JPH11108559A - 焼成炉およびその制御方法 - Google Patents
焼成炉およびその制御方法Info
- Publication number
- JPH11108559A JPH11108559A JP9276832A JP27683297A JPH11108559A JP H11108559 A JPH11108559 A JP H11108559A JP 9276832 A JP9276832 A JP 9276832A JP 27683297 A JP27683297 A JP 27683297A JP H11108559 A JPH11108559 A JP H11108559A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- space
- air
- chamber
- heating chamber
- heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 81
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 50
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 14
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 239000000567 combustion gas Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 210000002159 anterior chamber Anatomy 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000009770 conventional sintering Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B9/00—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity
- F27B9/14—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity characterised by the path of the charge during treatment; characterised by the means by which the charge is moved during treatment
- F27B9/20—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity characterised by the path of the charge during treatment; characterised by the means by which the charge is moved during treatment the charge moving in a substantially straight path tunnel furnace
- F27B9/24—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity characterised by the path of the charge during treatment; characterised by the means by which the charge is moved during treatment the charge moving in a substantially straight path tunnel furnace being carried by a conveyor
- F27B9/2407—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity characterised by the path of the charge during treatment; characterised by the means by which the charge is moved during treatment the charge moving in a substantially straight path tunnel furnace being carried by a conveyor the conveyor being constituted by rollers (roller hearth furnace)
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B9/00—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity
- F27B9/30—Details, accessories, or equipment peculiar to furnaces of these types
- F27B9/3005—Details, accessories, or equipment peculiar to furnaces of these types arrangements for circulating gases
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B9/00—Furnaces through which the charge is moved mechanically, e.g. of tunnel type; Similar furnaces in which the charge moves by gravity
- F27B9/30—Details, accessories, or equipment peculiar to furnaces of these types
- F27B9/40—Arrangements of controlling or monitoring devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Furnace Details (AREA)
- Waste-Gas Treatment And Other Accessory Devices For Furnaces (AREA)
- Tunnel Furnaces (AREA)
- Muffle Furnaces And Rotary Kilns (AREA)
Abstract
分布の変動による、焼成物の焼成品質の低下を防止す
る。 【解決手段】 クリーンルーム1に入口部31が設置さ
れ、クリーンルーム1より気圧の低い常圧の部屋2に出
口部32が設置されている焼成炉4に、差圧計16、コ
ントローラ17、インバータ18およびリターンダクト
23内に設置された排気ファン19を設け、クリーンル
ーム1と常圧の部屋2との間の気圧差を差圧計16によ
り検出し、その気圧差に応じてコントローラ17により
排気ファン19の動作を制御して入口部31より流入し
てきた量の空気9をリターンダクト23より排出するこ
とにより焼成炉4内に空気が流入するのを防ぐ。
Description
御方法に関するものである。
は半導体等の電極焼成や、誘電体のペースト焼成等の焼
成を伴ったプロセスには必要不可欠な装置である。
た断面図を用いて説明する。従来の焼成炉4の入口部3
1はクリーンルーム1内に設置されている。焼成炉4の
出口部32は常圧の部屋2に設置されている。クリーン
ルーム1と常圧の部屋2とは壁3により分離されてい
る。クリーンルーム1は常圧の部屋2に対して5〜10
Pa程度気圧を高くしている。
ラスで構成したマッフル6、ヒータ7、空気供給配管1
0、排気管11、カバー8、入口コンベア15および出
口コンベア20より構成されている。マッフル6は筒状
の構造を有し焼成炉4の入口部31から出口部32まで
達している。マッフル6の外周部にはヒータ7が配置さ
れている。空気供給配管10はマッフル6に接続され、
マッフル6内に空気9を供給する管である。排気管11
はマッフル6内の燃焼ガスを焼成炉4外に排気する管で
ある。マッフル6およびヒータ7はカバー8に覆われて
いる。焼成炉4の入口部31には入口コンベア15が、
出口部32には出口コンベア20が配置されている。支
持板22に載置された焼成基板21は入口コンベア15
から焼成炉4内に入り、マッフル6内を搬送中に加熱焼
成されて、出口コンベア20へ取り出されるようになっ
ている。
炉4では、入口部31が、出口部32より気圧の高いク
リーンルーム1内に配置されているので、焼成炉4の入
口部31と出口部32との間の気圧の差によりクリーン
ルーム1内の空気がマッフル6内を、焼成炉4の入口部
31から出口部32に向かって流れる。クリーンルーム
1と常圧の、通常の部屋2との間の差圧が10Paの場
合、マッフル6内を流れる空気の流速は4m/secに
なり、5Paの場合3m/secになる。上記の流速で
クリーンルーム1の冷たい空気が焼成炉4内に流れ込む
ことによりマッフル6内の温度分布が変動し、その結
果、焼成条件が変化して所定の焼成品質の焼成物が得ら
れなくなるという問題が生じる。
電体のペースト焼成では、マッフル6内の温度変動によ
り、プラズマディスプレイや誘電体自体の歩留まりが低
下するという問題が生じる。
品質の焼成物が得られる焼成炉およびその制御方法を提
供するものである。
室と、前記加熱室内に設置された被加熱物を搬送する搬
送手段と、前記加熱室の近傍に配置された加熱手段と、
前記加熱室の入口近傍に接続された空気排出手段と、前
記加熱室外に設置された差圧検出手段および前記差圧検
出手段からの情報に基づいて前記空気排出手段の動作を
制御する排出制御手段とを備え、前記加熱室の入口部が
第1の空間に配置され、前記加熱室の出口部が前記第1
の空間より気圧の低い第2の空間に配置されるととも
に、前記差圧検出手段は前記第1の空間の気圧と前記第
2の空間の気圧との圧力差を検出する手段であるもので
ある。
に流入した空気を、入口付近に設置された空気排出手段
を用いて焼成炉外に排出することができるため、加熱室
の奥内に空気が流入することを防止することができる。
と、前記前室と開口部を介して接続され、出口部を有す
る加熱室と、前記前室内と前記加熱室内に設置され、被
加熱物を搬送する搬送手段と、前記加熱室の近傍に配置
された加熱手段と、前記前室に接続された空気排出手段
と、前記加熱室外に設置された差圧検出手段および前記
差圧検出手段からの情報に基づいて前記空気排出手段の
動作を制御する排出制御手段とを備え、前記入口部は第
1の空間に配置され、前記出口部は前記第1の空間より
気圧の低い第2の空間に配置されるとともに、前記差圧
検出手段は前記第1の空間の気圧と前記第2の空間の気
圧との圧力差を検出する手段であるものである。
外は開閉手段を閉じ、かつ高速で前室に被加熱部材を搬
入することができるので、開閉手段が開いている時間を
短縮することができる。このため、入口部より前室に流
入する空気を最小限に抑えることができ、加熱室にほと
んど空気を流入することを阻止することができるととも
に空気排出手段と差圧検出手段とを有する焼成炉と比べ
て構造が簡単になり、焼成炉の製造コストを下げること
ができる。
送手段と、入口部を有する前室と、前記前室と開口部を
介して接続され、出口部を有する加熱室と、前記加熱室
の近傍に配置された加熱手段とを備え、前記入口部は第
1の空間に配置され、前記出口部は前記第1の空間より
気圧の低い第2の空間に配置されるとともに、排出口が
前記第2の空間に配置された空気排出管が前記前室に接
続されているものである。
入口の開口断面積より大きくすることができ、前室に流
入してきた空気を焼成炉の方向に少ししか流入せず、ほ
とんどの空気を空気排出管より排出することができる。
また、構造をより簡単にすることができる。
部より流入してきた空気を前記空気排出管に流れやすく
する排出援助手段を設けたものである。
出援助手段により空気排出管の方向に誘導できるので、
ほとんど空気排出管より空気を排出することができる。
たは2に記載の焼成炉を用いて、前記差圧検出手段によ
り検出される前記第1の空間と前記第2の空間との間の
気圧差を測定し、測定結果に応じて前記空気排出手段に
より排出される空気の量を前記排気制御手段により制御
するものである。
される空気の量を差圧検出手段によって検出された圧力
差に応じて変化させることができるため、流入してきた
空気量だけ排出することができ、加熱室内に空気が流入
するのを防止することができる。
記載の焼成炉を用いて、前記前室に前記被加熱物を搬入
する以外は前記開閉手段を閉じ、かつ前記第1の搬送手
段により前記被加熱物を高速で前記前室に搬入して前記
焼成炉へ空気が流入するのを制限するものである。
量が少なく制限されるので、前室に流入した空気が直接
加熱室内に流入するのを防止することができる。
て、図面を参照しながら説明する。
に示した断面図および図1のZ−Z線に沿って切断した
断面図である図2を用いて説明する。
1と常圧の部屋2との間にまたがって配置されている。
クリーンルーム1と常圧の部屋2とは壁3によって隔て
られている。クリーンルーム1は常圧の部屋2に対して
5〜10Paの高圧になるように気圧を制御している。
焼成炉4は、支持板22上に載置され焼成基板21を搬
送する搬送ローラ5、加熱室を形成するマッフル6、焼
成基板21を加熱するヒータ7、マッフル6とヒータ4
を覆うカバー8、空気をマッフル6内に供給する空気供
給配管10、マッフル6内の燃焼ガスを排気する排気管
11、前室24を形成するフード12と密閉カバー1
3、前室24の入口部31の開口を制御する制御板1
4、入口コンベア15、圧力差を測定する差圧計16、
差圧計16の結果より制御信号を出すコントローラ1
7、周波数を可変にできるインバータ18、空気を排出
する排気ファン19、出口コンベア20および支持板2
2により構成されている。搬送ローラ5は駆動源(図示
せず)により駆動される。図1および図2に示すように
マッフル6は筒状になっており、焼成炉4の入口すなわ
ち開口部33から出口部32まで達している。ヒータ7
はマッフル6の周囲に配置されている。空気供給配管1
0は空気9をマッフル6内に供給するものであり、空気
供給配管10には焼成炉4の入口近傍、マッフル6内お
よび焼成炉4の出口近傍に空気9の吹き出し口が設けら
れている。排気管11の取り出し口はマッフル6内に取
り付けられ、排気管11によりマッフル6内の燃焼ガス
を焼成炉4外に排気する。フード12は焼成炉4の入口
に設けられ、フード12の上部には排気口が設けられて
いる。密閉カバー13はフード12内の搬送ローラ5の
下面に設けられ、クリーンルーム1より前室24に流入
した空気が搬送ローラ5の下面から漏れるのを防止して
いる。フード12と密閉カバー13とを組み合わせて一
体成形して焼成炉4の前室24を構成し、前室24には
搬送用の入口部31が形成されている。制御板14は前
室24の入口部31に設けられ、クリーンルーム1より
前室24に空気が流入する量を制御するものである。入
口コンベア15および出口コンベア20はそれぞれ前室
24の入口部31および焼成炉4の出口部32に設置さ
れている。差圧計16は、端部が常圧の部屋2にある第
1の測定ポート16aと、クリーンルーム1にある第2
の測定ポート16bとを備えている。コントローラ17
は差圧計16の出力に応じてインバータ18の周波数を
可変して排気ファン19の回転数を制御して空気の排出
量を制御する。なお、排気ファン19からの排気は、ク
リーンルーム1へのリターンダクト23に接続して、再
度クリーンルーム1に戻す機構にしている。
の入口部31から前室24と焼成炉4を接続する開口部
33を通って焼成炉4の出口部32へと移動する。焼成
基板21は、例えば980×554×2.8mm3のガ
ラス板の表面にペーストをコーティングしたものであ
る。支持板22は耐熱性の基板であり、サイズとして例
えば1300×850×5mm3である。
成炉の制御方法について説明する。まず支持板22上に
載置された焼成基板21は入口コンベア15から、搬送
ローラ5により前室24を通って焼成炉4内部に搬送さ
れる。焼成基板21はヒータ7により加熱されたマッフ
ル6内を通過していく。焼成炉4内は所定の温度分布に
なるように制御してある。マッフル6内へは空気供給配
管10から新鮮な空気9を供給している。燃焼したガス
は排気管11により焼成炉4外へ排気する。焼成炉4内
の空気9の供給と燃焼ガスの排気はほぼバランスがとれ
るよう調整している。
焼成炉の入口部31が、常圧の部屋2と差圧の大きいク
リーンルーム1に配置された場合はクリーンルーム1の
空気が焼成炉4内に流入してくる。焼成炉4内への、ク
リーンルーム1の空気の流入量は、焼成炉4の入口部の
開口面積に差圧で決まる風速の積に相当する量になる。
このため、本発明の第1の実施の形態では、焼成炉4の
前に前室24を設け、さらに前室の入口部に制御板14
を設け、制御板14の位置を制御して開口面積を小さく
している。開口部33の一例として開口部幅1500m
m、開口高さ20mmとすると、開口面積は0.03m
2となる。10Paの差圧では風速は4m/secで、
0.12m3/secの風量が入口から焼成炉4内へ流
入することになる。
気ファン19を回転させ、クリーンルーム1の空気の流
入量と同程度の量を排気することにより、焼成炉4内へ
の、クリーンルーム1からの空気の流入をなくしてい
る。その結果、焼成炉4内への、室温程度であるクリー
ンルーム1の空気の流入がないため、焼成炉4は安定し
た温度分布を保つことが可能になる。クリーンルーム1
と常圧の部屋2との差圧は常に一定に保つよう運転して
いるものの、5〜10Paの差圧の変動があるため、差
圧計16により差圧を検出して、コントローラ17によ
りインバータ18の周波数を可変させて排気ファン19
の回転数を変化させ排気量を制御する。これにより、ク
リーンルーム1と常圧の部屋2との差圧の変動に対して
変動流入してくる流入量と同じ量を排気することができ
るため、クリーンルーム1から焼成炉4に入ってくる空
気の流入を防止することができ、焼成炉4内の温度分布
を、常に安定に保つことができる。
は排気ファン19からの排気はクリーンルーム1へのリ
ターンダクト23に接続して、再度クリーンルーム1に
戻す機構を用いたが、リターンダクト23の代わりに常
圧の部屋2へ通じるダクトを設け、排気ファン19から
の排気を常圧の部屋2へ流す機構を用いても同様の効果
が得られる。
は、フード12と密閉カバー13とで一体成形して焼成
炉4の前室24を構成し、フード12の上部に排気口を
設ける構造を用いたが、マッフル6の体積が大きい場合
は、この排気口をマッフル6の、焼成炉4の入口に近い
場所に直接設け、さらに空気排出手段(インバータ18
と排気ファン19およびリターンダクト23)と排出制
御手段(差圧計16とコントローラ17)を設けてフー
ド12と密閉カバー13を取り除き、前室24のない焼
成炉を形成してもよい。
に示した断面図を用いて説明する。図3において、焼成
炉4はクリーンルーム1と常圧の部屋2との間にまたが
って配置されている。クリーンルーム1と常圧の部屋2
とは壁3によって隔てられている。クリーンルーム1は
常圧の部屋2に対して5〜10Paの高圧になるように
気圧を制御している。焼成炉4は、搬送ローラ5、マッ
フル6、ヒータ7、カバー8、空気供給配管10、排気
管11、前室241を形成する入口カバー25、前室2
41の入口部31に配置されたシャッタ26、シャッタ
26を開閉するシリンダ30、入口コンベア15、搬送
ローラ5を駆動させる第1のモータ27と第2のモータ
28および第3のモータ29、出口コンベア20および
支持板22により構成されている。マッフル6は筒状に
なっており、焼成炉4の入口すなわち開口部33から出
口部32まで達している。ヒータ7はマッフル6の周囲
に配置されている。カバー8はマッフル6およびヒータ
7を覆っている。空気供給配管10は空気9をマッフル
6内に供給するものであり、空気供給配管10には焼成
炉4の入口近傍、マッフル6内および焼成炉4の出口近
傍に空気9の吹き出し口が設けられている。排気管11
の取り出し口はマッフル6内に取り付けられ、排気管1
1により焼成炉4内の燃焼ガスをマッフル6外に排気す
る。入口カバー25を設けた部分は焼成炉4の前室24
1である。第1のモータ27は入口コンベア15を駆動
するモータであり、第2のモータ28は前室241内の
搬送ローラ5を駆動するモータで高速駆動と低速駆動の
2速の切り換えが可能にしてある。高速駆動は低速駆動
に対して、約50倍程度の速度で駆動する。第3のモー
タ29はマッフル6内の搬送ローラ5を駆動するモータ
で低速駆動である。
成炉の制御方法について説明する。焼成基板21全体が
前室241に入っている場合はシャッタ26が閉じてい
る。前室241から焼成基板21が焼成炉4内に全て入
りきってしまうと、シャッタ26は開き、入口コンベア
15から焼成基板21を搬送ローラ5により高速駆動で
前室241に搬送する。前室241に搬送された焼成基
板21は搬送ローラ5の低速駆動により前室241を通
ってマッフル6内に搬送され焼成されていく。シャッタ
26が開いている時間は、差圧に応じた風速でクリーン
ルーム1の空気が前室241に進入するが、高速駆動で
焼成基板21を搬送するため、シャッタ26が開いてい
る時間は数秒である。また支持板22上に載置された焼
成基板21が前室241と焼成炉4の接続部の開口部3
3を通過する時は支持板22と焼成基板21との厚さの
和だけ開口高さが狭くなり、空気の流入量も減少する。
この構成ではシャッタ26の開いている時間が非常に短
いことと、さらに、前室241を設けているため、マッ
フル6内へのクリーンルーム1からの空気の流入を前室
241において緩衝させる効果もあり、焼成炉4内への
クリーンルーム1からの空気の流入を極めて少なくで
き、焼成炉4内の温度分布の変動を防止することができ
る。また、この構造では、第1の実施の形態で示した空
気排出手段を制御する排出制御手段などを設ける必要が
なく、焼成炉4全体の構造が簡単になり、焼成炉4の製
造コストを下げることができる。
図4に示した断面図を用いて説明する。
異なる点は、差圧計とコントローラの排出制御手段がな
く、インバータ18、排気ファン19およびリターンダ
クト23の空気排出手段がダクト34のみで形成されて
いることである。
を省略する。ダクト34は前室24に接続され、端部の
排出口は常圧の部屋2内に位置するように設置されるよ
うになっている。
成炉4とを接続する領域の間の部分の面積より大きくす
る。
入してきた空気をほとんどダクト34より排出すること
ができる。
が流入してくるが、わずかであるので焼成炉4内の温度
分布の変動には影響がない。
に比べ、構造がより簡単になる。なお、前室24内に入
口部31より前室24内に流入してきた空気をダクト3
4方向へ誘導させる複数の弁35を設けることもでき
る。これによりさらに前室24内に流入してきた空気を
ダクト34から排出することができる。
おいて、焼成基板21としてはプラズマディスプレイ用
の電極や、誘電体のペーストが塗布されたガラス基板を
示したが、単なるガラス基板、半導体基板、セラミック
あるいは金属等焼成するものなら何でもよい。
おいて、マッフル6の形状を断面が矩形の筒形とした
が、入口部と出口部が開放されていればどのような形状
でもよい。例えば、断面が円や楕円の形状を有する筒の
ようなものでもよい。
て、前室24、241の入口部をクリーンルーム1に、
焼成炉4の出口部32をクリーンルーム1より気圧の低
い常圧の部屋2に設置したが、前室の入口部31の気圧
が出口部32の気圧よりも高い場所であればどのような
場所に焼成炉4を設置してもよい。
1の空間に焼成炉の入口部を、第2の空間に焼成炉の出
口部を配置した焼成炉に対して、焼成炉に第1の空間と
第2の空間との間の差圧を検出する手段および焼成炉の
入口部に流入する空気を排出する手段を設け、第1の空
間と第2の空間との間の差圧に応じて第1の空間から流
入してくる量と同じ量を排出させて排出される空気の量
を制御することにより、第1の空間が加熱室内に空気を
流入させることを阻止することができ、焼成炉内の温度
分布を一定に保つことができ、それにより所定の焼成品
質の焼成物を得ることができる。
間に焼成炉の入口部を、第2の空間に焼成炉の出口部を
配置した焼成炉に対して、焼成炉の入口に空気の流入を
制御する開閉制御付きの前室を設け、前室の入口部から
の空気の流入を被加熱物を前室内に搬入する時にのみ制
御し、かつ前室内と焼成炉内との被加熱物の搬送速度の
選択制御を行うことにより搬入時間を短縮し、加熱室へ
の空気の流入を制御することができる。これにより、焼
成炉内の温度分布を一定に保ち、また、前室に流入して
きた空気を排出する空気排出管を設ける簡単な構造にす
ることにより、加熱室に流入する空気を少しに抑えるこ
とができ、焼成炉内の温度分布を一定に保つことができ
る。それにより所定の焼成品質の焼成物を得ることがで
きる。また、排気手段を設けた構造のものより簡単な構
造にすることができる。
断面図
断面図
断面図
Claims (7)
- 【請求項1】 加熱室と、前記加熱室内に設置された被
加熱物を搬送する搬送手段と、前記加熱室の近傍に配置
された加熱手段と、前記加熱室の入口近傍に接続された
空気排出手段と、前記加熱室外に設置された差圧検出手
段および前記差圧検出手段からの情報に基づいて前記空
気排出手段の動作を制御する排出制御手段とを備え、前
記加熱室の入口部が第1の空間に配置され、前記加熱室
の出口部が前記第1の空間より気圧の低い第2の空間に
配置されるとともに、前記差圧検出手段は前記第1の空
間の気圧と前記第2の空間の気圧との圧力差を検出する
手段であることを特徴とする焼成炉。 - 【請求項2】 入口部を有する前室と、前記前室と開口
部を介して接続され、出口部を有する加熱室と、前記前
室内と前記加熱室内に設置され、被加熱物を搬送する搬
送手段と、前記加熱室の近傍に配置された加熱手段と、
前記前室に接続された空気排出手段と、前記加熱室外に
設置された差圧検出手段および前記差圧検出手段からの
情報に基づいて前記空気排出手段の動作を制御する排出
制御手段とを備え、前記入口部は第1の空間に配置さ
れ、前記出口部は前記第1の空間より気圧の低い第2の
空間に配置されるとともに、前記差圧検出手段は前記第
1の空間の気圧と前記第2の空間の気圧との圧力差を検
出する手段であることを特徴とする焼成炉。 - 【請求項3】 入口部に開閉手段を有する前室と、前記
前室と開口部を介して接続され、出口部を有する加熱室
と、前記加熱室の近傍に配置された加熱手段とを備え、
前記入口部は第1の空間に配置され、前記出口部は前記
第1の空間より気圧の低い第2の空間に配置されるとと
もに、前記前室内に被加熱物を高速と低速とに切り替え
て搬送する第1の搬送手段が設置され、前記加熱室内に
低速にて前記被加熱物を搬送する第2の搬送手段が設置
されたことを特徴とする焼成炉。 - 【請求項4】 被加熱物を搬送する搬送手段と、入口部
を有する前室と、前記前室と開口部を介して接続され、
出口部を有する加熱室と、前記加熱室の近傍に配置され
た加熱手段とを備え、前記入口部は第1の空間に配置さ
れ、前記出口部は前記第1の空間より気圧の低い第2の
空間に配置されるとともに、排出口が前記第2の空間に
配置された空気排出管が前記前室に接続されていること
を特徴とする焼成炉。 - 【請求項5】 前記前室内に前記入口部より流入してき
た空気を前記空気排出管に流れやすくする排出援助手段
を設けたことを特徴とする請求項4記載の焼成炉。 - 【請求項6】 請求項1または2に記載の焼成炉を用い
て、前記差圧検出手段により検出される前記第1の空間
と前記第2の空間との間の気圧差を測定し、測定結果に
応じて前記空気排出手段により排出される空気の量を前
記排気制御手段により制御することを特徴とする焼成炉
の制御方法。 - 【請求項7】 請求項4に記載の焼成炉を用いて、前記
前室に前記被加熱物を搬入する以外は前記開閉手段を閉
じ、かつ前記第1の搬送手段により前記被加熱物を高速
で前記前室に搬入して前記焼成炉へ空気が流入するのを
制限することを特徴とする焼成炉の制御方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27683297A JP3783366B2 (ja) | 1997-10-09 | 1997-10-09 | 焼成炉 |
US09/166,169 US5993202A (en) | 1997-10-09 | 1998-10-05 | Baking furnace and control method therefor |
DE69839468T DE69839468D1 (de) | 1997-10-09 | 1998-10-08 | Brennofen und Kontrollverfahren dafür |
EP98119051A EP0908928B1 (en) | 1997-10-09 | 1998-10-08 | Baking furnace and control method therefor |
TW087116715A TW432262B (en) | 1997-10-09 | 1998-10-08 | An incinerator and method of controlling thereof |
KR1019980042199A KR100609296B1 (ko) | 1997-10-09 | 1998-10-09 | 소성노및그제어방법 |
KR1020050115395A KR100628343B1 (ko) | 1997-10-09 | 2005-11-30 | 소성로 |
KR1020050115400A KR100580295B1 (ko) | 1997-10-09 | 2005-11-30 | 소성로 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27683297A JP3783366B2 (ja) | 1997-10-09 | 1997-10-09 | 焼成炉 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005288121A Division JP4186974B2 (ja) | 2005-09-30 | 2005-09-30 | 焼成炉 |
JP2005288122A Division JP4186975B2 (ja) | 2005-09-30 | 2005-09-30 | 焼成炉 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11108559A true JPH11108559A (ja) | 1999-04-23 |
JP3783366B2 JP3783366B2 (ja) | 2006-06-07 |
Family
ID=17575032
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27683297A Expired - Fee Related JP3783366B2 (ja) | 1997-10-09 | 1997-10-09 | 焼成炉 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5993202A (ja) |
EP (1) | EP0908928B1 (ja) |
JP (1) | JP3783366B2 (ja) |
KR (3) | KR100609296B1 (ja) |
DE (1) | DE69839468D1 (ja) |
TW (1) | TW432262B (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002101780A1 (fr) * | 2001-05-30 | 2002-12-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede de fabrication d'affichages a decharge gazeuse, support de table et son procede de fabrication |
KR100468441B1 (ko) * | 2001-07-10 | 2005-01-27 | 파이오니아 플라즈마 디스플레이 가부시키가이샤 | 유전체막 형성 방법 |
JP2005513406A (ja) * | 2001-12-13 | 2005-05-12 | エニテクノロジー、ソシエタ、ペル、アチオニ | 光起電装置用ベーキングオーブン |
KR100592257B1 (ko) | 2003-11-27 | 2006-06-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널용 소성로 |
JP2011066318A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
KR101130780B1 (ko) * | 2004-12-22 | 2012-03-28 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 외기유입 방지기능을 가지는 연소로 |
JP2012124365A (ja) * | 2010-12-09 | 2012-06-28 | Tokyo Electron Ltd | 加熱処理装置、およびこれを備える塗布現像装置 |
JP2015503216A (ja) * | 2011-10-26 | 2015-01-29 | スミット オーブンズ ビー. ブイ. | 基板加熱装置 |
JP2019207961A (ja) * | 2018-05-30 | 2019-12-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
CN112284142A (zh) * | 2020-08-21 | 2021-01-29 | 中国测试技术研究院电子研究所 | 一种自适应调控低温窑炉排烟风机的系统和方法 |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE29921643U1 (de) * | 1999-12-09 | 2001-04-19 | Rehm Anlagenbau Gmbh & Co | Heizvorrichtung |
JP5849542B2 (ja) * | 2011-09-05 | 2016-01-27 | 株式会社Ihi | 連続加熱炉 |
JP6240371B2 (ja) | 2011-09-05 | 2017-11-29 | 株式会社Ihi | 加熱炉および連続加熱炉 |
US10538381B2 (en) | 2011-09-23 | 2020-01-21 | Sandbox Logistics, Llc | Systems and methods for bulk material storage and/or transport |
US9718610B2 (en) | 2012-07-23 | 2017-08-01 | Oren Technologies, Llc | Proppant discharge system having a container and the process for providing proppant to a well site |
US9809381B2 (en) | 2012-07-23 | 2017-11-07 | Oren Technologies, Llc | Apparatus for the transport and storage of proppant |
US8622251B2 (en) | 2011-12-21 | 2014-01-07 | John OREN | System of delivering and storing proppant for use at a well site and container for such proppant |
US10464741B2 (en) | 2012-07-23 | 2019-11-05 | Oren Technologies, Llc | Proppant discharge system and a container for use in such a proppant discharge system |
US9340353B2 (en) | 2012-09-27 | 2016-05-17 | Oren Technologies, Llc | Methods and systems to transfer proppant for fracking with reduced risk of production and release of silica dust at a well site |
US9421899B2 (en) | 2014-02-07 | 2016-08-23 | Oren Technologies, Llc | Trailer-mounted proppant delivery system |
US20190135535A9 (en) | 2012-07-23 | 2019-05-09 | Oren Technologies, Llc | Cradle for proppant container having tapered box guides |
CN102818451B (zh) * | 2012-09-10 | 2014-03-26 | 常德市科辉墙材有限责任公司 | 一种全自动隧道窑生产线及其控制方法 |
USD688349S1 (en) | 2012-11-02 | 2013-08-20 | John OREN | Proppant vessel base |
USD688351S1 (en) | 2012-11-02 | 2013-08-20 | John OREN | Proppant vessel |
USD688350S1 (en) | 2012-11-02 | 2013-08-20 | John OREN | Proppant vessel |
US9446801B1 (en) | 2013-04-01 | 2016-09-20 | Oren Technologies, Llc | Trailer assembly for transport of containers of proppant material |
USD688597S1 (en) | 2013-04-05 | 2013-08-27 | Joshua Oren | Trailer for proppant containers |
USD694670S1 (en) | 2013-05-17 | 2013-12-03 | Joshua Oren | Trailer for proppant containers |
CN104251605A (zh) * | 2013-06-26 | 2014-12-31 | 董昊南 | 耐火砖干燥窑 |
KR101579128B1 (ko) * | 2014-06-25 | 2015-12-21 | (주)에이큐에스 | 흡기압 관리 장치 |
US11873160B1 (en) | 2014-07-24 | 2024-01-16 | Sandbox Enterprises, Llc | Systems and methods for remotely controlling proppant discharge system |
US9676554B2 (en) | 2014-09-15 | 2017-06-13 | Oren Technologies, Llc | System and method for delivering proppant to a blender |
CN108430901A (zh) | 2016-01-06 | 2018-08-21 | 奥伦技术有限责任公司 | 具有集成的集尘器系统的传送带 |
US10518828B2 (en) | 2016-06-03 | 2019-12-31 | Oren Technologies, Llc | Trailer assembly for transport of containers of proppant material |
CN106052382B (zh) * | 2016-06-20 | 2018-08-21 | 北京机电研究所有限公司 | 铝合金控制臂高精度加热炉 |
KR102112856B1 (ko) | 2019-11-05 | 2020-05-19 | 주식회사 성조파인세라믹 | 품질 안정성이 확보된 의료기기용 바이오 세라믹스 소결장치 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2254769C3 (de) * | 1972-11-09 | 1985-06-05 | Vereinigte Aluminium-Werke AG, 1000 Berlin und 5300 Bonn | Durchlaufofen zum flußmittellosen Löten von Aluminiumwerkstoffen unter Schutzgas |
US4397451A (en) * | 1981-06-10 | 1983-08-09 | Chugai Ro Kogyo Co., Ltd. | Furnace for the heat treatment of scale-covered steel |
JPS6127485A (ja) * | 1984-07-17 | 1986-02-06 | 中外炉工業株式会社 | 連続式雰囲気熱処理炉 |
JPH0714353Y2 (ja) * | 1988-07-08 | 1995-04-05 | 中外炉工業株式会社 | ローラハース型熱処理炉 |
JPH03125897A (ja) * | 1989-10-12 | 1991-05-29 | R I Denshi Kogyo:Kk | 酸素濃度極低下雰囲気炉 |
JPH03255807A (ja) * | 1990-03-02 | 1991-11-14 | Inax Corp | 焼成物の表面還元処理用バーナ |
US5172849A (en) * | 1991-09-25 | 1992-12-22 | General Motors Corporation | Method and apparatus for convection brazing of aluminum heat exchangers |
US5449883A (en) * | 1992-08-07 | 1995-09-12 | Mitsubishi Materials Corporation | Continuous heat treatment system of semiconductor wafers for eliminating thermal donor |
US5266027A (en) * | 1992-08-12 | 1993-11-30 | Ngk Insulators, Ltd. | Roller-hearth continuous furnace |
KR0170050B1 (ko) * | 1995-07-26 | 1999-02-18 | 다쯔 지사끼 | 수직형 소성로 |
-
1997
- 1997-10-09 JP JP27683297A patent/JP3783366B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-10-05 US US09/166,169 patent/US5993202A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-08 EP EP98119051A patent/EP0908928B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-08 TW TW087116715A patent/TW432262B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-10-08 DE DE69839468T patent/DE69839468D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-09 KR KR1019980042199A patent/KR100609296B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-11-30 KR KR1020050115400A patent/KR100580295B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-11-30 KR KR1020050115395A patent/KR100628343B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7063584B2 (en) | 2001-05-30 | 2006-06-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing gas discharge display panel, support table, and method of manufacturing support table |
WO2002101780A1 (fr) * | 2001-05-30 | 2002-12-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede de fabrication d'affichages a decharge gazeuse, support de table et son procede de fabrication |
KR100468441B1 (ko) * | 2001-07-10 | 2005-01-27 | 파이오니아 플라즈마 디스플레이 가부시키가이샤 | 유전체막 형성 방법 |
US6852646B2 (en) | 2001-07-10 | 2005-02-08 | Nec Corporation | Method for forming a dielectric film |
JP2005513406A (ja) * | 2001-12-13 | 2005-05-12 | エニテクノロジー、ソシエタ、ペル、アチオニ | 光起電装置用ベーキングオーブン |
KR100592257B1 (ko) | 2003-11-27 | 2006-06-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널용 소성로 |
KR101130780B1 (ko) * | 2004-12-22 | 2012-03-28 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 외기유입 방지기능을 가지는 연소로 |
JP2011066318A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
JP2012124365A (ja) * | 2010-12-09 | 2012-06-28 | Tokyo Electron Ltd | 加熱処理装置、およびこれを備える塗布現像装置 |
JP2015503216A (ja) * | 2011-10-26 | 2015-01-29 | スミット オーブンズ ビー. ブイ. | 基板加熱装置 |
JP2019207961A (ja) * | 2018-05-30 | 2019-12-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
TWI791113B (zh) * | 2018-05-30 | 2023-02-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
CN112284142A (zh) * | 2020-08-21 | 2021-01-29 | 中国测试技术研究院电子研究所 | 一种自适应调控低温窑炉排烟风机的系统和方法 |
CN112284142B (zh) * | 2020-08-21 | 2021-07-27 | 中国测试技术研究院电子研究所 | 一种自适应调控低温窑炉排烟风机的系统和方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW432262B (en) | 2001-05-01 |
DE69839468D1 (de) | 2008-06-26 |
KR20050119095A (ko) | 2005-12-20 |
EP0908928B1 (en) | 2008-05-14 |
JP3783366B2 (ja) | 2006-06-07 |
KR20060006875A (ko) | 2006-01-20 |
US5993202A (en) | 1999-11-30 |
KR19990036976A (ko) | 1999-05-25 |
EP0908928A3 (en) | 2004-01-21 |
EP0908928A2 (en) | 1999-04-14 |
KR100580295B1 (ko) | 2006-05-16 |
KR100628343B1 (ko) | 2006-09-27 |
KR100609296B1 (ko) | 2006-12-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH11108559A (ja) | 焼成炉およびその制御方法 | |
KR100458634B1 (ko) | 가스 유동 제어 시스템을 갖춘 웨이퍼 처리 반응기 및 방법 | |
US5266027A (en) | Roller-hearth continuous furnace | |
KR100816350B1 (ko) | 열처리 장치 | |
JP2000055564A (ja) | ロ―ラ―ハ―スキルン | |
JP5446653B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP4186975B2 (ja) | 焼成炉 | |
JP4186974B2 (ja) | 焼成炉 | |
JP2023167786A (ja) | 連続焼付装置 | |
JP3218719B2 (ja) | 連続焼成炉 | |
US6715662B2 (en) | Waste energy recovery system for a controlled atmosphere system | |
KR102159270B1 (ko) | 오염 방지 기능이 향상된 efem | |
JP3321947B2 (ja) | トンネル式連続焼成炉 | |
JPH06323738A (ja) | ローラーハースキルン | |
JP2017036852A (ja) | 処理品検知用センサーの設置方法 | |
JP2000015432A (ja) | チャンバ内雰囲気の封止方法およびその装置 | |
JPH083652A (ja) | 直火炉予熱炉入口シール方法およびその装置 | |
JPS6012551B2 (ja) | トンネル炉の炉圧制御方法 | |
JP7405462B1 (ja) | 電気式連続型焼付炉 | |
JPH04270884A (ja) | ローラーハース連続炉 | |
JPH07286725A (ja) | 焼成炉の炉圧制御装置 | |
JPH0418706Y2 (ja) | ||
JP2992671B2 (ja) | ベ−キング炉 | |
JP2007040621A (ja) | 熱処理装置 | |
JPH0261490A (ja) | 熱風循環式トンネル炉 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041027 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050624 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050802 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050930 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060221 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060306 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100324 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110324 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110324 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |