JPH10337464A

JPH10337464A - 液体原料の気化装置

Info

Publication number: JPH10337464A
Application number: JP14615397A
Authority: JP
Inventors: Yoshihisa Sudo; 良久須藤; Minoru Ito; 稔伊藤; Katsuya Okumura; 勝弥奥村; Yoshitaka Tsunashima; 祥隆綱島
Original assignee: Toshiba Corp; CKD Corp
Current assignee: Toshiba Corp; CKD Corp
Priority date: 1997-06-04
Filing date: 1997-06-04
Publication date: 1998-12-22
Anticipated expiration: 2017-06-04
Also published as: JP3938391B2

Abstract

(57)【要約】【課題】液体原料を安定的に気化させ、自身の製造を
容易にし、気化ガスの調節精度を向上させる気化装置を
提供すること。【解決手段】気化装置３は供給ポート２６よりハウジ
ング２１の気化室２５に供給される液体原料をヒータ１
２により加熱し、気化させて排出ポート２７から排出す
る。気化室２５には焼結体２８が設けられる。焼結体２
８は熱伝導性と耐食性を有する粉体の集合物を所定の気
孔率を有する状態で圧縮し、焼結することにより形成さ
れる。気化装置３は、気化室２５に供給される液体原料
の流量を調節する調節バルブ１１を備える。調節バルブ
１１は弁体４４と、弁座５１とを有し、弁座５１はその
中心に供給ポート２６を含む。焼結体２８の一部は供給
ポート２６に隣接して配置される。ハウジング２１の外
周に設けられたヒータ１２は、焼結体２８を加熱するた
めに作動する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、特定のガスを得
るために特定の液体原料を気化するようにした気化装置
に関する。例えば、半導体製造装置で使用される反応ガ
スを得るために液体原料を気化するようにした気化装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、特定のガスを得るために特定
の液体原料を加熱して気化するようにした気化装置があ
る。例えば、半導体の製造装置において、半導体基板は
その上面に絶縁膜を形成する過程で反応ガスの供給を受
ける。ここで、製造装置に対して反応ガスを供給するた
めの装置は、上記の気化装置を含む。

【０００３】特開平４―４５８３８号及び特開平５―２
２８３６１号の各公報は上記のような気化装置の一例を
開示する。図５に示すように、この気化装置７１は円筒
状のヒーターブロック７２を備える。このブロック７２
は内部に気化室７３を有する。ブロック７２の外周には
ヒータ７４が設けられる。気化室７３には、所定量の粉
体の集合物７５が充填される。この粉体は熱伝導性及び
耐腐食性を有する材料よりなる。ブロック７２はその両
端に気化室７３に通じる供給ポート７６及び排出ポート
７７を有する。気化室７３から粉体がこぼれるのを防ぐ
ために、各ポート７６，７７には、網７８，７９が設け
られる。供給ポート７６には、気化室７３にキャリアガ
スを供給するための大径のパイプ８０が接続される。供
給ポート７６には、気化室７３に液体原料を供給するた
めの小径のパイプ８１が接続される。小径パイプ８１は
大径パイプ８０の中を延び、その先端が粉体の集合物７
５の中に挿入される。小径パイプ８１はその先端に、他
の部位よりも細い細径部８２を有する。この細径部８２
の内径は粉体の粒径よりも小さく設定される。小径パイ
プ８１に接続されたバルブ８３は、液体原料の流量を調
節する。大径パイプ８０に接続されたバルブ８４は、キ
ャリアガスの流量を調節する。排出ポート７７に接続さ
れた流量計８５は、気化室７３から排出されるガス流量
を計測する。

【０００４】粉体の集合物７５はヒータ７４により加熱
される。このとき、両パイプ８０，８１を通じて気化室
７３にキャリアガス及び液体原料が供給される。小径パ
イプ８１の細径部８２から気化室７３に流れ出た液体
は、加熱された粉体の集合物７５と接触することによ
り、短時間のうちに気化される。気化ガスはキャリアガ
スにより搬送されて気化室７３を流れ、排出ポート７７
から外部へ排出される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記気化装
置７１では、小径パイプ８１の先端が粉体の集合物７５
の中に配置される。細径部８２の内径が粉体の粒径より
も小さく設定されているのは、粉体がパイプ８１の中に
入るのを防ぐためである。細径部８２を粉体の集合物７
５の中に配置すること、或いは、粉体の粒径を細径部８
２の内径に対応して特定することは面倒なものであり、
装置７１を製造する上で手間になる。更に、細径部８２
には液体原料中の異物が滞留することも考えられ、その
ことが細径部８２の目詰まりの原因にもなり得る。

【０００６】上記気化装置７１では、粉体の集合物７５
とバルブ８３との間にある程度の距離が設けられている
ことから、バルブ８３が粉体を噛み込むなどのおそれは
少ない。しかしながら、バルブ８３と粉体の集合物７５
との間の距離が長い分だけ、小径パイプ８１の内壁に液
体が付着することもあり得る。このことは、バルブ８３
による液体原料の調節精度を悪化させ、気化ガスの調節
精度を低下させることにもなる。

【０００７】この発明は上記事情に鑑みてなされたもの
であって、その第１の目的は、液体原料を安定的に気化
させると共に、製造を容易にすることを可能にした液体
原料の気化装置を提供することにある。

【０００８】この発明の第２の目的は、上記第１の目的
に加え、気化ガスの調節精度を向上させることを可能に
した液体原料の気化装置を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記第１の目的を達成す
るために請求項１に記載の第１の発明は、外部からハウ
ジングの気化室に供給される液体原料を加熱し気化させ
て排出するようにした気化装置であって、ハウジングは
気化室に液体原料を供給するための供給ポートと、気化
室で気化されたガスを排出するための排出ポートとを有
し、気化室には熱伝導性を有する粉体の集合物が設けら
れ、その粉体の集合物は圧縮され、焼結された焼結体を
なしていることを趣旨とする。

【００１０】上記第１の発明の構成によれば、供給ポー
トを通じて気化室に供給された液体原料は粉体の焼結体
の中で毛管現象により拡散される。このとき、焼結体が
加熱されることにより、液体が加熱されて速やかに気化
される。気化により得られたガスは、排出ポートから気
化室の外へ排出される。

【００１１】ここで、焼結体は粉体の集合物が圧縮さ
れ、焼結されることにより形成される。このため、圧縮
及び焼結される粉体につき、その粒径の大きさを特定す
る必要はない。焼結体の体格はその重さの割に小さくな
る。焼結体であることから、粉体の粒が飛散したり、そ
の結果として気化室からこぼれ出たりすることがない。

【００１２】上記第２の目的を達成するために請求項２
に記載の第２の発明は、第１の発明の構成において、気
化室に供給される液体原料の流量を調節するための調節
バルブを更に備え、その調節バルブは弁体と、その弁体
に接触する弁座とを含み、供給ポートが弁座の孔をな
し、焼結体の少なくとも一部が供給ポートに隣接して配
置されていることを趣旨とする。

【００１３】上記第２の発明の構成によれば、第１の発
明の作用に加え、調節バルブの弁体が作動して弁座から
離れることにより、供給ポートが開かれる。焼結体の少
なくとも一部が供給ポートに隣接して配置されることか
ら、調節バルブと焼結体との距離が短くなり、両者の間
に液体原料の一部が滞留することがない。

【００１４】上記第１又は第２の目的を達成するために
請求項３に記載の第３の発明は、第１又は第２の発明の
構成において、焼結体を加熱するためのヒータを更に備
えたことを趣旨とする。

【００１５】上記第３の発明の構成によれば、第１又は
第２の発明の作用に加え、ヒータが作動することによ
り、液体原料を気化するために焼結体が加熱される。こ
のため、焼結体を加熱するために、別途にヒータを設け
る必要がない。気化装置をヒータと共に単独で取り扱う
ことが可能になる。

【００１６】上記第１又は第２の目的を達成するために
請求項４に記載の第４の発明は、第１又は第２の発明の
構成において、供給ポートに供給される液体原料の流量
又は排出ポートから排出されるガスの流量を計測するた
めの流量計を更に備え、流量計の計測値が流量を調整す
るために使用されることを趣旨とする。

【００１７】上記第４の発明の構成によれば、第１又は
第２の発明の作用に加え、流量計の計測値が流量調整の
ために使用されることにより、気化装置の供給ポートに
供給される液体原料の流量、又は気化装置の排出ポート
から排出されるガスの流量が調整される。

【００１８】上記第１又は第２の目的を達成するために
請求項５に記載の第５の発明は、第２乃至第４の発明の
何れか一つの構成において、調節バルブは気体の圧力に
基づいて作動するものであり、液体原料の供給を遮断す
る機能と、その液体原料の流量を調節する機能とを有
し、液体原料が気化されるときの高温下で使用されるこ
とを趣旨とする。

【００１９】上記第５の発明の構成によれば、第２乃至
第４の発明の何れか一つの作用に加え、気体の圧力に基
づき作動することから、液体原料の遮断又は流量調節が
速やかに行われる。液体原料を気化させるための熱にも
耐え得る。

【００２０】

【発明の実施の形態】上記第１〜第３の発明に係る液体
原料の気化装置の一実施の形態を図面を参照して詳細に
説明する。この実施の形態では、半導体の製造装置に反
応ガスを供給するためのガス供給装置に本発明の気化装
置が具体化される。

【００２１】図２はガス供給装置の概略構成を示す。一
般に、半導体の製造装置では、半導体基板の上に絶縁膜
を気層成膜する過程で、特定の反応ガスを供給する必要
がある。この実施の形態では、絶縁膜として、化学蒸着
成膜法（ＣＶＤ）により気相成膜される酸化珪素薄膜が
適用される。酸化珪素薄膜を得るための特定ガスとし
て、常温常圧の下で液状をなす有機シラン（ＴＥＯＳ）
が使用される。

【００２２】ガス供給装置はタンク１と、ガス流量制御
ユニット２とを備える。タンク１は液状のＴＥＯＳを液
体原料として貯留する。制御ユニット２は本発明に係る
気化装置３と、流量コントローラ４と、温度コントロー
ラ５とを有する。液状のＴＥＯＳを気化するために、気
化装置３にはタンク１から液状のＴＥＯＳが供給され
る。気化装置３により気化されたＴＥＯＳのガスは流量
計６を介して半導体製造装置７に導入され、ポンプ８か
ら吐出される。タンク１には、窒素ガスが所定の圧力を
もって供給される。窒素ガスの圧力は、レギュレータ９
により所定の値に調整される。

【００２３】気化装置３は、液状のＴＥＯＳを気化する
ための気化器１０と、調節バルブ１１と、ヒータ１２と
を備える。バルブ１１は気化器１０に供給される液状の
ＴＥＯＳの量を調節する。ヒータ１２は気化器１０を加
熱する。バルブ１１を作動させるために、バルブ１１に
は、電空レギュレータ１３を介して圧縮空気が供給され
る。

【００２４】流量コントローラ４には、流量計６により
検出されるガス流量の値が入力される。このコントロー
ラ４には、作業者により任意に設定される流量設定値が
入力される。コントローラ４は、気化装置３から排出さ
れるＴＥＯＳのガス流量が所定の設定流量となるよう
に、電空レギュレータ１３を制御し、これによってバル
ブ１１の開度を調節する。図３は気化装置３から排出さ
れるＴＥＯＳガスの流量と、流量設定値との関係を示
す。コントローラ４は、このグラフに示すような流量設
定値に対するガス流量が得られるように、電空レギュレ
ータ１３を制御する。

【００２５】温度コントローラ５には、温度計１４によ
り検出される気化器１０の温度値が入力される。このコ
ントローラ５には、作業者により任意に設定される温度
設定値が入力される。コントローラ５は、気化器１０の
温度が、設定された温度となるようにヒータ１２を制御
する。

【００２６】図１は気化装置３の構造を示す。調節バル
ブ１１と、気化器１０とは互いに一体に組み付けられ
る。気化器１０はハウジング２１を有する。ハウジング
２１は円筒２２と、その円筒２２の両端を塞ぐ第１の蓋
体２３及び第２の蓋体２４とからなる。ハウジング２１
はその内部に気化室２５を有する。気化室２５では、液
状のＴＥＯＳが気化される。ハウジング２１は供給ポー
ト２６と、排出ポート２７とを有する。気化室２５に
は、供給ポート２６を通じて液状のＴＥＯＳが供給され
る。気化室２５で気化されたＴＥＯＳガスは排出ポート
２７を通じて外部へ排出される。排出ポート２７の内径
は比較的大きく、供給ポート２６の内径は比較的微細で
ある。気化室２５には金属製の粉体の集合物よりなる焼
結体２８が設けられる。この粉体は、熱伝導性と耐食性
を兼ね備えた金属よりなる。この実施の形態では、上記
金属製の粉体として、ステンレス製の粉体が使用され
る。焼結体２８はステンレス製粉体の集合物を所定の気
孔率を有する状態で圧縮し、その上で焼結することによ
り形成される。焼結体２８は円柱状をなし、その一端に
小径の突部２８ａを有する。焼結体２８の外周面とハウ
ジング２１の内周面との間には、所定の隙間２９が設け
られる。

【００２７】調節バルブ１１はハウジング２１の供給ポ
ート２６の側に配置される。このバルブ１１はケーシン
グ３１を有する。ケーシング３１は中心に孔３２を有す
る胴体３３と、その胴体３３の一端に配置されたキャッ
プ３４と、胴体３３の他端に配置された前記第１の蓋体
２３とからなる。第１の蓋体２３はハウジング２１とケ
ーシング３１とに兼用される。ケーシング３１はその内
部に、孔３２を境に区画された第１の室３５と、第２の
室３６とを有する。孔３２には、弁ロッド３７が摺動可
能に設けられる。弁ロッド３７の一端には、押え金３８
を介して第１のダイアフラム３９が取り付けられる。第
１の室３５は、このダイアフラム３９により大気室４０
と、加圧室４１とに区画される。大気室４０には、キャ
ップ３４に設けられた大気ポート４２を通じて大気が導
入される。加圧室４１には、胴体３３に設けられた加圧
ポート４３を通じて圧縮空気が供給される。加圧室４１
に供給される圧縮空気は、電空レギュレータ１３により
調節される。

【００２８】弁ロッド３７の他端には、弁体４４が取り
付けられる。弁体４４の外周には第２のダイアフラム４
５が取り付けられる。第２の室３６は、このダイアフラ
ム４５により大気室４６と、液室４７とに区画される。
このダイアフラム４５の外周縁はダイアフラム４５と一
体にテフロンのリング４８が設けられており、ケーシン
グ３１と蓋体２３で挟み込むことでシールされる。大気
室４６には、胴体３３に設けられた大気ポート４９を通
じて大気が導入される。液室４７には、第１の蓋体２３
に設けられた液ポート５０を通じて液状のＴＥＯＳが供
給される。

【００２９】調節バルブ１１は弁体４４の他に、その弁
体４４に接する弁座５１を含む。この弁座５１は第１の
蓋体２３に設けられる。弁座５１はその中心に孔を有す
る。前述した微細な供給ポート２６は弁座５１の孔をな
している。弁座５１の部位に対応する蓋体２３の肉厚は
比較的小さい。このため、供給ポート２６の軸線方向の
長さは比較的短い。気化室２５に配置された焼結体２８
の突部２８ａは供給ポート２６に隣接して配置される。

【００３０】弁体４４が弁座５１に接することにより、
供給ポート２６が閉じられる。弁体４４が弁座５１から
離れることにより、供給ポート２６が開かれる。供給ポ
ート２６が開かれることにより、液室４７に供給される
液状のＴＥＯＳが、そのポート２６を通じて気化室２５
に供給される。

【００３１】第１の室３５の大気室４０には、圧縮スプ
リング５２が設けられる。このスプリング５２は、弁体
４４が弁座５１に接する方向へ押されるように弁ロッド
３７を付勢する。従って、加圧室４１に圧縮空気が供給
されることにより、第１のダイアフラム３９が弁ロッド
３７と共にスプリング５２の付勢力に抗して大気室４０
の側へ変位する。この変位に伴い、弁体４４が弁座５１
から離れ、供給ポート２６が開かれる。このポート２６
の開度は、加圧室４１に供給される圧縮空気の量に応じ
て変えられる。供給ポート２６の開度が変わることによ
り、液室４７から気化室２５に供給される液状のＴＥＯ
Ｓの量が調節される。

【００３２】気化器１０において、ヒータ１２はハウジ
ング２１の外周に設けられる。ヒータ１２は熱線を含
み、その熱線がハウジング２１の外周に沿って巻かれ
る。このヒータ１２が通電により作動することにより、
ハウジング２１が加熱される。この結果、ハウジング２
１を介して焼結体２８が加熱される。

【００３３】上記のように構成されたガス供給装置にお
ける気化装置３の動作を説明する。この気化装置３によ
れば、供給ポート２６を通じて気化室２５に供給される
液状のＴＥＯＳが粉体の焼結体２８の中で毛管現象によ
り拡散される。このとき、焼結体２８がヒータ１２によ
り加熱されると、その焼結体２８の中で液状のＴＥＯＳ
が加熱されて速やかに気化される。このため、気化装置
３は液状のＴＥＯＳを常に安定的に気化させることがで
きる。

【００３４】気化により得られたＴＥＯＳガスは、隙間
２９を流れ、排出ポート２７から気化室２５の外へ安定
的に排出される。排出されたＴＥＯＳガスは、流量計６
及びポンプ７を介して半導体製造装置７に供給される。

【００３５】図４はこの気化装置３から排出されるＴＥ
ＯＳガス流量の安定性を示す。このグラフは、気化装置
３から排出されるガス流量が所定の設定流量ＦＲとなる
ように、気化装置３に液状のＴＥＯＳを長時間供給した
ときのガス流量の変化を示す。このグラフにおいて、実
線はＴＥＯＳガス流量を示し、一点鎖線は加圧室４１に
加えられる圧縮空気の圧力を示し、二点鎖線は気化室２
５における圧力を示す。このグラフに示すように、時刻
ｔ１において調節バルブ１１の操作圧力が急激に増加す
ると、ＴＥＯＳガス流量は直ちに増加する。時刻ｔ２に
おいてその操作圧力が急激に低下すると、ＴＥＯＳガス
流量は速やかに低下する。両時刻ｔ１，ｔ２の間で、Ｔ
ＥＯＳガス流量は設定流量ＦＲに収束するように安定し
た状態を示すことが分かる。

【００３６】ここで、焼結体２８はステンレス製粉体の
集合物が一旦圧縮された上で、焼結されることにより形
成される。従って、この気化装置３では、粉体の粒が飛
散したり、その結果として粉体の粒が気化室２５からこ
ぼれ出たりすることがない。粉体の粒が供給ポート２６
に入り込むおそれもない。このため、粉体の粒径を供給
ポート２６の内径に対応させて特定する必要がない。こ
のことは、気化装置３を製造する上で手間を省き、装置
３の製造を容易なものにすることができる。

【００３７】供給ポート２６に粉体が入り込むおそれが
ないことから、同ポート２６の内径を必要以上に小さく
する必要がない。従って、液状のＴＥＯＳの中に異物が
混入していたとしても、その異物が供給ポート２６の中
に滞留することはない。このため、供給ポート２６が異
物によって目詰まりを起こすおそれがない。

【００３８】この気化装置３では、焼結体２８を得るた
めに、粉体の集合物が圧縮されている。このため、焼結
体２８はその重さの割に体格が小さくなる。このこと
は、気化器１０の小型化に寄与し、ひいては気化装置３
全体の小型化に寄与する。

【００３９】この気化装置３によれば、調節バルブ１１
の弁体４４が弁座５１から離れると、供給ポート２６が
開かれる。このとき、液室４７に供給される液状のＴＥ
ＯＳは、供給ポート２６を通じて気化室２５へ流れる。
この気化装置３では、焼結体２８の少なくとも一部が供
給ポート２６に隣接しており、供給ポート２６の軸線方
向の長さが比較的短い。このため、バルブ１１と焼結体
２８との距離が短くなり、両者１１，２８の間、即ち供
給ポート２６の流路中に液状のＴＥＯＳの一部が付着し
て留まることがない。このことは、調節バルブ１１によ
る液状のＴＥＯＳの調節精度を向上させ、気化器１０で
気化されるＴＥＯＳガスの調節精度を向上させる。

【００４０】この気化装置３では、調節バルブ１１の加
圧室４１に対する圧縮空気の供給が停止されると、弁体
４４がスプリング５２により直ちに弁座５１に押し付け
られて供給ポート２６が閉じられる。従って、気化室２
５に対する液状のＴＥＯＳの供給は速やかに遮断され、
気化器１０におけるＴＥＯＳガスの生成が速やかに止め
られる。このため、ガス供給装置から半導体製造装置７
へのＴＥＯＳガスの供給を、バルブ１１の作動に合わせ
て応答性良く、且つ速やかに停止させることができる。

【００４１】この気化装置３によれば、ヒータ１２が作
動すると、焼結体２８が加熱される。このため、焼結体
２８を加熱するために、ガス供給装置に別途にヒータを
設けて気化装置３を加熱する必要がない。更に、気化装
置３をヒータ１２と共に単独で取り扱うことが可能にな
る。この意味で、気化装置３の取り扱い上の自由度が増
し、ガス供給装置の製造が容易になる。

【００４２】このガス供給装置において、流量コントロ
ーラ４は流量計６の検出値に基づいて電空レギュレータ
１３を制御し、調節バルブ１１の開度を調節する。これ
により、気化器１０から排出されるＴＥＯＳガスの流量
が設定流量に調節される。このため、半導体製造装置７
に対してＴＥＯＳガスを必要な量だけ正確に供給するこ
とが可能になる。

【００４３】このガス供給装置において、温度コントロ
ーラ５は、温度計１４の検出値に基づきヒータ１２を制
御し、焼結体２８の加熱温度を調節する。これにより、
焼結体２８の温度が設定温度に調節される。設定温度は
液状のＴＥＯＳが大流量供給されても安定したＴＥＯＳ
ガスが得られるよう蒸発温度よりも高めに設定する。

【００４４】尚、この発明は上記実施の形態に限定され
るものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で以下の
ように実施することができる。

【００４５】（１）前記実施の形態では、焼結体２８を
構成する粉体の材料として、ステンレスを使用した。こ
れに対し、粉体の材用として、金属であるチタンや、Ｓ
ｉＣ等のセラミックを使用してもよい。

【００４６】（２）前記実施の形態では、焼結体２８を
構成する粉体の材料として、熱伝導性と耐食性を兼ね備
えた金属（ステンレス）を使用した。これに対し、熱伝
導性のみを有する金属を粉体に使用してもよい。

【００４７】（３）前記実施の形態では、電空レギュレ
ータ１３で調節される圧縮空気により作動する調節バル
ブ１１を使用した。これに対し、電気的に駆動される電
磁バルブを調節バルブとして使用してもよい。

【００４８】（４）前記実施の形態では、気化装置３に
ヒータ１２を一体に設けたが、気化装置３からヒータ１
２を省略してもよい。この場合、気化装置を加熱するた
めには、気化装置の周囲に別途にヒータを設ければよ
い。

【００４９】（５）前記実施の形態では、図２に示すよ
うに流量計６を気化装置３の二次側に配置したが、この
流量計６により液体材料のガス化流量を計測し、その値
を流量コントローラ４にフィードバックしても良い。或
いは、流量計を流量の調節バルブ１１の一次側に設置
し、液体材料の液体流量を計測し、その値をコントロー
ラ４にフィードバックしても良い。

【００５０】（６）前記実施の形態では、半導体製造装
置７にＴＥＯＳガスを供給するために、液体原料として
液状のＴＥＯＳを使用した。これに対し、別の目的に使
用される気化ガスを発生させるために、液体原料として
ＴＥＯＳ以外の原料を使用しても良い。

【００５１】

【発明の効果】上記請求項１に記載の第１の発明では、
熱伝導性を有する粉体の集合物であって圧縮され、焼結
された焼結体を気化室に設けている。従って、気化室に
供給された液体原料が焼結体の中で毛管現象により拡散
され、焼結体が加熱されることにより、その液体が速や
かに気化される。焼結体はその粉体の粒径を特定する必
要がなく、体格が小さくなり、粉体が飛散することがな
い。この結果、液体原料を安定的に気化させることがで
き、気化装置の製造を容易にすることができるという効
果を発揮する。

【００５２】上記請求項２に記載の第２の発明では、第
１の発明の構成において、気化室に供給される液体原料
の流量を調節するための調節バルブを更に備え、焼結体
の少なくとも一部が弁座の孔をなす供給ポートに隣接し
て配置されている。従って、第１の発明の作用に加え、
調節バルブと焼結体との距離が短くなり、両者の間に液
体原料の一部が留まることがない。この結果、第１の発
明の効果に加え、気化装置により気化されるガスの調節
精度を向上させることができるという効果を発揮する。

【００５３】上記請求項３に記載の第３の発明では、上
記第１又は第２の発明の構成において、焼結体を加熱す
るためのヒータを設けている。従って、第１又は第２の
発明の作用に加え、ヒータにより焼結体が加熱されるこ
とから、気化装置に対して別途にヒータを設ける必要が
なく、気化装置をヒータと共に単独で容易に取り扱うこ
とが可能になる。この結果、第１又は第２の発明の効果
に加え、気化装置の取り扱い上の自由度を増大させるこ
とができるという効果を発揮する。この意味で、気化装
置があるシステムに含まれる場合には、そのシステムの
製造を容易にすることができるという効果を発揮する。

【００５４】上記請求項４に記載の第４の発明では、上
記第１又は第２の発明の構成において、気化装置におけ
る液体原料の流量又はガスの流量を流量計により計測
し、その計測値を流量調整のために使用している。従っ
て、第１又は第２の発明の作用に加え、流量計の計測値
に基づいて液体原料の流量又はガスの流量が調整され
る。この結果、第１又は第２の発明の効果に加え、気化
装置により気化されるガスの調節精度を向上させること
ができるという効果を発揮する。

【００５５】上記請求項５に記載の第５の発明では、上
記第２乃至第４の発明の何れか一つの構成において、気
体圧力に基づき作動する調節バルブが液体原料の供給を
遮断する機能と、その流量を調節する機能とを有し、高
温下で使用されるようになっている。従って、第２乃至
第４の発明の何れか一つの作用に加え、調節バルブによ
り液体原料の遮断又は流量調節が速やかに行われ、同バ
ルブが高い熱にも耐え得る。この結果、第２乃至第４の
発明の何れか一つの効果に加え、気化装置における液体
原料の気化の応答性を向上させることができるという効
果を発揮する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を具体化した一実施の形態に係り、液体
原料の気化装置の構造を示す断面図である。

【図２】一実施の形態に係り、気化装置を含むガス供給
装置を示す概略構成図である。

【図３】一実施の形態に係り、気化装置から排出される
ＴＥＯＳガス流量と流量設定値との関係を示すグラフで
ある。

【図４】一実施の形態に係り、気化装置から排出される
ＴＥＯＳガス流量等の変化を示すグラフである。

【図５】従来の気化装置の構造を示す断面図である。

【符号の説明】

１０気化器１１調節バルブ２１ハウジング２５気化室２６供給ポート２７排出ポート２８焼結体４４弁体５１弁座

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者伊藤稔東京都千代田区内神田３丁目６番３号シーケーディ株式会社シーケーディ第二ビル内 (72)発明者奥村勝弥神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番株式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者綱島祥隆神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番株式会社東芝横浜事業所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】外部からハウジングの気化室に供給され
る液体原料を加熱し気化させて排出するようにした気化
装置であって、前記ハウジングは前記気化室に液体原料を供給するため
の供給ポートと、前記気化室で気化されたガスを排出す
るための排出ポートとを有し、前記気化室には熱伝導性
を有する粉体の集合物が設けられ、その粉体の集合物は
圧縮され、焼結された焼結体をなしていることを特徴と
する液体原料の気化装置。
【請求項２】請求項１に記載の気化装置は、前記気化
室に供給される液体原料の流量を調節するための調節バ
ルブを更に備え、前記調節バルブは弁体と、その弁体に
接触する弁座とを含み、前記供給ポートが前記弁座の孔
をなし、前記焼結体の少なくとも一部が前記供給ポート
に隣接して配置されていることを特徴とする液体原料の
気化装置。
【請求項３】請求項１又は２に記載の気化装置は、前
記焼結体を加熱するためのヒータを更に備えたことを特
徴とする液体原料の気化装置。
【請求項４】請求項１又は２に記載の気化装置は、前
記供給ポートに供給される液体原料の流量又は前記排出
ポートから排出されるガスの流量を計測するための流量
計を更に備え、前記流量計の計測値が前記流量を調整す
るために使用されることを特徴とする液体原料の気化装
置。
【請求項５】請求項２乃至４の何れか一つに記載の気
化装置において、前記調節バルブは気体の圧力に基づいて作動するもので
あり、前記液体原料の供給を遮断する機能と、その液体
原料の流量を調節する機能とを有し、前記液体原料が気
化されるときの高温下で使用されることを特徴とする液
体原料の気化装置。