KR20160133810A - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 가열 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 내부에 처리 공간을 제공하는 하우징과; 상기 하우징 내에서 기판을 지지하는 플레이트, 상기 플레이트를 가열하는 히터 및 상기 히터를 제어하는 제어기를 가지는 가열 유닛을 포함하되, 상기 제어기는 상기 플레이트를 가열초기온도부터 설정온도까지 가열시 상기 가열이 단계적으로 이루어지도록 상기 히터를 제어한다.

Description

기판 처리 장치 및 방법{method and Apparatus for Processing Substrate}
본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판을 가열하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 포토 리소그래피, 에칭, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 패턴을 형성하기 위해 수행되는 포토 리소그래피 공정은 반도체 소자의 고집적화를 이루는데 중요한 역할을 수행한다.
포토리소그래피 공정은 실리콘으로 이루어진 반도체 기판 상에 포토레지스트패턴을 형성하기 위해 수행된다. 포토리소그래피 공정은 기판 상에 포토레지스트 막을 형성하기 위한 코팅 및 소프트 베이크 공정, 상기 포토레지스트 막으로부터 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 노광 및 현상 공정, 상기 포토레지스트 막 또는 패턴의 에지 부위를 제거하기 위한 에지 비드 제거(edge bead removal; 이하 'EBR'라 한다) 공정 및 에지 노광(edgeexposure of wafer; 이하 'EEW'라 한다) 공정, 상기 포토레지스트 패턴을 안정화 및 치밀화시키기 위한 하드 베이크 공정 등을 포함한다.
베이크 공정은 가열 유닛을 통해서 기판을 가열한다. 기판을 플레이트에 놓인 상태에서 가열된다. 다만, 기판을 상온에서 고온으로 가열하는 경우 가열장치 내부에 제공된 열선이나 온도측정센서 등의 기구물에 스트레스가 가해져 손상이 발생한다. 열선의 손상으로 가열이 제대로 이루어지지 않거나, 온도측정센서의 손상으로 설정온도까지 정확히 가열하지 못하는 문제점이 있다.
본 발명은 기판을 가열하는 공정시, 가열장치 내부에 제공된 기구물이 손상되는 것을 방지하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명은 기판을 가열하는 공정시, 설정온도까지 기판을 정확하게 가열할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 내부에 처리 공간을 제공하는 하우징과; 상기 하우징 내에서 기판을 지지하는 플레이트, 상기 플레이트를 가열하는 히터 및 상기 히터를 제어하는 제어기를 가지는 가열 유닛을 포함하되, 상기 제어기는 상기 플레이트를 가열초기온도부터 설정온도까지 가열시 상기 가열이 단계적으로 이루어지도록 상기 히터를 제어한다.
일 실시예에 의하면, 상기 제어기는 상기 가열초기온도부터 상기 설정온도까지의 사이에 1이상의 중간온도를 제공하고, 복수의 가열 단계를 통해 상기 플레이트가 상기 가열초기온도부터 상기 설정온도까지 가열되도록 제어하되, 각각의 상기 중간온도에 도달 후 그 다음의 상기 중간온도 또는 상기 설정온도에 도달하기 전까지 상기 중간온도를 설정된 대기 시간 동안 유지하도록 상기 히터를 제어한다.
일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 각각의 상기 중간 온도에 도달 후 대기하는 상기 대기 시간은 모두 동일하도록 상기 히터를 제어한다.
일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 각각의 상기 중간 온도에 도달 후 대기하는 상기 대기 시간은 서로 상이하도록 상기 히터를 제어한다.
일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 제n(n은 1이상의 자연수) 가열 단계 이후의 상기 대기 시간은 제(n+1) 가열 단계 후의 상기 대기 시간보다 더 짧도록 상기 히터를 제어한다.
일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 인접한 복수의 상기 중간온도들 간의 온도 간격은 모두 동일하도록 상기 히터를 제어한다.
일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 인접한 복수의 상기 중간온도들 간의 온도 간격은 서로 상이하도록 상기 히터를 제어한다.
일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 제(m-1, m은 2이상의 자연수)가열 단계와 제m 가열 단계 사이의 온도 간격보다 제m 가열 단계와 제(m+1) 가열 단계 사이의 온도간격이 더 작도록 상기 히터를 제어한다.
일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 복수의 상기 가열 단계의 각각의 가열 시간은 모두 동일하도록 상기 히터를 제어한다.
일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 복수의 상기 가열 단계의 각각의 가열 시간은 서로 상이하도록 상기 히터를 제어한다.
일 실시예에 의하면, 상기 제어기는, 제m 가열 단계의 상기 가열 시간은 제(m-1, m은 2이상의 자연수)가열 단계의 상기 가열 시간보다 길고, 제(m+1) 가열 단계의 상기 가열 시간보다 짧도록 상기 히터를 제어한다.
본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판을 가열초기온도로부터 가열하고자 하는 설정온도까지의 사이를 1이상의 중간온도로 나누어 복수의 가열 단계를 통해 상기 기판을 가열하되, 각각의 상기 중간온도에 도달 후 그 다음의 중간온도 또는 상기 설정온도에 도달하기 전까지 상기 중간온도를 설정된 대기 시간동안 유지한다.
일 실시예에 의하면, 각각의 상기 중간 온도에 도달 후 대기하는 상기 대기 시간이 모두 동일하다.
일 실시예에 의하면, 제n(n은 1이상의 자연수) 가열 단계 이후의 상기 대기 시간은 제(n+1) 가열 단계 후의 상기 대기 시간보다 더 짧다.
일 실시예에 의하면, 인접한 복수의 상기 중간온도들 간의 온도 간격을 모두 동일하다.
일 실시예에 의하면, 제(m-1, m은 2이상의 자연수)가열 단계와 제m 가열 단계 사이의 온도 간격보다 제m 가열 단계와 제(m+1) 가열 단계 사이의 온도간격이 더 작다.
일 실시예에 의하면, 복수의 상기 가열 단계의 가열 시간을 모두 동일하다.
일 실시예에 의하면, 제m 가열 단계의 상기 가열 시간은 제(m-1, m은 2이상의 자연수)가열 단계의 상기 가열 시간보다 길고, 제(m+1) 가열 단계의 상기 가열 시간보다 짧다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 4는 히터를 제어하는 제어기의 실시예를 나타낸 그래프이다.
도 5는 히터를 제어하는 제어기의 다른 실시예를 나타낸 그래프이다.
도 6은 히터를 제어하는 제어기의 또다른 실시예를 나타낸 그래프이다.
도 7은 도 4의 제어기의 변형예를 나타낸 그래프이다.
도 8은 도 5의 제어기의 변형예를 나타낸 그래프이다.
도 9는 도 6의 제어기의 변형예를 나타낸 그래프이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 1 내지 도 3은 기판 처리 장치(10)을 보여주는 도면이다. 이하 도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 기판 처리 장치(10)는 기판(W)에 처리액을 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 처리액을 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다.
기판 처리 장치(10)는 하우징(100), 반송 유닛(200), 가열 유닛(300) 그리고 냉각 유닛(400)을 포함한다.
하우징(100)은 베이크 공정과 같은 처리가 이루어지도록 내부에 처리 공간을 제공한다. 하우징(100)은 직육면체 형상으로 제공된다. 하우징(100)은 제1측벽(111), 제2측벽(112), 제3측벽(113) 그리고 제4측벽(114)을 포함한다.
제1측벽(111)은 하우징(100)의 일측면에 제공된다. 제1측벽(111)에는 기판(W)이 출입되는 출입구(116)가 형성된다. 일 예로 출입구(116)는 제1측벽(111)에 형성될 수 있다. 출입구(116)는 기판(W)이 이송 또는 반송 되도록 기판(W)의 이동하는 통로를 제공한다.
제2측벽(112)은 제1측벽(111)의 반대편에 형성된다. 제2측벽(112)은 제1측벽(111)과 평행하게 제공된다. 제3측벽(113)은 제1측벽(111)과 제2측벽(112) 사이에 제공된다. 제3측벽(113)은 제1측벽(111)과 제2측벽(112) 각각에 수직하게 제공된다. 제4측벽(114)은 제1측벽(111)과 제2측벽(112) 사이에 제공된다. 제4측벽(114)은 제1측벽(111)과 제3측벽(113) 각각에 수직하게 제공된다. 제4측벽(114)은 제3측벽(113)과 평행하게 제공된다.
반송 유닛(200)은 기판(W)을 지지 유닛(300)으로 이송하거나, 공정이 끝난 기판(W)을 외부로 반송하도록 기판(W)을 이동시키는 역할을 한다. 반송 유닛(200)은 기판을 제1위치(101)와 제2위치(102)간을 이동시킨다. 여기서 제1위치(101)는 제1측벽(111)에 인접하는 위치이다. 제2위치(102)는 제2측벽(112)에 인접하는 위치이다.
반송 유닛(200)은 반송 플레이트(210), 지지암(220), 지지링(230), 그리고 구동 부재(270)를 포함한다.
반송 플레이트(210)에는 기판(W)이 놓인다. 반송 플레이트(210)는 원형의 형상으로 제공된다. 반송 플레이트(210)는 기판(W)과 동일한 크기로 제공된다. 반송 플레이트(210)는 열전도도가 좋은 금속의 재질로 제공된다. 반송 플레이트(210)에는 가이드 홀(250)이 형성되어 있다. 가이드 홀(250)은 리프트 핀(315)을 수용하기 위한 공간이다. 가이드 홀(250)은 반송 플레이트(210)의 외측으로부터 그 내측으로 연장되어 제공된다. 가이드 홀(250)은 반송 플레이트(210)의 이동 시 리프트 핀(315)과 간섭 또는 충돌이 일어나지 않도록 한다.
지지암(220)은 반송 플레이트(210)와 고정결합된다. 지지암(220)은 반송 플레이트(210)와 구동 부재(270) 사이에 제공된다.
지지링(230)은 반송 플레이트(210) 주위를 감싸며 제공된다. 지지링(230)은 반송 플레이트(210)의 가장 자리를 지지한다. 지지링(230)은 기판(W)이 반송 플레이트(210)에 놓여진 후 기판(W)이 정위치에 놓이도록 기판(W)을 지지하는 역할을 한다.
구동 부재(270)는 반송 플레이트(210)를 이송 또는 반송할 수 있도록 한다. 구동 부재(270)는 반송 플레이트(210)를 직선 운동 또는 상하 구동할 수 있도록 제공된다. 구동 부재(270)는 반송 플레이트(210)를 제1위치(101)와 제2위치(102) 사이로 이동시킬 수 있다.
가열 유닛(300)은 기판을 지지하여 기판을 가열한다. 가열 유닛(300)은 플레이트(311), 핀 홀(312), 히터(313), 리프트 핀(315), 커버(317), 구동기(319) 그리고 제어기(350)를 포함한다.
플레이트(311)는 원통형의 형상으로 제공된다. 플레이트(311)는 열전도도가 좋은 재질로 제공될 수 있다. 일 예로 플레이트(311)는 금속 재질로 제공될 수 있다. 플레이트(311)의 상부에는 리프트 핀(315)을 수용하는 핀 홀(312)이 형성되어 있다.
히터(313)는 기판(W)을 가열한다. 히터(313)는 플레이트(311)의 내부에 제공된다. 예컨대, 히터(313)는 플레이트(311) 내에는 히팅 코일로 설치될 수 있다. 이와는 달리 플레이트(311)에는 발열 패턴들이 제공될 수 있다. 히터(313)는 플레이트(311) 내부에 제공되므로 기판이 가열되기 전에 우선적으로 플레이트(311)가 가열된다.
핀 홀(312)은 리프트 핀(315)이 기판(W)을 상하로 이동시킬 때 리프트 핀(315)의 이동하는 경로를 위해 제공된다. 핀 홀(312)은 플레이트(311)의 상부에 제공되며, 복수개가 제공될 수 있다.
리프트 핀(315)은 승강 기구(미도시)에 의해 상하로 이동된다. 리프트 핀(315)은 기판(W)을 플레이트(311) 상에 안착시킬 수 있다. 리프트 핀(315)은 기판(W)을 플레이트(311)로부터 일정거리 이격된 위치로 기판(W)을 승강시킬 수 있다.
커버(317)는 플레이트(311)의 상부에 위치한다. 커버(317)는 원통형의 형상으로 제공된다. 커버(317)는 내부에 가열 공간을 제공한다. 커버(317)는 기판(W)이 플레이트(311)로 이동시 구동기(319)에 의해 플레이트(311)의 상부로 이동한다. 커버(317)는 기판(W)이 플레이트(311)에 의해 가열 시 구동기(319)에 의해 하부로 이동하여 기판(W)이 가열되는 가열 공간을 형성한다.
구동기(319)는 지지부(318)에 의해 커버(317)와 고정 결합된다. 구동기(319)는 기판(W)의 플레이트(311)로 이송 또는 반송 되는 경우 커버(317)를 상하로 승하강시킨다. 일 예로 구동기(319)는 실린더 구동기로 제공될 수 있다.
제어기(350)는 히터(313)를 제어한다. 일 예로, 제어기(350)는 플레이트(311)를 가열초기온도로부터 설정온도까지 가열시에 가열이 단계적으로 이루어지도록 한다. 일 예로, 제어기(350)는 가열초기온도로부터 설정온도까지의 사이에 1이상의 중간온도를 제공하고, 중간온도를 기준으로 가열 단계를 나누어 플레이트(311)를 가열하도록 히터(313)를 제어한다. 따라서, 설정온도까지 연속적으로 승온하는 것이 아니라, 승온구간과 등온구간이 반복되는 과정을 거쳐 설정온도까지 가열할 수 있다.
또한, 제어기(350)는 복수의 가열 단계 사이에 소정의 대기 시간동안 플레이트(311)의 온도를 유지하도록 히터(313)를 제어한다. 예를 들어, 제1 중간온도에 도달 후, 제2 중간온도 또는 설정온도까지 설정된 대기 시간동안 제1 중간온도를 유지하도록 히터(313)를 제어한다. 일반적으로, 히터(313)의 전원을 오프(Off)하면 플레이트(311) 및 기판의 온도가 하강할 수 있다. 따라서, 히터(313)의 온(On)하되, 출력을 낮춤으로써 대기 시간동안 온도를 유지할 수 있다. 다만, 대기 시간 동안 히터(313)를 반드시 온(On)해야 하는 것은 아니며, 대기 시간동안 온도가 하강하여도 무방하다.
도 4 내지 도 9를 참조하여, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(10)의 실시예 및 변형예를 설명한다. 제어기(350)가 히터(313)를 제어하는 실시예 및 변형예에 관한 것이다. 이하에서는, 가열초기온도가 0℃, 설정온도가 400℃이고, 가열 단계가 제1 가열 단계(S1) 내지 제4 가열 단계(S4)로 이루어지는 것을 예시로 들었다. 다만, 설정온도 및 가열 단계는 이에 한하지 않는다. 또한, 일반적으로는 플레이트(311)의 가열초기온도는 상온이지만, 아래에서는 설명의 편의를 위해 가열초기온도를 0℃로 하여 설명한다.
도 4를 참조하면, 제어기(350)는 인접한 중간온도들의 온도 간격이 모두 동일하도록 히터(313)를 제어할 수 있다. 예를 들어, 가열 단계는 0℃에서 100℃까지 가열하는 제1 가열 단계(S1), 100℃에서 200℃까지 가열하는 제2 가열 단계(S2), 200℃에서 300℃까지 가열하는 제3 가열 단계(S3), 300℃에서 400℃까지 가열하는 제4 가열 단계(S4)를 포함할 수 있다. 이 경우, 전체의 가열 공정을 각 가열 단계로 분할하는 과정 및 각 가열 단계의 진행 상태를 모니터링 하는 것이 용이하여 공정의 편의를 도모할 수 있다.
또한, 도 5를 참조하면, 제어기(350)는 각각의 중간단계 사이에 설정되는 대기 시간을 t1으로 모두 동일하도록 히터(313)를 제어할 수 있다. 이 경우, 전체 가열 공정을 각 가열 단계로 분할하는 과정 및 각 가열 단계를 모니터링하는 것이 용이하여 공정의 편의를 도모할 수 있다.
또한, 도 6을 참조하면, 제어기(350)는 각 가열 단계의 가열 시간이 모두 동일하도록 히터(313)를 제어할 수 있다. 제1 가열 단계(S1) 내지 제4 가열 단계(S4)의 가열 시간을 모두 t2로 동일하게 제어할 수 있다. 이때, 승온이 진행될수록 히터(313)의 단위출력당 승온율이 낮아지는 것을 고려하여, 히터(313) 출력의 세기를 조절할 수 있다. 이 경우, 전체 가열공정의 가열 시간 예측이 가능하여 공정 편의를 도모할 수 있다.
도 4의 상술한 예에서는 인접한 중간온도들의 온도 간격을 모두 동일하도록 제어하는 것으로 설명하였으나, 이와 달리, 인접한 각각의 중간온도들의 온도 간격이 상이하도록 히터(313)를 제어할 수도 있다. 이하, 도 7을 참조하여 설명한다.
제(m-1, m은 2이상의 자연수)가열 단계와 제m 가열 단계 사이의 온도 간격보다 제m 가열 단계와 제(m+1) 가열 단계 사이의 온도간격이 더 작도록 상기 히터(313)를 제어할 수 있다. 제1 가열 단계(S1)에서 제4 가열 단계(S4)로 진행될수록, 온도간격을 작게 할 수 있다. 즉, △Ta＞△Tb＞△Tc＞△Td 가 되도록 할 수 있다. 고온으로 급격하게 승온될수록, 가열 유닛(300)에 가해지는 스트레스가 커진다. 하지만, 온도간격을 조절함으로써, 가열 유닛(300)의 손상을 방지하고 공정의 안정을 도모할 수 있다.
또한, 도 5의 상술한 예에서는 각 가열 단계 사이의 대기 시간을 모두 동일한 것으로 설명하였으나, 이와 달리, 제어기(350)는 각각의 대기 시간이 상이하도록 히터(313)를 제어할 수도 있다. 이하, 도 8을 참조하여 설명한다.
제n(n은 1이상의 자연수) 가열 단계 이후의 상기 대기 시간은 제(n+1) 가열 단계 후의 상기 대기 시간보다 더 짧도록 제어할 수 있다. 제1 가열 단계(S1)에서 제4 가열 단계(S4)로 진행될수록, 대기 시간을 길게 할 수 있다. △ta＜△tb＜△tc 가 되도록 할 수 있다. 고온으로 급격하게 승온될수록, 가열 유닛(300)에 가해지는 스트레스가 커진다. 하지만, 가열 단계에 따라 대기시간을 길게 함으로써 가열 유닛(300)의 손상을 방지하고 공정의 안정을 도모할 수 있다.
또한, 도 6의 상술한 예에서는 각 가열 단계의 가열 시간이 모두 동일하도록 제어하는 것으로 설명하였으나, 이와 달리, 각 가열 단계의 가열 시간은 각각 상이하도록 히터(313)를 제어할 수도 있다. 이하, 도 9를 참조하여 설명한다.
예를 들어, 제m 가열 단계의 상기 가열 시간은 제(m-1, m은 2이상의 자연수)가열 단계의 상기 가열 시간보다 길고, 제(m+1) 가열 단계의 상기 가열 시간보다 짧도록 상기 히터(313)를 제어할 수 있다. 제1 가열 단계(S1)에서 제4 가열 단계(S4)로 진행될수록, 가열 시간을 길게 하여 가열을 천천히 할 수 있다. △t1＜△t2＜△t3＜△t4 가 되도록 할 수 있다. 고온으로 급격하게 승온될수록, 가열 유닛(300)에 가해지는 스트레스가 커진다. 하지만, 가열 단계에 따라 가열 시간을 길게 함으로써, 가열 유닛(300)의 손상을 방지하고 공정의 안정을 도모할 수 있다. 이때, 제1 가열 단계(S1) 내지 제4 가열 단계(S4) 동안 히터(313)의 출력을 일정하게 유지할 수 있다. 이 경우, 고온으로 승온될수록 히터(313)의 단위출력당 승온율은 낮아지므로, 가열 단계가 진행될수록 가열 시간은 길어진다.
냉각 유닛(400)은 플레이트(311) 또는 처리가 끝난 기판(W)을 냉각시키는 역할을 한다. 냉각 유닛(400)은 하우징(100)의 내부에 위치한다. 냉각 유닛(400)은 제2측벽(112)보다 제1측벽(111)에 인접하게 위치한다. 냉각 유닛(400)은 제1위치(101)에 제공된다. 냉각 유닛(400)은 냉각 플레이트(410)를 포함한다.
냉각 플레이트(410)는 기판을 냉각한다. 냉각 플레이트(410)는 원형의 형상으로 제공될 수 있다. 냉각 플레이트(410)는 기판에 상응하는 크기로 제공될 수 있다. 냉각 플레이트(410)의 내부에에는 냉각 유로가 제공될 수 있다. 냉각 유로에는 냉각수가 공급되어 기판(W)을 냉각 할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 설명한다.
기판(W)을 가열초기온도로부터 가열하고자 하는 설정온도까지의 사이를 1이상의 중간온도로 나누어 중간온도를 기준으로 복수의 가열단계로 나누고, 복수의 가열 단계를 통해 기판(W)을 가열하되, 각각의 상기 중간온도에 도달 후 그 다음의 중간온도 또는 상기 설정온도에 도달하기 전까지 상기 중간온도를 설정된 대기 시간동안 유지할 수 있다. 이때, 가열하는 장치의 구성에 따라서, 기판(W)을 직접적으로 가열할 수도 있고, 플레이트(311)를 가열한 후, 열전도 등에 의해 기판(W)이 가열될 수도 있다.
각 가열 단계와 그 다음 가열 단계 사이의 대기 시간이 모두 동일할 수 있고, 상이할 수도 있다. 상이한 경우, 가열 단계가 진행될수록 대기 시간을 길게 하여 공정의 안정성을 도모할 수 있다.
각 가열 단계마다 승온시키는 온도는 모두 동일할 수 있고, 상이할 수도 있다. 상이한 경우, 가열 단계가 진행될수록 승온시키는 온도간격을 작게 하여, 공정의 안정성을 도모할 수 있다.
각 가열 단계의 가열 시간을 모두 동일하게 할 수 있고, 상이하게 할 수도 있다. 상이한 경우, 가열 단계가 진행될수록 가열 시간을 길게 하여 천천히 가열함으로써, 공정의 안정성을 도모할 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
10: 기판 처리 장치 100: 하우징
200: 반송 유닛 300: 가열 유닛
350: 제어기 400: 냉각 유닛

Claims (18)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리 공간을 제공하는 하우징과;
    상기 하우징 내에서 기판을 지지하는 플레이트, 상기 플레이트를 가열하는 히터 및 상기 히터를 제어하는 제어기를 가지는 가열 유닛을 포함하되,
    상기 제어기는 상기 플레이트를 가열초기온도부터 설정온도까지 가열시 상기 가열이 단계적으로 이루어지도록 상기 히터를 제어하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어기는 상기 가열초기온도부터 상기 설정온도까지의 사이에 1이상의 중간온도를 제공하고, 복수의 가열 단계를 통해 상기 플레이트가 상기 가열초기온도부터 상기 설정온도까지 가열되도록 제어하되,
    각각의 상기 중간온도에 도달 후 그 다음의 상기 중간온도 또는 상기 설정온도에 도달하기 전까지 상기 중간온도를 설정된 대기 시간 동안 유지하도록 상기 히터를 제어하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제어기는,
    각각의 상기 중간 온도에 도달 후 대기하는 상기 대기 시간은 모두 동일하도록 상기 히터를 제어하는 기판 처리 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제어기는,
    각각의 상기 중간 온도에 도달 후 대기하는 상기 대기 시간은 서로 상이하도록 상기 히터를 제어하는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제어기는,
    제n(n은 1이상의 자연수) 가열 단계 이후의 상기 대기 시간은 제(n+1) 가열 단계 후의 상기 대기 시간보다 더 짧도록 상기 히터를 제어하는 기판 처리 장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 제어기는,
    인접한 복수의 상기 중간온도들 간의 온도 간격은 모두 동일하도록 상기 히터를 제어하는 기판 처리 장치.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 제어기는,
    인접한 복수의 상기 중간온도들 간의 온도 간격은 서로 상이하도록 상기 히터를 제어하는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제어기는,
    제(m-1, m은 2이상의 자연수)가열 단계와 제m 가열 단계 사이의 온도 간격보다 제m 가열 단계와 제(m+1) 가열 단계 사이의 온도간격이 더 작도록 상기 히터를 제어하는 기판 처리 장치.
  9. 제2항에 있어서,
    상기 제어기는,
    복수의 상기 가열 단계의 각각의 가열 시간은 모두 동일하도록 상기 히터를 제어하는 기판 처리 장치.
  10. 제2항에 있어서,
    상기 제어기는,
    복수의 상기 가열 단계의 각각의 가열 시간은 서로 상이하도록 상기 히터를 제어하는 기판 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제어기는,
    제m 가열 단계의 상기 가열 시간은 제(m-1, m은 2이상의 자연수)가열 단계의 상기 가열 시간보다 길고, 제(m+1) 가열 단계의 상기 가열 시간보다 짧도록 상기 히터를 제어하는 기판 처리 장치.
  12. 기판을 가열하는 방법에 있어서, 상기 기판을 가열초기온도부터 가열하고자 하는 설정온도까지의 사이를 1이상의 중간온도로 나누어 복수의 가열 단계를 통해 상기 기판을 가열하되,
    각각의 상기 중간온도에 도달 후 그 다음의 중간온도 또는 상기 설정온도에 도달하기 전까지 상기 중간온도를 설정된 대기 시간동안 유지하는 기판 처리 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    각각의 상기 중간 온도에 도달 후 대기하는 상기 대기 시간이 모두 동일한 기판 처리 방법.
  14. 제12항에 있어서,
    제n(n은 1이상의 자연수) 가열 단계 이후의 상기 대기 시간은 제(n+1) 가열 단계 후의 상기 대기 시간보다 더 짧은 기판 처리 방법.
  15. 제12항에 있어서,
    인접한 복수의 상기 중간온도들 간의 온도 간격은 모두 동일한 기판 처리 방법.
  16. 제12항에 있어서,
    제(m-1, m은 2이상의 자연수)가열 단계와 제m 가열 단계 사이의 온도 간격보다 제m 가열 단계와 제(m+1) 가열 단계 사이의 온도간격이 더 작은 기판 처리 방법.
  17. 제12항에 있어서,
    복수의 상기 가열 단계의 가열 시간은 모두 동일한 기판 처리 방법.
  18. 제12항에 있어서,
    제m 가열 단계의 상기 가열 시간은 제(m-1, m은 2이상의 자연수)가열 단계의 상기 가열 시간보다 길고, 제(m+1) 가열 단계의 상기 가열 시간보다 짧은 기판 처리 방법.
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