JP4781901B2 - 熱処理方法,プログラム及び熱処理装置 - Google Patents
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Description
84 PEB装置
88 反り測定装置
140 熱板
145 第1の昇降ピン
150a,150b,150c 吸引口
153 制御部
W ウェハ
Claims (20)
- 熱処理板上に基板を載置して熱処理する熱処理方法であって,
熱処理される基板の変形状態に基づいて,熱処理板の基板載置面にある複数の吸引口の各吸引開始タイミングを設定する工程と,
前記基板を熱処理板上に載置する際に,前記設定された吸引開始タイミングに基づいて前記各吸引口により基板を吸引して基板を熱処理板上に吸着する工程と,
前記熱処理板上で基板を熱処理する工程と,を有し,
前記吸引開始タイミングを設定する工程においては,前記基板の上側に変形した部分に対応する吸引口の吸引開始タイミングを他の吸引口の吸引開始タイミングよりも早く設定することを特徴とする,熱処理方法。 - 前記基板が上に凸の反り形状の場合には,基板の中心部に対応する吸引口の吸引開始タイミングを基板の外周部に対応する吸引口の吸引開始タイミングよりも早く設定し,
前記基板が下に凸の反り形状の場合には,基板の外周部に対応する吸引口の吸引開始タイミングを基板の中心部に対応する吸引口の吸引開始タイミングよりも早く設定することを特徴とする,請求項1に記載の熱処理方法。 - 前記基板の変形状態に基づいて,前記各吸引口の少なくとも吸引開始時の吸引圧力を設定する工程を有することを特徴とする,請求項1又は2に記載の熱処理方法。
- 前記基板の上側に変形した部分に対応する吸引口の吸引圧力を他の吸引口の吸引圧力よりも高く設定することを特徴とする,請求項3に記載の熱処理方法。
- 前記基板が上に凸の反り形状の場合には,基板の中央部に対応する吸引口の吸引圧力を基板の外周部に対応する吸引口よりも高く設定し,
前記基板が下に凸の反り形状の場合には,基板の外周部に対応する吸引口の吸引圧力を基板の中心部に対応する吸引口よりも高く設定することを特徴とする,請求項4に記載の熱処理方法。 - 前記基板の変形状態に基づいて,熱処理板に形成された複数の温度調整領域の各設定温度を設定する工程を有することを特徴とする,請求項1〜5のいずれかに記載の熱処理方法。
- 前記基板の上側に変形した部分に対応する温度調整領域の設定温度を他の温度調整領域の設定温度よりも高く設定することを特徴とする,請求項6に記載の熱処理方法。
- 前記基板が上に凸の反り形状の場合には,基板の中央部に対応する温度調整領域の設定温度を基板の外周部に対応する温度調整領域の設定温度よりも高く設定し,
前記基板が下に凸の反り形状の場合には,基板の外周部に対応する温度調整領域の設定温度を基板の中央部に対応する温度調整領域の設定温度よりも高く設定することを特徴とする,請求項7に記載の熱処理方法。 - 前記各吸引口の吸引終了タイミングを時間差ができるように設定することを特徴とする,請求項1〜8のいずれかに記載の熱処理方法。
- 請求項1〜9のいずれかに記載の熱処理方法をコンピュータに実現させるためのプログラム。
- 基板の熱処理装置であって,
基板を載置して熱処理する熱処理板と,
前記熱処理板の基板載置面に形成され,基板を吸引するための複数の吸引口と,
熱処理される基板の変形状態に基づいて前記各吸引口の吸引開始タイミングを時間差ができるように設定し,基板を前記熱処理板上に載置する際に,前記設定された吸引開始タイミングに基づいて前記各吸引口により順に基板を吸引させて基板を熱処理板上に吸着させる制御部と,を有し,
前記基板の上側に変形した部分に対応する吸引口の吸引開始タイミングを他の吸引口の吸引開始タイミングよりも早く設定することを特徴とする,熱処理装置。 - 熱処理される基板が上に凸の反り形状の場合には,基板の中央部の吸引口の吸引開始タイミングを基板の外周部の吸引口よりも早く設定し,
熱処理される基板が下に凸の反り形状の場合には,基板の外周部の吸引口の吸引開始タイミングを基板の中央部の吸引口よりも早く設定することを特徴とする,請求項11に記載の熱処理装置。 - 前記制御部は,熱処理される基板の変形状態に基づいて,前記各吸引口の少なくとも吸引開始時の吸引圧力を設定することを特徴とする,請求項11又は12に記載の熱処理装置。
- 前記基板の上側に変形した部分に対応する吸引口の吸引圧力を他の吸引口の吸引圧力よりも高く設定することを特徴とする,請求項13に記載の熱処理装置。
- 熱処理される基板が上に凸の反り形状の場合には,基板の中央部に対応する吸引口の吸引圧力を基板の外周部に対応する吸引口よりも高く設定し,
熱処理される基板が下に凸の反り形状の場合には,基板の外周部に対応する吸引口の吸引圧力を基板の中央部に対応する吸引口よりも高く設定することを特徴とする,請求項14に記載の熱処理装置。 - 前記制御部は,熱処理される基板の変形状態に基づいて,熱処理板に形成された複数の温度調整領域の各設定温度を設定することを特徴とする,請求項11〜15のいずれかに記載の熱処理装置。
- 前記基板の上側に変形した部分に対応する温度調整領域の設定温度を他の温度調整領域の設定温度よりも高く設定することを特徴とする,請求項16に記載の熱処理装置。
- 熱処理される基板が上に凸の反り形状の場合には,基板の中央部に対応する温度調整領域の温度設定を基板の外周部に対応する温度調整領域の温度設定よりも高く設定し,
熱処理される基板が下に凸の反り形状の場合には,基板の外周部に対応する温度調整領域の温度設定を基板の中央部に対応する温度調整領域の温度設定よりも高く設定することを特徴とする,請求項17に記載の熱処理装置。 - 前記設定温度は,基板の反り量に応じて設定されることを特徴とする,請求項16〜18のいずれかに記載の熱処理装置。
- 前記制御部は,前記各吸引口の吸引開始タイミングを時間差ができるように設定することを特徴とする,請求項11〜19のいずれかに記載の熱処理装置。
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