JP3938391B2 - 液体原料の気化装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、特定のガスを得るために特定の液体原料を気化するようにした気化装置に関する。例えば、半導体製造装置で使用される反応ガスを得るために液体原料を気化するようにした気化装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、特定のガスを得るために特定の液体原料を加熱して気化するようにした気化装置がある。例えば、半導体の製造装置において、半導体基板はその上面に絶縁膜を形成する過程で反応ガスの供給を受ける。ここで、製造装置に対して反応ガスを供給するための装置は、上記の気化装置を含む。
【０００３】
特開平４―４５８３８号及び特開平５―２２８３６１号の各公報は上記のような気化装置の一例を開示する。図５に示すように、この気化装置７１は円筒状のヒーターブロック７２を備える。このブロック７２は内部に気化室７３を有する。ブロック７２の外周にはヒータ７４が設けられる。気化室７３には、所定量の粉体の集合物７５が充填される。この粉体は熱伝導性及び耐腐食性を有する材料よりなる。ブロック７２はその両端に気化室７３に通じる供給ポート７６及び排出ポート７７を有する。気化室７３から粉体がこぼれるのを防ぐために、各ポート７６，７７には、網７８，７９が設けられる。供給ポート７６には、気化室７３にキャリアガスを供給するための大径のパイプ８０が接続される。供給ポート７６には、気化室７３に液体原料を供給するための小径のパイプ８１が接続される。小径パイプ８１は大径パイプ８０の中を延び、その先端が粉体の集合物７５の中に挿入される。小径パイプ８１はその先端に、他の部位よりも細い細径部８２を有する。この細径部８２の内径は粉体の粒径よりも小さく設定される。小径パイプ８１に接続されたバルブ８３は、液体原料の流量を調節する。大径パイプ８０に接続されたバルブ８４は、キャリアガスの流量を調節する。排出ポート７７に接続された流量計８５は、気化室７３から排出されるガス流量を計測する。
【０００４】
粉体の集合物７５はヒータ７４により加熱される。このとき、両パイプ８０，８１を通じて気化室７３にキャリアガス及び液体原料が供給される。小径パイプ８１の細径部８２から気化室７３に流れ出た液体は、加熱された粉体の集合物７５と接触することにより、短時間のうちに気化される。気化ガスはキャリアガスにより搬送されて気化室７３を流れ、排出ポート７７から外部へ排出される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記気化装置７１では、小径パイプ８１の先端が粉体の集合物７５の中に配置される。細径部８２の内径が粉体の粒径よりも小さく設定されているのは、粉体がパイプ８１の中に入るのを防ぐためである。細径部８２を粉体の集合物７５の中に配置すること、或いは、粉体の粒径を細径部８２の内径に対応して特定することは面倒なものであり、装置７１を製造する上で手間になる。更に、細径部８２には液体原料中の異物が滞留することも考えられ、そのことが細径部８２の目詰まりの原因にもなり得る。
【０００６】
上記気化装置７１では、粉体の集合物７５とバルブ８３との間にある程度の距離が設けられていることから、バルブ８３が粉体を噛み込むなどのおそれは少ない。しかしながら、バルブ８３と粉体の集合物７５との間の距離が長い分だけ、小径パイプ８１の内壁に液体が付着することもあり得る。このことは、バルブ８３による液体原料の調節精度を悪化させ、気化ガスの調節精度を低下させることにもなる。
【０００７】
この発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、その第１の目的は、液体原料を安定的に気化させると共に、製造を容易にすることを可能にした液体原料の気化装置を提供することにある。
【０００８】
この発明の第２の目的は、上記第１の目的に加え、気化ガスの調節精度を向上させることを可能にした液体原料の気化装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記第１の目的を達成するために請求項１に記載の第１の発明は、外部からハウジングの気化室に供給される液体原料を加熱し気化させて排出するようにした気化装置であって、ハウジングは気化室に液体原料を供給するための供給ポートと、気化室で気化されたガスを排出するための排出ポートとを有し、気化室には熱伝導性を有する粉体の集合物が設けられ、その粉体の集合物は圧縮され、焼結された焼結体をなしていることを趣旨とする。
【００１０】
上記第１の発明の構成によれば、供給ポートを通じて気化室に供給された液体原料は粉体の焼結体の中で毛管現象により拡散される。このとき、焼結体が加熱されることにより、液体が加熱されて速やかに気化される。気化により得られたガスは、排出ポートから気化室の外へ排出される。
【００１１】
ここで、焼結体は粉体の集合物が圧縮され、焼結されることにより形成される。このため、圧縮及び焼結される粉体につき、その粒径の大きさを特定する必要はない。焼結体の体格はその重さの割に小さくなる。焼結体であることから、粉体の粒が飛散したり、その結果として気化室からこぼれ出たりすることがない。
【００１２】
上記第２の目的を達成するために請求項２に記載の第２の発明は、第１の発明の構成において、気化室に供給される液体原料の流量を調節するための調節バルブを更に備え、その調節バルブは弁体と、その弁体に接触する弁座とを含み、供給ポートが弁座の孔をなし、焼結体の少なくとも一部が供給ポートに隣接して配置されていることを趣旨とする。
【００１３】
上記第２の発明の構成によれば、第１の発明の作用に加え、調節バルブの弁体が作動して弁座から離れることにより、供給ポートが開かれる。焼結体の少なくとも一部が供給ポートに隣接して配置されることから、調節バルブと焼結体との距離が短くなり、両者の間に液体原料の一部が滞留することがない。
【００１４】
上記第１又は第２の目的を達成するために請求項３に記載の第３の発明は、第１又は第２の発明の構成において、焼結体を加熱するためのヒータを更に備えたことを趣旨とする。
【００１５】
上記第３の発明の構成によれば、第１又は第２の発明の作用に加え、ヒータが作動することにより、液体原料を気化するために焼結体が加熱される。このため、焼結体を加熱するために、別途にヒータを設ける必要がない。気化装置をヒータと共に単独で取り扱うことが可能になる。
【００１６】
上記第１又は第２の目的を達成するために請求項４に記載の第４の発明は、第１又は第２の発明の構成において、供給ポートに供給される液体原料の流量又は排出ポートから排出されるガスの流量を計測するための流量計を更に備え、流量計の計測値が流量を調整するために使用されることを趣旨とする。
【００１７】
上記第４の発明の構成によれば、第１又は第２の発明の作用に加え、流量計の計測値が流量調整のために使用されることにより、気化装置の供給ポートに供給される液体原料の流量、又は気化装置の排出ポートから排出されるガスの流量が調整される。
【００１８】
上記第１又は第２の目的を達成するために請求項５に記載の第５の発明は、第２乃至第４の発明の何れか一つの構成において、調節バルブは気体の圧力に基づいて作動するものであり、液体原料の供給を遮断する機能と、その液体原料の流量を調節する機能とを有し、液体原料が気化されるときの高温下で使用されることを趣旨とする。
【００１９】
上記第５の発明の構成によれば、第２乃至第４の発明の何れか一つの作用に加え、気体の圧力に基づき作動することから、液体原料の遮断又は流量調節が速やかに行われる。液体原料を気化させるための熱にも耐え得る。
【００２０】
【発明の実施の形態】
上記第１〜第３の発明に係る液体原料の気化装置の一実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。この実施の形態では、半導体の製造装置に反応ガスを供給するためのガス供給装置に本発明の気化装置が具体化される。
【００２１】
図２はガス供給装置の概略構成を示す。一般に、半導体の製造装置では、半導体基板の上に絶縁膜を気層成膜する過程で、特定の反応ガスを供給する必要がある。この実施の形態では、絶縁膜として、化学蒸着成膜法（ＣＶＤ）により気相成膜される酸化珪素薄膜が適用される。酸化珪素薄膜を得るための特定ガスとして、常温常圧の下で液状をなす有機シラン（ＴＥＯＳ）が使用される。
【００２２】
ガス供給装置はタンク１と、ガス流量制御ユニット２とを備える。タンク１は液状のＴＥＯＳを液体原料として貯留する。制御ユニット２は本発明に係る気化装置３と、流量コントローラ４と、温度コントローラ５とを有する。液状のＴＥＯＳを気化するために、気化装置３にはタンク１から液状のＴＥＯＳが供給される。気化装置３により気化されたＴＥＯＳのガスは流量計６を介して半導体製造装置７に導入され、ポンプ８から吐出される。タンク１には、窒素ガスが所定の圧力をもって供給される。窒素ガスの圧力は、レギュレータ９により所定の値に調整される。
【００２３】
気化装置３は、液状のＴＥＯＳを気化するための気化器１０と、調節バルブ１１と、ヒータ１２とを備える。バルブ１１は気化器１０に供給される液状のＴＥＯＳの量を調節する。ヒータ１２は気化器１０を加熱する。バルブ１１を作動させるために、バルブ１１には、電空レギュレータ１３を介して圧縮空気が供給される。
【００２４】
流量コントローラ４には、流量計６により検出されるガス流量の値が入力される。このコントローラ４には、作業者により任意に設定される流量設定値が入力される。コントローラ４は、気化装置３から排出されるＴＥＯＳのガス流量が所定の設定流量となるように、電空レギュレータ１３を制御し、これによってバルブ１１の開度を調節する。図３は気化装置３から排出されるＴＥＯＳガスの流量と、流量設定値との関係を示す。コントローラ４は、このグラフに示すような流量設定値に対するガス流量が得られるように、電空レギュレータ１３を制御する。
【００２５】
温度コントローラ５には、温度計１４により検出される気化器１０の温度値が入力される。このコントローラ５には、作業者により任意に設定される温度設定値が入力される。コントローラ５は、気化器１０の温度が、設定された温度となるようにヒータ１２を制御する。
【００２６】
図１は気化装置３の構造を示す。調節バルブ１１と、気化器１０とは互いに一体に組み付けられる。気化器１０はハウジング２１を有する。ハウジング２１は円筒２２と、その円筒２２の両端を塞ぐ第１の蓋体２３及び第２の蓋体２４とからなる。ハウジング２１はその内部に気化室２５を有する。気化室２５では、液状のＴＥＯＳが気化される。ハウジング２１は供給ポート２６と、排出ポート２７とを有する。気化室２５には、供給ポート２６を通じて液状のＴＥＯＳが供給される。気化室２５で気化されたＴＥＯＳガスは排出ポート２７を通じて外部へ排出される。排出ポート２７の内径は比較的大きく、供給ポート２６の内径は比較的微細である。気化室２５には金属製の粉体の集合物よりなる焼結体２８が設けられる。この粉体は、熱伝導性と耐食性を兼ね備えた金属よりなる。この実施の形態では、上記金属製の粉体として、ステンレス製の粉体が使用される。焼結体２８はステンレス製粉体の集合物を所定の気孔率を有する状態で圧縮し、その上で焼結することにより形成される。焼結体２８は円柱状をなし、その一端に小径の突部２８ａを有する。焼結体２８の外周面とハウジング２１の内周面との間には、所定の隙間２９が設けられる。
【００２７】
調節バルブ１１はハウジング２１の供給ポート２６の側に配置される。このバルブ１１はケーシング３１を有する。ケーシング３１は中心に孔３２を有する胴体３３と、その胴体３３の一端に配置されたキャップ３４と、胴体３３の他端に配置された前記第１の蓋体２３とからなる。第１の蓋体２３はハウジング２１とケーシング３１とに兼用される。ケーシング３１はその内部に、孔３２を境に区画された第１の室３５と、第２の室３６とを有する。孔３２には、弁ロッド３７が摺動可能に設けられる。弁ロッド３７の一端には、押え金３８を介して第１のダイアフラム３９が取り付けられる。第１の室３５は、このダイアフラム３９により大気室４０と、加圧室４１とに区画される。大気室４０には、キャップ３４に設けられた大気ポート４２を通じて大気が導入される。加圧室４１には、胴体３３に設けられた加圧ポート４３を通じて圧縮空気が供給される。加圧室４１に供給される圧縮空気は、電空レギュレータ１３により調節される。
【００２８】
弁ロッド３７の他端には、弁体４４が取り付けられる。弁体４４の外周には第２のダイアフラム４５が取り付けられる。第２の室３６は、このダイアフラム４５により大気室４６と、液室４７とに区画される。このダイアフラム４５の外周縁はダイアフラム４５と一体にポリテトラフルオロエチレンのリング４８が設けられており、ケーシング３１と蓋体２３で挟み込むことでシールされる。大気室４６には、胴体３３に設けられた大気ポート４９を通じて大気が導入される。液室４７には、第１の蓋体２３に設けられた液ポート５０を通じて液状のＴＥＯＳが供給される。
【００２９】
調節バルブ１１は弁体４４の他に、その弁体４４に接する弁座５１を含む。この弁座５１は第１の蓋体２３に設けられる。弁座５１はその中心に孔を有する。前述した微細な供給ポート２６は弁座５１の孔をなしている。弁座５１の部位に対応する蓋体２３の肉厚は比較的小さい。このため、供給ポート２６の軸線方向の長さは比較的短い。気化室２５に配置された焼結体２８の突部２８ａは供給ポート２６に隣接して配置される。
【００３０】
弁体４４が弁座５１に接することにより、供給ポート２６が閉じられる。弁体４４が弁座５１から離れることにより、供給ポート２６が開かれる。供給ポート２６が開かれることにより、液室４７に供給される液状のＴＥＯＳが、そのポート２６を通じて気化室２５に供給される。
【００３１】
第１の室３５の大気室４０には、圧縮スプリング５２が設けられる。このスプリング５２は、弁体４４が弁座５１に接する方向へ押されるように弁ロッド３７を付勢する。従って、加圧室４１に圧縮空気が供給されることにより、第１のダイアフラム３９が弁ロッド３７と共にスプリング５２の付勢力に抗して大気室４０の側へ変位する。この変位に伴い、弁体４４が弁座５１から離れ、供給ポート２６が開かれる。このポート２６の開度は、加圧室４１に供給される圧縮空気の量に応じて変えられる。供給ポート２６の開度が変わることにより、液室４７から気化室２５に供給される液状のＴＥＯＳの量が調節される。
【００３２】
気化器１０において、ヒータ１２はハウジング２１の外周に設けられる。ヒータ１２は熱線を含み、その熱線がハウジング２１の外周に沿って巻かれる。このヒータ１２が通電により作動することにより、ハウジング２１が加熱される。この結果、ハウジング２１を介して焼結体２８が加熱される。
【００３３】
上記のように構成されたガス供給装置における気化装置３の動作を説明する。この気化装置３によれば、供給ポート２６を通じて気化室２５に供給される液状のＴＥＯＳが粉体の焼結体２８の中で毛管現象により拡散される。このとき、焼結体２８がヒータ１２により加熱されると、その焼結体２８の中で液状のＴＥＯＳが加熱されて速やかに気化される。このため、気化装置３は液状のＴＥＯＳを常に安定的に気化させることができる。
【００３４】
気化により得られたＴＥＯＳガスは、隙間２９を流れ、排出ポート２７から気化室２５の外へ安定的に排出される。排出されたＴＥＯＳガスは、流量計６及びポンプ７を介して半導体製造装置７に供給される。
【００３５】
図４はこの気化装置３から排出されるＴＥＯＳガス流量の安定性を示す。このグラフは、気化装置３から排出されるガス流量が所定の設定流量ＦＲとなるように、気化装置３に液状のＴＥＯＳを長時間供給したときのガス流量の変化を示す。このグラフにおいて、実線はＴＥＯＳガス流量を示し、一点鎖線は加圧室４１に加えられる圧縮空気の圧力を示し、二点鎖線は気化室２５における圧力を示す。このグラフに示すように、時刻ｔ１において調節バルブ１１の操作圧力が急激に増加すると、ＴＥＯＳガス流量は直ちに増加する。時刻ｔ２においてその操作圧力が急激に低下すると、ＴＥＯＳガス流量は速やかに低下する。両時刻ｔ１，ｔ２の間で、ＴＥＯＳガス流量は設定流量ＦＲに収束するように安定した状態を示すことが分かる。
【００３６】
ここで、焼結体２８はステンレス製粉体の集合物が一旦圧縮された上で、焼結されることにより形成される。従って、この気化装置３では、粉体の粒が飛散したり、その結果として粉体の粒が気化室２５からこぼれ出たりすることがない。粉体の粒が供給ポート２６に入り込むおそれもない。このため、粉体の粒径を供給ポート２６の内径に対応させて特定する必要がない。このことは、気化装置３を製造する上で手間を省き、装置３の製造を容易なものにすることができる。
【００３７】
供給ポート２６に粉体が入り込むおそれがないことから、同ポート２６の内径を必要以上に小さくする必要がない。従って、液状のＴＥＯＳの中に異物が混入していたとしても、その異物が供給ポート２６の中に滞留することはない。このため、供給ポート２６が異物によって目詰まりを起こすおそれがない。
【００３８】
この気化装置３では、焼結体２８を得るために、粉体の集合物が圧縮されている。このため、焼結体２８はその重さの割に体格が小さくなる。このことは、気化器１０の小型化に寄与し、ひいては気化装置３全体の小型化に寄与する。
【００３９】
この気化装置３によれば、調節バルブ１１の弁体４４が弁座５１から離れると、供給ポート２６が開かれる。このとき、液室４７に供給される液状のＴＥＯＳは、供給ポート２６を通じて気化室２５へ流れる。この気化装置３では、焼結体２８の少なくとも一部が供給ポート２６に隣接しており、供給ポート２６の軸線方向の長さが比較的短い。このため、バルブ１１と焼結体２８との距離が短くなり、両者１１，２８の間、即ち供給ポート２６の流路中に液状のＴＥＯＳの一部が付着して留まることがない。このことは、調節バルブ１１による液状のＴＥＯＳの調節精度を向上させ、気化器１０で気化されるＴＥＯＳガスの調節精度を向上させる。
【００４０】
この気化装置３では、調節バルブ１１の加圧室４１に対する圧縮空気の供給が停止されると、弁体４４がスプリング５２により直ちに弁座５１に押し付けられて供給ポート２６が閉じられる。従って、気化室２５に対する液状のＴＥＯＳの供給は速やかに遮断され、気化器１０におけるＴＥＯＳガスの生成が速やかに止められる。このため、ガス供給装置から半導体製造装置７へのＴＥＯＳガスの供給を、バルブ１１の作動に合わせて応答性良く、且つ速やかに停止させることができる。
【００４１】
この気化装置３によれば、ヒータ１２が作動すると、焼結体２８が加熱される。このため、焼結体２８を加熱するために、ガス供給装置に別途にヒータを設けて気化装置３を加熱する必要がない。更に、気化装置３をヒータ１２と共に単独で取り扱うことが可能になる。この意味で、気化装置３の取り扱い上の自由度が増し、ガス供給装置の製造が容易になる。
【００４２】
このガス供給装置において、流量コントローラ４は流量計６の検出値に基づいて電空レギュレータ１３を制御し、調節バルブ１１の開度を調節する。これにより、気化器１０から排出されるＴＥＯＳガスの流量が設定流量に調節される。このため、半導体製造装置７に対してＴＥＯＳガスを必要な量だけ正確に供給することが可能になる。
【００４３】
このガス供給装置において、温度コントローラ５は、温度計１４の検出値に基づきヒータ１２を制御し、焼結体２８の加熱温度を調節する。これにより、焼結体２８の温度が設定温度に調節される。設定温度は液状のＴＥＯＳが大流量供給されても安定したＴＥＯＳガスが得られるよう蒸発温度よりも高めに設定する。
【００４４】
尚、この発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で以下のように実施することができる。
【００４５】
（１）前記実施の形態では、焼結体２８を構成する粉体の材料として、ステンレスを使用した。これに対し、粉体の材用として、金属であるチタンや、ＳｉＣ等のセラミックを使用してもよい。
【００４６】
（２）前記実施の形態では、焼結体２８を構成する粉体の材料として、熱伝導性と耐食性を兼ね備えた金属（ステンレス）を使用した。これに対し、熱伝導性のみを有する金属を粉体に使用してもよい。
【００４７】
（３）前記実施の形態では、電空レギュレータ１３で調節される圧縮空気により作動する調節バルブ１１を使用した。これに対し、電気的に駆動される電磁バルブを調節バルブとして使用してもよい。
【００４８】
（４）前記実施の形態では、気化装置３にヒータ１２を一体に設けたが、気化装置３からヒータ１２を省略してもよい。この場合、気化装置を加熱するためには、気化装置の周囲に別途にヒータを設ければよい。
【００４９】
（５）前記実施の形態では、図２に示すように流量計６を気化装置３の二次側に配置したが、この流量計６により液体材料のガス化流量を計測し、その値を流量コントローラ４にフィードバックしても良い。或いは、流量計を流量の調節バルブ１１の一次側に設置し、液体材料の液体流量を計測し、その値をコントローラ４にフィードバックしても良い。
【００５０】
（６）前記実施の形態では、半導体製造装置７にＴＥＯＳガスを供給するために、液体原料として液状のＴＥＯＳを使用した。これに対し、別の目的に使用される気化ガスを発生させるために、液体原料としてＴＥＯＳ以外の原料を使用しても良い。
【００５１】
【発明の効果】
上記請求項１に記載の第１の発明では、熱伝導性を有する粉体の集合物であって圧縮され、焼結された焼結体を気化室に設けている。従って、気化室に供給された液体原料が焼結体の中で毛管現象により拡散され、焼結体が加熱されることにより、その液体が速やかに気化される。焼結体はその粉体の粒径を特定する必要がなく、体格が小さくなり、粉体が飛散することがない。この結果、液体原料を安定的に気化させることができ、気化装置の製造を容易にすることができるという効果を発揮する。
【００５２】
上記請求項２に記載の第２の発明では、第１の発明の構成において、気化室に供給される液体原料の流量を調節するための調節バルブを更に備え、焼結体の少なくとも一部が弁座の孔をなす供給ポートに隣接して配置されている。従って、第１の発明の作用に加え、調節バルブと焼結体との距離が短くなり、両者の間に液体原料の一部が留まることがない。この結果、第１の発明の効果に加え、気化装置により気化されるガスの調節精度を向上させることができるという効果を発揮する。
【００５３】
上記請求項３に記載の第３の発明では、上記第１又は第２の発明の構成において、焼結体を加熱するためのヒータを設けている。従って、第１又は第２の発明の作用に加え、ヒータにより焼結体が加熱されることから、気化装置に対して別途にヒータを設ける必要がなく、気化装置をヒータと共に単独で容易に取り扱うことが可能になる。この結果、第１又は第２の発明の効果に加え、気化装置の取り扱い上の自由度を増大させることができるという効果を発揮する。この意味で、気化装置があるシステムに含まれる場合には、そのシステムの製造を容易にすることができるという効果を発揮する。
【００５４】
上記請求項４に記載の第４の発明では、上記第１又は第２の発明の構成において、気化装置における液体原料の流量又はガスの流量を流量計により計測し、その計測値を流量調整のために使用している。従って、第１又は第２の発明の作用に加え、流量計の計測値に基づいて液体原料の流量又はガスの流量が調整される。この結果、第１又は第２の発明の効果に加え、気化装置により気化されるガスの調節精度を向上させることができるという効果を発揮する。
【００５５】
上記請求項５に記載の第５の発明では、上記第２乃至第４の発明の何れか一つの構成において、気体圧力に基づき作動する調節バルブが液体原料の供給を遮断する機能と、その流量を調節する機能とを有し、高温下で使用されるようになっている。従って、第２乃至第４の発明の何れか一つの作用に加え、調節バルブにより液体原料の遮断又は流量調節が速やかに行われ、同バルブが高い熱にも耐え得る。この結果、第２乃至第４の発明の何れか一つの効果に加え、気化装置における液体原料の気化の応答性を向上させることができるという効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を具体化した一実施の形態に係り、液体原料の気化装置の構造を示す断面図である。
【図２】一実施の形態に係り、気化装置を含むガス供給装置を示す概略構成図である。
【図３】一実施の形態に係り、気化装置から排出されるＴＥＯＳガス流量と流量設定値との関係を示すグラフである。
【図４】一実施の形態に係り、気化装置から排出されるＴＥＯＳガス流量等の変化を示すグラフである。
【図５】従来の気化装置の構造を示す断面図である。
【符号の説明】
１０ 気化器
１１ 調節バルブ
２１ ハウジング
２５ 気化室
２６ 供給ポート
２７ 排出ポート
２８ 焼結体
４４ 弁体
５１ 弁座

Claims (4)

1. ハウジングの内部に形成された気化室に供給される液体原料を加熱し気化させて排出するようにした気化装置であって、
   前記ハウジングは、
   前記気化室に液体原料を供給するための供給ポートと、
   前記気化室で気化されたガスを排出するための排出ポートと、
   前記気化室の周囲に備えるヒータと、
   を有し、
   前記気化室には、
   熱伝導性を有する粉体の集合物、である圧縮され焼結されてなる焼結体を備え、
   前記焼結体の両端部は前記ハウジングに接触して保持され、
   前記焼結体の外周面と前記ハウジングの間に隙間が形成され、
   前記焼結体の片端部に備える突部は、前記ハウジングに形成される凹部に挿入され、
   前記気化室に供給される液体原料の流量を調節するための調節バルブが備える弁座は、前記凹部の底面と対向する面に形成され、
   前記供給ポートは前記弁座に孔状に形成され、前記突部と隣接していることを特徴とする液体原料の気化装置。
2. 請求項１に記載の気化装置は、
   前記調節バルブに、
   前記ハウジングの端部に形成される弁室と、
   前記弁室に接続し液体原料を供給するための液ポートと、
   前記弁座に当接、離間する弁体を
   有し、
   前記弁体はダイアフラムを備えていることを特徴とする液体原料の気化装置。
3. 請求項１又は２に記載の気化装置は、
   前記供給ポートに供給される液体原料の流量又は前記排出ポートから排出されるガスの流量を計測するための流量計を更に備え、
   前記流量計の計測値が前記流量を調整するために使用されることを特徴とする液体原料の気化装置。
4. 請求項１乃至３のいずれかに記載の気化装置において、
   前記調節バルブは気体の圧力に基づいて作動するものであり、
   前記液体原料の供給を遮断する機能と、
   その液体原料の流量を調節する機能と
   を有し、
   前記液体原料が気化されるときの高温下で使用されること
   を特徴とする液体原料の気化装置。

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