JP2001179198A - 乾式洗浄装置 - Google Patents
乾式洗浄装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】銅や鉄などに代表される粒子状の無機物汚染物
質やフォトレジスト等の樹脂などに代表される有機物汚
染物質を共に効率良く除去できる乾式洗浄装置を提供す
ることにある。 【解決手段】高速エアを吹き付けて被処理物（３０）の
表面から粉塵を除去する集塵手段（ａ１）とこの集塵手
段による処理の直後、あるいは同時に２００ｎｍ以下に
放射光を有する紫外線ランプ（２１）によって放射され
た真空紫外線およびこれにより生成されるオゾンの作用
によって被処理物表面を洗浄する紫外線洗浄手段（ａ
２）を有することを特徴とする。
質やフォトレジスト等の樹脂などに代表される有機物汚
染物質を共に効率良く除去できる乾式洗浄装置を提供す
ることにある。 【解決手段】高速エアを吹き付けて被処理物（３０）の
表面から粉塵を除去する集塵手段（ａ１）とこの集塵手
段による処理の直後、あるいは同時に２００ｎｍ以下に
放射光を有する紫外線ランプ（２１）によって放射され
た真空紫外線およびこれにより生成されるオゾンの作用
によって被処理物表面を洗浄する紫外線洗浄手段（ａ
２）を有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は洗浄装置に関し、特
に被処理物の表面を洗浄する紫外線洗浄手段を有する乾
式洗浄装置に関するものである。
に被処理物の表面を洗浄する紫外線洗浄手段を有する乾
式洗浄装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体、液晶や電子部品の製造工程にお
いて、基板表面にさまざまな物質を塗布、付着また雰囲
気中で熱処理を行う工程があるが工程移動中に無機物や
有機物などの汚染物質が基板表面上に付着する。
いて、基板表面にさまざまな物質を塗布、付着また雰囲
気中で熱処理を行う工程があるが工程移動中に無機物や
有機物などの汚染物質が基板表面上に付着する。
【０００３】その汚染物質が基板上に存在すると最終的
にはデバイス性能を著しく損なったり、配線の断線、シ
ョートが発生したりし、歩留りの低下を引き起こす大き
な原因となっている。そのため半導体、液晶や電子部品
の製造工程においては、全工程にわたり基板表面上をい
かに清浄に保つかが歩留り向上に直結しており、基板表
面上を洗浄することの重要性が一段と高まっている。
にはデバイス性能を著しく損なったり、配線の断線、シ
ョートが発生したりし、歩留りの低下を引き起こす大き
な原因となっている。そのため半導体、液晶や電子部品
の製造工程においては、全工程にわたり基板表面上をい
かに清浄に保つかが歩留り向上に直結しており、基板表
面上を洗浄することの重要性が一段と高まっている。
【０００４】例えば、半導体製造工程で問題となる銅や
鉄などに代表される粒子状の無機物汚染物質やフォトレ
ジスト等の樹脂などに代表される有機物汚染物質を除去
するために、洗浄液として過酸化水素水をベースにした
ＲＣＡ洗浄方式の湿式洗浄装置が多数使用されている。
このＲＣＡ洗浄プロセスは複数の洗浄液を使用する洗浄
プロセスに対応し、洗浄液の混入を避けるために洗浄装
置は複数の洗浄槽を有し、また各洗浄液処理槽の間に超
純水リンス槽も配置されているマルチバス方式が主流で
ある。ここで用いられる洗浄液はアンモニア、硫酸、塩
酸、フッ酸などである。近年、洗浄液で洗浄後に超純水
で使用した洗浄液を希釈して洗い流し、更に超純水で完
全に水洗した後、次の薬液を投入するというひとつの処
理槽で対応するワンバス方式の湿式洗浄装置も使用され
てきている。また、より一層の洗浄能力向上のため、残
留微粒子除去のために洗浄液とブラシを組み合わたスク
ラブ洗浄装置や、洗浄液と超音波を組み合わせたメガソ
ニック洗浄装置などをＲＣＡ洗浄方式の湿式洗浄装置と
組み合わせた複合湿式洗浄装置が使用されている。
鉄などに代表される粒子状の無機物汚染物質やフォトレ
ジスト等の樹脂などに代表される有機物汚染物質を除去
するために、洗浄液として過酸化水素水をベースにした
ＲＣＡ洗浄方式の湿式洗浄装置が多数使用されている。
このＲＣＡ洗浄プロセスは複数の洗浄液を使用する洗浄
プロセスに対応し、洗浄液の混入を避けるために洗浄装
置は複数の洗浄槽を有し、また各洗浄液処理槽の間に超
純水リンス槽も配置されているマルチバス方式が主流で
ある。ここで用いられる洗浄液はアンモニア、硫酸、塩
酸、フッ酸などである。近年、洗浄液で洗浄後に超純水
で使用した洗浄液を希釈して洗い流し、更に超純水で完
全に水洗した後、次の薬液を投入するというひとつの処
理槽で対応するワンバス方式の湿式洗浄装置も使用され
てきている。また、より一層の洗浄能力向上のため、残
留微粒子除去のために洗浄液とブラシを組み合わたスク
ラブ洗浄装置や、洗浄液と超音波を組み合わせたメガソ
ニック洗浄装置などをＲＣＡ洗浄方式の湿式洗浄装置と
組み合わせた複合湿式洗浄装置が使用されている。
【０００５】粒子状の無機物汚染物質を除去する他の方
法の一つに、超音波高圧エアを基板表面上に吹き付け、
基板表面上から粒子状の無機物汚染物質を剥離し、真空
吸引装置を用いて吸引除去する超音波ドライクリーナー
なども使用されている。
法の一つに、超音波高圧エアを基板表面上に吹き付け、
基板表面上から粒子状の無機物汚染物質を剥離し、真空
吸引装置を用いて吸引除去する超音波ドライクリーナー
なども使用されている。
【０００６】有機物汚染物質を除去する方法として、波
長２００ｎｍ以下の真空紫外線を照射することにより、
真空紫外線およびこれにより生成されるオゾンの作用に
よって被処理体を処理する紫外線洗浄装置が使用されて
いる。このような紫外線洗浄装置に使用されているラン
プとしては、従来、水銀の共鳴線である波長185nmの真
空紫外線を放出する低圧水銀ランプが使用されていた
が、最近においては、一部が誘電体により構成された放
電容器に、エキシマ分子を形成する放電用ガスを充填
し、誘電体バリア放電（別名オゾナイザ放電あるいは無
声放電。電気学会発行改定新版「放電ハンドブック」平
成１年６月再販７刷発行第２６３ページ参照）によって
エキシマ分子を形成せしめ、該エキシマ分子から放射さ
れる光を利用するランプ、すなわち誘電体バリア放電ラ
ンプが使用されている。
長２００ｎｍ以下の真空紫外線を照射することにより、
真空紫外線およびこれにより生成されるオゾンの作用に
よって被処理体を処理する紫外線洗浄装置が使用されて
いる。このような紫外線洗浄装置に使用されているラン
プとしては、従来、水銀の共鳴線である波長185nmの真
空紫外線を放出する低圧水銀ランプが使用されていた
が、最近においては、一部が誘電体により構成された放
電容器に、エキシマ分子を形成する放電用ガスを充填
し、誘電体バリア放電（別名オゾナイザ放電あるいは無
声放電。電気学会発行改定新版「放電ハンドブック」平
成１年６月再販７刷発行第２６３ページ参照）によって
エキシマ分子を形成せしめ、該エキシマ分子から放射さ
れる光を利用するランプ、すなわち誘電体バリア放電ラ
ンプが使用されている。
【０００７】しかしながら、上記の洗浄装置においては
以下のような問題があった。 (1)．湿式洗浄装置は大型であるとともに、純水装置、
排水処理装置、乾燥装置等の付帯設備が必要でなり、装
置全体の設備導入費用が高価になるとともにランニング
コストも高価である。湿式洗浄装置で使用される洗浄液
は気化しやすく、製造工程内の環境汚染源となってい
る。近年の地球環境保全に対する配慮により、半導体、
液晶の製造工程で使用されている洗浄液などの使用量削
減や全廃が課題となっている。 (2)．ドライクリーナーは、有機物汚染物質を除去でき
ないことや高圧エアを基板表面上に吹き付けるために発
生する静電気により、逆に粒子状の無機物汚染物質を再
付着が発生することもあり、静電気除去を行うためにイ
オナイザー等の付帯設備を設ける必要がある。 (3)．紫外線洗浄装置は有機物汚染物質を除去に対して
は優れているが無機物汚染物質の除去にはほとんど効果
がない。
以下のような問題があった。 (1)．湿式洗浄装置は大型であるとともに、純水装置、
排水処理装置、乾燥装置等の付帯設備が必要でなり、装
置全体の設備導入費用が高価になるとともにランニング
コストも高価である。湿式洗浄装置で使用される洗浄液
は気化しやすく、製造工程内の環境汚染源となってい
る。近年の地球環境保全に対する配慮により、半導体、
液晶の製造工程で使用されている洗浄液などの使用量削
減や全廃が課題となっている。 (2)．ドライクリーナーは、有機物汚染物質を除去でき
ないことや高圧エアを基板表面上に吹き付けるために発
生する静電気により、逆に粒子状の無機物汚染物質を再
付着が発生することもあり、静電気除去を行うためにイ
オナイザー等の付帯設備を設ける必要がある。 (3)．紫外線洗浄装置は有機物汚染物質を除去に対して
は優れているが無機物汚染物質の除去にはほとんど効果
がない。
【０００８】そこで、半導体及び液晶製造会社よりコン
パクトでランニングコストが安く、かつ、洗浄液の使用
しないで粒子状の無機物汚染物質や有機物汚染物質を共
に効率良く除去できる乾式洗浄装置が強く要望されてい
る。
パクトでランニングコストが安く、かつ、洗浄液の使用
しないで粒子状の無機物汚染物質や有機物汚染物質を共
に効率良く除去できる乾式洗浄装置が強く要望されてい
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明が解決
しようとする課題は、銅や鉄などに代表される粒子状の
無機物汚染物質やフォトレジスト等の樹脂などに代表さ
れる有機物汚染物質を共に効率良く除去できる乾式洗浄
装置を提供することにある。
しようとする課題は、銅や鉄などに代表される粒子状の
無機物汚染物質やフォトレジスト等の樹脂などに代表さ
れる有機物汚染物質を共に効率良く除去できる乾式洗浄
装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、高速エアを吹き付けて被処理物の表面から粉塵を除
去する集塵手段とこの集塵手段による処理の直後、ある
いは同時に２００ｎｍ以下に放射光を有する紫外線ラン
プによって放射された真空紫外線およびこれにより生成
されるオゾンの作用によって被処理物表面を洗浄する紫
外線洗浄手段を有することを特徴とする。
に、高速エアを吹き付けて被処理物の表面から粉塵を除
去する集塵手段とこの集塵手段による処理の直後、ある
いは同時に２００ｎｍ以下に放射光を有する紫外線ラン
プによって放射された真空紫外線およびこれにより生成
されるオゾンの作用によって被処理物表面を洗浄する紫
外線洗浄手段を有することを特徴とする。
【００１１】図1に本発明にかかわる乾式洗浄装置を示
す。本乾式洗浄装置Ａは大きく分けて３つの部分より構
成されており、被照射物表面に付着する粒子状の無機物
汚染物質を良好に被照射物表面から剥離させ、かつ真空
吸引によって除去する部分いわゆる集塵装置ａ１、真空
紫外線およびこれにより生成されるオゾンの作用によっ
て被処理物表面を洗浄する紫外線照射装置ａ２、搬送装
置ａ３から成る。
す。本乾式洗浄装置Ａは大きく分けて３つの部分より構
成されており、被照射物表面に付着する粒子状の無機物
汚染物質を良好に被照射物表面から剥離させ、かつ真空
吸引によって除去する部分いわゆる集塵装置ａ１、真空
紫外線およびこれにより生成されるオゾンの作用によっ
て被処理物表面を洗浄する紫外線照射装置ａ２、搬送装
置ａ３から成る。
【００１２】集塵装置ａ１は、高速エアを発生させる高
圧ヘッド１０と高圧ヘッド１０より発生した高速エアを
被照射物に効率良く吹き付けるためのノズル１１と、高
速エアにより被照射物表面から剥離させ、粒子状の無機
物汚染物質を真空吸引を行うバキュームヘッド１２から
構成されている。また上記方法は集塵装置ａ１は、被照
射物と非接触であるために接触式のクリーナーに比べて
スクラッチの発生がない。
圧ヘッド１０と高圧ヘッド１０より発生した高速エアを
被照射物に効率良く吹き付けるためのノズル１１と、高
速エアにより被照射物表面から剥離させ、粒子状の無機
物汚染物質を真空吸引を行うバキュームヘッド１２から
構成されている。また上記方法は集塵装置ａ１は、被照
射物と非接触であるために接触式のクリーナーに比べて
スクラッチの発生がない。
【００１３】紫外線照射装置ａ２は、ステンレス製の容
器２０の内部に、１７２ｎｍにピーク波長を有する誘電
体バリア放電ランプ２１が複数配置されており、容器２
０の前方には真空紫外光を透過するための合成石英ガラ
スよりなる窓部材２２が配置されている。この容器２０
は密閉されており、誘電体バリア放電ランプ２１は大気
と隔離され、容器２０内には誘電体バリア放電ランプ２
１から放射される光に対して透過性であり真空紫外光を
吸収しない不活性体、例えば窒素、アルゴン、ネオン等
のガスが充満されている。反射鏡２３は必要によって設
けられるものであり、誘電体バリア放電ランプ２１から
放射される真空紫外光を効率良く窓部材２２の方向に反
射させるためのものである。誘電体バリア放電ランプ２
１は中空円筒状の放電容器内にエキシマ発光用ガスを充
填し、誘電体バリア放電を発生させることにより、エキ
シマが生成されてエキシマ光が放出されるものである。
誘電体バリア放電ランプ２１の放電容器を構成する材料
として、真空紫外線に対して透過性を有するもので実施
例では合成石英ガラスを用いた。本実施例で使用した誘
電体バリア放電ランプ２１は有効長２５０ｍｍ、ランプ
電力５０Ｗものであり、真空紫外光を発生させるためエ
キシマ発光用ガスとしてキセノンガスを用いている。ま
た、紫外線照射装置ａ２の内部には、誘電体バリア放電
ランプ２１が４本配置されている。誘電体バリア放電ラ
ンプについては、例えば、特許第２７７５６９７号、特
許第２８３６０５６号、特許第２７７５６９８号、特許
第２８５４２５０号、特許第２７７５６９９号等に開示
されている。なお本実施例において、紫外線ランプとし
て誘電体バリア放電ランプを用いたが、低圧水銀灯、ホ
ロカソードランプ、マイクロ波放電ランプ、高周波放電
ランプなど２００ｎｍ以下に放射光を有する紫外線ラン
プであれば、どのようなランプでも構わない。
器２０の内部に、１７２ｎｍにピーク波長を有する誘電
体バリア放電ランプ２１が複数配置されており、容器２
０の前方には真空紫外光を透過するための合成石英ガラ
スよりなる窓部材２２が配置されている。この容器２０
は密閉されており、誘電体バリア放電ランプ２１は大気
と隔離され、容器２０内には誘電体バリア放電ランプ２
１から放射される光に対して透過性であり真空紫外光を
吸収しない不活性体、例えば窒素、アルゴン、ネオン等
のガスが充満されている。反射鏡２３は必要によって設
けられるものであり、誘電体バリア放電ランプ２１から
放射される真空紫外光を効率良く窓部材２２の方向に反
射させるためのものである。誘電体バリア放電ランプ２
１は中空円筒状の放電容器内にエキシマ発光用ガスを充
填し、誘電体バリア放電を発生させることにより、エキ
シマが生成されてエキシマ光が放出されるものである。
誘電体バリア放電ランプ２１の放電容器を構成する材料
として、真空紫外線に対して透過性を有するもので実施
例では合成石英ガラスを用いた。本実施例で使用した誘
電体バリア放電ランプ２１は有効長２５０ｍｍ、ランプ
電力５０Ｗものであり、真空紫外光を発生させるためエ
キシマ発光用ガスとしてキセノンガスを用いている。ま
た、紫外線照射装置ａ２の内部には、誘電体バリア放電
ランプ２１が４本配置されている。誘電体バリア放電ラ
ンプについては、例えば、特許第２７７５６９７号、特
許第２８３６０５６号、特許第２７７５６９８号、特許
第２８５４２５０号、特許第２７７５６９９号等に開示
されている。なお本実施例において、紫外線ランプとし
て誘電体バリア放電ランプを用いたが、低圧水銀灯、ホ
ロカソードランプ、マイクロ波放電ランプ、高周波放電
ランプなど２００ｎｍ以下に放射光を有する紫外線ラン
プであれば、どのようなランプでも構わない。
【００１４】搬送装置ａ３は、シリコンウエハ３０が収
納されているカセットボックス３１からロボットアーム
３２を用いてシリコンウエハ３０を試料ステージ３３に
搬送し、その後試料ステージ３３ごと集塵装置ａ１や紫
外線照射装置ａ２に移動するいわゆるシャトル搬送を使
用した。本実施例ではシャトル搬送を用いたが被照射物
を集塵装置ａ１や紫外線照射装置ａ２の直下を搬送ロー
ラーを用いて搬送を行うこともできる。
納されているカセットボックス３１からロボットアーム
３２を用いてシリコンウエハ３０を試料ステージ３３に
搬送し、その後試料ステージ３３ごと集塵装置ａ１や紫
外線照射装置ａ２に移動するいわゆるシャトル搬送を使
用した。本実施例ではシャトル搬送を用いたが被照射物
を集塵装置ａ１や紫外線照射装置ａ２の直下を搬送ロー
ラーを用いて搬送を行うこともできる。
【００１５】上記仕様の乾式洗浄装置Ａを用いて洗浄実
験を行った。洗浄実験に用いたサンプルは次のような手
順で作製した。まず既存のシリコンウエハに対してＲＣ
Ａ洗浄を実施し、粒子状の無機物汚染物質を除去し、さ
らにシリコンウエハを５５０℃で加熱し有機物汚染物質
の除去を行った。その後クリーンルーム内にシリコンウ
エハを２０日放置し、有機物汚染物質をシリコンウエハ
上に強制的に堆積させた。なおシリコンウエハ上に堆積
した有機物汚染物質を特定するために、同条件にて放置
した分析用シリコンウエハを不活性気流中にて４００℃
で加熱を行い、シリコンウエハ表面より熱脱離した有機
物を吸着剤に捕集濃縮したのち、ガスクロマトグラフィ
ーで測定する、いわゆるウエーハ加熱脱離―ガスクロマ
トグラフィーー質量分析法(ＷＴＤ−ＧＣ−ＭＳ)で組成
分析を行った。検出された有機物汚染物質は、フタル酸
ジーｎ−ブチル(ＤＢＰ)やフタル酸ジー2−エチルヘキ
シル(ＤＯＰ)などであった。これらの有機物汚染物質は
デバイスの性能を著しく低下させる原因のものである。
粒子状の無機物汚染物質として粒子径が10.0、5.0、3.
0、1.0、0.5μmの５種類のシリコンビーズを有機物汚染
物質が堆積しているシリコンウエハ上に無策に散布し、
洗浄実験サンプルとした。
験を行った。洗浄実験に用いたサンプルは次のような手
順で作製した。まず既存のシリコンウエハに対してＲＣ
Ａ洗浄を実施し、粒子状の無機物汚染物質を除去し、さ
らにシリコンウエハを５５０℃で加熱し有機物汚染物質
の除去を行った。その後クリーンルーム内にシリコンウ
エハを２０日放置し、有機物汚染物質をシリコンウエハ
上に強制的に堆積させた。なおシリコンウエハ上に堆積
した有機物汚染物質を特定するために、同条件にて放置
した分析用シリコンウエハを不活性気流中にて４００℃
で加熱を行い、シリコンウエハ表面より熱脱離した有機
物を吸着剤に捕集濃縮したのち、ガスクロマトグラフィ
ーで測定する、いわゆるウエーハ加熱脱離―ガスクロマ
トグラフィーー質量分析法(ＷＴＤ−ＧＣ−ＭＳ)で組成
分析を行った。検出された有機物汚染物質は、フタル酸
ジーｎ−ブチル(ＤＢＰ)やフタル酸ジー2−エチルヘキ
シル(ＤＯＰ)などであった。これらの有機物汚染物質は
デバイスの性能を著しく低下させる原因のものである。
粒子状の無機物汚染物質として粒子径が10.0、5.0、3.
0、1.0、0.5μmの５種類のシリコンビーズを有機物汚染
物質が堆積しているシリコンウエハ上に無策に散布し、
洗浄実験サンプルとした。
【００１６】実験手順として、予めパーティクルカウン
タを用いてシリコンウエハ３０の表面上に存在するシリ
コンビーズの数量を測定したシリコンウエハ３０をカセ
ットボックス３１に収納しておく。乾式洗浄装置Ａを稼
動させ、ロボットアーム３２にてシリコンウエハ３０を
試料ステージ３３に設置し、試料ステージ３３ごと集塵
装置ａ１に移動させる。なお、シリコンウエハ３０の表
面と集塵装置ａ１のバキュームヘッド１３の空間距離ｄ
１は２ｍｍである。試料ステージ３３に配置されたシリ
コンウエハ３０の端部が集塵装置ａ１の下側を通過しは
じめた瞬間に、集塵装置ａ１の高圧ヘッド１０より発生
させた高速エアをノズル１１からシリコンウエハ３０の
表面上に吹き付けると同時に高速エアによりシリコンウ
エハ３０の表面から剥離させたシリコンビーズをバキュ
ームヘッド１２から真空吸引を行う。集塵装置ａ１で洗
浄されたシリコンウエハ３０を紫外線照射装置ａ２に移
動させ、紫外線照射装置ａ２の窓部材２２の直下で試料
ステージ３３を静止させ、紫外線照射装置ａ２より放射
される真空紫外線およびこれにより生成されるオゾンの
作用によってシリコンウエハ３０の表面に堆積している
有機物汚染物質の除去を行う。今回の実施例では紫外線
照射装置ａ２の窓部材２２とシリコンウエハ３０までの
距離ｄ２は２ｍｍで、真空紫外線の照射時間は６０秒と
した。集塵装置ａ１と紫外線照射装置ａ２にて洗浄が終
了したシリコンウエハ３０をカセットボックス３１に格
納する。格納されたシリコンウエハ３０を取り出し、パ
ーティクルカウンタを用いてシリコンビーズの残存数の
測定とＷＴＤ−ＧＣ−ＭＳによる有機物汚染物質の残存
測定を行い、洗浄前後におけるシリコンビーズの除去率
と有機物汚染物質の除去度合いで評価を行った。なお従
来技術と比較を行うために、集塵装置ａ１と紫外線照射
装置ａ２を単独で稼動させた場合の洗浄効果も合せて確
認した。
タを用いてシリコンウエハ３０の表面上に存在するシリ
コンビーズの数量を測定したシリコンウエハ３０をカセ
ットボックス３１に収納しておく。乾式洗浄装置Ａを稼
動させ、ロボットアーム３２にてシリコンウエハ３０を
試料ステージ３３に設置し、試料ステージ３３ごと集塵
装置ａ１に移動させる。なお、シリコンウエハ３０の表
面と集塵装置ａ１のバキュームヘッド１３の空間距離ｄ
１は２ｍｍである。試料ステージ３３に配置されたシリ
コンウエハ３０の端部が集塵装置ａ１の下側を通過しは
じめた瞬間に、集塵装置ａ１の高圧ヘッド１０より発生
させた高速エアをノズル１１からシリコンウエハ３０の
表面上に吹き付けると同時に高速エアによりシリコンウ
エハ３０の表面から剥離させたシリコンビーズをバキュ
ームヘッド１２から真空吸引を行う。集塵装置ａ１で洗
浄されたシリコンウエハ３０を紫外線照射装置ａ２に移
動させ、紫外線照射装置ａ２の窓部材２２の直下で試料
ステージ３３を静止させ、紫外線照射装置ａ２より放射
される真空紫外線およびこれにより生成されるオゾンの
作用によってシリコンウエハ３０の表面に堆積している
有機物汚染物質の除去を行う。今回の実施例では紫外線
照射装置ａ２の窓部材２２とシリコンウエハ３０までの
距離ｄ２は２ｍｍで、真空紫外線の照射時間は６０秒と
した。集塵装置ａ１と紫外線照射装置ａ２にて洗浄が終
了したシリコンウエハ３０をカセットボックス３１に格
納する。格納されたシリコンウエハ３０を取り出し、パ
ーティクルカウンタを用いてシリコンビーズの残存数の
測定とＷＴＤ−ＧＣ−ＭＳによる有機物汚染物質の残存
測定を行い、洗浄前後におけるシリコンビーズの除去率
と有機物汚染物質の除去度合いで評価を行った。なお従
来技術と比較を行うために、集塵装置ａ１と紫外線照射
装置ａ２を単独で稼動させた場合の洗浄効果も合せて確
認した。
【００１７】まず集塵装置ａ１を単独で稼動させ洗浄実
験を行った。その結果、粒子径が３μｍ以上のシリコン
ビーズの除去率は９９％以上で、粒子径が０．５及び
１．０μｍでは除去率が９７％であった。しかしなが
ら、ＷＴＤ−ＧＣ−ＭＳで有機物汚染物質の除去につい
て評価を行ったところ、ＤＢＰやＤＯＰなどの有機物汚
染物質は除去されていなかった。なお、集塵装置ａ１を
単独で稼動させて洗浄実験を行ったとき、高圧エアをシ
リコンウエハ３０に吹き付けたことにより静電気が発生
し、シリコンウエハ３０の帯電が生じた。この帯電は、
集塵処理自身においては、特に目立って無機物汚染物質
を付着させないが、その後被処理物を放置しておくと容
易に無機物汚染物質を付着させてしまう。
験を行った。その結果、粒子径が３μｍ以上のシリコン
ビーズの除去率は９９％以上で、粒子径が０．５及び
１．０μｍでは除去率が９７％であった。しかしなが
ら、ＷＴＤ−ＧＣ−ＭＳで有機物汚染物質の除去につい
て評価を行ったところ、ＤＢＰやＤＯＰなどの有機物汚
染物質は除去されていなかった。なお、集塵装置ａ１を
単独で稼動させて洗浄実験を行ったとき、高圧エアをシ
リコンウエハ３０に吹き付けたことにより静電気が発生
し、シリコンウエハ３０の帯電が生じた。この帯電は、
集塵処理自身においては、特に目立って無機物汚染物質
を付着させないが、その後被処理物を放置しておくと容
易に無機物汚染物質を付着させてしまう。
【００１８】次に紫外線照射装置ａ２を単独で稼動させ
洗浄実験を行った。その結果、シリコンビーズの除去効
果はほとんで確認できなかったが、ＤＢＰやＤＯＰなど
の有機物汚染物質は完全に除去された。また、紫外線照
射装置ａ２を単独で稼動させ洗浄実験を行った場合、シ
リコンウエハ３０の帯電が生じなかった。
洗浄実験を行った。その結果、シリコンビーズの除去効
果はほとんで確認できなかったが、ＤＢＰやＤＯＰなど
の有機物汚染物質は完全に除去された。また、紫外線照
射装置ａ２を単独で稼動させ洗浄実験を行った場合、シ
リコンウエハ３０の帯電が生じなかった。
【００１９】本願発明の集塵装置ａ１と紫外線照射装置
ａ２を組み合わせた乾式洗浄装置Ａで洗浄実験を行っ
た。その結果、粒子径が３μｍ以上のシリコンビーズの
除去率は９９％以上で、粒子径が０．５及び１．０μｍ
では除去率が９７％で、ＤＢＰやＤＯＰなどの有機物汚
染物質も完全に除去された。さらに集塵装置ａ１を単独
で稼動させ洗浄を行った時に発生したシリコンウエハ３
０の帯電も生じなかった。シリコンウエハ３０に帯電が
生じなかった理由は、真空紫外線の照射による静電気の
除去いわゆる除電が行われたからである。このように帯
電が生じないため、当該処理の後、被処理物を放置して
おいてとしても無機物汚染物質は当該被処理物質に付着
することはない。なお本実施例では集塵装置ａ１で洗浄
を行ったのちに紫外線照射装置ａ２で洗浄を行ったが、
集塵装置ａ１と紫外線照射装置ａ２の順番を入れ替えて
も、シリコンビーズとＤＢＰやＤＯＰなどの有機物汚染
物質の除去に関しては同様の結果となった。しかしなが
ら、紫外線照射装置ａ２を集塵装置ａ１の先に配置した
ため、真空紫外線の照射による静電気の除去効果が少な
く、シリコンウエハ３０が若干帯電が生じた。つまり、
集塵装置により処理を先に行い、その直後において紫外
線照射処理を行うことで両者を個別に行った場合に得ら
れる効果に加えて、集塵処理により発生する被処理物上
の帯電を紫外線照射処理で良好に消すことが可能になっ
て新規な効果を有することになる。
ａ２を組み合わせた乾式洗浄装置Ａで洗浄実験を行っ
た。その結果、粒子径が３μｍ以上のシリコンビーズの
除去率は９９％以上で、粒子径が０．５及び１．０μｍ
では除去率が９７％で、ＤＢＰやＤＯＰなどの有機物汚
染物質も完全に除去された。さらに集塵装置ａ１を単独
で稼動させ洗浄を行った時に発生したシリコンウエハ３
０の帯電も生じなかった。シリコンウエハ３０に帯電が
生じなかった理由は、真空紫外線の照射による静電気の
除去いわゆる除電が行われたからである。このように帯
電が生じないため、当該処理の後、被処理物を放置して
おいてとしても無機物汚染物質は当該被処理物質に付着
することはない。なお本実施例では集塵装置ａ１で洗浄
を行ったのちに紫外線照射装置ａ２で洗浄を行ったが、
集塵装置ａ１と紫外線照射装置ａ２の順番を入れ替えて
も、シリコンビーズとＤＢＰやＤＯＰなどの有機物汚染
物質の除去に関しては同様の結果となった。しかしなが
ら、紫外線照射装置ａ２を集塵装置ａ１の先に配置した
ため、真空紫外線の照射による静電気の除去効果が少な
く、シリコンウエハ３０が若干帯電が生じた。つまり、
集塵装置により処理を先に行い、その直後において紫外
線照射処理を行うことで両者を個別に行った場合に得ら
れる効果に加えて、集塵処理により発生する被処理物上
の帯電を紫外線照射処理で良好に消すことが可能になっ
て新規な効果を有することになる。
【００２０】図２のような集塵装置ａ１と紫外線照射装
置ａ２を同時に稼動させられる乾式洗浄装置Ｂの場合、
図１の乾式洗浄装置Ａよりも一層の洗浄効果が得られ
る。その効果とは、粒子径が０．５及び１．０μｍの除
去率が飛躍的に向上し除去率９９％となった。なお、Ｄ
ＢＰやＤＯＰなどの有機物汚染物質の除去とシリコンウ
エハ３０の帯電に関しては図１の乾式洗浄装置Ａと同様
であった。なお、粒子径が０．５及び１．０μｍの除去
率が９９％に向上した要因は、集塵装置ａ１より高圧エ
アをシリコンウエハ３０に吹き付けると同時に２００ｎ
ｍ以下に放射光を有する紫外線ランプを点灯させたこと
により、高圧エアの吹き付けることにより発生する静電
気が除去され、その結果として粒子径の小さなシリコン
ビーズの再付着が防止されたためである。また、集塵装
置ａ１を稼動させたときに、シリコンウエハ３０の裏面
から２００ｎｍ以下に放射光を有する紫外線ランプを点
灯させても静電気の除去ができた。
置ａ２を同時に稼動させられる乾式洗浄装置Ｂの場合、
図１の乾式洗浄装置Ａよりも一層の洗浄効果が得られ
る。その効果とは、粒子径が０．５及び１．０μｍの除
去率が飛躍的に向上し除去率９９％となった。なお、Ｄ
ＢＰやＤＯＰなどの有機物汚染物質の除去とシリコンウ
エハ３０の帯電に関しては図１の乾式洗浄装置Ａと同様
であった。なお、粒子径が０．５及び１．０μｍの除去
率が９９％に向上した要因は、集塵装置ａ１より高圧エ
アをシリコンウエハ３０に吹き付けると同時に２００ｎ
ｍ以下に放射光を有する紫外線ランプを点灯させたこと
により、高圧エアの吹き付けることにより発生する静電
気が除去され、その結果として粒子径の小さなシリコン
ビーズの再付着が防止されたためである。また、集塵装
置ａ１を稼動させたときに、シリコンウエハ３０の裏面
から２００ｎｍ以下に放射光を有する紫外線ランプを点
灯させても静電気の除去ができた。
【００２１】図１や図２に示される本実施例では、２０
０ｎｍ以下に放射光を有する紫外線ランプを１ヵ所のみ
に適用したが、複数配置することにより静電気の除去及
び有機物汚染物質の除去効果が飛躍的に向上する。従っ
て、本願発明の乾式洗浄装置は、高速エアを吹き付けて
被処理物表面から粉塵を除去する集塵手段と、この集塵
手段による処理の直前や直後、あるいは同時に２００ｎ
ｍ以下に放射光を有する紫外線ランプによって放射され
た真空紫外線およびこれにより生成されるオゾンの作用
によって被処理物表面を洗浄する紫外線洗浄手段を有す
ることで、コンパクトでランニングコストが安く、か
つ、洗浄液の使用しないで粒子状の無機物汚染物質や有
機物汚染物質を共に効率良く除去できる。さらに、高速
エアを吹き付けて被処理物表面から粉塵を除去する集塵
手段によって発生する静電気の除去手段として、２００
ｎｍ以下に放射光を有する紫外線ランプを用いることに
より、静電気を除去することができる。
０ｎｍ以下に放射光を有する紫外線ランプを１ヵ所のみ
に適用したが、複数配置することにより静電気の除去及
び有機物汚染物質の除去効果が飛躍的に向上する。従っ
て、本願発明の乾式洗浄装置は、高速エアを吹き付けて
被処理物表面から粉塵を除去する集塵手段と、この集塵
手段による処理の直前や直後、あるいは同時に２００ｎ
ｍ以下に放射光を有する紫外線ランプによって放射され
た真空紫外線およびこれにより生成されるオゾンの作用
によって被処理物表面を洗浄する紫外線洗浄手段を有す
ることで、コンパクトでランニングコストが安く、か
つ、洗浄液の使用しないで粒子状の無機物汚染物質や有
機物汚染物質を共に効率良く除去できる。さらに、高速
エアを吹き付けて被処理物表面から粉塵を除去する集塵
手段によって発生する静電気の除去手段として、２００
ｎｍ以下に放射光を有する紫外線ランプを用いることに
より、静電気を除去することができる。
【００２２】
【発明の効果】高速エアを吹き付けて被処理物表面から
粉塵を除去する集塵手段と、この集塵手段による処理の
直前や直後、あるいは同時に２００ｎｍ以下に放射光を
有する紫外線ランプによって放射された真空紫外線およ
びこれにより生成されるオゾンの作用によって被処理物
表面を洗浄する紫外線洗浄手段を有することによって、
銅や鉄などに代表される粒子状の無機物汚染物質やフォ
トレジスト等の樹脂などに代表される有機物汚染物質を
共に効率良く除去することができる。
粉塵を除去する集塵手段と、この集塵手段による処理の
直前や直後、あるいは同時に２００ｎｍ以下に放射光を
有する紫外線ランプによって放射された真空紫外線およ
びこれにより生成されるオゾンの作用によって被処理物
表面を洗浄する紫外線洗浄手段を有することによって、
銅や鉄などに代表される粒子状の無機物汚染物質やフォ
トレジスト等の樹脂などに代表される有機物汚染物質を
共に効率良く除去することができる。
【００２３】高速エアを吹き付けて被処理物表面から粉
塵を除去する集塵手段によって発生する静電気の除去手
段として、２００ｎｍ以下に放射光を有する紫外線ラン
プを有することにより、静電気を除去することができ
る。
塵を除去する集塵手段によって発生する静電気の除去手
段として、２００ｎｍ以下に放射光を有する紫外線ラン
プを有することにより、静電気を除去することができ
る。
【図１】本発明の乾式洗浄装置を示す。
【図２】本発明の乾式洗浄装置の他の発明を示す。
ａ１ 集塵装置 ａ２ 紫外線照射装置 ａ３ 搬送装置 ２１ 誘電体バリア放電ランプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3B116 AA02 AA03 AB14 AB42 BB22 BB72 BC01 4C058 AA30 BB06 BB07 CC04 CC06 EE23 JJ14 KK02 KK12 KK22 KK44
Claims (1)
- 【請求項１】高速エアを吹き付けて被処理物の表面から
粉塵を除去する集塵手段と、この集塵手段による処理の
直後、あるいは同時に波長２００ｎｍ以下にピークを有
する紫外光を放射する紫外線ランプによって放射された
真空紫外線、およびこれにより生成されるオゾンの作用
によって被処理物表面を洗浄する紫外線洗浄手段を有す
ることを特徴とした乾式洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37300999A JP3596397B2 (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | 乾式洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37300999A JP3596397B2 (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | 乾式洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001179198A true JP2001179198A (ja) | 2001-07-03 |
| JP3596397B2 JP3596397B2 (ja) | 2004-12-02 |
Family
ID=18501422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP37300999A Expired - Lifetime JP3596397B2 (ja) | 1999-12-28 | 1999-12-28 | 乾式洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3596397B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013532835A (ja) * | 2010-08-02 | 2013-08-19 | クラトス・アナリテイカル・リミテツド | イオン源の少なくとも一つの表面をクリーニングする方法及び装置 |
| KR20140032812A (ko) * | 2012-09-07 | 2014-03-17 | 삼성전자주식회사 | 유기 물질 제거 방법 및 유기 물질 제거 장치 |
| WO2017141738A1 (ja) * | 2016-02-17 | 2017-08-24 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| WO2018150628A1 (ja) * | 2017-02-14 | 2018-08-23 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| IT202100016046A1 (it) * | 2021-06-18 | 2022-12-18 | Simad S R L | Metodo e dispositivo per la disinfezione ad alto livello e la sterilizzazione di superfici |
-
1999
- 1999-12-28 JP JP37300999A patent/JP3596397B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013532835A (ja) * | 2010-08-02 | 2013-08-19 | クラトス・アナリテイカル・リミテツド | イオン源の少なくとも一つの表面をクリーニングする方法及び装置 |
| US9468953B2 (en) | 2010-08-02 | 2016-10-18 | Kratos Analytical Limited | Methods and apparatuses for cleaning at least one surface of an ion source |
| KR20140032812A (ko) * | 2012-09-07 | 2014-03-17 | 삼성전자주식회사 | 유기 물질 제거 방법 및 유기 물질 제거 장치 |
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| KR20180098618A (ko) * | 2016-02-17 | 2018-09-04 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| WO2017141738A1 (ja) * | 2016-02-17 | 2017-08-24 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| TWI671788B (zh) * | 2016-02-17 | 2019-09-11 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
| KR102118273B1 (ko) * | 2016-02-17 | 2020-06-02 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US11400480B2 (en) | 2016-02-17 | 2022-08-02 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| CN108475623B (zh) * | 2016-02-17 | 2022-09-27 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
| JP2018133414A (ja) * | 2017-02-14 | 2018-08-23 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
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| IT202100016046A1 (it) * | 2021-06-18 | 2022-12-18 | Simad S R L | Metodo e dispositivo per la disinfezione ad alto livello e la sterilizzazione di superfici |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3596397B2 (ja) | 2004-12-02 |
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