JP2009078961A - クリーンベンチ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】多結晶シリコンが載せられる作業台2と、作業台2上方の空間に対して前面を除く三方を囲む側板8a、8b及びこれら側板8a、8bの上方を覆う天板を有するボックス4と、作業台2上面に清浄空気を供給する供給孔16aと、作業台2上面付近の空気を吸引する吸引孔10a、10bと、清浄空気をイオン化して作業台上面に吹き付けて、作業台2上の静電気を除去するイオナイザー20とを設ける。
【選択図】図2
Description
即ち、本発明に係るクリーンベンチは、多結晶シリコンが載せられる作業台と、前記作業台上方の空間に対して前面を除く三方を囲む側板及びこれら側板の上方を覆う天板を有するボックス体とを備えるとともに前記ボックス体の天板に、前記作業台上面に清浄空気を供給する供給孔が形成され、前記ボックス体の側板に前記作業台上面付近の空気を吸引する吸引孔が形成され、前記供給孔の付近に、前記清浄空気をイオン化して、前記作業台上の静電気を除去するイオナイザーが設けられたことを特徴としている。
この製造方法は、クロロシランガスと水素ガスとを含む原料ガスの反応により棒状多結晶シリコンを析出させるシリコン析出工程と、該棒状多結晶シリコンを破砕して多数のチャンク状の多結晶シリコンとする破砕工程もしくは棒状多結晶シリコンを所定の長さに切断してロッド状の多結晶シリコンを得る切断工程と、これら多結晶シリコンの表面に付着した不純物を酸を用いて除去する洗浄工程と、洗浄後の多結晶シリコンを純水槽に浸漬することで残留酸を除去する浸漬工程と、純水槽から引き揚げた多結晶シリコンを乾燥機に投入する乾燥工程と、乾燥後の多結晶シリコンの表面から静電気を除去して清浄化する清浄化工程と、これら清浄化した多結晶シリコンを単結晶シリコン製造工場に出荷のため梱包する梱包工程とを有している。
破砕工程は、シリコン析出工程によって製作された棒状多結晶シリコンRを例えば加熱、急冷して熱衝撃を付与することによりクラックを生じさせ、これをハンマーで叩いて破砕し、図4に示すようなチャンク状の多結晶シリコンCとするものである。
切断工程は、棒状多結晶シリコンRをダイヤモンドカッターを用いて所定の長さに切り出してロッド状の多結晶シリコンとする工程である。
洗浄工程はチャンク状又はロッド状にした多結晶シリコンを硝酸と弗酸からなる洗浄液で表面に付着した不純物を除去する工程であり、浸漬工程は、洗浄が終了した多結晶シリコンを純水槽に浸漬し、残留酸を除去する工程である。
乾燥工程は浸漬の終了した多結晶シリコンを真空乾燥機に投入し、多結晶シリコン表面から水分を除去する工程である。
この清浄化工程をチャンク状の多結晶シリコンCを対象として説明すると、図5に示すように、ポリエチレン製のトレー51の上に、同じくポリエチレン製のシート52を敷き、そのシート52の上に多数の多結晶シリコンCを載置する。これをトレー51毎、クリーンベンチ1の作業台2上に置き、上方からイオン化した清浄空気を供給した状態とする。この状態で、各多結晶シリコンCの一つずつについて、大きさや外観をチェックしながら選別し、ポリエチレン製の梱包袋53内に収納する。
なお、実施形態においては、チャンク状の多結晶シリコンの清浄化について説明したが、棒状多結晶シリコンをチャンク状の多結晶シリコンとする破砕工程か、所定長さのロッド状の多結晶シリコンとする切断工程かのいずれかの工程を経て、単結晶シリコン用原料としての多結晶シリコンとされ、ロッド状の多結晶シリコンの場合は、清浄化工程において、例えばロッド一つずつがシート52の上に乗せられ、清浄空気を当てながら外観検査等を経て、梱包袋に一つずつ収納される。
2 作業台
2c 作業台吸引孔(吸引孔)
3 作業空間
5 作業台連通路(連通路)
7 連通路
8a 側板
8b 側板
10a 吸引孔
10b 吸引孔
11 送風機
13 微粉末除去フィルター
15 高性能フィルター
16a 供給孔
20 イオナイザー
30 クリーンベンチユニット
40 反応炉
41 シリコン芯棒
42 原料供給管
43 ガス排出管
51 トレー
52 シート
53 梱包袋
R 棒状多結晶シリコン
C チャンク状の多結晶シリコン
Claims (5)
- 多結晶シリコンが載せられる作業台と、
前記作業台上方の空間に対して前面を除く三方を囲む側板及びこれら側板の上方を覆う天板を有するボックス体とを備えるとともに
前記ボックス体の天板に、前記作業台上面に清浄空気を供給する供給孔が形成され、
前記ボックス体の側板に前記作業台上面付近の空気を吸引する吸引孔が形成され、
前記供給孔の付近に、前記清浄空気をイオン化して、前記作業台上の静電気を除去するイオナイザーが設けられたことを特徴とするクリーンベンチ。 - 前記吸引孔と前記供給孔とを連通する連通路が設けられるとともに、該連通路にフィルターと送風機とが設けられていることを特徴とする請求項1に記載のクリーンベンチ。
- 前記フィルターは、前記送風機の上流に設けられた微粉末除去フィルターと、前記送風機の下流に設けられた高性能フィルターとからなることを特徴とする請求項2に記載のクリーンベンチ。
- クロロシランガスと水素ガスとを含む原料ガスの反応により棒状多結晶シリコンを析出させるシリコン析出工程と、該棒状多結晶シリコンを破砕して多数のチャンク状の多結晶シリコンとする破砕工程もしくは棒状多結晶シリコンを切断して所定長さのロッド状の多結晶シリコンとする切断工程と、これら多結晶シリコンの表面に付着した不純物を酸を用いて除去する洗浄工程と、洗浄後の多結晶シリコンを純水槽に浸漬することで該多結晶シリコンの表面から残留酸を除去する浸漬工程と、前記純水槽から引き揚げた多結晶シリコンを乾燥機に投入する乾燥工程と、乾燥後の多結晶シリコンの表面から静電気を除去して清浄化する清浄化工程とを有し、該清浄化工程は請求項1から3のいずれか一項に記載のクリーンベンチの前記作業台上で前記多結晶シリコンに前記清浄空気を接触させることにより行うことを特徴とする単結晶シリコン用原料の製造方法。
- クロロシランガスと水素ガスとを含む原料ガスの反応により棒状多結晶シリコンを析出させるシリコン析出工程と、該棒状多結晶シリコンを破砕して多数のチャンク状の多結晶シリコンとする破砕工程もしくは棒状多結晶シリコンを切断して所定長さのロッド状の多結晶シリコンとする切断工程と、これら多結晶シリコンの表面に付着した不純物を酸を用いて除去する洗浄工程と、洗浄後の多結晶シリコンを純水槽に浸漬することで該多結晶シリコンの表面から残留酸を除去する浸漬工程と、前記純水槽から引き揚げた多結晶シリコンを乾燥機に投入する乾燥工程と、乾燥後の多結晶シリコンの表面から静電気を除去して清浄化する清浄化工程とを有し、
前記清浄化工程は、作業台上面に前記多結晶シリコンを載せ、その上からイオン化した清浄空気を供給しながら前記作業台の側方に排出することにより、前記多結晶シリコンに前記清浄空気を接触させて静電気を除去することを特徴とする単結晶シリコン用原料の製造方法。
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