JPH0722530A - 静電気除去方法及びその装置 - Google Patents
静電気除去方法及びその装置Info
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- JPH0722530A JPH0722530A JP2448893A JP2448893A JPH0722530A JP H0722530 A JPH0722530 A JP H0722530A JP 2448893 A JP2448893 A JP 2448893A JP 2448893 A JP2448893 A JP 2448893A JP H0722530 A JPH0722530 A JP H0722530A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 極めて清浄な雰囲気を保持して効果的に静電
気を除去する。 【構成】 送風機８から風道２内に送風して気体を移動
させる。さらに、風道２内に配置された光源４から紫外
線を気体に放射し、この気体の分子を構成する原子間の
結合エネルギーを上廻る紫外線のエネルギーにより、分
子を構成原子に分解し、イオンを発生させる。このイオ
ンにより静電気を中和して静電気の除去を行う。
気を除去する。 【構成】 送風機８から風道２内に送風して気体を移動
させる。さらに、風道２内に配置された光源４から紫外
線を気体に放射し、この気体の分子を構成する原子間の
結合エネルギーを上廻る紫外線のエネルギーにより、分
子を構成原子に分解し、イオンを発生させる。このイオ
ンにより静電気を中和して静電気の除去を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体製造工程（プ
ロセス）などに利用し、紫外線を照射して気体のガス分
子をイオン化し、静電気を中和して除去する静電気除去
方法及びその装置に関する。
ロセス）などに利用し、紫外線を照射して気体のガス分
子をイオン化し、静電気を中和して除去する静電気除去
方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、帯電した静電気を除去するコロナ
放電装置が知られている。このコロナ放電装置を用いた
静電気の除去、いわゆる、除電は、金属の針電極、例え
ばタングステン針に高電圧を印加してコロナ放電を発生
させている。このコロナ放電によって気体分子を分解し
てイオンを発生させ、このイオンで帯電した静電気を中
和して除去している。
放電装置が知られている。このコロナ放電装置を用いた
静電気の除去、いわゆる、除電は、金属の針電極、例え
ばタングステン針に高電圧を印加してコロナ放電を発生
させている。このコロナ放電によって気体分子を分解し
てイオンを発生させ、このイオンで帯電した静電気を中
和して除去している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような従来例の静
電気除去装置では、コロナ放電の発生の際に、高電圧を
印加する金属の針電極（例えば、タングステン）が金属
微粒子として発生する。この金属微粒子が空気中に飛散
して浮遊する。すなわち、塵芥が発生する。さらに、コ
ロナ放電の発生の際にオゾンが発生してしまい、また、
電磁ノイズも発生し易い等々の欠点がある。このような
コロナ放電装置を静電気除去に用いた半導体製造工程で
は、半導体基板又は半導体素子に製造欠陥が多発し易
く、製造の歩留り低下の一因となっている。
電気除去装置では、コロナ放電の発生の際に、高電圧を
印加する金属の針電極（例えば、タングステン）が金属
微粒子として発生する。この金属微粒子が空気中に飛散
して浮遊する。すなわち、塵芥が発生する。さらに、コ
ロナ放電の発生の際にオゾンが発生してしまい、また、
電磁ノイズも発生し易い等々の欠点がある。このような
コロナ放電装置を静電気除去に用いた半導体製造工程で
は、半導体基板又は半導体素子に製造欠陥が多発し易
く、製造の歩留り低下の一因となっている。
【０００４】この発明は、このような従来の技術におけ
る欠点を解決するものであり、極めて清浄な雰囲気を保
持し、効果的に静電気を中和して除去できる静電気除去
方法及びその装置を提供することを一目的とする。さら
に、半導体製造工程における静電気を中和して除去し、
半導体基板などの製造欠陥の発生を効果的に阻止できる
静電気除去装置を提供することを他の目的とする。
る欠点を解決するものであり、極めて清浄な雰囲気を保
持し、効果的に静電気を中和して除去できる静電気除去
方法及びその装置を提供することを一目的とする。さら
に、半導体製造工程における静電気を中和して除去し、
半導体基板などの製造欠陥の発生を効果的に阻止できる
静電気除去装置を提供することを他の目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、請求項１記載の発明の静電気除去方法は、紫外線を
気体に照射し、この気体の分子を構成する原子間の結合
エネルギーを上廻る紫外線のエネルギーにより、分子を
構成原子に分解し、イオンを発生させ、このイオンによ
り静電気を中和して静電気の除去を行うことを特徴とし
ている。
に、請求項１記載の発明の静電気除去方法は、紫外線を
気体に照射し、この気体の分子を構成する原子間の結合
エネルギーを上廻る紫外線のエネルギーにより、分子を
構成原子に分解し、イオンを発生させ、このイオンによ
り静電気を中和して静電気の除去を行うことを特徴とし
ている。
【０００６】また、請求項２記載の発明の静電気除去装
置は、風道と、風道内に配置され、紫外線を気体に放射
して分子を構成原子に分解し、イオンを発生させる紫外
線放射手段と、風道内に送風して気体を移動させるため
の送風手段と、紫外線放射手段及び送風手段の電源とな
る電力供給手段とを備え、発生したイオンにより静電気
を中和して静電気の除去を行う構成である。
置は、風道と、風道内に配置され、紫外線を気体に放射
して分子を構成原子に分解し、イオンを発生させる紫外
線放射手段と、風道内に送風して気体を移動させるため
の送風手段と、紫外線放射手段及び送風手段の電源とな
る電力供給手段とを備え、発生したイオンにより静電気
を中和して静電気の除去を行う構成である。
【０００７】他の目的を達成するための請求項３記載の
発明の静電気除去装置は、半導体装置を処理するクリー
ンルーム又はクリーンベンチと、このクリーンルーム又
はクリーンベンチの吹出口近傍に設けられて紫外線を気
体に放射して分子を構成原子に分解し、イオンを発生さ
せる紫外線放射手段と、紫外線放射手段及び送風手段の
電源となる電力供給手段とを備え、発生したイオンによ
り静電気を中和して静電気の除去を行う構成である。
発明の静電気除去装置は、半導体装置を処理するクリー
ンルーム又はクリーンベンチと、このクリーンルーム又
はクリーンベンチの吹出口近傍に設けられて紫外線を気
体に放射して分子を構成原子に分解し、イオンを発生さ
せる紫外線放射手段と、紫外線放射手段及び送風手段の
電源となる電力供給手段とを備え、発生したイオンによ
り静電気を中和して静電気の除去を行う構成である。
【０００８】また、請求項４に記載の発明の静電気除去
装置では、半導体基板にレジスト液を配置するスピンコ
ート装置と、紫外線を気体に放射して分子を構成原子に
分解し、イオンを発生させる紫外線放射手段と、気体を
送風して移動させるとともにスピンコート装置の回転盤
に送風する送風手段と、紫外線放射手段及び送風手段の
電源となる電力供給手段とを備え、発生したイオンによ
り静電気を中和して静電気の除去を行う構成である。
装置では、半導体基板にレジスト液を配置するスピンコ
ート装置と、紫外線を気体に放射して分子を構成原子に
分解し、イオンを発生させる紫外線放射手段と、気体を
送風して移動させるとともにスピンコート装置の回転盤
に送風する送風手段と、紫外線放射手段及び送風手段の
電源となる電力供給手段とを備え、発生したイオンによ
り静電気を中和して静電気の除去を行う構成である。
【０００９】さらに、請求項５記載の発明の静電気除去
装置では、半導体基板の熱処理を行う電気炉と、電気炉
から突出して設けられるとともにガスが通流する石英管
と、石英管に接し又は近傍に配置されて、紫外線を気体
に放射して分子を構成原子に分解し、イオンを発生させ
る紫外線放射手段と、紫外線放射手段及び送風手段の電
源となる電力供給手段とを備え、発生したイオンにより
静電気を中和して静電気の除去を行う構成としている。
装置では、半導体基板の熱処理を行う電気炉と、電気炉
から突出して設けられるとともにガスが通流する石英管
と、石英管に接し又は近傍に配置されて、紫外線を気体
に放射して分子を構成原子に分解し、イオンを発生させ
る紫外線放射手段と、紫外線放射手段及び送風手段の電
源となる電力供給手段とを備え、発生したイオンにより
静電気を中和して静電気の除去を行う構成としている。
【００１０】
【作用】このような請求項１に記載の静電気除去方法で
は、紫外線を気体に照射し、気体のガス分子をイオン化
して発生したイオンにより、極めて清浄な雰囲気を保持
して静電気が除去される。
は、紫外線を気体に照射し、気体のガス分子をイオン化
して発生したイオンにより、極めて清浄な雰囲気を保持
して静電気が除去される。
【００１１】請求項２記載の静電気除去装置では、風道
内で、紫外線を気体に放射して分子を構成原子に分解し
てイオンを発生させる。さらに、送風して気体を移動さ
せるとともに、発生したイオンにより、静電気を中和し
て極めて清浄な雰囲気を保持して静電気を除去する。
内で、紫外線を気体に放射して分子を構成原子に分解し
てイオンを発生させる。さらに、送風して気体を移動さ
せるとともに、発生したイオンにより、静電気を中和し
て極めて清浄な雰囲気を保持して静電気を除去する。
【００１２】請求項３に記載の静電気除去装置では、半
導体装置を処理するクリーンルーム又はクリーンベンチ
の吹出口近傍で紫外線を気体に放射して分子を構成原子
に分解してイオンを発生させる。この発生したイオンに
より静電気を中和し、極めて清浄な雰囲気を保持して静
電気が除去され、クリーンルーム又はクリーンベンチで
の半導体基板の欠陥の発生を低減させる。
導体装置を処理するクリーンルーム又はクリーンベンチ
の吹出口近傍で紫外線を気体に放射して分子を構成原子
に分解してイオンを発生させる。この発生したイオンに
より静電気を中和し、極めて清浄な雰囲気を保持して静
電気が除去され、クリーンルーム又はクリーンベンチで
の半導体基板の欠陥の発生を低減させる。
【００１３】請求項４記載の静電気除去装置では、半導
体基板にレジスト液を塗布するスピンコート装置の近傍
で、紫外線を気体に放射して分子を構成原子に分解し、
イオンを発生させる。この発生したイオンにより静電気
を中和し、極めて清浄な雰囲気を保持し、静電気が除去
されてスピンコート装置での半導体基板の製造欠陥の発
生が低減する。
体基板にレジスト液を塗布するスピンコート装置の近傍
で、紫外線を気体に放射して分子を構成原子に分解し、
イオンを発生させる。この発生したイオンにより静電気
を中和し、極めて清浄な雰囲気を保持し、静電気が除去
されてスピンコート装置での半導体基板の製造欠陥の発
生が低減する。
【００１４】請求項５記載の静電気除去装置では、半導
体基板の熱処理を行う電気炉から突出して設けられた石
英管内の気体に紫外線を放射し、分子を構成原子に分解
してイオンを発生させる。この発生したイオンにより静
電気を中和して静電気を除去し、熱処理を行う電気炉で
の半導体基板の製造欠陥の発生が低減する。
体基板の熱処理を行う電気炉から突出して設けられた石
英管内の気体に紫外線を放射し、分子を構成原子に分解
してイオンを発生させる。この発生したイオンにより静
電気を中和して静電気を除去し、熱処理を行う電気炉で
の半導体基板の製造欠陥の発生が低減する。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の静電気除去方法及びその装置
の実施例を図面を参照して詳細に説明する。先ず、第１
の実施例を説明する。この第１の実施例は請求項１及び
請求項２に対応し、風道での静電気除去を行うものであ
る。図１は第１の実施例の構成を示す図である。図１に
おいて、この構成は、風道２内に設けられ、紫外線を照
射する水銀灯の光源４と、この光源４に接続される電源
６と、風道２内に送風し、ファンＦとモータＭとからな
る送風機８と、送風機８と接続される電源１０とを有し
ている。
の実施例を図面を参照して詳細に説明する。先ず、第１
の実施例を説明する。この第１の実施例は請求項１及び
請求項２に対応し、風道での静電気除去を行うものであ
る。図１は第１の実施例の構成を示す図である。図１に
おいて、この構成は、風道２内に設けられ、紫外線を照
射する水銀灯の光源４と、この光源４に接続される電源
６と、風道２内に送風し、ファンＦとモータＭとからな
る送風機８と、送風機８と接続される電源１０とを有し
ている。
【００１６】次に、この第１の実施例の構成における動
作及び機能について説明する。風道２を流れる気体に光
源４から紫外線Ｌを照射する。この紫外線Ｌにより気体
のガス分子をイオン化する。これによって静電気が中和
して除去される。
作及び機能について説明する。風道２を流れる気体に光
源４から紫外線Ｌを照射する。この紫外線Ｌにより気体
のガス分子をイオン化する。これによって静電気が中和
して除去される。
【００１７】以下、この静電気除去について詳細に説明
する。空気中に存在する気体は、周知のように窒素（Ｎ
2 ）、酸素（Ｏ2 ）、二酸化炭素（ＣＯ2 ）、水Ｈ
2 （Ｏ）、メタン（ＣＨ4 ）等である。表１は、このガ
ス分子の持つ化学結合エネルギーと、その波長の関係を
示したものである。
する。空気中に存在する気体は、周知のように窒素（Ｎ
2 ）、酸素（Ｏ2 ）、二酸化炭素（ＣＯ2 ）、水Ｈ
2 （Ｏ）、メタン（ＣＨ4 ）等である。表１は、このガ
ス分子の持つ化学結合エネルギーと、その波長の関係を
示したものである。
【００１８】
【表１】
【００１９】また、図２は、水銀灯と水素放電の紫外光
源の分光エネルギーの一例を示したものである。図２に
おいて、横軸は紫外光源の分光エネルギー、縦軸は強度
の相対値を示している。
源の分光エネルギーの一例を示したものである。図２に
おいて、横軸は紫外光源の分光エネルギー、縦軸は強度
の相対値を示している。
【００２０】ここでの静電気除去方法では、表１に示し
た分子が、図２に示すように各種波長の持つエネルギー
によって化学結合が解離し、この解離で発生したイオン
によって静電気を中和して除去している。
た分子が、図２に示すように各種波長の持つエネルギー
によって化学結合が解離し、この解離で発生したイオン
によって静電気を中和して除去している。
【００２１】次に、この作用を詳細に説明する。例えば
酸素（Ｏ2 ）の結合エネルギーは、表１に示すように４
９４ＫＪ／ｍｏｌであり、波長は２２５ｎｍである。こ
の波長２２５ｎｍより短い図２に示す波長領域では、酸
素分子を構成原子に分解するエネルギーとなる。したが
って、分子が解離してイオンとなり、この発生したイオ
ンによって高電圧に帯電した静電気を中和し、電位を低
下させて、その結果電位が零になり静電気が除去され
る。
酸素（Ｏ2 ）の結合エネルギーは、表１に示すように４
９４ＫＪ／ｍｏｌであり、波長は２２５ｎｍである。こ
の波長２２５ｎｍより短い図２に示す波長領域では、酸
素分子を構成原子に分解するエネルギーとなる。したが
って、分子が解離してイオンとなり、この発生したイオ
ンによって高電圧に帯電した静電気を中和し、電位を低
下させて、その結果電位が零になり静電気が除去され
る。
【００２２】図３は、このようにして静電気除去を行な
った結果を示している。図３において、横軸は紫外線照
射時間であり、縦軸は静電気の帯電電位を示している。
図３において、帯電電位が約２．０ｋＶの場合、自然放
電では紫外線照射時間である除電時間が５分経ても、帯
電電位は、ほとんど低減しない。ここで図１に示すよう
に、光源４から紫外線Ｌを照射し、さらに送風機８で送
風を行うと紫外線照射時間である除電時間が２分で略
０．２ｋＶまで低減し、帯電した静電気が効果的に除去
されている。
った結果を示している。図３において、横軸は紫外線照
射時間であり、縦軸は静電気の帯電電位を示している。
図３において、帯電電位が約２．０ｋＶの場合、自然放
電では紫外線照射時間である除電時間が５分経ても、帯
電電位は、ほとんど低減しない。ここで図１に示すよう
に、光源４から紫外線Ｌを照射し、さらに送風機８で送
風を行うと紫外線照射時間である除電時間が２分で略
０．２ｋＶまで低減し、帯電した静電気が効果的に除去
されている。
【００２３】なお、ここでの紫外線とは通常区分されて
いる近紫外線領域（波長３１４〜４００ｎｍ）や遠紫外
線（波長１００〜３１４ｎｍ）を含むとともに、ガス分
子が解離するエネルギーの範囲にある真空紫外領域（波
長０．２〜２００ｎｍ）や真空紫外領域と重畳する軟Ｘ
線（波長３０ｎｍ以下）などを含めて紫外線と定義す
る。
いる近紫外線領域（波長３１４〜４００ｎｍ）や遠紫外
線（波長１００〜３１４ｎｍ）を含むとともに、ガス分
子が解離するエネルギーの範囲にある真空紫外領域（波
長０．２〜２００ｎｍ）や真空紫外領域と重畳する軟Ｘ
線（波長３０ｎｍ以下）などを含めて紫外線と定義す
る。
【００２４】この第１の実施例では図１に示す光源４に
水銀灯を用いたが、この水銀灯に代えて水素放電管を使
用すれば、さらに効率の良いイオン化が行なわれて静電
気の除去効果が向上する。また、この第１の実施例で
は、従来行なわれていたコロナ放電による静電気の除去
に比較して、金属の微粒子の塵芥、オゾン、電磁ノイズ
などの発生がなくなり、極めて清浄な状態を保持して静
電気の除去が可能となる。
水銀灯を用いたが、この水銀灯に代えて水素放電管を使
用すれば、さらに効率の良いイオン化が行なわれて静電
気の除去効果が向上する。また、この第１の実施例で
は、従来行なわれていたコロナ放電による静電気の除去
に比較して、金属の微粒子の塵芥、オゾン、電磁ノイズ
などの発生がなくなり、極めて清浄な状態を保持して静
電気の除去が可能となる。
【００２５】次に、請求項３に対応する第２の実施例に
ついて説明する。この第２の実施例では、半導体製造工
程におけるクリーンルームでの静電気除去を行うもので
ある。図４は、この第２の実施例の構成を示す図であ
る。図４において、この構成では、クリーンルーム又は
クリーンベンチ１２の吹出口１４に紫外線を照射する水
銀灯の光源１６と、この光源１６に接続される電源１８
とが設けられている。
ついて説明する。この第２の実施例では、半導体製造工
程におけるクリーンルームでの静電気除去を行うもので
ある。図４は、この第２の実施例の構成を示す図であ
る。図４において、この構成では、クリーンルーム又は
クリーンベンチ１２の吹出口１４に紫外線を照射する水
銀灯の光源１６と、この光源１６に接続される電源１８
とが設けられている。
【００２６】次に、この第２の実施例の構成における動
作及び機能について説明する。クリーンルーム又はクリ
ーンベンチ１２は乾燥した空気ｐを吹出口１４から比較
的早い流速で送出するために、分子同士がこすれ合って
静電気を発生し易い。この発生した静電気が半導体基板
又は半導体素子などの試料に付着して、トラブルの原因
になる。
作及び機能について説明する。クリーンルーム又はクリ
ーンベンチ１２は乾燥した空気ｐを吹出口１４から比較
的早い流速で送出するために、分子同士がこすれ合って
静電気を発生し易い。この発生した静電気が半導体基板
又は半導体素子などの試料に付着して、トラブルの原因
になる。
【００２７】この構成では、光源１６の作用によって帯
電した静電気が除去される。この作用は、第１の実施例
で説明した動作及び機能と同様である。なお、光源１６
からの紫外線がクリーンルームやクリーンベンチ１２で
の半導体製造工程上又は作業者の眼に悪影響がある場合
は、紫外線が通過し、かつ、遮光するカバー１７を設け
ても良い。この第２の実施例では、クリーンルーム又は
クリーンベンチでの清浄雰囲気を汚すことなく静電気が
除去されて、半導体基板又は半導体素子の欠陥の発生を
効果的に阻止できる。
電した静電気が除去される。この作用は、第１の実施例
で説明した動作及び機能と同様である。なお、光源１６
からの紫外線がクリーンルームやクリーンベンチ１２で
の半導体製造工程上又は作業者の眼に悪影響がある場合
は、紫外線が通過し、かつ、遮光するカバー１７を設け
ても良い。この第２の実施例では、クリーンルーム又は
クリーンベンチでの清浄雰囲気を汚すことなく静電気が
除去されて、半導体基板又は半導体素子の欠陥の発生を
効果的に阻止できる。
【００２８】次に、請求項４に対応する第３の実施例に
ついて説明する。この第３の実施例では、半導体製造工
程におけるスピンコート装置での静電気除去を行うもの
である。図５は、この第３の実施例の構成を示す図であ
る。図５において、この構成では送風装置２０内に、空
気を吸入するための吸入孔２０ａが設けられている。さ
らに、送風装置２０内の吸入孔２０ａの近傍にファンＦ
とモータＭとからなる送風機２２が設けられている。
ついて説明する。この第３の実施例では、半導体製造工
程におけるスピンコート装置での静電気除去を行うもの
である。図５は、この第３の実施例の構成を示す図であ
る。図５において、この構成では送風装置２０内に、空
気を吸入するための吸入孔２０ａが設けられている。さ
らに、送風装置２０内の吸入孔２０ａの近傍にファンＦ
とモータＭとからなる送風機２２が設けられている。
【００２９】さらに、この構成は、紫外線を照射する水
銀灯の光源２４と、この光源２４に接続される電源２６
と、送風機２２の回転を通じて吸入孔２０ａから吸入し
た気体ｔが光源２４を通じて送出孔２０ｂから送風され
るスピンコート装置３０とを有している。この送出孔２
０ｂから送出される気体ｔは、半導体基板が配置される
スピンコート装置３０の回転盤３０ａに送風される。
銀灯の光源２４と、この光源２４に接続される電源２６
と、送風機２２の回転を通じて吸入孔２０ａから吸入し
た気体ｔが光源２４を通じて送出孔２０ｂから送風され
るスピンコート装置３０とを有している。この送出孔２
０ｂから送出される気体ｔは、半導体基板が配置される
スピンコート装置３０の回転盤３０ａに送風される。
【００３０】次に、この第３の実施例の構成における動
作及び機能について説明する。スピンコート装置３０の
回転盤３０ａ上の半導体基板が２０００〜１００００ｒ
ｐｍで回転する。この際、静電気が発生して半導体基板
に塵芥が付着する。この状態でホトレジスト液などを塗
布し、かつ、回転させてレジスト膜を形成すると塵芥が
付着した部分がピンホールとなって製造欠陥が発生す
る。
作及び機能について説明する。スピンコート装置３０の
回転盤３０ａ上の半導体基板が２０００〜１００００ｒ
ｐｍで回転する。この際、静電気が発生して半導体基板
に塵芥が付着する。この状態でホトレジスト液などを塗
布し、かつ、回転させてレジスト膜を形成すると塵芥が
付着した部分がピンホールとなって製造欠陥が発生す
る。
【００３１】ここで、送風装置２０内の光源２４で発生
した紫外線によりイオンが作られ、送風機２２によりス
ピンコート装置３０の回転盤３０ａに送風される。した
がって、静電気が除去された状態で、スピンコート装置
３０の回転盤３０ａ上の半導体基板にホトレジスト液を
塗布することが出来る。この場合、光源２４から照射さ
れる紫外線は、スピンコート装置３０に直接照射されな
いため、半導体基板上のホトレジスト液の硬化に悪影響
を与えない。ここでの静電気の除去作用は、第１の実施
例で説明した動作及び機能と同様である。また、スピン
コート装置３０に代えて、脱イオン水や有機溶媒などで
濡れた半導体基板を回転して乾燥するためのスピンドラ
イ装置に適用しても同一の作用効果が得られる。
した紫外線によりイオンが作られ、送風機２２によりス
ピンコート装置３０の回転盤３０ａに送風される。した
がって、静電気が除去された状態で、スピンコート装置
３０の回転盤３０ａ上の半導体基板にホトレジスト液を
塗布することが出来る。この場合、光源２４から照射さ
れる紫外線は、スピンコート装置３０に直接照射されな
いため、半導体基板上のホトレジスト液の硬化に悪影響
を与えない。ここでの静電気の除去作用は、第１の実施
例で説明した動作及び機能と同様である。また、スピン
コート装置３０に代えて、脱イオン水や有機溶媒などで
濡れた半導体基板を回転して乾燥するためのスピンドラ
イ装置に適用しても同一の作用効果が得られる。
【００３２】次に、請求項５に対応する第４の実施例に
ついて説明する。この第４の実施例では、半導体製造工
程における半導体基板の熱処理を行う電気炉での静電気
除去を行うものである。図６はこの第４の実施例の構成
を示す図である。図６において、この構成は、半導体基
板を熱処理するための電気炉３４と、この電気炉３４を
挟んで設けられた石英管３６ａ，３６ｂと、石英管３６
ａ，３６ｂに接して配置され、紫外線を照射する水銀灯
の光源３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄと、この光源３
８ａ〜３８ｄに接続される電源４０とを有している。
ついて説明する。この第４の実施例では、半導体製造工
程における半導体基板の熱処理を行う電気炉での静電気
除去を行うものである。図６はこの第４の実施例の構成
を示す図である。図６において、この構成は、半導体基
板を熱処理するための電気炉３４と、この電気炉３４を
挟んで設けられた石英管３６ａ，３６ｂと、石英管３６
ａ，３６ｂに接して配置され、紫外線を照射する水銀灯
の光源３８ａ，３８ｂ，３８ｃ，３８ｄと、この光源３
８ａ〜３８ｄに接続される電源４０とを有している。
【００３３】この第４の実施例の構成における動作及び
機能について説明する。電気炉３４に備える石英管３６
ａ，３６ｂの内部はガスｇが流れている。ガスｇが流れ
ることで発生した静電気によって、塵芥が半導体基板に
付着し、製造欠陥として歩留りの低下が生じる。この静
電気による塵芥の付着は特に乾燥ガスで熱処理を行う場
合に顕著である。
機能について説明する。電気炉３４に備える石英管３６
ａ，３６ｂの内部はガスｇが流れている。ガスｇが流れ
ることで発生した静電気によって、塵芥が半導体基板に
付着し、製造欠陥として歩留りの低下が生じる。この静
電気による塵芥の付着は特に乾燥ガスで熱処理を行う場
合に顕著である。
【００３４】この第４の実施例では、電気炉３４の入口
側に紫外線を照射する光源３８ａ，３８ｂを設けて電気
炉の内部に配置された半導体基板の静電気の除去を行
う。さらに、出口側に設けた光源３８ｃ，３８ｄで半導
体基板の取出し時の静電気の除去を行う。この二度の静
電気の除去によって効果的に半導体基板の製造欠陥を無
くすことが出来る。ここでの静電気の除去作用は、第１
の実施例で説明した動作及び機能と同様である。
側に紫外線を照射する光源３８ａ，３８ｂを設けて電気
炉の内部に配置された半導体基板の静電気の除去を行
う。さらに、出口側に設けた光源３８ｃ，３８ｄで半導
体基板の取出し時の静電気の除去を行う。この二度の静
電気の除去によって効果的に半導体基板の製造欠陥を無
くすことが出来る。ここでの静電気の除去作用は、第１
の実施例で説明した動作及び機能と同様である。
【００３５】なお、この実施例の他に、半導体基板を乾
燥する高圧の気体をノズルから吹き出してゴミを除去す
るエアガンにも同様に適用できる。また、光源は、水銀
灯にかかわらず紫外線の発生するものであれば、水素放
電管、希ガス放電管、ヘリウム放電管、ネオン放電管等
のいずれを用いても同様の作用効果が得られる。
燥する高圧の気体をノズルから吹き出してゴミを除去す
るエアガンにも同様に適用できる。また、光源は、水銀
灯にかかわらず紫外線の発生するものであれば、水素放
電管、希ガス放電管、ヘリウム放電管、ネオン放電管等
のいずれを用いても同様の作用効果が得られる。
【００３６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１記載の発明の静電気除去方法では、紫外線を気体に照
射し気体のガス分子をイオン化して発生したイオンによ
って、静電気を除去している。さらに、請求項２記載の
発明の静電気除去装置では、風道内で紫外線を気体に放
射して分子を構成原子に分解してイオンを発生させる。
さらに、送風して気体を移動させるとともに発生したイ
オンにより、静電気を中和して静電気を除去する。これ
によって従来行なわれていたコロナ放電による静電気除
去のように金属の微粒子の塵芥、オゾン、電磁ノイズ等
の発生がなくなり、極めて清浄な雰囲気を保持して効果
的に静電気を除去できるという効果を有する。
１記載の発明の静電気除去方法では、紫外線を気体に照
射し気体のガス分子をイオン化して発生したイオンによ
って、静電気を除去している。さらに、請求項２記載の
発明の静電気除去装置では、風道内で紫外線を気体に放
射して分子を構成原子に分解してイオンを発生させる。
さらに、送風して気体を移動させるとともに発生したイ
オンにより、静電気を中和して静電気を除去する。これ
によって従来行なわれていたコロナ放電による静電気除
去のように金属の微粒子の塵芥、オゾン、電磁ノイズ等
の発生がなくなり、極めて清浄な雰囲気を保持して効果
的に静電気を除去できるという効果を有する。
【００３７】請求項３記載の発明の静電気除去装置で
は、半導体装置を処理するクリーンルーム又はクリーン
ベンチの吹出口近傍で紫外線を気体に放射して分子を構
成原子に分解してイオンを発生させる。この発生したイ
オンにより静電気を中和し、極めて清浄な雰囲気を保持
して効果的に静電気を除去できるため、半導体製造工程
におけるクリーンルーム又はクリーンベンチでの半導体
基板の製造欠陥の発生を効果的に阻止できるという効果
を有する。
は、半導体装置を処理するクリーンルーム又はクリーン
ベンチの吹出口近傍で紫外線を気体に放射して分子を構
成原子に分解してイオンを発生させる。この発生したイ
オンにより静電気を中和し、極めて清浄な雰囲気を保持
して効果的に静電気を除去できるため、半導体製造工程
におけるクリーンルーム又はクリーンベンチでの半導体
基板の製造欠陥の発生を効果的に阻止できるという効果
を有する。
【００３８】請求項４記載の発明の静電気除去装置で
は、半導体基板にレジスト液を塗布するスピンコート装
置の近傍で紫外線を気体に放射して分子を構成原子に分
解し、イオンを発生させる。この発生したイオンにより
静電気を中和し、極めて清浄な雰囲気を保持して効果的
に静電気が除去されるため、半導体製造工程におけるス
ピンコート装置での半導体基板の製造欠陥の発生を効果
的に阻止できる。
は、半導体基板にレジスト液を塗布するスピンコート装
置の近傍で紫外線を気体に放射して分子を構成原子に分
解し、イオンを発生させる。この発生したイオンにより
静電気を中和し、極めて清浄な雰囲気を保持して効果的
に静電気が除去されるため、半導体製造工程におけるス
ピンコート装置での半導体基板の製造欠陥の発生を効果
的に阻止できる。
【００３９】請求項５記載の発明の静電気除去装置で
は、半導体基板の熱処理を行う電気炉から突出して設け
られた石英管内の気体に紫外線を放射して分子を構成原
子に分解してイオンを発生させる。この発生したイオン
により静電気を中和し、極めて清浄な雰囲気を保持して
効果的に静電気が除去されるため、半導体製造工程にお
ける熱処理を行う電気炉での半導体基板の製造欠陥の発
生を効果的に阻止できるという効果を有する。
は、半導体基板の熱処理を行う電気炉から突出して設け
られた石英管内の気体に紫外線を放射して分子を構成原
子に分解してイオンを発生させる。この発生したイオン
により静電気を中和し、極めて清浄な雰囲気を保持して
効果的に静電気が除去されるため、半導体製造工程にお
ける熱処理を行う電気炉での半導体基板の製造欠陥の発
生を効果的に阻止できるという効果を有する。
【図１】本発明の静電気除去方法及びその装置にあって
風道での静電気除去を行う第１の実施例の構成を示す図
である。
風道での静電気除去を行う第１の実施例の構成を示す図
である。
【図２】第１の実施例における紫外光源の分光エネルギ
ーを示す図である。
ーを示す図である。
【図３】第１の実施例における静電気除去の結果を示す
図である。
図である。
【図４】本発明の静電気除去装置におけるクリーンルー
ムでの静電気除去を行う第２の実施例の構成を示す図で
ある。
ムでの静電気除去を行う第２の実施例の構成を示す図で
ある。
【図５】本発明の静電気除去装置におけるスピンコート
装置での静電気除去する第３の実施例の構成を示す図で
ある。
装置での静電気除去する第３の実施例の構成を示す図で
ある。
【図６】本発明の静電気除去装置における半導体基板の
熱処理を行う電気炉での静電気除去を行う第４の実施例
の構成を示す図である。
熱処理を行う電気炉での静電気除去を行う第４の実施例
の構成を示す図である。
２ 風道 ４，１６，２４，３８ａ〜３８ｄ 光源 ８，２２ 送風機 １２ クリーンルーム又はクリーンベンチ ２０ 送風装置 ３０ スピンコート装置 ３４ 電気炉 ３６ａ，３６ｂ 石英管
Claims (5)
- 【請求項１】 紫外線を気体に照射し、この気体の分子
を構成する原子間の結合エネルギーを上廻る紫外線のエ
ネルギーにより、分子を構成原子に分解してイオンを発
生させ、このイオンにより静電気を中和して静電気の除
去を行うことを特徴とする静電気除去方法。 - 【請求項２】 風道と、この風道内に配置され、紫外線
を気体に放射して分子を構成原子に分解し、イオンを発
生させる紫外線放射手段と、風道内に送風して上記気体
を移動させるための送風手段と、上記紫外線放射手段及
び上記送風手段の電源となる電力供給手段とを備え、 発生したイオンにより静電気を中和して静電気の除去を
行うことを特徴とする静電気除去装置。 - 【請求項３】 半導体装置を処理するクリーンルーム又
はクリーンベンチと、上記クリーンルーム又はクリーン
ベンチの吹出口近傍に設けられて紫外線を気体に放射し
て分子を構成原子に分解し、イオンを発生させる紫外線
放射手段と、上記紫外線放射手段及び送風手段の電源と
なる電力供給手段とを備え、 発生したイオンにより静電気を中和して静電気の除去を
行うことを特徴とする静電気除去装置。 - 【請求項４】 半導体基板にレジスト液を塗布するスピ
ンコート装置と、紫外線を気体に放射して分子を構成原
子に分解し、イオンを発生させる紫外線放射手段と、上
記気体を送風して移動させるとともに上記スピンコート
装置の回転盤に送風する送風手段と、上記紫外線放射手
段及び送風手段の電源となる電力供給手段とを備え、 発生したイオンにより静電気を中和して静電気の除去を
行うことを特徴とする静電気除去装置。 - 【請求項５】 半導体基板の熱処理を行う電気炉と、上
記電気炉から突出して設けられるとともにガスが通流す
る石英管と、上記石英管に接し又は近傍に配置されて、
紫外線を気体に放射して分子を構成原子に分解し、イオ
ンを発生させる紫外線放射手段と、上記紫外線放射手段
及び送風手段の電源となる電力供給手段とを備え、 発生したイオンにより静電気を中和して静電気の除去を
行うことを特徴とする静電気除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5024488A JP2598363B2 (ja) | 1993-02-12 | 1993-02-12 | 静電気除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5024488A JP2598363B2 (ja) | 1993-02-12 | 1993-02-12 | 静電気除去装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722530A true JPH0722530A (ja) | 1995-01-24 |
| JP2598363B2 JP2598363B2 (ja) | 1997-04-09 |
Family
ID=12139577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5024488A Expired - Lifetime JP2598363B2 (ja) | 1993-02-12 | 1993-02-12 | 静電気除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2598363B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008060221A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Tokyo Electron Ltd | 基板の帯電防止装置及び帯電防止方法 |
| JP2009078961A (ja) * | 2007-09-04 | 2009-04-16 | Mitsubishi Materials Corp | クリーンベンチ |
| JP4616475B2 (ja) * | 1998-07-08 | 2011-01-19 | 大陽日酸株式会社 | 高清浄乾燥空気の製造供給システム及び方法 |
| US8226392B2 (en) * | 2008-06-02 | 2012-07-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Transfer apparatus and method of manufacturing device |
| JP2017228485A (ja) * | 2016-06-24 | 2017-12-28 | ウシオ電機株式会社 | イオン発生方法およびイオン発生装置 |
| KR20180077039A (ko) | 2016-12-28 | 2018-07-06 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 |
| TWI659493B (zh) * | 2017-01-31 | 2019-05-11 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | 基板處理裝置、基板處理系統以及基板處理方法 |
| US11400480B2 (en) | 2016-02-17 | 2022-08-02 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5912600A (ja) * | 1982-06-28 | 1984-01-23 | ジヨン・ダニエル・シエイヴア− | 敏感な製造区域における静電気を中和する装置および方法 |
| JPH03205855A (ja) * | 1990-01-08 | 1991-09-09 | Hitachi Ltd | 半導体装置の収納方法および半導体装置の収納装置 |
-
1993
- 1993-02-12 JP JP5024488A patent/JP2598363B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2598363B2 (ja) | 1997-04-09 |
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