KR101811078B1 - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 - Google Patents

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 Download PDF

Info

Publication number
KR101811078B1
KR101811078B1 KR1020130013263A KR20130013263A KR101811078B1 KR 101811078 B1 KR101811078 B1 KR 101811078B1 KR 1020130013263 A KR1020130013263 A KR 1020130013263A KR 20130013263 A KR20130013263 A KR 20130013263A KR 101811078 B1 KR101811078 B1 KR 101811078B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
module
unit block
ultraviolet
irradiation
Prior art date
Application number
KR1020130013263A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130091272A (ko
Inventor
마사토시 가네다
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20130091272A publication Critical patent/KR20130091272A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101811078B1 publication Critical patent/KR101811078B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명의 과제는 웨이퍼(W)에 대해 자외선을 조사하여 처리를 행하는 데 있어 자외선 조사부의 광원의 교환 주기를 길게 할 수 있고, 또한 처리량의 저하를 억제하는 것이다.
액처리 모듈 및 자외선 조사 모듈을 포함하여, 서로 동일한 일련의 처리를 행하기 위한 복수의 단위 블록에 웨이퍼(W)를 배분하여 전달한다. 그리고 하나의 단위 블록의 자외선 조사 모듈의 조도 검출값이 설정값 이하로 된 후는 다른 단위 블록을 사용하고, 상기 하나의 단위 블록으로 이미 전달된 웨이퍼(W)에 대해서는 조사 시간을 조도 검출값에 따른 길이로 조정하여 조사를 행하고, 그 후 조사 모듈의 광원을 교환한다. 또한 하나의 단위 블록의 조사용 광원의 사용 시간이 설정 시간에 도달했을 때, 그 단위 블록으로의 웨이퍼(W)의 전달을 멈추고, 하나의 단위 블록으로 이미 전달된 웨이퍼(W)에 대해서는 통상의 조사 처리를 행한다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 {SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS, SUBSTRATE TREATMENT METHOD AND STORAGE MEDIUM}
본 발명은, 기판에 대해 액 처리를 행하는 모듈과 자외선 조사를 행하는 모듈을 사용한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 기술 분야에 관한 것이다.
반도체 제조 공정의 하나인 포토레지스트 공정에 있어서는, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라 함)의 표면에 레지스트를 도포하고, 이 레지스트를 소정의 패턴으로 노광한 후에 현상하여 레지스트 패턴을 형성하고 있다. 이 레지스트 패턴의 형성은 레지스트 등의 각종 도포막의 형성 처리 및 현상 처리를 행하는 도포, 현상 장치에 노광 처리를 행하는 노광 장치를 접속한 시스템에 의해 행하고 있다.
도포, 현상 장치에 설치되는 모듈의 하나로서, 웨이퍼의 패턴 영역의 외측인 주연부의 레지스트막이 현상 시에 남지 않도록, 레지스트막이 형성된 후의 웨이퍼의 주연부를 노광하는 주연 노광 모듈이 있다. 이 모듈은, 예를 들어 수은 램프나 크세논 램프를 광원으로하여 웨이퍼의 주연부에 대해 자외선을 조사하는 것이지만, 램프에는 사용 수명이 있다. 이로 인해, 램프의 교환 시기를 정하여, 교환 시기가 도래했을 때에 알람을 출력하여, 램프를 교환하도록 하고 있다.
한편, 이와 같은 램프 교환 등의 메인터넌스를 행하고 있을 때에도 웨이퍼의 처리를 계속할 수 있도록, 주연 노광 모듈 등을 포함하는 단위 블록을 이중화하는 것이 검토되고 있다(특허 문헌 1). 이 경우, 웨이퍼를 양쪽의 단위 블록으로 나누어 반송하는 동시에, 한쪽의 단위 블록을 메인터넌스할 때에는, 혹은 한쪽의 단위 블록에 트러블이 발생했을 때 등에는, 특허 문헌 2와 같이 다른 쪽의 단위 블록을 사용할 수 있다.
그런데, 램프의 사용 수명이 다하면, 해당 램프를 전혀 사용할 수 없게 되므로, 노광 전의 도포막을 형성하기 위한 처리를 행하고 있는 웨이퍼를 하류측으로 흘릴 수 없게 되어 버려, 그들 잔류 웨이퍼를 회수해야만 해, 장치의 운전 효율이 떨어져 버린다. 한편, 램프 각각에 사용 수명의 편차가 있으므로, 램프의 교환 시기에 대해서는 마진을 보고 실제의 사용 수명보다도 이른 시기가 설정된다. 이로 인해, 주연 노광 모듈의 러닝 코스트가 높아지고, 또한 메인터넌스 빈도가 높아졌다. 또한, 램프의 조도가 떨어져 왔을 때에, 그 저하분에 따라서 노광 시간을 길게 하여 주연 노광을 행하는 것(적산 노광)도 알려져 있지만, 이 경우에도 사용 수명에 도달하여 조도가 하한값을 하회하면, 상기 처리를 행하고 있는 웨이퍼를 흘릴 수 없게 되어 버려, 적산 노광은 처리 시간이 길기 때문에 처리량 저하의 요인이 된다.
또한, 웨이퍼 등의 기판에 자외선을 조사하는 처리로서는, 주연 노광 외에 유기물을 제거하는 처리나 실리콘 산화막 등의 절연막을 개질하는 처리가 있다. 이와 같은 처리를 행하는 자외선 조사 모듈은, 예를 들어 낱장 세정을 행하는 모듈이나, 실리콘 산화막용 약액 도포 모듈 등과 함께, 반송로를 포함하는 블록 내에 배치되는 경우가 있다. 이와 같은 경우에 있어서도 동일한 과제가 있다.
일본 특허 출원 공개 제2008-277528 일본 특허 출원 공개 제2009-278138
본 발명은 이와 같은 사정 하에 이루어진 것으로, 그 목적은 기판에 대해 자외선을 조사하여 처리를 행하는 데 있어서, 자외선 조사 모듈의 광원의 교환 주기를 길게 할 수 있고, 또한 처리량의 저하를 억제할 수 있는 기술을 제공하는 데 있다.
본 발명에 관한 기판 처리 장치는 서로 동일한 일련의 처리를 행하기 위한 복수의 단위 블록에, 캐리어로부터 불출된 동일 로트 내의 기판을 전달 기구에 의해 배분하도록 구성되고,
각 단위 블록은 기판에 대해 처리액을 공급하는 액처리 모듈과, 기판에 자외선을 조사하기 위한 자외선 조사 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하는 기판 반송 기구를 구비하고 있는 기판 처리 장치에 있어서,
상기 자외선 조사 모듈의 광원의 조도를 검출하는 조도 검출부와,
상기 복수의 단위 블록 중 하나의 단위 블록의 자외선 조사 모듈에 대해 조도 검출값이 설정값 이하로 되었을 때에, 당해 하나의 단위 블록으로의 기판의 전달을 멈추는 동시에, 후속 기판을 다른 단위 블록으로 전달하도록 상기 전달 기구를 제어하고, 또한 상기 하나의 단위 블록으로 이미 전달된 기판에 대해서는, 조사 시간을 상기 조도 검출값에 따른 길이로 조정하여 조사를 행하도록 상기 자외선 조사 모듈을 제어하는 제어부를 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기판 처리 방법은 서로 동일한 일련의 처리를 행하기 위한 복수의 단위 블록에, 캐리어로부터 불출된 동일 로트 내의 기판을 전달 기구에 의해 배분하도록 구성되고,
각 단위 블록은 기판에 대해 처리액을 공급하는 액처리 모듈과, 기판에 자외선을 조사하기 위한 자외선 조사 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하는 기판 반송 기구를 구비하고 있는 기판 처리 장치에 있어서,
상기 자외선 조사 모듈의 광원의 조도를 검출하는 공정과,
상기 복수의 단위 블록 중 하나의 단위 블록의 자외선 조사 모듈에 대해 조도 검출값이 설정값 이하로 되었을 때에, 당해 하나의 단위 블록으로의 기판의 전달을 멈추는 동시에, 후속의 기판을 다른 단위 블록으로 전달하도록 상기 전달 기구를 제어하는 공정과,
상기 하나의 단위 블록으로 이미 전달된 기판에 대해서는, 조사 시간을 상기 조도 검출값에 따른 길이로 조정하여 조사를 행하는 공정과,
상기 하나의 단위 블록으로 이미 전달된 기판에 대한 조사를 종료한 후, 당해 하나의 단위 블록에 있어서의 자외선 조사 모듈의 광원을 교환하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기억 매체는 서로 동일한 일련의 처리를 행하기 위한 복수의 단위 블록에, 캐리어로부터 불출된 동일 로트 내의 기판을 전달 기구에 의해 배분하도록 구성되고,
각 단위 블록은 기판에 대해 처리액을 공급하는 액처리 모듈과, 기판에 자외선을 조사하기 위한 자외선 조사 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하는 기판 반송 기구를 구비하고 있는 기판 처리 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램을 기억한 기억 매체이며,
상기 컴퓨터 프로그램은 상술한 기판 처리 방법을 실행하도록 스텝군이 내장되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 액처리 모듈 및 자외선 조사 모듈을 포함하여, 서로 동일한 일련의 처리를 행하기 위한 복수의 단위 블록에, 기판을 배분하여 전달하도록 하고 있다. 그리고, 하나의 단위 블록의 자외선 조사 모듈의 조도 검출값이 설정값 이하로 된 후에는 다른 단위 블록을 사용하고, 상기 하나의 단위 블록으로 이미 전달된 기판에 대해서는, 조사 시간을 조도 검출값에 따른 길이로 조정하여 조사를 행하도록 하고, 그 후 자외선 조사 모듈의 광원을 교환하도록 하고 있다.
따라서, 광원의 사용 수명의 편차를 고려하여 마진을 갖고 광원의 교환을 정기적으로 행하는 경우에 비해, 해당 광원을 그 사용 수명에 가까운 시기, 혹은 사용 수명까지 사용할 수 있다. 이로 인해, 비용의 저렴화가 도모되고, 또한 메인터넌스 빈도도 적어진다. 또한 조사 시간을 조정함으로써, 통상보다도 조사 시간이 길어지지만, 이와 같은 소위 적산 조사의 대상이 되는 기판은, 하나의 단위 블록으로 이미 반입된 기판뿐이므로, 전체의 처리량의 저하를 억제할 수 있다.
또한, 하나의 단위 블록의 자외선 조사 모듈의 광원의 사용 시간이 설정 시간에 도달했을 때에, 그 단위 블록으로의 기판의 전달을 멈추고, 하나의 단위 블록으로 이미 전달된 기판에 대해서는, 통상의 조사를 행하도록 하면, 적산 조사의 방법을 겸용하고 있으므로, 설정 시간을 길게 설정할 수 있다. 그리고 이와 같이 적산 조사와 사용 시간의 설정을 병용함으로써, 적산 조사를 행할 확률이 낮아져, 적산 조사에 의한 기판의 처리 시간의 장기화 영향의 저감을 기대할 수 있다.
도 1은 제1 실시 형태의 기판 처리 장치를 도시하는 평면도.
도 2는 상기 기판 처리 장치를 도시하는 측면도.
도 3은 상기 기판 처리 장치를 도시하는 종단 측면도.
도 4는 주연 노광 모듈을 도시하는 사시도.
도 5는 상기 기판 처리 장치의 제어부를 도시하는 설명도.
도 6은 본 발명의 기판 처리 공정을 설명하는 흐름도.
도 7은 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 광원의 조도가 열화되었을 때의 처리 공정을 도시하는 설명도.
도 8은 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 광원의 조도가 열화되었을 때의 처리 공정을 도시하는 설명도.
도 9는 제1 실시 형태에 관하는 기판 처리 장치의 광원의 조도가 열화되었을 때의 처리 공정을 도시하는 설명도.
도 10은 램프 교환 중에 조도가 열화되었을 때의 처리 공정을 도시하는 설명도.
도 11은 램프 교환 중에 조도가 열화되었을 때의 처리 공정을 도시하는 설명도.
도 12는 램프 교환 중에 조도가 열화되었을 때의 처리 공정을 도시하는 설명도.
도 13은 제2 실시 형태의 기판 처리 장치를 도시하는 사시도.
도 14는 자외선 조사 모듈을 도시하는 사시도.
도 15는 자외선 조사 모듈을 도시하는 종단 측면도.
[제1 실시 형태]
본 발명에 관한 기판 처리 장치 및 그 방법에 관한 제1 실시 형태에 대해 설명한다. 우선 도 1 내지 도 3을 참조하면서 기판 처리 장치(도포, 현상 장치)의 전체 개요에 대해 설명해 둔다. 이 장치는 캐리어 블록(S1)과, 처리 블록(S2)과, 인터페이스 블록(S3)을 직선 형상으로 접속하여 구성되어 있다. 인터페이스 블록(S3)에는 또한 노광 스테이션(S4)이 접속되어 있다. 이후의 설명에서는 블록(S1 내지 S3)의 배열 방향을 전후 방향으로 한다.
캐리어 블록(S1)은 동일한 로트의 기판인 웨이퍼(W)를 복수매 포함하는 캐리어(C)를 장치 내에 반입출하는 역할을 갖고, 캐리어(C)의 적재대(11)와, 개폐부(12)와, 개폐부(12)를 통해 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 반송 기구인 이동 탑재 기구(13)를 구비하고 있다.
처리 블록(S2)은 웨이퍼(W)에 액처리를 행하는 제1 내지 제6 단위 블록(B1 내지 B6)이 하부로부터 순서대로 적층되어 구성되어 있다. 설명의 편의상 웨이퍼(W)에 하층측의 반사 방지막을 형성하는 처리를 「BCT」, 웨이퍼(W)에 레지스트막을 형성하는 처리를 「COT」, 노광 후의 웨이퍼(W)에 레지스트 패턴을 형성하기 위한 처리를 「DEV」로 각각 표현하는 경우가 있고, 도 2에서는 단위 블록을 「층」으로 표현하여 기재의 복잡화를 피하고 있다.
이 예에서는, 하부로부터 BCT층, COT층, DEV층이 2층씩 적층되어 있고, COT층(B3, B4)을 대표하여 도 1을 참조하면서 설명한다. 캐리어 블록(S1)으로부터 인터페이스 블록(S3)을 향하는 반송 영역(R3)의 좌우의 일측에는 선반 유닛(U1 내지 U6)이 전후 방향으로 배치되고, 타측에는 각각 액처리 모듈인 레지스트 도포 모듈(24)과, 보호막 형성 모듈(25)이 전후로 나란히 설치되어 있다. 레지스트 도포 모듈(24)은 2개의 컵 유닛(21)을 구비하여, 이 컵 유닛(21) 내에 웨이퍼(W)를 보유지지하고, 약액 노즐로부터 레지스트액을 웨이퍼(W) 상에 공급하여, 스핀 코팅이 행해지도록 구성되어 있다. 또한 보호막 형성 모듈(25)은 보호막을 형성하기 위한 약액에 의해, 마찬가지로 하여 컵 모듈(22)을 사용하여 처리가 행해지도록 구성되어 있다.
상기 반송 영역(R3)에는 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 기판 반송 기구인 반송 아암(A3)이 설치되어 있다. 이 반송 아암(A3)은 진퇴 가능, 승강 가능, 연직축 주위로 회전 가능, 또한 반송 영역(R3)의 길이 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있고, 단위 블록(B3)의 각 모듈 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있다. 또한, 상기 선반 유닛(U1 내지 U6)은 반송 영역(R3)의 길이 방향을 따라서 배열되고, 선반 유닛(U1 내지 U5)은 웨이퍼(W)의 가열 처리를 행하는 가열 모듈(26)이, 예를 들어 2단으로 적층되어 구성되어 있다. 선반 유닛(U6)은 서로 적층된 주연 노광 모듈(4)에 의해 구성된다. 이 주연 노광 모듈(4)은 자외선 조사 모듈에 상당하고, 레지스트 도포 후의 웨이퍼(W)의 주연부를 자외선을 조사하여 노광하기 위한 것이다.
다른 단위 블록(B1, B2, B5 및 B6)은 웨이퍼(W)에 공급하는 약액이 다른 것 및 주연 노광 모듈(4) 대신에 가열 모듈(26)이 설치되는 것 등을 제외하고, 단위 블록(B3, B4)과 마찬가지로 구성된다. 단위 블록(B1, B2)은 레지스트 도포 모듈(24), 보호막 형성 모듈(25) 대신에 반사 방지막 형성 모듈을 구비하고, 단위 블록(B5, B6)은 현상 모듈을 구비한다. 도 3에서는, 각 단위 블록(B1 내지 B6)의 반송 아암은 A1 내지 A6으로서 도시하고 있다.
처리 블록(S2)에 있어서의 캐리어 블록(S1)측에는 각 단위 블록(B1 내지 B6)에 걸쳐서 상하로 신장되는 타워(T1)과, 타워(T1)에 대해 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 승강 가능한 전달 기구인 전달 아암(30)이 설치되어 있다. 타워(T1)는 서로 적층된 복수의 모듈에 의해 구성되어 있다. 이들 모듈로서는, 실제로는 각 단위 블록의 높이 위치에 설치된 전달 모듈과, 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 온도 조절 모듈, 복수매의 웨이퍼(W)를 일시적으로 보관하는 버퍼 모듈과, 웨이퍼(W)의 표면을 소수화하는 소수화 처리 모듈 등이 설치되어 있지만, 설명을 간소화하기 위해, 이들 모듈은 전달 아암(30)과 각 단위 블록(B1 내지 B6)의 반송 아암(A1 내지 A6) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 전달 모듈(TRS)로 한다.
인터페이스 블록(S3)은 단위 블록(B1 내지 B6)에 걸쳐서 상하로 신장되는 타워(T2, T9, T10)를 구비하고 있고, 타워(T2)와 타워(T9)에 대해 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 승강 가능한 전달 기구인 인터페이스 아암(3A)과, 타워(T2)와 타워(T10)에 대해 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 승강 가능한 전달 기구인 인터페이스 아암(3B)과, 타워(2)와 노광 장치(S4) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 인터페이스 아암(3C)이 설치되어 있다. 타워(T2)는 전달 모듈(TRS)이 서로 적층되어 구성되어 있다. 한편 T9, T10도 타워이지만 여기서는 설명을 생략한다.
이 기판 처리 장치 및 노광 스테이션(S4)으로 이루어지는 시스템의 통상 시에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 경로의 개략에 대해 간단하게 설명한다. 웨이퍼(W)는 캐리어(C)→이동 탑재 기구(13)→타워(T1)의 전달 모듈(TRS)→전달 아암(30)→타워(T1)의 전달 모듈(TRS)→단위 블록[B1(B2)]→단위 블록[B3(B4)]→인터페이스 블록(S3)→노광 스테이션(S4)→인터페이스 블록(S3)→타워(T1)의 전달 모듈(TRS)→이동 탑재 기구(13)→캐리어(C)의 순으로 흘러 간다.
처리 블록(S2) 내의 웨이퍼(W)의 흐름에 대해 보다 상세하게 설명하면, 반사 방지막을 형성하는 단위 블록(B1, B2), 레지스트막을 형성하는 단위 블록(B3, B4) 및 현상을 행하는 단위 블록(B5, B6)은 이중화되어 있고, 이들 이중화된 단위 블록에 대해, 동일한 로트 내의 복수의 웨이퍼(W)가 배분되고, 즉 교대로 단위 블록으로 반송된다. 예를 들어, 웨이퍼(W)를 단위 블록(B1)으로 전달하는 경우에는, 타워(T1) 중의 전달 모듈(TRS) 중, 단위 블록(B1)에 대응하는 전달 모듈(TRS1)[반송 아암(A3)에 의해 웨이퍼(W)의 전달이 가능한 전달 모듈]에 대해, 전달 아암(30)에 의해 웨이퍼(W)가 전달되게 된다. 타워(T1)에 있어서의 전달 아암(30)의 수취원의 모듈은 이동 탑재 기구(13)에 의해 반입되는 전달 모듈(TRS0)이다.
또한, 단위 블록(B2)에 대응하는 전달 모듈을 TRS2로 하면, 전달 모듈(TRS0)의 웨이퍼(W)는 전달 아암(30)에 의해 전달 모듈(TRS2)로 전달된다. 따라서, 동일한 로트 내의 웨이퍼(W)는 전달 아암(30)에 의해 전달 모듈을 TRS1, TRS2에 대해 교대로 배분되게 된다.
또한, 단위 블록(B1 혹은 B2)에서 반사 방지막의 형성을 종료한 웨이퍼(W)는, 예를 들어 전달 모듈(TRS1 혹은 TRS2)을 통해, 전달 아암(30)에 의해 단위 블록(B3)에 대응하는 전달 모듈(TRS3)과 단위 블록(B4)에 대응하는 전달 모듈(TRS4) 사이에서 교대로 배분되어 반송되게 된다.
또한 TRS, TRSn(n＝자연수)으로 표시하고 있는 전달 모듈은 웨이퍼(W)를 복수매 유지할 수 있는 구조에 대해서도 포함하고 있다.
또한, 전달 모듈(TRS)은 1개의 모듈로 구성되는 것으로 한정되지 않고, 복수의 모듈로 구성되어 있어도 된다.
또한, 노광을 종료한 웨이퍼(W)는 인터페이스 블록(S3)의 전달 아암에 의해, 타워(T2)의 전달 모듈(TRS)을 통해 단위 블록(B5, B6)에 대해 상호 반입되게 된다.
계속해서 주연 노광 모듈(40)에 대해 설명한다. 도 4에 도시한 바와 같이 주연 노광 모듈(40)은 직사각 형상의 베이스(40)와, 자외선 조사부인 노광부(42)를 구비하고, 이 베이스(40) 상에는 웨이퍼(W)를 수평으로 유지하여 연직축 주위로 회전시키는 동시에, 베이스(40)의 길이 방향으로 신장하는 가이드 기구(47)를 따라 구동 기구에 의해 이동 가능한 회전대(41)가 설치된다.
베이스(40)는 도 4에 있어서 전방측이 반송 영역 R3에 면하도록 배치되어 있고, 쇄선으로 도시하는 웨이퍼(W)의 위치가 반송 아암(A3)에 의해 회전대(41)와의 사이에서 전달이 행해지는 전달 위치이고, 점선으로 나타내는 안측의 웨이퍼(W)의 위치가 처리 위치이다.
노광부(42)는 베이스(40)의 하방에 설치된 램프 하우스(45)를 구비하고 있고, 램프 하우스(45)에는, 예를 들어 자외선을 조사하는 광원인 자외선 램프, 예를 들어 수은 램프나 크세논 램프 등이 설치되어 있다. 램프 하우스(45)로부터는, 광원의 광, 예를 들어 자외선을 광 조사 단부(44)로 유도하는 광로 부재(46)가 신장되어 있고, 광 조사 단부(44)는 미러나 렌즈의 광학계 부재와 노광 영역을 구획 형성하기 위한 마스크를 구비하고 있는 동시에, 처리 위치에 놓인 웨이퍼(W)의 표면의 주연부를 노광하도록 웨이퍼(W)의 상방에 배치되어 있다.
또한, 베이스(40)에는 처리 위치에 놓인 웨이퍼(W)의 주연을 검출하도록 해당 주연의 통과 영역의 상하에 각각 발광부 및 수광부를 설치하여 이루어지는 주연 검출부(49)가 설치되어 있다.
후술하는 제어계를 설명하기 위한 도 5도 참조하면, 웨이퍼(W)의 주연부의 통과 영역의 하방측이며, 광 조사 단부(44)의 바로 아래[광조사 단부(44)의 광 조사 영역]에는 해당 광 조사 단부(44)로부터 광 조도를 검출하는 조도 검출부(60)가 설치되어 있다. 웨이퍼(W)의 주연부의 통과 영역과 조도 검출부(60) 사이에는, 해당 조도 검출부(60)에 대한 광 조사 단부(44)로부터의 광을 수광 혹은 차광하기 위한 셔터(61)가 배치되어 있다.
주연 노광 모듈(4)에 있어서의 처리에 대해 설명하면, 단위 모듈[B3(B4)]의 반송 아암[A3(A4)]으로부터 회전대(41)로 웨이퍼(W)가 전달되고, 회전대(41)가 안쪽으로 이동하여 웨이퍼(W)가 처리 위치에 놓인다. 계속해서 웨이퍼(W)를 1회전 시켜 주연 검출부(49)에 의해 웨이퍼(W)의 주연을 광학적으로 검출한다. 그 후, 웨이퍼(W)의 표면의 주연부에 대해 노광부(42)로부터의 자외선[구체적으로는 광 조사 단부(44)]에 의해 노광을 행하는 동시에 웨이퍼(W)를 회전시켜, 웨이퍼(W)의 전체 둘레에 걸쳐서 노광(주연 노광)을 행한다. 웨이퍼(W)를 회전시키는 데 있어서는, 주연 검출부(49)의 검출 결과에 기초하여 이동부(50)에 의해 회전대(41)의 위치[가이드 기구(47)가 신장되는 방향의 위치]를 조정하고, 이에 의해 노광 폭이 균일해지도록 하고 있다. 그 후 웨이퍼(W)는 이동부(50)에 의해 전달 위치까지 복귀되어, 반송 아암[A3(A4)]에 수취되게 된다.
도 5는 기판 처리 장치의 제어계 중, 본 발명에 관련이 깊은 부위에 대해 도시해 둔다. 도 5의 중단의 도면은, 단위 블록(B3, B4)을 모식적으로 도시하고 있고, 상술한 전달 아암(30), 단위 블록(B3, B4) 내의 반송 아암(A3, A4)은 제어부(100)로부터의 제어 신호에 의해 제어된다. 제어부(100)는 하나의 컴퓨터에 상당하는 것으로 한정되지 않고, 호스트 컴퓨터, 각 기구를 컨트롤하는 컨트롤러를 합한 시스템에 상당하는 것이어도 된다.
도 5의 상단의 도면은 주연 노광 장치의 주요부를 모식적으로 도시하고 있고, 회전대(41)를 회전시키는 회전 기구(43) 및 회전대(41)를 이동시키는 이동부(50)는 제어부(100)로부터의 제어 신호에 의해 제어된다. 또한, 노광부(42)의 광원(9)(보다 구체적으로는 램프)은 제어부(100)로부터의 제어 신호에 의해 온, 오프되고, 또한 그 조도가 조정되도록 되어 있다. 조도 검출부(60)는 제어부(100)로 조도 검출값을 송신하도록 구성된다.
제어부(100)는 CPU(51), 프로그램(52), 반송 스케줄(54), 메모리(53), 시간 카운터(55), 알람 발생부(58)가 버스(57)에 접속되어 있다. 반송 스케줄(54)은 어떤 웨이퍼(W)가 어떤 모듈에 놓이는지를 시계열 데이터로서 배열한 것이다. 처리 레시피(56)는 각 처리를 행하는 모듈의 처리 조건을 기입한 데이터이다.
프로그램(52)은 반송 스케줄(54)을 참조하여 이동 탑재 기구(13), 전달 아암(30), 각 반송 아암(A1 내지 A6), 인터페이스 블록(S3) 내의 인터페이스 아암(3A 내지 3C) 등에 제어 신호를 출력하기 위한 프로그램, 처리 레시피(56)를 참조하면서 각 모듈을 제어하기 위한 프로그램, 단위 블록(B1 내지 B6)의, 예를 들어 처리 모듈에 문제가 발생했을 때, 웨이퍼(W)의 반송을 어떻게 행할지, 그 처리 모듈에 대해 어떤 대응을 취할지 등의 스텝을 구비한 프로그램 등, 기판 처리 장치를 운전하기 위해 필요한 프로그램이 포함된다.
그리고, 이 프로그램(52) 중에는 주연 노광 모듈(4)의 조도가 설정값을 하회한 경우, 혹은 사용 시간이 설정 시간을 초과한 경우에 대해 처리를 실행하기 위한 프로그램이 포함되어 있고, 이 프로그램에 의해 후술하는 작용 설명과 같이 운전되게 된다.
또한, 반송 스케줄(54), 처리 레시피(56) 및 프로그램(52)은 메모리에 저장되어 있지만, 도 5에서는 편의상, 그들을 저장하고 있는 메모리 부분을 생략하여 도시하고 있다.
제어부(100) 내의 메모리(53)는 주연 노광 장치의 조도 설정값, 사용 시간의 설정 시간 등이 기억되고, 시간 카운터(55)는 주연 노광 모듈(4)에 있어서 램프를 교환한 후의 사용 시간을 카운트하기 위한 것이다. 사용 시간을 카운트하기 위해서는, 시간 카운터로서의 기기인 카운터(타이머)를 버스(57)에 접속하는 방법을 사용해도 되지만, 소프트웨어에 의해 시간을 카운트해도 된다. 혹은, 예를 들어 주연 노광 모듈(4) 내에 카운터를 설치하여, 그 카운트값을 호스트 컴퓨터로 송신하도록 해도 되고, 이 경우, 카운터는 제어부(100)의 일부를 구성하는 것으로 한다. 알람 발생부(58)는 반송 스케줄(54)이나 처리 레시피(56)의 변경을 행할 때에 알람을 발하여 오퍼레이터에 통지하기 위한 것이다.
캐리어 블록(S1) 내의 캐리어(C)로부터 취출된 웨이퍼(W)가 캐리어(C)로 복귀될 때까지의 일련의 전체의 공정에 대해서는 이미 기재하고 있으므로, 여기서는 본 발명에 관련되는 노광 전의 웨이퍼(W)에 대한 반송을 포함시킨 처리 블록(S2)의 처리의 모습에 대해 설명한다. 우선 동일한 로트 내의 웨이퍼(W)는 상술한 바와 같이 단위 블록(B1, B2)으로 배분되고, 서로 동일한 처리가 행해져 반사 방지막이 형성되고, 그 후, 반송 아암 A1 혹은 A2에 의해, 단위 블록(B1, B2)마다 대응하는 타워(T1) 내의 전달 모듈(TRS1 혹은 TRS2)로 반송된다.
계속해서 전달 아암(30)에 의해 전달 모듈(TRS1 혹은 TRS2)에 적재되어 있는 웨이퍼(W)를, 단위 블록(B3, B4)에 각각 대응하는 타워(T1) 내의 전달 모듈(TRS3, TRS4)로 순차 배분하여(교대로) 전달한다. 이와 같은 배분 반송은, 도 5에 도시하는 제어부(100)의 반송 스케줄(54)에 기초하여 행해지고, 예를 들어 로트 내의 웨이퍼(W)에 할당된 번호의 홀수 번호가 단위 블록(B3)으로, 짝수 번호가 단위 블록(B4)으로 전달되게 된다.
예를 들어, 전달 모듈(TRS3)로 전달된 웨이퍼(W)는 단위 블록(B3) 내의 반송 아암(A3)에 의해 레지스트 도포 모듈(24)로 전달되고, 여기서 레지스트가 도포된다. 또한, 보다 상세하게는, 예를 들어 전단의 전달 모듈(TRS1 혹은 TRS2)에 웨이퍼(W)의 온도 조절 기능이 부가되어 있어, 레지스트 도포 전의 웨이퍼(W)는 레지스트액의 도포에 적합한 온도가 되도록 조정되어 있다. 계속해서, 웨이퍼(W)는 가열 모듈(26)에서 가열 처리되고, 또한 보호막 형성 모듈(25)에서 보호막용 약액이 도포되고, 또한 가열 모듈(26)에서 가열 처리된다. 이 예에서는 가열 모듈(26)은 가열 플레이트에 인접하여 이동 탑재 아암을 겸용하는 냉각 플레이트가 설치되고, 가열 처리의 후에 이 냉각 플레이트에 의해 냉각된다.
그 후 웨이퍼(W)는 주연 노광 모듈(4)로 반입되어, 상기한 바와 같이 웨이퍼(W)를 회전대(41)에 의해 회전시키면서 노광부(42)에 의해 주연 노광이 행해진다. 그 후 이 웨이퍼(W)는 반송 아암(A3)에 의해 인터페이스 블록(S3)측의 타워(T2)에 있어서의 전달 모듈(TRS3)측으로 전달되고, 그 후 인터페이스 블록(S3) 내의 아암(3C)을 통해 패턴 노광을 행하는 노광 스테이션(S4)에 이동 탑재된다. 또한 타워(T1)의 전달 모듈(TRS4)로 전달된 웨이퍼(W)에 대해서도, 단위 블록(B4) 내로 반입되어 마찬가지로 처리가 행해진다.
다음에, 주연 노광 모듈(4)의 상태와 웨이퍼(W)의 반송의 관계에 대해, 도 6 내지 도 9를 참조하면서 진행한다. 도 6은 웨이퍼(W)의 반송 혹은 처리의 흐름을 흐름도의 형태로 도시한 도면이다. 상기와 같이 웨이퍼(W)가 노광 위치에 놓이기 전에, 셔터(61)를 개방하여, 주연 노광 모듈(4)의 노광부(42)로부터의 노광의 조도를 조도 검출부(60)에 의해 검출하고, 제어부(100)의 프로그램(52)에 의해 조도 검출값이 미리 설정한 조도 설정값 보다도 낮은지 여부를 감시한다(스텝 S1). 통상 시에 있어서의 노광부(42)의 조도를 기준 조도로 하면, 램프(9)의 사용 수명이 가까워지면 조도가 서서히 낮아져, 이윽고 노광 시간을 조정해도 노광할 수 없을 정도의 조도가 된다. 이 조도를 하한 조도로 하면, 상기 조도 설정값은 상기 기준 조도와 하한 조도 사이의 값에 상당하는 값이다.
조도 검출값이 조도 설정값 보다도 높은 값이면 스텝 S1에서 「예」로 되므로, 다음에 램프(9)의 사용 시간[신품의 램프(9)를 온으로 하고 있는 경과 시간]이 설정 시간을 초과하고 있는지 여부를 판단한다(스텝 S2). 설정 시간은, 예를 들어 램프(9)의 사양에 의해 규정되는 사용 수명으로 해도 된다. 이 경우, 실제로는 램프(9) 간에 사용 수명의 편차가 있으므로, 사용 시간이 설정 시간에 도달했을 때에 아직 사용할 수 있는 램프(9)도 있는가 하면, 사용 시간이 설정 시간에 도달하기 전에 사용할 수 없게 되는 램프(9)도 있다고 생각된다. 사용 시간의 감시만을 행한 경우에는, 후자의 램프(9)를 사용하고 있으면, 돌연 램프(9)를 사용할 수 없게 되는 사태가 되지만, 이 실시 형태에서는, 노광부(42)의 조도에 대해서도 스텝 S1에서 감시하고 있으므로, 이와 같은 사태로는 되지 않는다. 또한 상기 설정 시간은 램프(9)의 사양에 의해 규정되는 사용 수명보다도 조금 긴 시간으로 해도 되고, 혹은 상기 사용 수명보다도 조금 짧은 시간으로 해도 된다.
스텝 S2에서 램프(9)의 사용 시간이 설정 시간에 도달하고 있지 않으면, 통상의 처리를 진행시킨다. 즉, 도 7에 도시한 바와 같이 단위 블록(B1 혹은 B2)에서 처리가 종료된 웨이퍼(W)가 전달 아암(30)에 의해 타워(T1)의 전달 모듈(TRS3, TRS4)로 배분하여 전달되고, 그 후 단위 블록(B3, B4)으로 반입된다. 웨이퍼(W)의 배분은 전달 모듈(TRS3, TRS4)로 전달되는 시점에서 실시되고, 전달 모듈[TRS3(TRS4)]에 놓인 웨이퍼(W)는 각각 단위 블록[B3(B4)]의 반송 아암[A3(A4)]에 의해 반송된다. 이로 인해 전달 모듈[TRS3(TRS4)]은 단위 블록[B3(B4)]의 구성 모듈의 하나로서 취급할 수도 있다. 단위 블록(B3, B4)으로 반입된 웨이퍼(W)는, 상기와 같이 처리되고, 그리고 주연 노광 모듈(4)에서 통상의 노광 처리가 행해진다(스텝 S3).
한편, 조도 검출값이 조도 설정값 이하로 되면 스텝 S1에서 「아니오」로 되고, 알람 발생부(58)가 구동되어 알람이 발생하여(스텝 S4), 통상 시와 다른 특수 모드가 실행된다(스텝 S5). 알람으로서는, 예를 들어 경보음이나 도포, 현상 장치에 설치한 경보 램프의 점등 등을 들 수 있다. 또한 도포, 현상 장치의 조작 화면에, 어떤 단위 블록에서 노광부(42)의 조도가 낮아졌는지 정보를 표시하도록 해도 된다.
상기 특수 모드에서는, 조도가 낮아진 노광부(42)가 속하는 단위 블록을 이상 단위 블록이라고 편의상 칭하는 것으로 하면, 이상 단위 블록으로의 웨이퍼(W)의 반입을 정지하는 동시에, 해당 이상 단위 블록으로 반입될 예정이었던 웨이퍼(W)에 대해서는 단위 블록(B3, B4) 중 정상의 단위 블록으로 반입한다(도 8). 이와 같은 웨이퍼(W)의 반송 변경은 제어부(100) 내의 상기 반송 스케줄(54)을 수정함으로써 행해진다.
반송 스케줄(54)은 웨이퍼(W)의 반송처의 모듈군을 시계열로 기재하고 있는 데이터이므로, 반송 스케줄(54)을 수정했을 때에, 전달 아암(30)이 이미 반송원인 전달 모듈(TRS1 혹은 TRS2)에 대한 전달 동작을 개시한 후에 있어서는, 해당 전달 동작에 관한 웨이퍼(W)에 대해서는, 단위 블록(B2 또는 B3)으로 반입된다. 또한, 이 경우, 소프트웨어를 고안하여, 전달 동작에 관한 웨이퍼(W)라도, 정상의 단위 블록(B3 또는 B4)으로 반입되도록 해도 된다.
또한, 이미 이상 단위 블록(B3 또는 B4)으로 반입되어 있는 웨이퍼(W)에 대해서는, 주연 노광 시간을 조정하는 것 이외는, 통상의 경우와 마찬가지로 하여 처리가 행해진다(스텝 S6). 주연 노광 모듈(4)에 있어서는, 노광량은 {조도×회전 속도×노광 각도×조사 마스크 개구 영역/노광부 둘레 길이}로 산출된다. 램프(9)의 조도가 조도 설정값을 하회했을 때에는, 주연 노광을 행할 때의 회전대(41)의 회전 속도를 {기준 조도×통상의 경우의 회전 속도/조도 검출값}에 의해 산출되는 속도로 변경하고, 웨이퍼(W) 주연부의 단위 면적당의 광 조사 시간이 연장되도록 변경하여, 조도 설정값을 하회한 램프(9)에 의해서도 충분히 주연 노광을 행하도록 조정한다. 이상 단위 블록에 남겨진 웨이퍼(W)의 처리를 종료한 후에는, 스텝 S7에서 램프(9)를 소등하여, 주연 노광 모듈(4)의 램프(9)의 교환을 행한다. 또한 도 9에 도시한 바와 같이 정상의 단위 블록(B3 또는 B4)에 있어서는 반입을 계속하여 통상의 경우와 마찬가지로 처리가 행해진다.
또한 램프(9)의 조도는 설정값보다 크지만, 램프(9)의 사용 시간이 설정 시간을 초과한 경우에는, 스텝 S1에서 「예」로 되고, 스텝 S2에서 「아니오」로 된다. 알람 발생부(58)가 구동되어 알람이 발생하여(스텝 S4), 상술한 스텝 S5과 마찬가지로 이상 단위 블록으로 웨이퍼(W)의 반입을 정지(스텝 S9)한 후, 이미 반입되어 있는 웨이퍼(W)에 대해서는, 통상의 경우와 마찬가지로 하여 처리가 행해지고(스텝 S10), 스텝 S7에서 램프(9)를 소등하여, 주연 노광 모듈(4)의 램프(9)의 교환을 행한다.
또한 도 6에 도시하는 플로우에 있어서, 스텝 S1 및 스텝 S2의 순서는 반대여도 된다.
상술한 실시 형태에 따르면, 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성하는 모듈 및 주연 노광 모듈(4)을 포함하고, 서로 동일한 일련의 처리를 행하기 위한 복수의 단위 블록에, 웨이퍼(W)를 배분하여 전달하도록 하고 있다. 그리고 하나의 단위 블록의 주연 노광 모듈(4)의 조도 검출값이 설정값 이하로 된 후에는 다른 단위 블록을 사용하고, 상기 하나의 단위 블록으로 이미 전달된 웨이퍼(W)에 대해서는, 노광 시간을 조도 검출값에 따른 길이로 조정하여 주연 노광을 행하도록 하고, 그 후 주연 노광 모듈(4)의 램프(9)를 교환하도록 하고 있다.
따라서, 램프(9)의 사용 수명의 편차를 고려하여 마진을 갖고 램프(9)의 교환을 정기적으로 행하는 경우에 비해, 해당 램프(9)를 그 사용 수명에 가까운 시기까지 사용할 수 있다. 이로 인해, 비용의 저렴화가 도모되고, 또한 메인터넌스 빈도도 적어진다. 또한 노광 시간을 조정함으로써, 통상보다도 노광 시간이 길어지지만, 이와 같은 소위 적산 조사(적산 노광)의 대상이 되는 웨이퍼(W)는, 하나의 단위 블록으로 이미 반입된 웨이퍼(W)뿐이므로, 전체의 처리량의 저하를 억제할 수 있다.
또한 하나의 단위 블록의 주연 노광 모듈(4)의 램프(9)의 사용 시간이 설정 시간에 도달했을 때에, 그 단위 블록으로의 웨이퍼(W)의 전달을 멈추고, 하나의 단위 블록으로 이미 전달된 웨이퍼(W)에 대해서는, 통상의 주연 노광을 행하도록 하면, 적산 노광의 방법을 겸용하고 있으므로, 사용 시간을 길게 설정할 수 있다. 그리고 이와 같이 적산 노광과 사용 시간의 설정을 병용함으로써, 적산 노광을 행할 확률이 낮아져, 적산 노광에 의한 웨이퍼(W)의 처리 시간의 장기화의 영향의 저감을 기대할 수 있다.
또한 도 6의 흐름도에서는, 램프(9)의 교환 혹은 메인터넌스 등을 행하고 있을 때에 조도 검출값이 조도 설정값 이하로 된 경우에 대해서는, 극히 낮은 확률이므로 상정하고 있지 않지만, 그때의 처리 공정에 대해 도 10 내지 도 12를 사용하여 설명한다. 도 10에 도시한 바와 같이 단위 블록(B3, B4) 중 하나, 예를 들어 단위 블록(B4)에서 어떤 트러블이 발생하거나, 혹은 메인터넌스 등이 행해지고 있어, 해당 단위 블록(B3)에 대한 웨이퍼(W)의 반입이 정지하고 있을 때에 다른 쪽의 단위 블록(B3)에 있어서 주연 노광 모듈(4)의 조도 검출값이 설정값 이하로 된 경우의 대처의 일례에 대해 설명한다.
이 경우에는, 반송 아암(30)에 의한 해당 단위 블록(B3)으로의 반입을 정지하는 것이 아니라, 캐리어 블록(S1)에 있어서의 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)의 불출을 정지한다. 그리고, 이미 캐리어(C)로부터 불출된 웨이퍼(W)에 대해서는 단위 블록(B3)으로 반입하고, 해당 단위 블록(B3)만으로 웨이퍼(W)의 처리를 속행한다. 주연 노광 모듈(4)에 있어서는, 상술한 스텝 S5에서 서술한 바와 같이 적산 노광 모드에 의해 주연 노광 처리를 계속한다.
또한, 제어부(100)의 메모리(53)에, 상술한 조도 설정값보다도 낮은 조도 하한값을 기억해 두고, 조도 검출값이 조도 하한값에 도달한 경우에는, 웨이퍼(W)의 처리를 정지한다. 이미 웨이퍼(W)의 반입이 정지되어 있는 단위 블록(B4)의 메인터넌스가 종료되고, 가동 가능하게 된 후, 도 12에 도시한 바와 같이, 알람을 발하여 오퍼레이터에 통지하고, 캐리어 블록(S1)의 캐리어(C)로부터의 웨이퍼(W)의 불출을 재개하여, 단위 블록(B4)으로 웨이퍼(W)를 반입한다. 단위 블록(B3) 내에 이미 반입되어 있는 웨이퍼(W)에 대해서는, 해당 단위 블록(B3)에서 처리를 행하고, 주연 노광 모듈(4)에서는 적산 노광이 행해지고 있다. 단위 블록(B3) 내의 웨이퍼(W) 처리가 종료된 후, 빠르게 램프(9)의 교환을 행한다.
이 실시 형태에 따르면, 각 단위 모듈에 이상이 발생하고 있다고 해도, 주연 노광 모듈(4)의 램프(9)의 조도가 설정값 이하로 된 단위 모듈을 활용하여 웨이퍼(W)를 처리하고 있으므로 생산 효율의 저하를 억제할 수 있는 이점이 있다. 이와 같은 대처법을 실시하는 데 있어서, 상술한 예에서는 동일한 일련의 처리를 행하는 단위 모듈이 2층 배치되어 있는 경우이지만, 3층 이상 설치되어 있는 경우도 포함시켜 일반화한 방법으로서 설명하면, 다음과 같이 된다. 즉, 복수의 단위 모듈의 하나인 단위 블록의 주연 노광 모듈(4)에 대해 조도 검출값이 설정값 이하로 되었을 때에, 다른 모든 단위 블록을 사용할 수 없을 때에는, 캐리어(C)로부터의 웨이퍼(W)의 불출을 멈추는 처리로 된다. 그리고, 이미 캐리어(C)로부터 불출된 웨이퍼(W)에 대해서는 상기 하나의 단위 블록으로 반입하여, 주연 노광 시간을 상기 조도 검출값에 따른 길이로 조정하여 주연 노광을 행하게 된다.
또한, 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)의 불출을 정지하는 것이 아니라, 캐리어(C) 내의 웨이퍼(W)는 모두 불출 처리를 행한다. 다음의 캐리어(C)로부터의 불출을 정지해도 된다.
[제2 실시 형태]
상술한 실시 형태는, 본 발명을 도포, 현상 장치에 적용한 것이지만, 본 발명은 도포, 현상 장치로 한정되지 않고 다른 기판 처리 장치에 적용해도 된다. 구체적인 예로서는, 드라이 에칭 등의 후에 행해지는 웨트식 세정 장치를 들 수 있다. 이 세정 장치는, 예를 들어 기판을 세정액으로 세정하는 복수의 낱장식 세정 모듈과 자외선 조사 모듈(이하, 「UV 조사 모듈」이라고 함)과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하는 기판 반송 기구를 구비한 단위 블록을 복수단, 예를 들어 2단 적층한 구성으로 할 수 있다.
UV 조사 모듈은 기판에 자외선을 조사함으로써 기판의 표면에 부착되어 있는 유기물을 제거하기 위한 것이고, 구체적인 구조에 대해서는 후술한다.
상기 세정 모듈은 컵체 내에 배치된 스핀 척과, 스핀 척에 보유지지된 기판의 중심에 세정액을 토출하는 노즐을 구비하고, 스핀 척을 회전시켜 세정액을 기판 표면 전체에 퍼지게 하여 해당 표면을 세정하도록 구성되어 있다. 세정 모듈의 처리로서는 약액에 의한 세정, 이어지는 순수에 의한 세정, 그 후의 건조 프로세스(스핀 건조) 등을 들 수 있다.
도 13은 기판 처리 장치인 세정 장치의 외관을 도시하고 있고, 세정액의 보틀 등을 수납하는 케미컬 블록(90) 상에 세정용 단위 블록(B11, B12)이 2단 적층되어 있다.
각 단위 블록(B11, B12)은, 도 1에 도시한 바와 같이 직선 반송로를 따라서 이동하는 기판 반송 기구와, 직선 반송로의 좌우 양측에 각각 해당 직선 반송로를 따라서 나란히 배열된 복수의 세정 모듈과, 상기 기판 반송 기구에 의한 액세스 위치에 설치된 UV 조사 모듈을 구비하고 있다. 레이아웃의 일례로는 세정 모듈이 좌측 일렬로 6대 배열되고, 또한 우측에는 5대의 세정 모듈과 1대의 UV 조사 모듈이 배치된 예를 들 수 있다.
도 13에 있어서, 단위 블록을 제외하고는 앞서 실시한 형태와 마찬가지이고, 대응하는 부위에는 동일한 부호를 부여하고 있다.
여기서 UV 조사 모듈의 구체적인 예에 대해 도 14, 도 15를 참조하면서 설명한다. UV 조사 모듈은 직사각형의 베이스(70) 상에 웨이퍼(W)를 수평으로 유지하여 연직축 주위로 회전시키는 동시에, 베이스(70)의 전방측의 전달 위치와, 안측의 처리 위치를 가이드 레일(72)을 따라서 이동 가능한 회전대(71)가 설치된다. 웨이퍼(W)의 처리 위치의 상방에는 자외선 조사부(73)가, 베이스(70)의 폭 방향으로 신장되도록 설치되어 있다. 자외선 조사부(73)에는 광원인 자외선 램프(이하, 「UV 램프」라고 함)(74)가 설치되어 있고, 처리 위치의 웨이퍼(W)에 대해 웨이퍼(W)의 중심을 지나 웨이퍼(W)를 횡단하는 띠 형상의 자외선을 조사한다. 웨이퍼(W)의 통과 영역의 하방측이며, UV 램프의 바로 아래에는, 당해 UV 램프(74)로부터의 광 조도를 검출하는 조도 검출부(75)가 설치되어 있다. 조도 검출부는, 예를 들어 가이드 레일(72)의 좌우로 각 1개 설치된다. 웨이퍼(W)의 통과 영역과 조도 검출부(75) 사이에는 해당 조도 검출부(75)에 대한 UV 램프(74)로부터의 광을 수광 혹은 차광하기 위한 셔터(76)가 배치되어 있다.
제2 실시 형태에 관한 기판 처리 장치에서는, 캐리어(C)로부터 반입된 웨이퍼(W)는 처리 블록(S2) 내의 전달 아암(30)에 의해 각각의 단위 블록(B11, B12)에 배분될 수 있다. 단위 블록[B11(B12)]으로 반입된 웨이퍼(W)는 세정 모듈에서 세정 처리가 행해진 후, UV 조사 모듈로 반입된다. UV 조사 모듈로 반입된 웨이퍼(W)는 처리 위치로 이동된 후, 회전대(71)에 의해 회전되는 동시에, 자외선이 조사되고, 웨이퍼(W) 표면 전체에 자외선이 조사된다.
여기서 웨이퍼(W)가 UV 조사 모듈의 처리 위치로 반송되기 전에 셔터(76)를 개방하여, UV 조사 모듈의 UV 램프(74)의 조도를 조도 검출부(75)에 의해 검출한다. 하나의 단위 블록의 UV 조사 모듈의 조도 검출값이 설정값 이하였던 이후에는 캐리어(C)로부터 반입되는 웨이퍼(W)를 다른 단위 블록으로 배분하여 처리를 행하고, 상기 하나의 단위 블록으로 이미 전달된 웨이퍼(W)에 대해서는, 조사 시간을 조도 검출값에 따른 길이로 조정하여 UV 조사를 행하도록 하고, 그 후 UV 조사 모듈의 UV 램프(74)를 교환한다. 이와 같이 함으로써 동일한 효과를 얻을 수 있다.
또한 제2 실시 형태에 있어서의 단위 블록에 기판의 표면에 발수성 보호막을 형성하기 위한 모듈을 설치하여, UV 조사 모듈은 상기 발수성 보호막을 제거하기 위한 모듈로서 사용하도록 해도 된다. 이 경우에는, 기판의 표면에 약액에 의해 발수성 보호막을 형성하고, 계속해서 기판의 표면을 세정 모듈에서 세정하고, 그 후 UV 조사 모듈에서 보호막을 박리하게 된다.
본 발명은 이와 같은 경우에도 적용할 수 있지만, 절연막인 실리콘 산화막의 전구체를 포함하는 약액을 기판에 도포하여 절연막을 형성하고, 그 후 이 절연막을 UV 조사 모듈에서 UV를 조사함으로써 절연막을 개질한다고 하는 프로세스를 실시하는 기판 처리 장치에 대해서도 적용할 수 있다. 이 경우에는, 단위 블록은, 예를 들어 절연막인 도포막을 형성하는 모듈, 기판을 가열판 상에 적재하여 가열하는 가열 모듈 및 UV 조사 모듈이 배치되게 된다.
4 : 주연 노광 모듈
9 : 램프
26 : 가열 모듈
30 : 전달 아암
41, 71 : 회전대
42 : 노광부
45 : 램프 하우스
73 : 자외선 조사부
74 : UV 램프
60, 75 : 조도 검출부
100 : 제어부
B1 내지 B6 : 단위 블록
S2 : 처리 블록
W : 웨이퍼(W)

Claims (13)

  1. 서로 동일한 일련의 처리를 행하기 위한 복수의 단위 블록에 캐리어로부터 불출된 동일 로트 내의 기판을 전달 기구에 의해 배분하도록 구성되고,
    각 단위 블록은 기판에 대해 처리액을 공급하는 액처리 모듈과, 기판에 자외선을 조사하기 위한 자외선 조사 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하는 기판 반송 기구를 구비하고 있는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 자외선 조사 모듈의 광원의 조도를 검출하는 조도 검출부와,
    제어부를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 복수의 단위 블록 중 하나의 단위 블록의 자외선 조사 모듈에 대해 조도 검출값이 설정값 이하로 되었을 때에, 상기 하나의 단위 블록으로의 기판의 전달을 멈추는 동시에, 후속 기판을 다른 단위 블록으로 전달하도록 상기 전달 기구를 제어하고, 또한 상기 하나의 단위 블록으로 이미 전달된 기판에 대해서는, 조사 시간을 상기 조도 검출값에 따른 길이로 조정하여 조사를 행하도록 상기 자외선 조사 모듈을 제어하고,
    자외선 조사 모듈의 광원의 사용 시간을 감시하여, 하나의 단위 블록의 자외선 조사 모듈에 대해 조도 검출 값이 설정 값 보다도 높은 값이며, 또한, 하나의 단위 블록에 있어서의 자외선 조사 모듈의 광원의 사용 시간이 설정 시간에 도달했을 때에, 상기 하나의 단위 블록으로의 기판의 전달을 멈추는 동시에 후속 기판을 다른 단위 블록으로 전달하도록 상기 전달 기구를 제어하고, 또한 상기 하나의 단위 블록으로 이미 전달된 기판에 대해서는 상기 광원의 사용 시간이 설정 시간에 도달하기 전까지의 조사 시간으로 조사를 행하도록 상기 자외선 조사 모듈을 제어하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 제어부는, 하나의 단위 블록의 자외선 조사 모듈에 대해 조도 검출값이 설정값 이하로 되었을 때에, 다른 모든 단위 블록을 사용할 수 없을 때에는, 캐리어로부터의 기판의 불출, 혹은 불출 도중의 캐리어의 기판을 모두 불출한 후의, 계속되는 캐리어로부터의 기판의 불출을 멈추는 동시에, 캐리어로부터 불출된 기판에 대해서는 상기 하나의 단위 블록으로 반입하고, 조사 시간을 상기 조도 검출값에 따른 길이로 조정하여 조사를 행하도록 상기 자외선 조사 모듈을 제어하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제어부는 사용할 수 없었던 다른 적어도 하나의 단위 블록이 사용 가능해진 후에는, 캐리어로부터의 기판의 불출을 재개하도록 제어하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 액처리 모듈은 처리액을 도포하여 도포막을 형성하는 모듈이고,
    단위 블록은 도포막이 형성된 기판을 가열 처리 하는 가열 모듈을 구비하고,
    자외선 조사 모듈은 가열 처리를 행한 기판의 주연부를 노광하기 위한 주연 노광 모듈인 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 액처리 모듈은 세정액을 공급하여 세정을 행하는 세정 처리 모듈이고,
    자외선 조사 모듈은 세정 전 혹은 세정 후의 기판에 자외선을 조사하는 자외선 조사 모듈인 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  7. 서로 동일한 일련의 처리를 행하기 위한 복수의 단위 블록에 캐리어로부터 불출된 동일 로트 내의 기판을 전달 기구에 의해 배분하도록 구성되고,
    각 단위 블록은 기판에 대해 처리액을 공급하는 액처리 모듈과, 기판에 자외선을 조사하기 위한 자외선 조사 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하는 기판 반송 기구를 구비하고 있는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 자외선 조사 모듈의 광원의 조도를 검출하는 공정과,
    상기 자외선 조사 모듈의 광원의 사용 시간을 감시하는 공정과,
    상기 복수의 단위 블록 중 하나의 단위 블록의 자외선 조사 모듈에 대해 조도 검출값이 설정값 이하로 되었을 때에는 당해 하나의 단위 블록으로의 기판의 전달을 멈추는 동시에, 후속의 기판을 다른 단위 블록으로 전달하도록 상기 전달 기구를 제어하고, 또한 상기 하나의 단위 블록으로 이미 전달된 기판에 대해서는, 조사 시간을 상기 조도 검출값에 따른 길이로 조정하여 조사를 행하고,
    하나의 단위 블록의 자외선 조사 모듈에 대해 조도 검출 값이 설정 값 보다도 높은 값이며, 또한, 하나의 단위 블록에 있어서의 자외선 조사 모듈의 광원의 사용 시간이 설정 시간에 도달했을 때에는 상기 하나의 단위 블록으로의 기판의 전달을 멈추는 동시에, 후속의 기판을 다른 단위 블록으로 전달하도록 상기 전달 기구를 제어하고, 또한 상기 하나의 단위 블록으로 이미 전달된 기판에 대해서는 상기 광원의 사용 시간이 설정 시간에 도달하기 전까지의 조사 시간으로 조사를 행하는 공정과,
    상기 하나의 단위 블록으로 이미 전달된 기판에 대한 조사를 종료한 후, 상기 하나의 단위 블록에 있어서의 자외선 조사 모듈의 광원을 교환하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.
  8. 삭제
  9. 제7항에 있어서, 하나의 단위 블록의 자외선 조사 모듈에 대해 조도 검출값이 설정값 이하로 되었을 때에, 다른 모든 단위 블록을 사용할 수 없을 때에는, 캐리어로부터의 기판의 불출, 혹은 불출 도중의 캐리어 기판을 모두 불출한 후의, 계속되는 캐리어로부터의 기판의 불출을 멈추는 동시에, 캐리어로부터 불출된 기판에 대해서는 상기 하나의 단위 블록으로 반입하고, 조사 시간을 상기 조도 검출값에 따른 길이로 조정하여 조사를 행하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.
  10. 제9항에 있어서, 사용할 수 없었던 다른 적어도 하나의 단위 블록의 자외선 조사 모듈에 대해 광원의 교환 작업이 종료되어 사용 가능해진 후에는 캐리어로부터의 기판의 불출을 재개하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.
  11. 제7항에 있어서, 상기 액처리 모듈은 처리액을 도포하여 도포막을 형성하는 모듈이고,
    단위 블록은 도포막이 형성된 기판을 가열 처리하는 가열 모듈을 구비하고,
    자외선 조사 모듈은 가열 처리를 행한 기판의 주연부를 노광하기 위한 주연 노광 모듈인 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.
  12. 제7항에 있어서, 상기 액처리 모듈은 세정액을 공급하여 세정을 행하는 세정 처리 모듈이고,
    자외선 조사 모듈은 세정 전 혹은 세정 후의 기판에 자외선을 조사하는 자외선 조사 모듈인 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.
  13. 서로 동일한 일련의 처리를 행하기 위한 복수의 단위 블록에 캐리어로부터 불출된 동일 로트 내의 기판을 전달 기구에 의해 배분하도록 구성되고,
    각 단위 블록은 기판에 대해 처리액을 공급하는 액처리 모듈과, 기판에 자외선을 조사하기 위한 자외선 조사 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하는 기판 반송 기구를 구비하고 있는 기판 처리 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램을 기억한 기억 매체이며,
    상기 컴퓨터 프로그램은 제7항에 기재된 기판 처리 방법을 실행하도록 스텝군이 내장되어 있는 것을 특징으로 하는, 기억 매체.
KR1020130013263A 2012-02-07 2013-02-06 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 KR101811078B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2012-024422 2012-02-07
JP2012024422 2012-02-07
JPJP-P-2012-249521 2012-11-13
JP2012249521A JP5954125B2 (ja) 2012-02-07 2012-11-13 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130091272A KR20130091272A (ko) 2013-08-16
KR101811078B1 true KR101811078B1 (ko) 2017-12-20

Family

ID=48903235

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130013263A KR101811078B1 (ko) 2012-02-07 2013-02-06 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체

Country Status (5)

Country Link
US (2) US8893650B2 (ko)
JP (1) JP5954125B2 (ko)
KR (1) KR101811078B1 (ko)
CN (1) CN103247554B (ko)
TW (1) TWI547970B (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014105557A1 (en) * 2012-12-27 2014-07-03 First Solar, Inc. Method and system for in-line real-time measurements of layers of multilayered front contacts of photovoltaic devices and calculation of opto-electronic properties and layer thicknesses thereof
JP6003859B2 (ja) * 2013-09-18 2016-10-05 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP6076884B2 (ja) * 2013-11-19 2017-02-08 東京エレクトロン株式会社 剥離システム
JP6428466B2 (ja) * 2014-06-23 2018-11-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置、基板処理システム及び記憶媒体
EP3278353B1 (en) * 2015-03-31 2019-09-11 Tokyo Electron Limited Exposure dose homogenization through rotation, translation, and variable processing conditions
JP6655418B2 (ja) * 2016-02-17 2020-02-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN107561864B (zh) * 2016-06-30 2019-10-25 上海微电子装备（集团）股份有限公司 边缘曝光装置和方法
JP6439766B2 (ja) * 2016-09-23 2018-12-19 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像方法及び塗布、現像装置
JP7274902B2 (ja) * 2019-03-25 2023-05-17 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001332488A (ja) 2000-05-25 2001-11-30 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0950948A (ja) * 1995-08-08 1997-02-18 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置の障害対処システム
JPH10135094A (ja) * 1996-10-28 1998-05-22 Canon Sales Co Inc 半導体製造装置
US6952657B2 (en) * 2003-09-10 2005-10-04 Peak Sensor Systems Llc Industrial process fault detection using principal component analysis
JP2005324447A (ja) * 2004-05-14 2005-11-24 Konica Minolta Medical & Graphic Inc インクジェット記録装置
JP2008506268A (ja) * 2004-07-09 2008-02-28 アクリオン・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 減圧下照射による処理方法及び装置
JP4908304B2 (ja) 2007-04-27 2012-04-04 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法、基板の処理システム及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP2009082774A (ja) * 2007-09-27 2009-04-23 Chiyoda Kohan Co Ltd 紫外線水処理システム及びそのシステムに用いる紫外線水処理装置並びに遠隔監視装置。
JP2009212295A (ja) * 2008-03-04 2009-09-17 Tokyo Electron Ltd 薬液の塗布固化装置及び塗布固化方法
JP4985728B2 (ja) 2009-08-24 2012-07-25 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001332488A (ja) 2000-05-25 2001-11-30 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201351053A (zh) 2013-12-16
JP2013179257A (ja) 2013-09-09
US9105519B2 (en) 2015-08-11
CN103247554A (zh) 2013-08-14
US20150037911A1 (en) 2015-02-05
TWI547970B (zh) 2016-09-01
US20130203189A1 (en) 2013-08-08
CN103247554B (zh) 2016-08-31
KR20130091272A (ko) 2013-08-16
JP5954125B2 (ja) 2016-07-20
US8893650B2 (en) 2014-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101811078B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
JP4356936B2 (ja) 塗布、現像装置及びその方法
KR100888301B1 (ko) 기판처리시스템 및 기판처리장치
JP4342147B2 (ja) 基板処理装置
JP4716362B2 (ja) 基板処理システム及び基板処理方法
US7899568B2 (en) Substrate processing method, substrate processing system, and computer-readable storage medium
JP2011066049A (ja) 基板処理装置、基板処理システムおよび検査周辺露光装置
JP4233285B2 (ja) 基板処理装置
JP4381121B2 (ja) 基板処理装置
JP7192375B2 (ja) 塗布、現像装置及び塗布、現像方法。
US20120009528A1 (en) Coating and developing apparatus and method
JP2011009362A (ja) インプリントシステム、インプリント方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP4079861B2 (ja) 基板処理装置
JP4307132B2 (ja) 基板処理装置
US10109513B2 (en) Substrate treating apparatus
JP2014116508A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US7901149B2 (en) Substrate processing method, program, computer-readable recording medium, and substrate processing system
US7512456B2 (en) Substrate processing apparatus
JP2008251890A (ja) 基板処理装置
US11199785B2 (en) Coating and developing apparatus and coating and developing method
JP2010161407A (ja) 基板処理システム
JP2010034566A (ja) 塗布、現像装置
JP5680731B2 (ja) 基板処理装置および検査周辺露光システム

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right