TWI484560B - 熱處理裝置及冷卻方法 - Google Patents

熱處理裝置及冷卻方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI484560B
TWI484560B TW099132270A TW99132270A TWI484560B TW I484560 B TWI484560 B TW I484560B TW 099132270 A TW099132270 A TW 099132270A TW 99132270 A TW99132270 A TW 99132270A TW I484560 B TWI484560 B TW I484560B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
cooling
gas
temperature
valve
heat treatment
Prior art date
Application number
TW099132270A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201128709A (en
Inventor
Yoshinori Kusakabe
Kenichi Yamaga
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW201128709A publication Critical patent/TW201128709A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI484560B publication Critical patent/TWI484560B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Furnace Details (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Waste-Gas Treatment And Other Accessory Devices For Furnaces (AREA)

Description

熱處理裝置及冷卻方法
本發明關於一種對半導體晶圓等被處理體施予熱處理之批次(batch)式熱處理裝置及冷卻方法。
一般來說，在製造半導體元件時，係對矽基板等所構成的半導體晶圓反覆進行成膜處理、蝕刻處理、氧化擴散處理、退火處理等各種處理。然後，利用可一次對複數片半導體晶圓進行成膜處理等熱處理之批次式熱處理裝置來進行時，為了提高產品的產能，必須在不會對半導體晶圓造成摩擦(slip)等損傷之範圍內，盡可能地以高速來將成為高溫狀態之半導體晶圓冷卻。
因此，習知的批次式熱處理裝置，已被提出有一種熱處理裝置(例如專利文獻1~5)，其係在半導體晶圓的熱處理結束後，藉由將冷卻空氣導入容納有複數片半導體晶圓之縱長形處理容器的外周側處，來使熱急速地由成為高溫狀態(例如800~1000℃左右)的處理容器散失，以在高速下將處理結束後的高溫半導體晶圓冷卻。
然後，上述冷卻空氣係藉由推入用送風機而被送入至處理容器側壁周圍的冷卻空間，並藉由吸出用送風機而從該冷卻空間被吸出。此時，雖依處理樣態而異，但由於冷卻處理容器後的冷卻空氣會升溫達到400~500℃左右，而成為高溫狀態的空氣，故當上述高溫狀態的空氣直接流入該吸出用送風機時，便會對吸出用送風機本身造成熱損傷。因此，上述吸出用送風機的上游側係設置有熱交換器，以藉由上述熱交換器來將成為高溫狀態的空氣冷卻至特定溫度(例如50℃左右)，從而使吸出用送風機不會受到熱損傷。
專利文獻1：日本特開平08-031707號公報
專利文獻2：日本特開平09-190982號公報
專利文獻3：日本特開平11-260725號公報
專利文獻4：日本特開2002-110576號公報
專利文獻5：日本特開2008-078196號公報
然而，上述熱處理裝置的情況，成為400~500℃左右高溫狀態的空氣不是流入吸出用送風機，而是流入設置於其上游側的熱交換器。因此，該熱交換器本身的結構必需為高溫型態以提高耐熱性。因而便會有形成熱交換器的材質、構造本身特殊化，且尺寸亦大型化，而裝置本身高成本化之問題。
本發明係著眼於上述問題點，而為了有效解決上述問題點所創作者。本發明第1目的為提供一種在熱交換器的上游側處，藉由將降溫用氣體混合於因與處理容器熱交換而升溫後之冷卻氣體，來降低混合氣體的溫度，便不需特殊且價昂的高溫用熱交換器，而可使用耐熱性低的汎用價廉熱交換器之熱處理裝置及冷卻方法。
本發明第2目的為提供一種藉由將朝向處理容器之冷卻氣體的一部分予以分流，並在熱交換器的上游側處，使該分流後的冷卻氣體混合於因與處理容器熱交換而升溫後之冷卻氣體，來降低混合氣體的溫度，便不需特殊且價昂的高溫用熱交換器，而可使用耐熱性低的汎用價廉熱交換器之熱處理裝置及冷卻方法。
本發明之熱處理裝置係對複數個被處理體進行熱處理，其特徵在於具有：處理容器；支撐機構，係支撐複數片該被處理體並可插脫地於該處理容器內移動；加熱爐，係介隔著氣體所通過之冷卻空間而圍繞設置於該處理容器的外側；冷卻氣體導入機構，係設置於該加熱爐，並且為了將用以冷卻該處理容器之冷卻氣體導入至冷卻空間，而具有推入用送風機與氣體導入通道；冷卻氣體排出機構，係設置於該加熱爐，並且為了將升溫後的該冷卻氣體從冷卻空間排出，而具有氣體排出通道、熱交換器與吸出用送風機；及降溫用氣體導入機構，係設置於該冷卻空間與該熱交換器之間。
本發明之熱處理裝置的特徵為該加熱爐係介隔著特定寬度的冷卻空間而圍繞設置於該處理容器的外周側；熱交換器與吸出用送風機係從上游側朝向下游側而依序設置於該氣體排出通道；該降溫用氣體導入機構係於熱交換器的上游側而設置於該氣體排出通道，以將降溫用氣體導入至該升溫後的冷卻氣體來使其降溫。
本發明之熱處理裝置的特徵為該降溫用氣體導入機構具有：降溫用氣體導入通道，係連接於該氣體排出通道；閥門，係介設於該降溫用氣體導入通道的中途，以控制該降溫用氣體的流動；氣體溫度測量機構，係設置於該氣體排出通道之熱交換器的上游側，以測量流入該熱交換器的氣體溫度；及閥門控制部，係根據該氣體溫度測量機構的測量溫度值來控制該閥門，以使該氣體為特定溫度以下。
本發明之熱處理裝置的特徵為該閥門係可調整閥門開啟度之開閉閥。
本發明之熱處理裝置的特徵為該氣體排出通道與該降溫用氣體導入通道之連接部係設置有攪拌器。
本發明之熱處理裝置的特徵為該降溫用氣體導入機構具有：降溫用氣體導入通道，係連接於該氣體排出通道；降溫用送風機，係連接於該降溫用氣體導入通道；閥門，係介設於該降溫用氣體導入通道的中途，以控制該降溫用氣體的流動；及閥門控制部，係以冷卻開始的時間點作為起點，而以預先設定之時間控制該閥門，以使流入該熱交換器的氣體溫度為特定溫度以下。
如此地，於對複數片被處理體同時施予熱處理之熱處理裝置中，由於係在熱交換器的上游側處，將降溫用氣體混合於因與處理容器熱交換而升溫後之冷卻氣體，來降低混合氣體的溫度，故不需特殊且價昂的高溫用熱交換器，而可使用耐熱性低的汎用價廉熱交換器。
本發明之熱處理裝置係對複數個被處理體進行熱處理，其特徵在於具有：處理容器；支撐機構，係支撐複數片該被處理體並可插脫地於該處理容器內移動；加熱爐，係介隔著氣體所通過之冷卻空間而圍繞設置於該處理容器的外側；冷卻氣體導入機構，係設置於該加熱爐，並且為了將用以冷卻該處理容器之冷卻氣體導入至冷卻空間，而具有推入用送風機與氣體導入通道；冷卻氣體排出機構，係設置於該加熱爐，並且為了將升溫後的該冷卻氣體從冷卻空間排出，而具有氣體排出通道、熱交換器與吸出用送風機；及分流機構，係依需要來連通該氣體導入通道與該氣體排出通道，以將該冷卻氣體的一部分予以分流。
本發明之熱處理裝置的特徵為該加熱爐係介隔著特定寬度的冷卻空間而圍繞設置於該處理容器的外周側；熱交換器與吸出用送風機係從上游側朝向下游側而依序設置於該氣體排出通道。
本發明之熱處理裝置的特徵為該分流機構具有：分流通道，係連通該氣體導入通道之該推入用送風機的下游側與介設於該氣體排出通道之該熱交換器的上游側；閥門，係介設於該分流通道的中途，以控制被分流之氣體的流動；氣體溫度測量機構，係測量流入該熱交換器的氣體溫度；及閥門控制部，係根據該氣體溫度測量機構的測量溫度值來控制該閥門，以使該氣體為特定溫度以下。
本發明之熱處理裝置的特徵為該閥門係可調整閥門開啟度之開閉閥。
本發明之熱處理裝置的特徵為該氣體排出通道與該分流通道之連接部係設置有攪拌器。
本發明之熱處理裝置的特徵為該分流機構具有：分流通道，係連通該氣體導入通道之該推入用送風機的下游側與介設於該氣體排出通道之該熱交換器的上游側；閥門，係介設於該分流通道的中途，以控制被分流之氣體的流動；及閥門控制部，係以冷卻開始的時間點作為起點，而以預先設定之時間控制該閥門，以使流過該冷卻空間之冷卻氣體與流過該分流通道之氣體的混合氣體溫度為特定溫度以下。
如此地，於同時對複數片被處理體施予熱處理之熱處理裝置中，由於將朝向處理容器之冷卻氣體的一部分予以分流，並在熱交換器的上游側處，將該分流後的冷卻氣體混合於因與處理容器熱交換而升溫後之冷卻氣體，故不需特殊且價昂的高溫用熱交換器，而可使用耐熱性低的汎用價廉熱交換器。
本發明之熱處理裝置之冷卻方法中，該熱處理裝置係對複數個被處理體同時施予熱處理，其特徵在於具有以下步驟：冷卻步驟，係將冷卻氣體導入至於容納有該被處理體之筒體狀處理容器與為了加熱該被處理體而圍繞設置於該處理容器外周側的加熱爐之間所形成之特定寬度的冷卻空間來使該處理容器冷卻，並將升溫後的該冷卻氣體排出；及混合步驟，係將降溫用氣體導入至從該冷卻空間所排出之該升溫後的冷卻氣體中，以使兩氣體的混合氣體為特定溫度以下。
本發明之熱處理裝置之冷卻方法的特徵為該特定溫度為熱交換器的耐熱溫度，該熱交換器係設置於該混合氣體所流過之下游側。
本發明之熱處理裝置之冷卻方法中，該熱處理裝置係對複數個被處理體同時施予熱處理，其特徵在於具有以下步驟：冷卻步驟，係將冷卻氣體導入至於容納有該被處理體之筒體狀處理容器與為了加熱該被處理體而圍繞設置於該處理容器外周側的加熱爐之間所形成之特定寬度的冷卻空間來使該處理容器冷卻，並將升溫後的該冷卻氣體排出；及混合步驟，係將朝向該冷卻空間流動之該冷卻氣體的一部分予以分流，並將該被分流後的冷卻氣體從該冷卻空間排出而導入至升溫中的冷卻氣體中，以使兩氣體的混合氣體為特定溫度以下。
依據本發明之熱處理裝置及冷卻方法，便可發揮下述的優異作用及效果。
依據本發明，於對複數片被處理體同時施予熱處理之熱處理裝置中，由於係在熱交換器的上游側處，將降溫用氣體混合於因與處理容器熱交換而升溫後之冷卻氣體，來降低混合氣體的溫度，故不需特殊且價昂的高溫用熱交換器，而可使用耐熱性低的汎用價廉熱交換器。
依據本發明，於對複數片被處理體同時施予熱處理之熱處理裝置中，由於係將朝向處理容器之冷卻氣體的一部分予以分流，並在熱交換器的上游側處，將該分流後的冷卻氣體混合於因與處理容器熱交換而升溫後之冷卻氣體，來降低混合氣體的溫度，故不需特殊且價昂的高溫用熱交換器，而可使用耐熱性低的汎用價廉熱交換器。
以下，根據添附圖式詳述本發明之熱處理裝置及冷卻方法的一實施例。
<第1實施例>
圖1為顯示本發明熱處理裝置的第1實施例之結構圖。如圖1所示，該熱處理裝置2係具有形成為縱長筒體狀的處理容器4。該處理容器4主要由形成為圓筒狀之石英構成的內筒6，與相隔特定間隔而覆蓋其外側之石英構成的外筒8所構成，具有雙重管構造。
該外筒8的上部被封閉而具有頂部，其下端部呈開口，該開口部係氣密地連接有例如不鏽鋼等所構成的圓筒狀分歧管10。然後，該分歧管10設置有氣體導入機構12，其係具有一邊控制所需氣體的流量一邊導入至處理容器4內之氣體噴嘴。又，該外筒8底部的側壁處設置有氣體排氣口14，而該氣體排氣口14則連接有具備壓力調整閥或真空幫浦(未圖示)之排氣系統16。
藉此，從處理容器4內的下部導入之氣體會在內筒6內上昇而在頂部折返，並流過內筒6與外筒8間的空間而從上述氣體排氣口14排出。此情況下，依處理樣態，會有處理容器4內為常壓氛圍的情況，亦或如圖式之範例般為真空氛圍的情況。又，亦有未設置上述分歧管10之熱處理裝置。
然後，處理容器4內設置有支撐機構18，其係橫跨複數層地支撐被處理體(半導體晶圓W)並可自其下方插脫。該支撐機構18係由例如石英製半導體晶舟所構成，並於該半導體晶舟中以特定間隔多層地支撐複數片(例如50~150片)左右的半導體晶圓W。又，該半導體晶舟係設置在石英製保溫筒20上。
然後，該分歧管10下端的開口部可被例如不鏽鋼等所構成的蓋部22氣密地密閉，並且該蓋部22係連結於晶舟升降機所構成的昇降機構24而可昇降。然後，上述保溫筒20係被支撐在將該蓋部22氣密且自由迴轉地貫穿之迴轉軸26上而可迴轉。因此，藉由昇降該昇降機構24，則上述晶舟構成的支撐機構18便可自處理容器4下方向處理容器4內插脫。
然後，該處理容器4的外周側處係設置有相距特定空間而將其予以圍繞之加熱爐30，以加熱位於其內側之處理容器4或半導體晶圓W。具體來說，該加熱爐30係具有圍繞該處理容器4的側部及頂部所設置之絕熱構件32。然後，沿著該絕熱構件32內壁的大致整面而設置有電阻加熱器34，以利用來自該電阻加熱器34的熱來如上述般地加熱半導體晶圓W等。然後，該處理容器4與加熱爐30之間的上述特定空間則構成冷卻空間28。
該冷卻空間28的下端部係藉由密封材料35而被加以密封，以將冷卻空間28內密封。然後，該加熱爐30係連接有在熱處理結束後的降溫時，將冷卻氣體導入至該冷卻空間28內之冷卻氣體導入機構36；將升溫後的上述冷卻氣體從該冷卻空間28排出之冷卻氣體排出機構38；以及將降溫用氣體導入至上述升溫後的冷卻氣體中以使其降溫之作為本發明特徵的降溫用氣體導入機構40。
具體來說，該冷卻氣體導入機構36係具有用以導入冷卻氣體之氣體導入通道42，該氣體導入通道42的上游側係連接有用以將冷卻氣體送入之推入用送風機44。此處，冷卻氣體例如可使用室溫的空氣。又，該處理容器4下部的周邊部(即該冷卻空間28的下方)係設置有將其予以圍繞之環狀送風頭43，而該送風頭43則連接有該氣體導入通道42。然後，從該送風頭43，係相對於該冷卻空間28而延伸有複數根氣體噴嘴46。該氣體噴嘴46係沿著送風頭43的圓周方向而以特定的間隔所配置。藉以從該氣體噴嘴46將冷卻氣體對著處理容器4的外周面吹噴，以將處理容器4冷卻。
另一方面，該加熱爐30的頂部處係形成有用以將因上述冷卻而升溫後的冷卻氣體排出之排氣口48，而該排氣口48則設置有在熱處理時為關閉而在冷卻時為開放之排氣擋門50。然後，該冷卻氣體排出機構38係具有連接於該排氣口48之氣體排出通道52，並於其中供升溫後的冷卻氣體流通。該氣體排出通道52從其上游側朝向下游側依序設置有熱交換器54及吸出用送風機56。然後，該熱交換器54中流通有冷媒，以將通過其之高溫冷卻氣體冷卻至安全溫度，並將冷卻至安全溫度後的冷卻氣體往外部排出。
然後，作為本發明特徵之該降溫用氣體導入機構40係於該熱交換器54上游側處具有連接於該述氣體排出通道52之降溫用氣體導入通道58。該降溫用氣體導入通道58與氣體排出通道52的連接部處係設置有能夠有效率地使兩氣體混合之攪拌器60。然後，該降溫用氣體導入通道58的中途設置有控制降溫用氣體的流動之閥門62，而降溫用氣體導入通道58的端部處則連接有降溫用送風機64，以將降溫用氣體送入。該降溫用氣體可使用室溫的空氣。
然後，該攪拌器60與熱交換器54間之氣體排出通道52係設置有作為氣體溫度測量機構之例如熱電偶66，以測量流過其之升溫中的冷卻氣體與降溫用氣體的混合氣體的溫度。亦即，利用該熱電偶66來測量流入熱交換器54之氣體的溫度。
然後，為了控制該閥門62的動作及降溫用送風機64的動作，而設置有例如電腦等所構成的閥門控制部68，該閥門控制部68係根據該熱電偶66所測量之量測溫度值來控制該閥門62的開閉動作，以使上述氣體的溫度為特定溫度以下。上述特定溫度為上述熱交換器54的耐熱溫度(例如300℃)。
實際的控制如後述圖2所示，係在量測到較該特定溫度稍低的溫度t1時便開始導入降溫用氣體，而在溫度超過頂點(peak)開始降溫時，當量測到溫度t2時便停止導入降溫用氣體。
然後，該熱處理裝置2的整體動作係藉由例如電腦等所構成的裝置控制部70而被加以控制，除了為了進行熱處理之各氣體的控制、壓力控制、溫度控制等以外，亦進行各送風機44、56的動作控制等。上述裝置控制部70具有儲存媒體72，其係儲存有可供上述動作所需的電腦讀取之電腦程式。該儲存媒體72係由例如軟碟、CD(Compact Disc)、硬碟、快閃記憶體或DVD等所構成。又，上述閥門控制部68係在上述裝置控制部70的支配下動作。
<冷卻方法的說明>
接下來，針對上述方式形成的熱處理裝置之冷卻方法亦參照圖2及圖3來加以說明。圖2為顯示處理容器之冷卻時，流入熱交換器之氣體溫度與降溫用氣體流量的關係之圖表；圖3為顯示第1實施例的熱處理裝置之冷卻方法的各步驟之流程圖。又，圖2中，曲線A係顯示未利用降溫用氣體之習知裝置的情況，而曲線B係顯示利用降溫用氣體之本發明第1實施例的熱處理裝置的情況。
此處，係將熱交換器54的耐熱溫度如上述般地設定為例如300℃，當熱電偶66達到較300℃稍低的溫度t1℃時，便開始導入降溫用氣體，當超過溫度的頂點而達到較300℃低的溫度t2℃時，則停止導入降溫用氣體。上述溫度t1℃及t2℃係由經驗所求得，雖依降溫用氣體之每單位時間的送風量而異，但係設定為例如較耐熱溫度300℃要低5~40℃左右的溫度。
針對插入至處理容器4內之半導體晶圓W進行熱處理，而熱處理結束後，由於之後的處理容器4及其中的半導體晶圓W會因加熱爐30的電阻加熱器34而被加熱，故雖依處理樣態而異，但會被加熱至例如500℃左右。該熱處理的種類可使用CVD(Chemical Vapor Deposition)成膜處理、氧化擴散處理、退火處理等。
然後，如上所述地當熱處理結束後，為了提高產品的產能，必需使半導體晶圓W不會產生摩擦(slip)而維持在適當的降溫速度下，以高速來將半導體晶圓W冷卻至可自處理容器4內排出之卸載溫度。
首先，針對一般的概略流程加以說明。當冷卻方法開始時，打開加熱爐30之排氣口48所設置的排氣擋門50，並使冷卻氣體導入機構36的推入用送風機44開始動作(S1)。如此一來，冷卻氣體(室溫的空氣)便會流過氣體導入通道42而到達送風頭43，並從該送風頭43所設置之各氣體噴嘴46朝向冷卻空間28內噴射。所噴射之室溫的冷卻氣體會在與成為高溫狀態的處理容器4(亦即外筒8的外周面)接觸之狀態下將其冷卻，且伴隨著上述冷卻，則內筒6及其內側的半導體晶圓W也會依序被冷卻。
冷卻氣體會因上述冷卻而相反地升溫成為高溫狀態，並從頂部所設置之排氣口48流向冷卻氣體排出機構38的氣體排出通道52內。當流過該氣體排出通道52之冷卻氣體的溫度較特定值要高時，便開始降溫用氣體導入通道58之降溫用送風機64的動作，並打開降溫用氣體導入通道58所設置之閥門62，來將降溫用氣體(亦即室溫的空氣)導入至上述高溫的冷卻氣體中，以降低該混合氣體的溫度。然後，該溫度降低後的混合氣體會流入熱交換器54內，而於此處因冷媒而更加冷卻，並從吸出用送風機56被排出至外部。
接下來，更加詳細說明上述操作。首先，如上述般地開始推入用送風機44的動作時(S1)，冷卻氣體(室溫的空氣)會流入冷卻空間28內，而開始處理容器4等之冷卻。如圖2所示，冷卻開始初期，由於殘留在氣體排出通道52內的低溫空氣會流出，故流入熱交換器54的空氣溫度初期會較低，但慢慢地會流入有冷卻空間28內的空氣，故開始後，短時間內便會急速上昇。然後，流過該氣體排出通道52內的空氣(冷卻氣體)溫度係藉由設置於其途中之熱電偶66來加以測量並輸入至閥門控制部68。
當該量測溫度值較t1℃要低時(S2之NO)，則繼續上述動作，但當量測溫度值為t1℃以上時(S2之YES)，則打開降溫用氣體導入機構40的閥門62，並開始降溫用送風機64的動作，以開始降溫用氣體(亦即室溫的空氣)的送風(S3)。然後，與此同時，亦開始吸出用送風機56的動作，以開始冷卻氣體的吸出(S3)。上述降溫用氣體會流過降溫用氣體導入通道58內並通過開放後的閥門62而到達攪拌器60，並於該攪拌器60內與流至氣體排出通道52內之升溫成為高溫的空氣(冷卻氣體)混合，則該混合氣體的溫度便會降低。然後，該混合氣體會因吸出用送風機56而流向下游。此時，導入降溫用氣體的流量為一定，其流量Qb[m3 /min]係以下式來預先設定。
Qb=Qa‧(Ta-Tp)/(Tp-Tr)
Qa：流至氣體排出通道內之風量[m3 /min]
Ta：習知裝置之冷卻氣體的最大值[℃](參照圖2)
Tp：熱交換器的耐熱溫度[℃](參照圖2)
Tr：室溫[℃]
此時，熱電偶66所測量之量測溫度值當導入降溫用氣體時，混合氣體的溫度雖會暫時上昇，但在短時間內量測溫度值便會達到頂點(S4之YES)，之後，混合氣體的溫度會慢慢一點一點地降低。上述頂點係與圖2中，當曲線A達到頂點之點一致。此時，曲線B的頂點值係較熱交換器54的耐熱溫度Tp(300℃)要低，藉此便能夠防止熱交換器54受到熱損傷。因此，該熱交換器54便不需使用特殊且耐熱性高者，而可使用小型且汎用價廉的熱交換器。
然後，當上述混合氣體的溫度為t2℃以下時(S5之YES)，閥門控制部68會停止降溫用送風機64，並關閉閥門62來停止降溫用氣體的導入(S6)。該t2℃的值係依經驗來求得，只要設定為處理容器4的溫度達到熱交換器54的耐熱溫度Tp時之混合氣體的溫度即可。
之後，停止降溫用氣體的導入後，判斷是否已經過特定時間(S7)。該特定時間的長度依經驗來求得，係設定為流過該氣體排出通道52內之冷卻氣體已降溫至安全溫度以下的長度。然後，經過該特定時間後(S7之YES)，便停止推入用送風機44的驅動，且亦停止吸出用送風機56的驅動，再更進一步地藉由關閉排氣擋門50(S8)，而結束冷卻操作。之後，將冷卻後的半導體晶圓W自處理容器4內降下來加以卸載，並將其搬出。
如上所述，由於本發明係於對複數片被處理體同時施予熱處理之熱處理裝置中，在熱交換器54的上游側處，藉由將降溫用氣體混合於因與處理容器4熱交換而升溫後之冷卻氣體，來降低混合氣體的溫度，故不需特殊且價昂的高溫用熱交換器，而可使用耐熱性低的汎用價廉熱交換器之熱處理裝置及冷卻方法。
又，上述實施例中，降溫用氣體導入通道58所設置之閥門62的動作雖僅有開閉動作，但亦可再加上使用可調整閥門開啟度之閥門。若使用可調整該閥門開啟度之閥門的話，亦可如圖2中一點鏈線所示之特性C般，將閥門62全部打開並經過一段時間後(例如從超過溫度頂點Ta之時間點起)，再一點一點地縮小閥門開啟度，來使降溫用氣體的流量慢慢地減少般地加以控制。
又，上述第1實施例中，係設置降溫用送風機64來作為降溫用氣體導入機構40的一部分，以促進降溫用氣體的導入，但不限於此，亦可不設置該降溫用送風機64，而是使降溫用氣體導入通道58的前端向無塵室內等之大氣側開放。此時，藉由使吸出用送風機56動作，則降溫用氣體導入通道58內便會成為負壓，而藉由控制閥門62，便可與上述同樣地導入降溫用氣體。
<第2實施例>
接下來，針對本發明之熱處理裝置的第2實施例加以說明。先前之第1實施例係於降溫用氣體導入機構40設置有為了測量流入至熱交換器的氣體溫度之熱電偶66所構成的氣體溫度測量機構，但不限於此，亦可省略不設置該氣體溫度測量機構。
圖4為顯示本發明之熱處理裝置第2實施例的一部分之結構圖。又，圖4中，與圖1所示之構成部分相同的構成部分則賦予相同的元件符號而省略其說明。如圖4所示，此處，氣體排出通道52並未設置有圖1所示之熱電偶66所構成的氣體溫度測量機構。此時，閥門控制部68會接受來自裝置控制部70側的冷卻開始指令，並藉由時間管理來進行閥門62的開閉動作，抑或降溫用送風機64的開始或停止動作。
具體來說，圖2中之溫度t1、t2的各時間點(時間)可由實驗或經驗得知，係以冷卻開始的時間點作為起點來預先求得作為資訊之各時間點的時期。然後，將該資訊預先儲存在上述閥門控制部68，藉此，便可進行與上述第1實施例相同的動作。此情況下亦可發揮與先前之第1實施例相同的作用效果。又，該第2實施例亦與先前之第1實施例中所說明同樣地未設置有上述降溫用送風機64，而是使降溫用氣體導入通道58的前端向無塵室內等之大氣側開放。此時，藉由使吸出用送風機56動作，則降溫用氣體導入通道58內便會成為負壓，而藉由控制閥門62，便可與上述同樣地導入降溫用氣體。
<第3實施例>
接下來，針對本發明第3實施例加以說明。先前的第1及第2實施例中，雖係由另外設置的降溫用氣體導入機構40而導入作為降溫用氣體的室溫空氣，但該第3實施例中係使推入用送風機所推入之冷卻氣體(室溫的空氣)部分分支來加以分流，並使該分流後的冷卻氣體通過冷卻空間而導入至升溫後的冷卻氣體中來予以混合。圖5為顯示上述本發明之熱處理裝置的第3實施例之結構圖；圖6為顯示處理容器之冷卻時，流入熱交換器之氣體溫度與分流通道之閥門開閉動作的關係之圖表；圖7為顯示第3實施例的熱處理裝置之冷卻方法的各步驟之流程圖。
又，圖6中曲線A係顯示未使用分流後的冷卻氣體之習知裝置的情況，曲線D係顯示使用分流後的氣體之本發明第3實施例的熱處理裝置的情況。又，圖5至圖7中，與先前圖1至圖3所示之構成部分相同的構成部分則賦予相同的元件符號而省略其說明。
如圖5所示，此處係取代第1及第2實施例中所設置之降溫用氣體導入通道58，而設置有依需要來將冷卻氣體的一部分予以分流之分流機構76。具體來說，該分流機構76具有分流通道78，其係將冷卻氣體導入機構36的氣體導入通道42與冷卻氣體排出機構38的氣體排出通道52之間加以連通。此情況下，該分流通道78的一端係於該推入用送風機44的下游側而連接至該氣體導入通道42，另一端則於上述熱交換器54的上游側而連接至氣體排出通道52，並於其連接點設置有攪拌器60。
然後，該分流通道78的中途介設有閥門62，以控制被分流之氣體的流動。然後，該熱交換器54與攪拌器60之間的氣體排出通道52係設置有作為氣體溫度測量機構的例如熱電偶66，其係測量流過上述冷卻空間而升溫後的冷卻氣體與流過上述分流通道78的氣體之混合氣體溫度。亦即，係藉由該熱電偶66來測量流入熱交換器54的氣體溫度。然後，與第1及第2實施例同樣地，閥門控制部68係根據氣體溫度測量機構(熱電偶66)的量測溫度值來控制該閥門62，以使上述氣體為特定溫度以下。
<冷卻方法的說明>
該第3實施例的動作除了關於降溫用送風機64之點以外，其他基本上係與第1實施例的情況大致相同，圖7中的S21~S28係對應至圖3中的S1~S8。
首先，針對一般的概略流程加以說明。最初，分流閥門62為關閉狀態，當冷卻操作開始時，則打開加熱爐30的排氣口48所設置之排氣擋門50，並使冷卻氣體導入機構36的推入用送風機44開始動作(S21)。如此一來，冷卻氣體(室溫的空氣)便會流過氣體導入通道42而到達送風頭43，並從該送風頭43所設置之各氣體噴嘴46朝向冷卻空間28內噴射。所噴射之室溫的冷卻氣體會在與成為高溫狀態的處理容器4(亦即外筒8的外周面)接觸之狀態下將其冷卻，且伴隨著上述冷卻，則內筒6及其內側的半導體晶圓W也會依序被冷卻。
冷卻氣體會因上述冷卻而相反地升溫成為高溫狀態，並從頂部所設置之排氣口48流向冷卻氣體排出機構38的氣體排出通道52內。當流過該氣體排出通道52之冷卻氣體的溫度較特定值要高時，便打開分流通道78所設置之閥門62來將該氣體導入通道42所流通之冷卻氣體的一部分加以分支而流入至分流通道78內，該氣體會與通過冷卻空間28而升溫後的冷卻氣體混合，以降低該混合氣體的溫度。然後，該溫度降低後的混合氣體會流入熱交換器54內，而於此處因冷媒而更加冷卻，並從吸出用送風機56被排出至外部。
接下來，更加詳細說明上述操作。首先，如上述般地開始推入用送風機44的動作時(S21)，冷卻氣體(室溫的空氣)會流入冷卻空間28內，而開始處理容器4等之冷卻。如圖6所示，冷卻開始初期，由於殘留在氣體排出通道52內的低溫空氣會流出，故流入熱交換器54的空氣溫度初期會較低，但慢慢地會流入冷卻空間28內的空氣，故開始後，短時間內便會急速上昇。然後，流過該氣體排出通道52內的空氣(冷卻氣體)溫度係藉由設置於其途中之熱電偶66來加以測量並輸入至閥門控制部68。
當該量測溫度值較t1℃要低時(S22之NO)，則繼續上述動作，但當量測溫度值為t1℃以上時(S22之YES)，則打開分流通道78所設置之閥門62來將該氣體導入通道42內所流通之冷卻氣體的一部分加以分支而予以分流。然後，於此同時，亦開始吸出用送風機56的動作，以開始冷卻氣體的吸出(S23)。上述被分支的冷卻氣體會流過分流通道78內並通過開放後的閥門62而到達攪拌器60，並於該攪拌器60內與流至氣體排出通道52內而升溫成為高溫的空氣(冷卻氣體)混合，則該混合氣體的溫度便會降低。然後，該混合氣體會因吸出用送風機56而流向下游。此時，分支而流入分流通道78側之冷卻氣體的量雖依裝置設計而異，但例如為推入用送風機44所推入之冷卻氣體全部流量的一半左右。
此處，熱電偶66所測量之量測溫度值當導入分流後的冷卻氣體時，混合氣體的溫度雖會暫時上昇，但在短時間內量測溫度值便會達到頂點(S24之YES)，之後，混合氣體的溫度會慢慢一點一點地降低。上述頂點係與圖6中，當曲線A達到頂點之點一致。此時，曲線D的頂點值係較熱交換器54的耐熱溫度Tp(300℃)要低，藉此便能夠防止熱交換器54受到熱損傷。因此，該熱交換器54便不需使用特殊且耐熱性高者，而可使用小型且汎用價廉的熱交換器。
然後，當上述混合氣體的溫度為t2℃以下時(S25之YES)，閥門控制部68會關閉閥門62來停止被分流氣體的導入(S26)。該t2℃的值係依經驗來求得，只要設定為處理容器4的溫度達到熱交換器54的耐熱溫度Tp時之混合氣體的溫度即可。
之後，停止降溫用氣體的導入後，判斷是否已經過特定時間(S27)。該特定時間的長度與第1及第2實施例的情況同樣地依經驗來求得，係設定為流過該氣體排出通道52內之冷卻氣體已降溫至安全溫度以下的長度。然後，經過該特定時間後(S27之YES)，便停止推入用送風機44的驅動，且亦停止吸出用送風機56的驅動，再更進一步地藉由關閉排氣擋門50(S28)，而結束冷卻操作。之後，將冷卻後的半導體晶圓W自處理容器4內降下來加以卸載，並將其搬出。
如上所述，由於本發明係於對複數片被處理體(例如半導體晶圓W)同時施予熱處理之熱處理裝置中，在熱交換器54的上游側處，藉由將朝向處理容器4之冷卻氣體的一部分予以分流，並將該分流後的冷卻氣體混合於因與處理容器4熱交換而升溫後之冷卻氣體，來降低混合氣體的溫度，故不需特殊且價昂的高溫用熱交換器，而可使用耐熱性低的汎用價廉熱交換器。
又，上述實施例中，分流通道78所設置之閥門62的動作雖僅有開閉動作，但亦可再加上使用可調整閥門開啟度之閥門。若使用可調整該閥門開啟度之閥門的話，亦可如圖6中一點鏈線所示之特性E般，將閥門62全部打開並經過一段時間後(例如從超過溫度頂點Ta之時間點起)，再一點一點地縮小閥門開啟度，來使降溫用氣體的流量慢慢地減少般地加以控制。
<第4實施例>
接著，針對本發明第4實施例加以說明。先前的第3實施例係為了測量混合氣體的溫度而於分流機構76設置由電熱偶66所構成之氣體溫度測量機構，但不限於此，亦可不設置該氣體溫度測量機構而加以省略。此情況下，首先與第2實施例相同之閥門控制部68係接收裝置控制部70側來的冷卻開始指令，而藉由時間管理來進行閥門62的開閉動作。
具體而言，圖6中之溫度t1、t2的各時間點可由實驗或經驗得知，係以冷卻開始的時間點作為起點來預先求得作為資訊之各時間點的時期。然後，將該資訊預先儲存在上述閥門控制部68，藉此，便可進行與上述第3實施例相同的動作。此情況下亦可發揮與先前之第3實施例相同的作用效果。
又，該第3及第4實施例的情況，由於在冷卻操作的中途被導入至冷卻空間28內之冷卻氣體的流量係較第1及第2實施例的情況要少，其份量雖會降低冷卻速度，但由於此處流通於推入用送風機44與吸出用送風機56之流量係經常保持相同，故可使用相同送風量之送風機而存有優點。
另外，上述各實施例中，雖係使用冷卻氣體，或室溫氣體作為降溫用氣體，但不限於此，亦可將空氣預先冷卻至較室溫更低的溫度來使用，或者取代空氣而使用N2 氣體或He等稀有氣體所構成之非活性氣體。
又，上述各實施例雖係以雙重管結構之處理容器4為例加以說明，但該處理容器不單僅限於所示一例，亦可使用單管結構的處理容器，而氣體導入機構12亦不限於上述實施例所說明之結構。
又，此處雖係以半導體晶圓作為被處理體為例加以說明，但該半導體晶圓亦包含有矽基板或GaAs、SiC、GaN等化合物半導體基板，再者，亦不限於該等基板，本發明亦可適用於用於液晶顯示裝置之玻璃基板或陶瓷基板等。
W．．．半導體晶圓
2．．．熱處理裝置
4．．．處理容器
6．．．內筒
8．．．外筒
10．．．分歧管
12．．．氣體導入機構
14．．．氣體排氣口
16．．．排氣系統
18．．．支撐機構
20．．．保溫筒
22．．．蓋部
24．．．昇降機構
26．．．迴轉軸
28．．．冷卻空間
30．．．加熱爐
32．．．絕熱構件
34．．．電阻加熱器
35．．．密封材料
36．．．冷卻氣體導入機構
38．．．冷卻氣體排出機構
40．．．降溫用氣體導入機構
42．．．氣體導入通道
43．．．送風頭
44．．．推入用送風機
46．．．氣體噴嘴
48．．．排氣口
50．．．排氣擋門
52．．．氣體排出通道
54．．．熱交換器
56．．．吸出用送風機
58．．．降溫用氣體導入通道
60．．．攪拌器
62．．．閥門
64．．．降溫用送風機
66．．．熱電偶
68．．．閥門控制部
70．．．裝置控制部
72．．．儲存媒體
76．．．分流機構
圖1為顯示本發明熱處理裝置的第1實施例之結構圖。
圖2為顯示處理容器之冷卻時，流入熱交換器之氣體溫度與降溫用氣體流量的關係之圖表。
圖3為顯示第1實施例的熱處理裝置之冷卻方法的各步驟之流程圖。
圖4為顯示本發明之熱處理裝置的第2實施例的一部分之結構圖。
圖5為顯示本發明之熱處理裝置的第3實施例之結構圖。
圖6為顯示處理容器之冷卻時，流入熱交換器之氣體溫度與分流通道之閥門開閉動作的關係之圖表。
圖7為顯示第3實施例的熱處理裝置之冷卻方法的各步驟之流程圖。
W．．．半導體晶圓
2．．．熱處理裝置
4．．．處理容器
6．．．內筒
8．．．外筒
10．．．分歧管
12．．．氣體導入機構
14．．．氣體排氣口
16．．．排氣系統
18．．．支撐機構
20．．．保溫筒
22．．．蓋部
24．．．昇降機構
26．．．迴轉軸
28．．．冷卻空間
30．．．加熱爐
32．．．絕熱構件
34．．．電阻加熱器
35．．．密封材料
36．．．冷卻氣體導入機構
38．．．冷卻氣體排出機構
40．．．降溫用氣體導入機構
42．．．氣體導入通道
43．．．送風頭
44．．．推入用送風機
46．．．氣體噴嘴
48．．．排氣口
50．．．排氣擋門
52．．．氣體排出通道
54．．．熱交換器
56．．．吸出用送風機
58．．．降溫用氣體導入通道
60．．．攪拌器
62．．．閥門
64．．．降溫用送風機
66．．．熱電偶
68．．．閥門控制部
70．．．裝置控制部
72．．．儲存媒體

Claims (19)

  1. 一種熱處理裝置，係對複數個被處理體進行熱處理，其特徵在於具有：處理容器；支撐機構，係支撐複數片該被處理體並可插脫地於該處理容器內移動；加熱爐，係介隔著氣體所通過之冷卻空間而圍繞設置於該處理容器的外側；冷卻氣體導入機構，係設置於該加熱爐，並且為了將用以冷卻該處理容器之冷卻氣體導入至冷卻空間，而具有推入用送風機與氣體導入通道；冷卻氣體排出機構，係設置於該加熱爐，並且為了將升溫後的該冷卻氣體從冷卻空間排出，而具有氣體排出通道、熱交換器與吸出用送風機；及降溫用氣體導入機構，係設置於該冷卻空間與該熱交換器之間；該降溫用氣體導入機構具有：降溫用氣體導入通道，係連接於該氣體排出通道；閥門，係介設於該降溫用氣體導入通道的中途，以控制該降溫用氣體的流動；氣體溫度測量機構，係設置於該氣體排出通道之熱交換器的上游側，以測量流入該熱交換器的氣體溫度；及 閥門控制部，係根據該氣體溫度測量機構的測量溫度值來控制該閥門，以使該氣體為特定溫度以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之熱處理裝置，其中該加熱爐係介隔著特定寬度的冷卻空間而圍繞設置於該處理容器的外周側；熱交換器與吸出用送風機係從上游側朝向下游側而依序設置於該氣體排出通道；該降溫用氣體導入機構係於熱交換器的上游側而設置於該氣體排出通道，以將降溫用氣體導入至該升溫後的冷卻氣體來使其降溫。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之熱處理裝置，其中該閥門係可調整閥門開啟度之開閉閥。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之熱處理裝置，其中該氣體排出通道與該降溫用氣體導入通道之連接部係設置有攪拌器。
  5. 一種熱處理裝置，係對複數個被處理體進行熱處理，其特徵在於具有：處理容器；支撐機構，係支撐複數片該被處理體並可插脫地於該處理容器內移動；加熱爐，係介隔著氣體所通過之冷卻空間而圍繞設置於該處理容器的外側；冷卻氣體導入機構，係設置於該加熱爐，並且為了將用以冷卻該處理容器之冷卻氣體導入至冷卻空 間，而具有推入用送風機與氣體導入通道；冷卻氣體排出機構，係設置於該加熱爐，並且為了將升溫後的該冷卻氣體從冷卻空間排出，而具有氣體排出通道、熱交換器與吸出用送風機；及降溫用氣體導入機構，係設置於該冷卻空間與該熱交換器之間；該降溫用氣體導入機構具有：降溫用氣體導入通道，係連接於該氣體排出通道；降溫用送風機，係連接於該降溫用氣體導入通道；閥門，係介設於該降溫用氣體導入通道的中途，以控制該降溫用氣體的流動；及閥門控制部，係以冷卻開始的時間點作為起點，而以預先設定之時間控制該閥門，以使流入該熱交換器的氣體溫度為特定溫度以下。
  6. 如申請專利範圍第5項之熱處理裝置，其中該閥門係可調整閥門開啟度之開閉閥。
  7. 如申請專利範圍第5或6項之熱處理裝置，其中該氣體排出通道與該降溫用氣體導入通道之連接部係設置有攪拌器。
  8. 一種熱處理裝置，係對複數個被處理體進行熱處理，其特徵在於具有：處理容器；支撐機構，係支撐複數片該被處理體並可插脫地於該處理容器內移動； 加熱爐，係介隔著氣體所通過之冷卻空間而圍繞設置於該處理容器的外側；冷卻氣體導入機構，係設置於該加熱爐，並且為了將用以冷卻該處理容器之冷卻氣體導入至冷卻空間，而具有推入用送風機與氣體導入通道；冷卻氣體排出機構，係設置於該加熱爐，並且為了將升溫後的該冷卻氣體從冷卻空間排出，而具有氣體排出通道、熱交換器與吸出用送風機；及分流機構，係依需要來連通該氣體導入通道與該氣體排出通道，以將該冷卻氣體的一部分予以分流。
  9. 如申請專利範圍第8項之熱處理裝置，其中該加熱爐係介隔著特定寬度的冷卻空間而圍繞設置於該處理容器的外周側；熱交換器與吸出用送風機係從上游側朝向下游側而依序設置於該氣體排出通道。
  10. 如申請專利範圍第8項之熱處理裝置，其中該分流機構具有：分流通道，係連通該氣體導入通道之該推入用送風機的下游側與介設於該氣體排出通道之該熱交換器的上游側；閥門，係介設於該分流通道的中途，以控制被分流之氣體的流動；氣體溫度測量機構，係測量流入該熱交換器的氣體溫度；及 閥門控制部，係根據該氣體溫度測量機構的測量溫度值來控制該閥門，以使該氣體為特定溫度以下。
  11. 如申請專利範圍第10項之熱處理裝置，其中該閥門係可調整閥門開啟度之開閉閥。
  12. 如申請專利範圍第10項之熱處理裝置，其中該氣體排出通道與該分流通道之連接部係設置有攪拌器。
  13. 如申請專利範圍第8項之熱處理裝置，其中該分流機構具有：分流通道，係連通該氣體導入通道之該推入用送風機的下游側與介設於該氣體排出通道之該熱交換器的上游側；閥門，係介設於該分流通道的中途，以控制被分流之氣體的流動；及閥門控制部，係以冷卻開始的時間點作為起點，而以預先設定之時間控制該閥門，以使流過該冷卻空間之冷卻氣體與流過該分流通道之氣體的混合氣體溫度為特定溫度以下。
  14. 如申請專利範圍第13項之熱處理裝置，其中該閥門係可調整閥門開啟度之開閉閥。
  15. 如申請專利範圍第13項之熱處理裝置，其中該氣體排出通道與該分流通道之連接部係設置有攪拌器。
  16. 一種熱處理裝置之冷卻方法，如申請專利範圍第1~7項中任一項之熱處理裝置係對複數個被處理體同時施予熱處理，其特徵在於具有以下步驟： 冷卻步驟，係將冷卻氣體導入至於容納有該被處理體之筒體狀處理容器與為了加熱該被處理體而圍繞設置於該處理容器外周側的加熱爐之間所形成之特定寬度的冷卻空間來使該處理容器冷卻，並將升溫後的該冷卻氣體排出；及混合步驟，係將降溫用氣體導入至從該冷卻空間所排出之該升溫後的冷卻氣體中，以使兩氣體的混合氣體為特定溫度以下。
  17. 如申請專利範圍第16項之熱處理裝置之冷卻方法，其中該特定溫度為熱交換器的耐熱溫度，該熱交換器係設置於該混合氣體所流過之下游側。
  18. 一種熱處理裝置之冷卻方法，如申請專利範圍第8~15項中任一項之熱處理裝置係對複數個被處理體同時施予熱處理，其特徵在於具有以下步驟：冷卻步驟，係將冷卻氣體導入至於容納有該被處理體之筒體狀處理容器與為了加熱該被處理體而圍繞設置於該處理容器外周側的加熱爐之間所形成之特定寬度的冷卻空間來使該處理容器冷卻，並將升溫後的該冷卻氣體排出；及混合步驟，係將朝向該冷卻空間流動之該冷卻氣體的一部分予以分流，並將該被分流後的冷卻氣體從該冷卻空間排出而導入至升溫中的冷卻氣體中，以使兩氣體的混合氣體為特定溫度以下。
  19. 如申請專利範圍第18項之熱處理裝置之冷卻方法，其中該特定溫度為熱交換器的耐熱溫度，該熱交換器係設置於該混合氣體所流過之下游側。
TW099132270A 2009-09-26 2010-09-24 熱處理裝置及冷卻方法 TWI484560B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009221697A JP5504793B2 (ja) 2009-09-26 2009-09-26 熱処理装置及び冷却方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201128709A TW201128709A (en) 2011-08-16
TWI484560B true TWI484560B (zh) 2015-05-11

Family

ID=43780790

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099132270A TWI484560B (zh) 2009-09-26 2010-09-24 熱處理裝置及冷卻方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9099505B2 (zh)
JP (1) JP5504793B2 (zh)
KR (1) KR101332065B1 (zh)
CN (1) CN102031567B (zh)
TW (1) TWI484560B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI600771B (zh) * 2015-09-30 2017-10-01 Hitachi Metals Ltd Method for deriving the cooling time during quenching of steel, quenching method for steel and quenching and tempering of steel

Families Citing this family (310)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
CN102230727A (zh) * 2011-06-01 2011-11-02 北京七星华创电子股份有限公司 立式炉冷却控制系统及方法
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
JP2013062361A (ja) * 2011-09-13 2013-04-04 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置、温度制御システム、熱処理方法、温度制御方法及びその熱処理方法又はその温度制御方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
US9352389B2 (en) * 2011-09-16 2016-05-31 Silicor Materials, Inc. Directional solidification system and method
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
JP5966649B2 (ja) * 2012-06-18 2016-08-10 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP6076631B2 (ja) * 2012-07-12 2017-02-08 光洋サーモシステム株式会社 ヒータユニットおよび熱処理装置
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US20170207078A1 (en) * 2016-01-15 2017-07-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Atomic layer deposition apparatus and semiconductor process
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
KR102613349B1 (ko) 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) * 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
KR102473880B1 (ko) * 2018-02-23 2022-12-06 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 클리닝 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 및 프로그램
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
CN110527989A (zh) * 2018-06-08 2019-12-03 北京北方华创微电子装备有限公司 用于热处理设备的冷却装置及热处理设备
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
CN109059551B (zh) * 2018-07-20 2020-03-03 宋任菊 一种工业炉用防烫伤护架
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
JP7249814B2 (ja) * 2019-03-04 2023-03-31 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置および熱処理方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
CN112086376A (zh) * 2019-06-12 2020-12-15 北京北方华创微电子装备有限公司 冷却装置及立式炉系统
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
FI129577B (en) * 2019-06-28 2022-05-13 Beneq Oy Atomic layer growth equipment
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
TW202129068A (zh) 2020-01-20 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN117701864B (zh) * 2024-02-05 2024-04-19 山西天宝集团有限公司 一种热处理环形锻件旋转喷雾降温装置及其方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5360336A (en) * 1991-06-14 1994-11-01 Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha Forced cooling apparatus for heat treatment apparatus
US6059567A (en) * 1998-02-10 2000-05-09 Silicon Valley Group, Inc. Semiconductor thermal processor with recirculating heater exhaust cooling system
TW525219B (en) * 2001-01-09 2003-03-21 Tokyo Electron Ltd Treated air supplying apparatus and method

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2440052A (en) * 1945-09-24 1948-04-20 Ruth Sharp Lingen Averaging controller
US3172647A (en) * 1963-03-26 1965-03-09 Bickley Furnaces Inc Continuous kiln
US4225121A (en) * 1979-03-23 1980-09-30 Holcroft Energy efficient heat-treating furnace system
MX167798B (es) * 1985-05-29 1993-04-12 D D Agrosa S David Procedimiento de calcinacion de materiales solidosy horno de columna sencilla para realizarlo
KR0147044B1 (ko) * 1990-01-23 1998-11-02 카자마 젠쥬 배기 시스템을 가지는 열처리장치
JP2958066B2 (ja) * 1990-07-27 1999-10-06 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US5616264A (en) * 1993-06-15 1997-04-01 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for controlling temperature in rapid heat treatment system
US5507639A (en) * 1993-06-30 1996-04-16 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Heat treatment apparatus and method thereof
KR950001953A (ko) * 1993-06-30 1995-01-04 이노우에 아키라 웨이퍼의 열처리방법
US5578132A (en) * 1993-07-07 1996-11-26 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Apparatus for heat treating semiconductors at normal pressure and low pressure
TW266230B (zh) * 1993-09-09 1995-12-21 Tokyo Electron Co Ltd
JPH0831707A (ja) 1994-07-12 1996-02-02 Toshiba Corp 半導体製造装置
US6036482A (en) * 1995-02-10 2000-03-14 Tokyo Electron Limited Heat treatment method
KR100407412B1 (ko) * 1995-02-10 2004-03-24 동경 엘렉트론 주식회사 열처리방법및그장치
JPH09190982A (ja) * 1996-01-11 1997-07-22 Toshiba Corp 半導体製造装置
JP3567070B2 (ja) * 1997-12-27 2004-09-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
JPH11260725A (ja) 1998-03-06 1999-09-24 Kokusai Electric Co Ltd 固体デバイス製造装置
US6332724B1 (en) * 1999-09-03 2001-12-25 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP2001244179A (ja) 2000-02-29 2001-09-07 Canon Inc 温度調節装置を備えた露光装置およびデバイス製造方法
JP4365017B2 (ja) * 2000-08-23 2009-11-18 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置の降温レート制御方法および熱処理装置
JP2002110576A (ja) 2000-09-28 2002-04-12 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置及びその方法
JP2003209063A (ja) * 2001-11-08 2003-07-25 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置および熱処理方法
JP3912208B2 (ja) * 2002-02-28 2007-05-09 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US20040025516A1 (en) * 2002-08-09 2004-02-12 John Van Winkle Double closed loop thermoelectric heat exchanger
JP3965167B2 (ja) * 2003-07-04 2007-08-29 東京エレクトロン株式会社 熱処理方法及び熱処理装置
JP4642349B2 (ja) 2003-12-26 2011-03-02 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及びその低温域温度収束方法
JP4503397B2 (ja) * 2004-08-26 2010-07-14 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及びその処理容器急速降温方法
US20060156980A1 (en) * 2005-01-19 2006-07-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus including 4-way valve for fabricating semiconductor device, method of controlling valve, and method of fabricating semiconductor device using the apparatus
US7753678B2 (en) * 2005-06-10 2010-07-13 Nucor Corporation Method and apparatus for producing charcoal
KR101003446B1 (ko) * 2006-03-07 2010-12-28 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JPWO2007111348A1 (ja) * 2006-03-28 2009-08-13 株式会社日立国際電気 基板処理装置
JP4791303B2 (ja) 2006-09-19 2011-10-12 株式会社日立国際電気 基板処理装置およびこの装置に用いられる冷却手段、ｉｃの製造方法
US7727780B2 (en) * 2007-01-26 2010-06-01 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing method and semiconductor manufacturing apparatus
WO2008099449A1 (ja) * 2007-02-09 2008-08-21 Hitachi Kokusai Electric Inc. 断熱構造体、加熱装置、加熱システム、基板処理装置および半導体装置の製造方法
US20090095422A1 (en) * 2007-09-06 2009-04-16 Hitachi Kokusai Electric Inc. Semiconductor manufacturing apparatus and substrate processing method
US7907406B1 (en) * 2009-09-28 2011-03-15 International Business Machines Corporation System and method for standby mode cooling of a liquid-cooled electronics rack
JP5751549B2 (ja) * 2010-03-15 2015-07-22 株式会社日立国際電気 熱処理装置及び半導体の製造方法
JP5627984B2 (ja) * 2010-10-15 2014-11-19 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び半導体装置の製造方法
US8514575B2 (en) * 2010-11-16 2013-08-20 International Business Machines Corporation Multimodal cooling apparatus for an electronic system
US8274790B2 (en) * 2010-11-16 2012-09-25 International Business Machines Corporation Automatically reconfigurable liquid-cooling apparatus for an electronics rack
US8925333B2 (en) * 2012-09-13 2015-01-06 International Business Machines Corporation Thermoelectric-enhanced air and liquid cooling of an electronic system
JP6170847B2 (ja) * 2013-03-25 2017-07-26 株式会社日立国際電気 断熱構造体、加熱装置、基板処理装置および半導体装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5360336A (en) * 1991-06-14 1994-11-01 Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha Forced cooling apparatus for heat treatment apparatus
US6059567A (en) * 1998-02-10 2000-05-09 Silicon Valley Group, Inc. Semiconductor thermal processor with recirculating heater exhaust cooling system
TW525219B (en) * 2001-01-09 2003-03-21 Tokyo Electron Ltd Treated air supplying apparatus and method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI600771B (zh) * 2015-09-30 2017-10-01 Hitachi Metals Ltd Method for deriving the cooling time during quenching of steel, quenching method for steel and quenching and tempering of steel

Also Published As

Publication number Publication date
TW201128709A (en) 2011-08-16
CN102031567B (zh) 2015-06-03
US9099505B2 (en) 2015-08-04
CN102031567A (zh) 2011-04-27
JP5504793B2 (ja) 2014-05-28
KR101332065B1 (ko) 2013-11-22
KR20110033894A (ko) 2011-04-01
JP2011071357A (ja) 2011-04-07
US20110076632A1 (en) 2011-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI484560B (zh) 熱處理裝置及冷卻方法
JP4365017B2 (ja) 熱処理装置の降温レート制御方法および熱処理装置
JP5117856B2 (ja) 基板処理装置、冷却ガス供給ノズルおよび半導体装置の製造方法
JP5036172B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法
JP4149687B2 (ja) 熱処理方法
JP4498210B2 (ja) 基板処理装置およびｉｃの製造方法
US11967512B2 (en) Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
JP4516318B2 (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP4282539B2 (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JPH0465820A (ja) 熱処理装置
CN108335998B (zh) 基板处理装置和基板的冷却方法
US20230417488A1 (en) Heat treatment apparatus and temperature regulation method of heat treatment apparatus
US20220310420A1 (en) Cooling method, a method of manufacturing a semiconductor device and a non-transitory computer-readable recording medium
WO2024135039A1 (ja) 温度制御システム、半導体装置の製造方法、処理装置、及び、プログラム
JP2007066934A (ja) 基板処理装置
JPH11260725A (ja) 固体デバイス製造装置
JP4806127B2 (ja) 薄膜形成方法
JP2002289602A (ja) 半導体基板処理装置
JP2009044058A (ja) 基板処理装置
JP2008258240A (ja) 基板処理装置
JP2011171657A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2002299269A (ja) 熱処理装置、および熱処理方法
JPH0324720A (ja) ウェハ処理方法及び処理装置
JP2009099728A (ja) 半導体製造装置
JP2000068218A (ja) 熱処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees