JPH08111531A - 薄膜トランジスタのための多段階cvd法 - Google Patents
薄膜トランジスタのための多段階cvd法Info
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- C23C16/34—Nitrides
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Abstract
モルファスシリコン層を充分な堆積速度で堆積する方法
を提供する。 【構成】 アモルファスシリコンの界面近くの材料の層
は、低い堆積速度で堆積される。この界面から離れた材
料の層は、高い堆積速度で堆積される。この方法は、高
い堆積速度で堆積された平均的な品質のg−SiNx 膜
の頂面の上に低い堆積速度で高品質のg−SiNx 膜を
堆積し、次いで、アモルファスシリコン層を堆積するこ
とにより実施できる。また、このプロセスでは、まず低
い堆積速度で高品質のa−Si層をg−SiNx 層の上
に堆積して界面を形成し、次に、高い堆積速度で平均的
な品質のa−Si層を堆積してa−Si層を完成させ
る。
Description
(CVD)プロセスにおいてアモルファスシリコンと窒
化珪素とを含む電子材料を基板上に多層に連続的に堆積
する方法に関する。特に、本発明は、2段階の高い堆積
速度/低い堆積速度のプロセスにより、アモルファスシ
リコンと窒化珪素とを含む電子材料を基板上に多層に連
続的に堆積する方法に関し、このプロセスの間に、別の
材料との界面に隣接する層が低い堆積速度で堆積され
る。
セスは、電子材料を様々な基板上に堆積する半導体デバ
イスの製造に広く用いられている。PECVDプロセス
では、平行板や、チャンバ内に電気エネルギーを結合さ
せるヘリカルコイル等の他の手段を備えた真空堆積チャ
ンバの中に基板が置かれる。一般には、基板はサセプタ
の上に載せられる。このサセプタは、下側の電極でもあ
る。流入マニホールドを介して堆積チャンバ内に反応体
ガスが流入される。この流入マニホールドは、上側の電
極でもある。この2つの電極間には高周波(RF)電圧
が印加されて、反応体ガスにプラズマを形成する充分高
いRF電力を発生させる。プラズマは、反応体ガスを活
発に反応させ、基板体の表面上に所望の材料の層を堆積
させる。堆積チャンバ内に、堆積させようとする別の電
子材料を含んだ反応体ガスを流すことによって、最初の
層の上に別の電子材料の層を堆積させることも可能であ
る。反応体ガスはそれぞれプラズマに暴露されて、所望
の材料の層が堆積される。
液晶セルが用いられるようになってきた。このタイプの
液晶セルは接合する2枚のガラス板を備え、その中に液
晶材料の層がサンドイッチされている。このガラスの基
板には導電性の薄膜がコーティーングされ、基板の少な
くとも1つは透明である。これら基板は電力ソースに接
続され、液晶材料の配向を変化させて、導電性薄膜を適
正にパターン化することで液晶材料の様々なエリアがア
ドレス可能となる。特に近年、液晶セルのエリアを別々
に高速でアドレスするために、薄膜トランジスタ(TF
T)が用いられている。この種の液晶セルは、TVやコ
ンピューターのモニター等のアクティブマトリックスデ
ィスプレイに有用である。
っており、ピクセルと呼ばれる液晶セルの複数のエリア
に対して別々にアドレスすることが望ましい。近年のデ
ィスプレイパネルでは、通常1,000,000以上の
ピクセルが存在しており、各ピクセルを別々にアドレス
し2つの安定な状態の内の1つにラッチするように、同
数のトランジスタがガラス板上に形成されている必要が
ある。
は主に2つのタイプがあり、これらは、バックチャンネ
ルエッチング(BCE)薄膜トランジスタとエッチング
停止(E/S)薄膜トランジスタである。このアモルフ
ァスシリコンベースの薄膜トランジスタを製造する効率
は、利用されるPECVDプロセスによって制限されて
いる。高品質のゲート窒化珪素(g−SiNx )膜及び
アモルファスシリコン(a−Si)膜を高い堆積速度で
製造して高い製造効率と高いスループットを得ることは
難しい。ここでSiNx とは、Si:Nの化学組成比が
厳密に3:4、即ちSi3 N4 であってもよく、そうで
なくてもよい。例えば、SiNx は3:4よりも高いS
i:Nの原子比を有する全ての窒化珪素を含み、又は、
3:4よりも低いSi:Nの原子比を有する全ての窒化
珪素を含む。また、アモルファスシリコンとは、結晶性
の構造を含まない完全なアモルファス構造を有するシリ
コンのことを指す。
(BCE薄膜トランジスタ)デバイスでは、g−SiN
x 及びa−Siの厚膜を堆積する必要がある。この膜厚
は通常250〜500nmの範囲である。産業上利用さ
れる高品質な膜を製造するための代表的な堆積速度は、
約20nm/min.である。このような低い堆積で
は、基板製造プロセスの効率は非常に低くなる。しか
し、300nm程度の高い堆積速度を用いた場合、許容
できない膜質の膜しか得られない。
適する高い堆積速度で薄膜トランジスタ基板上にg−S
iNx 及びa−Siの厚膜を多層に堆積する方法を提供
することにある。
スタ基板上にg−SiNx 及びa−Siの厚膜を高い堆
積速度で堆積し、製造プロセスに適する非常に高い品質
の膜を製造する方法を提供することにある。
スタ基板上へ窒化珪素層及びアモルファスシリコン層を
充分な堆積速度で堆積し、なお膜の品質を非常に高く維
持する方法を提供する。
では、アモルファスシリコンの界面近くの材料の層は、
非常に高い品質の膜を実現する低い堆積速度で堆積され
る。この界面から離れた材料の層は、多少劣るがなお高
品質の膜質の膜を堆積させる高い堆積速度で堆積され
る。本発明を用いることにより、全体的に非常に高品質
な薄膜トランジスタを非常に高い効率で製造することが
可能である。
a−Si層を堆積する前に、高い堆積速度で堆積された
平均的な品質のg−SiNx 膜の頂面の上に低い堆積速
度で高品質のg−SiNx 膜を堆積することにより実施
できる。また、このプロセスでは、まず低い堆積速度で
高品質のa−Si層をg−SiNx 層の上に堆積して界
面を形成し、次に、高い堆積速度で平均的な品質のa−
Si層を堆積してa−Si層を完成させる。アモルファ
スシリコンの活性半導体層との界面であれば、この特異
なプロセスを応用することが可能である。これは、BC
ETFTデバイスにもESTFT(エッチング停止薄膜
トランジスタ)デバイスにも応用可能である。
素層及びアモルファスシリコン層を充分な堆積速度で堆
積して非常に高い品質の膜を生成する改良された方法を
開示する。特に本発明は、薄膜トランジスタ(TFT)
を形成するa−Si膜とg−SiNx 膜との組合わせに
有用である。
施可能なプラズマ励起CVDチャンバ10の断面図が概
念的に示される。装置10は堆積チャンバ12を備え、
堆積チャンバ12は、頂壁面14の向こう側にチャンバ
内部の空胴部と、この空胴部内に第1の電極ないし流入
マニホールド16とを備える。または、頂面14は、そ
の内面と隣接した電極16と一体であってもよい。チャ
ンバ12内には、第1の電極16と平行な方向に伸びる
板の形態のサセプタ18がある。サセプタ18は、典型
的にはアルミニウム製で、酸化アルミニウムの層が被覆
されている。サセプタ18は大地に接続されて第2の電
極として作用する。サセプタ18は、堆積チャンバ12
の底面22を介して垂直に伸びるシャフト20の端面上
に設置されている。シャフト20は垂直方向に可動であ
り、サセプタ16が第1の電極16から遠ざかる方向に
移動することが可能である。サセプタ18と、サセプタ
18と実質的に平行であるチャンバ12の底面22との
間には、リフトオフ板24が水平方向に伸びている。リ
フトオフ板24からは、リフトオフピン26が垂直方向
上向きに突出している。リフトオフピン26はサセプタ
18の穴28を通って伸張するすることができるような
位置に置かれ、サセプタ18の厚さよりも少しだけ大き
い長さを有している。図にはリフトオフピンが2つしか
示されていないが、リフトオフ板上にわたってもっと多
くのリフトオフピン26が間隔をおいて置かれていても
よい。ガス流出口30は、堆積チャンバ12の側壁32
を通って伸張し、堆積チャンバ12を脱気する手段(図
示されず)に接続される。ガス流入パイプ42は、堆積
チャンバ12の第1の電極ないし流入マニホールド16
を通って伸張し、ガススイッチング網(図示されず)を
介していろいろなガスのソース(図示されず)に接続さ
れる。第1の電極16は、RF電力ソース36に接続さ
れる。通常は、移送板(図示されず)が具備されて、ロ
ードロックドア(図示されず)を介して堆積チャンバ1
2内へ、更にサセプタ18上へと基板を移動させ、ま
た、コーティングの済んだ基板を堆積チャンバ12から
除去する。Turnerらの米国特許出願通し番号08/01
0,683(1993年1月28日出願)には、このよ
うな装置が開示されている。
基板38が移送板(図示されず)によって堆積チャンバ
12内に導入されて、サセプタ18上に置かれる。基板
38は、サセプタ18の穴28の位置を越えるサイズを
有している。ガラス製の薄膜トランジスタ基板用に通常
用いられるサイズは、約360〜465mmである。リ
フトオフピン26が穴28から突き出なくなるようにシ
ャフト20を上向きに動かせば、サセプタ18は基板3
8を持ち上げてリフトオフピン26から離し、サセプタ
18と基板38とは第1の電極16の比較的近くに接近
する。電極間距離ないし、基板表面とガス流入マニホー
ルド16の放電面との距離は、約0.5〜約2インチ
(約12.3〜約49.0mm)である。更に好ましく
は、電極間距離は約0.8〜約1.4インチ(約19.
6〜約35.6mm)である。
ャンバ12はまずガス流出口30を介して脱気される。
堆積チャンバ12の内部には、既にその頂面に処理済み
の層(例えば、パターン化したアルミニウム金属等)が
形成されたTFTガラス基板38が、サセプタ18上に
配置される。
ンジスタが用いられているが、これらの薄膜トランジス
タの多くは、TFT基板上のパターン化ゲートメタル上
にゲート誘電(絶縁)層を堆積し、続いて、そのゲート
誘電層の頂面上にはアモルファスシリコン層を堆積する
ことが必要である。その後、アモルファスシリコン膜の
上にメタルの接点が堆積されるが、このアモルファスシ
リコンはドープアモルファスシリコンの薄い層も有して
おり、アモルファスシリコンとその上のメタルとの間の
接触が良好になる。また、アモルファスシリコン層の上
にはエッチング停止層として窒化物の層が堆積される。
る工程において絶縁層として有用であるためには、窒化
珪素のゲート誘電層は高品質でなければならない。本発
明で説明される実施例では、CVDチャンバ内の圧力を
約1.2〜約1.5トール(Torr)、基板温度を約300
〜350℃に維持しつつ、窒化物を堆積させることによ
り、高品質の窒化珪素膜が得られる。反応体ガスの流量
は、適正な反応体ガスのレベルが維持されるように調節
される。好適には、シラン100〜300sccmとア
ンモニア50〜1,000sccmとが、キャリアガス
の窒素1,000〜10,000sccmに対して用い
られ、前述のシャワーヘッドと基板との間隔をもって、
基板の前述のエリアに窒化珪素を堆積させる。ゲート窒
化珪素膜の好適な厚さは、約200〜約1,000nm
である。
る通常の処理条件は、以下の表1及び表2に示される。
は、以下の実施例に例示される。
段階g−SiNx TFTデバイスの拡大断面図が示され
る。本発明に関しない初期プロセスでは、ガラス製のT
FT基板50はアルミニウム等のパターン化メタル(図
示されず)でコーティングされている。そして、基板5
8にはまず平均的な品質のg−SiNx 層52が、27
0nm/min.の高い堆積速度で堆積される。次い
で、平均的品質g−SiNx 膜52の頂面上に、高品質
のg−SiNx 層54が100nm/min.の低い堆
積速度で堆積されて、g−SiNx 層の堆積プロセスが
完了する。この高品質ゲート窒化珪素層は、その後続い
て58nm/min.の堆積速度で堆積されたa−Si
層58とに、優れた界面56を与える。
SiTFTデバイスの拡大断面図が示される。ガラスT
FT基板60は、アルミニウム等のパターン化メタル
(図示されず)で予め被覆されている。そして、100
nm/min.の堆積速度でゲート窒化珪素層62が絶
縁層として堆積される。続いて58nm/min.の低
い堆積速度で高品質のa−Si層66が堆積されて、優
れた界面64が得られる。次いで、290nm/mi
n.の高い堆積速度で、平均的な品質のa−Si層が堆
積され、a−Siの堆積プロセスが完了する。
x 層とa−Si層とを包含するバックチャンネルエッチ
ングTFTデバイスの拡大断面図が示される。ガラスT
FT基板70は、アルミニウム等のパターン化メタル
(図示されず)で予め被覆されている。そして、270
nm/min.の高い堆積速度で平均的品質のg−Si
Nx 層72が堆積される。続いて100nm/min.
の低い堆積速度で高品質のg−SiNx 層74が堆積さ
れて、その後続いてその上に58nm/min.の低い
堆積速度で堆積されたa−Si層78とに、優れた界面
76を与える。次いで、290nm/min.の高い堆
積速度で低い品質のa−Si層が堆積され、堆積プロセ
スが完了する。
方に対して高い堆積速度、即ち300nm/min.ま
での堆積速度で、非常に高い品質の膜を生成する改良さ
れた方法を提供する。多段階PECVDプロセスで用い
られる場合に、高品質のTFTデバイスを高い効率で生
成することが可能である。この改良された方法には、単
一のプロセスチャンバ内でg−SiNx 及びa−Siの
両方を堆積できるという利点もある。
きたが、ここで用いられた言葉は説明されたものと同種
のものを指すものであって、制限する意図ではない。
関して説明を行ってきたが、この分野に通ずる者であれ
ば、ここで開示された事を、直ちに本発明の他の可能な
変形例に適用させるであろう。例えば、本発明の開示
は、TFT基板上へg−SiNx 膜、a−Si膜及びE
/S SiNx (エッチング停止窒化珪素)膜を別の構
成ないし配置に適用し、膜間の界面の品質を向上させる
であろう。
は、パターン化されたアルミニウム等の導電体を有する
基板上に、下側SiNx 絶縁層、アモルファスSi層、
上側SiNx エッチング停止層が堆積されている。本発
明に従って、これらSiNx層の片方又は両方が、薄
く、高品質な、低い速度で堆積された、活性アモルファ
スシリコン層に隣接する堆積層と、厚く、低めの品質の
高い速度で堆積された、上記の薄い層に隣接しアモルフ
ァスシリコン層とは離れている層との、2つの層に分け
られる。成長手法を分けることで、堆積にかかる時間を
増加させずに、SiNx とアモルファスシリコンとの間
に高い品質の接続を与える。
のg−SiNx 層の上にa−Si層を堆積する前に、高
い堆積速度で堆積された平均的な品質のg−SiNx 膜
の頂面の上に低い堆積速度で高品質のg−SiNx 膜を
堆積することにより実施できる。また、このプロセスで
は、まず低い堆積速度で高品質のa−Si層をg−Si
Nx 層の上に堆積して界面を形成し、次に、高い堆積速
度で平均的な品質のa−Si層を堆積してa−Si層を
完成させる。
iNx 及びa−Siの厚膜を高い堆積速度で堆積し、な
お非常に高い品質の膜を製造する方法が提供される。
マ励起CVDチャンバの断面図である。
イスの拡大断面図である。
面図である。
デバイスの拡大断面図である。
16…ガス流入マニホールド、18…サセプタ、20…
シャフト、22…低面、24…リフトオフ板、26…リ
フトオフピン、28…穴、30…ガス流出口、32…側
壁、36…RF電力ソース、38…基板、42…ガス流
入パイプ、50…TFT基板、52…平均的品質g−S
iNx 層、54…高品質g−SiNx 層、56…界面、
58…a−Si層、60…TFT基板、62…絶縁層、
64…界面、66…高品質a−Si層、68…平均的品
質a−Si層、70…TFT基板、72…平均的品質g
−SiNx 層、74…高品質g−SiNx 層、76…界
面、78…高品質a−Si層、80…平均的品質a−S
i層。
Claims (17)
- 【請求項1】 アモルファスシリコンの層と窒化珪素の
層との間の界面を少なくとも1つ形成するように、基板
上に少なくとも2つの電子材料の層を堆積する方法であ
って、 第1の堆積速度で行われ前記2つの層の少なくとも1つ
を堆積して第1の界面を形成する第1の堆積プロセス
と、 その後、前記第1の堆積速度とは異なる第2の堆積速度
で行われ続いて堆積される材料との第2の界面を形成す
る第2の堆積プロセスとの2つの段階の堆積プロセスに
よって、前記2つの層の少なくとも1つの層を堆積する
ステップを備える堆積方法。 - 【請求項2】 前記第1の堆積速度が100nm/mi
n.以下であり、且つ、前記第2の堆積速度が150n
m/min.以上である請求項1に記載の堆積方法。 - 【請求項3】 前記第1の堆積プロセスが100nm以
下の厚さを有する膜を形成し、且つ、前記第2のプロセ
スが、200nm以上の厚さを有し前記第1のプロセス
で形成された膜に隣接する膜を形成する請求項1に記載
の堆積方法。 - 【請求項4】 前記第1の堆積速度が150nm/mi
n.以上であり、且つ、前記第2の堆積速度が100n
m/min.以下である請求項1に記載の堆積方法。 - 【請求項5】 前記第1の堆積プロセスが200nm以
上の厚さを有する膜を形成し、且つ、前記第2のプロセ
スが、200nm以下の厚さを有し前記第1のプロセス
で形成された膜に隣接する膜を形成する請求項1に記載
の堆積方法。 - 【請求項6】 前記第1の堆積速度と前記第2の堆積速
度との差が少なくとも50nm/min.である請求項
1に記載の堆積方法。 - 【請求項7】 請求項1に記載の方法により製造される
基板。 - 【請求項8】 少なくとも1つのアモルファスシリコン
層と、これとの間の少なくとも1つの界面を有する1つ
の窒化珪素層とを含む基板上に電子材料の層を堆積する
方法であって、 第1の堆積速度を利用して前記2つの層の少なくとも1
つを前記少なくとも1つの界面までの第1の厚さにまで
形成し、次いで、前記第1の堆積速度とは少なくとも5
0nm/min.の差がある第2の堆積速度を利用して
前記層を第2の厚さにまで形成する、2段階の堆積プロ
セスにより、前記材料の前記層の少なくとも1つを形成
する堆積方法。 - 【請求項9】 前記基板が、バックチャンネルエッチン
グ薄膜トランジスタ又はエッチング停止薄膜トランジス
タである請求項8に記載の堆積方法。 - 【請求項10】 前記第1の堆積速度と前記第2の堆積
速度との差が100nm/min.よりも大きい請求項
8に記載の堆積方法。 - 【請求項11】 前記少なくとも1つの界面が、アモル
ファスシリコン/ゲート窒化珪素界面である請求項8に
記載の堆積方法。 - 【請求項12】 請求項8に記載の方法により製造され
る薄膜トランジスタ。 - 【請求項13】 少なくとも1つのアモルファスシリコ
ン層と1つの窒化珪素層とをこれらの界面と共に含む薄
膜トランジスタ基板上に電子材料の複数の層を堆積する
方法であって、 まず、100nm/min.未満の低い堆積速度を用い
て前記材料を堆積して、堆積される前記材料とは異なる
材料と並置される前記少なくとも1つの界面を形成する
段階と、 続いて、150nm/min.よりも大きな高い堆積速
度で前記材料を所望の厚さにまで堆積する段階との2つ
の段階の堆積プロセスにより、前記少なくとも1つの層
の1つを堆積するステップを備える堆積方法。 - 【請求項14】 前記低い堆積速度で堆積される前記材
料の厚さが100nm以下であり、且つ、前記高い堆積
速度で堆積される前記材料の厚さが150nm以上であ
る請求項13に記載の堆積方法。 - 【請求項15】まず、150nm/min.よりも大き
な高い堆積速度を用いて前記材料を堆積して、異なる材
料と並置される前記少なくとも1つの界面を形成し、 続いて、100nm/min.未満の低い堆積速度で前
記材料を所望の厚さにまで堆積する請求項13に記載の
堆積方法。 - 【請求項16】 請求項13に記載の堆積方法により製
造された薄膜トランジスタ。 - 【請求項17】 請求項15に記載の堆積方法により製
造された薄膜トランジスタ。
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