KR20140028579A - 기판처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 베이크하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판처리장치는 내부에 기판을 처리하는 공간을 제공하는 챔버, 상기 공간 내에 배치되고, 기판을 가열하는 히터 유닛, 그리고 상기 공간 내에서 상기 히터유닛의 상부에 위치되고, 기판을 선접촉하여 지지하는 복수 개의 와이어들을 포함한다. 이로 인해 기판을 균일하게 베이크할 수 있다.

Description

기판처리장치{Apparatus for treating substrate}
본 발명은 기판을 베이크하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 또는 평판 표시 패널을 제조하기 위해 사진, 식각, 증착, 세정 등 다양한 공정들이 수행된다. 이 같은 공정들 중 사진 공정은 기판 상에 원하는 패턴을 형성하는 공정으로, 도포공정, 노광공정, 그리고 현상공정이 진행된다. 특히 도포공정은 기판 상에 포토 레지스트와 같은 약액을 도포하는 공정으로, 약액이 도포된 기판을 베이크하는 공정이 필수적으로 수반된다.
일반적으로 기판을 베이크하는 공정은 한국특허 공개번호 10-2010-0103401호 또는 도1과 같이 가열플레이트 상에서 위로 돌출된 핀을 이용하여 기판을 지지한다. 그러나 핀에 지지되는 기판의 영역과 이 외의 영역 간에는 온도 차가 발생된다. 이 결과 기판의 영역별 온도차로 인해 핀에 지지되는 영역에는 얼룩이 발생된다. 또한 핀에 지지되는 영역은 이 외의 영역에 비해 많은 열이 핀으로부터 전도된다. 이로 인해 기판의 파손 등이 발생될 수 있다.
또한 기판은 그 상면에 복수 개의 셀들이 형성된 글래스로 제공될 수 있다. 이로 인해 핀들은 셀들과 대응되지 않는 영역을 지지하는 것이 바람직하다. 그러나 핀은 플레이트에 압입 또는 볼트를 통해 고정 결합되는 구조를 가진다. 이로 인해 셀들의 갯수, 위치, 그리고 크기 등이 서로 상이한 기판들을 처리 시에는 셀을 고려하여 핀의 위치를 선택적으로 변경하는 것은 용이하지 않다.
한국특허 공개번호: 10-2010-0103401
본 발명은 기판을 균일하게 베이크할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 셀들과 대응되지 않는 기판의 영역을 지지할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 셀들의 갯수, 위치, 그리고 크기 등이 다양한 종류의 기판들에 대해서 지지부재가 기판과 접촉되는 영역을 변경할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 기판을 베이크하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판처리장치는 내부에 기판을 처리하는 공간을 제공하는 챔버, 상기 공간 내에 배치되고, 기판을 가열하는 히터 유닛, 그리고 상기 공간 내에서 상기 히터유닛의 상부에 위치되고, 기판을 선접촉하여 지지하는 복수 개의 와이어들을 포함한다.
상기 와이어들은 상기 히터유닛과 이격되게 위치될 수 있다. 상기 와이어들 간의 간격을 조절하는 구동부재를 더 포함할 수 있다. 상기 복수 개의 와이어들은 일방향을 따라 나란히 배치되고, 상기 구동부재는 상기 와이어들 각각의 일단을 지지하는 제1브라켓들, 상기 와이어들 각각의 타단을 지지하는 제2브라켓들, 상기 제1브라켓들이 상기 일방향을 따라 이동가능하도록 상기 제1브라켓의 이동을 안내하는 제1가이드라인이 형성되는 제1프레임, 상기 제2브라켓들이 상기 일방향을 따라 이동가능하도록 상기 제2브라켓의 이동을 안내하는 제2가이드라인이 형성되는 제2프레임을 포함할 수 있다. 상기 와이어들은 상기 공간 내에 제공되는 프레임에 고정 설치될 수 있다. 상기 와이어는 기판과 동일 재질로 제공될 수 있다.
또한 글래스의 상면에 복수 개의 셀들이 형성된 기판을 베이크하는 방법에 있어서, 히터유닛의 상부에서 상기 히터유닛과 이격되게 위치되고 일방향으로 나란히 배치된 와이어들에 상기 기판을 지지하는 로딩단계 및 상기 히터유닛이 상기 와이어들에 지지된 기판을 가열하는 가열단계를 포함한다.
상기 와이어들은 상기 기판의 셀들과 중첩되지 않게 위치될 수 있다.
상기 셀들의 크기 또는 위치가 상이하게 제공되는 서로 다른 기판들에 대해서는, 상기 와이어들이 상기 서로 다른 기판들을 지지하는 위치가 서로 상이하게 제공될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 기판을 균일하게 베이크할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 와이어는 히터유닛으로부터 이격되게 위치되어 기판의 영역별 온도차를 최소화할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 와이어들은 서로 간의 간격을 조절하여 다양한 종류의 기판에 대해 그 접촉되는 영역을 변경할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 와이어는 기판의 접촉영역과 동일 재질로 제공되어 얼룩을 최소화할 수 있다.
도1은 일반적은 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도3은 도2의 지지부재를 보여주는 평면도이다.
도4는 도2의 지지부재를 제1방향으로 바라본 측면도이다.
도5는 도2의 지지부재 및 구동부재를 보여주는 사시도이다.
도6 및 도7은 도2의 기판처리장치를 이용하여 서로 다른 종류의 기판들을 처리하는 과정을 보여주는 평면도이다.
도8은 도5의 지지부재 및 구동부재의 다른 실시예를 보여주는 사시도이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
이하, 도2 내지 도8을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다. 도2를 참조하면, 기판처리장치(10)를 기판(S) 상에 도포된 약액을 건조하는 베이크 공정을 수행한다. 기판(S)은 글래스(G)의 상면에 복수 개의 셀(C)들이 형성되는 평판표시패널일 수 있다. 기판처리장치(10)는 챔버(100), 히터유닛(200), 그리고 지지부재(300)를 포함한다. 챔버(100)는 그 내부에 기판(S)이 베이크되는 공간을 제공한다. 챔버(100)는 바닥벽(110), 측벽(120), 그리고 상부벽(130)을 가진다. 바닥벽(110), 측벽(120), 그리고 상부벽(130)은 각각 사각의 판 형상으로 제공된다. 측벽(120)은 바닥벽(110)의 끝단으로부터 각각 위로 연장된다. 상부벽(130)은 측벽들(120) 각각의 상단으로부터 수직하게 연장된다. 측벽(120)은 제1측벽(120a), 제2측벽(120b) 제3측벽(120c), 그리고 제4측벽(120d)을 가진다. 제1측벽(120a)은 그 일면이 제1방향을 향하도록 제공된다. 제2측벽(120b)은 제1측벽(120a)과 마주보도록 제공된다. 제3측벽(120c)은 그 일면이 제1방향과 수직한 제2방향을 향하도록 제공된다. 제3측벽(120c)은 제1측벽(120a)과 제2측벽(120b)으로부터 수직하게 연장되도록 제공된다. 제4측벽(120d)은 제3측벽(120c)과 서로 마주보도록 제공된다. 상부벽(130)은 제1측벽(120a), 제2측벽(120b), 제3측벽(120c), 그리고 제4측벽(120d)의 상단으로부터 각각 수직하게 연장된다. 제1측벽(120a)에는 개구(141)가 형성된다. 개구(141)는 기판(S)이 반입되는 입구로서 기능한다. 개구(141)에는 도어(143)가 설치된다. 도어(143)는 개구(141)를 개폐한다. 제2측벽(120b)에는 배기구(151)가 형성된다. 챔버(100) 내에서 발생된 공정부산물은 배기구(151)를 통해 챔버(100)의 외부로 배기된다. 배기구(151)는 개구(141)보다 높게 위치될 수 있다. 배기구(151)는 외부에 설치되는 배기부재(153)에 연결된다. 배기부재(153)는 챔버(100) 내에 음압을 제공하여 공정부산물을 배기할 수 있다.
히터유닛(200)은 챔버(100) 내에 반입된 기판(S)을 가열한다. 히터유닛(200)은 플레이트(210) 및 가열부재를 포함한다. 플레이트(210)는 판 형상으로 제공된다. 플레이트(210)는 개구(141)와 대응되는 높이에 위치된다. 플레이트(210)는 챔버(100)의 내측벽과 이격되게 배치된다. 플레이트(210)의 상면에는 복수 개의 홀들(미도시)이 형성된다. 각각의 홀(미도시)에는 리프트핀(미도시)이 제공된다. 리프트핀들(미도시)은 플레이트(210)의 상면으로부터 위로 돌출되게 상하 이동할 수 있다. 리프트핀(미도시)은 기판(S)을 지지부재(300)에 안정적으로 안착시킬 수 있다.
플레이트(210)의 내부에는 가열부재가 제공된다. 가열부재는 플레이트(210)를 가열하고, 가열된 플레이트(210)는 기판(S)으로 열을 전달할 수 있다. 예컨대, 가열부재는 열선 또는 인쇄된 저항체일 수 있다.
지지부재(300)는 히터유닛(200)의 상부에서 기판(S)을 지지한다. 도3은 도2의 지지부재를 보여주는 평면도이고, 도4는 도2의 지지부재를 제1방향으로 바라본 측면도이다. 도3 및 도4를 참조하면, 지지부재(300)는 와이어(310) 및 구동부재(400)를 포함한다. 와이어(310)는 복수 개로 제공된다. 와이어(310)들은 기판(S)을 직접 지지한다. 와이어(310)들은 플레이트(210)의 상면으로부터 이격된 위치에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 와이어(310)들은 셀(C)과 중첩되지 않도록 제공될 수 있다. 와이어(310)는 기판(S)과 선접촉할 수 있다. 와이어(310)들은 일방향을 따라 나란하게 배치된다. 와이어(310)들은 모두 동일 높이에 위치된다. 일 예에 의하면, 각각의 와이어(310)는 그 길이방향이 제1방향으로 제공될 수 있다. 와이어(310)는 기판(S)과 동일 재질로 제공될 수 있다. 와이어(310)는 글래스(G) 섬유재질로 제공될 수 있다. 이는 와이어(310)가 기판(S)에 접촉되는 영역에 얼룩이 발생되는 것을 감소시킬 수 있다. 선택적으로 와이어(310)는 티타늄 재질로 제공될 수 있다.
구동부재(400)는 와이어(310)들 간의 간격을 조절한다. 도5는 도2의 지지부재 및 구동부재를 보여주는 사시도이다. 도5를 참조하면, 구동부재(400)는 상부에서 바라볼 때 셀(C)이 형성되지 않은 기판(S)의 영역을 와이어(310)가 지지하도록 그 와이어(310)들의 위치를 조절한다. 구동부재(400)는 제1브라켓(410a), 제2브라켓(410b), 제1프레임(430a), 제2프레임(430b), 그리고 제어부(450)를 포함한다. 제1브라켓(410a) 및 제2브라켓(410b)은 각각 복수 개로 제공된다. 제1브라켓(410a) 및 제2브라켓(410b) 각각은 와이어(310)의 갯수와 동일하게 제공될 수 있다. 제1브라켓(410a)은 와이어(310)들 각각의 일단을 지지한다. 제2브라켓(410b)은 와이어(310)들 각각의 타단을 지지한다.
제1프레임(430a)은 제1측벽(120a)에 고정 설치된다. 제1프레임(430a)은 그 길이방향이 제2방향을 향하도록 제공된다. 제1프레임(430a)의 내측면에는 제1가이드라인(431a)이 형성된다. 제1가이드라인(431a)은 제1프레임(430a)의 길이방향을 따라 길게 제공될 수 있다. 제1가이드라인(431a)은 제1브라켓(410a)의 이동을 안내한다. 제1브라켓(410a)은 제1가이드라인(431a)에 설치된다. 제1브라켓(410a)은 제1가이드라인(431a)을 따라 수평 이동할 수 있다. 제2프레임(430b)은 제2측벽(120b)에 고정 설치된다. 제2프레임(430b)은 제1프레임(430a)과 대향되도록 위치된다. 제2프레임(430b)은 그 길이방향이 제2방향을 향하도록 제공된다. 제2프레임(430b)의 내측면에는 제2가이드라인(431b)이 형성된다. 제2가이드라인(431b)은 제2브라켓(410b)의 이동을 안내한다. 제2가이드라인(431b)은 제2프레임(430b)의 길이방향을 따라 길게 제공될 수 있다. 제2브라켓(410b)은 제2가이드라인(431b)에 설치된다. 제2브라켓(410b)은 제2가이드라인(431b)을 따라 수평 이동할 수 있다.
제어부(450)는 외부로부터 기판(S)에 대한 정보를 제공받고, 그 정보를 근거로 와이어(310)들의 위치를 제어한다. 제어부(450)는 브라켓에 동력을 제공하는 모터(미도시)를 제어하여 와이어(310)들 간의 간격을 조절할 수 있다. 제어부(450)는 상부에서 바라볼 때 와이어(310)가 셀(C)과 중첩되지 않도록 와이어(310)들 간의 간격을 조절할 수 있다.
다음은 상술한 기판처리장치(10)를 이용하여 기판(S)을 처리하는 과정을 설명한다. 도6 및 도7은 도2의 기판처리장치를 이용하여 서로 다른 종류의 기판들을 처리하는 과정을 보여주는 평면도이다. 도6 및 도7을 참조하면, 기판이송로봇은 약액이 도포된 제1기판(S1)을 챔버(100) 내에 반입한다. 제어부(450)는 외부로부터 제공된 제1기판(S1)의 정보를 근거로 하여 와이어(310)가 제1기판(S1)의 셀(C1)들과 중첩되지 않도록 위치를 조절한다. 제1기판(S1)이 와이어(310)들에 놓이면, 도어(143)는 개구(141)를 차단한다. 가열부재는 제1기판(S1) 상에 도포된 약액이 건조되도록 플레이트(210)를 가열한다. 가열된 플레이트(210)는 제1기판(S1)으로 열을 전달한다. 공정 진행 중에 발생되는 공정부산물은 배기구(151)를 통해 배기된다. 제1기판(S1)의 베이크 공정이 완료되면, 히터유닛(200)을 제1기판(S1)의 가열을 중지한다. 도어(143)는 개구(141)를 개방하고, 기판이송로봇은 제1기판(S1)을 와이어(310)로부터 언로딩한다. 이후에 기판이송로봇은 약액이 도포된 제2기판(S2)을 챔버(100) 내에 반입한다. 제어부(450)는 외부로부터 제공된 제2기판(S2)의 정보를 근거로 하여 와이어(310)가 제2기판(S2)의 셀(C2)들과 중첩되지 않도록 위치를 조절한다. 제2기판(S2)이 와이어(310)들에 놓이면, 도어(143)는 개구(141)를 차단한다. 가열부재는 제2기판(S2) 상 상에 도포된 약액이 건조되도록 플레이트(210)를 가열한다. 가열된 플레이트(210)는 제2기판(S2)으로 열을 전달한다. 공정 진행 중에 발생되는 공정부산물은 배기구(151)를 통해 배기된다. 제2기판(S2)의 베이크 공정이 완료되면, 히터유닛(200)을 제2기판(S2)의 가열을 중지한다. 도어(143)는 개구(141)를 개방하고, 기판이송로봇은 제2기판(S2)을 와이어(310)로부터 언로딩한다.
상술한 실시예에서는 와이어(310)들의 위치가 조절 가능한 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 와이어(310)들은 도8과 같이 양 끝단이 프레임에 고정설치될 수 있다.
본 발명의 실시예에서는 기판(S)을 지지하는 와이어(310)들이 플레이트(210)로부터 이격되게 위치된다. 이로 인해 와이어(310)들은 글래스(G)와 동일 재질로 제공될 수 있고, 베이크 공정 중에 발생되는 얼룩을 최소화할 수 있다.
100: 챔버 200: 히터 유닛
300: 지지부재 310: 와이어
400: 구동부재

Claims (2)

  1. 내부에 기판을 처리하는 공간을 제공하는 챔버와;
    상기 공간 내에 배치되고, 기판을 가열하는 히터 유닛과; 그리고
    상기 공간 내에서 상기 히터유닛의 상부에 위치되고, 기판을 선접촉하여 지지하는 복수 개의 와이어들을 포함하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 와이어들은 상기 히터유닛과 이격되게 위치되는 기판처리장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160071215A (ko) * 2014-12-11 2016-06-21 프로미스 주식회사 포토리소그라피 공정용 베이크장치 및 이의 상판
WO2017195933A1 (ko) * 2016-05-11 2017-11-16 주성엔지니어링(주) 기판지지홀더 및 이를 사용한 기판처리장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05109792A (ja) * 1991-10-15 1993-04-30 Shinkawa Ltd キユア装置
JP2000150333A (ja) * 1998-11-18 2000-05-30 Tokyo Electron Ltd 基板熱処理装置
KR20100113472A (ko) * 2002-11-27 2010-10-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판처리장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05109792A (ja) * 1991-10-15 1993-04-30 Shinkawa Ltd キユア装置
JP2000150333A (ja) * 1998-11-18 2000-05-30 Tokyo Electron Ltd 基板熱処理装置
KR20100113472A (ko) * 2002-11-27 2010-10-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판처리장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160071215A (ko) * 2014-12-11 2016-06-21 프로미스 주식회사 포토리소그라피 공정용 베이크장치 및 이의 상판
WO2017195933A1 (ko) * 2016-05-11 2017-11-16 주성엔지니어링(주) 기판지지홀더 및 이를 사용한 기판처리장치

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