KR100779153B1 - 어닐링 장치 - Google Patents

어닐링 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100779153B1
KR100779153B1 KR1020060108670A KR20060108670A KR100779153B1 KR 100779153 B1 KR100779153 B1 KR 100779153B1 KR 1020060108670 A KR1020060108670 A KR 1020060108670A KR 20060108670 A KR20060108670 A KR 20060108670A KR 100779153 B1 KR100779153 B1 KR 100779153B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
axis
axis stage
transparent window
gas
Prior art date
Application number
KR1020060108670A
Other languages
English (en)
Inventor
연강흠
이진용
김종명
정상현
Original Assignee
코닉시스템 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 코닉시스템 주식회사 filed Critical 코닉시스템 주식회사
Priority to KR1020060108670A priority Critical patent/KR100779153B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100779153B1 publication Critical patent/KR100779153B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

기판에 열처리를 행하기 위한 어닐링 장치가 개시된다. 어닐링 장치는 적어도 하나의 투명창을 구비하는 챔버; 챔버 내에 배치되며 상호 수직한 X축, Y축, Z축 좌표계에서 X축 방향을 따라 왕복이동가능한 X축 스테이지; X축 스테이지 상에 배치되어 Y축 방향을 따라 왕복이동가능한 Y축 스테이지; Y축 상에 배치되어 열처리 대상이 되는 기판이 장착되는 로딩 플레이트; 및 챔버의 투명창 외측에 밀착되게 배치되어 이 투명창을 통해 챔버의 내부에 연X선을 조사함으로써 공기를 이온화시켜 챔버 내의 정전기를 제거하는 포토 이오나이저;를 구비하는 것에 특징이 있다.
어닐링, 연X선, 포토 이오나이저

Description

어닐링 장치{Annealing apparatus}
도 1은 종래의 어닐링 장치를 설명하기 위한 도면으로서, 도 1a는 개략적 구성도이며 도 1b는 도 1a에 도시된 로딩 플레이트의 개략적 사시도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 어닐링 장치를 설명하기 위한 개략적 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 어닐링 장치의 로딩 플레이트의 개략적 사시도이다.
도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ선 개략적 단면도로서, 도 4a는 기판이 부상된 상태의 단면도이며, 도 4b는 기판이 흡착된 상태의 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 ... 어닐링 장치 10 ... 챔버
13 ... 광조사창 15,16,17 ... 투명창
20 ... X축 스테이지 30 ... Y축 스테이지
40 ... Z축 스테이지 50 ... 로딩 플레이트
57 ... 다공성 플레이트 60 ... 포토 이오나이저
s ... 유리기판 p ... 레이저 광원
본 발명은 본 발명은 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display) 또는 유기 발광 다이오드 디스플레이(Organic Light Emitting Diode Display)의 기판을 열처리하기 위한 어닐링 장치에 관한 것이다.
유기 발광 다이오드 디스플레이(Organic Light Emitting Diode Display) 또는 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display) 등의 기판으로는 일반적으로 유리기판이 사용된다. 이 유리기판을 결정화시키거나 결정화도(crystallinity)를 향상시키기 위하여, 유리기판에 대하여 어닐링 공정, 특히 레이저를 이용한 어닐링 공정을 행하게 된다. 이러한 어닐링 공정은 도 1에 도시된 레이저 어닐링 장치에 의해 이루어진다.
도 1은 종래의 어닐링 장치를 설명하기 위한 도면으로서, 도 1a는 개략적 구성도이며 도 1b는 도 1a에 도시된 로딩 플레이트의 개략적 사시도이다. 도 1a를 참조하면, 종래의 레이저 어닐링 장치(9)는 내측에 공간부가 마련된 챔버(1)를 구비한다. 이 챔버(1)의 상부에는 레이저광(r)이 입사될 수 있도록 투명창이 구비된 챔버커버(8)가 구비되어 있다. 이 챔버(1)의 내측 공간에는 X축 스테이지(3)와 Y축 스테이지(4)가 마련된다. X축 스테이지(3)는 상호 직교하는 X축, Y축 직교좌표계에 X축 방향으로 왕복이동되며, Y축 스테이지(4)는 X축 스테이지(3) 상에 배치되어 Y축을 따라 왕복이동된다. 또한, Y축 스테이지(4) 상에는 유리기판(s)이 장착되는 로딩 플레이트(5)가 배치된다. 한편, 도 1에 도시되지는 않았지만, Y축 스테이지(4)와 로딩 플레이트(5) 사이에는 수직방향으로 왕복이동가능한 Z축 스테이지, 상기 X축과 Y축을 포함하는 XY평면과 나란한 평면상에서 회전되는 R축 스테이지 등이 개재될 수 있다. 챔버(1) 외부의 레이저 광원(p)에 의하여 발진된 레이저(r)는 위 투명창이 마련된 챔버커버(8)를 통해 로딩 플레이트(5) 위에 장착된 기판(s)에 조사됨으로써 어닐링이 이루어진다.
한편, 어닐링 공정이 이루어지는 챔버(1)의 내측에 전하가 존재하게 되면, 이 전하는 유리기판(s)에 실장된 회로와의 사이에서 스파크를 발생시켜 이 회로를 손상시킬 수 있는 위험이 있다. 이에 따라 종래의 어닐링 장치(9)에서는 상기 챔버(1) 내측에 제전기(2, ionizer)를 마련하여 챔버(1) 내부의 전하를 제거하였다. 종래의 어닐링 장치(9)에 사용되는 제전기(2)는 이른바 코로나(corona) 방전을 이용한 것으로서, 제전기(2)를 챔버(1) 내측에 배치할 수밖에 없었다. 이는 코로나 방전을 이용한 제전기(2)가 고전압에 의해 전하를 직접 챔버(1) 내측으로 방전하는 방식이기 때문이다. 즉, 코로나 방전 방식의 제전기(2)는 첨예한 형상의 전극침(7)의 선단을 구비하는데, 이 전극침(7)의 선단에 고전압을 걸어주어 선단으로부터 전하를 직접 방전시키기는 방식이기 때문에, 제전기(2)가 챔버(1)의 외부에 배치될 수 없다. 이렇게 방전된 전하는 챔버(1) 내의 공기와 충돌하여 공기이온을 생성시키고, 이 공기이온은 챔버(1) 내에 존재하는 전하를 전기적으로 중화시키게 된다. 그러나, 이러한 코로나 방전시에 발생된 방전에너지에 의하여 챔버(1) 내 공기중에 존재하던 불순물은 산화되어 전극침(7)의 선단에 백색의 추출물로 부착된다. 상기한 바와 같이 방전에너지에 의하여 산화된 백색의 추출물은 챔버(1) 내부의 오염원으로 작용하며, 이 오염된 챔버를 유지, 보수하는데 시간과 비용이 필요 하게 된다. 더욱이, 이 추출물들은 전극침(7)의 선단에 부착되면 제전기(2)의 제전효율이 심각하게 저하될 뿐만 아니라, 챔버커버(8)의 투명창에 부착되어 레이저광의 투과율을 저하시켜 어닐링 효율이 감소되는 문제점이 있었다.
한편, 종래의 어닐링 장치(9)에서 챔버(1) 내에 정전기가 발생되는 중요한 원인 중 하나는 유리기판(s)이 챔버(1)에 반입, 반출될 때 발생되는 마찰에 의한 것이다. 로딩 플레이트(5)의 하부에 배치된 리프트(미도시)에는 다수의 돌출된 핀(5a)이 마련되어 있고, 이 핀(5a)은 로딩 플레이트(5)에 끼워져 상기 리프트(미도시)가 승강될 때 함께 승강되어 로딩 플레이트(5)에 대하여 돌출 및 삽입된다. 상기 유리기판(s)은 상기 다수의 핀(5a)이 로딩 플레이트(5)에 대하여 돌출된 상태에서 이 핀(5a)들 위에 놓여지고 이 핀(5a)들이 하강됨에 따라 상기 로딩 플레이트(5)의 상면에 장착된다. 또한, 어닐링 공정이 종료된 후 챔버(1)로부터 유리기판(s)이 반출될 때에도 핀(5a)이 유리기판(s)을 들어올린 후 로봇암(미도시)에 의하여 유리기판(s)이 이송된다. 이렇게 유리기판(s)이 반입, 반출되는 과정에서 다수의 핀(5a)들은 유리기판(s)을 승강시키게 되는데, 정전기는 핀(5a)과 유리기판(s) 사이의 마찰에 의하여 발생된다. 또한, 핀(5a)들이 대형의 유리기판(s)을 승강시킬 때 핀(5a)에 의하여 지지되지 못한 부분에서는 유리기판(s)이 처지거나 휘어짐에 따라 정전기가 발생되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 챔버 내의 전하를 효율적으로 제거할 수 있을 뿐만 아니라 제전에 의하여 챔버 내부에 불순물이 발생되지 않도록 구조가 개선된 어닐링 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에서는 상기 챔버내에 정전기가 발생되지 않도록 구조가 개선된 어닐링 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 어닐링 장치는, 적어도 하나의 투명창을 구비하는 챔버; 상기 챔버 내에 배치되며 상호 수직한 X축, Y축, Z축 좌표계에서 상기 X축 방향을 따라 왕복이동가능한 X축 스테이지; 상기 X축 스테이지 상에 배치되어 상기 Y축 방향을 따라 왕복이동가능한 Y축 스테이지; 상기 Y축 스테이지 상에 배치되어 상기 Z축 방향을 따라 왕복이동가능한 Z축 스테이지; 상기 Z축 상에 배치되어 열처리 대상이 되는 기판이 장착되는 로딩 플레이트; 및 상기 챔버의 투명창 외측에 밀착되게 배치되어 이 투명창을 통해 상기 챔버의 내부에 연X선을 조사함으로써 공기를 이온화시켜 챔버 내의 정전기를 제거하는 포토 이오나이저;를 구비하는 것에 특징이 있다.
본 발명에 따르면, 상기 챔버에는 상면과 측면에 각각 적어도 하나의 투명창을 구비하며, 상기 포토 이오나이저는 상기 투명창의 외측에 각각 밀착배치되는 것이 바람직하다.
또한 본 발명에 따르면, 상기 로딩 플레이트는, 일측에 가스유입홀이 형성된 베이스 플레이트와, 이 베이스 플레이트 상에 얹어져 결합되며 가스가 통과할 수 있도록 다수의 미세 구멍이 형성된 다공성 플레이트를 구비하여, 상기 가스유입홀로 유입된 공기는 상기 베이스 플레이트와 다공성 플레이트 사이의 공간과 상기 다 수의 미세 구멍을 통해 배출되어 상기 다공성 플레이트 상에 장착된 기판을 부상시키며, 상기 로딩 플레이트의 가스유입홀을 통해 배기가 이루어짐으로써 상기 기판을 다공성 플레이트에 흡착시킬 수 있는 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 어닐링 장치(100)에 대하여 더욱 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 어닐링 장치를 설명하기 위한 개략적 도면이며, 도 3은 도 2에 도시된 어닐링 장치의 로딩 플레이트의 개략적 사시도이고, 도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ선 개략적 단면도로서, 도 4a는 기판이 부상된 상태의 단면도이며, 도 4b는 기판이 흡착된 상태의 단면도이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 어닐링 장치(100)는 챔버(10), X축 스테이지(20), Y축 스테이지(30), Z축 스테이지(40), 로딩 플레이트(50) 및 복수의 포토 이오나이저(60)를 구비한다.
상기 챔버(10)의 상부에는 챔버(1)의 내측 공간(11)에는 예컨대 질소(N2), 아르곤(Ar) 등의 불활성 가스가 충전되어 있으며 기밀이 유지되어 있다. 상기 챔버(1)이 상측에는 챔버(1)의 내측 공간을 개폐하기 위한 커버(12)가 구비되는데, 상기 커버(12)에는 외부의 레이저 광원(p)으로부터 발진된 레이저(r)가 투과될 수 있도록 투명한 광조사창(13)이 부착되어 있다. 또한, 상기 챔버(10)의 상면을 형성하는 커버(12)와, 챔버(10)의 각 측면에는 후술할 포토 이오나이저(60)로부터 조사된 이른바 연X선이 투과될 수 있는 투명창(15,16,17)이 부착되어 있다.
상기 X축 스테이지(20)는 챔버(1) 내에 배치된다. 이 X축 스테이지(20)는 상호 직교하는 X축, Y축과 이루어진 직교좌표계 상에서 X축 방향으로 왕복이동된다. 보다 구체적으로는, 예컨대 리니어 모터(미도시, linear motot)와 같은 선형이동수단이 상기 X축 스테이지(20)에 결합되어 리니어 모터에 전원이 인가시 이 Z축 스테이지(20)는 왕복이동된다. 또한, X축 스테이지(20)의 왕복이동을 가이드 하기 위하여, 상기 챔버(10)에는 X축 방향으로 길게 형성된 복수의 제1리니어 가이드(21)가 마련되며, X축 스테이지(20)는 이 복수의 리니어 가이드(21) 위에 놓여진다.
상기 Y축 스테이지(30)는 X축 스테이지(20) 상에 배치된다. 더욱 상세하게는, Y축 방향을 따라 길게 형성된 제2리니어 가이드(31)가 상기 X축 스테이지(20) 위에 배치되며, Y축 스테이지(30)는 이 제2리니어 가이드(31) 위에 놓여진다. 이 Y축 스테이지(30)도 X축 스테이지(20)와 마찬가지로 리니어 모터(미도시) 등에 결합되어 상기 Y축 방향을 따라 왕복이동된다.
상기 Z축 스테이지(40)는 상기 Z축 방향을 따라 승강가능하게 상기 Y축 스테이지(30) 상에 결합된다. 이 Z축 스테이지(40)는 예컨대 모터(미도시)와 볼스크류(미도시) 등을 구동원으로 사용할 수 있다.
상기 로딩 플레이트(50)는 상기 Y축 스테이지(30) 상에 배치된 Z축 스테이지 (40) 상에 배치된다. 이 로딩 플레이트(50)에는 어닐링의 대상이 되는 유리기판(s)이 장착된다. 한편, 도면에 도시되지는 않았지만, Y축 스테이지(40)와 로딩 플레이트(50) 사이에는 상기 X축과 Y축을 포함하는 XY평면과 평행한 평면 다시 말 하면, Z축과 수직한 평면상에서 회전되는 R축 스테이지(미도시) 등이 개재될 수 있으며, 이 경우 상기 로딩 플레이트(50)는 R축 스테이지(미도시) 상에 놓여진다.
한편, 상기 로딩 플레이트(50)는 베이스 플레이트(51)와 다공성 플레이트(57)를 구비한다.
상기 베이스 플레이트(51)는 평평하게 형성된 받침부(52)와, 이 받침부(52)의 둘레방향을 따라 배치되며 이 받침부(52)에 대하여 돌출되게 형성된 측벽부(53)를 구비한다. 또한, 상기 측벽부(53)에는 이 측벽부(53)의 양측면을 관통하는 가스유입홀(55)이 형성되어 있다. 이 가스유입홀(55)에는 외부의 급기원(미도시)으로부터 공급된 가스를 유입시키기 위한 가스유입포트(56)가 결합된다. 한편, 상기 다공성 플레이트(57)는 상기 베이스 플레이트(51) 위에 얹어져 결합되는데, 더욱 상세하게는 상기 베이스 플레이트(51)의 측벽부(53) 상에 얹어져 결합된다. 이에 따라, 상기 로딩 플레이트(50)에는 그 내측에 상기 베이스 플레이트(51)의 받침부(52)와 측벽부(53) 및 상기 다공성 플레이트(57)에 의하여 둘러싸인 공간부(54)가 마련된다.
상기 가스유입포트(56)를 통해 주입된 가스는 가스유입홀(55)을 통해 상기 공간부(54) 측으로 유입된다. 또한, 상기 공간부(54)에 있는 가스는 펌프 등을 이용하여 상기 가스유입홀(55)과 가스유입포트(56)를 통해 배기될 수 있다. 즉, 가스유입홀(55)과 배기홀을 별도로 형성할 수도 있지만, 상기 가스유입홀(55)과 가스유입포트(56)는 상기 공간부(54)측으로 가스를 공급하는 급기용 및 공간부(54)로부터 가스를 배기시키는 배기용으로 함께 사용될 수 있다. 상기 가스유입홀(55)로 유입되는 가스는 예컨대 질소(N2), 아르곤(Ar) 등의 불활성 가스이다.
한편, 상기 다공성 플레이트(57)에는 상기 공간부(54)로 유입된 가스가 통과할 수 있도록 다수의 미세 구멍(58)이 형성되어 있다. 다수의 미세구멍(58)은 상기 다공성 플레이트(57)의 상면과 하면 사이를 관통하여 형성된다. 또한, 상기 유리기판(s)이 다공성 플레이트(57)에 장착될 때 이들 사이에 마찰에 의하여 정전기가 발생되는 것을 방지하도록, 상기 다공성 플레이트(57)는 대전방지재가 코팅되어 있는 것이 바람직하다. 대전방지재로는 다양한 것이 사용될 수 있다. 예컨대, 대한민국 특허출원 출원번호 제10-2005-0005954호에 개시된 대전방지재가 사용될 수 있다. 위 대전방지재는 전도성 고분자 10 ~ 60중량%, 아크릴-우레탄공중합 바인더 5 ~ 30중량%, 물 혹은 유기용매 20 ~ 80중량%, 결합기능성 가교제 0.1 ~ 5중량%, 고연신 기능성 고분자 0.5 ~ 5중량%를 포함하며, 상기 결합가능성 가교제로는 아지리딘(polyfunctional aziridine) 가교제가 사용된다. 한편, 상기 로딩 플레이트(50)에는 복수의 가이드 핀(59)이 마련된다. 이 가이드 핀(59)은 상기 다공성 플레이트(57)에 장착된 유리기판(s)이 가스에 의하여 부상될 때 정렬 상태를 유지하기 위한 것으로서, 로딩 플레이트(50)의 둘레방향을 따라 배치된다. 더욱 상세히 설명하면, 상기 복수의 가이드 핀(59)은 베이스 플레이트(51)에서 대각선 방향에 배치된 모서리에 'ㄱ' 자 형태로 2개씩 배치되며, 상기 다공성 플레이트(57)의 상면에 대하여 돌출되어 있다. 상기 복수의 가이드 핀(59)에 의하여 유리기판(s)이 부상될 때 상기 X축 방향 및 Y축 방향을 따라 이동되어 위치가 변동되는 것을 방지할 수 있다.
상기 포토 이오나이저(60, photo-ionizer)는 챔버(10)에 부착된 투명창(15,16,17)에 각각 밀착배치된다. 이 포토 이오나이저(60) X선의 일종인 이른바 연X선(軟X線, Soft X-ray)을 조사하여 공기 중의 분자를 분해해 대량의 공기이온을 발생시키는 기기이다. 일반적으로 X선이라고 하면 파장이 10-2nm 정도로 짧은 것까지 포함되며, 물질을 잘 투과한다. 그러나 파장이 10-1~ 10 nm의 X선은 비교적 쉽게 물질에 흡수되고 투과능이 작으므로 연질X선 또는 연X선이라고 한다. 이와는 대조적으로 파장이 짧고 투과능이 큰 X선을 경질(硬質)X선이라 한다. 위에서 설명한 바와 같이 종래의 어닐링 장치에서 사용되던 코로나 방전식의 이오나이저는 전극침의 선단에서 직접 방전이 일어나기 때문에 이오나이저가 반드시 제전 대상이 되는 챔버 내부의 공간에 배치되어 있어야 하지만, 상기 포토 이오나이저(60)는 연X선을 조사하여 공기 분자를 이온화시키므로, 챔버(10)의 외부에 부착될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 어닐링 장치(100)에서는 포토 이오나이저(60)를 투명창(15,16,17)의 외측에 밀착시키고 이 투명창(15,16,17)을 통해 연X선을 챔버(10)의 내측으로 조사한다. 연X선에 의하여 공기분자는 이온화되고, 챔버(10)내에 존재하던 정전기는 이온화된 공기분자에 의하여 전기적으로 중화됨으로써 챔버(10)내의 정전기가 제거된다. 이렇게 포토 이오나이저(60)를 챔버(10)의 외부에 배치시킴으로써, 종래기술과 같이 전극침의 선단에 백색 추출물이 부착되어 제전효율이 저하되거나 불순물이 발생되는 문제를 해결할 수 있다. 또한, 연X선과 접촉된 공기는 대부분 이온화되므로 포토 이오나이저(60)는 종래의 코로나 방전식 의 제전기에 비하여 제전효율이 우수하며 제전범위가 넓다는 장점이 있다. 더욱이, 포토 이오나이저(60)는 연X선을 조사하는 방식이므로 코로나 방전식과 달리 챔버(10)내의 기류를 흩트리지 않는다는 장점도 있다.
이하, 상기한 구성으로 이루어진 어닐링 장치(100)의 제전과정에 대하여 설명한다.
정전기가 재하되어 있는 유리기판(s) 로봇암(미도시) 등에 의하여 상기 다공성 플레이트(57) 상에 장착된다. 종래기술에서 유리기판(s)은 다수의 핀(5a)에 얹어진 후 이 핀(5a)을 승강시킴으로써 유리기판(s)을 챔버로 반입 및 반출하였는데, 이러한 과정에서 핀(5a)과 유리기판(s) 사이의 마찰 및 핀(5a)의 승강시에 유리기판(s)이 휘어짐에 따라 정전기가 발생되었다. 그러나, 본 발명에서는 핀(5a)을 이용하지 않고 가스를 이용해 유리기판(s)을 반입 및 반출시킴으로써 종래기술의 문제점으로 지적되는 정전기의 발생을 방지할 수 있다. 유리기판(s)이 챔버(10)내로 반입되면 포토 이오나이저(60)를 작동시킨다. 포토 이오나지어(60)로부터 조사된 연X선이 상기 투명창(15,16,17)을 통해 챔버(1)내로 조사된다. 연X선은 챔버(10)내의 공기를 이온화시켜 유리기판(s) 등에 재하된 정전기를 전기적으로 중화시킴으로써 정전기를 제거하게 된다. 종래의 어닐링 장치에서는 제전기가 챔버의 상측에만 배치되었던 반면, 본 발명에 따른 어닐링 장치(100)에서는 포토 이오나이저(60)가 챔버(10)의 상면과 양측면에 각각 부착되어 있어 제전효율이 향상된다. 특히, 유리기판(s)이 로딩 플레이트(50)에 장착되면, 제전기에 의하여 발생된 전하가 유리기판(s)의 하면에 접근하기가 곤란하여 유리기판(s)의 하면에 재하된 정전기는 제거하기가 곤란하다는 문제점이 있었다. 본 발명에서는 상기 유리기판(s)을 가스에 의하여 부상시킴으로써 로딩 플레이트(50)와 유리기판(s) 사이를 이격시킨다. 이에 따라 포토 이오나이저(60)에 의하여 발생된 공기 이온은 유리기판(s)의 하면과 로딩 플레이트(50) 사이로 유입되어 유리기판(s)의 하면에 재하된 정전기를 효율적으로 제거할 수 있다.
본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 어닐링 장치는 챔버내에 불순물을 발생시키지 않으면서도 유리기판 및 챔버내의 정전기를 효과적으로 제거할 수 있을 뿐만 아니라, 유리기판이 챔버에 반입 및 반출될 때 정전기의 발생을 방지할 수 있다는 장점이 있다.

Claims (8)

  1. 적어도 하나의 투명창을 구비하는 챔버;
    상기 챔버 내에 배치되며 상호 수직한 X축, Y축으로 이루어진 직교좌표계에서 상기 X축 방향을 따라 왕복이동가능한 X축 스테이지;
    상기 X축 스테이지 상에 배치되어 상기 Y축 방향을 따라 왕복이동가능한 Y축 스테이지;
    상기 Y축 스테이지 상에 배치되어 열처리 대상이 되는 기판이 장착되는 로딩 플레이트; 및
    상기 챔버의 투명창 외측에 밀착되게 배치되어 이 투명창을 통해 상기 챔버의 내부에 연X선을 조사함으로써 공기를 이온화시켜 챔버 내의 정전기를 제거하는 포토 이오나이저;를 구비하는 것을 특징으로 하는 어닐링 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 챔버에는 상면과 측면에 각각 적어도 하나의 투명창을 구비하며,
    상기 포토 이오나이저는 상기 투명창의 외측에 각각 밀착배치되는 것을 특징으로 하는 어닐링 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 로딩 플레이트에는 대전방지재가 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 어 닐링 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 로딩 플레이트는, 일측에 가스유입홀이 형성된 베이스 플레이트와, 이 베이스 플레이트 상에 얹어져 결합되며 가스가 통과할 수 있도록 다수의 미세 구멍이 형성된 다공성 플레이트를 구비하여,
    상기 가스유입홀로 유입된 공기는 상기 베이스 플레이트와 다공성 플레이트 사이의 밀폐된 공간과 상기 다수의 미세 구멍을 통해 배출되어 상기 다공성 플레이트 상에 장착된 기판을 부상시키는 것을 특징으로 하는 어닐링 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 로딩 플레이트의 가스유입홀을 통해 배기가 이루어짐으로써 상기 기판을 다공성 플레이트에 흡착시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 어닐링 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 가스의 유입에 의하여 부상되는 기판의 정렬상태를 유지시키기 위하여, 상기 다공성 플레이트의 둘레방향을 따라 배치되며 상기 다공성 플레이트의 상면에 대하여 돌출되도록 상기 로딩 플레이트에 결합되는 복수의 가이드 핀을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 어닐링 장치.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 가스유입홀로 유입되는 가스는 불활성 가스인 것을 특징으로 하는 어닐링 장치.
  8. 제4항에 있어서,
    상기 다공성 플레이트에는 대전방지재가 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 어닐링 장치.
KR1020060108670A 2006-11-06 2006-11-06 어닐링 장치 KR100779153B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060108670A KR100779153B1 (ko) 2006-11-06 2006-11-06 어닐링 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060108670A KR100779153B1 (ko) 2006-11-06 2006-11-06 어닐링 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100779153B1 true KR100779153B1 (ko) 2007-11-23

Family

ID=39080725

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060108670A KR100779153B1 (ko) 2006-11-06 2006-11-06 어닐링 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100779153B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101370879B1 (ko) * 2012-12-21 2014-03-07 주식회사 나래나노텍 기판 열처리 챔버용 견시창, 및 이를 구비한 기판 열처리 챔버, 장치 및 방법
CN103801821A (zh) * 2012-11-13 2014-05-21 Ap系统股份有限公司 透光设备及具有所述透光设备的退火设备
WO2023150161A1 (en) * 2022-02-07 2023-08-10 Applied Materials, Inc. Chamber ionizer for reducing electrostatic discharge

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07312337A (ja) * 1994-05-18 1995-11-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板加熱処理装置
JPH082944A (ja) * 1994-06-15 1996-01-09 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示素子の製造装置
KR19980080626A (ko) * 1997-03-25 1998-11-25 히가시테쯔로우 처리장치 및 처리방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07312337A (ja) * 1994-05-18 1995-11-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板加熱処理装置
JPH082944A (ja) * 1994-06-15 1996-01-09 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示素子の製造装置
KR19980080626A (ko) * 1997-03-25 1998-11-25 히가시테쯔로우 처리장치 및 처리방법

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103801821A (zh) * 2012-11-13 2014-05-21 Ap系统股份有限公司 透光设备及具有所述透光设备的退火设备
KR101432153B1 (ko) * 2012-11-13 2014-08-22 삼성디스플레이 주식회사 광 투과 장치 및 이를 구비하는 어닐링 장치
CN103801821B (zh) * 2012-11-13 2016-08-17 Ap系统股份有限公司 透光设备及具有所述透光设备的退火设备
KR101370879B1 (ko) * 2012-12-21 2014-03-07 주식회사 나래나노텍 기판 열처리 챔버용 견시창, 및 이를 구비한 기판 열처리 챔버, 장치 및 방법
WO2023150161A1 (en) * 2022-02-07 2023-08-10 Applied Materials, Inc. Chamber ionizer for reducing electrostatic discharge

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6955790B2 (ja) 電子デバイスのカプセル化のための装置および技術
US7604922B2 (en) Process of surface treatment, surface treating device, surface treated plate, and electro-optic device, and electronic equipment
US20120175063A1 (en) Substrate processing apparatus
US11400480B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20100214712A1 (en) Method for charge-neutralizing target substrate and substrate processing apparatus
KR100779153B1 (ko) 어닐링 장치
TWI293470B (ko)
US20050229946A1 (en) Substrate treating method and apparatus
JP2020203314A (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP2009092850A (ja) 液晶表示装置の回路欠陥補修方法及び装置
JP2004310031A5 (ko)
JP2017092095A (ja) 熱処理装置
JP6220501B2 (ja) 熱処理装置
TW201841693A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
WO2020183920A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TW202230554A (zh) 電極熔接方法及電極熔接裝置
JP3898579B2 (ja) 基板処理装置
JP2020184624A (ja) 膜質除去方法、基板処理方法、及び基板処理装置
JP2020184623A (ja) 基板処理方法、基板処理装置、及び基板処理設備
CN113614887A (zh) 基板处理方法、半导体制造方法及基板处理装置
JP2008084847A (ja) ディスプレイパネル用排気ホール加工装置
KR20040079072A (ko) 자외선을 이용하는 기판세정장치 및 이의 구동방법
CN1796599A (zh) 薄膜处理装置以及薄膜处理方法
CN110476238A (zh) 拾取装置以及拾取方法
CN114203614A (zh) 基板保持装置以及基板保持方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130430

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131120

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141120

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151118

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160907

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170926

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190909

Year of fee payment: 13