JPH06188227A - 光アッシング装置 - Google Patents
光アッシング装置Info
- Publication number
- JPH06188227A JPH06188227A JP4577191A JP4577191A JPH06188227A JP H06188227 A JPH06188227 A JP H06188227A JP 4577191 A JP4577191 A JP 4577191A JP 4577191 A JP4577191 A JP 4577191A JP H06188227 A JPH06188227 A JP H06188227A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- cathode
- oxygen
- chamber
- ashing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 比較的低い温度で高いアッシング速度を得る
ことができる光アッシング装置を提供する。 【構成】 真空チャンバ２内に、凹面状の内周面を有す
るリングのカソード３と、試料１を保持する保持台６と
が設けられている。真空チャンバ２には酸素（又はオゾ
ン）が導入・排出され、真空状態に近い低圧に保持され
る。カソード３には真空チャンバ２に対して負電圧が印
加される。 【作用】 カソード３の内側に円板状の電子ビーム放電
１２が発生し、この放電から紫外光が放射され、試料１
に直接照射される。紫外光によって生成されるラジカル
酸素と試料１上の有機物とが反応し、有機物が除去され
る。
ことができる光アッシング装置を提供する。 【構成】 真空チャンバ２内に、凹面状の内周面を有す
るリングのカソード３と、試料１を保持する保持台６と
が設けられている。真空チャンバ２には酸素（又はオゾ
ン）が導入・排出され、真空状態に近い低圧に保持され
る。カソード３には真空チャンバ２に対して負電圧が印
加される。 【作用】 カソード３の内側に円板状の電子ビーム放電
１２が発生し、この放電から紫外光が放射され、試料１
に直接照射される。紫外光によって生成されるラジカル
酸素と試料１上の有機物とが反応し、有機物が除去され
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体、液晶デイスプ
レイ、フォトマスク等の製造工程中のリソグラフィ工程
において使用済のレジストの剥離、不要な有機物のクリ
ーニング（アッシング）を行うアッシング装置に関し、
特に紫外線を用いてアッシングを行う光アッシング装置
に関する。
レイ、フォトマスク等の製造工程中のリソグラフィ工程
において使用済のレジストの剥離、不要な有機物のクリ
ーニング（アッシング）を行うアッシング装置に関し、
特に紫外線を用いてアッシングを行う光アッシング装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】リソグ
ラフィ工程において、シリコンウェハ等の試料上に塗ら
れたレジストを除去する技術として、有機溶剤、アルカ
リ等の剥離液によってレジスト等を分解する方法（ウェ
ット方式）が従来より知られているが、微細パターンで
は十分な除去ができない、反応生成物が再付着する、廃
液の処理の負担がある等の問題があった。そのため、最
近は下記のようなドライ方式のアッシング装置が使われ
ている。
ラフィ工程において、シリコンウェハ等の試料上に塗ら
れたレジストを除去する技術として、有機溶剤、アルカ
リ等の剥離液によってレジスト等を分解する方法（ウェ
ット方式）が従来より知られているが、微細パターンで
は十分な除去ができない、反応生成物が再付着する、廃
液の処理の負担がある等の問題があった。そのため、最
近は下記のようなドライ方式のアッシング装置が使われ
ている。
【０００３】 図４に示すように処理室１０１内に電
極１０２，１０３を設け、試料１を一方の電極１０３上
に載置し、低圧の（真空状態に近い）酸素雰囲気中で高
周波電圧を印加して（電圧発生器１０４によって）酸素
プラズマを発生させることにより、レジスト等を除去す
るようにしたプラズマアッシング装置。
極１０２，１０３を設け、試料１を一方の電極１０３上
に載置し、低圧の（真空状態に近い）酸素雰囲気中で高
周波電圧を印加して（電圧発生器１０４によって）酸素
プラズマを発生させることにより、レジスト等を除去す
るようにしたプラズマアッシング装置。
【０００４】 図５に示すように処理室１０５内にヒ
ータ１０７を有する支持台１０６、低圧水銀ランプ１０
８及び石英窓材１０９を設け、支持台１０６上の試料１
に、オゾン雰囲気中で紫外線を照射することによって、
レジスト等を除去するようにした光アッシング装置（Se
micon NEWS 1988.12,P47〜53）。
ータ１０７を有する支持台１０６、低圧水銀ランプ１０
８及び石英窓材１０９を設け、支持台１０６上の試料１
に、オゾン雰囲気中で紫外線を照射することによって、
レジスト等を除去するようにした光アッシング装置（Se
micon NEWS 1988.12,P47〜53）。
【０００５】上記及びの装置は、いずれも有機化合
物(ＣmＨnＯk)とラジカル酸素Ｏradとが下記式（１）に
示すような化学反応によって二酸化炭素と水に分解する
ことに着目したものであり、それぞれプラズマ又は紫外
線よってラジカル酸素を発生させている。
物(ＣmＨnＯk)とラジカル酸素Ｏradとが下記式（１）に
示すような化学反応によって二酸化炭素と水に分解する
ことに着目したものであり、それぞれプラズマ又は紫外
線よってラジカル酸素を発生させている。
【０００６】 Ｏrad＋ＣmＨnＯk＋Ｏrad→ＣＯ2＋Ｈ2Ｏ …（１） しかしながら上記の装置では、プラズマ中に存在する
荷電粒子がアッシング中に試料（例えばシリコンウェ
ハ）上の素子に損傷を与えることがあり、その損傷によ
ってＳｉ結晶、ＳiＯ2膜中に格子欠陥、トラップ中心を
形成させるとともに、試料の重金属汚染及びゲート酸化
膜等の絶縁破壊が発生する。また、上記の装置では、
荷電粒子に起因する問題は発生しないが、低圧水銀ラン
プの紫外線照度が低いため、半導体製造プロセスで用い
るにはレジストの除去速度が遅いという問題がある。こ
の点は試料を２００℃以上に加熱することにより改善可
能（除去速度をあげることが可能）であるが、加熱によ
る重金属汚染が問題となる。更に窓材１０９によって紫
外線の一部が遮断され、効率を低下させるという問題も
ある。
荷電粒子がアッシング中に試料（例えばシリコンウェ
ハ）上の素子に損傷を与えることがあり、その損傷によ
ってＳｉ結晶、ＳiＯ2膜中に格子欠陥、トラップ中心を
形成させるとともに、試料の重金属汚染及びゲート酸化
膜等の絶縁破壊が発生する。また、上記の装置では、
荷電粒子に起因する問題は発生しないが、低圧水銀ラン
プの紫外線照度が低いため、半導体製造プロセスで用い
るにはレジストの除去速度が遅いという問題がある。こ
の点は試料を２００℃以上に加熱することにより改善可
能（除去速度をあげることが可能）であるが、加熱によ
る重金属汚染が問題となる。更に窓材１０９によって紫
外線の一部が遮断され、効率を低下させるという問題も
ある。
【０００７】一方、図６に示すような紫外線ランプが既
に提案されている（アメリカ特許第４，７８２，２６７
号）。これは、処理室１１０内にリング状の電極１１１
及び支持台１１２を設け、リング電極１１１に処理室１
１０に対して負電圧を印加することにより、ディスク状
の電子ビーム放電１１２を発生させ、その放電によって
発生する紫外光を試料１に直接照射するようにしたもの
である。
に提案されている（アメリカ特許第４，７８２，２６７
号）。これは、処理室１１０内にリング状の電極１１１
及び支持台１１２を設け、リング電極１１１に処理室１
１０に対して負電圧を印加することにより、ディスク状
の電子ビーム放電１１２を発生させ、その放電によって
発生する紫外光を試料１に直接照射するようにしたもの
である。
【０００８】本発明は、上述の点に鑑みてなされたもの
であり、上記紫外線ランプを光アッシングに応用して上
記，の装置の問題点を解決し、低温状態で高い除去
速度を得ることができる光アッシング装置を提供するこ
とを目的とする。
であり、上記紫外線ランプを光アッシングに応用して上
記，の装置の問題点を解決し、低温状態で高い除去
速度を得ることができる光アッシング装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明は、表面に有機物が付着した試料を酸素又はオゾ
ン雰囲気中に置き、前記試料に紫外線を照射することに
よって前記有機物を除去する光アッシング装置であっ
て、酸素又はオゾンの少なくとも一方を真空状態に近い
低圧に保持しつつ導入及び排気が可能な気密性のある処
理室と、該処理室内に設けられ、該処理室に対して負電
圧が印加され、凹面状の内周面を有するリング状のカソ
ードと、前記処理室内の、前記カソードの軸方向に対向
する位置に前記試料を保持する保持手段とを有すること
を特徴とする光アッシング装置を提供するものである。
本発明は、表面に有機物が付着した試料を酸素又はオゾ
ン雰囲気中に置き、前記試料に紫外線を照射することに
よって前記有機物を除去する光アッシング装置であっ
て、酸素又はオゾンの少なくとも一方を真空状態に近い
低圧に保持しつつ導入及び排気が可能な気密性のある処
理室と、該処理室内に設けられ、該処理室に対して負電
圧が印加され、凹面状の内周面を有するリング状のカソ
ードと、前記処理室内の、前記カソードの軸方向に対向
する位置に前記試料を保持する保持手段とを有すること
を特徴とする光アッシング装置を提供するものである。
【００１０】
【作用】リング上のカソードの内側に電子ビーム放電が
発生し、この放電から紫外光が放射され、試料に直接照
射される。これにより、酸素からオゾンが生成され、オ
ゾンからラジカル酸素が生成される。ラジカル酸素と試
料上の有機物が反応して水と二酸化炭素に分解され、有
機物が除去される。
発生し、この放電から紫外光が放射され、試料に直接照
射される。これにより、酸素からオゾンが生成され、オ
ゾンからラジカル酸素が生成される。ラジカル酸素と試
料上の有機物が反応して水と二酸化炭素に分解され、有
機物が除去される。
【００１１】
【実施例】以下本発明の実施例を図面を参照して説明す
る。
る。
【００１２】図１は本発明の一実施例に係る光アッシン
グ装置の構成を示す図であり、真空チャンバ（処理室）
２の内部には、該チャンバ２の側壁に固定されたカソー
ドシェル４と、このカソードシェル４に支持され、凹面
状（Ｕ字状）の内周面を有するリング状のカソード３
と、試料１を載置する保持台（保持手段）６とが設けら
れている。カソード３とカソードシェル４との間隙５に
は絶縁体が挿入されており、カソード３と真空チャンバ
２とは絶縁されている。カソードシェル４にはカソード
３を冷却するための冷却水路（図示せず）が設けられて
いる。また、真空チャンバ２の内部上面には紫外線を反
射するための反射板７が設けられている。吸気ポート８
からは酸素又はオゾンが供給されるようになっており、
排気ポート９からチャンバ内のガスが真空ポンプ（図示
せず）によって排出される。
グ装置の構成を示す図であり、真空チャンバ（処理室）
２の内部には、該チャンバ２の側壁に固定されたカソー
ドシェル４と、このカソードシェル４に支持され、凹面
状（Ｕ字状）の内周面を有するリング状のカソード３
と、試料１を載置する保持台（保持手段）６とが設けら
れている。カソード３とカソードシェル４との間隙５に
は絶縁体が挿入されており、カソード３と真空チャンバ
２とは絶縁されている。カソードシェル４にはカソード
３を冷却するための冷却水路（図示せず）が設けられて
いる。また、真空チャンバ２の内部上面には紫外線を反
射するための反射板７が設けられている。吸気ポート８
からは酸素又はオゾンが供給されるようになっており、
排気ポート９からチャンバ内のガスが真空ポンプ（図示
せず）によって排出される。
【００１３】カソード３は直流電源１０の負電極に接続
されており、電源１０の正電極及び真空チャンバ２は接
地されている。従ってカソード３には真空チャンバ２に
対して負電圧が印加される。
されており、電源１０の正電極及び真空チャンバ２は接
地されている。従ってカソード３には真空チャンバ２に
対して負電圧が印加される。
【００１４】本装置によってレジスト等の除去を行う場
合には、チャンバ２内の空気を十分に排気した後、酸素
を供給してチャンバ内の酸素圧を所定圧（例えば0.1〜
１Ｔorr）に保持する。次いで、カソード３に負電圧
（例えば−７００Ｖ程度）を印加すると、図１に示すよ
うな円板状の電子ビーム放電（異常グロー放電）がカソ
ード３の内側に発生し、この放電１２から紫外光が放射
され、試料１に直接照射される。これにより、下記式
(２）〜（４)に示すように、酸素Ｏ2からオゾンＯ3が生
成され、オゾンＯ3からラジカル酸素Ｏradが生成され
る。特にこの反応に寄与する紫外光は波長が１３０nm付
近のものであると考えられる。
合には、チャンバ２内の空気を十分に排気した後、酸素
を供給してチャンバ内の酸素圧を所定圧（例えば0.1〜
１Ｔorr）に保持する。次いで、カソード３に負電圧
（例えば−７００Ｖ程度）を印加すると、図１に示すよ
うな円板状の電子ビーム放電（異常グロー放電）がカソ
ード３の内側に発生し、この放電１２から紫外光が放射
され、試料１に直接照射される。これにより、下記式
(２）〜（４)に示すように、酸素Ｏ2からオゾンＯ3が生
成され、オゾンＯ3からラジカル酸素Ｏradが生成され
る。特にこの反応に寄与する紫外光は波長が１３０nm付
近のものであると考えられる。
【００１５】 Ｏ2→Ｏ＋Ｏ …（２） Ｏ＋Ｏ2→Ｏ3 …（３） Ｏ3→Ｏrad＋Ｏ2 …（４） ラジカル酸素と試料１上の有機物（ＣmＨnＯk）とは前
記式（１）に示すように反応し、有機物が除去される。
記式（１）に示すように反応し、有機物が除去される。
【００１６】本実施例における作動条件としては、例え
ば酸素圧を0.5Ｔorrとし、カソード３に−６６７Ｖを印
加する（その時の電流値は0.34Ａ）とよい。
ば酸素圧を0.5Ｔorrとし、カソード３に−６６７Ｖを印
加する（その時の電流値は0.34Ａ）とよい。
【００１７】本実施例の装置では、図５に示す従来の装
置のように紫外線ランプと、試料との間に窓材を設けて
いないので、発生した紫外光を効率よく試料に照射する
ことができる。また、冷却手段を有するリング状のカソ
ード３によって紫外光を発生させることにより、波長の
広い範囲で効率良く真空紫外域を含む紫外光を得ること
ができる。その結果、低温で高いアッシング速度を得る
ことができる。
置のように紫外線ランプと、試料との間に窓材を設けて
いないので、発生した紫外光を効率よく試料に照射する
ことができる。また、冷却手段を有するリング状のカソ
ード３によって紫外光を発生させることにより、波長の
広い範囲で効率良く真空紫外域を含む紫外光を得ること
ができる。その結果、低温で高いアッシング速度を得る
ことができる。
【００１８】図３は、試料温度とアッシング速度との関
係を示す図であり、同図中のＡ，Ｂはそれぞれ本実施例
及び従来の装置の特性を示す。このように本実施例によ
れば、従来の装置に比べて低温で高いアッシング速度を
得ることができる。
係を示す図であり、同図中のＡ，Ｂはそれぞれ本実施例
及び従来の装置の特性を示す。このように本実施例によ
れば、従来の装置に比べて低温で高いアッシング速度を
得ることができる。
【００１９】図２は本発明の第２の実施例を示す図であ
り、図１の装置において、カソード３と試料１との間に
グリッド１１を設けたものである。このグリッド１１
は、チャンバ２及びカソード３とは電気的に絶縁されて
いる。
り、図１の装置において、カソード３と試料１との間に
グリッド１１を設けたものである。このグリッド１１
は、チャンバ２及びカソード３とは電気的に絶縁されて
いる。
【００２０】本実施例によれば、放電１２から飛び出す
荷電粒子によってグリッド１１が帯電し、荷電粒子が試
料１まで達することを防止することができる。すなわ
ち、前記第１の実施例では、放電１２からの荷電粒子が
試料１に達して損傷を与える可能性があるが、本実施例
によればこの点を改善することができる。
荷電粒子によってグリッド１１が帯電し、荷電粒子が試
料１まで達することを防止することができる。すなわ
ち、前記第１の実施例では、放電１２からの荷電粒子が
試料１に達して損傷を与える可能性があるが、本実施例
によればこの点を改善することができる。
【００２１】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、電
子ビーム放電から放射される紫外光が直接試料に照射さ
れるので、紫外光が効率よく試料に照射され、低温で高
いアッシング速度を得ることができる。その結果、重金
属の汚染を発生させることなく生産性の向上を図ること
ができる。
子ビーム放電から放射される紫外光が直接試料に照射さ
れるので、紫外光が効率よく試料に照射され、低温で高
いアッシング速度を得ることができる。その結果、重金
属の汚染を発生させることなく生産性の向上を図ること
ができる。
【図１】本発明の第１の実施例に係る光アッシング装置
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図２】本発明の第２の実施例に係る光アッシング装置
要部の構成を示す図である。
要部の構成を示す図である。
【図３】試料温度とアッシング速度の関係を示す図であ
る。
る。
【図４】従来のプラズマアッシング装置の構成を示す図
である。
である。
【図５】従来の光アッシング装置の構成を示す図であ
る。
る。
【図６】従来の紫外線ランプの構成を示す図である。
１ 試料 ２ 真空チャンバ（処理室） ３ カソード ４ カソードシェル ６ 保持台（保持手段） １０ 直流電源
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成３年６月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】
【作用】リング状のカソードの内側に垂直に加速された
電子によって励起された電子ビームがリング状のカソー
ドの面に維持される。これにより、酸素からラジカル酸
素およびオゾンが生成され、オゾンからラジカル酸素が
生成される。またラジカル酸素が紫外光を吸収してラジ
カル酸素の最低励起状態（共鳴励起酸素）が生成され
る。放電から放出されたラジカル酸素及び共鳴励起酸素
と試料上の有機物が反応して水と二酸化炭素に分解さ
れ、有機物が除去される。
電子によって励起された電子ビームがリング状のカソー
ドの面に維持される。これにより、酸素からラジカル酸
素およびオゾンが生成され、オゾンからラジカル酸素が
生成される。またラジカル酸素が紫外光を吸収してラジ
カル酸素の最低励起状態（共鳴励起酸素）が生成され
る。放電から放出されたラジカル酸素及び共鳴励起酸素
と試料上の有機物が反応して水と二酸化炭素に分解さ
れ、有機物が除去される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】図１は本発明の一実施例に係る光アッシン
グ装置の構成を示す図であり、真空チャンバ（処理室）
２の内部には、該チャンバ２の側壁に固定されたカソー
ドシェル４と、このカソードシェル４に支持され、凹面
状（円環状の等ポテンシャル面を作る効果を持つ）の内
周面を有するリング状のカソード３と、試料１を載置す
る保持台（保持手段）６とが設けられている。カソード
３とカソードシェル４との間隙５は（阻止グロー条件に
よって）放電の発生を妨げるように作られている。その
結果カソード３は真空チャンバ２に対しての負の高電圧
にたもたれる。（カソードシェル４がセラミックの場合
この間隙５を省略することもできる）カソードシェル４
にはカソード３を冷却するための冷却水路（図示せず）
が設けられている。また、真空チャンバ２の内部上面に
は紫外線を反射するための反射板７が設けられている。
吸気ポート８からは酸素又はオゾンが供給されるように
なっており、排気ポート９からチャンバ内のガスが真空
ポンプ（図示せず）によって排出され、チャンバ内のガ
ス圧は適正値に保たれる。
グ装置の構成を示す図であり、真空チャンバ（処理室）
２の内部には、該チャンバ２の側壁に固定されたカソー
ドシェル４と、このカソードシェル４に支持され、凹面
状（円環状の等ポテンシャル面を作る効果を持つ）の内
周面を有するリング状のカソード３と、試料１を載置す
る保持台（保持手段）６とが設けられている。カソード
３とカソードシェル４との間隙５は（阻止グロー条件に
よって）放電の発生を妨げるように作られている。その
結果カソード３は真空チャンバ２に対しての負の高電圧
にたもたれる。（カソードシェル４がセラミックの場合
この間隙５を省略することもできる）カソードシェル４
にはカソード３を冷却するための冷却水路（図示せず）
が設けられている。また、真空チャンバ２の内部上面に
は紫外線を反射するための反射板７が設けられている。
吸気ポート８からは酸素又はオゾンが供給されるように
なっており、排気ポート９からチャンバ内のガスが真空
ポンプ（図示せず）によって排出され、チャンバ内のガ
ス圧は適正値に保たれる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】カソード３は直流電源１０の負電極に電気
的に接続されており、電源１０の正電極及び真空チャン
バ２は接地されている。従ってカソード３には真空チャ
ンバ２に対して負電圧が印加される。
的に接続されており、電源１０の正電極及び真空チャン
バ２は接地されている。従ってカソード３には真空チャ
ンバ２に対して負電圧が印加される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】本装置によってレジスト等の除去を行う場
合には、チャンバ２内の空気を十分に排気した後、酸素
を供給してチャンバ内の酸素圧を所定圧（例えば0.1〜
１Ｔorr）に保持する。次いで、カソード３に負電圧
（例えば−７００Ｖ程度）を印加すると、図１に示すよ
うな円板状の電子ビーム放電（カソード３の内壁に沿っ
たカソードフォールで生成された内向きランアウェイ電
子によって支えられた）がカソード３の内側に発生し、
この放電１２から紫外光とラジカル酸素が試料に向かっ
て直接放出され、放電１２中では、下記式(２）〜（４)
に示すように、酸素Ｏ2からラジカル酸素Ｏradとオゾン
Ｏ3が生成され、オゾンＯ3からもラジカル酸素Ｏradが
生成される。主要な紫外光はラジカル酸素の最低励起状
態Ｏ*（共鳴励起酸素）から放出される波長が１３０nm
付近のものであってラジカル酸素Ｏradによって強く吸
収され下記式（５）に示す如く再度Ｏ*を生成すると考
えられる。
合には、チャンバ２内の空気を十分に排気した後、酸素
を供給してチャンバ内の酸素圧を所定圧（例えば0.1〜
１Ｔorr）に保持する。次いで、カソード３に負電圧
（例えば−７００Ｖ程度）を印加すると、図１に示すよ
うな円板状の電子ビーム放電（カソード３の内壁に沿っ
たカソードフォールで生成された内向きランアウェイ電
子によって支えられた）がカソード３の内側に発生し、
この放電１２から紫外光とラジカル酸素が試料に向かっ
て直接放出され、放電１２中では、下記式(２）〜（４)
に示すように、酸素Ｏ2からラジカル酸素Ｏradとオゾン
Ｏ3が生成され、オゾンＯ3からもラジカル酸素Ｏradが
生成される。主要な紫外光はラジカル酸素の最低励起状
態Ｏ*（共鳴励起酸素）から放出される波長が１３０nm
付近のものであってラジカル酸素Ｏradによって強く吸
収され下記式（５）に示す如く再度Ｏ*を生成すると考
えられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】 Ｏ2→Ｏrad＋Ｏrad …（２） Ｏrad＋Ｏ2→Ｏ3 …（３） Ｏ3→Ｏrad＋Ｏ2 …（４）Ｏ*⇔Ｏrad＋ｈν（１３０nm）…（５） ラジカル酸素と試料１表面上の有機物（ＣmＨnＯk）と
は前記式（１）に示すように反応し、有機物が表面から
除去される。
は前記式（１）に示すように反応し、有機物が表面から
除去される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】本実施例の装置では、図５に示す従来の装
置のように紫外線ランプと、試料との間に窓材を設けて
いないので、放電中で発生した紫外光およびラジカル酸
素を効率よく試料に照射することができる。また、冷却
手段を有するリング状のカソード３によって紫外光を発
生させることにより、動作条件波長の広い範囲で効率良
く真空紫外域を含む紫外光を得ることができる。その結
果、低温で高いアッシング速度を得ることができる。
置のように紫外線ランプと、試料との間に窓材を設けて
いないので、放電中で発生した紫外光およびラジカル酸
素を効率よく試料に照射することができる。また、冷却
手段を有するリング状のカソード３によって紫外光を発
生させることにより、動作条件波長の広い範囲で効率良
く真空紫外域を含む紫外光を得ることができる。その結
果、低温で高いアッシング速度を得ることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】図３は、試料温度とアッシング速度との関
係を示す図であり、同図中のＡ，Ｂはそれぞれ本実施例
及び（で説明したような）従来の装置の特性を示す。
このように本実施例によれば、従来の装置に比べて低温
で高いアッシング速度を得ることができる。Ａの場合の
アッシング速度の低い温度係数は試料表面で行われる化
学反応が（ラジカル酸素の最低励起状態Ｏ*のように）
有機化合物のすべての結合を破るに充分なエネルギーを
もった原子種にとって起こされていることを意味してい
る。
係を示す図であり、同図中のＡ，Ｂはそれぞれ本実施例
及び（で説明したような）従来の装置の特性を示す。
このように本実施例によれば、従来の装置に比べて低温
で高いアッシング速度を得ることができる。Ａの場合の
アッシング速度の低い温度係数は試料表面で行われる化
学反応が（ラジカル酸素の最低励起状態Ｏ*のように）
有機化合物のすべての結合を破るに充分なエネルギーを
もった原子種にとって起こされていることを意味してい
る。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】本実施例によれば、放電１２から飛び出す
荷電粒子によってグリッド１１が帯電することにより又
は外部からグリッド１１に適切なバイアス電位を与える
ことにより、放電１２からさまよい出た荷電粒子が試料
１まで達することを防止することができる。すなわち、
前記第１の実施例では、放電１２からの荷電粒子が試料
１に達して損傷を与える僅かな可能性があるが、本実施
例によればこの点を改善することができる。
荷電粒子によってグリッド１１が帯電することにより又
は外部からグリッド１１に適切なバイアス電位を与える
ことにより、放電１２からさまよい出た荷電粒子が試料
１まで達することを防止することができる。すなわち、
前記第１の実施例では、放電１２からの荷電粒子が試料
１に達して損傷を与える僅かな可能性があるが、本実施
例によればこの点を改善することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、電
子ビーム放電から放出されるラジカル酸素とそれをその
最低励起状態に励起する紫外光が直接試料に射出される
ので、励起エネルギーがよく試料に到達し、低温で高い
アッシング速度を得ることができる。その結果、重金属
の汚染を発生させることなく生産性の向上を図ることが
できる。
子ビーム放電から放出されるラジカル酸素とそれをその
最低励起状態に励起する紫外光が直接試料に射出される
ので、励起エネルギーがよく試料に到達し、低温で高い
アッシング速度を得ることができる。その結果、重金属
の汚染を発生させることなく生産性の向上を図ることが
できる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正方法】変更
【補正内容】
【図６】 参考とされた紫外線ランプの構成を示す図で
ある。 ─────────────────────────────────────────────────────
ある。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年３月９日
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図６】 参考とされた紫外線ランプの構成を示す図で
ある。
ある。
フロントページの続き (72)発明者 服部 秀三 愛知県愛知郡長久手町長湫武蔵塚42の１ (72)発明者 ジョージ ジェイ コリンズ アメリカ合衆国 80523 コロラド フォ ートコリンズ（番地なし） コロラドステ イトユニバーシティ デパートメント オ ブ エレクトリカルエンジニアリング (72)発明者 郁 曽期 アメリカ合衆国 80523 コロラド フォ ートコリンズ（番地なし） コロラドステ イトユニバーシティ デパートメント オ ブ エレクトリカルエンジニアリング
Claims (1)
- 【請求項１】 表面に有機物が付着した試料を酸素又は
オゾン雰囲気中に置き、前記試料に紫外線を照射するこ
とによって前記有機物を除去する光アッシング装置であ
って、酸素又はオゾンの少なくとも一方を真空状態に近
い低圧に保持しつつ導入及び排気が可能な気密性のある
処理室と、該処理室内に設けられ、該処理室に対して負
電圧が印加され、凹面状の内周面を有するリング状のカ
ソードと、前記処理室内の、前記カソードの軸方向に対
向する位置に前記試料を保持する保持手段とを有するこ
とを特徴とする光アッシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4577191A JPH06188227A (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | 光アッシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4577191A JPH06188227A (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | 光アッシング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06188227A true JPH06188227A (ja) | 1994-07-08 |
Family
ID=12728556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4577191A Pending JPH06188227A (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | 光アッシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06188227A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1187171A2 (en) * | 2000-09-07 | 2002-03-13 | Ushio Denki Kabushiki Kaisya | Processor and method for processing |
| JP2012004144A (ja) * | 2010-06-14 | 2012-01-05 | Ushio Inc | 光照射装置 |
-
1991
- 1991-02-18 JP JP4577191A patent/JPH06188227A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1187171A2 (en) * | 2000-09-07 | 2002-03-13 | Ushio Denki Kabushiki Kaisya | Processor and method for processing |
| JP2012004144A (ja) * | 2010-06-14 | 2012-01-05 | Ushio Inc | 光照射装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5753886A (en) | Plasma treatment apparatus and method | |
| JP3403781B2 (ja) | 半導体製造方法及び半導体製造装置 | |
| JPH05144716A (ja) | 荷電ビーム照射装置及び方法 | |
| KR0155565B1 (ko) | 에칭 및 플라즈마 처리방법 | |
| EP0212924A2 (en) | Plasma processing apparatus | |
| US20060180173A1 (en) | System and method for removal of materials from an article | |
| JPH06188227A (ja) | 光アッシング装置 | |
| CN101593669B (zh) | 等离子体处理腔室中原位紫外线处理方法及应力氮化硅膜的形成方法 | |
| JP2001237212A (ja) | 電子線処理方法および電子線処理装置 | |
| JP2598363B2 (ja) | 静電気除去装置 | |
| JPH0697075A (ja) | 薄膜堆積室のプラズマクリーニング方法 | |
| JPS6113634A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2002083803A (ja) | エッチング装置やアッシング装置といったようなドライプロセッシング装置 | |
| JPH05259124A (ja) | 半導体装置の製造法 | |
| JPS62154736A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JP3567545B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3294242B2 (ja) | 荷電ビーム照射方法 | |
| JPH0429220B2 (ja) | ||
| JPS62237733A (ja) | 酸化方法とその装置 | |
| JPH01189123A (ja) | 高分子樹脂被膜の除去方法 | |
| JPH07169743A (ja) | 表面処理方法 | |
| KR920009983B1 (ko) | 유기물 재의 제거장치 | |
| JPH05243138A (ja) | 紫外線発生装置およびそれを用いた処理方法 | |
| JPS61191037A (ja) | エツチング方法 | |
| JP2827527B2 (ja) | フォトレジスト除去装置 |