JPH0673548A - レーザ導入窓の曇り防止機構 - Google Patents
レーザ導入窓の曇り防止機構Info
- Publication number
- JPH0673548A JPH0673548A JP22969792A JP22969792A JPH0673548A JP H0673548 A JPH0673548 A JP H0673548A JP 22969792 A JP22969792 A JP 22969792A JP 22969792 A JP22969792 A JP 22969792A JP H0673548 A JPH0673548 A JP H0673548A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- outer cylinder
- inner cylinder
- inert gas
- window
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 レーザ導入窓の曇りを防止することができ、
かつ不活性ガスの必要量が少なく、従ってレーザＣＶＤ
の能率を低下させることのないレーザ導入窓の曇り防止
機構を提供する。 【構成】 レーザＣＶＤの反応ハウジング１０内に導入
されるレーザ光１１に沿って反応ハウジングから外方に
延びた外筒１２と、外筒の外端部１２ａに気密に取り付
けられ、レーザ光を透過させる窓部材１４と、外筒内面
から一定の間隔を隔てて延び、内端部１６ａが外筒内面
に気密に取り付けられ、外端部１６ｂが前記窓部材に隣
接しかつレーザ光を通す開口部１５を有する内筒１６
と、外筒と内筒の間に不活性ガス１８を導入するガス供
給装置２０と、を備える。
かつ不活性ガスの必要量が少なく、従ってレーザＣＶＤ
の能率を低下させることのないレーザ導入窓の曇り防止
機構を提供する。 【構成】 レーザＣＶＤの反応ハウジング１０内に導入
されるレーザ光１１に沿って反応ハウジングから外方に
延びた外筒１２と、外筒の外端部１２ａに気密に取り付
けられ、レーザ光を透過させる窓部材１４と、外筒内面
から一定の間隔を隔てて延び、内端部１６ａが外筒内面
に気密に取り付けられ、外端部１６ｂが前記窓部材に隣
接しかつレーザ光を通す開口部１５を有する内筒１６
と、外筒と内筒の間に不活性ガス１８を導入するガス供
給装置２０と、を備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ導入窓の曇り防
止機構に係わり、更に詳しくは、エキシマレーザ光を反
応ハウジング内に導入する窓が曇るのを防止する機構に
関する。
止機構に係わり、更に詳しくは、エキシマレーザ光を反
応ハウジング内に導入する窓が曇るのを防止する機構に
関する。
【０００２】
【従来の技術】エキシマレーザ光は、ＸｅＣｌ* ，Ｋｒ
Ｆ* ，ＡｒＦ* （＊印は励起状態を示す）などの励起状
態の分子（エキシマ分子）が励起状態から基底状態に戻
るときに発生する波長の短い紫外光（２００〜３００ｎ
ｍ）であり、フォトンエネルギーが大きい（４〜６ｅ
Ｖ）特徴を有している。このエキシマレーザ光を、反応
ガスに照射すると反応ガス分子の光解離や光化学反応を
誘起することができるため、この光解離や光化学反応を
介してレーザＣＶＤによる薄膜形成、レーザドーピング
などの表層改質、レーザエッチングなどの微細加工への
適用が図られている。
Ｆ* ，ＡｒＦ* （＊印は励起状態を示す）などの励起状
態の分子（エキシマ分子）が励起状態から基底状態に戻
るときに発生する波長の短い紫外光（２００〜３００ｎ
ｍ）であり、フォトンエネルギーが大きい（４〜６ｅ
Ｖ）特徴を有している。このエキシマレーザ光を、反応
ガスに照射すると反応ガス分子の光解離や光化学反応を
誘起することができるため、この光解離や光化学反応を
介してレーザＣＶＤによる薄膜形成、レーザドーピング
などの表層改質、レーザエッチングなどの微細加工への
適用が図られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】かかるレーザ光を用い
たレーザＣＶＤは、例えば図３に示すように、被覆する
基板１を気密に囲む反応ハウジング２内に反応ガス３、
例えばシラン（ＳｉＨ4）とアンモニア（ＮＨ3 ）の混
合ガスを導入し、この反応ガスに窓４を通してレーザ光
５を照射してガス分子を励起させ、ＳｉＨ4 とＮＨ3 を
反応させてＳｉ3Ｎ4 を基板表面に形成するものであ
る。かかるレーザＣＶＤでは、従来から窓４に被膜が形
成され、窓が曇り効率が低下する問題点があった。
たレーザＣＶＤは、例えば図３に示すように、被覆する
基板１を気密に囲む反応ハウジング２内に反応ガス３、
例えばシラン（ＳｉＨ4）とアンモニア（ＮＨ3 ）の混
合ガスを導入し、この反応ガスに窓４を通してレーザ光
５を照射してガス分子を励起させ、ＳｉＨ4 とＮＨ3 を
反応させてＳｉ3Ｎ4 を基板表面に形成するものであ
る。かかるレーザＣＶＤでは、従来から窓４に被膜が形
成され、窓が曇り効率が低下する問題点があった。
【０００４】この問題点を解決するために、従来のレー
ザＣＶＤ装置では、図３に示すように窓４に向けてノズ
ル６等から窒素等の不活性ガスを噴射する曇り防止機構
が用いられていたが、窓４に均一に不活性ガスを流すこ
とが難しく、渦等で反応ガス３が窓４まで達し、窓４に
被膜が形成されるため、曇り防止には大量の不活性ガス
を流す必要があった。しかし、不活性ガスを大量に流す
と、レーザＣＶＤに用いる反応ガス３の分圧が下がり、
レーザＣＶＤの効率が低下する問題点があった。
ザＣＶＤ装置では、図３に示すように窓４に向けてノズ
ル６等から窒素等の不活性ガスを噴射する曇り防止機構
が用いられていたが、窓４に均一に不活性ガスを流すこ
とが難しく、渦等で反応ガス３が窓４まで達し、窓４に
被膜が形成されるため、曇り防止には大量の不活性ガス
を流す必要があった。しかし、不活性ガスを大量に流す
と、レーザＣＶＤに用いる反応ガス３の分圧が下がり、
レーザＣＶＤの効率が低下する問題点があった。
【０００５】本発明は、かかる問題点を解決するために
創案されたものである。すなわち、本発明の目的は、レ
ーザ導入窓の曇りを防止することができるレーザ導入窓
の曇り防止機構を提供することにある。更に、本発明の
目的は、不活性ガスの必要量が少なく、従ってレーザＣ
ＶＤの効率を低下させることのないレーザ導入窓の曇り
防止機構を提供することにある。
創案されたものである。すなわち、本発明の目的は、レ
ーザ導入窓の曇りを防止することができるレーザ導入窓
の曇り防止機構を提供することにある。更に、本発明の
目的は、不活性ガスの必要量が少なく、従ってレーザＣ
ＶＤの効率を低下させることのないレーザ導入窓の曇り
防止機構を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、レーザ
ＣＶＤの反応ハウジング内に導入されるレーザ光に沿っ
て前記反応ハウジングから外方に延びた外筒と、前記外
筒の外端部に気密に取り付けられ、レーザ光を透過させ
る窓部材と、前記外筒内面から一定の間隔を隔てて軸線
方向に延び、内端部が前記外筒内面に気密に取り付けら
れ、外端部が前記窓部材に隣接しかつレーザ光を通す開
口部を有する内筒と、前記外筒と内筒の間に不活性ガス
を導入するガス供給装置と、を備えることを特徴とする
レーザ導入窓の曇り防止機構が提供される。
ＣＶＤの反応ハウジング内に導入されるレーザ光に沿っ
て前記反応ハウジングから外方に延びた外筒と、前記外
筒の外端部に気密に取り付けられ、レーザ光を透過させ
る窓部材と、前記外筒内面から一定の間隔を隔てて軸線
方向に延び、内端部が前記外筒内面に気密に取り付けら
れ、外端部が前記窓部材に隣接しかつレーザ光を通す開
口部を有する内筒と、前記外筒と内筒の間に不活性ガス
を導入するガス供給装置と、を備えることを特徴とする
レーザ導入窓の曇り防止機構が提供される。
【０００７】本発明の実施例によれば、前記外筒及び内
筒は円筒であり、前記ガス供給装置は、内筒の内端部に
近い前記外筒に不活性ガスを導入するガス導入口を有す
る。また、前記内筒の開口部を内方に向かって軸方向に
流れる不活性ガスの流速が、レーザＣＶＤに用いる反応
ガスの拡散速度より十分大きいように、前記開口寸法が
十分小さく定められている。
筒は円筒であり、前記ガス供給装置は、内筒の内端部に
近い前記外筒に不活性ガスを導入するガス導入口を有す
る。また、前記内筒の開口部を内方に向かって軸方向に
流れる不活性ガスの流速が、レーザＣＶＤに用いる反応
ガスの拡散速度より十分大きいように、前記開口寸法が
十分小さく定められている。
【０００８】
【作用】上記本発明の構成によれば、ガス供給装置によ
り外筒と内筒の間に導入された不活性ガスは、外筒と内
筒の間を外方に窓部材の位置まで軸方向に流れ、更に窓
部材に沿って半径方向に流れ、次いで反転して窓部材に
隣接した内筒の開口部を通って内筒の内側に軸方向に流
入する。従って、不活性ガスは開口部からレーザＣＶＤ
の反応ハウジング内にレーザ光に沿って流入し、拡散に
より窓部材に近ずく反応ガスを反応ハウジング内に押し
戻すことができる。これにより、窓部材付近は常に不活
性ガスで覆われ、反応ガスが存在せず、レーザＣＶＤに
より窓部材が被覆されることがなく、レーザ導入窓が曇
ることがない。
り外筒と内筒の間に導入された不活性ガスは、外筒と内
筒の間を外方に窓部材の位置まで軸方向に流れ、更に窓
部材に沿って半径方向に流れ、次いで反転して窓部材に
隣接した内筒の開口部を通って内筒の内側に軸方向に流
入する。従って、不活性ガスは開口部からレーザＣＶＤ
の反応ハウジング内にレーザ光に沿って流入し、拡散に
より窓部材に近ずく反応ガスを反応ハウジング内に押し
戻すことができる。これにより、窓部材付近は常に不活
性ガスで覆われ、反応ガスが存在せず、レーザＣＶＤに
より窓部材が被覆されることがなく、レーザ導入窓が曇
ることがない。
【０００９】特に、内筒の開口部を内方に向かって軸方
向に流れる不活性ガスの流速が、レーザＣＶＤに用いる
反応ガスの拡散速度より十分大きいように、内筒の開口
部の寸法を十分小さく定めれば、不活性ガスの必要量が
少なく、従ってレーザＣＶＤの効率を低下させることな
くレーザ導入窓の曇りを防止することができる。
向に流れる不活性ガスの流速が、レーザＣＶＤに用いる
反応ガスの拡散速度より十分大きいように、内筒の開口
部の寸法を十分小さく定めれば、不活性ガスの必要量が
少なく、従ってレーザＣＶＤの効率を低下させることな
くレーザ導入窓の曇りを防止することができる。
【００１０】
【実施例】以下に本発明の好ましい実施例を図面を参照
して説明する。図１は本発明によるレーザ導入窓の曇り
防止機構の全体構成図である。この図において、本発明
によるレーザ導入窓の曇り防止機構は、レーザＣＶＤの
反応ハウジング１０（一部のみを示す）の内部に導入さ
れるレーザ光１１に沿って反応ハウジング１０から外方
に延びた外筒１２と、レーザ光１１を透過させる窓部材
１４と、レーザ光１１を通す開口部１５を有する内筒１
６と、外筒１２と内筒１６の間に不活性ガス１８を導入
するガス供給装置２０と、を備える。
して説明する。図１は本発明によるレーザ導入窓の曇り
防止機構の全体構成図である。この図において、本発明
によるレーザ導入窓の曇り防止機構は、レーザＣＶＤの
反応ハウジング１０（一部のみを示す）の内部に導入さ
れるレーザ光１１に沿って反応ハウジング１０から外方
に延びた外筒１２と、レーザ光１１を透過させる窓部材
１４と、レーザ光１１を通す開口部１５を有する内筒１
６と、外筒１２と内筒１６の間に不活性ガス１８を導入
するガス供給装置２０と、を備える。
【００１１】反応ハウジング１０は、レーザＣＶＤによ
り被覆する基板（図示せず）を気密に囲み、内部に反応
ガスを導入できるようになっている。反応ガスは光を吸
収するガス、例えば、Ａｌ（ＣＨ3 ）3 、Ｃｄ（Ｃ
Ｈ3 ）2 、Ｚｎ（ＣＨ3 ）2 、Ｓｎ（ＣＨ3 ）4 、Ｇａ
（ＣＨ3 ）3 、Ｂ（ＣＨ3 ）3 、Ｓｉ（ＣＨ3 ）4 、Ｇ
ｅ（ＣＨ3 ）4 、Ｃｒ（ＣＯ）6 、Ｍｏ（Ｃ０）6 、Ｗ
（ＣＯ）6 、ＮＯ2 、ＳｉＨ4 、ＮＨ3 、Ｃ2 Ｈ2 のい
ずれか、或いはこれらの混合ガスであるのがよい。
り被覆する基板（図示せず）を気密に囲み、内部に反応
ガスを導入できるようになっている。反応ガスは光を吸
収するガス、例えば、Ａｌ（ＣＨ3 ）3 、Ｃｄ（Ｃ
Ｈ3 ）2 、Ｚｎ（ＣＨ3 ）2 、Ｓｎ（ＣＨ3 ）4 、Ｇａ
（ＣＨ3 ）3 、Ｂ（ＣＨ3 ）3 、Ｓｉ（ＣＨ3 ）4 、Ｇ
ｅ（ＣＨ3 ）4 、Ｃｒ（ＣＯ）6 、Ｍｏ（Ｃ０）6 、Ｗ
（ＣＯ）6 、ＮＯ2 、ＳｉＨ4 、ＮＨ3 、Ｃ2 Ｈ2 のい
ずれか、或いはこれらの混合ガスであるのがよい。
【００１２】レーザ光１１は、図示しないエキシマレー
ザ発生装置により発生されるエキシマレーザ光であるの
がよい。エキシマレーザ発生器は、ＸｅＣｌ* 、ＫｒＦ
* 、ＡｒＦ* 、その他のエキシマ分子を利用して波長の
短い紫外光を発生するレーザ発生装置であり、励起方法
は、電子ビーム励起、放電励起、その他のいずれであっ
てもよい。
ザ発生装置により発生されるエキシマレーザ光であるの
がよい。エキシマレーザ発生器は、ＸｅＣｌ* 、ＫｒＦ
* 、ＡｒＦ* 、その他のエキシマ分子を利用して波長の
短い紫外光を発生するレーザ発生装置であり、励起方法
は、電子ビーム励起、放電励起、その他のいずれであっ
てもよい。
【００１３】窓部材１４は、レーザ光１１が透過でき、
透過損失の少ない材質、例えば石英ガラスで作られてい
る。窓部材１４は平板状であり、その内面は例えばＯ−
リング等のシール部材２１ａ、を介して外筒１２の外端
部１２ａに気密に取り付けられている。窓部材１４は、
中央開口１７ａを有する窓枠部材１７を外筒の外端部１
２ａにボルト・ナット等の締結手段（図示せず）で取り
付けらる。
透過損失の少ない材質、例えば石英ガラスで作られてい
る。窓部材１４は平板状であり、その内面は例えばＯ−
リング等のシール部材２１ａ、を介して外筒１２の外端
部１２ａに気密に取り付けられている。窓部材１４は、
中央開口１７ａを有する窓枠部材１７を外筒の外端部１
２ａにボルト・ナット等の締結手段（図示せず）で取り
付けらる。
【００１４】内筒１６は、外筒１２の内面から半径方向
に一定の間隔を隔てて軸線方向に延びている。この間隔
は、不活性ガス１８の流れを阻害しない十分な大きさで
あるのがよい。また、外筒１２及び内筒１６は円筒であ
り、内筒１６の内端部１６ａは外筒１２の内面に例えば
Ｏ−リング等のシール部材２１ｂを介して気密に取り付
けられている。かかる構成により、不活性ガス１８を外
筒１２と内筒１６の間に導入し、外筒１２と内筒１６の
間を外方に窓部材の位置まで流すことができ、かつ、外
筒と内筒の間に導入された不活性ガス１８が内筒の開口
部１５以外から反応ハウジング１０内に入るのを阻止す
ることができる。
に一定の間隔を隔てて軸線方向に延びている。この間隔
は、不活性ガス１８の流れを阻害しない十分な大きさで
あるのがよい。また、外筒１２及び内筒１６は円筒であ
り、内筒１６の内端部１６ａは外筒１２の内面に例えば
Ｏ−リング等のシール部材２１ｂを介して気密に取り付
けられている。かかる構成により、不活性ガス１８を外
筒１２と内筒１６の間に導入し、外筒１２と内筒１６の
間を外方に窓部材の位置まで流すことができ、かつ、外
筒と内筒の間に導入された不活性ガス１８が内筒の開口
部１５以外から反応ハウジング１０内に入るのを阻止す
ることができる。
【００１５】ガス供給装置２０は、図示しない不活性ガ
ス貯蔵タンク、供給配管等と、外筒１２に設けられたガ
ス導入口２０ａとからなる。ガス導入口２０ａは、内筒
１６の内端部１６ａに近い位置に設けられるのがよい。
又、ガス供給装置２０により導入される不活性ガス１８
は、上述した反応ガスと反応しないガス、例えばアルゴ
ン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、窒素（Ｎ2 ）がよい。
ス貯蔵タンク、供給配管等と、外筒１２に設けられたガ
ス導入口２０ａとからなる。ガス導入口２０ａは、内筒
１６の内端部１６ａに近い位置に設けられるのがよい。
又、ガス供給装置２０により導入される不活性ガス１８
は、上述した反応ガスと反応しないガス、例えばアルゴ
ン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、窒素（Ｎ2 ）がよい。
【００１６】更に、外筒１２及び内筒１６の長さは、十
分長く、例えば直径の２倍以上であるのがよい。これに
より、外筒１２及び内筒１６の内部を反応ハウジング１
０に向かって軸方向に流れる不活性ガス１８の流れをほ
ぼ一様にでき、反応ハウジング１０から拡散する反応ガ
スの逆流を少量の不活性ガスにより阻止することができ
る。
分長く、例えば直径の２倍以上であるのがよい。これに
より、外筒１２及び内筒１６の内部を反応ハウジング１
０に向かって軸方向に流れる不活性ガス１８の流れをほ
ぼ一様にでき、反応ハウジング１０から拡散する反応ガ
スの逆流を少量の不活性ガスにより阻止することができ
る。
【００１７】内筒１６の外端部１６ｂは窓部材１４に隣
接している。この外端部１６ｂは、窓部材１４の内面か
ら一定の間隔を隔てた平板部を有しており、この平板部
にはレーザ光１１を通すように前述した開口部１５が設
けられている。窓部材１４と外端部１６ｂの平面部との
間隔は、窓部材１４に付着した異物（例えは、ほこり、
被覆材のちり）を不活性ガスの流れで吹き飛ばすように
十分小さく（例えば２〜３ｍｍに）するのがよい。
接している。この外端部１６ｂは、窓部材１４の内面か
ら一定の間隔を隔てた平板部を有しており、この平板部
にはレーザ光１１を通すように前述した開口部１５が設
けられている。窓部材１４と外端部１６ｂの平面部との
間隔は、窓部材１４に付着した異物（例えは、ほこり、
被覆材のちり）を不活性ガスの流れで吹き飛ばすように
十分小さく（例えば２〜３ｍｍに）するのがよい。
【００１８】図２は、内筒１６の外端部１６ｂを外方
（図で右側）から見た部分側面図である。この図で明ら
かなように、内筒の開口部１５は、レーザ光１１を遮蔽
しない範囲で、開口寸法が十分小さく定められている。
すなわち、反応ハウジング１０の内方に向かって軸方向
に流れる不活性ガス１８の流速が、レーザＣＶＤに用い
る反応ガスの拡散速度より十分大きいように、開口部１
５の開口寸法は十分小さく定められる。例えば、レーザ
光１１がスイープされて水平に通過する場合には、図示
のように、開口部１５は幅が５ｍｍ程度のスリットとす
るのがよく、レーザ光１１が一点のみを通過する場合に
は、開口部１５は直径が５ｍｍ程度の円形穴とするのが
よい。
（図で右側）から見た部分側面図である。この図で明ら
かなように、内筒の開口部１５は、レーザ光１１を遮蔽
しない範囲で、開口寸法が十分小さく定められている。
すなわち、反応ハウジング１０の内方に向かって軸方向
に流れる不活性ガス１８の流速が、レーザＣＶＤに用い
る反応ガスの拡散速度より十分大きいように、開口部１
５の開口寸法は十分小さく定められる。例えば、レーザ
光１１がスイープされて水平に通過する場合には、図示
のように、開口部１５は幅が５ｍｍ程度のスリットとす
るのがよく、レーザ光１１が一点のみを通過する場合に
は、開口部１５は直径が５ｍｍ程度の円形穴とするのが
よい。
【００１９】上述したように本発明によれば、ガス供給
装置２０により外筒１２と内筒１６の間に導入された不
活性ガス１８は、外筒と内筒の間を外方に窓部材１４の
位置まで軸方向に流れ、更に窓部材１４に沿って半径方
向に流れ、次いで反転して窓部材に隣接した内筒の開口
部１５を通って内筒の内側に軸方向に流入する。従っ
て、不活性ガスは開口部１５からレーザＣＶＤの反応ハ
ウジング内にレーザ光に沿って流入し、拡散により窓部
材に近ずく反応ガスを反応ハウジング１０内に押し戻す
ことができる。これにより、窓部材付近は常に不活性ガ
スで覆われ、反応ガスが存在せず、レーザＣＶＤにより
窓部材が被覆されることがなく、レーザ導入窓が曇るこ
とがない。
装置２０により外筒１２と内筒１６の間に導入された不
活性ガス１８は、外筒と内筒の間を外方に窓部材１４の
位置まで軸方向に流れ、更に窓部材１４に沿って半径方
向に流れ、次いで反転して窓部材に隣接した内筒の開口
部１５を通って内筒の内側に軸方向に流入する。従っ
て、不活性ガスは開口部１５からレーザＣＶＤの反応ハ
ウジング内にレーザ光に沿って流入し、拡散により窓部
材に近ずく反応ガスを反応ハウジング１０内に押し戻す
ことができる。これにより、窓部材付近は常に不活性ガ
スで覆われ、反応ガスが存在せず、レーザＣＶＤにより
窓部材が被覆されることがなく、レーザ導入窓が曇るこ
とがない。
【００２０】特に、内筒の開口部を内方に向かって軸方
向に流れる不活性ガスの流速が、レーザＣＶＤに用いる
反応ガスの拡散速度より十分大きいように、内筒の開口
部の寸法を十分小さく定めれば、不活性ガスの必要量が
少なく、従ってレーザＣＶＤの効率を低下させることな
くレーザ導入窓の曇りを防止することができる。
向に流れる不活性ガスの流速が、レーザＣＶＤに用いる
反応ガスの拡散速度より十分大きいように、内筒の開口
部の寸法を十分小さく定めれば、不活性ガスの必要量が
少なく、従ってレーザＣＶＤの効率を低下させることな
くレーザ導入窓の曇りを防止することができる。
【００２１】
【発明の効果】従って、本発明によれば、レーザ導入窓
の曇りを防止することができ、かつ不活性ガスの必要量
が少なく、従ってレーザＣＶＤの効率を低下させること
のないレーザ導入窓の曇り防止機構を提供することがで
きる。
の曇りを防止することができ、かつ不活性ガスの必要量
が少なく、従ってレーザＣＶＤの効率を低下させること
のないレーザ導入窓の曇り防止機構を提供することがで
きる。
【図１】本発明によるレーザ導入窓の曇り防止機構の全
体構成図である。
体構成図である。
【図２】内筒の部分側面図である。
【図３】レーザＣＶＤと従来のレーザ導入窓の曇り防止
機構の概略図である。
機構の概略図である。
１ 基板 ２ 反応ハウジング ３ 反応ガス ４ 窓 ５ エキシマレーザ光 ６ ノズル １０ 反応ハウジング １１ レーザ光 １２ 外筒 １２ａ 外端部 １４ 窓部材 １５ 開口部 １６ 内筒 １６ａ 内端部 １６ｂ 外端部 １７ 窓枠部材 １８ 不活性ガス ２０ ガス供給装置 ２１ａ、２１ｂ シール部材
Claims (3)
- 【請求項１】 レーザＣＶＤの反応ハウジング内に導入
されるレーザ光に沿って前記反応ハウジングから外方に
延びた外筒と、 前記外筒の外端部に気密に取り付けられ、レーザ光を透
過させる窓部材と、 前記外筒内面から一定の間隔を隔てて軸線方向に延び、
内端部が前記外筒内面に気密に取り付けられ、外端部が
前記窓部材に隣接しかつレーザ光を通す開口部を有する
内筒と、 前記外筒と内筒の間に不活性ガスを導入するガス供給装
置と、を備えることを特徴とするレーザ導入窓の曇り防
止機構。 - 【請求項２】 前記外筒及び内筒は円筒であり、前記ガ
ス供給装置は、内筒の内端部に近い前記外筒に不活性ガ
スを導入するガス導入口を有する、ことを特徴とする請
求項１に記載のレーザ導入窓の曇り防止機構。 - 【請求項３】 前記内筒の開口部を内方に向かって軸方
向に流れる不活性ガスの流速が、レーザＣＶＤに用いる
反応ガスの拡散速度より十分大きいように、前記開口寸
法が十分小さく定められている、ことを特徴とする請求
項１に記載のレーザ導入窓の曇り防止機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22969792A JPH0673548A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | レーザ導入窓の曇り防止機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22969792A JPH0673548A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | レーザ導入窓の曇り防止機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0673548A true JPH0673548A (ja) | 1994-03-15 |
Family
ID=16896291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22969792A Pending JPH0673548A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | レーザ導入窓の曇り防止機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0673548A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103801821A (zh) * | 2012-11-13 | 2014-05-21 | Ap系统股份有限公司 | 透光设备及具有所述透光设备的退火设备 |
-
1992
- 1992-08-28 JP JP22969792A patent/JPH0673548A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103801821A (zh) * | 2012-11-13 | 2014-05-21 | Ap系统股份有限公司 | 透光设备及具有所述透光设备的退火设备 |
| JP2014099608A (ja) * | 2012-11-13 | 2014-05-29 | Ap Systems Inc | 透光装置及びこれを備えるアニーリング装置 |
| CN103801821B (zh) * | 2012-11-13 | 2016-08-17 | Ap系统股份有限公司 | 透光设备及具有所述透光设备的退火设备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5229081A (en) | Apparatus for semiconductor process including photo-excitation process | |
| EP2177278B1 (en) | Method of cleaning substrate | |
| US5677113A (en) | Method for ashing a photoresist resin film on a semiconductor wafer and an asher | |
| JP2009268974A (ja) | 紫外線照射方法及び紫外線照射装置 | |
| JPH0673548A (ja) | レーザ導入窓の曇り防止機構 | |
| US4800284A (en) | Filter for isotopic alteration of mercury vapor | |
| JP2006016292A (ja) | 石英ガラス合成用バーナ及び石英ガラスの合成方法 | |
| JP3153666B2 (ja) | 気相成長装置およびその気相成長方法 | |
| DE29607581U1 (de) | UV-Flanschreaktor zur Einstrahlung von ultraviolettem Licht in ein Reaktionsmedium | |
| US6762412B1 (en) | Optical apparatus, exposure apparatus using the same, and gas introduction method | |
| JP5053487B2 (ja) | 防塵装置 | |
| US7463331B2 (en) | Exposure apparatus and method for manufacturing device | |
| JPS63224220A (ja) | 光励起プロセス装置 | |
| JPS6050918A (ja) | 半導体処理装置 | |
| JPS63111A (ja) | 光励起型有機金属気相成長装置 | |
| JP2005129630A (ja) | パージノズル及びそれを用いた露光装置並びにデバイス製造方法 | |
| JPH01241111A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2784706B2 (ja) | ガスレーザ装置 | |
| US5155367A (en) | Gas contamination-measuring apparatus for use with an ultraviolet-emitting laser source | |
| JPH0128830B2 (ja) | ||
| JPH11292551A (ja) | 合成石英ガラスの製造方法及びこの方法により得られた合成石英ガラス | |
| JPH0266174A (ja) | 光ｃｖｄ装置 | |
| JPH0279420A (ja) | 光励起ｃｖｄ装置 | |
| JP3000382B2 (ja) | 紫外光発光源及びこれを用いた光ｃｖｄ法 | |
| JPH08139025A (ja) | 結晶性シリコンの形成方法 |