JP4149687B2 - 熱処理方法 - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims description 160
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 114
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 104
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 39
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Furnace Details (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱処理装置およびそれを用いた熱処理方法に関し、特に、半導体製造において半導体基板に膜形成等を行うための熱処理装置および熱処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、半導体装置の製造においては、熱処理成膜装置やCVD装置など(以下、熱処理装置と総称する)を使用して、半導体基板上にポリシリコン膜、酸化膜、窒化膜などの薄膜を形成する工程が多用されている。
これら熱処理工程は、デバイスの微細化に伴って、低温化が求められるとともに、生産性の向上のために処理時間の短縮が求められている。
【0003】
特開平6−53141号公報には、図10に示すように、空冷装置を有し、スループットの向上が図られた熱処理装置が開示されている。
図10において、熱処理装置100は、ボート2上に収納された半導体ウエハ1に熱処理を施すための処理室3と、処理室3との間に流体通路8、9を形成して処理室の外側を覆う保温部材7と、流体通路8、9に配設され処理室3内を加熱するヒーター6と、ヒーター6の加熱面に接触するよう流体通路8、9に流体14(空気)を通過させる送風機21(空冷装置)と、流体通路8、9の入口に配設された開閉バルブ19とからなる。送風機21は一定風量で駆動され、流体通路8、9を空冷する。
【0004】
半導体ウエハ1に熱処理を施す際の処理室3の最高温度は、処理内容によって異なり、例えば、低温(100〜500℃)、中温(500〜900℃)および高温(900〜1300℃)に分けることができる。
ウエハ1を処理室3から取り出すには処理室3を冷却する必要があるが、熱処理装置100では、中温(例えば、約800℃)での処理後の冷却時に、処理室3を−30℃/分程度の速さで降温することが可能となり、空冷装置をもたない装置(自然冷却による降温速度が−5℃/分程度)に比べてスループットが大きく向上する。
開閉バルブ19は、冷却時のみ開かれて高温の排気を排出し、冷却時以外では熱が無駄に放出されるのを防ぐために閉じられる。
【0005】
特開平7−135182号公報には、図11に示すように、上記と同様の空冷装置を有するとともに、熱交換器20が介設された排気循環路を備えた熱処理装置200が開示されている。
熱処理装置200では、排気循環路に排出された高温の排気を熱交換器20で冷却し、処理室3に戻して再利用される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
前記の熱処理装置100および熱処理装置200では、処理室3内を短時間で冷却することができる。
しかしながら、これらの熱処理装置では、処理室3での熱処理完了後に、室温程度の空気を大量に流体通路8、9に流すため、処理室3が高温状態(例えば、1200℃位)にある場合には、急激な温度変化により、ヒーター6および処理室3を破損するおそれがあるという問題があった。
【0007】
別の問題としては、昇温時のオーバーシュートがある。通常、熱処理開始時に処理室3を高速で設定温度まで上げると、温度のオーバーシュートが生じる。 図12は、このオーバーシュートの一例を示す。
図12において、グラフ1は、+30℃/分で100℃から400℃まで昇温した場合の処理室3内の温度変化を示す。
この場合、設定温度400℃に対して+80℃のオーバーシュートが起きており、処理室3内のウエハは不必要な加熱を受ける。また、設定温度で反応を進めるには、温度が収束するまで待たなければならず、スループットが低下する。
【0008】
温度のオーバーシュートを防ぐため、昇温レートを段階的に低下させる方法がある。図12のグラフ2は、設定温度を段階的に設定して設定温度400℃まで昇温した場合の処理室3内の温度変化を示す。
この場合、昇温完了までの時間が長くなり、結果的には不必要な熱処理が行われることに変わりはなく、スループットも同様に低下する。
また、デバイスシミュレーションを行う場合には、オーバーシュートを考慮せずにシミュレーションを行うことが多く、実際のデバイスとシミュレーションの結果との間に大きな差が出る。
すなわち、オーバーシュートは各熱処理装置間でばらつきがあるため、実験を行ってデータを取得せねばならず、シミュレーションへフィードバックするには長時間を要するのである。
【0009】
このように、従来の熱処理装置は、昇温速度には優れているが、その後の温度収束に要する時間が長く、安定した熱処理プロセスを構築する上で障害となっていた。
【0010】
さらに、別の問題として、熱処理時における処理室3内の温度の安定性がある。
図13は、従来の熱処理装置(特に拡散炉)で、処理室3内の温度を450℃から+3℃/分の昇温速度で700℃まで昇温し、昇温開始2時間経過後(0分)からの処理室3内の温度を記録したものである。
また、図14は、従来の熱処理装置で、処理室3内の温度を450℃から−3℃/分の降温速度で200℃まで降温し、降温開始2時間経過後(0分)からの処理室3内の温度を記録したものである。
【0011】
図13に示すように、処理室3内を中・高温に維持する場合の温度安定性は よいが、図14に示すように、処理室3内を低温(例えば、200℃位)に維持する場合の温度安定性はよくない。このため、配線形成工程で必要な低温の熱処理を行うには、低温専用ヒーター等を搭載した熱処理装置を別途用意する必要があった。
【0012】
本発明は、上記の従来の問題点を解決するためになされたものであり、熱処理温度の収束が速く、かつ広い処理温度範囲で温度安定性が高い熱処理装置を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
この発明によれば、収納された被処理体を熱処理する処理室と、処理室の外面に沿って形成された流体通路と、流体通路に配設された前記熱処理用の加熱手段と、流体を加熱手段の加熱面に接触して流体通路を通過させる流体通過手段と、流体通路を通過する流体の温度および/または流量を制御する制御手段とを備えた熱処理装置が提供される。
【0014】
すなわち、流体通路を通過させる流体の温度および/または流量を制御する流体制御手段を備えた上記構成により、加熱手段による熱処理を行う際に、昇温および降温(すなわち、冷却)の速度を高めることができるとともに、加熱手段からの伝熱を微調整することができるので、熱処理温度の収束が速く、さらに広い処理温度範囲で高い温度安定性を得ることができ、スループットが向上する。
また、処理室を高温状態から中温状態まで冷却する際においても、処理室に急激な温度変化を生じないよう流体を制御することにより、処理室を破損することがない。
【0015】
この発明における被処理体としては、半導体基板(ウェハー)等が挙げられるが、これに限定されるものではない。
この発明における熱処理装置としては、半導体基板の表面に薄膜や酸化膜を積層したり、あるいは不純物の拡散等を行うためのCVD装置、酸化膜形成装置および拡散装置等が挙げられる。
この発明における流体通路とは、処理室の外面に加熱用流体あるいは冷却用流体を接触させて処理室内と処理室外との間で熱の授受を行う通路であり、具体的には、処理室の外面とその外側の保温材からなる外壁との間に形成される通路が挙げられる。
【0016】
この発明における加熱手段としては、その表面に流体と接触する十分な接触面積を有する加熱面を備え、流体への伝熱が良好に行えるものが好ましい。
この発明における流体として空気等の気体あるいは液体が用いられる。特に、冷却効果を高めたい場合には、水等の液体を使用することが好ましい。
この発明における制御手段は、流体通路を通過する流体を流体通路の上流で冷却または加熱する温度調整手段と、流体通路を通過する流体の流量を制御する流量制御手段と、処理室または被処理体の温度を検知して温度調整手段と流量制御手段の駆動を制御する流体制御部とからなるものが挙げられる。
【0017】
流量制御手段としては、流体通路に配設された流量制御バルブが挙げられる。
流体通過手段としては、送風量可変のファンまたは送液量可変のポンプが挙げられる。流体通過手段が、流体通路に並列に配置され流量が互いに異なる複数の送風量可変のファンであれば、きめ細かい流量調整が可能になる。
制御手段は、処理室または被処理体の温度を熱電対等の温度測定手段で検知して加熱手段および温度調整手段をオンオフ制御するものが挙げられる。この場合処理室に収納された被処理体の条件、すなわち、被処理体の種類、数量、設定温度や外因による様々な変動に対応して、高い温度安定性を得ることができる。
なお、この発明において予め設定されたプログラムに基づいて温度制御を行うプログラム制御等を行えば、温度測定手段を設けなくてもよい。
【0018】
この発明の別の観点によれば、収納された被処理体を熱処理する処理室と、処理室の外面に沿って形成された流体通路と、流体通路に配設された前記熱処理用の加熱手段と、流体を加熱手段の加熱面に接触して流体通路を通過させる流体通過手段と、加熱手段および流体通過手段を制御する制御手段とを備えた熱処理装置を用いて熱処理を行うに際し、制御手段が、熱処理中の少なくとも一時期に、流体の温度および/または流量を変えながら流体通路に流体を通過させるよう流体通過手段に指令を行う熱処理方法が提供される。
この発明では、熱処理が、予め設定された処理温度に到達するまでの昇温期間、前記設定温度を一定範囲で維持する維持期間および熱処理が終了するまでの降温期間からなり、制御手段が、前記期間の少なくとも一時期に、処理室または被処理体の温度を検知して流体の温度および/または流量を制御する。
【0019】
また、制御手段が、予め設定された処理温度に到達する直前に、前記流体を流体通路に通過させるよう流体通過手段に指令を行うことにより、昇温のために過剰に与えられた熱を除去できるので、温度のオーバーシュートが抑制できる。
また、制御手段が、被処理体の熱処理に際し、熱処理設定温度に対して、例えば、−100℃に制御した流体を流し続けるよう流体通過手段に指令を行うことにより、所定温度での熱処理の際に熱処理温度を安定させることができる。
特に低温での熱処理の際、流体通路に極低温(例えば、−100〜100℃程度)に制御した流体を流し続けることにより、熱処理温度を安定させることができる。
【0020】
さらに、制御手段が、予め設定された熱処理温度に到達する直前まで、平均+10℃/分以上の温度上昇率で、かつ設定温度に対しオーバーシュートが+1℃以下で昇温させるよう加熱手段に指令を行うので、温度の安定に要する時間、すなわち、オーバーシュートから設定温度に下げるために要する時間または設定温度からオーバーしないように温度上昇率を下げた場合に設定温度に到達する時間を短縮することができる。
この発明の熱処理装置は、半導体基板上に薄膜を形成する際の熱処理に使用することができる。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいてこの発明の実施の形態を説明するが、これらによってこの発明は限定されるものではない。
実施の形態1
図1は、この発明の実施の形態1による熱処理装置の基本的な構成を示す断面図である。
【0022】
図1に示すように、拡散炉である熱処理装置10は、半導体ウエハ1を載置するためのボート2と、所望の温度下で前記半導体ウエハ1に熱処理を施すための処理室3と、半導体ウエハ1の載置されたボート2を前記処理室3内へ出し入れするためのエレベーター機構4と、処理室3内を所望の温度にするために処理室3の外壁5の側部を囲むように配設されたヒーター6と、ヒーター6の周囲および処理室3の外壁5の上部を囲むように配設された保温材7とを備える。
【0023】
また、処理室3と保温材7の間には、流体14(空気)をヒーター6の表裏に形成された加熱面6aに接触させて通過させる流体通路8、9がそれぞれ形成されている。
流体通路8、9の下流側(図中上方)には送風機21が配設されている。送風機21は、送風量が可変であり、室内の空気を流体入口22から流体通路8、9へ吸引し、吸引された空気を加熱面6aに接触させて通過させた後、熱処理装置10外へ排出することができる。
流体入口22の近傍には処理室3へガスを導入するガス導入口11および処理室3内のガスを排気するガス排気口12がそれぞれ配設されている。
処理室3には処理室3内の温度を測定するための熱電対13が配設されている。熱電対13は、設定温度に基づいて処理室3内の温度を制御するための温度制御手段(図示せず)に接続されている。
【0024】
熱処理装置10を用いて、ヒーター6の加熱により処理室3内を100℃から設定温度400℃まで、+30℃/分の昇温速度で昇温するに際し、処理室3の温度が350℃となった時点で、送風機21の送風量が最大送風量の10%、30%、50%となるように、送風機21の出力を変えて流体入口22から室温の空気を流体通路8、9に流した際の処理室3内の温度測定結果を図2に示す(グラフ1〜3)。
さらに、従来装置による処理室3内の温度測定結果との比較例を挙げた(グラフ4)。この従来例(グラフ4)は、熱処理装置10を用いて上記と同様に処理室3の温度を350℃まで昇温させるが、送風機21による送風は行わない、すなわち、本発明による冷却動作を行わない構成とした。
【0025】
図2に示すように、グラフ2に示した本発明による冷却動作を行った測定結果では、上記の冷却動作を行わない従来例による測定結果(グラフ4)に比べ、設定温度への収束が速かった。
しかし、送風量を10%とした場合(グラフ1)には、冷却能力が低すぎて、約10℃のオーバーシュートが生じた。また、送風量を50%とした場合(グラフ3)には、冷却能力が強すぎたため、いったん温度が落ち込み、その後昇温した。
送風量を30%とした場合(グラフ2)には、オーバーシュートの発生がなく、昇温の終了と同時に設定温度に収束していることがわかる。
このように、昇温中に(昇温工程の終了前に)、冷却動作を加えることにより、半導体ウエハ1は不必要な熱処理を受けることがなく、また段階的に昇温する従来の方法と比べた場合、昇温に要する時間は飛躍的に短くなった。
【0026】
実施の形態2
図3は、この発明の実施の形態2による熱処理装置の基本的な構成を示す断面図である。
実施の形態1による熱処理装置10では、流体通路8、9の下流側に一基の送風機21を配置する構成としたが、この実施の形態2による熱処理装置30は、図3に示すように、流体通路8、9の下流側に第1の流量コントローラ15と第2の流量コントローラ16を配置する構成とした。この点以外の構成は、熱処理装置10と基本的に同一の構成であるため、各部の構成の説明は省略する。
【0027】
第1および第2の流量コントローラ15、16は、送風機とその送風量を制御するコントローラとからなる。
第1流量コントローラ15では、例えば、流量制御範囲が5〜100SLM(リットル毎分)程度の大送風量が制御され、第2流量コントローラ16では、例えば、流量制御範囲が500SCM(立方センチメートル毎分)〜10SLM程度の小送風量が制御される。
第1および第2流量コントローラ15、16の位置は、流体通路8、9の上流側、すなわち、流体入口22の近傍でもよい。
この実施の形態2による熱処理装置30では、流量制御範囲が異なる大小二基のコントローラ15、16を備えているので、さらにきめ細かい流量制御が可能となる。
【0028】
熱処理装置30を用いて、ヒーター6にかかるパワーと、第1および第2流量コントローラ15、16の送風量を変化させて、流体入口22から室温の空気を流体通路8、9に流した際の処理室3内の温度測定結果を図4に示す。なお、図中の送風量は100SLMを100%としたときの百分率で示す。
この例では、ヒーター6の加熱により処理室3内の温度を100℃から設定温度400℃まで+30℃/分の昇温速度で昇温する際、処理室3の温度が350℃となった時点で第1流量コントローラ15を30SLMで駆動し、処理室3の温度が350℃を超えて収束した後、第1の流量コントローラ15の送風量を徐々に低下させ、送風量が10SLM以下となった時点で、第2の流量コントローラ16に切り替え、さらに流量を徐々に低下させ、ヒーター6にかかるパワーも前記送風量の低下に伴い、徐々に低下させた。
【0029】
処理室3内の温度は、図2のグラフ2で示した送風量30%の場合と略同じように変化するが、冷却能力を低下させながら、つまり、送風量を低下させながら、ヒーター6のパワーも低下させているので、無駄なエネルギー消費を低減することができる。
【0030】
実施の形態3
図5は、この発明の実施の形態3による熱処理装置の基本的な構成を示す断面図である。
実施の形態3による熱処理装置50では、実施の形態1による熱処理装置10の流体入口22に第2の加熱器17を配設する構成とした。この点以外の構成は、熱処理装置10と基本的に同一の構成であるため、各部の構成の説明は省略する。
【0031】
熱処理装置50を用いて、ヒーター6の駆動により1100℃となった処理室3内の温度を、ヒーター6の駆動を停止して冷却するに際し、流体入口22から第2のヒーター17で750℃に加熱した空気を流体通路8、9に流した場合の処理室3内の温度測定結果を図6にグラフ1として示す。
本発明による上記の冷却動作、すなわち強制冷却を行わずに、自然に冷却されるのを待った場合の処理室3内の温度測定結果を図6にグラフ2として示す。
この例では、従来のように自然冷却した場合(グラフ2)には、−5℃/分程度の降温速度であったが、本発明による冷却動作を行った場合(グラフ1)には、−15℃/分程度の降温速度を得ることができた。
なお、上記の冷却動作の際に流体通路8、9に流す流体の温度を750℃にしたのは、流体の温度をより低温(例えば、処理室3内との温度差が500℃以上となる流体の温度)にした場合には、急激な温度変化により、熱処理装置50の各部に損傷が生じるのを防止するためである。
【0032】
実施の形態4
図7は、この発明の実施の形態4による熱処理装置の基本的な構成を示す断面図である。
実施の形態4による熱処理装置70では、実施の形態1による熱処理装置10の流体入口22に冷却器18を配設する構成とした。この点以外の構成は、熱処理装置10と基本的に同一の構成であるため、各部の構成の説明は省略する。
【0033】
熱処理装置70を用いて、処理室3内の温度を100℃、200℃および700℃に設定し、上記各設定温度で処理室3内の温度制御を行った場合の処理室3内の温度測定結果を図8に示す(グラフ1〜5)。
なお、この例では、ヒーター6は高温用のヒーターを使用した。
設定温度700℃では、本発明による冷却動作、すなわち、流体通路8、9に流体を通過させる冷却を行わないで、ヒーター6のオンオフ制御だけによる従来の温度制御を行った(グラフ1)。
【0034】
設定温度200℃では、ヒーター6のオンオフ制御だけによる従来の温度制御を行った場合(グラフ2)と、この温度制御に加えて、この発明の冷却動作として、流体入口22から室内の空気(26℃)〔以下、外気と称する〕を、送風機21の送風量を70%に設定して流体通路8、9に流した場合(グラフ3)の結果を示す。
また、設定温度100℃では、ヒーター6のオンオフ制御に加えて、この発明の冷却動作として、送風機21の送風量を100%に設定し、流体入口22から外気(26℃)を流体通路8、9に流した場合(グラフ4)と、ヒーター6のオンオフ制御に加えて、この発明の温度調整用の冷却として、送風機21の送風量を100%に設定し、流体入口22から取り込んだ外気(26℃)を冷却器18で0℃に冷却して流体通路8、9に流した場合(グラフ5)の結果を示す。
【0035】
図8に示すように、設定温度700℃では、ヒーター6のオンオフ制御だけで処理室3内の温度が安定したが(グラフ1)、設定温度200℃では、±5℃以上の温度の振れが発生した(グラフ2)。
【0036】
このような温度の振れが発生する原因の一つは、設定温度に対して処理室3内の温度が高くなった場合、高温の処理室3内では外気温度との差が大きいため温度が下がるのは速いが、低温では外気温度との差が小さいため、自然冷却に時間がかかるためである。
上記の原因のもう一つは、ヒーター6が高温仕様であるため、ヒーターにかかる出力がわずかに揺らいだだけで、処理室3内の温度が大きく変動するためである。よって、処理室3内の温度と外気温度との差を大きくすれば、設定温度100℃程度の低温でも処理室3内の温度は安定すると考えられる。
【0037】
この考えに基づいて行われた実験例が、図8のグラフ3として結果が得られた、この発明の冷却動作を行った場合である。
図8のグラフ3が示すように、温度の振れは±1℃以内に収まり、この発明の冷却動作を行わない場合に比べて、処理室3内の温度の安定性が非常によくなっている。
図8のグラフ4として結果が得られた、外気を取り込んで行う冷却動作を行った場合には、上記の冷却動作による温度降下が小さいため、温度の振れは±10℃以上となり、処理室3内の温度の安定性がよくなかった。
図8のグラフ5として結果が得られた冷却した外気(0℃)による上記の温度制御では、温度の振れは±1℃以内に収まり、グラフ4の場合に比べて処理室3内の温度の安定性は格段に向上した。
【0038】
実施の形態5
実施の形態5では、熱処理装置10を用い、処理室3内に配置された熱電対13で処理室3内の温度を監視しながら、処理室3内の温度に応じて送風機21のパワーを変化させてこの発明の冷却を行った。
この例では、処理室3内の温度を400℃に設定し、100℃となった処理室3内の温度を設定温度400℃まで+30℃/分の温度上昇率で昇温して、設定温度400℃に維持した。
送風機21のパワーは、実施の形態1で図2を用いて説明したように、送風機21の送風量が最大送風量の30%となるように設定した。
【0039】
実施の形態5に基づいて処理室3内の温度制御を行った場合の処理室3内の温度測定結果を図9に示す(グラフ1および2)。なお、図9のグラフ2は、ヒーター6をオンオフ制御で制御しながら送風機21のパワーを一定に維持して行った従来の温度制御による処理室3内の温度測定結果である。
【0040】
この発明の温度制御では、処理室3内の温度を熱電対13で監視しながら自動的に送風機21のパワーを変化させているため(グラフ1)、送風機21のパワーを変化させない場合(グラフ2)と比較して、昇温の最終段階においても昇温速度をほとんど下げることなく、また温度のオーバーシュートも+1℃以内に収まり、温度収束までの時間が短縮された。
【0041】
前記の各実施の形態では、流体に空気を用いたが、熱処理の条件等に応じて比熱等が異なる種々の気体あるいは液体を流体として用いることができる。特に、冷却効果を高めたい場合には、水等の液体を使用することが好ましい。
【0042】
【発明の効果】
この発明の熱処理装置では、流体通路を通過させる流体の温度および/または流量を制御する流体制御手段を備えた上記構成により、加熱手段による熱処理を行う際に、昇温および降温(すなわち、冷却)の速度を高めることができるとともに、加熱手段からの伝熱を微調整することができるので、熱処理温度の収束が速く、さらに広い処理温度範囲で高い温度安定性を得ることができ、スループットが向上する。
また、処理室を高温状態から中温状態まで冷却する際においても、処理室に急激な温度変化を生じないよう流体を制御することにより、処理室を破損することがない。
【0043】
この発明では、特に、中温からの冷却速度を高めることができるとともに、高温から中温までの冷却を円滑に行うことができるので、処理室の破損が確実に防止される。
熱処理温度のオーバーシュートが抑制できるため、デバイスシミュレーションとの整合性もよく、生産性および品質が向上する。さらに、低温でも温度を安定させることができるので、半導体装置等の被処理体の品質が向上する。
また、1台の装置で高温から低温までの熱処理ができるので、設備投資も少なくて済む。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態1による熱処理装置の基本的な構成を示す断面図である。
【図2】図1の熱処理装置を用いて行った熱処理方法の一例による処理室内の温度測定結果を示すグラフである。
【図3】この発明の実施の形態2による熱処理装置の基本的な構成を示す断面図である。
【図4】図3の熱処理装置を用いて行った熱処理方法の一例による処理室内の温度測定結果を示すグラフである。
【図5】この発明の実施の形態3による熱処理装置の基本的な構成を示す断面図である。
【図6】図5の熱処理装置を用いて行った熱処理方法の一例による処理室内の温度測定結果を示すグラフである。
【図7】この発明の実施の形態4による熱処理装置の基本的な構成を示す断面図である。
【図8】図7の熱処理装置を用いて行った熱処理方法の一例による処理室内の温度測定結果を示すグラフである。
【図9】図1の熱処理装置を用いて行った熱処理方法の一例による処理室内の温度測定結果を示すグラフである。
【図10】従来の熱処理装置の基本的な構成を示す断面図である。
【図11】従来の熱処理装置の基本的な構成を示す断面図である。。
【図12】従来の熱処理装置の用いて行った熱処理方法の一例による処理室内の温度測定結果を示すグラフである。
【図13】従来の熱処理装置の用いて行った熱処理方法の一例による処理室内の温度測定結果を示すグラフである。
【図14】従来の熱処理装置の用いて行った熱処理方法の一例による処理室内の温度測定結果を示すグラフである。
【符号の説明】
1 半導体ウエハ(被処理体)
2 ボート
3 処理室
4 エレベータ機構
5 外壁
6 ヒーター(加熱手段)
6a 加熱面
7 保温材
8 流体通路
9 流体通路
10 熱処理装置
11 ガス導入口
12 ガス排気口
13 熱電対
14 空気(流体)
15 第1の流量コントローラ(流体通過手段)
16 第2の流量コントローラ(流体通過手段)
17 第2のヒーター(温度調整手段)
18 冷却機(温度調整手段)
19 開閉バルブ
21 送風機(流体通過手段)
30 熱処理装置
Claims (3)
- 収納された被処理体を熱処理する処理室と、処理室の外面に沿って形成された流体通路と、流体通路に配設された前記熱処理用の加熱手段と、流体を加熱手段の加熱面に接触して流体通路を通過させる流体通過手段と、加熱手段および流体通過手段を制御する制御手段とを備えた熱処理装置を用いて熱処理を行うに際し、
熱処理が、予め設定された熱処理温度に到達するまでの昇温期間、前記予め設定された熱処理温度を一定範囲で維持する維持期間および熱処理が終了するまでの降温期間からなり、
制御手段が、前記昇温期間に、処理室または被処理体の温度を検知して流体の温度および/または流量を変えながら、予め設定された熱処理温度に到達する直前に前記流体を流体通路に通過させるよう流体通過手段に指令を行い、流体の温度および/または流量を制御する熱処理方法。 - 収納された被処理体を熱処理する処理室と、処理室の外面に沿って形成された流体通路と、流体通路に配設された前記熱処理用の加熱手段と、流体を加熱手段の加熱面に接触して流体通路を通過させる流体通過手段と、加熱手段および流体通過手段を制御する制御手段とを備えた熱処理装置を用いて熱処理を行うに際し、制御手段が、熱処理中の少なくとも一時期に、流体の温度および/または流量を変えながら流体通路に流体を通過させるよう流体通過手段に指令を行い、さらに、予め設定された熱処理温度に到達する直前まで、平均+10℃/分以上の温度上昇率で、かつ設定温度に対しオーバーシュートが+1℃以下で昇温させるよう加熱手段および/または流体通過手段に指令を行う熱処理方法。
- 熱処理が、予め設定された熱処理温度に到達するまでの昇温期間、前記予め設定された熱処理温度を一定範囲で維持する維持期間および熱処理が終了するまでの降温期間からなり、制御手段が、前記期間の少なくとも一時期に、処理室または被処理体の温度を検知して流体の温度および/または流量を制御する請求項2に記載の熱処理方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001220125A JP4149687B2 (ja) | 2001-07-19 | 2001-07-19 | 熱処理方法 |
CNB028145992A CN1276473C (zh) | 2001-07-19 | 2002-07-18 | 热处理装置以及热处理方法 |
KR1020047000581A KR100559820B1 (ko) | 2001-07-19 | 2002-07-18 | 열처리 장치 및 열처리 방법 |
PCT/JP2002/007335 WO2003009358A1 (fr) | 2001-07-19 | 2002-07-18 | Appareil et procede de traitement thermique |
TW091116036A TW550678B (en) | 2001-07-19 | 2002-07-18 | Apparatus and method for thermal treatment |
US10/484,018 US7278587B2 (en) | 2001-07-19 | 2002-07-18 | Thermal treatment apparatus and thermal treatment method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001220125A JP4149687B2 (ja) | 2001-07-19 | 2001-07-19 | 熱処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003031510A JP2003031510A (ja) | 2003-01-31 |
JP4149687B2 true JP4149687B2 (ja) | 2008-09-10 |
Family
ID=19053991
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001220125A Expired - Fee Related JP4149687B2 (ja) | 2001-07-19 | 2001-07-19 | 熱処理方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7278587B2 (ja) |
JP (1) | JP4149687B2 (ja) |
KR (1) | KR100559820B1 (ja) |
CN (1) | CN1276473C (ja) |
TW (1) | TW550678B (ja) |
WO (1) | WO2003009358A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1823404B (zh) | 2003-09-19 | 2012-08-29 | 株式会社日立国际电气 | 半导体装置的制造方法及衬底处理装置 |
KR100549529B1 (ko) * | 2003-12-26 | 2006-02-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체제조장치 |
KR101003446B1 (ko) * | 2006-03-07 | 2010-12-28 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US7727780B2 (en) | 2007-01-26 | 2010-06-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing method and semiconductor manufacturing apparatus |
US8119953B2 (en) * | 2007-11-01 | 2012-02-21 | Oshkosh Truck Corporation | Heating control system using a fluid level sensor and a heating control element |
JP4936567B2 (ja) * | 2009-09-18 | 2012-05-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
CN102560441B (zh) * | 2010-12-23 | 2015-01-14 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 加热控制方法、装置和系统,加热腔及等离子体设备 |
US8950470B2 (en) * | 2010-12-30 | 2015-02-10 | Poole Ventura, Inc. | Thermal diffusion chamber control device and method |
CN102637594B (zh) * | 2012-03-19 | 2017-08-22 | 晶能光电(江西)有限公司 | 对外延片进行退火合金的装置及方法 |
FR3036200B1 (fr) * | 2015-05-13 | 2017-05-05 | Soitec Silicon On Insulator | Methode de calibration pour equipements de traitement thermique |
WO2016204974A1 (en) * | 2015-06-17 | 2016-12-22 | Applied Materials, Inc. | Gas control in process chamber |
JP6789314B2 (ja) * | 2016-11-30 | 2020-11-25 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01282619A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-14 | Toshiba Corp | 半導体処理装置用温度制御装置 |
JPH031066A (ja) * | 1989-05-25 | 1991-01-07 | Deisuko Haitetsuku:Kk | 熱処理炉における冷却システム |
JP2755876B2 (ja) | 1992-07-30 | 1998-05-25 | 株式会社東芝 | 熱処理成膜装置 |
JP3111395B2 (ja) | 1993-06-15 | 2000-11-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
US5616264A (en) * | 1993-06-15 | 1997-04-01 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for controlling temperature in rapid heat treatment system |
JP2570201B2 (ja) * | 1994-10-28 | 1997-01-08 | 日本電気株式会社 | 熱処理炉 |
-
2001
- 2001-07-19 JP JP2001220125A patent/JP4149687B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-07-18 WO PCT/JP2002/007335 patent/WO2003009358A1/ja active Application Filing
- 2002-07-18 TW TW091116036A patent/TW550678B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-07-18 CN CNB028145992A patent/CN1276473C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-07-18 US US10/484,018 patent/US7278587B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-07-18 KR KR1020047000581A patent/KR100559820B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1533592A (zh) | 2004-09-29 |
US20040238649A1 (en) | 2004-12-02 |
KR20040016987A (ko) | 2004-02-25 |
JP2003031510A (ja) | 2003-01-31 |
US7278587B2 (en) | 2007-10-09 |
TW550678B (en) | 2003-09-01 |
KR100559820B1 (ko) | 2006-03-10 |
WO2003009358A1 (fr) | 2003-01-30 |
CN1276473C (zh) | 2006-09-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040618 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070313 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070510 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070710 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071120 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080401 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080624 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080626 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110704 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110704 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120704 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120704 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130704 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |