CN108475623A - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

一种基板处理装置，通过设置于热处理部的除电装置来进行基板的除电处理。在除电装置OWE中，使保持基板W的保持部(434)以及出射真空紫外线的出射部(300)中的至少一方相对于另一方沿着一个方向相对地移动。此时，由出射部出射的真空紫外线UV照射于基板的一面。通过对基板的整个一面照射真空紫外线，结束除电处理。然后，除电处理后的基板被搬运至涂敷处理部的涂敷处理单元。在涂敷处理单元中，在除电处理后的基板的一面形成处理液的膜。

Description

基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置以及基板处理方法。
背景技术
为了对半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板或光掩膜用基板等各种基板进行各种各样的处理，而使用基板处理装置。
当基板在基板处理装置进行的一系列的处理的过程中带电时，颗粒等就容易附着于基板。另外，有可能会因放电现象而使形成于基板表面的配线图案破损。为了防止这些不良情况的发生，在专利文献1所记载的基板处理装置中，通过离子发生器(ionizer)对由基板搬运装置搬运的基板进行除电。
专利文献1：日本特开2000-114349号公报。
发明内容
发明要解决的问题
专利文献1所记载的离子发生器包括大致圆筒状的外侧电极和设置于该外侧电极的中央部的内侧电极。通过对外侧电极与内侧电极之间施加交流电压来产生离子。所产生的离子被吹送至被基板搬运装置的保持构件保持的基板的表面。由此，能够对搬运中的基板进行除电。
在基板处理装置中，不限于颗粒等向基板的附着以及放电现象的发生，还要求进一步降低因带电所引起的基板的处理不良的发生。因此，优选地，基板以尽量接近0(V)的方式进行除电。
根据上述的离子发生器，虽然能够使带电1000(V)左右的基板的电位降低至100(V)左右，但无法使带电10(V)左右的基板的电位以接近0(V)的方式降低。
本发明的目的在于，提供一种能防止因带电所引起的处理不良的发生的基板处理装置以及基板处理方法。
解决问题的手段
(1)本发明的一技术方案的基板处理装置，具有：除电部，进行基板的除电处理；涂敷处理部，通过向由除电部进行除电后的基板的一面涂敷处理液，在基板的一面形成处理液的膜；以及控制部，除电部包括：保持部，在含有氧分子的气体环境内保持基板；出射部，出射真空紫外线；以及相对移动部，使保持部以及出射部中的至少一方相对于另一方沿着一个方向相对地移动，控制部控制出射部以及相对移动部，以使由出射部出射的真空紫外线通过气体环境照射于被保持部保持的基板的所述一面。
在该基板处理装置中，通过除电部来进行基板的除电处理。在除电部中，一边使保持基板的保持部以及出射部中的至少一方相对于另一方沿着一个方向相对地移动，一边使由出射部出射的真空紫外线照射于基板的一面。此时，真空紫外线的一部分被含有氧分子的气体吸收。通过基板的一面上的气体吸收真空紫外线的一部分，使得该气体中所含有的氧分子通过光解离而分解成两个氧原子。通过分解后的氧原子与存在于周围的氧分子结合而产生臭氧。
臭氧是指通过带正电荷的共振结构和带负电荷的共振结构的重合所表现的共振混合体。各共振结构包括共价键以及配位键。由于配位键是不稳定的，因此，当所产生的臭氧与带正电或带负电的基板的一面接触时，在臭氧与基板之间进行电荷的授受。在该情况下，臭氧的配位键被切断，并且基板的电位接近0(V)。这样一来，能够对基板的整体进行除电，而不受基板的带电量以及带电极性影响。
在涂敷处理部中，在除电处理后的基板的一面形成处理液的膜。在该情况下，由于除电处理后的基板的电位大致变为0(V)，因此，能够防止在涂敷处理时发生因带电所引起的处理不良。
(2)控制部也可以利用相对移动部控制保持部与出射部的相对的移动速度，以使预定的光量的真空紫外线照射于基板。
在该情况下，通过控制保持部与出射部的相对的移动速度，能够调整在基板的一面上每单位面积所照射的真空紫外线的光量。由此，能够调整在基板上所产生的臭氧的量。通过升高移动速度，能够减少照射于基板的真空紫外线的光量。由此，能够减少在基板上所产生的臭氧的量。另外，通过降低移动速度，能够增加照射于基板的真空紫外线的光量。由此，能够增加在基板上所产生的臭氧的量。因此，能够在基板的一面上均匀地供给所期望的量的臭氧。其结果，能够对基板的整体均匀地除电。
(3)除电部还可以具有：壳体，容纳保持部以及被保持部保持的基板；第一氮气供给部，向壳体内供给氮气；以及浓度检测部，检测壳体内的氧浓度，出射部也可以安装于所述壳体，以使出射的真空紫外线照射于在壳体内被保持部保持的基板的所述一面，控制部也可以控制出射部以及相对移动部，以使在由浓度检测部检测出的氧浓度在预定的处理浓度以下时，使由出射部出射的真空紫外线照射于基板。
在该情况下，在氧浓度在预定的处理浓度以下的气体环境内由出射部对基板照射真空紫外线。由此，能够抑制臭氧过多地产生。其结果，能够减低向壳体的外部漏出的臭氧的量。而且，由于向壳体内供给氮气，因此，在臭氧产生时氮气作为氧原子与氧分子的三体反应的催化剂发挥作用。因此，能够高效地产生适当量的臭氧。
(4)壳体还可以容纳有相对移动部，并且具有形成有开口部的上表面；除电部还包括：闭塞构件，设置为能够在与开口部分离的第一位置和闭塞开口部的第二位置之间沿着上下方向移动；开闭驱动部，使闭塞构件移动至第一位置或第二位置；以及基板移动机构，在闭塞构件位于所述第一位置时，使水平姿势的基板在闭塞构件的下方且开口部的上方的位置与壳体内的位置之间沿着上下方向移动，相对移动部使在壳体内被保持部保持的基板沿着作为一个方向的水平方向移动，在闭塞构件位于所述第二位置时，第一氮气供给部向壳体内供给氮气。
在上述的结构中，在闭塞构件位于第一位置时，能够将水平姿势的基板沿着水平方向插入闭塞构件与开口部之间。该基板通过基板移动机构从开口部的上方的位置通过开口部移动至壳体内的位置。然后，通过闭塞构件从第一位置下降至第二位置来使开口部闭塞。在该状态下，通过从第一氮气供给部向壳体内供给氮气，来降低壳体内的氧浓度。一边通过相对移动部使基板沿着水平方向移动，一边通过出射部对基板的一面照射光。由此，对基板的整体进行除电。然后，通过闭塞构件从第二位置上升至第一位置，使开口部开放。在该状态下，基板从壳体内的位置通过开口部移动至开口部的上方的位置。然后，能够将水平姿势的基板从闭塞构件与开口部之间沿着水平方向取出。
根据上述的结构，能够通过开闭构件的上下移动来使壳体变为密闭状态或开放状态。在该情况下，由于在不使开闭构件和壳体滑动的情况下就能够对开口部进行开闭，因此，不会产生颗粒。另外，即使在开口部与闭塞构件之间的相隔距离短的情况下，也能够搬入以及搬出水平姿势的基板。由此，无需用于使闭塞构件移动至壳体的上部的较大的空间。另外，能够将基板的搬入时以及搬出时在壳体内所产生的臭氧的泄漏变为最小限。而且，能够通过基板的上下移动使水平姿势的基板向壳体内移动，并且能够使水平姿势的基板向壳体外移动。另外，在壳体内能够使水平姿势的基板沿着水平方向移动。在该情况下，用于使基板移动的机构不会复杂化。其结果，不使基板的搬入以及搬出用的结构复杂化，就能够在恒定的低氧浓度的气体环境中对基板进行除电。
(5)在闭塞构件位于第二位置时，闭塞构件的下表面也可以与壳体的上表面的包围开口部的区域接触。
在该情况下，在通过闭塞构件使壳体的开口部闭塞时，在闭塞构件与壳体之间不会产生间隙。由此，能够利用简单的结构来提高壳体内的密闭性。
(6)除电部还可以具有第二氮气供给部，在闭塞构件位于第一位置时，该第二氮气供给部在闭塞构件的下表面与开口部的缘部之间形成氮气的气流。
在该情况下，由第二氮气供给部形成的氮气的气流在闭塞构件的下方的空间与该空间的外部之间切断气体的气流。由此，能够防止壳体的外部的气体通过开口部进入壳体内，并且能够抑制在壳体内产生的臭氧通过开口部向壳体外流出。
(7)除电部还可以具有：框体，容纳壳体以及出射部；以及排气部，排出框体内的气体。
由此，即使在臭氧从壳体漏出的情况下，也能够利用排气部将从壳体漏出的臭氧与框体内的气体一起排出。因此，能够防止产生的臭氧扩散至除电部的周围。
(8)除电部还可以具有第三氮气供给部，该第三氮气供给部用于向由出射部照射真空紫外线的基板上的区域分散地供给氮气。
在该情况下，能够使由出射部照射于基板的真空紫外线的路径的氧浓度进一步降低。由此，能够进一步抑制臭氧过多地产生。另外，通过向基板上的区域分散地供给非活性气体，能够在基板的一面上形成均匀的气体的气流。因此，能够将在基板上产生的臭氧均匀地供给至基板的整个一面。
而且，由于向照射真空紫外线的基板上的区域供给氮气，因此，供给的氮气容易作为氧原子与氧分子的三体反应的催化剂发挥作用。因此，能够高效地产生适当量的臭氧。
(9)相对移动部也可以使保持部沿着一个方向相对地移动，出射部也可以构成为能够出射具有长度比基板的直径大的带状截面的真空紫外线，并且也可以配置为从出射部出射的真空紫外线横切被保持部保持的基板的移动路径。
在该情况下，通过保持基板的保持部沿着一个方向移动，使得从出射部出射的真空紫外线照射于基板的整个一面。由此，能够利用简单的结构来对基板的整个一面照射真空紫外线。
(10)除电部还可以具有照度检测部，该照度检测部用于检测由出射部照射光的基板的照度，控制部也可以基于由照度检测部检测出的照度来计算移动速度，以使预定的量的光朝向基板照射，并且也可以控制相对移动部，以使保持部和出射部以计算出的移动速度相对地移动。
在该情况下，能够基于由照度检测部检测出的照度来反馈控制保持部与出射部的相对的移动速度，以产生适当量的臭氧。由此，能够更适当地进行基板的除电处理。
(11)本发明的另一技术方案的基板处理方法，具有：进行基板的除电处理的步骤；以及通过向由除电处理进行除电后的基板的一面涂敷处理液，在基板的一面形成处理液的膜的步骤，进行除电处理的步骤包括：在含有氧分子的气体环境内利用保持部来保持基板的步骤；通过出射部来出射真空紫外线的步骤；以及使保持部以及出射部中的至少一方相对于另一方沿着一个方向相对地移动，以使由出射部出射的真空紫外线通过气体环境照射于被保持部保持的基板的所述一面的步骤。
在该基板处理方法中，进行基板的除电处理。在除电处理中，一边使保持基板的保持部以及出射部中的至少一方相对于另一方沿着一个方向相对地移动，一边使由出射部出射的真空紫外线照射于基板的一面。此时，真空紫外线的一部分被含有氧分子的气体吸收。通过基板的一面上的气体吸收真空紫外线的一部分，使得该气体中所含有的氧分子通过光解离而分解成两个氧原子。通过分解后的氧原子与存在于周围的氧分子结合而产生臭氧。
当所产生的臭氧与带正电或带负电的基板的一面接触时，在臭氧与基板之间进行电荷的授受。在该情况下，臭氧的配位键被切断，并且基板的电位接近0(V)。这样一来，能够对基板的整体进行除电，而不受基板的带电量以及带电极性影响。
在除电处理后的基板的一面形成处理液的膜。在该情况下，由于除电处理后的基板的电位大致变为0(V)，因此，能够防止在涂敷处理时发生因带电所引起的处理不良。
发明效果
根据本发明，能够防止因带电所引起的处理不良的发生。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式的基板处理装置的示意性的俯视图。
图2是主要表示图1的涂敷处理部、涂敷显影处理部以及清洗干燥处理部的基板处理装置的示意性的侧视图。
图3是主要表示图1的热处理部以及清洗干燥处理部的基板处理装置的示意性的侧视图。
图4是主要表示图1的搬运部的侧视图。
图5是除电装置的外观立体图。
图6是除电装置的侧视图。
图7是用于说明除电装置的内部结构的侧视图。
图8是用于说明除电装置的内部结构的俯视图。
图9是用于说明除电装置的内部结构的主视图。
图10是后上表面部以及中央上表面部的俯视图。
图11是盖构件的仰视图。
图12是表示壳体的开口部被开放的状态的除电装置的外观立体图。
图13(a)是紫外线灯以及第三氮气供给部的俯视图，图13(b)是紫外线灯以及第三氮气供给部的主视图，图13(c)是紫外线灯以及第三氮气供给部的仰视图。
图14是用于说明除电装置中的基板的除电处理动作的侧视图。
图15是用于说明除电装置中的基板的除电处理动作的侧视图。
图16是用于说明除电装置中的基板的除电处理动作的侧视图。
图17是用于说明除电装置中的基板的除电处理动作的侧视图。
图18是用于说明除电装置中的基板的除电处理动作的侧视图。
图19是用于说明除电装置中的基板的除电处理动作的侧视图。
图20是用于说明除电装置中的基板的除电处理动作的侧视图。
图21是用于说明除电装置中的基板的除电处理动作的侧视图。
图22是用于说明除电装置中的照度测定动作的侧视图。
图23是用于说明除电装置中的照度测定动作的侧视图。
图24是用于说明除电装置中的照度测定动作的侧视图。
具体实施方式
下面，一边参照附图一边对本发明的一个实施方式的基板处理装置以及基板处理方法进行说明。此外，在下面的说明中，基板是指半导体基板、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板或光掩膜用基板等。
(1)基板处理装置的结构
图1是本发明的一个实施方式的基板处理装置的示意性的俯视图。
在图1以及图2以后的规定的图中，为了明确位置关而标注表示相互正交的X方向、Y方向以及Z方向的箭头。X方向以及Y方向在水平面内相互正交，Z方向相当于铅垂方向。
如图1所示，基板处理装置100具有分度器区11、第一处理区12、第二处理区13、清洗干燥处理区14A以及搬入搬出区14B。通过清洗干燥处理区14A以及搬入搬出区14B构成接口区14。以与搬入搬出区14B相邻的方式配置有曝光装置15。在曝光装置15中，利用浸液法对基板W进行曝光处理。
如图1所示，分度器区11包括多个运送器载置部111以及搬运部112。在各运送器载置部111上载置有将多个基板W呈多层容纳的运送器113。
在搬运部112设置有控制部114以及搬运机构115。控制部114控制基板处理装置100的各种的结构构件。搬运机构115具有用于保持基板W的机械手116。搬运机构115一边利用机械手116保持基板W一边搬运该基板W。
第一处理区12包括涂敷处理部121、搬运部122以及热处理部123。涂敷处理部121以及热处理部123设置为隔着搬运部122相对。在搬运部122与分度器区11之间设置有载置基板W的基板载置部PASS1以及后述的基板载置部PASS2～PASS4(参照图4)。在搬运部122设置有用于搬运基板W的搬运机构127以及后述的搬运机构128(参照图4)。
第二处理区13包括涂敷显影处理部131、搬运部132以及热处理部133。涂敷显影处理部131以及热处理部133设置为隔着搬运部132相对。在搬运部132与搬运部122之间设置载置基板W的基板载置部PASS5以及后述的基板载置部PASS6～PASS8(参照图4)。在搬运部132设置有用于搬运基板W的搬运机构137以及后述的搬运机构138(参照图4)。
清洗干燥处理区14A包括清洗干燥处理部161、162以及搬运部163。清洗干燥处理部161、162设置为隔着搬运部163相对。在搬运部163设置有搬运机构141、142。
在搬运部163与搬运部132之间设置有载置兼缓冲部P-BF1以及后述的载置兼缓冲部P-BF2(参照图4)。
另外，在搬运机构141、142之间，以与搬入搬出区14B相邻的方式，设置有基板载置部PASS9以及后述的载置兼冷却部P-CP(参照图4)。
在搬入搬出区14B设置有搬运机构146。搬运机构146相对于曝光装置15进行基板W的搬入以及搬出。在曝光装置15上设置有用于搬入基板W的基板搬入部15a以及用于搬出基板W的基板搬出部15b。
(2)涂敷处理部、涂敷显影处理部以及清洗干燥处理部的结构
图2是主要显示图1的涂敷处理部121、涂敷显影处理部131以及清洗干燥处理部161的基板处理装置100的示意性的侧视图。
如图2所示，在涂敷处理部121分层地设置有涂敷处理室21、22、23、24。在涂敷处理室21～24分别设置有涂敷处理单元129。在涂敷显影处理部131分层地设置有显影处理室31、33以及涂敷处理室32、34。在显影处理室31、33分别设置有显影处理单元139，在涂敷处理室32、34分别设置有涂敷处理单元129。
各涂敷处理单元129具有：旋转卡盘25，用于保持基板W；以及杯27，以覆盖旋转卡盘25的周围的方式设置。在本实施方式中，在各涂敷处理单元129设置有两组的旋转卡盘25以及杯27。旋转卡盘25被未图示的驱动装置(例如，电动马达)旋转驱动。另外，如图1所示，各涂敷处理单元129具有：多个处理液喷嘴28，用于喷出处理液；以及喷嘴搬运机构29，用于搬运该处理液喷嘴28。
在涂敷处理单元129中，通过未图示的驱动装置使旋转卡盘25旋转，并且多个处理液喷嘴28中的某一个处理液喷嘴28通过喷嘴搬运机构29移动至基板W的上方，并从该处理液喷嘴28喷出处理液。由此，在基板W上涂敷处理液。另外，从未图示的边缘冲洗喷嘴向基板W的周缘部喷出冲洗液。由此，除去附着于基板W的周缘部的处理液。
在涂敷处理室22、24的涂敷处理单元129中，反射防止膜用的处理液从处理液喷嘴28供给至基板W。在涂敷处理室21、23的涂敷处理单元129中，抗蚀剂膜用的处理液从处理液喷嘴28供给至基板W。在涂敷处理室32、34的涂敷处理单元129中，抗蚀剂覆盖膜用的处理液从处理液喷嘴28供给至基板W。
显影处理单元139与涂敷处理单元129同样，具有旋转卡盘35以及杯37。另外，如图1所示，显影处理单元139具有喷出显影液的两个显影喷嘴38以及使该显影喷嘴38沿着X方向移动的移动机构39。
在显影处理单元139中，通过未图示的驱动装置来使旋转卡盘35旋转，并且一个显影喷嘴38沿着X方向移动并对各基板W供给显影液，然后，另一个显影喷嘴38沿着X方向移动并向各基板W供给显影液。在该情况下，通过向基板W供给显影液，对基板W进行显影处理。另外，在本实施方式中，从两个显影喷嘴38喷出相互不同的显影液。由此，能够对各基板W供给两种显影液。
在清洗干燥处理部161设置有多个(在本例中为四个)清洗干燥处理单元SD1。在清洗干燥处理单元SD1中，对曝光处理前的基板W进行清洗以及干燥处理。
如图1以及图2所示，在涂敷处理部121中，以与涂敷显影处理部131相邻的方式设置有流体箱部50。同样地，在涂敷显影处理部131中，以与清洗干燥处理区14A相邻的方式设置有流体箱部51。在流体箱部50以及流体箱部51内，容纳有与向涂敷处理单元129以及显影处理单元139的药液供给以及来自涂敷处理单元129以及显影处理单元139的排液以及排气等相关的流体关联设备。流体关联设备包括导管、接头、阀、流量计、稳压器、泵、温度调节器等。
(3)热处理部以及清洗干燥处理部的结构
图3是主要表示图1的热处理部123、133以及清洗干燥处理部162的基板处理装置100的示意性的侧视图。如图3所示，热处理部123具有设置于上方的上层热处理部301以及设置于下方的下层热处理部302。在上层热处理部301以及下层热处理部302分别设置有除电装置OWE、紧贴强化处理单元PAHP、多个热处理单元PHP以及多个冷却单元CP。
在除电装置OWE中，进行形成反射防止膜、抗蚀剂膜以及抗蚀剂覆盖膜前的基板W的除电处理。除电装置OWE的详细内容在后面进行说明。在紧贴强化处理单元PAHP中，进行用于提高基板W与反射防止膜的紧贴性的紧贴强化处理。具体而言，在紧贴强化处理单元PAHP中，向基板W涂敷HMDS(六甲基二硅氮烷)等紧贴强化剂，并且对基板W进行加热处理。在热处理单元PHP中，进行基板W的加热处理。在冷却单元CP中，进行基板W的冷却处理。
热处理部133具有设置于上方的上层热处理部303以及设置于下方的下层热处理部304。在上层热处理部303以及下层热处理部304分别设置有冷却单元CP、多个热处理单元PHP以及边缘曝光部EEW。
在边缘曝光部EEW中，对形成于基板W上的抗蚀剂膜的周缘部的恒定宽度的区域进行曝光处理(边缘曝光处理)。在上层热处理部303以及下层热处理部304中，以与清洗干燥处理区14A相邻的方式设置的热处理单元PHP构成为，能够搬入来自清洗干燥处理区14A的基板W。
在清洗干燥处理部162设置有多个(在本例中为五个)清洗干燥处理单元SD2。清洗干燥处理单元SD2具有与清洗干燥处理单元SD1相同的结构。在清洗干燥处理单元SD2中，进行曝光处理后的基板W的清洗以及干燥处理。
(4)搬运部的结构
图4是主要表示图1的搬运部122、132、163的侧视图。如图4所示，搬运部122具有上层搬运室125以及下层搬运室126。搬运部132具有上层搬运室135以及下层搬运室136。在上层搬运室125设置有搬运机构127，在下层搬运室126设置有搬运机构128。另外，在上层搬运室135设置有搬运机构137，在下层搬运室136设置有搬运机构138。
在搬运部112与上层搬运室125之间设置有基板载置部PASS1、PASS2，在搬运部112与下层搬运室126之间设置有基板载置部PASS3、PASS4。在上层搬运室125与上层搬运室135之间设置有基板载置部PASS5、PASS6，在下层搬运室126与下层搬运室136之间设置有基板载置部PASS7、PASS8。
在上层搬运室135与搬运部163之间设置有载置兼缓冲部P-BF1，在下层搬运室136与搬运部163之间设置有载置兼缓冲部P-BF2。在搬运部163中，以与搬入搬出区14B相邻的方式，设置有基板载置部PASS9以及多个载置兼冷却部P-CP。在载置兼冷却部P-CP中，基板W被冷却至适于曝光处理的温度。
搬运机构127构成为能够在基板载置部PASS1、PASS2、PASS5、PASS6、涂敷处理室21、22(图2)以及上层热处理部301(图3)之间搬运基板W。搬运机构128构成为能够在基板载置部PASS3、PASS4、PASS7、PASS8、涂敷处理室23、24(图2)以及下层热处理部302(图3)之间搬运基板W。
搬运机构137构成为能够在基板载置部PASS5、PASS6、载置兼缓冲部P-BF1、显影处理室31(图2)、涂敷处理室32(图2)以及上层热处理部303(图3)之间搬运基板W。搬运机构138构成为能够在基板载置部PASS7、PASS8、载置兼缓冲部P-BF2、显影处理室33(图2)、涂敷处理室34(图2)以及下层热处理部304(图3)之间搬运基板W。
搬运部163的搬运机构141(图1)构成为能够在载置兼冷却部P-CP、基板载置部PASS9、载置兼缓冲部P-BF1、P-BF2以及清洗干燥处理部161(图2)之间搬运基板W。
搬运部163的搬运机构142(图1)构成为能够在载置兼冷却部P-CP、基板载置部PASS9、载置兼缓冲部P-BF1、P-BF2、清洗干燥处理部162(图3)、上层热处理部303(图3)以及下层热处理部304(图3)之间搬运基板W。
(5)基板处理装置的动作
一边参照图1～图4一边说明基板处理装置100的动作。在分度器区11的运送器载置部111(图1)载置有容纳了未处理的基板W的运送器113。在通过运送器113搬入基板处理装置100的未处理的基板W上未形成有SOG(旋涂玻璃)以及SOC(旋涂碳)等膜。搬运机构115将未处理的基板W从运送器113搬运至基板载置部PASS1、PASS3(图4)。另外，搬运机构115将载置于基板载置部PASS2、PASS4(图4)的处理完的基板W搬运至运送器113。
在第一处理区12中，搬运机构127(图4)将载置于基板载置部PASS1的基板W依次搬运至除电装置OWE(图3)、紧贴强化处理单元PAHP(图3)、冷却单元CP(图3)以及涂敷处理室22(图2)。接着，搬运机构127将利用涂敷处理室22形成了反射防止膜的基板W依次搬运至热处理单元PHP(图3)、冷却单元CP(图3)以及涂敷处理室21(图2)。接着，搬运机构127将利用涂敷处理室21形成了抗蚀剂膜的基板W依次搬运至热处理单元PHP(图3)以及基板载置部PASS5(图4)。
在该情况下，先在除电装置OWE中进行基板W的除电处理。然后，在紧贴强化处理单元PAHP中，在对基板W进行紧贴强化处理后，在冷却单元CP中，使基板W冷却至适于反射防止膜的形成的温度。接着，在涂敷处理室22中，利用涂敷处理单元129(图2)在基板W上形成反射防止膜。接着，在热处理单元PHP中，在对基板W进行热处理后，在冷却单元CP中，使基板W冷却至适于抗蚀剂膜的形成的温度。接着，在涂敷处理室21中，利用涂敷处理单元129(图2)在基板W上形成抗蚀剂膜。然后，在热处理单元PHP中，进行基板W的热处理，该基板W被载置于基板载置部PASS5。
另外，搬运机构127将载置于基板载置部PASS6(图4)的显影处理后的基板W搬运至基板载置部PASS2(图4)。
搬运机构128(图4)将载置于基板载置部PASS3的基板W依次搬运至除电装置OWE(图3)、紧贴强化处理单元PAHP(图3)、冷却单元CP(图3)以及涂敷处理室24(图2)。接着，搬运机构128将利用涂敷处理室24形成了反射防止膜的基板W依次搬运至热处理单元PHP(图3)、冷却单元CP(图3)以及涂敷处理室23(图2)。接着，搬运机构128将利用涂敷处理室23形成了抗蚀剂膜的基板W依次搬运至热处理单元PHP(图3)以及基板载置部PASS7(图4)。
另外，搬运机构128(图4)将载置于基板载置部PASS8(图4)的显影处理后的基板W搬运至基板载置部PASS4(图4)。涂敷处理室23、24(图2)以及下层热处理部302(图3)中的基板W的处理内容与上述的涂敷处理室21、22(图2)以及上层热处理部301(图3)中的基板W的处理内容相同。
在第二处理区13中，搬运机构137(图4)将载置于基板载置部PASS5的抗蚀剂膜形成后的基板W依次搬运至涂敷处理室32(图2)、热处理单元PHP(图3)、边缘曝光部EEW(图3)以及载置兼缓冲部P-BF1(图4)。在该情况下，在涂敷处理室32中，利用涂敷处理单元129(图2)在基板W上形成抗蚀剂覆盖膜。然后，在热处理单元PHP中，进行基板W的热处理，该基板W被搬入边缘曝光部EEW。接着，在边缘曝光部EEW中，对基板W进行边缘曝光处理。边缘曝光处理后的基板W被载置于载置兼缓冲部P-BF1。
另外，搬运机构137(图4)从与清洗干燥处理区14A相邻的热处理单元PHP(图3)取出利用曝光装置15进行曝光处理后且热处理后的基板W。搬运机构137将该基板W依次搬运至冷却单元CP(图3)、显影处理室31(图2)、热处理单元PHP(图3)以及基板载置部PASS6(图4)。
在该情况下，在冷却单元CP中，在基板W被冷却至适于显影处理的温度之后，在显影处理室31中，通过显影处理单元139除去抗蚀剂覆盖膜，并且进行基板W的显影处理。然后，在热处理单元PHP中，进行基板W的热处理，该基板W被载置于基板载置部PASS6。
搬运机构138(图4)将载置于基板载置部PASS7的抗蚀剂膜形成后的基板W依次搬运至涂敷处理室34(图2)、热处理单元PHP(图3)、边缘曝光部EEW(图3)以及载置兼缓冲部P-BF2(图4)。
另外，搬运机构138(图4)从与清洗干燥处理区14A相邻的热处理单元PHP(图3)取出利用曝光装置15进行曝光处理后且热处理后的基板W。搬运机构138将该基板W依次搬运至冷却单元CP(图3)、显影处理室33(图2)、热处理单元PHP(图3)以及基板载置部PASS8(图4)。显影处理室33、涂敷处理室34以及下层热处理部304中的基板W的处理内容与上述的显影处理室31、涂敷处理室32(图2)以及上层热处理部303(图3)中的基板W的处理内容相同。
在清洗干燥处理区14A中，搬运机构141(图1)将载置于载置兼缓冲部P-BF1、P-BF2(图4)的基板W搬运至清洗干燥处理部161的清洗干燥处理单元SD1(图2)。接着，搬运机构141将基板W从清洗干燥处理单元SD1搬运至载置兼冷却部P-CP(图4)。在该情况下，在清洗干燥处理单元SD1中，在进行基板W的清洗以及干燥处理之后，在载置兼冷却部P-CP中，将基板W冷却至适于曝光装置15(图1)中的曝光处理的温度。
搬运机构142(图1)将载置于基板载置部PASS9(图4)的曝光处理后的基板W搬运至清洗干燥处理部162的清洗干燥处理单元SD2(图3)。另外，搬运机构142将清洗以及干燥处理后的基板W从清洗干燥处理单元SD2搬运至上层热处理部303的热处理单元PHP(图3)或下层热处理部304的热处理单元PHP(图3)。在该热处理单元PHP中，进行曝光后烘烤(PEB)处理。
在搬入搬出区14B中，搬运机构146(图1)将载置于载置兼冷却部P-CP(图4)的曝光处理前的基板W搬运至曝光装置15(图1)的基板搬入部15a(图1)。另外，搬运机构146(图1)从曝光装置15的基板搬出部15b取出曝光处理后的基板W，并将该基板W搬运至基板载置部PASS9(图4)。
此外，在曝光装置15无法接受基板W的情况下，曝光处理前的基板W会被暂时容纳于载置兼缓冲部P-BF1、P-BF2。另外，在第二处理区13的显影处理单元139(图2)无法接受曝光处理后的基板W的情况下，曝光处理后的基板W会被暂时容纳于载置兼缓冲部P-BF1、P-BF2。
在本实施方式中，能够并行进行设置于上层的涂敷处理室21、22、32、显影处理室31以及上层热处理部301、303中的基板W的处理和设置于下层的涂敷处理室23、24、34、显影处理室33以及下层热处理部302、304中的基板W的处理。由此，在不增加占有空间的情况下，就能够提高生产率。
(6)除电装置
首先，说明本实施方式的利用除电装置OWE进行的除电处理的概略。在除电装置OWE中，向配置于含有氧分子的气体环境内的基板W的上表面(主面)照射波长约120nm以上约230nm以下的真空紫外线。此时，照射于基板W的真空紫外线的一部分被含有氧分子的气体环境所吸收。通过基板W的上表面上的气体环境吸收真空紫外线的一部分，使得该气体环境中所包含的氧分子通过光解离而分解成两个氧原子。被分解的氧原子与存在于周围的氧分子结合而产生臭氧。
臭氧是指通过带正电荷的共振结构和带负电荷的共振结构的重合所表现的共振混合体。各共振结构包括共价键以及配位键。由于配位键是不稳定的，因此，当所产生的臭氧与带正电或带负电的基板W的上表面接触时，在臭氧与基板W之间进行电荷的授受。在该情况下，臭氧的配位键被切断，并且基板W的电位接近0(V)。这样一来，能够以电位接近0(V)的方式对基板W进行除电，而不受基板W的带电量以及带电极性影响。
接着，说明除电装置OWE的结构的详细内容。图5是除电装置OWE的外观立体图，图6是除电装置OWE的侧视图。如图5以及图6的点划线所示，除电装置OWE包括框体60。框体60具有朝向图1的搬运部122的外壁61。如图5所示，在外壁61形成有用于在搬运部122内与框体60内之间搬运基板W的搬运开口62。另外，在框体60的底部设置有排气部70。排气部70经由配管71与排气装置72连接。排气装置72例如是工厂内的排气设备，用于进行从框体60排出的气体的无害化处理等。
在以下的说明中，如图5以后的规定的图中的粗的点划线的箭头所示，将从框体60的内部朝向搬运开口62的方向称为后方，将其相反的方向称为前方。
除电装置OWE除了框体60以外，主要由光出射部300、基板移动部400以及搬入搬出部500构成。基板移动部400包括具有大致长方体形状的壳体410。壳体410包括前上表面部411、中央上表面部419、后上表面部412、下表面部413、前表面部414、后表面部415、一方侧面部416以及另一方侧面部417。
一方侧面部416以及另一方侧面部417以沿着前后方向延伸并且相互相对的方式设置。在一方侧面部416以及另一方侧面部417的上端部中央形成有朝向上方延伸恒定高度的突出部pr。在图5以及图6中，仅示出一方侧面部416以及另一方侧面部417中的另一方侧面417的突出部pr。
中央上表面部419设置为连接一方侧面部416的突出部pr和另一方侧面部417的突出部pr。前上表面部411设置为，在比突出部pr更靠前方的位置连接一方侧面部416的上端部和另一方侧面部417的上端部。后上表面部412设置为，在比突出部pr更靠后方的位置连接一方侧面部416的上端部和另一方侧面部417的上端部。前上表面部411以及后上表面部412的高度彼此相等。
以连接一方侧面部416的上端部和另一方侧面部417的上端部且位于前上表面部411与后上表面部412之间的方式，在壳体410的上方设置有光出射部300。光出射部300的一部分位于中央上表面部419的上方。光出射部300的详细内容在后面进行说明。
在光出射部300的后方设置有搬入搬出部500。如图6所示，搬入搬出部500包括盖构件510、盖驱动部590、支撑板591以及两个支撑轴592。在图6中仅示出两个支撑轴592中的一方的支撑轴592。两个支撑轴592分别设置为在壳体410的两侧部沿着上下方向延伸。支撑板591被两个支撑轴592支撑为水平姿势。在该状态下，支撑板591位于光出射部300的后方且位于上表面部412的上方。在支撑板591的下表面安装有盖驱动部590。在盖驱动部590的下方设置有盖构件510。
在壳体410的后上表面部412形成有开口部412b。盖驱动部590通过驱动盖构件510而使盖构件510沿着上下方向移动。由此，开口部412b被闭塞或开放。通过开口部412b被开放，能够向壳体410内搬入基板W以及从壳体410搬出基板W。盖构件510的结构以及利用盖构件510进行的开口部412b的开闭动作的详细内容在后面进行说明。
图7是用于说明除电装置OWE的内部结构的侧视图，图8是用于说明除电装置OWE的内部结构的俯视图，图9是用于说明除电装置OWE的内部结构的主视图。
在图7中示出另一方侧面部417(图5)被卸下后的除电装置OWE的状态。在图8中示出前上表面部411(图5)以及后上表面部412(图5)被卸下后的除电装置OWE的状态。在图9中示出前表面部414(图5)被卸下后的除电装置OWE的状态。另外，在图7～图9中以点划线表示光出射部300(图5)的结构的一部分或全部，并且省略图框60(图5)的图示。
如图7所示，在基板移动部400的壳体410内设置有交接机构420以及局部搬运机构430。交接机构420包括多个升降销421、销支撑构件422以及销升降驱动部423，该交接机构420相比光出射部300更靠后方配置。
多个升降销421分别以朝向上方延伸的方式安装于销支撑构件422。销升降驱动部423将销支撑构件422支撑为能够沿着上下方向移动。在该状态下，多个升降销421配置为与后上表面部412的开口部412b重叠。交接机构420被例如图1的控制部114控制。通过销升降驱动部423进行动作，多个升降销421的上端部在后上表面部412的上方的交接位置与后述局部搬运机械手434的下方的待机位置之间移动。
如图8所示，局部搬运机构430包括进给轴431、进给轴马达432、两个导轨433、局部搬运机械手434、两个机械手支撑构件435以及连接构件439。
在壳体410内，在前表面部414的附近设置有进给轴马达432。以从进给轴马达432至后表面部415的附近沿着前后方向延伸的方式设置有进给轴431。进给轴431是例如滚珠螺杆，与进给轴马达432的旋转轴连接。
在一方侧面部416的附近以沿着前后方向延伸的方式设置有导轨433。另外，在另一方侧面部417的附近以沿着前后方向延伸的方式设置有导轨433。进给轴431以及两个导轨433以相互平行的方式配置。
在两个导轨433上，两个机械手支撑构件435分别以能够沿着前后方向移动且朝向上方延伸的方式设置。两个机械手支撑构件435具有共同的高度。以连接两个机械手支撑构件435的上端部的方式设置有局部搬运机械手434。局部搬运机械手434是具有大致圆形状的板构件，被两个机械手支撑构件435支撑。在局部搬运机械手434上载置有基板W。
在局部搬运机械手434形成有多个通孔434h。多个通孔434h以包围局部搬运机械手434的中心部的方式等角度间隔地配置。在多个通孔434h能够分别插入交接机构420的多个升降销421。另外，在局部搬运机械手434的下表面设置有用于使局部搬运机械手434和进给轴431连接的连接构件439。
局部搬运机构430被例如图1的控制部114控制。通过进给轴马达432进行动作来使进给轴431旋转。由此，局部搬运机械手434在光出射部300的后方的后方位置P1与光出射部300的前方的前方位置P2之间沿着前后方向移动。在图7以后的规定的图中，后方位置P1以及前方位置P2的中心部是用黑色的三角箭头表示。此外，在图7以及图8中以双点划线表示位于前方位置P2时的局部搬运机械手434以及机械手支撑构件435。
在交接机构420的多个升降销421的上端部位于待机位置且局部搬运机械手434位于后方位置P1的状态下，多个通孔434h分别定位于交接机构420的多个升降销421上。
在基板W的除电处理时，在壳体410内起因氧分子的光解离而产生臭氧。因臭氧会对人体带来不良影响，因此，不宜过多地产生臭氧。就在壳体410内的臭氧的产生量而言，壳体410内的氧浓度越高则越增加，壳体410内的氧浓度越低则越降低。因此，为了使壳体410内的氧浓度降低，在壳体410内设置有第一氮气供给部450。如图8所示，第一氮气供给部450由两端部被闭塞的管状构件构成，以从一方侧面部416向另一方侧面部417延伸的方式安装于后表面部415的内面。
如图9所示，在第一氮气供给部450中的朝向前方的部分形成有多个喷射孔451。多个喷射孔451以从第一氮气供给部450的一端部至另一端部大致等间隔地排列的方式配置。另外，如图7以及图8所示，在第一氮气供给部450中的朝向后方的部分连接有氮气导入管459的一端部。氮气导入管459的另一端部位于壳体410的外侧。
在氮气导入管459的另一端部连接有未图示的氮气供给系统。在壳体410的前表面部414设置有用于将壳体410内的气体向壳体410的外部排出的气体导出管418。从氮气供给系统供给至氮气导入管459的氮气通过第一氮气供给部450的内部空间从多个喷射孔451向壳体410内喷射。此时，壳体410内的气体会从气体导出管418向壳体410的外部排出。由此，利用氮气置换壳体410内的气体，从而氧浓度降低。因此，能够抑制过多地产生臭氧。其结果，能够降低漏出至壳体410的外部的臭氧的量。
另外，供给至壳体410内的氮气在除电处理中的臭氧的产生时作为氧原子与氧分子的三体反应的催化剂发挥作用。因此，能够高效地产生适当量的臭氧。
在此，如图5所示，在框体60中，从气体导出管418排出至壳体410的外部的臭氧通过排气部70以及配管71输送至排气装置72。因此，能够防止通过除电处理而产生的臭氧扩散至除电装置OWE的周围。
如图7所示，在壳体410内还设置有后位置传感器S1、前位置传感器S2、照度传感器S3以及氧浓度传感器S4。后位置传感器S1检测局部搬运机械手434是否位于后方位置P1，并将检测结果提供给图1的控制部114。前位置传感器S2检测局部搬运机械手434是否位于前方位置P2，并将检测结果提供给图1的控制部114。作为后位置传感器S1以及前位置传感器S2，使用例如光学式的传感器等。
氧浓度传感器S4检测壳体410内的氧浓度，并将检测结果提供给图1的控制部114。作为氧浓度传感器S4，使用原电池式氧传感器或氧化锆式氧传感器等。
照度传感器S3包括光电二极管等受光元件，用于检测被照射光的受光元件的受光面的照度。在此，照度是指照射于受光面的每一单位面积的光的功率。照度的单位例如以“W/m2”表示。在本实施方式中，由照度传感器S3所检测出的照度相当于向通过局部搬运机械手434在后方位置P1与前方位置P2之间移动的基板W照射真空紫外线时的基板W的照度，即在除电处理时照射真空紫外线时的基板W的照度。另外，照度传感器S3在与光出射部300的后述的出射面321(图13)相对的位置，被传感器升降驱动部441支撑为能够沿着上下方向移动。传感器升降驱动部441例如被图1的控制部114控制。
如图8以及图9所示，在照度传感器S3的附近设置有遮光构件442以及遮光驱动部443。遮光构件442具有比照度传感器S3的受光元件更大的外形。遮光驱动部443在上下方向上的照度传感器S3与光出射部300之间的位置(高度)，将遮光构件442支撑为能够沿着前后方向移动。遮光驱动部443例如被图1的控制部114控制。传感器升降驱动部441以及遮光驱动部443的动作的详细内容在后面进行说明。
接着，对图5的壳体410的后上表面部412、中央上表面部419以及搬入搬出部500的盖构件510的构成进行说明。图10是后上表面部412以及中央上表面部419的俯视图，图11是盖构件510的仰视图。
如图10所示，在从上方观察后上表面部412以及中央上表面部419的情况下，开口部412b被后上表面部412的后缘以及中央上表面部419的前缘包围。盖构件510具有比开口部412b稍大的外形。另外，盖构件510的下表面形成为距除了两端部以外的前缘的一部分恒定宽度的区域510d比其他的区域高恒定高度。
在开口部412b被盖构件510闭塞的情况下，距盖构件510的下表面中的除了前缘以外的外缘恒定宽度的区域510c与后上表面部412的上表面抵接。另外，盖构件510的下表面中的区域510d与中央上表面部419的上表面抵接。即，盖构件510的下表面与后上表面部412以及中央上表面部419中的包围开口部412b的区域接触。由此，在壳体410与盖构件510之间不会产生间隙。因此，能够利用简单的构成来提高壳体410内的密闭性。
如图11所示，在盖构件510的下表面，大致恒定宽度的槽部510b以沿着区域501c的内缘延伸的方式形成。在槽部510b内设置有第二氮气供给部520。第二氮气供给部520由一端部闭塞的管状构件构成。在第二氮气供给部520中的朝向下方的部分形成有喷射孔511。多个喷射孔511配置为大致等间隔的排列。另外，在第二氮气供给部520的另一端部连接有氮气导入管529的一端部。氮气导入管529的另一端部向盖构件510的侧方突出。在氮气导入管529的另一端部连接有未图示的氮气供给系统。
图12是表示壳体410的开口部412b被开放的状态的除电装置OWE的外观立体图。在图12中仅示出除电装置OWE中的搬入搬出部500以及其周围部。
如图12所示，在开口部412b被盖构件510开放的情况下，盖构件510的下表面的区域510c(图11)在后上表面部412的上方的位置与后上表面部412的上表面相对。另外，盖构件510的下表面的区域510d(图11)在中央上表面部419的上方的位置与中央上表面部419的上表面相对。在该状态下，从氮气供给系统向氮气导入管529供给氮气。
如图12的粗实线的箭头所示，在开口部412b呈开放的状态下被供给至氮气导入管529的氮气从第二氮气供给部520(图11)的多个喷射孔511(图11)向下方喷射。从多个喷射孔511(图11)喷射的氮气通过开口部412b的内缘附近流动至壳体410内。
在该情况下，以沿着开口部412b的内缘部的方式形成有从盖构件510的下表面朝向下方的氮气的气流。所形成的氮气的气流在盖构件510的下方的空间与该空间的外部之间切断气体的气流。由此，能够防止壳体410的外部的气体通过开口部412b进入壳体410内。另外，能够抑制在壳体410内所产生的臭氧通过开口部412b向壳体410外部流出。
接着，对光出射部300的结构进行说明。如图7～图9所示，光出射部300包括壳体310、紫外线灯320以及第三氮气供给部330。在图7以及图9中利用点划线表示壳体310。在图8中利用点划线表示壳体310、紫外线灯320以及第三氮气供给部330。在壳体310内容纳有紫外线灯320以及第三氮气供给部330和紫外线灯320的驱动电路、配线以及连接端子等。光出射部300例如被图1的控制部114控制。
紫外线灯320以及第三氮气供给部330分别具有沿着一个方向延伸的长方体形状。如图8的点划线所示，紫外线灯320以及第三氮气供给部330的长边方向的尺寸相互相等，并且和一方侧面部416与另一方侧面部417之间的距离大致相等。
在本例中，作为紫外线灯320，使用产生波长172nm的真空紫外线的氙准分子灯。此外，紫外线灯320只要是能产生波长约120nm以上约230nm以下的真空紫外线的灯即可，也可以使用其他的准分子灯或氘灯等来取代氙准分子灯。
图13(a)是紫外线灯320以及第三氮气供给部330的俯视图，图13(b)是紫外线灯320以及第三氮气供给部330的主视图，图13(c)是紫外线灯320以及第三氮气供给部330的仰视图。
如图13(c)所示，在紫外线灯320的下表面，以从紫外线灯320的一端部向另一端部延伸的方式形成有真空紫外线的出射面321。在紫外线灯320的点亮时，从出射面321朝向下方出射真空紫外线。从紫外线灯320出射的真空紫外线具有与行进方向(在本例中为上下方向)正交的带状截面。另外，带状截面的长度比基板W的直径大。
紫外线灯320配置为从该紫外线灯320出射的带状的真空紫外线横切载置于图8的局部搬运机械手434的基板W的移动路径。在该情况下，在除电处理时，在从紫外线灯320出射带状的真空紫外线的状态下，局部搬运机械手434(图8)以恒定的移动速度在后方位置P1(图8)与前方位置P2(图8)之间移动，由此，带状的真空紫外线从基板W的一端部朝向另一端部扫描。由此，能够利用简单的结构向基板W的上表面的全部区域均匀地照射真空紫外线。
另外，在该情况下，通过调整局部搬运机械手434(图8)的移动速度，能够调整在除电处理时照射于基板W的上表面的每单位面积的真空紫外线的能量(以下，称为曝光量)。此外，曝光量的单位例如用“J/m2”表示。
在基板W上所产生的臭氧的量与曝光量相对应地产生差异。例如，曝光量越大则臭氧的产生量越增加，曝光量越小则臭氧的产生量越降低。因此，通过调整局部搬运机械手434(图8)的移动速度，能够调整在基板W上所产生的臭氧的量。其结果，能够对基板W的整个上表面均匀且合适地进行除电。
如图13(a)～(c)所示，在紫外线灯320的前表面下端部安装有第三氮气供给部330。第三氮气供给部330具有两端部闭塞的角筒形状。
如图13(b)、(c)所示，在第三氮气供给部330中的朝向下方的部分形成有多个喷射孔331。多个喷射孔331配置为从第三氮气供给部330的一端部至另一端部大致等间隔地排列。另外，在第三氮气供给部330的前表面连接有氮气导入管339的一端部。在氮气导入管339的另一端部连接有未图示的氮气供给系统。
在基板W的除电处理时，从氮气供给系统向氮气导入管339供给氮气。供给至氮气导入管339的氮气通过第三氮气供给部330的内部空间从多个喷射孔331分散地喷射至图7的壳体410内。
如图13(c)所示，多个喷射孔331与紫外线灯320的出射面321相邻。因此，在基板W的除电处理时，通过从多个喷射孔331喷射氮气，能够使照射于基板W的真空紫外线的路径的氧浓度进一步降低。由此，能够进一步抑制过多地产生臭氧。另外，通过向被照射真空紫外线的基板W上的区域分散地供给氮气，能够在基板W上形成均匀的气体的气流。因此，能够将在基板W上所产生的臭氧均匀地供至基板W的整个上表面。其结果，能够对基板W的整个上表面进行均匀的除电。
另外，由于向被照射真空紫外线的基板W上的区域供给氮气，因此，供给的氮气容易作为上述的三体反应的催化剂发挥作用。因此，能够高效地产生适当量的臭氧。
从紫外线灯320照射于基板W的上表面的真空紫外线被含有氧分子的气体所吸收的量，随着紫外线灯320与基板W之间的真空紫外线的路径变大而变大。因此，在基板W上所产生的臭氧的量与真空紫外线的路径的长度相对应地产生差异。例如，真空紫外线的路径越长，则臭氧量的产生量越增加，真空紫外线的路径越短，则臭氧的产生量越降低。因此，当基板W的上表面相对于紫外线灯320的出射面321(图13)倾斜时，在基板W上的多个位置产生的臭氧的量产生差异。
在本实施方式中，紫外线灯320配置为在水平面内沿着与前后方向正交的方向(以下，称为左右方向)延伸。另外，如图9所示，局部搬运机械手434设置为连接两个机械手支撑构件435的上端部。两个机械手支撑构件435配置为，在基板W载置于局部搬运机械手434的状态下，在左右方向上隔着基板W的中心相对。由于两个机械手支撑构件435是具有共同的高度，因此，在两个机械手支撑构件435排列的左右方向上，局部搬运机械手434的高度变为恒定。
由此，在左右方向上，载置于局部搬运机械手434的基板W与紫外线灯320之间的距离维持为恒定。由此，在基板W的除电处理时，真空紫外线能均匀地照射于基板W的整个上表面。因此，能够防止在基板W上的多个位置所产生的臭氧的量产生偏差。因此，能够对基板W的整个上表面进行更均匀的除电。
(7)除电条件
在本实施方式中，基于除电装置OWE的基板W的除电条件包括壳体410内的氧浓度以及基于局部搬运机械手434的基板W的移动速度。
除电处理中的壳体410内的氧浓度例如设定成为比1％低。在该情况下，在由图7的氧浓度传感器S4检测出的氧浓度比1％低时，进行基板W的除电处理。由此，能够抑制过多地产生臭氧。在本实施方式中，当由图7的氧浓度传感器S4检测出的氧浓度在1％以上时，不进行基板W的除电处理。
用于进行除电处理的曝光量基于基板W的处理内容，针对每一基板W或基板W的每一种类预先设定。预先设定的曝光量在基板W的除电处理前作为设定曝光量存储于图1的控制部114。
如上所述，在从基板W的一端部向另一端部以恒定的速度扫描带状的真空紫外线的情况下，通过控制基板W的移动速度来调整基板W的曝光量。例如，能够通过提高基板W的移动速度来使曝光量减少，能够通过降低基板W的移动速度来使曝光量增加。在此，在基板W的曝光量、照射于基板W的真空紫外线的照度、基板W的移动速度之间存在一定的关系。
因此，在本实施方式中，通过后述的照度测定，在除电处理前预先利用照度传感器S3来检测在除电处理时照射真空紫外线时的基板W的照度。在该情况下，就为了获得设定曝光量所需的基板W的移动速度V(m/sec)而言，在将由照度传感器S3检测出的照度设为IL(W/m2(＝J/sec·m2))，将设定曝光量设为SA(J/m2)，将从紫外线灯320出射的真空紫外线的截面的与基板W的移动方向平行的长度(照射宽度)设为EW(m)的情况下，以下面的数式(1)来表示。
V＝(EW×IL)/SA…(1)
基于上述的数式(1)，基板W的移动速度由控制部114进行计算。在从光出射部300出射真空紫外线的状态下，控制基板移动部400，以使局部搬运机械手434以计算出的移动速度从前方位置P2移动至后方位置P1(或从后方位置P1移动至前方位置P2)。
这样，基于由照度传感器S3所检测出的照度，反馈授控制基板W的移动速度，以使基板W的曝光量成为设定曝光量。由此，能够基于照射于基板W的真空紫外线的曝光量，反馈授控制基板W的移动速度，以产生适当量的臭氧。
(8)除电处理动作
图14～图21是用于说明除电装置OWE中的基板W的除电处理动作的侧视图。在图14至图21中与图7的侧视图同样地示出了框体60(图5)以及另一方侧面部417(图5)被卸下后的除电装置OWE的状态。在图16～图21中，为了容易识别基板移动部400的各结构构件和基板W，以阴影图案来表示基板W。
在初始状态下，如图14所示，局部搬运机械手434位于后方位置P1，多个升降销421的上端部位于待机位置。另外，壳体410的开口部412b处于被闭塞的状态，紫外线灯320处于熄灭状态。而且，如图14中的粗实线的箭头所示，从第一氮气供给部450向壳体410内供给氮气。
通过从第一氮气供给部450向壳体410内供给氮气，使得壳体410内的氧浓度降低。由此，能够将壳体410内的氧浓度保持为例如比1％低。
为了将基板W搬入壳体410内，如图15所示，通过盖构件510上升来使开口部412b开放。此时，通过图11的第二氮气供给部520从盖构件510的下表面向开口部412b供给氮气(参照图12)。由此，如上所述，能够防止壳体410的外部的气体通过开口部412b进入壳体410内。另外，使交接机构420的多个升降销421上升。由此，多个升降销421的上端部从待机位置移动至交接位置。
接着，如图16所示，通过图4的搬运机构127、128中的任一个机械手HA将水平姿势的基板W沿着水平方向插入盖构件510与开口部412b之间，并载置于多个升降销421上。接着，交接机构420的多个升降销421会下降。由此，如图17所示，多个升降销421的上端部从交接位置移动至待机位置，水平姿势的基板W通过开口部412b移动至壳体410内。此时，基板W从多个升降销421交付至局部搬运机械手434。另外，通过盖构件510下降，使得开口部412b闭塞，并且停止利用图11的第二氮气供给部520供给氮气。
接着，如图18的空白箭头所示，局部搬运机械手434从后方位置P1移动至前方位置P2。此时，由于紫外线灯320处于熄灭状态，因此，无法对基板W照射真空紫外线。
然后，基于前位置传感器S2的检测结果，通过图1的控制部114来判定局部搬运机械手434是否位于前方位置P2。另外，通过控制部114来判定由氧浓度传感器S4所检测出的氧浓度是否比1％低。
当局部搬运机械手434位于前方位置P2且氧浓度比1％低时，紫外线灯320从熄灭状态切换至点亮状态。由此，如图19的点状图案所示，从紫外线灯320向下方出射真空紫外线UV。如上所述，真空紫外线UV具有沿着左右方向延伸的带状的截面。与左右方向平行的方向上的真空紫外线UV的截面的长度比基板W的直径长。
另外，从第三氮气供给部330向壳体410内供给氮气。从第三氮气供给部330供给的氮气与局部搬运机械手434的一部分或基板W的一部分碰撞，并流动至基板W的上方的空间。
接着，如图20的空白箭头所示，局部搬运机械手434从前方位置P2移动至后方位置P1。对此时的移动速度进行控制，以使预先使用上述的数式(1)计算出的速度变为恒定。由此，为了使基板W的上表面的全部区域以设定曝光量进行曝光，向基板W上照射真空紫外线UV，从而对基板W进行除电。
然后，基于后位置传感器S1的检测结果，通过图1的控制部114来判定局部搬运机械手434是否位于后方位置P1。当局部搬运机械手434位于后方位置P1时，紫外线灯320从点亮状态切换至熄灭状态。另外，停止利用第三氮气供给部330供给氮气。此时的除电装置OWE的状态与图17的例子相同。
接着，为了将基板W从壳体410内搬出，如图21所示，通过盖构件510上升来使开口部412b开放。此时，通过图11的第二氮气供给部520从盖构件510的下表面向开口部412b供给氮气(参照图12)。另外，使交接机构420的多个升降销421上升。由此，多个升降销421的上端部从待机位置移动至交接位置，并使基板W从局部搬运机械手434交付给多个升降销421。这样一来，水平姿势的基板W会从壳体410内移动至开口部412b的上方。
载置于多个升降销421上的除电处理后的基板W被图4的搬运机构127、128中的任一个机械手HA沿着水平方向取出。然后，通过交接机构420的多个升降销421下降，并且盖构件510下降，使开口部412b闭塞。另外，停止利用图11的第二氮气供给部520供给氮气。由此，除电装置OWE返回至初始状态。
(9)照度测定动作
为了获得基板W的除电处理所使用的设定速度，例如针对每次对预定的数目的基板W进行除电处理，针对基板的每一批次或针对每一天进行以下所示的照度测定。
图22～图24是用于说明除电装置OWE中的照度测定动作的侧视图。在图22～图24中与图7的侧视图同样地示出框体60(图5)以及另一方侧面部417(图5)被卸下后的除电装置OWE的状态。
在除电装置OWE中，在未进行照明测定的期间，如图22中的粗的虚线所示，以覆盖照度传感器S3的上端部的方式配置有遮光构件442。由此，在对基板W照射真空紫外线时(除电处理时)，光不会入射至照度传感器S3的受光元件。因此，能够抑制照度传感器S3的劣化，从而能够实现照度传感器S3的长寿命化。另外，照度传感器S3相比局部搬运机械手434的移动路径更靠下方配置。
照度测定在壳体410的开口部412b被闭塞并且由氧浓度传感器S4检测出的氧浓度比1％低的状态下开始。在初始状态下，紫外线灯320处于熄灭状态。
当照度测定开始时，如图22的空白箭头所示，通过遮光驱动部443使遮光构件442向前方移动。由此，设置于照度传感器S3的上端部的受光面在上方露出。
接着，如图23的空白箭头所示，通过传感器升降驱动部441使照度传感器S3上升。此时，照度传感器S3以受光面的高度与载置于局部搬运机械手434的基板W的上表面的高度一致的方式被定位。
接着，紫外线灯320从熄灭状态切换至点亮状态。由此，如图24的点状图案所示，带状的真空紫外线UV从紫外线灯320朝向照度传感器S3出射。
从紫外线灯320出射的真空紫外线UV的一部分向照度传感器S3的受光元件入射。由此，检测在除电处理中照射真空紫外线时的基板W的照度。照度的检测结果提供给图1的控制部114。
然后，照度传感器S3下降，并且紫外线灯320从点亮状态切换至熄灭状态。另外，为了覆盖照度传感器S3的上端部，使遮光构件442向后方移动。由此，除电装置OWE返回至初始状态。
如上所述，照度传感器S3以照度测定时受光面的高度与载置于局部搬运机械手434的基板W的上表面的高度一致的方式被定位。因此，能够准确地检测出在基板W的除电时照射于基板W的真空紫外线的照度。
另外，照度传感器S3在基板W的除电处理时相比局部搬运机械手434的移动路径更靠下方配置。由此，在除电处理时照度传感器S3与基板W不会发生干扰。
(10)效果
(1)在上述的基板处理装置100中，通过除电装置OWE来进行基板W的除电处理。在除电装置OWE中，一边使载置基板W的局部搬运机械手434相对于光出射部300移动，一边使由光出射部300出射的真空紫外线照射于基板W的上表面。
此时，基板W上的气体所含的氧分子通过光解离分解，被分解的氧原子与存在于周围的氧分子结合，从而产生臭氧。通过所产生的臭氧与基板W接触，使基板的整体以接近0(V)的方式进行除电。
在设置于涂敷处理部121以及涂敷显影处理部131的多个涂敷处理单元129中，在除电处理后的基板W上形成有处理液的膜。在该情况下，由于除电处理后的基板的电位大致变为0(V)，因此，能够防止涂敷处理时发生因带电所引起的处理不良。
(2)在上述的除电装置OWE中，在盖构件510位于开口部412b的上方的位置时，能够将水平姿势的基板W沿着水平方向插入盖构件510与开口部412b之间。该基板W通过交接机构420从开口部412b的上方的位置通过开口部412b移动至壳体410内的位置。然后，通过盖构件510从开口部412b的上方的位置下降而使开口部412b闭塞。在该状态下，从第一氮气供给部450向壳体410内供给氮气，由此，壳体410内的氧浓度降低。
一边通过局部搬运机构430使基板W沿着水平方向移动，一边通过光出射部300对基板W的上表面照射真空紫外线。由此，对基板W进行除电。然后，通过盖构件510上升至开口部412b的上方的位置而使开口部412b开放。在该状态下，基板W从壳体410内的位置通过开口部412b移动至开口部412b的上方的位置。然后，水平姿势的基板W沿着水平方向从盖构件510与开口部412b之间被取出。
根据上述的结构，通过盖构件510的上下移动，能够使壳体410成为密闭状态以及开放状态。在该情况下，由于不用使盖构件510和壳体410滑动就可以将开口部412b进行开闭，因此，不会产生颗粒。另外，在开口部412b与盖构件510之间的相隔距离短的情况下，也能够搬入以及搬出水平姿势的基板W。由此，无需用于使盖构件510移动至壳体410的上部的较大的空间。
另外，能够将在基板W的搬入时以及搬出时在壳体410内所产生的臭氧的泄漏变为最小限。而且，能够通过基板W的上下移动使水平姿势的基板W向壳体410内移动，并且能够使水平姿势的基板W向壳体410外移动。另外，在壳体410内能够使水平姿势的基板W沿着水平方向移动。在该情况下，用于使基板W移动的机构不会复杂化。其结果，不使基板W的搬入以及搬出用的结构复杂化，就能够在恒定的低氧浓度的气体环境中对基板W进行除电。
(11)除电试验
本发明人针对通过使用上述除电装置OWE的除电处理能使基板W除电何种程度进行了试验。具体而言，在初始状态下，针对平均电位、最大电位以及最小电位分别为-3.29(V)、10.33(V)以及-8.77(V)的基板W，以设定曝光量相互不同的三个除电条件进行了除电处理。在此，平均电位是表示将基板W分割成多个单位区域时的整个区域的平均电位，最大电位是表示基板W的多个单位区域中的显示最大的电位的区域的电位，最小电位是表示基板W的多个单位区域中的显示最小的电位的区域的电位。
三个除电条件中的设定曝光量分别设为200(mJ/cm2)、600(mJ/cm2)以及1000(mJ/cm2)。
其结果，在以设定曝光量200(mJ/cm2)进行除电处理后的基板W的平均电位、最大电位以及最小电位分别为-1.34(V)、1.70(V)以及-6.09(V)。另外，在以设定曝光量600(mJ/cm2)进行除电处理后的基板W的平均电位、最大电位以及最小电位分别为-0.01(V)、1.69(V)以及-3.50(V)。而且，在以设定曝光量1000(mJ/cm2)进行除电处理后的基板W的平均电位、最大电位以及最小电位分别为0.61(V)、1.69(V)以及-1.98(V)。
将上述的试验结果表示于下面的(表1)。
(表1)
根据上述的试验结果可知，设定曝光量变得越大，则基板W的多个单位区域中的电位的偏差越小，基板W整体的电位越接近0。
这样一来可知，根据除电装置OWE进行的除电处理，即便是带电±10(V)左右的基板W，也能够以基板W整体的电位更接近0(V)的方式进行除电。
本发明人是除了上述的除电试验以外，还进行了通过使用以往的离子发生器的除电处理使基板W除电何种程度的试验。试验所使用的以往的离子发生器具有在两个电极间产生离子并且使所产生的离子吹附至基板W上的结构。
在初始状态下，针对平均电位、最大电位以及最小电位分别为-2.56(V)、13.75(V)以及-8.16(V)的基板W，进行了基于以往的离子发生器的除电处理。其结果，通过以往的离子发生器进行除电处理后的基板W的平均电位、最大电位以及最小电位分别为-2.67(V)、12.60(V)以及-8.25(V)。
根据该结果可知，在使用以往的离子发生器的除电处理中，几乎无法对带电±10(V)左右的基板W进行除电。
(12)其他的实施方式
(1)在上述的实施方式中，虽然仅在局部搬运机械手434从前方位置P2移动至后方位置P1的情况下对基板W的上表面照射真空紫外线，但本发明并不限定于此。也可以仅在局部搬运机械手434从后方位置P1移动至前方位置P2的情况下对基板W的上表面照射真空紫外线，以取代局部搬运机械手434从前方位置P2移动至后方位置P1的情况。
另外，也可以在局部搬运机械手434从后方位置P1移动至前方位置P2的情况以及从前方位置P2移动至后方位置P1的情况下，对基板W的上表面照射真空紫外线。
(2)在上述的实施方式中，虽然使用真空紫外线来作为用于将氧分子分离成两个氧原子的光，但本发明并不限定于此。只要能够使氧分子分离成两个氧原子，也可以将具有波长比真空紫外线的波长短的光照射于基板W上。
(3)在上述的实施方式中，虽然为了降低壳体410内的氧浓度而使用氮气，但本发明并不限定于此。在壳体410中也可以使用氩气或氦气等来取代氮气。
(4)在上述的实施方式中，虽然在盖构件510设置有第二氮气供给部520，但也可以不设置第二氮气供给部520。在该情况下，能减低除电装置OWE的部件件数。
(5)在上述的实施方式中，虽然在光出射部300设置有第三氮气供给部330，但也可以不设置第三氮气供给部330。在该情况下，能减低除电装置OWE的部件件数。
(6)在上述的实施方式中，通过在由紫外线灯320出射带状的真空紫外线的状态下使局部搬运机械手434沿着水平方向移动，使带状的真空紫外线从基板W的一端部朝向另一端部扫描，但本发明并不限定于此。也可以通过在基板W载置于固定的载置台上的状态下使紫外线灯320沿着水平方向移动至基板W的上方的位置，使带状的真空紫外线从基板W的一端部朝向另一端部扫描。在该情况下，通过调整紫外线灯320的移动速度，能够调整在基板W上所产生的臭氧的量。
(13)权利要求的各结构构件与实施方式的各部之间的对应关系
以下，对权利要求的各结构构件与实施方式的各结构构件之间的对应的例子进行说明，但本发明并不限定于下面的例子。
在上述的实施方式中，除电装置OWE为除电部的例子，设置于涂敷处理部121以及涂敷显影处理部131的多个涂敷处理单元129为涂敷处理部的例子，控制部114为控制部的例子，局部搬运机械手434为保持部的例子，光出射部300为出射部的例子，进给轴431、进给轴马达432、两个导轨433、两个机械手支撑构件435以及连接构件439为相对移动部的例子，基板处理装置100为基板处理装置的例子。
另外，壳体410为壳体的例子，第一氮气供给部450为第一氮气供给部的例子，氧浓度传感器S4为浓度检测部的例子。
另外，开口部412b为开口部的例子，后上表面部412以及中央上表面部419的上表面为上表面的例子，盖构件510为闭塞构件的例子，盖驱动部590为开闭驱动部的例子，交接机构420为基板移动机构的例子，第二氮气供给部520为第二氮气供给部的例子。
另外，框体60为框体的例子，排气部70为排气部的例子，第三氮气供给部330为第三氮气供给部的例子，照度传感器S3为照度检测部的例子。
作为权利要求的各结构构件，也可以使用具有权利要求所记载的结构或功能的其他各种的结构构件。
工业上的可利用性
本发明能够有效地利用于各种基板的除电处理。

Claims (11)

1.一种基板处理装置，其中，
具有：
除电部，进行基板的除电处理；
涂敷处理部，通过向由所述除电部进行除电后的基板的一面涂敷处理液，在基板的一面形成所述处理液的膜；以及
控制部，
所述除电部包括：
保持部，在含有氧分子的气体环境内保持基板；
出射部，出射真空紫外线；以及
相对移动部，使所述保持部以及所述出射部中的至少一方相对于另一方沿着一个方向相对地移动，
所述控制部控制所述出射部以及所述相对移动部，以使由所述出射部出射的真空紫外线通过所述气体环境照射于被所述保持部保持的基板的所述一面。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述控制部利用所述相对移动部控制所述保持部与所述出射部的相对的移动速度，以使预定的光量的真空紫外线照射于基板。
3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述除电部还具有：
壳体，容纳所述保持部以及被所述保持部保持的基板；
第一氮气供给部，向所述壳体内供给氮气；以及
浓度检测部，检测所述壳体内的氧浓度，
所述出射部安装于所述壳体，以使出射的真空紫外线照射于在所述壳体内被所述保持部保持的基板的所述一面，
所述控制部控制所述出射部以及所述相对移动部，以使在由所述浓度检测部检测出的氧浓度在预定的处理浓度以下时，使由所述出射部出射的真空紫外线照射于基板。
4.如权利要求3所述的基板处理装置，其中，
所述壳体还容纳有所述相对移动部，并且具有形成有开口部的上表面；
所述除电部还包括：
闭塞构件，设置为能够在与所述开口部分离的第一位置和闭塞所述开口部的第二位置之间沿着上下方向移动；
开闭驱动部，使所述闭塞构件移动至所述第一位置或所述第二位置；以及
基板移动机构，在所述闭塞构件位于所述第一位置时，使水平姿势的基板在所述闭塞构件的下方且所述开口部的上方的位置与所述壳体内的位置之间沿着上下方向移动，
所述相对移动部使在所述壳体内被所述保持部保持的基板沿着作为所述一个方向的水平方向移动，
在所述闭塞构件位于所述第二位置时，所述第一氮气供给部向所述壳体内供给氮气。
5.如权利要求4所述的基板处理装置，其中，
在所述闭塞构件位于所述第二位置时，所述闭塞构件的下表面与所述壳体的所述上表面的包围所述开口部的区域接触。
6.如权利要求4或5所述的基板处理装置，其中，
所述除电部还具有第二氮气供给部，在所述闭塞构件位于所述第一位置时，该第二氮气供给部在所述闭塞构件的下表面与所述开口部的缘部之间形成氮气的气流。
7.如权利要求3～6中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述除电部还具有：
框体，容纳所述壳体以及所述出射部；以及
排气部，排出所述框体内的气体。
8.如权利要求1～7中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述除电部还具有第三氮气供给部，该第三氮气供给部用于向由所述出射部照射真空紫外线的基板上的区域分散地供给氮气。
9.如权利要求1～8中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述相对移动部使所述保持部沿着所述一个方向相对地移动，
所述出射部构成为能够出射具有长度比所述基板的直径大的带状截面的真空紫外线，并且配置为从所述出射部出射的真空紫外线横切被所述保持部保持的基板的移动路径。
10.如权利要求1～9中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述除电部还具有照度检测部，该照度检测部用于检测由所述出射部照射光的基板的照度，
所述控制部基于由所述照度检测部检测出的照度来计算移动速度，以使预定的量的光朝向基板照射，并且控制所述相对移动部，以使所述保持部和所述出射部以计算出的移动速度相对地移动。
11.一种基板处理方法，其中，
具有：
进行基板的除电处理的步骤；以及
通过向由所述除电处理进行除电后的基板的一面涂敷处理液，在基板的一面形成所述处理液的膜的步骤，
进行所述除电处理的步骤包括：
在含有氧分子的气体环境内利用保持部来保持基板的步骤；
通过出射部来出射真空紫外线的步骤；以及
使所述保持部以及所述出射部中的至少一方相对于另一方沿着一个方向相对地移动，以使由所述出射部出射的真空紫外线通过所述气体环境照射于被所述保持部保持的基板的所述一面的步骤。
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