KR101432153B1 - 광 투과 장치 및 이를 구비하는 어닐링 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 광을 투과하는 투과창과, 투과창의 가장자리에 마련된 프레임과, 프레임에 압력을 인가하여 투과창을 밀착 고정시키는 복수의 클램프를 포함하고, 클램프는 몸체와, 몸체 내부에 삽입되는 탄성 부재와, 탄성 부재를 통해 몸체를 관통하여 하측으로 돌출되는 체결 부재를 포함하며, 탄성 부재는 상기 체결 부재에 의해 인가되는 압력을 소정 범위 내에서 억제하는 광 투과 장치 및 이를 구비하는 어닐링 장치를 제시한다.

Description

광 투과 장치 및 이를 구비하는 어닐링 장치{Light penetration apparatus and annealing apparatus having the same}
본 발명은 어닐링 장치에 관한 것으로, 특히 레이저 광이 투과되는 투과창을 파손없이 고정할 수 있는 광 투과 장치 및 이를 구비하는 어닐링 장치에 관한 것이다.
박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD)나 유기 EL(Electro Luminescence) 표시 장치 등에서 각 화소를 독립적으로 구동하기 위한 회로로 사용된다. 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 활성층, 소오스 전극 및 드레인 전극, 그리고 게이트 절연막 등으로 이루어진다.
이러한 박막 트랜지스터의 활성층은 게이트 전극과 소오스/드레인 전극 사이에서 채널 역할을 한다. 또한, 활성층은 비정질 실리콘(Amorphous Silicon) 또는 결정질 실리콘(crystalline silicon)을 이용하여 형성하였다. 그런데, 비정질 실리콘은 전자 이동도가 낮아 대화면 액정 표시 장치를 제조하는데 많은 제약으로 작용하기 때문에 최근에는 결정질 실리콘을 활성층으로 형성하는 방법에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 결정질 실리콘을 형성하는 방법에는 결정질 실리콘을 직접 증착하는 방법과, 비정질 실리콘을 먼저 증착한 후에 이를 결정화시켜 결정질 실리콘을 형성하는 방법이 있다.
비정질 실리콘을 결정화하기 위한 방법으로는 순차 측면 고상화(sequential lateral solidification; SLS)와 엑시머 레이저 어닐링(Eximer Laser Annealing; ELA) 등이 있다. SLS 방법은 측면 성장을 유도하여 단결정에 가까운 결정을 성장시킬 수 있고, 큰 전계 이동도를 갖는 장점이 있다. 그러나, SLS 방법은 조사되는 레이저 빔의 에너지 의존도가 높아 공정 마진이 크지 않고, 기판이 안착되는 스테이지의 정밀도가 공정에 큰 영향을 미치기 때문에 기판 전체에 대해 균일한 결과를 얻기가 어려운 단점이 있다. ELA 방법은 엑시머 레이저를 순간 조사하여 비정질 실리콘을 1400℃ 정도까지 순간적으로 가열하여 결정화하여 버티컬 성장을 유도하는 방법으로서 SLS 방법에 비하여 결정화 특성은 떨어지지만, 기판 전체에 대한 균일도는 더 우수하므로 양산화에 가장 적극적으로 검토되고 있다.
ELA 방법을 이용하여 비정질 실리콘을 결정화시키기 위해 챔버 외부에 마련된 레이저 조사 장치로부터 챔버 내부의 기판으로 레이저를 조사한다. 즉, 내부에 기판이 마련되고 상측에 개구부가 마련된 챔버의 개구부에 밀착되도록 광 투과 장치가 결합되고, 광 투과 장치를 통해 외부로부터 레이저가 챔버 내부로 조사된다. 또한, 광 투과 장치는 투과창 상에 프레임이 마련되고, 프레임의 복수의 영역을 가압하도록 복수의 클램프가 마련되어 투과창을 고정한다.
그런데, 종래의 클램프는 볼트를 이용하여 가압하도록 마련되어 투과창의 체결 강도, 즉 볼트의 조임 강도를 조절하지 못해 투과창에 손상이 발생될 수 있다. 즉, 볼트의 조여지는 힘에 의해 프레임이 투과창에 밀착 강도 이상의 강한 압력을 가하게 되고, 그에 따라 해당 부분으로부터 투과창이 깨지게 된다.
본 발명은 클램프에 의한 투과창의 파손을 방지할 수 있는 광 투과 장치 및 이를 구비하는 어닐링 장치를 제공한다.
본 발명은 클램프에 의한 과도한 조임을 억제하여 투과창의 파손을 방지할 수 있는 광 투과 장치 및 이를 구비하는 어닐링 장치를 제공한다.
본 발명의 일 양태에 따른 광 투과 장치는 광을 투과하는 투과창; 상기 투과창의 가장자리에 마련된 프레임; 및 상기 프레임에 압력을 인가하여 상기 투과창을 밀착 고정시키는 복수의 클램프를 포함하고, 상기 클램프는 몸체와, 상기 몸체 내부에 삽입되는 탄성 부재와, 상기 탄성 부재를 통해 상기 몸체를 관통하여 하측으로 돌출되는 체결 부재를 포함하며, 상기 탄성 부재는 상기 체결 부재에 의해 인가되는 압력을 소정 범위 내에서 억제한다.
상기 프레임은 상기 투과창 하측에 마련된 하부 프레임과, 상기 투과창 상측에 마련된 상부 프레임을 포함한다.
상기 하부 및 상부 프레임과 상기 투과창 사이에 마련된 적어도 하나의 완충 부재를 더 포함한다.
상기 클램프는 상기 몸체 상측의 일 영역으로부터 돌출되어 상기 상부 프레임에 접촉하는 연장부를 더 포함한다.
상기 투과창 및 프레임을 내측에 수용하고, 상부에 상기 클램프가 마련되어 상기 체결 부재가 삽입되어 결합되는 하우징을 더 포함한다.
본 발명의 다른 양태에 따른 어닐링 장치는 내부에 소정 공간이 마련된 챔버; 상기 챔버 내부의 하측에 마련되어 기판을 소정 방향으로 이동시키는 기판 이동부; 및 상기 챔버 외부의 상측에 마련되어 외부로부터 조사된 광을 투과하여 상기 기판 상으로 조사되도록 하는 광 투과부를 포함하며, 상기 광 투과부는 광을 투과하는 투과창의 가장자리에 마련된 프레임에 압력을 인가하여 상기 투과창를 밀착 고정시키는 복수의 클램프를 포함하고, 상기 클램프는 몸체와, 상기 몸체 내부에 삽입되는 탄성 부재와, 상기 탄성 부재를 통해 상기 몸체를 관통하여 하측으로 돌출되는 체결 부재를 포함하여 상기 탄성 부재가 상기 체결 부재에 의해 인가되는 상기 압력을 소정 범위 내에서 억제한다.
상기 기판 이동부는, 상기 챔버 내에 배치되며 수평 상의 일 방향으로 왕복 가능한 제 1 스테이지; 상기 제 1 스테이지 상에 마련되어 상기 일 방향과 직교하는 수평 상의 타 방향으로 왕복 가능한 제 2 스테이지; 및 상기 제 2 스테이지 상에 배치되어 열처리 대상이 되는 기판이 그 상면에 장착되는 로딩 플레이트를 포함한다.
상기 제 2 스테이지와 상기 로딩 플레이트 사이에 마련되어 상기 수평 상으로 회전하는 제 3 스테이지와, 수직 방향으로 이동하는 제 4 스테이지의 적어도 어느 하나를 더 포함한다.
본 발명의 실시 예는 투과창 상에 마련된 프레임을 가압하여 투과창을 밀착 고정시키는 클램프 내에 탄성 부재를 마련하여 클램프의 과도한 압력을 억제할 수 있다. 즉, 클램프 내부에 탄성 부재를 마련하고 탄성 부재를 관통하도록 체결 부재를 마련하여 체결 부재를 회전시켜 클램프를 가압할 때 탄성 부재가 체결 부재에 탄성을 부여하여 과도한 압력을 억제할 수 있다.
본 발명에 의하면, 클램프의 과도한 압력을 억제함으로써 클램프의 과도한 압력에 의한 투과창의 파손을 방지할 수 있다. 따라서, 투과창의 교체 주기를 증가시킬 수 있고 그에 따라 비용 증가를 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 레이저 어닐링 장치의 개략도.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 광 투과부의 개략 사시도.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 광 투과부의 부분 단면도.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 광 투과부의 클램프의 분리 사시도.
도 5 및 도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 클램프를 이용한 광 투과부의 체결 방법을 설명하기 위한 개략 단면도.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 고안의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 또한, 도면상의 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 어닐링 장치의 개략도이다. 또한, 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 광 투과부의 개략도이고, 도 3은 광 투과부의 부분 단면도이며, 도 4는 광 투과부의 클램프의 분리 사시도이다. 그리고, 도 5 및 도 6은 클램프를 이용한 광 투과부의 체결 방법을 설명하기 위한 개략 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 어닐링 장치는 내부에 소정의 공간이 마련된 챔버(100)와, 챔버(100) 내부의 하측에 마련된 기판 이동부(200)와, 챔버(100)의 외측 상부에 마련된 광 투과부(300)와, 소정 파장의 광을 조사하는 광원(400)을 포함한다.
챔버(100)는 내부 공간을 갖는 챔버 몸체(110)와, 챔버 몸체(110)에 착탈 가능하도록 결합되는 챔버 덮개(120)를 구비한다. 챔버 몸체(110)는 상부가 개방된 통 형상으로 제작되고, 챔버 리드(120)는 챔버 몸체(110)의 상부를 덮는 판 형상으로 제작된다. 또한, 챔버 몸체(110) 및 챔버 리드(120)의 평면 형상은 대략 기판(S)의 형상으로 마련되는데, 예를 들어 직사각형의 형상으로 마련된다. 챔버 리드(120)의 예를 들어 중앙부에는 소정 크기로 개방된 개구부(122)가 마련된다. 또한, 챔버 리드(120)는 개구부(122)의 주변이 다른 영역에 비해 얇은 두께로 형성될 수 있다. 개구부(122) 상측에는 광 투과부(300)가 결합된다. 따라서, 외부의 광원(400)으로부터 조사된 레이저는 광 투과부(300) 및 개구부(122)를 통해 챔버(100) 내부로 조사된다. 또한, 도시되지 않았지만, 챔버 몸체(110)와 챔버 덮개(120)의 결합면에는 오링 또는 가스켓과 같은 별도의 밀봉 부재가 마련될 수 있고, 챔버 몸체(110)와 챔버 덮개(120)를 결합 고정시키는 별도의 고정 부재가 더 구비될 수도 있다. 물론, 챔버 몸체(110)와 챔버 덮개(120)가 일체화된 단일 챔버(100)가 이용될 수도 있다.
기판 이동부(200)는 챔버(100) 내부의 하측에 마련되어 외부로부터 인입되는 기판(S)을 안착하여 지지하고, 기판(S)의 복수의 영역을 레이저 조사 위치로 이동시킨다. 이러한 기판 이동부(200)는 챔버(100)의 바닥면과 접촉되는 베이스 플레이트(210)와, 베이스 플레이트(210) 상에 마련되어 일 방향으로 이동하는 제 1 스테이지(220)와, 제 1 스테이지(220) 상에 마련되어 일 방향과 직교하는 타 방향으로 이동하는 제 2 스테이지(230)와, 제 2 스테이지(230) 상에 마련되어 기판(S)을 안착하여 지지하는 지지 플레이트(240)를 포함한다. 제 1 스테이지(220)는 상호 직교하는 X축 및 Y축으로 이루어진 직교 좌표계 상에서 예를 들어 X축 방향을 따라 이동된다. 예를 들어, 리니어 모터(linear motor, 미도시)와 같은 선형 이동 수단이 제 1 스테이지(220)에 결합되어 리니어 모터에 전원이 인가될 때 제 1 스테이지(220)는 이동된다. 또한, 제 1 스테이지(220)의 이동을 가이드하기 위하여 베이스 플레이트(210)에는 X축 방향으로 길게 형성된 복수의 제 1 리니어 가이드(미도시)가 마련되며, 제 1 스테이지(220)는 이 복수의 제 1 리니어 가이드 상에 위치된다. 제 2 스테이지(230)는 제 1 스테이지(220) 상에 배치되는데, 예를 들어 Y축 방향을 따라 길게 형성된 제 2 리니어 가이드(미도시)가 제 1 스테이지(220) 위에 배치되며, 제 2 스테이지(230)는 제 2 리니어 가이드 상에 위치된다. 제 2 스테이지(230)도 제 1 스테이지(220)와 마찬가지로 리니어 모터(미도시) 등에 결합되어 Y축 방향을 따라 왕복 이동된다. 지지 플레이트(240)는 외부로부터 챔버(100) 내부로 로딩되는 기판(S)을 안착하여 지지한다. 이러한 지지 플레이트(240)는 예를 들어 기판(S) 형상과 동일한 형상을 갖는 판 형상으로 마련되며, 기판(S)의 사이즈와 동일한 사이즈로 마련될 수도 있고, 기판(S)의 사이즈보다 작거나 크게 마련될 수도 있다. 여기서, 기판(S)은 예를 들어 박막 트랜지스터의 활성층을 형성하기 위해 적어도 소정 영역에 비정질 실리콘층이 형성된 글래스 기판일 수 있다. 그러나, 기판(S)은 이에 국한되지 않고 적어도 일 영역에 레이저 처리를 실시하기 위한 대상물이 형성된 기판을 포함할 수 있다. 또한, 도 1에 도시되지 않았지만, 제 2 스테이지(230)와 지지 플레이트(240) 사이에는 수직 방향, 즉 Z축 방향으로 이동하는 제 3 스테이지와, X축과 Y축을 포함하는 XY 평면과 나란한 평면상에서 회전되는 제 4 스테이지 등이 마련될 수 있다. 이러한 제 1 스테이지(220) 및 제 2 스테이지(230) 또는 이들에 더하여 제 3 스테이지와 제 4 스테이지를 이용하여 지지 플레이트(240) 상의 기판(S)의 소정 영역이 레이저 조사 위치로 이동될 수 있다.
광 투과부(300)는 챔버(100) 상측의 개구부(122)에 대응되도록 마련되어 외부의 광원(400)으로부터 조사되는 레이저 광을 투과하여 챔버(100) 내부로 조사되도록 한다. 이러한 광 투과부(300)은 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 하우징(310)과, 광을 투과하는 투과창(320)과, 투과창(320)의 하측 및 상측에 각각 마련된 하측 및 상측 프레임(330, 340)과, 상측 프레임(340)을 가압하여 투과창(320)에 밀착시키기 위한 클램프(350)를 포함한다.
하우징(310)은 도 2에 도시된 바와 같이 프레임(330, 340)과, 프레임(330, 340) 사이에 밀착 고정되는 투과창(320)를 내측에 수용하고 상측에서 클램프(350)를 지지한다. 즉, 하우징(310)는 대략 투광창(320)의 형상으로 마련되는데, 적어도 투과창(320)이 위치되는 영역이 빈 대략 사각의 틀 형상으로 마련되고, 상부에는 복수의 클램프(350)가 고정된다. 클램프(350)는 하우징(310)에 형성된 홀에 삽입되어 고정된다. 여기서, 하우징(310)은 하부 프레임(330)과 결합되고, 투과창(320) 및 상부 프레임(340)과는 결합되지 않는다. 즉, 투과창(320) 및 상부 프레임(340)은 하우징(310)에 착탈 가능하다. 또한, 하부 프레임(330)은 하우징(310)의 내측면에 수평으로 고정될 수도 있고, 내측 상부면에 수직으로 고정될 수도 있다. 한편, 하우징(310)은 투과창(320)이 개구부(122)에 대응되도록 챔버 덮개(120) 상에 고정된다.
투과창(320)은 광원(400)으로부터 조사된 레이저 광을 투과한다. 이를 위해 투과창(320)은 예를 들어 100㎚∼400㎚ 파장의 레이저 광의 투과율이 70% 이상인 글래스로 제작될 수 있다. 또한, 레이저 열처리는 통상 라인 빔 형태의 레이저 광을 이용하므로 투과창(320)는 일 방향으로 길이가 긴 직사각 형태를 갖는다. 예를 들어, 투과창(320)은 1500㎜×120㎜의 크기로 마련될 수 있다.
하부 및 상부 프레임(330, 340)은 투과창(320)의 하부 및 상부에 투과창(320)의 가장자리로부터 소정 폭으로 마련되며, 투과창(320)의 형상에 따라 대략 직사각의 틀 형상으로 마련된다. 투과창(320)이 예를 들어 1500㎜×120㎜의 크기로 마련되면 하부 및 상부 프레임(330, 340)의 직경은 이와 같거나 큰 크기로 마련될 수 있다. 한편, 하부 프레임(330)은 하우징(310)의 내측 또는 상측에 고정될 수 있다. 이때, 하부 프레임(330)은 하우징(310)에 일체로 마련될 수 있고, 하우징(310)과 착탈 가능하도록 결합될 수도 있다. 또한, 하부 프레임(330)은 상부면이 평탄할 수도 있으나, 소정의 단차를 가질 수도 있다. 즉, 하부 프레임(330)은 투과창(320)과 동일 크기로 상부면이 평탄하게 제작되어 투과창(320)의 가장자리로부터 내측으로 소정 폭이 안착될 수 있고, 투과창(320)보다 큰 크기로 내측에 단차를 갖도록 제작되어 단차에 투과창(320)의 가장자리로부터 소정 폭이 안착될 수도 있다. 상부 프레임(340)은 하부 프레임(330)에 대응되는 영역의 투과창(320) 상에 안착된다. 즉, 상부면이 평탄한 하부 프레임(330)에 투과창(320)이 안착되는 경우 상부 프레임(340)은 하부 프레임(330)과 동일 형상을 가질 수 있고, 하부 프레임(330)에 단차가 형성되어 투과창(320)이 단차에 안착되는 경우 상부 프레임(340)은 하부 프레임(330)의 단차에 해당하는 형상을 가질 수 있다. 또한, 상부 프레임(340)의 소정 영역, 즉 클램프(350)가 접촉되는 영역에는 홈이 형성될 수 있다. 즉, 상부 프레임(340)에 홈이 형성되고 클램프(350)가 홈에 접촉됨으로써 예를 들어 볼트 방식으로 클램프(350)를 조일 때 클램프(350)가 상부 프레임(340)으로부터 이탈되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 프레임(330, 340)과 투과창(320) 사이에는 완충 부재(360)가 마련될 수 있다. 즉, 하부 프레임(330)과 투과창(320) 사이, 그리고 상부 프레임(340)과 투과창(320) 사이에 완충 부재(360)가 각각 마련될 수 있다. 완충 부재(360)는 프레임(330, 340)과 투과창(320)의 직접 접촉에 의한 투과창(320)의 파손을 방지하기 위해 마련될 수 있다. 이러한 완충 부재(360)는 압력에 의해 용이하게 형상이 변형되는 물질, 예컨데 고무 등의 탄성을 가질 재질로 제작될 수 있다. 즉, 도 5에 도시된 바와 같이 클램프(350)가 하측으로 이동하기 전에는 원형의 형상을 유지하다가 도 6에 도시된 바와 같이 클램프(350)가 하측으로 이동되면 형상이 변형될 수 있다. 또한, 완충 부재(360)는 프레임(330, 340)의 형상으로 마련될 수 있다. 한편, 완충 부재(360)는 프레임(330, 340)과 투과창(320) 사이에 각각 하나 마련될 수 있으나, 프레임(330, 340)의 폭 방향으로 둘 이상의 복수로 마련될 수도 있다.
복수의 클램프(350)는 하우징(310) 상에 마련되어 적어도 일부가 상부 프레임(340) 상에 접촉할 수 있다. 또한, 복수의 클램프(350)는 외부의 압력에 의해 상부 프레임(340)을 가압하여 프레임(330, 340) 사이에 투과창(310)을 밀착시켜 고정한다. 이러한 클램프(350)는 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 하우징(310) 상으로부터 수직 방향으로 마련되며 내부에 관통공이 형성된 몸체(351)과, 몸체(351) 상측의 일부로부터 수평 방향으로 연장된 연장부(352)와, 몸체(351) 내부에 삽입되어 하측으로부터 하우징(310)에 삽입되는 체결 부재(353)와, 몸체(351) 내부에 체결 부재(353)를 감싸도록 마련된 탄성 부재(354)를 포함한다. 몸체(351)는 내부에 탄성 부재(354) 및 체결 부재(353)을 수용할 수 있는 공간이 마련되고, 체결 부재(353)가 상부로부터 하부로 관통하도록 관통홀이 형성된다. 예컨데, 몸체(351)는 원통형으로 형성된다. 또한, 몸체(351) 내부의 관통홀은 하부의 일 영역이 그 이외의 영역보다 폭이 좁도록 형성된다. 예를 들어, 몸체(351)의 하부에 측면으로부터 내측 방향으로 연장된 하부면이 형성되거나, 몸체(351) 내부의 소정 영역에 내측 방향으로 돌출된 단턱이 형성될 수 있다. 이러한 몸체(351)의 하부면 또는 단턱의 상측에 탄성 부재(354)가 지지되고, 그에 따라 탄성 부재(354)의 탄성력이 체결 부재(353)에 작용하여 체결 부재(353)의 가압력을 억제할 수 있다. 또한, 몸체(351)의 하부면 또는 단턱의 내측에는 나사산이 형성되어 예컨데 볼트 등의 체결 부재(353)가 몸체(351) 하부의 나사산을 따라 회전할 수 있다. 연장부(352)는 몸체(351) 상부의 일측에 마련되며 수평 방향으로 연장 형성된다. 이러한 연장부(352)는 상부 프레임(340)과 접촉하여 체결 부재(353)의 조임에 의해 상부 프레임(340)에 압력을 가한다. 또한, 연장부(352)는 몸체(351)와 함께 일측 및 타측으로 회전 가능하다. 즉, 체결 부재(353)가 일 방향, 예를 들어 시계 방향으로 회전하여 조임을 가할 때 연장부(352)는 상부 프레임(340)과 접촉하여 상부 프레임(340)에 압력을 가한다. 또한, 체결 부재(353)가 타 방향, 예를 들어 반시계 방향으로 회전하여 풀릴 때 연장부(352)는 상부 프레임(340)으로부터 이탈하게 된다. 체결 부재(353)는 소정 길이의 길이부를 가지고, 길이부 상측에는 길이부의 폭보다 넓은 폭을 갖는 머리부가 마련되며, 길이부에 나사산이 형성된다. 또한, 길이부는 머리부로부터 하측으로 소정 길이가 그로부터 하측으로 소정 길이보다 폭이 넓게 형성될 수 있다. 즉, 길이부는 하측으로부터 예를 들어 중앙부까지 제 1 폭으로 형성되고, 중앙부로부터 머리부까지 제 1 폭보다 넓은 제 2 폭으로 형성될 수 있다. 체결 부재(353)로서 예컨데 볼트를 이용할 수 있다. 이러한 체결 부재(353)는 몸체(351)를 관통하여 하측으로 돌출되어 노출되는데, 돌출되는 부분이 하우징(310)에 형성된 홈에 삽입되어 체결된다. 이때, 체결 부재(353)는 연장부(352)가 상부 프레임(340)으로부터 이탈되는 경우, 즉 풀리는 경우에도 하우징(310)의 홈으로부터 이탈되지 않을 수 있다. 즉, 체결 부재(353)는 풀리는 경우에도 하우징(310)의 홈으로부터 이탈되지 않는 충분한 길이로 형성된다. 탄성 부재(354)는 몸체(351) 내부에 마련되는데, 몸체(351) 하측의 하부면 또는 단턱에 지지된다. 또한, 탄성 부재(354) 내를 관통하여 체결 부재(353)가 삽입되어 체결 부재(353)의 머리부가 탄성 부재(354)의 상측과 접촉된다. 이때, 체결 부재(353)의 중앙부, 즉 제 1 폭과 제 2 폭의 경계부는 몸체(351)의 하부면에 접촉되지 않는다. 탄성 부재(354)는 압력을 가하면 압축되고 압력을 제거하면 복원되는 성질을 갖는 물질로 제작될 수 있는데, 예를 들어 스프링 등으로 제작될 수 있다.
상기한 바와 같이 본 발명의 클램프(350)는 내부에 관통홀이 형성된 몸체(351) 내부에 탄성 부재(354)를 삽입하고, 탄성 부재(354) 내부를 관통하도록 체결 부재(353)를 삽입하여 하측으로 돌출시켜 하우징(310)의 홀에 삽입한다. 또한, 체결 부재(353)가 회전하면서 몸체(351)를 관통하여 하우징(310)의 홀에 체결되므로 몸체(351) 및 연장부(352)가 하측으로 이동하고, 그에 따라 상부 프레임(330)을 가압하게 된다. 이때, 몸체(351) 내부의 탄성 부재(354)는 체결 부재(353)가 회전하면서 하측으로 이동할 때 체결 부재(353)에 탄성을 주어 체결 부재(353)의 이동력을 억제한다. 따라서, 상부 프레임(340)에 인가되는 과도한 압력을 억제할 수 있고, 그에 따라 상부 프레임(340)에 의한 투과창(320)의 파손을 방지할 수 있다. 즉, 탄성 부재(354)가 마련되지 않는 경우 체결 부재(353), 즉 볼트의 조임 압력을 조절할 수 없어 상부 프레임(340)에 과도한 압력이 인가되고 그에 따라 투과창(320)이 파손될 수 있으나, 본 발명은 체결 부재(353)의 압력을 억제할 수 있는 탄성 부재(354)를 마련함으로써 상부 프레임(340)에 인가되는 과도한 압력을 억제할 수 있고 그에 따라 투과창(320)의 파손을 방지할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상은 상기 실시 예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기 실시 예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지해야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야에서 당업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
100 : 챔버 200 : 기판 이동부
300 : 광 투과부 400 : 광원
310 : 하우징 320 : 투과창
330 : 하부 프레임 340 : 상부 프레임
350 : 클램프

Claims (8)

  1. 광을 투과하는 투과창;
    상기 투과창의 가장자리에 마련된 프레임; 및
    상기 프레임에 압력을 인가하여 상기 투과창을 밀착 고정시키는 복수의 클램프를 포함하고,
    상기 클램프는 몸체와, 상기 몸체 내부에 삽입되는 탄성 부재와, 상기 탄성 부재를 통해 상기 몸체를 관통하여 하측으로 돌출되는 체결 부재를 포함하며, 상기 탄성 부재는 상기 체결 부재에 의해 인가되는 압력을 소정 범위 내에서 억제하고,
    상기 체결 부재는 머리부와, 상기 머리부로부터 하측으로 연장된 길이부를 포함하고, 상기 길이부는 하측으로부터 중앙부까지 제 1 폭으로 형성되고 중앙부로부터 상기 머리부까지 제 1 폭보다 넓은 제 2 폭으로 형성되며, 상기 제 1 폭과 제 2 폭의 경계부가 상기 몸체의 하부면과 이격되는 광 투과 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 프레임은 상기 투과창 하측에 마련된 하부 프레임과, 상기 투과창 상측에 마련된 상부 프레임을 포함하는 광 투과 장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 하부 및 상부 프레임과 상기 투과창 사이에 마련된 적어도 하나의 완충 부재를 더 포함하는 광 투과 장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 클램프는 상기 몸체 상측의 일 영역으로부터 돌출되어 상기 상부 프레임에 접촉하는 연장부를 더 포함하는 광 투과 장치.
  5. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 투과창 및 프레임을 내측에 수용하고, 상부에 상기 클램프가 마련되어 상기 체결 부재가 삽입되어 결합되는 하우징을 더 포함하는 광 투과 장치.
  6. 내부에 소정 공간이 마련된 챔버;
    상기 챔버 내부의 하측에 마련되어 기판을 소정 방향으로 이동시키는 기판 이동부; 및
    상기 챔버 외부의 상측에 마련되어 외부로부터 조사된 광을 투과하여 상기 기판 상으로 조사되도록 하는 광 투과부를 포함하며,
    상기 광 투과부는 광을 투과하는 투과창의 가장자리에 마련된 프레임에 압력을 인가하여 상기 투과창를 밀착 고정시키는 복수의 클램프를 포함하고,
    상기 클램프는 몸체와, 상기 몸체 내부에 삽입되는 탄성 부재와, 상기 탄성 부재를 통해 상기 몸체를 관통하여 하측으로 돌출되는 체결 부재를 포함하여 상기 탄성 부재가 상기 체결 부재에 의해 인가되는 상기 압력을 소정 범위 내에서 억제하고,
    상기 체결 부재는 머리부와, 상기 머리부로부터 하측으로 연장된 길이부를 포함하고, 상기 길이부는 하측으로부터 중앙부까지 제 1 폭으로 형성되고 중앙부로부터 상기 머리부까지 제 1 폭보다 넓은 제 2 폭으로 형성되며, 상기 제 1 폭과 제 2 폭의 경계부가 상기 몸체의 하부면과 이격되는 어닐링 장치.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 기판 이동부는,
    상기 챔버 내에 배치되며 수평 상의 일 방향으로 왕복 가능한 제 1 스테이지;
    상기 제 1 스테이지 상에 마련되어 상기 일 방향과 직교하는 수평 상의 타 방향으로 왕복 가능한 제 2 스테이지; 및
    상기 제 2 스테이지 상에 배치되어 열처리 대상이 되는 기판이 그 상면에 장착되는 로딩 플레이트를 포함하는 어닐링 장치.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 제 2 스테이지와 상기 로딩 플레이트 사이에 마련되어 상기 수평 상으로 회전하는 제 3 스테이지와, 수직 방향으로 이동하는 제 4 스테이지의 적어도 어느 하나를 더 포함하는 어닐링 장치.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101509211B1 (ko) * 2014-11-12 2015-04-09 (주)선진하이텍 백패널 가공장치
KR101666804B1 (ko) * 2015-03-13 2016-10-17 주식회사 에스에프에이 식각장치
CN108288597A (zh) * 2017-01-10 2018-07-17 台湾积体电路制造股份有限公司 存放盒及颗粒检测方法
CN113421836B (zh) * 2021-05-17 2023-03-21 中国科学院微电子研究所 一种激光退火设备及激光退火方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200173947Y1 (ko) * 1996-07-25 2000-03-02 윤종용 반도체 웨이퍼 클램프 조립체
KR100729221B1 (ko) * 2006-01-06 2007-06-19 코닉시스템 주식회사 수평이동가능한 윈도우 모듈을 가지는 레이저 열처리 장치
KR100779153B1 (ko) * 2006-11-06 2007-11-23 코닉시스템 주식회사 어닐링 장치

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6312183A (ja) * 1986-03-07 1988-01-19 Nikon Corp レ−ザ用光学部材の固定支持構造
JPH03188689A (ja) * 1989-12-18 1991-08-16 Nec Corp 光学窓
JPH0673548A (ja) * 1992-08-28 1994-03-15 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd レーザ導入窓の曇り防止機構
JP4659930B2 (ja) * 1998-01-27 2011-03-30 株式会社東芝 多結晶半導体膜の製造方法及びレーザアニール装置
US6908835B2 (en) * 2001-04-19 2005-06-21 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method and system for providing a single-scan, continuous motion sequential lateral solidification
US6847006B2 (en) * 2001-08-10 2005-01-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser annealing apparatus and semiconductor device manufacturing method
JP3797229B2 (ja) * 2002-01-25 2006-07-12 セイコーエプソン株式会社 薄膜半導体の製造装置
GB2399311B (en) * 2003-03-04 2005-06-15 Xsil Technology Ltd Laser machining using an active assist gas
JP5041669B2 (ja) * 2004-03-25 2012-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射装置および当該レーザ照射装置を用いた半導体装置の作製方法
JP4388460B2 (ja) * 2004-11-10 2009-12-24 日立ビアメカニクス株式会社 シート状ワークの保持方法および保持装置
JP4630692B2 (ja) * 2005-03-07 2011-02-09 株式会社ディスコ レーザー加工方法
JP2007266387A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Mitsubishi Electric Corp レーザ発振器
KR100796611B1 (ko) * 2006-11-06 2008-01-22 코닉시스템 주식회사 어닐링 윈도우
JP4643605B2 (ja) * 2007-03-30 2011-03-02 三菱電機株式会社 レーザ発振器
JP2008270340A (ja) * 2007-04-17 2008-11-06 Seiko Epson Corp 薄膜半導体基板の製造装置
US20090120924A1 (en) * 2007-11-08 2009-05-14 Stephen Moffatt Pulse train annealing method and apparatus
TW201001555A (en) * 2008-06-17 2010-01-01 Ihi Corp Laser anneal method and laser anneal device
TWM372476U (en) * 2009-01-06 2010-01-11 Chi Lin Technology Co Ltd Modular front frame having protection function
TW201145397A (en) * 2010-03-23 2011-12-16 Japan Steel Works Ltd Laser annealing device
JP5214662B2 (ja) * 2010-04-29 2013-06-19 株式会社日本製鋼所 多結晶シリコン薄膜の製造方法
JP2012015445A (ja) * 2010-07-05 2012-01-19 Japan Steel Works Ltd:The レーザアニール処理装置およびレーザアニール処理方法
TWI414229B (zh) * 2010-11-30 2013-11-01 Zhen Ding Technology Co Ltd 固持裝置
TWM413172U (en) * 2011-02-08 2011-10-01 Utron Technologies Corp Touch panel measuring jig structure
JP5641965B2 (ja) * 2011-02-09 2014-12-17 住友重機械工業株式会社 レーザアニール方法及びレーザアニール装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200173947Y1 (ko) * 1996-07-25 2000-03-02 윤종용 반도체 웨이퍼 클램프 조립체
KR100729221B1 (ko) * 2006-01-06 2007-06-19 코닉시스템 주식회사 수평이동가능한 윈도우 모듈을 가지는 레이저 열처리 장치
KR100779153B1 (ko) * 2006-11-06 2007-11-23 코닉시스템 주식회사 어닐링 장치

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