉 부분은 각각 예컨대 금속제의 O링 등의 밀봉 부재(348)에 의해 밀봉되어 있다. 이에 의해, 슬리브 부재(342)의 내측의 기화 공간(350)과, 외측의 복사열 히터(370)의 배열 설치 공간은 밀봉된다.
이러한 슬리브 부재(342)를 마련함으로써, 슬리브 부재(342) 내측의 기화 공간(350)과, 외측의 복사열 히터(370)의 배열 설치 공간이 칸막음되기 때문에, 예컨대 기화 공간(350)에서 열 분해된 액체 원료의 성분 등의 파티클이 복사열 히터(370)의 표면에 부착되는 일을 방지할 수 있다. 이 때문에, 수고스러운 복사열 히터(370)의 표면의 세정 등이 불필요하게 되어서, 유지 보수의 횟수도 줄일 수 있다. 이 경우, 슬리브 부재(342)의 내측에 파티클이 부착될 가능성도 있지만, 슬리브 부재(342)만을 세정함으로써 간단하게 제거할 수 있다. 또한, 슬리브 부재(342)는 통 형상으로, 그 내측 표면을 매끈하게 가공함으로써 파티클이 부착되기 어렵게 할 수도 있다.
미스트 트랩부(360)는, 슬리브 부재(342) 내에 형성되는 기화 공간(350)에 마련된다. 미스트 트랩부(360)는, 상술한 바와 같이 원통 형상의 통기성 부재(362)로 이루어진다. 이 통기성 부재(362)의 상류측의 단부에는 그 개구 단면을 막는 원판상의 막음 부재(364)가 마련되어 있고, 하류측의 단부는 개구된 채로, 송출구(340) 주위를 둘러싸는 상태로 하류측 단벽 부재(334)에 부착되어 있다. 이렇게 해서, 통기성 부재(362)의 하류측의 단부는 송출구(340)에 연통하게 되어 있다.
이 미스트 트랩부(360)는, 도입구(338)로부터 캐리어 가스와 함께 도입된 액체 원료의 액적을 통기성 부재(362)로 포착해서 기화시키는 것이다. 액체 원료의 액적이 기화하면 원료 가스가 되어서 캐리어 가스와 함께 통기성 부재(362)의 내측 공간(366)으로 들어가서, 송출구(340)로부터 송출된다. 또한, 통기성 부재(362)의 하류측의 단부를 하류측 단벽 부재(334)에 직접 접합하지 않고, 단열 부재를 거쳐서 접합되게 할 수도 있다. 이에 의하면, 미스트 트랩부(360)의 열이 하류측 단벽 부재(334)로 달아나는 일을 막을 수 있기 때문에, 가열 효율을 높일 수 있다.
여기서, 통기성 부재(362)에 대해서 설명한다. 통기성 부재(362)는 액체 원료의 액적을 통과시키지 않고 포착하고, 이것이 기화해서 생성된 원료 가스를 통과시키는 통기성을 갖는 것이다. 또한, 통기성 부재(362)의 구성 재료로서는, 복사열 히터(370)에 의한 열선에 의해서 그 자체가 가열되는 특성, 예컨대 적외선 등의 전자파를 흡수하여 그 자체의 온도가 상승하기 쉬운 특성을 가진 것을 이용한다. 이러한 특성을 가진 것으로서는, 예컨대 포러스 구조를 갖는 탄화규소(SiC) 등의 세라믹 또는 스테인레스강 등의 금속을 들 수 있다. 또한, 막음 부재(364)는 통기성 부재(362)와 같이 예컨대 탄화규소(SiC) 등의 세라믹 또는 스테인레스강 등의 금속으로 구성된다.
통기성 부재(362)의 두께는, 열 용량뿐만 아니라, 기화 효율이나 가열 온도 등도 고려하여 결정하는 것이 바람직하다. 통기성 부재(362)의 두께를 얇게 할수록, 통기성 부재(362)의 열 용량이 작아지기 때문에, 가열 효율을 향상시킬 수 있고, 또한 가열에 필요한 시간도 단축할 수 있다. 그런데, 통기성 부재(362)의 두께를 얇게 할수록, 통기성 부재(362)의 표면적도 작아지기 때문에, 액적 상태의 액체 원료의 기화 효율이 저하된다. 단, 가열 온도를 높임으로써 기화 효율의 저하를 억제할 수 있다. 따라서, 통기성 부재(362)의 두께는, 충분한 기화 효율을 얻을 수 있는 범위에서, 가능한 한 얇은 편이 바람직하다.
또한, 통기성 부재(362)의 길이는 측벽 부재(331)의 길이보다 짧게 형성되어 있고, 통기성 부재(362)의 직경은 슬리브 부재(342)보다 작게 형성되어 있다. 이 때문에, 통기성 부재(362)의 상류측의 단부(막음 부재(364) 측의 단부)는, 상류측 단벽 부재(332)로부터 약간 이격되고, 통기성 부재(362)의 측면은 슬리브 부재(342)보다 내측이 된다. 이에 의해서, 도입구(338)를 향해서 토출된 액적과 캐리어 가스가 통기성 부재(362)의 상류측에서 측면(외측 공간(368))을 향하는 유로가 형성된다.
이와 같이 통기성 부재(362)와 슬리브 부재(342)의 사이에 유로를 형성함으로써, 이 유로(외측 공간(368))를 지나는 액적을 효율적으로 통기성 부재(362)의 측면으로 유도할 수 있기 때문에, 그 액적의 대부분은 통기성 부재(362)의 외측 표면으로 분출되어 기화한다. 더욱이, 이 유로는 복사열 히터(370)의 내측에 형성되기 때문에, 이 유로를 지나는 액적의 일부는 복사열 히터(370)로부터의 열선을 직접 받아서 그 복사열에 의해 기화된다. 이와 같이 유로를 복사열 히터(370)의 내측에 형성함으로써, 미스트 트랩부(360)의 통기성 부재(362)를 거치기 전에 기화시킬 수도 있다.
또한, 슬리브 부재(342)는 복사열 히터(370)로부터의 예컨대 열선(예컨대 원적외선 등의 전자파)를 투과하는 재료로 구성된다. 이러한 재료로서는, 예컨대 투명의 석영이나 알루미늄 등을 들 수 있다. 이에 의해, 복사열 히터(370)로부터의 열선이 슬리브 부재(342)를 투과하여 거의 감쇠되지 않고 통기성 부재(362)에 조사되기 때문에, 그 복사열에 의해서 통기성 부재(362)를 슬리브 부재(342)의 외측에서 효율적으로 가열할 수 있다. 이와 같이 열선을 발하는 복사열 히터(370)로서는, 예컨대 QCH-HEATER(등록 상표) 등의 카본 히터를 이용할 수 있다. 또한, 복사열 히터(370)로서는, 이에 한정되는 것이 아니라, 할로겐 히터, 니크롬 히터를 이용해도 된다. 이러한 복사열 히터(370)는, 예컨대 히터 전원(374)으로부터 공급되는 전력을 제어하여, 복사열 히터(370)로부터 조사되는 열선의 강도(히터 파워)를 제어함으로써, 통기성 부재(362)에 주어지는 열량을 제어할 수 있다.
여기서, 복사열 히터(370)의 배열 설치예에 대해서 설명한다. 복사열 히터(370)는 예컨대 도 4에 나타낸 바와 같이, 슬리브 부재(342)의 외측으로부터 통기성 부재(362)의 측면(외측 표면)을 덮도록 배치된다. 도 4에서는, 복사열 히터(370)로서 QCH-HEATER(등록 상표)를 이용해서, 구불구불한 형상으로 구성한 것이다. 이러한 복사열 히터(370)에 의하면, 통기성 부재(362)의 통기성 부재(362)의 측면(외측 표면) 전체에 복사열 히터(370)로부터의 열선을 조사할 수 있기 때문에, 그 복사열에 의해, 전체에 걸쳐서 통기성 부재(362)의 온도를 균일하게 가열할 수 있다.
복사열 히터(370)의 단부는, 도 2에 나타낸 바와 같이 하류측 단벽 부재(334)에 형성되어 있는 관통 구멍(372)으로부터 기화부(300B)의 하우징(330)의 밖으로 연장되어 나와서, 히터 전원(374)에 접속되어 있다. 또한, 통기성 부재(362)에는 열전쌍 등의 온도 센서(376)가 마련되어 있다. 이들 히터 전원(374), 온도 센서(376)는 제어부(140)에 접속되어 있다. 제어부(140)는, 온도 센서(376)로부터의 온도에 따라, 히터 전원(374)의 전력을 제어함으로써 복사열 히터(370)를 제어하여, 통기성 부재(362)를 소정의 온도로 가열 제어할 수 있다.
(성막 장치의 동작)
다음으로, 본 실시예에 따른 성막 장치(100)의 동작에 대해서 설명한다. 성막 장치(100)는 제어부(140)에 의해 각 부가 제어되어, 동작하게 되어 있다. 액체 원료 기화기(300)에 의해서 원료 가스를 생성할 때, 액체 원료 기화기(300)의 복사열 히터(370)를 발열시켜서 통기성 부재(362)를 소정의 온도로 가열한다. 이 때, 복사열 히터(370)로부터는 열선이 통기성 부재(362) 주위로 방사되고, 통기성 부재(362)는 그 전체가 골고루 소정의 온도로 가열된다. 그리고, 온도 센서(376)에 의해 통기성 부재(362)의 온도가 측정되고, 이 측정 온도에 기초해서 히터 전원(374)을 통해서 복사열 히터(370)의 파워가 조정된다. 이렇게 해서, 통기성 부재(362)의 온도를 소정의 온도로 유지한다. 이 때의 통기성 부재(362)의 온도는, 예컨대 액체 원료의 기화 온도보다 높은 온도(예컨대 100~300℃)로 유지된다.
계속해서, 소정의 유량의 액체 원료가 액체 원료 공급 배관(112)을 통해서 액체 원료 공급원(110)으로부터 액체 원료 기화기(300)로 공급되도록, 액체 원료 유량 제어 밸브(114)의 닫힘 정도(開度)를 조정한다. 이와 함께, 소정의 유량의 캐리어 가스가 캐리어 가스 공급 배관(122)을 통해서 캐리어 가스 공급원(120)으로부터 액체 원료 기화기(300)로 공급되도록, 캐리어 가스 유량 제어 밸브(124)의 닫힘 정도를 조정한다.
액체 원료 공급 배관(112)을 통해서 액체 원료 기화기(300)에 공급된 액체 원료는, 액체 원료 유로(310)를 경유해서 토출 노즐(314)에 도달하여, 토출구(316)로부터 액적 상태로 되어서 토출된다. 또한, 액체 원료와 함께 액체 원료 기화기(300)에 공급된 캐리어 가스는, 캐리어 가스 유로(312)를 경유해서 캐리어 가스 분사부(318)에 도달하고, 캐리어 가스 분출구(320)로부터 기화부(300B)의 기화 공간(350)을 향해서 분사된다. 이와 같이 분사된 캐리어 가스는, 토출 노즐(314)의 토출구(316) 근방을 통과하기 때문에, 토출구(316)로부터 연속적으로 토출된 액체 원료의 액적을 그 흐름에 실어서 기화부(300B) 내로 공급할 수 있다.
토출 노즐(314)로부터 토출된 액체 원료의 액적은 캐리어 가스와 함께 도입구(338)로부터 기화 공간(350)의 미스트 트랩부(360)를 향해서 분출된다. 이 때, 그 액적과 캐리어 가스는 미스트 트랩부(360)의 상류측에서 유로(외측 공간(368))를 따라 측면으로 유도되기 때문에, 미스트 트랩부(360)의 통기성 부재(362)의 외측 표면으로 분출된다.
통기성 부재(362)는 복사열 히터(370)로부터의 복사열에 의해서 전체적으로 균일하게 액체 원료의 기화 온도보다 높은 소정의 온도로 조정되어 있다. 이 때문에, 액체 원료의 액적은 통기성 부재(362)의 표면 중 어떤 개소로 분출되어도, 그 액적을 충분히 기화시킬 수 있다.
이와 같이 액체 원료의 액적은 통기성 부재(362)로 분출되고 기화되어, 원료 가스로 되어서 내측 공간(366)으로 유입되고, 캐리어 가스와 함께 송출구(340)를 통해서 원료 가스 공급 배관(132)으로 송출된다. 원료 가스 공급 배관(132)에 송출된 원료 가스는, 성막실(200)에 공급되고, 샤워 헤드(240)의 내부 공간(242)에 도입되어, 가스 토출 구멍(244)으로부터 서셉터(222) 상의 웨이퍼(W)을 향해서 토출된다. 그리고, 웨이퍼(W) 상에 소정의 막, 예컨대 HfO2막이 형성된다. 또한, 성막실(200)에 도입되는 원료 가스의 유량은 원료 가스 공급 배관(132)에 구비된 원료 가스 유량 제어 밸브(134)의 닫힘 정도를 제어함으로써 조정할 수 있다.
이상과 같이 실시예 1에 따른 액체 원료 기화기(300)에 의하면, 액적 상태의 액체 원료를 포착하여 기화시키는 미스트 트랩부(360)를 복사열에 의해 가열되는 통기성 부재(362)로 구성하고, 이 통기성 부재(362)의 주위를 둘러싸도록 복사열 히터(370)를 마련함으로써, 복사열 히터(370)로부터의 복사열에 의해서 통기성 부재(362) 전체를 직접 가열할 수 있다. 이 때문에, 전체에 걸쳐서 통기성 부재(362)의 온도를 균일하게 할 수 있기 때문에, 이러한 통기성 부재(362)에 액적 상태의 액체 원료가 분출되는 것만으로, 액적을 빠짐없이 모두 기화시킬 수 있다. 이로써, 종래 이상으로 기화 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 부분적인 온도 저하에 의한 기화 불량을 방지할 수 있기 때문에, 통기성 부재(362)의 구멍 막힘을 방지할 수 있다. 따라서, 통기성 부재(362)의 수명을 연장시킬 수 있고, 나아가서는 기화부(300)의 유지 보수 사이클을 연장시킬 수 있다. 이로써, 성막 장치(100)에 있어서의 스루풋을 향상시킬 수도 있다.
또한, 액적 상태의 액체 원료가 유통하는 기화 공간(350)과, 복사열 히터(370)의 배열 설치 공간을 칸막음하는 슬리브 부재(342)를 마련함으로써, 복사열 히터(370)의 표면에 파티클이 부착되는 일을 방지할 수 있음과 아울러, 액체 원료의 액적의 기화 효율을 향상시킬 수 있다. 즉, 슬리브 부재(342)의 내측 표면과 통기성 부재(362)의 외측 측면의 사이에 복사열 히터(370)로 둘러싸인 유로가 형성되기 때문에, 이 유로를 지나는 액체 원료의 액적에 복사열 히터(370)로부터의 열선이 직접 작용함과 아울러, 유로 전체의 분위기도 복사열 히터(370)에 의해서 가열된다. 이로써, 액체 원료의 액적의 기화 효율을 보다 향상시킬 수 있다.
또한, 온도 센서(376)에 의해서 통기성 부재(362)의 온도를 실시간으로 측정하고, 이 측정된 온도에 기초해서 복사열 히터(370)를 제어하기 때문에, 통기성 부재(362)의 온도가 항상 설정 온도를 유지하도록 조정할 수 있다. 이 때문에 성막 처리 중, 통기성 부재(362) 전체의 온도를 항상 균일하게 유지하여, 통기성 부재(362)로 분출된 액적 상태의 액체 원료를 확실하게 기화시켜서, 성막실(200)에 대해 원하는 유량의 원료 가스를 안정적으로 공급할 수 있다.
또한, 액체 원료 공급부(300A)의 조건, 예컨대 액체 원료의 종류나 양, 액적의 크기 등에 따라서 통기성 부재(362)의 온도가 최적이 되도록 복사열 히터(370)의 파워를 조정하도록 할 수도 있다. 이에 의해, 액체 원료 공급부(300A)의 조건에 관계없이, 기화 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 실시예 1에 있어서는, 미스트 트랩부를 일단이 막힌 원통 형상의 통기성 부재(362)로 구성한 경우에 대해서 설명했지만, 반드시 이에 한정되는 것도 아니다. 예컨대 미스트 트랩부(360)를 상류측에 볼록부로 이루어진 원추 형상의 통기성 부재(362)로 구성할 수도 있다. 이 경우, 미스트 트랩부(360) 전체를 통기성 부재(362)로 구성할 수도 있고, 선단 부분을 개구시키고 막음 부재(364)를 부착하도록 해도 된다. 또한, 복사열 히터(370)는 통기성 부재(362)의 외측 표면을 따라 배치하도록 할 수도 있다.
또한, 통기성 부재(362)의 일단을 막는 막음 부재(364)는, 통기성 부재(362)와 같이 통기성을 갖는 부재로 구성할 수도 있지만, 이 막음 부재(364)를 통기성을 갖지 않는 부재로 구성함으로써, 도입구(338)로부터 기화 공간(350)으로 공급되는 액체 원료의 액적 전부를 복사열 히터(370)의 내측에 형성되는 통기성 부재(362)와 슬리브 부재(342)의 사이의 유로(외측 공간(368))로 유도할 수 있다. 이에 의해서, 모든 액체 원료의 액적에 복사열 히터(370)의 열선을 작용시킬 수 있음과 아울러, 복사열 히터(370)로 직접 가열되는 통기성 부재(362)의 외측 표면으로 효율적으로 유도할 수 있다. 따라서, 기화 효율을 한층 더 향상시킬 수 있다.
또한, 하우징(330), 슬리브 부재(342), 통기성 부재(362)는, 원통 형상으로 형성한 경우에 대해서 설명했지만, 반드시 이에 한정되는 것이 아니라, 원통 이외의 통 형상으로 형성해도 된다. 예컨대 각통 형상으로 형성해도 된다. 또한, 기화부(300B)는 슬리브 부재(342)를 마련하지 않고 구성해도 된다.
(실시예 2에 따른 성막 장치)
다음으로, 본 발명의 실시예 2에 따른 성막 장치에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 도 5는 실시예 2에 따른 성막 장치(102)의 개략 구성예를 설명하기 위한 도면이다. 여기서는, 성막 장치(102)에 이용하는 액체 원료 기화기(302)를 제 1 액체 원료 기화기(304)와 이에 접속 배관(306)으로 접속된 제 2 액체 원료 기화기(308)에 의해 구성한 경우에 대해서 설명한다. 또한, 실시예 2에 따른 성막 장치(102)에 있어서의 액체 원료 기화기(302) 이외의 구성에 대해서는 도 1에 나타내는 실시예 1에 따른 성막 장치(100)와 마찬가지기 때문에, 도 5에서는 동일 기능 구성을 갖는 구성 요소에는 동일 부호를 붙이고 이들의 상세한 설명을 생략한다.
실시예 2에 따른 액체 원료 기화기(302)는, 액체 원료 공급원(110)으로부터 공급되는 액체 원료를 기화시켜서 원료 가스를 생성하는 제 1 액체 원료 기화기(304)와, 제 1 액체 원료 기화기(304)에서 생성된 원료 가스의 토출구에 접속 배관(306)을 통해서 접속되는 제 2 액체 원료 기화기(308)를 구비하고, 제 2 액체 원료 기화기(308)의 토출구로부터 토출된 원료 가스를 원료 가스 공급 배관(132)을 통해서 성막실(200)에 공급하도록 구성된 것이다.
실시예 2에 따른 제 2 액체 원료 기화기(308)의 구성예를 도 6에 나타낸다. 제 2 액체 원료 기화기(308)는, 실시예 1에 따른 액체 원료 기화기(300) 중 기화부(300B)만의 구성으로 이루어지는 액체 원료 기화기이다. 따라서, 제 2 액체 원료 기화기(308)는, 도 2에 나타내는 기화부(300B)와 같은 구성이기 때문에, 동일 기능 구성을 갖는 구성 요소에는 동일 부호를 붙이고 이들의 상세한 설명을 생략한다.
한쪽의 제 1 액체 원료 기화기(304)는, 액체 원료 공급원(110)으로부터 공급되는 액체 원료를 기화시켜서 원료 가스를 생성하는 액체 원료 기화기라면, 그 구성이나 종류 등에 상관없이, 종래의 액체 원료 기화기여도 된다.
이러한 본 발명에 의하면, 제 2 액체 원료 기화기(308)에 있어서 복사열에 의해서 전체적으로 균일하게 온도를 상승시킨 통기성 부재(362)에, 제 1 액체 원료 기화기(304)에서 생성된 원료 가스를 통과시킴으로써, 제 1 액체 원료 기화기(304)에서 완전히 기화되지 않은 액적도, 제 2 액체 원료 기화기(308)에서 기화시킬 수 있다. 이에 의해, 성막실(200) 등에 원료 가스와 함께 액체 원료의 액적이 유입되는 일을 방지할 수 있다. 또한, 통기성 부재(362)의 부분적인 온도 저하에 의한 기화 불량을 방지할 수 있기 때문에, 통기성 부재(362)의 구멍 막힘을 방지할 수 있다.
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 설명했지만, 본 발명은 따른 예로 한정되지 않는다. 당업자라면, 특허 청구 범위에 기재된 범주 내에서, 각종 변경예 또는 수정예를 도출할 수 있는 것은 분명하고, 이들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다.
예컨대 본 발명에 따른 액체 원료 기화기는, MOCVD 장치, 플라즈마 CVD 장치, ALD(원자층 성막) 장치, LP-CVD(배치(batch)식, 세로형, 가로형, 미니 배치식)등에 이용되는 액체 원료 기화기에도 적용 가능하다.
(산업상의 이용 가능성)
본 발명은 액체 원료를 기화하여 원료 가스를 생성하는 액체 원료 기화기 및이를 이용한 성막 장치에 적용 가능하다.

Claims (11)

  1. 액체 원료를 액적 상태로 해서 토출하는 액체 원료 공급부와,
    상기 액적 상태의 액체 원료를 기화시켜서 원료 가스를 생성하는 기화부와,
    상기 액체 원료 공급부로부터의 상기 액적 상태의 액체 원료를 상기 기화부 내에 도입하는 도입구와,
    상기 기화부 내에 배치되고, 복사열에 의해서 가열되는 재료로 구성된 통기성 부재로 이루어지는 미스트 트랩부와,
    상기 통기성 부재의 외측 표면 전체에 열선을 조사하고, 그 복사열에 의해서 상기 통기성 부재를 가열하는 복사열 히터와,
    가열된 상기 통기성 부재에 상기 액적 상태의 액체 원료를 통과시켜서 기화시킴으로써 생성한 원료 가스를 외부로 송출하는 송출구
    를 구비하되,
    상기 기화부의 상기 도입구와 상기 송출구는 대향해서 마련되고,
    상기 통기성 부재는, 상기 도입구측으로부터 상기 송출구측에 걸쳐서 배치된 통 형상의 형상을 이루고, 상기 도입구측의 단부는 막혀 있고, 또한 상기 송출구측의 단부는 상기 송출구에 연통하도록 구성된 것
    을 특징으로 하는 액체 원료 기화기.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 복사열 히터는, 상기 통기성 부재의 외측 표면을 둘러싸도록 배치된 것을 특징으로 하는 액체 원료 기화기.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 복사열 히터는, 카본 히터에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 액체 원료 기화기.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 통기성 부재와 상기 복사열 히터의 사이에, 상기 액적 상태의 액체 원료가 유통하는 기화 공간과 상기 복사열 히터의 배열 설치 공간을 칸막음하는 통 형상의 칸막이 부재를, 상기 통기성 부재를 둘러싸도록 마련하고,
    상기 칸막이 부재는, 상기 복사열 히터가 조사하는 열선을 투과시키는 통기성이 없는 부재로 구성된 것
    을 특징으로 하는 액체 원료 기화기.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 칸막이 부재는 석영으로 구성된 것을 특징으로 하는 액체 원료 기화기.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 통기성 부재의 온도를 측정하는 온도 센서와,
    상기 온도 센서에 의해서 측정된 상기 통기성 부재의 온도에 기초해서 상기 복사열 히터를 제어함으로써, 상기 통기성 부재의 온도를 소정의 온도로 조절하는 제어부
    를 마련한 것을 특징으로 하는 액체 원료 기화기.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 기화부의 바깥 틀을 구성하는 하우징의 내측면은 상기 복사열 히터로부터의 열선을 반사하여 상기 통기성 부재의 외측 표면을 향하게 하도록 경면(鏡面) 가공된 것을 특징으로 하는 액체 원료 기화기.
  9. 액체 원료를 기화시켜서 원료 가스를 생성하는 다른 액체 원료 기화기에 접속된 액체 원료 기화기로서,
    상기 다른 액체 원료 기화기에서 생성된 원료 가스를 도입하는 도입구와,
    복사열에 의해서 가열되는 재료로 구성된 통기성 부재로 이루어지는 미스트 트랩부와,
    상기 통기성 부재의 외측 표면 전체에 열선을 조사하고, 그 복사열에 의해서 상기 통기성 부재를 가열하는 복사열 히터와,
    상기 도입구로부터 도입된 상기 다른 액체 원료 기화기로부터의 원료 가스를, 가열된 상기 통기성 부재를 통해서 외부로 송출하는 송출구
    를 구비하되,
    상기 도입구와 상기 송출구는 대향해서 마련되고,
    상기 통기성 부재는, 상기 도입구측으로부터 상기 송출구측에 걸쳐서 배치된 통 형상의 형상을 이루고, 상기 도입구측의 단부는 막혀 있고, 또한 상기 송출구측의 단부는 상기 송출구에 연통하도록 구성된 것
    것을 특징으로 하는 액체 원료 기화기.
  10. 액체 원료를 기화시켜서 원료 가스를 생성하는 액체 원료 기화기로부터 원료 가스를 도입하여 피처리 기판에 대하여 성막 처리를 행하는 성막실을 구비한 성막 장치로서,
    상기 액체 원료 기화기는,
    상기 액체 원료를 액적 상태로 해서 토출하는 액체 원료 공급부와,
    상기 액적 상태의 액체 원료를 기화시켜서 원료 가스를 생성하는 기화부와,
    상기 액체 원료 공급부로부터의 상기 액적 상태의 액체 원료를 상기 기화부 내에 도입하는 도입구와,
    상기 기화부 내에 배치되고, 복사열에 의해서 가열되는 재료로 구성된 통기성 부재로 이루어지는 미스트 트랩부와,
    상기 통기성 부재의 외측 표면 전체에 열선을 조사하고, 그 복사열에 의해서 상기 통기성 부재를 가열하는 복사열 히터와,
    가열된 상기 통기성 부재에 상기 액적 상태의 액체 원료를 통과시켜서 기화시킴으로써 생성한 원료 가스를 외부로 송출하는 송출구
    를 구비하되,
    상기 기화부의 상기 도입구와 상기 송출구는 대향해서 마련되고,
    상기 통기성 부재는, 상기 도입구측으로부터 상기 송출구측에 걸쳐서 배치된 통 형상의 형상을 이루고, 상기 도입구측의 단부는 막혀 있고, 또한 상기 송출구측의 단부는 상기 송출구에 연통하도록 구성된 것
    것을 특징으로 하는 성막 장치.
  11. 액체 원료를 기화시켜서 원료 가스를 생성하는 액체 원료 기화기로부터 원료 가스를 도입하여 피처리 기판에 대해 성막 처리를 행하는 성막실을 구비한 성막 장치로서,
    상기 액체 원료 기화기는, 액체 원료를 기화시켜서 원료 가스를 생성하는 제 1 액체 원료 기화기와 이에 접속된 제 2 액체 원료 기화기에 의해 구성되고,
    상기 제 2 액체 원료 기화기는,
    상기 제 1 액체 원료 기화기에서 생성된 원료 가스를 도입하는 도입구와,
    복사열에 의해서 가열되는 재료로 구성된 통기성 부재로 이루어지는 미스트 트랩부와,
    상기 통기성 부재의 외측 표면 전체에 열선을 조사하고, 그 복사열에 의해서 상기 통기성 부재를 가열하는 복사열 히터와,
    상기 도입구로부터 도입된 상기 제 1 액체 원료 기화기로부터의 원료 가스를, 가열된 상기 통기성 부재를 통해서 외부로 송출하는 송출구
    를 구비하되,
    상기 도입구와 상기 송출구는 대향해서 마련되고,
    상기 통기성 부재는, 상기 도입구측으로부터 상기 송출구측에 걸쳐서 배치된 통 형상의 형상을 이루고, 상기 도입구측의 단부는 막혀 있고, 또한 상기 송출구측의 단부는 상기 송출구에 연통하도록 구성된 것
    것을 특징으로 하는 성막 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8511583B2 (en) 2010-02-05 2013-08-20 Msp Corporation Fine droplet atomizer for liquid precursor vaporization
JP5885564B2 (ja) * 2012-03-30 2016-03-15 株式会社ブイテックス 気化装置
CN103422075B (zh) * 2012-05-14 2015-09-02 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 形成膜层的方法
CN105214568B (zh) 2014-06-10 2018-04-20 万华化学集团股份有限公司 一种加热器、该加热器的用途和应用该加热器制备异氰酸酯的方法
KR102244073B1 (ko) * 2014-09-16 2021-04-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 장치 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법
JP6321767B1 (ja) * 2016-12-14 2018-05-09 日本特殊陶業株式会社 呼気センサ
CN111742394A (zh) * 2018-03-23 2020-10-02 株式会社国际电气 气化器、基板处理装置及半导体器件的制造方法
KR102449994B1 (ko) * 2021-02-22 2022-10-04 (주)탑크루 배기 배관의 유해가스 가열용 히팅 모듈 및 배기 배관에 주입되는 열전달 가스 가열용 히팅 모듈
EP4396394A1 (en) * 2021-09-01 2024-07-10 Entegris, Inc. Vaporizer assembly

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200173175Y1 (ko) * 1996-10-17 2000-03-02 김영환 액상반응원료의 기화장치

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2795868B2 (ja) * 1989-01-23 1998-09-10 アネルバ株式会社 Cvd装置
DE4124018C1 (ko) * 1991-07-19 1992-11-19 Leybold Ag, 6450 Hanau, De
JP3938391B2 (ja) * 1997-06-04 2007-06-27 シーケーディ株式会社 液体原料の気化装置
JP4316341B2 (ja) * 2003-10-01 2009-08-19 東京エレクトロン株式会社 気化器及び成膜装置
JP4601535B2 (ja) * 2005-09-09 2010-12-22 株式会社リンテック 低温度で液体原料を気化させることのできる気化器

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200173175Y1 (ko) * 1996-10-17 2000-03-02 김영환 액상반응원료의 기화장치

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