CN111066133A - 用于改善热化学气相沉积(cvd)均匀性的设备和方法 - Google Patents

用于改善热化学气相沉积(cvd)均匀性的设备和方法 Download PDF

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Abstract

在一方面，一种设备包括：腔室主体；区隔板，所述区隔板用于将工艺气体递送到气体混合容积中；以及面板，所述面板具有孔，混合气体通过所述孔来分布到衬底。在另一方面，所述面板可以包括第一区域，所述第一区域相对于第二区域具有凹陷部。在另一方面，所述区隔板可以包括多个区域，每个区域具有不同的孔图案/几何形状和/或流型。在另一方面，所述设备可以包括辐射屏蔽件，所述辐射屏蔽件设置在衬底支撑件的底部下方。所述衬底支撑件的轴或杆在其靠近所述衬底支撑件的上端处包括孔。

Description

用于改善热化学气相沉积(CVD)均匀性的设备和方法
背景技术
技术领域
本公开的各方面整体涉及用于改善热化学气相沉积(CVD)工艺中的沉积的均匀性的设备和方法。特别地，本公开提供了一种面板、区隔板、辐射屏蔽件和衬底支撑组件及其使用方法。
相关技术描述
集成电路包括通过各种技术沉积的多层材料，其中一种技术是化学气相沉积(CVD)。经由CVD沉积在衬底上的材料的不均匀性可能影响器件性能，并且可能需要在进一步处理之前进行平坦化以降低完成的集成电路发生故障的可能性。沉积材料的不均匀性可能因跨衬底的热差异而造成。
图1是在处理腔室中的流体流动的示意图。该流体流动图最初在Prasad N.Gadgil的标题为“滞流点流CVD反应器中的单晶片处理：前景、制约因素和反应器设计”，《电子材料学报》，第22卷，第2期，1993(“Single Wafer Processing in Stagnation Point Flow CVDReactor:Prospects,Constraints and Reactor Design,”Journal of ElectronicMaterials,Vol.22,No,2,1993)中公开。如该图中所示，气流模式形成跨衬底的表面的轴向均匀的边界层，其中滞流点在该流的中心处。在其上定位了衬底的衬底支撑件被配备有加热器以调节该衬底的温度。
在图1中，δT指示在衬底上方的热边界层的厚度。随着气体流动，沉积层在衬底上生长。沉积层的生长速率与热边界层的厚度δT成比例。
速度边界层的厚度(δ)取决于流入速度、在面板与衬底之间的间隙和运动粘度(气体性质和温度的函数)，如以下等式所示：
Figure BDA0002396745490000011
其中v指示运动粘度，Hc指示间隙，并且vin指示流入速度。
热边界层的厚度(δT)与速度边界层的厚度(δ)成比例，具有普朗特数(Pr)(对于大多数气体来说为0.7)，如以下等式所示：
Figure BDA0002396745490000021
在理想的滞流点流中，边界层跨衬底/衬底支撑表面上是均匀的。然而，衬底/加热器的温度轮廓的不均匀性将导致薄膜沉积厚度的不均匀性。因此，需要的是一种用于增强衬底和/或衬底支撑件的温度轮廓的均匀性的改善的设备。
发明内容
一方面，提供了一种面板，所述面板包括主体。所述主体包括第一表面区域和围绕所述第一表面区域的第二表面区域。所述第一表面区域相对于所述第二表面区域凹陷。第一多个孔在所述第一表面区域中穿过所述面板形成。第二多个孔在所述第二表面区域中穿过所述面板形成。
在另一个实施例中，提供了一种区隔板，所述区隔板包括主体。所述主体包括第一表面区域和围绕所述第一表面区域的第二表面区域。所述第一表面区域具有第一发射率，并且所述第二表面区域具有第二发射率。所述第二发射率不同于所述第一发射率。多个气体分布孔在所述第一表面区域和所述第二表面区域中穿过所述区隔板形成。所述第一表面区域中的所述气体分布孔具有第一密度。所述第二表面区域中的所述气体分布具有第二密度，所述第二密度不同于所述第一密度。所述第一表面区域中的所述气体分布孔具有第一流型，并且所述第二表面区域中的所述气体分布孔具有第二流型。所述第二流型不同于第一流型。
在又一个实施例中，提供了一种用于在衬底上沉积膜的设备。所述设备包括腔室主体和腔室盖，所述腔室主体和所述腔室盖在其中限定了工艺容积。衬底支撑件设置在所述工艺容积中。具有从中穿过而形成的多个孔的区隔板与所述衬底支撑件相对地设置在所述工艺容积中。具有从中穿过而形成的多个孔的面板在所述工艺容积中设置在所述区隔板与所述衬底支撑件之间。在所述面板与所述区隔板之间的容积至少部分地由所述面板限定。所述面板具有第一表面区域和围绕第一表面区域的第二表面区域。所述第一表面区域相对于所述第二表面区域凹陷。
附图说明
为了能够详细地理解本公开的上述特征的方式，将参考各方面来提供以上简要地概述的本公开的更特定的描述，其中一些示例在附图中示出。然而，应当注意，附图示出了示例性方面，并且因此不应被认为是对所公开和要求保护的主题的范围的限制，并且本公开可以允许其他等效方面。
图1是处理腔室中的流体流动的示意图。
图2示出了衬底支撑表面的示例加热器红外(IR)图。
图3是根据本公开的包括气体分布组件和衬底支撑组件的CVD处理腔室的一个实施例的剖视图。
图4A示出了根据本公开的实施例的面板的一个示例。
图4B示出了使用常规面板从CVD工艺生产的沉积层的直径扫描轮廓的一个示例。
图4C示出了根据本公开的各方面的使用面板从CVD工艺生产的沉积层的直径扫描轮廓的一个示例。
图5A示出了根据本公开的各方面的面板的另一个示例。
图5B示出了使用常规面板从CVD工艺生产的沉积层的直径扫描轮廓的一个示例。
图5C示出了根据本公开的各方面的使用面板从CVD工艺生产的沉积层的直径扫描轮廓的一个示例。
图6A示出了根据本公开的各方面的区隔板。
图6B示出了沉积层的两个示例性直径扫描轮廓，一个使用常规区隔板形成，而另一个使用根据本公开的各方面的区隔板形成。
图7示出了根据本公开的各方面的辐射屏蔽件。
为了便于理解，已经尽可能地使用相同的附图标记标示各图共有的相同元件。设想的是，一个方面的要素和特征可以有益地并入其他方面，而不进一步叙述。
具体实施方式
本公开涉及工艺腔室、工艺腔室部件和提供工艺气体的均匀热轮廓和均匀分布的方法。本公开的各方面促进在衬底上的更均匀的沉积轮廓。
图2示出了衬底支撑表面的示例加热器红外(IR)图。附图中所示的IR图表明，衬底支撑表面在跨其表面的各个位置处具有温度变化，而不是跨其表面具有均匀温度轮廓。这种温度变化可能是因加热器的性能变化而导致。CVD工艺可以对处理温度敏感。另外，跨衬底支撑表面的温度不规则性可能导致热CVD工艺的不均匀性，例如，造成沉积不均匀性。
本公开提供了一种用于使跨衬底的表面和衬底支撑表面的温度分布更均匀的设备。
图3是包括气体分布组件和衬底支撑组件的处理腔室100的实施例的剖视图。处理腔室100包括入口103，工艺气体可以通过该入口103从气体面板(未示出)进入处理腔室100，该气体面板以液态和/或气态形式存储工艺化学品。处理腔室100的壁106是基本上圆柱形的，并且限定腔室内部。然而，也设想了其他形状。处理腔室100还包括设置在腔室100内的区隔板104、面板200和衬底支撑件110。
区隔板104具有多个孔以用于将工艺气体递送到气体混合容积102中，工艺气体在该气体混合容积102中彼此混合以形成混合气体。在一些实施方式中，处理腔室100包括两个区隔板，这两个区隔板在它们之间限定了混合容积。区隔板104在其径向向外边缘处由适配器环107结构上支撑。气体混合容积102提供工艺气体在进入主处理腔室容积108之前进行混合的空间。
面板200具有从中穿过而形成的多个孔。来自气体混合容积102的混合气体通过形成在面板200上的多个孔来分布到主处理腔室108，以促进在由衬底支撑件110支撑的衬底的顶表面上的材料沉积。主处理腔室容积108定位在面板200的底侧与衬底支撑件110的顶表面(例如，衬底支撑表面)之间。穿过面板200形成的多个孔产生主处理腔室容积108的均匀气体入口分布。
用于支撑衬底的衬底支撑件110包括轴114。底板118围绕轴114并密封下腔室壁120中的开口。衬底支撑件110被配备有调节衬底的温度的加热器112。在一个实施例中，加热器112调节处理腔室100中的主处理腔室容积108的温度。
在一个实施例中，处理腔室100包括多个加热器，每个加热器具有不同的面板轮廓和图案以及区隔板轮廓和图案，如下所述，以改善温度、气流或沉积均匀性中的一个或多个。
在另一个实施例中，处理腔室100包括多个加热器，这些加热器基于温度轮廓而被分组。如本公开所述，每个加热器组用发射率模式、面板轮廓和图案以及区隔板轮廓和图案来补偿温度轮廓。
工艺气体通过入口103进入处理腔室100。工艺气体通过第一区隔板104中的多个孔进入气体混合容积102。工艺气体可以包括硅前驱物和/或氮前驱物。硅前驱物可以包括二氯甲硅烷(DCS)、六氯乙硅烷(HCD)、二叔丁胺基硅烷(BTBAS)、甲硅烷(SiH4)、乙硅烷(Si2H6)等等。也设想了其他工艺气体及其组分。
然后，工艺气体行进通过气体混合容积102，该气体混合容积102设置在第一区隔板104下方。第一区隔板104可以由适配器环107结构上支撑。气体混合容积102提供工艺气体在进入主处理腔室容积108之前另外地进行混合的空间。
在气体混合容积102的下游，气体流过面板200并进入主处理容积108。如上面所指出，主处理容积108由腔室壁106、面板200和衬底支撑件110限定。在主处理容积108内，工艺气体热和/或化学分解，以在衬底的表面上沉积材料。未反应的工艺气体和反应副产物通过排气端口(未示出)离开处理腔室100。在一些实施方式中，处理腔室100还可以包括馈气入口、气体混合器、等离子体源和一个或多个气体分布组件，以促进对衬底的处理。
图4A示出了根据本公开的各方面的面板200。面板200包括主体202，该主体202具有从中穿过而形成的多个气体分布孔201。气体分布孔201将混合容积102流体地耦接到图3中所示的主处理腔室容积108。尽管主体202被示出为圆柱形的，但是也设想了其他形状，包括矩形。主体202可以由一种或多种材料形成，所述一种或多种材料例如石英、氮化硅、铝、氮化铝和不锈钢。
面板200在其底表面上包括具有各种发射率的多个区域。在一个实施例中，面板200包括第一区域205和第二区域210。第一区域205是面板200的具有第一发射率的中心区域，并且第二区域210是围绕第一区域205的周边区域并具有不同于第一发射率的第二发射率。例如，第一区域的半径在第二区域的半径的约20％至40％的范围内。
面板的发射率是指面板作为热辐射件来发射能量的效率。例如，具有较高发射率的表面比具有较低发射率的另一个表面反射更多热量。在一个实施例中，在第一区域与第二区域之间的发射率差在约0.1％至20％的范围内。
为了获得不同的发射率，面板200的表面可以在不同的区域中以不同的平滑度或纹理进行修饰(例如，抛光)。区域的不同的表面光洁度造成不同的发射率。不同的发射率造成从每个相应区域朝衬底的表面反射的热量的相对差异。具有不同发射率的多个区域的面板200允许取决于面板200的每个区域的大小、位置和发射率来控制在衬底上的各个位置处的衬底温度。面板200上的区域的位置和大小以及这个区域的发射率值可以被配置为减小在衬底和/或衬底支撑件110上的温度变化。例如，在面板200上具有较高发射率的一个区域的位置和大小可以被配置为对应于在衬底和/或衬底支撑件110上的较冷区域的位置和大小。可以取决于和响应于在衬底和/或衬底支撑件110上的较冷区域的温度来确定较高发射率区域的发射率值。由于温度均匀性与材料在衬底上的沉积速率有关并影响该沉积速率，因此改善跨衬底的温度均匀性对应地造成在衬底上的改善的沉积均匀性。
图4B示出了使用常规面板从CVD工艺生产的沉积层的直径扫描轮廓的一个示例。在图4B中，水平轴线表示与面板的中心相距的径向距离，而竖直轴线表示在衬底上的沉积层的归一化厚度。使用常规面板的直径扫描轮廓示出，沉积层的归一化厚度在衬底的中心区域(约0mm-50mm)中在从约0.87至0.95变化。
图4C示出了使用本公开的面板(诸如图4A中的面板200)从CVD工艺生产的沉积层的直径扫描轮廓的一个示例。从面板得到的直径扫描轮廓使出，沉积层的归一化厚度在衬底的中心区域中在从0.98至1变化。
比较图4B和图4C的两个扫描轮廓，可以看出，通过调节面板的中心区域的发射率，衬底的中心区域中的膜沉积厚度的变化已经从0.13(1-0.87)显著地减小到约0.02(1-0.98)，使沉积层的均匀性增加了约11％。
如上所示，可以调节面板的不同区域的发射率，以补偿并改善衬底和/或衬底支撑件的热不均匀性。改善的热均匀性对应地造成改善的沉积均匀性。然而，应当注意，尽管本文关于面板的同心区域描述了各方面，但是设想的是，可以在面板的下表面上使用改变发射率的各种其他模式或配置。
图5A示出了根据本公开的各方面的面板300的另一个示例。面板300包括主体302，该主体302具有从中穿过而形成的多个气体分布孔301，该多个气体分布孔301将气体混合容积102流体地耦接到如图3中所示的主腔室处理容积108。尽管主体302被示出为圆柱形的，但是也设想了其他形状，包括矩形。主体302可以由一种或多种材料形成，所述一种或多种材料例如石英、氮化硅、铝、氮化铝和不锈钢。
在一个实施例中，面板300包括第一区域306和第二区域310。面板300包括具有各种厚度轮廓的多个区域，使得其底表面是非平面的。例如，第一区域305的厚度与第二区域310的厚度之间的差异可以在约5％至45％的范围内。第一区域305是面板300的具有第一厚度的中心区域。第二区域310是围绕第一区域305并具有不同于第一厚度的第二厚度的周边区域。
在一个实施例中，第一区域305的厚度小于第二区域310的厚度。在该实施例中，第一区域305相对于第二区域310凹陷。凹陷部可以具有各种形状，包括浅圆柱体或其他合适的形状，以促进调节朝衬底和/或衬底支撑件110反射的热量。
面板300的不同的厚度可以提供将热量保留在面板300下方达更长的时间段而不是耗散热量的空间(例如，凹陷部)。保留热量促进相邻定位的衬底的温度调节，由此实现衬底的改善的温度均匀性。因此，具有各种厚度的区域的面板300允许取决于形成在面板300的表面上的区域(例如，凹陷部)的大小、位置和形状来控制在特定区域处的衬底温度。
在一个实施方式中，面板300可以在其底表面上包括具有各种发射率的多个区域。例如，第一区域305可以具有一表面光洁度的凹陷部，该表面光洁度具有较高发射率，并且第二区域310可以具有较低发射率的表面光洁度。在该实施例中，面板300可以通过非平面表面特征和变化的发射率的组合来提供对衬底温度的更大控制。
图5B示出了使用常规面板从CVD工艺生产的沉积层的直径扫描轮廓的一个示例。在图5B中，水平轴线表示与区隔板的中心相距的径向距离，而竖直轴线表示在衬底上的沉积层的归一化厚度。使用常规区隔板的直径扫描轮廓示出，沉积层的归一化厚度在衬底的中心区域(约0mm-50mm)中在从约0.87至0.96变化。
图5C示出了使用本公开的面板(诸如图5A中的面板300)从CVD工艺生产的沉积层的示例性直径扫描轮廓。从面板300得到的直径扫描轮廓示出，沉积层的归一化厚度在衬底的中心区域中在从0.97至1变化。
比较图5B和图5C中所示的两个直径扫描轮廓，可以看出，通过调节面板300的中心区域305的发射率和/或相对位置，衬底的中心区域中的膜沉积厚度的变化已经从0.13(1-0.87)显著地减小到约0.03(1-0.97)，使沉积层的均匀性增加了约10％。
图6A示出了根据本公开的各方面的区隔板400。可以使用区隔板400代替处理腔室100的区隔板104(图1中示出)。
根据本公开的各方面的区隔板400包括主体402，该主体402具有多个区域，该多个区域具有各种流型。尽管主体402被示出为圆柱形的，但是也设想了其他形状，包括矩形。主体402可以由一种或多种材料形成，所述一种或多种材料例如石英、氮化硅、铝、氮化铝和不锈钢。在一个实施例中，区隔板400包括第一区域405和第二区域410。第一区域405是区隔板400的具有第一流型的中心区域，并且第二区域410是围绕第一区域405的周边区域并具有不同于第一流型的第二流型。
为了获得不同的流型，区隔板400的每个区域可以包括从中穿过而形成的孔的不同的密度和直径。在一个实施例中，第一区域405具有较高孔密度，而第二区域410具有较低孔密度。另选地，第一区域405可以具有较低孔密度，而第二区域410可以具有较高孔密度。在另一个实施例中，第一区域405具有较大直径的孔，而第二区域410具有较小直径的孔。另选地，第一区域405可以具有较小直径的孔，而第二区域410可以具有较大直径的孔。
通常，区隔板中的较高密度或较大直径的孔产生较大流型，而区隔板中的较低密度或较小直径的孔产生较小流型。通过较大直径孔或通过更密集地定位的孔的增加的气流造成在接收相对较高气体流率的前驱物材料的区域中在衬底上的增加的材料沉积。因此，可以通过气流调整来改善沉积均匀性。同样地，通过区隔板的各区域的增加的气流可以造成区隔板400(或与其相邻的面板)的局部冷却，从而进一步促进沉积轮廓调整。
设想的是，除了不同孔大小/密度的区域以外，区隔板400还可以包括发射率不同或相对厚度不同的多个区域。因此，可以通过跨区隔板表面的多个变化来进一步调节温度和沉积均匀性。
具有带有各种流型的区域的区隔板400允许取决于形成在每个区域内的孔的数量、大小和位置来控制衬底温度。因此，受控制的衬底温度改善了在衬底的表面上的沉积均匀性。
图6B示出了两个示例性直径扫描轮廓，一个是常规区隔板(即，旧的)的沉积层，而另一个是根据本公开的区隔板，诸如图6A中所示的区隔板400。对两个直径扫描分布的比较示出，通过调节区隔板跨其在选定区域中的表面的流型，有可能调节中心区域与周边区域之间的膜沉积厚度。
图7示出了根据本公开的实施例的辐射屏蔽件500。辐射屏蔽件500包括主体502，该主体502具有从中穿过而形成的具有相同或不同的直径的多个孔601。尽管主体502被示出为圆柱形的，但是也设想了其他形状，包括矩形。主体502可以由一种或多种材料形成，所述一种或多种材料例如石英、氮化硅、铝、氮化铝和不锈钢。多个孔501可以围绕公共轴线圆周地布置。每个圆周图案中的孔501的密度和孔501的直径可以不同。因此，取决于孔501的位置和大小，在相邻孔501之间的间隔不同并且孔501的流型不同。
在一个实施例中，多个孔501设置在共享公共中心的三个圆周图案505、510和515上。圆周图案505和515上的孔501的密度高于圆周图案510上的孔501的密度。然而，本公开的范围不限于此，并且圆周图案505、510或515中的任一个可以具有比其他圆周图案505、510和515更高的孔密度。在一些实施例中，圆周图案510上的孔501的直径大于圆周图案505和515上的孔501的直径。另选地，任何圆周图案505、510或515上的孔501的直径可以大于其他圆周图案505、510和515上的孔501的直径。
辐射屏蔽件500可以根据孔501的大小、位置和数量而具有各种图案的孔501。辐射屏蔽件500安装在衬底支撑件110的底表面下方。因此，通过在辐射屏蔽件500上制作不同图案的孔501，可以调整在衬底支撑件110的底表面处的辐射热损失，以补偿衬底支撑件110以及因此定位在其上的衬底的任何温度不均匀性。
在另一个实施例中，轴114例如在轴114的靠近衬底支撑件110的底部的上端处具有多个孔115(如图1所示)。导热气体或气体混合物(例如He/H2或Ar)可以从衬底支撑件110的轴中的多个孔流过并进入主处理腔室容积108中。在一些实施方式中，导热气体从外部气源(未示出)馈送通过轴的内管。在不同的流率和不同的气体混合物下，在衬底支撑件110与底部导热气体之间的对流热损失可以沿径向方向调整衬底支撑件110的温度轮廓。
如上所述的实施例可以独立地或组合地使用，以通过局部地调节面板和区隔板性质来改善薄膜沉积的均匀性。此外，尽管通常以具有变化的发射率、相对位置或流动密度的两个区域来描述本文的实施例，但是设想的是，本文所述的面板和区隔板可以包括多于两个相应区域。包括多于两个区域进一步增强均匀性和/或可调谐性。
尽管前述内容针对的是本公开的各方面，但是在不脱离本公开的基本范围的情况下，可以设想本公开的其他和进一步方面，并且本公开的范围由所附权利要求书确定。

Claims (15)

1.一种面板，所述面板包括：
主体，所述主体具有第一表面区域和围绕所述第一表面区域的第二表面区域，所述第一表面区域具有第一发射率，并且所述第二表面区域具有第二发射率，所述第二发射率与所述第一发射率不同；
第一多个孔，所述第一多个孔在所述第一表面区域中穿过所述面板形成；以及
第二多个孔，所述第二多个孔在所述第二表面区域中穿过所述面板形成。
2.如权利要求1所述的面板，其中所述第一表面区域相对于所述第二表面区域凹陷。
3.如权利要求1所述的面板，其中所述第一表面区域具有第一厚度，并且所述第二表面区域具有第二厚度，所述第二厚度与所述第一厚度不同。
4.如权利要求1所述的面板，其中所述第一多个孔以第一密度设置在所述第一表面区域中，并且所述第二多个孔以第二密度设置在所述第二表面区域中，所述第二密度与所述第一密度不同。
5.如权利要求1所述的面板，其中所述第一多个孔具有第一直径，并且所述第二多个孔具有第二直径，所述第二直径与所述第一直径不同。
6.一种区隔板，所述区隔板包括：
主体，所述主体具有第一表面区域和围绕所述第一表面区域的第二表面区域，所述第一表面区域具有第一发射率，并且所述第二表面区域具有第二发射率，所述第二发射率与所述第一发射率不同；以及
多个气体分布孔，所述多个气体分布孔在所述第一表面区域和所述第二表面区域中穿过所述区隔板形成，所述第一表面区域中的所述气体分布孔具有第一密度，所述第二表面区域中的所述气体分布孔具有第二密度，所述第二密度与所述第一密度不同，所述第一表面区域中的所述气体分布孔具有第一流型，并且所述第二表面区域中的所述气体分布孔具有第二流型，所述第二流型与所述第一流型不同。
7.如权利要求6所述的区隔板，其中所述第一表面区域中的所述气体分布孔具有第一直径，并且所述第二表面区域中的所述气体分布孔具有第二直径，所述第二直径与所述第一直径不同，并且其中所述第一表面区域相对于所述第二表面区域凹陷。
8.如权利要求6所述的区隔板，其中所述区隔板的所述第一表面区域具有第一厚度，并且所述区隔板的所述第二表面区域具有第二厚度，所述第二厚度与所述第一厚度不同。
9.一种用于在衬底上沉积膜的设备，所述设备包括：
腔室主体和腔室盖，所述腔室主体和所述腔室盖在其中限定了工艺容积；
衬底支撑件，所述衬底支撑件设置在所述工艺容积中；
区隔板，所述区隔板与所述衬底支撑件相对地设置在所述工艺容积中，所述区隔板具有从中穿过而形成的多个孔；以及
面板，所述面板具有从中穿过而形成的多个孔，所述面板在所述工艺容积中设置在所述区隔板与所述衬底支撑件之间，所述面板至少部分地限定在所述面板与所述区隔板之间的容积，所述面板具有第一表面区域和围绕所述第一表面区域的第二表面区域，所述第一表面区域相对于所述第二表面区域凹陷。
10.如权利要求9所述的设备，其中所述第一表面区域具有第一发射率，并且所述第二表面区域具有第二发射率，所述第二发射率与所述第一发射率不同。
11.如权利要求9所述的设备，其中所述第一表面区域具有第一厚度，并且所述第二表面区域具有第二厚度，所述第二厚度与所述第一厚度不同。
12.如权利要求9所述的设备，其中所述面板还包括：
第一多个气体分布孔，所述第一多个气体分布孔穿过所述第一表面区域形成，所述第一多个气体分布孔具有第一密度，所述第一多个气体分布孔中的每个具有第一直径；以及
第二多个气体分布孔，所述第二多个气体分布孔穿过所述第二表面区域形成，所述第二多个气体分配孔具有第二密度，所述第二密度与所述第一密度不同，所述第二多个气体分布孔中的每个具有第二直径，所述第二直径与所述第一直径不同。
13.如权利要求9所述的设备，其还包括：
辐射屏蔽件，所述辐射屏蔽件具有从中穿过而形成的多个孔，所述辐射屏蔽件与所述面板相对地设置在所述工艺容积中，使得所述衬底支撑件在所述面板与所述辐射屏蔽件之间，所述辐射屏蔽件被设置为围绕所述衬底支撑件的轴。
14.如权利要求13所述的设备，其中所述辐射屏蔽件中的所述多个孔以第一圆周图案、第二圆周图案和第三圆周图案布置，所述第一圆周图案和所述第二圆周图案具有第一孔密度，并且所述第三圆周图案具有第二孔密度，所述第一圆周图案、所述第二圆周图案和所述第三圆周图案各自形成为围绕所述辐射屏蔽件的公共轴线。
15.如权利要求13所述的设备，其中所述轴包括多个孔，所述多个孔在所述轴的与所述衬底支撑件相邻的上端处穿过所述轴形成，以使气体沿径向方向流动。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115125520A (zh) * 2022-08-09 2022-09-30 季华恒一(佛山)半导体科技有限公司 一种匀气板及镀膜装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102560283B1 (ko) * 2018-01-24 2023-07-26 삼성전자주식회사 샤워 헤드를 설계하고 제조하는 장치 및 방법
JP2022535285A (ja) * 2019-06-07 2022-08-05 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 湾曲面を有する面板
US11600470B2 (en) 2019-12-27 2023-03-07 Applied Materials, Inc. Targeted heat control systems
KR20210150978A (ko) * 2020-06-03 2021-12-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 샤워 플레이트, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11946140B2 (en) 2021-03-26 2024-04-02 Applied Materials, Inc. Hot showerhead

Citations (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4134425A (en) * 1976-03-12 1979-01-16 Siemens Aktiengesellschaft Device for distributing flowing media over a flow cross section
US5133284A (en) * 1990-07-16 1992-07-28 National Semiconductor Corp. Gas-based backside protection during substrate processing
WO1999049101A1 (en) * 1998-03-23 1999-09-30 Mattson Technology, Inc. Apparatus and method for cvd and thermal processing of semiconductor substrates
JPH11279778A (ja) * 1998-03-30 1999-10-12 Seiko Epson Corp エッチング装置及び半導体装置の製造方法
US6001175A (en) * 1995-03-03 1999-12-14 Maruyama; Mitsuhiro Crystal producing method and apparatus therefor
CN1359531A (zh) * 1999-06-30 2002-07-17 兰姆研究公司 半导体加工的气体分布装置
WO2007018157A1 (ja) * 2005-08-05 2007-02-15 Tokyo Electron Limited 基板処理装置およびそれに用いる基板載置台
CN101005011A (zh) * 2001-03-28 2007-07-25 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
CN102084461A (zh) * 2008-07-03 2011-06-01 应用材料公司 用于原子层沉积的设备
US20120108066A1 (en) * 2010-10-28 2012-05-03 Texas Instruments Incorporated Pecvd showerhead configuration for cmp uniformity and improved stress
KR20120074878A (ko) * 2010-12-28 2012-07-06 피에스케이 주식회사 배플, 기판 처리 장치 및 그 처리 방법
JP2012142329A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Toshiba Corp 処理装置
JP2012234904A (ja) * 2011-04-28 2012-11-29 Panasonic Corp 静電チャックおよびこれを備えるドライエッチング装置
US20130164948A1 (en) * 2011-12-22 2013-06-27 Intermolecular, Inc. Methods for improving wafer temperature uniformity
CN103361635A (zh) * 2012-03-30 2013-10-23 三星电子株式会社 具有基座的化学气相沉积装置和半导体制造装置
WO2013163079A1 (en) * 2012-04-25 2013-10-31 Applied Materials, Inc. Faceplate having regions of differing emissivity
US20130334344A1 (en) * 2012-06-15 2013-12-19 Karl F. Leeser Contoured showerhead for improved plasma shaping and control
CN106715753A (zh) * 2014-09-05 2017-05-24 应用材料公司 常压外延沉积腔室
KR20170063943A (ko) * 2014-10-03 2017-06-08 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 cvd 막들에서의 오버레이의 가스 유동 프로파일 조절식 제어
CN106906453A (zh) * 2015-12-14 2017-06-30 朗姆研究公司 喷头组件

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007042951A (ja) * 2005-08-04 2007-02-15 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US8142606B2 (en) 2007-06-07 2012-03-27 Applied Materials, Inc. Apparatus for depositing a uniform silicon film and methods for manufacturing the same
JP5487049B2 (ja) 2010-08-19 2014-05-07 株式会社日本マイクロニクス プローブカード
US9167625B2 (en) 2011-11-23 2015-10-20 Asm Ip Holding B.V. Radiation shielding for a substrate holder
KR102212369B1 (ko) * 2012-08-23 2021-02-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Uv 챔버들을 세정하기 위한 방법 및 하드웨어
KR20150049180A (ko) 2013-10-29 2015-05-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP5726281B1 (ja) * 2013-12-27 2015-05-27 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
KR102528559B1 (ko) * 2016-07-26 2023-05-04 삼성전자주식회사 대면적 기판 제조 장치

Patent Citations (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4134425A (en) * 1976-03-12 1979-01-16 Siemens Aktiengesellschaft Device for distributing flowing media over a flow cross section
US5133284A (en) * 1990-07-16 1992-07-28 National Semiconductor Corp. Gas-based backside protection during substrate processing
US6001175A (en) * 1995-03-03 1999-12-14 Maruyama; Mitsuhiro Crystal producing method and apparatus therefor
WO1999049101A1 (en) * 1998-03-23 1999-09-30 Mattson Technology, Inc. Apparatus and method for cvd and thermal processing of semiconductor substrates
JPH11279778A (ja) * 1998-03-30 1999-10-12 Seiko Epson Corp エッチング装置及び半導体装置の製造方法
CN1359531A (zh) * 1999-06-30 2002-07-17 兰姆研究公司 半导体加工的气体分布装置
CN101005011A (zh) * 2001-03-28 2007-07-25 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
WO2007018157A1 (ja) * 2005-08-05 2007-02-15 Tokyo Electron Limited 基板処理装置およびそれに用いる基板載置台
CN102084461A (zh) * 2008-07-03 2011-06-01 应用材料公司 用于原子层沉积的设备
US20120108066A1 (en) * 2010-10-28 2012-05-03 Texas Instruments Incorporated Pecvd showerhead configuration for cmp uniformity and improved stress
KR20120074878A (ko) * 2010-12-28 2012-07-06 피에스케이 주식회사 배플, 기판 처리 장치 및 그 처리 방법
JP2012142329A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Toshiba Corp 処理装置
JP2012234904A (ja) * 2011-04-28 2012-11-29 Panasonic Corp 静電チャックおよびこれを備えるドライエッチング装置
US20130164948A1 (en) * 2011-12-22 2013-06-27 Intermolecular, Inc. Methods for improving wafer temperature uniformity
CN103361635A (zh) * 2012-03-30 2013-10-23 三星电子株式会社 具有基座的化学气相沉积装置和半导体制造装置
WO2013163079A1 (en) * 2012-04-25 2013-10-31 Applied Materials, Inc. Faceplate having regions of differing emissivity
US20130334344A1 (en) * 2012-06-15 2013-12-19 Karl F. Leeser Contoured showerhead for improved plasma shaping and control
CN106715753A (zh) * 2014-09-05 2017-05-24 应用材料公司 常压外延沉积腔室
KR20170063943A (ko) * 2014-10-03 2017-06-08 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 cvd 막들에서의 오버레이의 가스 유동 프로파일 조절식 제어
CN106906453A (zh) * 2015-12-14 2017-06-30 朗姆研究公司 喷头组件

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115125520A (zh) * 2022-08-09 2022-09-30 季华恒一(佛山)半导体科技有限公司 一种匀气板及镀膜装置
CN115125520B (zh) * 2022-08-09 2023-11-24 季华恒一(佛山)半导体科技有限公司 一种匀气板及镀膜装置

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