KR100339875B1 - 판형 히팅 장치 - Google Patents
판형 히팅 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100339875B1 KR100339875B1 KR1019980059322A KR19980059322A KR100339875B1 KR 100339875 B1 KR100339875 B1 KR 100339875B1 KR 1019980059322 A KR1019980059322 A KR 1019980059322A KR 19980059322 A KR19980059322 A KR 19980059322A KR 100339875 B1 KR100339875 B1 KR 100339875B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- plate
- heat source
- body plate
- main body
- receiving groove
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
Claims (5)
- 가공용 웨이퍼가 등온을 유지하도록 열원을 제공하는 판형 히팅장치에 있어서,그 일면에 소정 깊이로 함몰된 수용홈과, 상기 수용홈의 면에서 소정높이만큼 직립되어 상기 수용홈내에 유동통로를 형성하기 위한 돌기가 구비되며, 타면에 상기 가공용 웨이퍼가 놓여지도록 하기 위한 본체판;상기 본체판의 하부에 장착되며, 그 내부에 히팅라인이 설치되어 소정온도의 열원을 상기 본체판에 제공하는 열원제공수단;상기 본체판과 열원제공수단 사이에 장착되어 상기 본체판의 수용홈을 차폐하여 밀폐된 공간을 이루도록 하며, 상기 본체판과 열원제공수단을 결합하는 결합수단;상기 본체판의 밀폐된 수용홈에 채워지며 상기 열원제공수단에서 제공되는 열원이 상기 본체판의 수용홈에 형성된 유동 통로에서 자유롭게 이동하여 포화상태에서 비등과 응축을 반복하면서 상변화를 이루어 상기 가공용 웨이퍼가 놓여지는 본체판의 일면에 등온의 열원을 제공하는 작동유체; 및상기 열원제공수단과 소정간격을 두고 상기 돌기의 끝단면 상에 장착되며, 상기 본체판의 수용홈에 채워진 작동유체를 고르게 분산시켜 열원제공수단의 열원이 일시에 냉매에 접촉하여 증발될 수 있도록 하는 메쉬판을 포함하는 판형 히팅장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 메쉬판의 크기가 #200의 입도를 가지는 것을 특징으로 하는 판형 히팅장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 돌기가 본체판의 중심에서 방사방향으로 소정 간격을 두고 설치되어 상기 유동 통로가 동심원 형태를 가지도록 한 것을 특징으로 하는 판형 히팅장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 메쉬판과 열원제공수단의 접촉을 방지하기 위하여 상기 본체판의 가장자리면의 높이가 돌기의 높이보다 소정 간격만큼 높게 형성된 것을 특징으로 하는 판형 히팅장치.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 메쉬판을 관통하여 상기 본체판의 돌기에 고정되는 체결부재를 더 포함하며,상기 결합수단은 열원제공수단에서 발생된 열원에 의해 용융되어 상기 본체판과 열원제공수단을 접합하는 브레이징 필러로 이루어진 것을 특징으로 하는 판형 히팅장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019980059322A KR100339875B1 (ko) | 1998-12-28 | 1998-12-28 | 판형 히팅 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019980059322A KR100339875B1 (ko) | 1998-12-28 | 1998-12-28 | 판형 히팅 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20000043020A KR20000043020A (ko) | 2000-07-15 |
KR100339875B1 true KR100339875B1 (ko) | 2002-10-11 |
Family
ID=19566274
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019980059322A KR100339875B1 (ko) | 1998-12-28 | 1998-12-28 | 판형 히팅 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100339875B1 (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100351049B1 (ko) * | 1999-07-26 | 2002-09-09 | 삼성전자 주식회사 | 웨이퍼 가열 방법 및 이를 적용한 장치 |
KR100828658B1 (ko) * | 2007-02-16 | 2008-05-09 | 강환국 | 멀티 존 히트파이프식 히팅플레이트 |
JP5700806B2 (ja) * | 2011-03-04 | 2015-04-15 | 株式会社日立国際電気 | 基板支持台、基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5739528A (en) * | 1980-08-21 | 1982-03-04 | Toshiba Corp | Heating equipment for wafer |
JPH0536597A (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法 |
JPH06349722A (ja) * | 1993-06-10 | 1994-12-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板加熱装置 |
-
1998
- 1998-12-28 KR KR1019980059322A patent/KR100339875B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5739528A (en) * | 1980-08-21 | 1982-03-04 | Toshiba Corp | Heating equipment for wafer |
JPH0536597A (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法 |
JPH06349722A (ja) * | 1993-06-10 | 1994-12-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板加熱装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20000043020A (ko) | 2000-07-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100383963C (zh) | 薄型环路式散热装置 | |
CN100491888C (zh) | 环路式热交换装置 | |
EP2801780B1 (en) | Cooling device and electronic device using the same | |
KR900007760B1 (ko) | 자기 발연 파이프를 갖고 있는 전자 모듈 | |
US8792238B2 (en) | Heat-dissipating module having loop-type vapor chamber | |
TW201739342A (zh) | 冷卻在一資料中心中之電子裝置 | |
WO2012059975A1 (ja) | ループ型ヒートパイプ及びこれを用いた電子機器 | |
CN102486355A (zh) | 冷却设备和电子设备 | |
US20060213211A1 (en) | Systems for improved passive liquid cooling | |
WO2015146110A1 (ja) | 相変化冷却器および相変化冷却方法 | |
JP2014062658A (ja) | 冷却モジュール及びループ型ヒートパイプ | |
US20180209745A1 (en) | Loop heat pipe structure | |
KR100339875B1 (ko) | 판형 히팅 장치 | |
CN113631751B (zh) | 沉积装置 | |
EP2802832A1 (en) | Heat exchanger | |
JP5321716B2 (ja) | ループ型ヒートパイプおよび電子機器 | |
US3598178A (en) | Heat pipe | |
JP4193188B2 (ja) | 薄形複合プレートヒートパイプ | |
BRPI0417389A (pt) | bomba de calor quìmica, e, pulverizador ou distribuidor para pulverizar lìquido sobre superfìcies de um trocador de calor | |
KR200208777Y1 (ko) | 판형 히트파이프 | |
KR101260263B1 (ko) | 탄도금과 비등을 이용한 평판형 방열판 | |
KR100694860B1 (ko) | 가공용 웨이퍼의 등온장치 | |
KR101147328B1 (ko) | 강제순환형 극저온 열사이펀 | |
JP2005019907A (ja) | 冷却装置 | |
KR101404319B1 (ko) | 균열 처리 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130514 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140407 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150512 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160513 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170410 Year of fee payment: 16 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180504 Year of fee payment: 17 |