JPH0547650A - 回転塗布装置 - Google Patents
回転塗布装置Info
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- JPH0547650A JPH0547650A JP23227191A JP23227191A JPH0547650A JP H0547650 A JPH0547650 A JP H0547650A JP 23227191 A JP23227191 A JP 23227191A JP 23227191 A JP23227191 A JP 23227191A JP H0547650 A JPH0547650 A JP H0547650A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 試料表面の塗布ムラがなく、パーティクルの
付着の無い塗布膜を形成することが可能な回転塗布装置
を提供することを目的とする。 【構成】 レジスト等を回転塗布する装置おいて、容器
内にガス源からガスを供給する配管等からなるガス供給
手段１０９と、容器内に導入されるガスに紫外線を照射
するための紫外線手段１０７を設けたことを特徴とす
る。
付着の無い塗布膜を形成することが可能な回転塗布装置
を提供することを目的とする。 【構成】 レジスト等を回転塗布する装置おいて、容器
内にガス源からガスを供給する配管等からなるガス供給
手段１０９と、容器内に導入されるガスに紫外線を照射
するための紫外線手段１０７を設けたことを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の技術分野】本発明は、回転塗布装置に係わ
り、特に超高密度集積化プロセスに適した回転塗布装置
に関する。
り、特に超高密度集積化プロセスに適した回転塗布装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば半導体製造プロセスでは、
Ｓｉウェハ上に液状材料を回転塗布し、その後、溶剤を
加熱により取り除くことにより、様々な材料をウェハ表
面に均一に塗布する技術が広く用いられている。例え
ば、リソグラフィー工程で用いるフォトレジストがその
代表的な例である。また、ＳｉＯ2膜、ＰＳＧ膜、Ａｓ
ＳＧ膜等もこれらの材料を無機または有機溶剤に溶かし
た材料をウェハ上に回転塗布することによりウェハ表面
に堆積させている。このプロセスでは、ＳｉＯ2等の薄
膜が低温で形成できるため、多層配線の層間絶縁膜や、
多層レジストプロセスにおけるエッチングマスクとして
も用いられている。
Ｓｉウェハ上に液状材料を回転塗布し、その後、溶剤を
加熱により取り除くことにより、様々な材料をウェハ表
面に均一に塗布する技術が広く用いられている。例え
ば、リソグラフィー工程で用いるフォトレジストがその
代表的な例である。また、ＳｉＯ2膜、ＰＳＧ膜、Ａｓ
ＳＧ膜等もこれらの材料を無機または有機溶剤に溶かし
た材料をウェハ上に回転塗布することによりウェハ表面
に堆積させている。このプロセスでは、ＳｉＯ2等の薄
膜が低温で形成できるため、多層配線の層間絶縁膜や、
多層レジストプロセスにおけるエッチングマスクとして
も用いられている。
【０００３】次に、図３、図４を用いて従来例の問題点
についてレジストの塗布工程を例に詳しく説明する。図
３は従来の回転塗布装置の構成図である。従来のレジス
ト塗布装置は、例えばＳｉウェハ等の試料３０１を保持
する、例えば真空吸着式のウェハホルダ３０２と、レジ
ストを滴下する機能を持つノズル（液状塗布材料を供給
する手段）３０３と、それらを内部に有する容器３０４
から構成される。ここでウェハホルダ３０２は、回転の
機能を同時に兼ね備えている。
についてレジストの塗布工程を例に詳しく説明する。図
３は従来の回転塗布装置の構成図である。従来のレジス
ト塗布装置は、例えばＳｉウェハ等の試料３０１を保持
する、例えば真空吸着式のウェハホルダ３０２と、レジ
ストを滴下する機能を持つノズル（液状塗布材料を供給
する手段）３０３と、それらを内部に有する容器３０４
から構成される。ここでウェハホルダ３０２は、回転の
機能を同時に兼ね備えている。
【０００４】図４は、レジスト塗布工程の流れを示して
いる。ノズル（液状塗布材料を供給する手段）４０３か
らウェハ表面にレジストが滴下され（ａ）、ウェハホル
ダ４０２が回転し、レジスト４０４が遠心力により広が
り（ｂ）、さらにレジスト中の溶剤が蒸発し、均一なレ
ジスト膜が形成される（ｃ）。この時、ウェハホルダ４
０２の回転数またはレジストの粘度等により、形成され
るレジストの膜厚が決まる。例えば、２５ｃｐの粘度を
もつレジストをＳｉウェハ上に滴下し４０秒間４０００
ｒｐｍの回転を与えると、レジストの膜厚は、１．２５
μｍとなる。また、従来のレジスト回転塗布の技術は、
レジスト膜厚の均一性の要求から、レジスト温度、装置
内の環境温度・湿度を制御することが行われている。装
置湿度は、通常、クリーンルームの湿度と同程度の４０
〜５０％になっている。
いる。ノズル（液状塗布材料を供給する手段）４０３か
らウェハ表面にレジストが滴下され（ａ）、ウェハホル
ダ４０２が回転し、レジスト４０４が遠心力により広が
り（ｂ）、さらにレジスト中の溶剤が蒸発し、均一なレ
ジスト膜が形成される（ｃ）。この時、ウェハホルダ４
０２の回転数またはレジストの粘度等により、形成され
るレジストの膜厚が決まる。例えば、２５ｃｐの粘度を
もつレジストをＳｉウェハ上に滴下し４０秒間４０００
ｒｐｍの回転を与えると、レジストの膜厚は、１．２５
μｍとなる。また、従来のレジスト回転塗布の技術は、
レジスト膜厚の均一性の要求から、レジスト温度、装置
内の環境温度・湿度を制御することが行われている。装
置湿度は、通常、クリーンルームの湿度と同程度の４０
〜５０％になっている。
【０００５】しかし、従来の装置においては、パーティ
クルの付着がウェハ上、レジスト中、レジスト上に起こ
っている。また特に酸化膜等の絶縁物材料上にレジスト
を回転塗布すると、レジストが局部的に塗布されない塗
布ムラが発生する現象が生じてくる。また、レジスト膜
に限らず、ＳｉＯ2膜、ＰＳＧ膜、ＡｓＳＧ膜等の回転
塗布の場合も同様である。
クルの付着がウェハ上、レジスト中、レジスト上に起こ
っている。また特に酸化膜等の絶縁物材料上にレジスト
を回転塗布すると、レジストが局部的に塗布されない塗
布ムラが発生する現象が生じてくる。また、レジスト膜
に限らず、ＳｉＯ2膜、ＰＳＧ膜、ＡｓＳＧ膜等の回転
塗布の場合も同様である。
【０００６】そこで本発明者は、何故にレジスト膜等に
塗布ムラが発生するのかを探求した。その結果、数千ｒ
ｐｍという高速回転によりウェハとレジストまたは容器
内のガスが摩擦することにより、ウェハが局部的に帯電
し、ウェハの帯電した部分とレジストの間に斥力が生じ
るために塗布ムラが発生するのではないかとの知見を得
た。
塗布ムラが発生するのかを探求した。その結果、数千ｒ
ｐｍという高速回転によりウェハとレジストまたは容器
内のガスが摩擦することにより、ウェハが局部的に帯電
し、ウェハの帯電した部分とレジストの間に斥力が生じ
るために塗布ムラが発生するのではないかとの知見を得
た。
【０００７】従来、塗布ムラの原因は解明されておら
ず、従って、従来、レジスト膜等の回転塗布時に帯電を
防止する方法は全くとられていない。
ず、従って、従来、レジスト膜等の回転塗布時に帯電を
防止する方法は全くとられていない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は以上の点に鑑
みなされたものであり、試料表面の塗布ムラがなく、パ
ーティクルの付着の無い塗布膜を形成することが可能な
回転塗布装置を提供することを目的としている。
みなされたものであり、試料表面の塗布ムラがなく、パ
ーティクルの付着の無い塗布膜を形成することが可能な
回転塗布装置を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の回転塗布装置
は、容器と、前記容器内で試料を保持し回転する機構
と、前記試料表面に液状塗布材料を供給する手段を有す
る回転塗布装置において、前記容器内にガス源からガス
を供給するガス供給手段と、前記容器内に導入されるガ
スに紫外線を照射するための紫外線照射手段を設けたこ
とを特徴とする。
は、容器と、前記容器内で試料を保持し回転する機構
と、前記試料表面に液状塗布材料を供給する手段を有す
る回転塗布装置において、前記容器内にガス源からガス
を供給するガス供給手段と、前記容器内に導入されるガ
スに紫外線を照射するための紫外線照射手段を設けたこ
とを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明の回転塗布装置においては、容器内にガ
ス源からガスを供給するガス供給手段と、前記容器内に
導入されるガスに紫外線を照射するための紫外線照射手
段を設けている。
ス源からガスを供給するガス供給手段と、前記容器内に
導入されるガスに紫外線を照射するための紫外線照射手
段を設けている。
【００１１】従って、ガス供給手段によりガスを容器内
に流し、このガスに紫外線照射手段により紫外線を照射
すると、紫外線が照射されたガス分子は紫外線の光量子
からエネルギーを得て励起状態へ遷移し、ガスの一部が
正イオンと電子に電離する。この電離状態のガスが容器
内に導入される。電離状態のガスは正イオンと電子を含
んでいるため、かかるガスが容器内に導入されると、試
料に接触し、帯電した試料を中和し、試料からの除電が
行われる。回転塗布時に試料が除電されると、試料と塗
布材料には電気的な力の作用は生じず、塗布ムラがなく
なり、また、パーティクルの付着の無い塗布膜が形成さ
れる。なお、膜が層間絶縁膜として用いられる場合に
は、以上の方法により除電され、特性の優れたデバイス
の作成を可能となる。
に流し、このガスに紫外線照射手段により紫外線を照射
すると、紫外線が照射されたガス分子は紫外線の光量子
からエネルギーを得て励起状態へ遷移し、ガスの一部が
正イオンと電子に電離する。この電離状態のガスが容器
内に導入される。電離状態のガスは正イオンと電子を含
んでいるため、かかるガスが容器内に導入されると、試
料に接触し、帯電した試料を中和し、試料からの除電が
行われる。回転塗布時に試料が除電されると、試料と塗
布材料には電気的な力の作用は生じず、塗布ムラがなく
なり、また、パーティクルの付着の無い塗布膜が形成さ
れる。なお、膜が層間絶縁膜として用いられる場合に
は、以上の方法により除電され、特性の優れたデバイス
の作成を可能となる。
【００１２】なお、ガスへの紫外線の照射は、容器外で
行えるようにすることが好ましい。電離させるガスの原
料としては、窒素ガス、アルゴンガスもしくは窒素・ア
ルゴン混合ガスが好適に用いられる。
行えるようにすることが好ましい。電離させるガスの原
料としては、窒素ガス、アルゴンガスもしくは窒素・ア
ルゴン混合ガスが好適に用いられる。
【００１３】なお、前記窒素ガス、アルゴンガスもしく
は窒素・アルゴン混合ガスの中に酸素ガス及び水蒸気が
混在している場合、紫外線照射によって酸素ガスはオゾ
ンに変換される。このオゾンは、水蒸気の存在下でレジ
スト膜あるいは他の膜と反応する等の好ましくない作用
を有する。従って、酸素及び水蒸気の混入濃度をそれぞ
れ１０ｐｐｍ以下及び１ｐｐｍ以下とすることが好まし
く、１０ｐｐｂ以下及び１ｐｐｂ以下とすることがより
好ましい。
は窒素・アルゴン混合ガスの中に酸素ガス及び水蒸気が
混在している場合、紫外線照射によって酸素ガスはオゾ
ンに変換される。このオゾンは、水蒸気の存在下でレジ
スト膜あるいは他の膜と反応する等の好ましくない作用
を有する。従って、酸素及び水蒸気の混入濃度をそれぞ
れ１０ｐｐｍ以下及び１ｐｐｍ以下とすることが好まし
く、１０ｐｐｂ以下及び１ｐｐｂ以下とすることがより
好ましい。
【００１４】ガス供給手段を配管部材により構成する場
合、その内面には絶縁物層を形成することが好ましい。
絶縁物層を形成した場合、電離したガス中のイオンある
いは電子が表面にぶつかっても、表面に悪影響を与えな
い。また、イオンあるいは電子の吸収も生じないため、
効率良くイオンあるいは電子を容器内に送ることができ
る。かかる絶縁物層としては、例えば、酸化不動態膜、
フッ化不動態膜等荷より構成すればよい。また、絶縁物
層は、配管部材の全表面に形成してもよいが、経済的か
らは全面ではなく電離ガスと接触する部分、すなわち、
透明窓より下流側にのみ形成すればよい。
合、その内面には絶縁物層を形成することが好ましい。
絶縁物層を形成した場合、電離したガス中のイオンある
いは電子が表面にぶつかっても、表面に悪影響を与えな
い。また、イオンあるいは電子の吸収も生じないため、
効率良くイオンあるいは電子を容器内に送ることができ
る。かかる絶縁物層としては、例えば、酸化不動態膜、
フッ化不動態膜等荷より構成すればよい。また、絶縁物
層は、配管部材の全表面に形成してもよいが、経済的か
らは全面ではなく電離ガスと接触する部分、すなわち、
透明窓より下流側にのみ形成すればよい。
【００１５】
（実施例１）本発明の第１の実施例を、図１を参照して
説明する。
説明する。
【００１６】本例の装置は、例えばＳＵＳ材を用いた容
器１０１により外部と遮断され、真空ポンプ１０２によ
り排気ダンパ１０３を介して容器１０１内のガスを排気
する系を持つ。また１０４は塗布膜を形成するための試
料であり、例えばＳｉウェハである。このウエハ１０４
は、ウェハホルダ１０５により例えば真空吸着により保
持される。レジストはノズル１０６によりウエハ１０４
上に所定量滴下される。
器１０１により外部と遮断され、真空ポンプ１０２によ
り排気ダンパ１０３を介して容器１０１内のガスを排気
する系を持つ。また１０４は塗布膜を形成するための試
料であり、例えばＳｉウェハである。このウエハ１０４
は、ウェハホルダ１０５により例えば真空吸着により保
持される。レジストはノズル１０６によりウエハ１０４
上に所定量滴下される。
【００１７】本例の装置の特徴は、ガス（例えば、Ｎ2
ガス）を容器１０１内に供給するためのガス供給手段た
る配管部材１０９を有し、さらに、紫外線源（本例で
は、重水素ランプ）１０７から紫外線をＮ2ガスに照射
するように構成された紫外線紫外線照射手段を有してい
る点である。
ガス）を容器１０１内に供給するためのガス供給手段た
る配管部材１０９を有し、さらに、紫外線源（本例で
は、重水素ランプ）１０７から紫外線をＮ2ガスに照射
するように構成された紫外線紫外線照射手段を有してい
る点である。
【００１８】紫外線は、照射部において合成石英窓（透
明窓）１０８を通してＮ2ガスに照射される。
明窓）１０８を通してＮ2ガスに照射される。
【００１９】本例の配管部材１０９には、内壁に例えば
約１０ｎｍの酸化不動態膜が形成されている。紫外線が
照射されたガスは、配管部材１０９を通り、ウエハ１０
４表面に効果的に触れることが可能となっている。な
お、本例では、この時、紫外線がレジストに照射するの
を防ぐために、重水素ランプ１０７、合成石英窓１０
８、更に１部Ｎ2ガス配管を例えばＳＵＳ製の容器１１
０により隔離することで、紫外線を遮光している。
約１０ｎｍの酸化不動態膜が形成されている。紫外線が
照射されたガスは、配管部材１０９を通り、ウエハ１０
４表面に効果的に触れることが可能となっている。な
お、本例では、この時、紫外線がレジストに照射するの
を防ぐために、重水素ランプ１０７、合成石英窓１０
８、更に１部Ｎ2ガス配管を例えばＳＵＳ製の容器１１
０により隔離することで、紫外線を遮光している。
【００２０】また、本例では、容器１０１の下部に真空
排気手段が設けらている。本例では、真空排気手段は真
空ポンプ１０２と排気ダンパ１０３により構成されてい
る。従って、容器１０１内は真空ポンプ１０２により排
気ダンパ１０３を介して任意に排気速度を制御でき、更
に、紫外線の照射されたＮ2ガスを容器内に投入するこ
とから、レジスト塗布環境の温度と湿度調整が容易であ
る。
排気手段が設けらている。本例では、真空排気手段は真
空ポンプ１０２と排気ダンパ１０３により構成されてい
る。従って、容器１０１内は真空ポンプ１０２により排
気ダンパ１０３を介して任意に排気速度を制御でき、更
に、紫外線の照射されたＮ2ガスを容器内に投入するこ
とから、レジスト塗布環境の温度と湿度調整が容易であ
る。
【００２１】このように、レジスト塗布時の雰囲気を紫
外線を照射したＮ2ガスで満たすことにより、レジスト
の回転塗布中のウェハの帯電が中和され、パーティクル
の付着、レジストの塗布ムラが激減し、レジスト膜の均
一性も向上した。また、表面凹凸のある試料に対して
は、本発明装置を用いるとレジスト塗布後の表面は非常
に平坦になることが確認された。
外線を照射したＮ2ガスで満たすことにより、レジスト
の回転塗布中のウェハの帯電が中和され、パーティクル
の付着、レジストの塗布ムラが激減し、レジスト膜の均
一性も向上した。また、表面凹凸のある試料に対して
は、本発明装置を用いるとレジスト塗布後の表面は非常
に平坦になることが確認された。
【００２２】なお、レジストが紫外線とふれることを防
ぐために、本装置ではＳＵＳ材の容器１０１と容器１１
０を用いたが、紫外線を遮断する材質であれば特に差し
支えない。また紫外線照射部に設けられた合成石英窓１
０８は例えば波長３６０ｎｍ以下の紫外線をよく透過さ
せるために作られており、この材質は紫外線をよく透過
させるようなものであれば他のものでも構わない。
ぐために、本装置ではＳＵＳ材の容器１０１と容器１１
０を用いたが、紫外線を遮断する材質であれば特に差し
支えない。また紫外線照射部に設けられた合成石英窓１
０８は例えば波長３６０ｎｍ以下の紫外線をよく透過さ
せるために作られており、この材質は紫外線をよく透過
させるようなものであれば他のものでも構わない。
【００２３】また塗布材料として、本実施例では、レジ
ストを用いたが、ＳｉＯ2膜、ＰＳＧ膜、ＡｓＰＧ膜等
を無機または有機溶剤により液体状の塗布材料としたも
のでも、帯電の無い均一の膜が形成できた。
ストを用いたが、ＳｉＯ2膜、ＰＳＧ膜、ＡｓＰＧ膜等
を無機または有機溶剤により液体状の塗布材料としたも
のでも、帯電の無い均一の膜が形成できた。
【００２４】本発明装置により例えば、ＳｉＯ2膜を形
成し、多層配線の層間絶縁膜として用いると、帯電によ
るデバイス特性の劣化が起こらないことが確認された。
また、電離したＮ2 +やｅ-を試料に触れるまで電離した
状態に保つために、紫外線照射部と、ウェハ１０４近傍
までの配管１０９は、少なくともその内面が絶縁体であ
ることが必要であり、本例では、ステンレススチールの
酸化不動態膜が内壁についた配管を用いたが、他にフッ
化不動態やテフロンなどの絶縁物を用いてもよい。ま
た、紫外線を照射するガスとしてＮ2を用いているが、
この代わりにＡｒガスやＮ2とＡｒの混合ガスを使用し
てもよい。あるいは、ＸｅやＫｒ等の不活性ガスを用い
ても同様の効果が得られていることがわかっている。
成し、多層配線の層間絶縁膜として用いると、帯電によ
るデバイス特性の劣化が起こらないことが確認された。
また、電離したＮ2 +やｅ-を試料に触れるまで電離した
状態に保つために、紫外線照射部と、ウェハ１０４近傍
までの配管１０９は、少なくともその内面が絶縁体であ
ることが必要であり、本例では、ステンレススチールの
酸化不動態膜が内壁についた配管を用いたが、他にフッ
化不動態やテフロンなどの絶縁物を用いてもよい。ま
た、紫外線を照射するガスとしてＮ2を用いているが、
この代わりにＡｒガスやＮ2とＡｒの混合ガスを使用し
てもよい。あるいは、ＸｅやＫｒ等の不活性ガスを用い
ても同様の効果が得られていることがわかっている。
【００２５】（実施例２）本発明の第２の実施例を図２
を用いて説明する。
を用いて説明する。
【００２６】本例では、配管部材１０９のほかに他のガ
ス供給手段として管１１１を設けてある。
ス供給手段として管１１１を設けてある。
【００２７】他の点は、実施例１と同様である。
【００２８】本例では、管１１１を介して電離したガス
以外のガスを容器１０１内に導入することができ、その
ため、レジスト塗布環境の温度と湿度の調整を実施例１
の場合よりもより精度よく行うことができ、塗布膜の均
一性をより一層向上させることができる。また、容器１
０１内のガス圧の制御がより一層容易に行うことができ
る。
以外のガスを容器１０１内に導入することができ、その
ため、レジスト塗布環境の温度と湿度の調整を実施例１
の場合よりもより精度よく行うことができ、塗布膜の均
一性をより一層向上させることができる。また、容器１
０１内のガス圧の制御がより一層容易に行うことができ
る。
【００２９】本装置により、実施例１と同様に、レジス
ト塗布時の雰囲気を紫外線を照射したＮ2ガスで満たす
ことにより、レジストの回転塗布中のウェハの帯電が中
和され、パーティクルの付着、レジストの塗布ムラが無
くなった。また、レジスト膜の均一性は実施例１の場合
よりも向上した。表面凹凸のある試料に対しては、本発
明装置を用いるとレジスト塗布後の表面は非常に平坦に
なることが確認された。
ト塗布時の雰囲気を紫外線を照射したＮ2ガスで満たす
ことにより、レジストの回転塗布中のウェハの帯電が中
和され、パーティクルの付着、レジストの塗布ムラが無
くなった。また、レジスト膜の均一性は実施例１の場合
よりも向上した。表面凹凸のある試料に対しては、本発
明装置を用いるとレジスト塗布後の表面は非常に平坦に
なることが確認された。
【００３０】
【発明の効果】本発明は以上のように構成したので、そ
の結果超高密度集積化プロセス中において、試料の帯電
を防止することが可能となり、超高密度、超高速度ＬＳ
Ｉの実現が可能となる。
の結果超高密度集積化プロセス中において、試料の帯電
を防止することが可能となり、超高密度、超高速度ＬＳ
Ｉの実現が可能となる。
【図１】実施例１に係る回転塗布装置の構成図である。
【図２】実施例２に係る回転塗布装置の構成図である。
【図３】従来の回転塗布装置の構成図である。
【図４】回転塗布工程をしめすための工程図である。
１０１ 容器、 １０２ 真空ポンプ、 １０３ 排気ダンパ、 １０４ Ｓｉウェハ（試料）、 １０５ ウェハホルダ、 １０６ ノズル（液状塗布材料を供給する手段）、 １０７ 重水素ランプ、 １０８ 合成石英窓（透明窓）、 １０９ 配管部材（ガス供給手段）、 １１０ 容器、 １１１ 管（他のガス供給手段）。 ３０１ Ｓｉウェハ（試料）、 ３０２ ウェハホルダ、 ３０３ ノズル（液状塗布材料を供給する手段）、 ３０４ 容器、 ４０２ ウェハホルダ、 ４０３ ノズル（（液状塗布材料を供給する手段）、 ４０４ レジスト。
Claims (4)
- 【請求項１】 容器と、前記容器内で試料を保持し回転
する機構と、前記試料表面に液状塗布材料を供給する手
段を有する回転塗布装置において、前記容器内にガス源
からガスを供給するガス供給手段と、前記容器内に導入
されるガスに紫外線を照射するための紫外線照射手段を
設けたことを特徴とする回転塗布装置。 - 【請求項２】 透明窓を少なくとも一部に有し、かつ、
少なくとも前記透明窓部より下流側の少なくとも内表面
が絶縁物から成る配管部材により前記ガス供給手段が構
成され、該透明窓を介して紫外線を前記配管部材内のガ
スに照射し得るように前記紫外線照射手段を配置したこ
とを特徴とする請求項１記載の回転塗布装置。 - 【請求項３】 前記ガス供給手段以外に、他のガス供給
手段を設けたことを特徴とする請求項１記載の回転塗布
装置。 - 【請求項４】 前記容器に、容器内を排気するための真
空排気手段を設けたことを特徴とする請求項１乃至３の
いずれか１項に記載の回転塗布装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23227191A JPH0547650A (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | 回転塗布装置 |
| EP92917995A EP0661385A1 (en) | 1991-08-19 | 1992-08-19 | Method for forming oxide film |
| PCT/JP1992/001048 WO1993004210A1 (en) | 1991-08-19 | 1992-08-19 | Method for forming oxide film |
| US08/680,519 US6146135A (en) | 1991-08-19 | 1996-07-09 | Oxide film forming method |
| US10/120,628 US6949478B2 (en) | 1991-08-19 | 2002-04-11 | Oxide film forming method |
| US11/129,710 US20050206018A1 (en) | 1991-08-19 | 2005-05-13 | Oxide film forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23227191A JPH0547650A (ja) | 1991-08-20 | 1991-08-20 | 回転塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547650A true JPH0547650A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16936630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23227191A Pending JPH0547650A (ja) | 1991-08-19 | 1991-08-20 | 回転塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0547650A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008085263A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Tohoku Univ | 膜塗布装置および膜塗布方法 |
| CN108475623A (zh) * | 2016-02-17 | 2018-08-31 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
-
1991
- 1991-08-20 JP JP23227191A patent/JPH0547650A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008085263A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-10 | Tohoku Univ | 膜塗布装置および膜塗布方法 |
| CN108475623A (zh) * | 2016-02-17 | 2018-08-31 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
| KR20180098618A (ko) * | 2016-02-17 | 2018-09-04 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US11400480B2 (en) | 2016-02-17 | 2022-08-02 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| CN108475623B (zh) * | 2016-02-17 | 2022-09-27 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
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