JPH10135302A - 半導体装置製造ライン - Google Patents
半導体装置製造ラインInfo
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- JPH10135302A JPH10135302A JP8284953A JP28495396A JPH10135302A JP H10135302 A JPH10135302 A JP H10135302A JP 8284953 A JP8284953 A JP 8284953A JP 28495396 A JP28495396 A JP 28495396A JP H10135302 A JPH10135302 A JP H10135302A
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- H01L21/67769—Storage means
Abstract
(57)【要約】
【課題】ウェット装置の台数及びウェットエリアの設備
投資を最小限とすることができ、かつ、ウェットエリア
と他のプロセスエリアとの間の搬送距離および搬送時間
を短縮することができ、これによって、ウェットプロセ
スを、他のプロセスの直前・直後に行う場合の効率が良
好になる半導体装置製造ラインを提供する。 【解決手段】本発明の半導体装置製造ライン１は、略中
央に位置決めされ、ウェット装置が集中配置されたウェ
ットエリア２と、そのウェットエリア２の周囲に位置決
めされた複数のプロセスエリアＡ〜Ｈと、ウェットエリ
ア２と各プロセスエリアＡ〜Ｈとの間に設けられ、ウェ
ハ等の製品を搬送するための直接搬送機構３と、プロセ
スエリアＡ〜Ｈ間に設けられ、製品を搬送するためのエ
リア搬送機構４と、を有する。
投資を最小限とすることができ、かつ、ウェットエリア
と他のプロセスエリアとの間の搬送距離および搬送時間
を短縮することができ、これによって、ウェットプロセ
スを、他のプロセスの直前・直後に行う場合の効率が良
好になる半導体装置製造ラインを提供する。 【解決手段】本発明の半導体装置製造ライン１は、略中
央に位置決めされ、ウェット装置が集中配置されたウェ
ットエリア２と、そのウェットエリア２の周囲に位置決
めされた複数のプロセスエリアＡ〜Ｈと、ウェットエリ
ア２と各プロセスエリアＡ〜Ｈとの間に設けられ、ウェ
ハ等の製品を搬送するための直接搬送機構３と、プロセ
スエリアＡ〜Ｈ間に設けられ、製品を搬送するためのエ
リア搬送機構４と、を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置製造工
場における製造ラインに関し、特に、ウェット装置の台
数及びウェットエリアの設備投資を最小限とすることが
でき、かつ、ウェットエリアと他のプロセスエリアとの
間の搬送距離および搬送時間を短縮することができ、こ
れによって、ウェットプロセスを、他のプロセスの直前
・直後に行う場合の効率が良好になる半導体装置製造ラ
インに関する。
場における製造ラインに関し、特に、ウェット装置の台
数及びウェットエリアの設備投資を最小限とすることが
でき、かつ、ウェットエリアと他のプロセスエリアとの
間の搬送距離および搬送時間を短縮することができ、こ
れによって、ウェットプロセスを、他のプロセスの直前
・直後に行う場合の効率が良好になる半導体装置製造ラ
インに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工場では、製造効率を
向上させるため、従来から種々のレイアウトが提案され
ている。従来の半導体製造工場のレイアウトは、大きく
分けて、集中配置方式と分散配置方式とがある。図７に
示すように、集中配置方式の製造ライン７１は、プロセ
スの種類ごとに必要な装置をまとめ、プロセス装置エリ
ア７２内に設置するものである。プロセス装置エリア７
２は、ウェットエリア７３及び他の各プロセスエリアＡ
〜Ｇに区分される。図８に示すように、分散配置方式の
製造ライン８１は、プロセスの種類の別にかかわらず装
置を分散させて設置するものであり、ウェット装置８２
は各プロセス装置エリアＡ〜Ｈ内にそれぞれ設置され
る。
向上させるため、従来から種々のレイアウトが提案され
ている。従来の半導体製造工場のレイアウトは、大きく
分けて、集中配置方式と分散配置方式とがある。図７に
示すように、集中配置方式の製造ライン７１は、プロセ
スの種類ごとに必要な装置をまとめ、プロセス装置エリ
ア７２内に設置するものである。プロセス装置エリア７
２は、ウェットエリア７３及び他の各プロセスエリアＡ
〜Ｇに区分される。図８に示すように、分散配置方式の
製造ライン８１は、プロセスの種類の別にかかわらず装
置を分散させて設置するものであり、ウェット装置８２
は各プロセス装置エリアＡ〜Ｈ内にそれぞれ設置され
る。
【０００３】従来の集中配置方式のレイアウトは、例え
ば特開平４ー２４０７１４号公報に開示されている。こ
の従来例は、長方形の建屋を各工程エリアに必要な面積
に応じて間仕切りして、例えば、リソグラフィエリア、
ドライエッチングエリア、ＣＶＤエリア、拡散エリア、
イオン注入エリア、ウェットエリア等に分割して配置す
るものである。それぞれのエリア間のウェハ搬送は、ク
リーンルーム内のエリア搬送機構及び往復搬送機構等に
よって行われる。
ば特開平４ー２４０７１４号公報に開示されている。こ
の従来例は、長方形の建屋を各工程エリアに必要な面積
に応じて間仕切りして、例えば、リソグラフィエリア、
ドライエッチングエリア、ＣＶＤエリア、拡散エリア、
イオン注入エリア、ウェットエリア等に分割して配置す
るものである。それぞれのエリア間のウェハ搬送は、ク
リーンルーム内のエリア搬送機構及び往復搬送機構等に
よって行われる。
【０００４】また、特開平５ー９０１１８号公報に開示
された従来例は、高清浄度雰囲気で囲んだ複数の処理エ
リアの近くに、設備制御や保全作業を行うオペレーショ
ンエリアと、物と処理対象物を工程順序等に従って移動
し授受できる搬送・ハンドリングエリアを分離して配置
されるものである。
された従来例は、高清浄度雰囲気で囲んだ複数の処理エ
リアの近くに、設備制御や保全作業を行うオペレーショ
ンエリアと、物と処理対象物を工程順序等に従って移動
し授受できる搬送・ハンドリングエリアを分離して配置
されるものである。
【０００５】従来の分散配置方式のレイアウトは、例え
ば、特開平２ー７８２４３号公報に開示されている。こ
の従来例は、同一工程に複数の設備を持ち、複数工程の
設備を並列に配置し、搬送設備と結合することによって
連続処理を可能とし、処理効率を向上させるものであ
る。
ば、特開平２ー７８２４３号公報に開示されている。こ
の従来例は、同一工程に複数の設備を持ち、複数工程の
設備を並列に配置し、搬送設備と結合することによって
連続処理を可能とし、処理効率を向上させるものであ
る。
【０００６】また、特開平６ー２９３６８号公報、特開
平６ー８４７４０号公報に開示された従来例は、一連の
加工処理単位に複数の設備を組合せてモジュールを構成
し、モジュール内の設備を加工処理順序に並べ、さら
に、同一のモジュールを複数有し、このモジュール単位
にラインを配置するものである。
平６ー８４７４０号公報に開示された従来例は、一連の
加工処理単位に複数の設備を組合せてモジュールを構成
し、モジュール内の設備を加工処理順序に並べ、さら
に、同一のモジュールを複数有し、このモジュール単位
にラインを配置するものである。
【０００７】その他、特開平４ー２４０７１４号公報で
は、事務所を包含する管理棟を中心として、各工程エリ
アを放射状に独立棟として配置する半導体装置製造工場
のレイアウトが開示されている。また、垂直搬送系を中
心として、各工程エリアを放射状に、複数の階にわたっ
て、フロアを分割する形で配置する半導体装置製造工場
のレイアウトも提案されている（福田宗治、安済範夫、
稲葉仁、暮石芳憲著、ウルトラクリーンテクノロジー、
Vol.4、No.5/6、１９９２年、２４０頁〜２５０頁、及
び佐土原清修、松川隆行著、日経マイクロデバイス、１
９９５年７月号、１３６頁〜１４１頁参照）。
は、事務所を包含する管理棟を中心として、各工程エリ
アを放射状に独立棟として配置する半導体装置製造工場
のレイアウトが開示されている。また、垂直搬送系を中
心として、各工程エリアを放射状に、複数の階にわたっ
て、フロアを分割する形で配置する半導体装置製造工場
のレイアウトも提案されている（福田宗治、安済範夫、
稲葉仁、暮石芳憲著、ウルトラクリーンテクノロジー、
Vol.4、No.5/6、１９９２年、２４０頁〜２５０頁、及
び佐土原清修、松川隆行著、日経マイクロデバイス、１
９９５年７月号、１３６頁〜１４１頁参照）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
装置製造ラインでは、特に半導体装置の製造において処
理工程数の多いウェットプロセスに関連して、次のよう
な問題点がある。
装置製造ラインでは、特に半導体装置の製造において処
理工程数の多いウェットプロセスに関連して、次のよう
な問題点がある。
【０００９】特開平４ー２４０７１４号公報に開示され
ている、長方形の建屋を各工程エリアに分割する従来例
では、プロセス装置を集中配置して、異なる工程の処理
同士で装置を共有することができるが、エリア間のウェ
ハ搬送の距離が長くなり、例えば、ウェハを洗浄後成膜
し、その後洗浄する場合のようにウェット処理を他のプ
ロセスの直前・直後に行いたい場合に、そのような処理
の効率が悪くなるという問題点がある。
ている、長方形の建屋を各工程エリアに分割する従来例
では、プロセス装置を集中配置して、異なる工程の処理
同士で装置を共有することができるが、エリア間のウェ
ハ搬送の距離が長くなり、例えば、ウェハを洗浄後成膜
し、その後洗浄する場合のようにウェット処理を他のプ
ロセスの直前・直後に行いたい場合に、そのような処理
の効率が悪くなるという問題点がある。
【００１０】特開平５ー９０１１８号公報に開示されて
いる、設備制御や保全作業を行うエリアと、搬送・ハン
ドリングエリアを分けて配置する従来例では、エリア間
のウェハ搬送の距離が長くなり、ウェット処理を他のプ
ロセスの直前・直後に行いたい場合に、そのような処理
の効率が悪くなるという問題点がある。
いる、設備制御や保全作業を行うエリアと、搬送・ハン
ドリングエリアを分けて配置する従来例では、エリア間
のウェハ搬送の距離が長くなり、ウェット処理を他のプ
ロセスの直前・直後に行いたい場合に、そのような処理
の効率が悪くなるという問題点がある。
【００１１】特開平２ー７８２４３号公報に開示されて
いる、同一工程に複数の設備を持ち、複数工程設備を並
列に配置し、搬送設備と結合する分散配置方式の従来例
では、連続処理が可能となり、ウェット処理を他のプロ
セスの直前・直後に行うことが可能となるが、ウェット
設備、他のプロセス設備の設置台数が多くなり、過剰な
設備投資が必要となるという問題点がある。
いる、同一工程に複数の設備を持ち、複数工程設備を並
列に配置し、搬送設備と結合する分散配置方式の従来例
では、連続処理が可能となり、ウェット処理を他のプロ
セスの直前・直後に行うことが可能となるが、ウェット
設備、他のプロセス設備の設置台数が多くなり、過剰な
設備投資が必要となるという問題点がある。
【００１２】特開平６ー２９３６８号公報、特開平６ー
８４７４０号公報に開示されている、複数の種類の設備
を組み合わせてモジュールを構成し、このモジュールを
工程順に沿って配置する従来例では、搬送距離は短くで
きるが、少ない設備台数となるように工程の流れを規定
したとしても、集中配置の場合に比べると装置台数は多
く、過剰な設備投資が必要となり、特にウェット装置は
多くのモジュールで必要とされると考えられ、装置台数
が非常に多くなるという問題点がある。
８４７４０号公報に開示されている、複数の種類の設備
を組み合わせてモジュールを構成し、このモジュールを
工程順に沿って配置する従来例では、搬送距離は短くで
きるが、少ない設備台数となるように工程の流れを規定
したとしても、集中配置の場合に比べると装置台数は多
く、過剰な設備投資が必要となり、特にウェット装置は
多くのモジュールで必要とされると考えられ、装置台数
が非常に多くなるという問題点がある。
【００１３】特開平４ー２４０７１４号公報に開示され
ている、事務所を包含する管理棟を中心として、各工程
エリアを独立棟として配置する従来例、および、垂直搬
送系を中心として、各工程エリアを放射状に、複数の階
にわたって、フロアを分割する形で配置する従来例で
は、異なる処理エリア間の搬送距離が長くなり、従来の
集中配置方式の場合と同様、エリア間のウェハ搬送の距
離が長くなり、ウェット処理を他のプロセスの直前・直
後に行いたい場合に、そのような処理の効率が悪くなる
という問題点がある。また中央部の事務所を包含する管
理棟および垂直搬送系の中および周囲にウェハが集中す
るため、搬送に多くの時間がかかったり、ウェハ管理が
複雑になるという問題点もある。
ている、事務所を包含する管理棟を中心として、各工程
エリアを独立棟として配置する従来例、および、垂直搬
送系を中心として、各工程エリアを放射状に、複数の階
にわたって、フロアを分割する形で配置する従来例で
は、異なる処理エリア間の搬送距離が長くなり、従来の
集中配置方式の場合と同様、エリア間のウェハ搬送の距
離が長くなり、ウェット処理を他のプロセスの直前・直
後に行いたい場合に、そのような処理の効率が悪くなる
という問題点がある。また中央部の事務所を包含する管
理棟および垂直搬送系の中および周囲にウェハが集中す
るため、搬送に多くの時間がかかったり、ウェハ管理が
複雑になるという問題点もある。
【００１４】以上説明したように、従来の半導体装置製
造工場において、集中配置方式のレイアウトでは設備投
資低減という利点と搬送の長時間化という欠点、分散配
置方式のレイアウトでは搬送時間短縮という利点と設備
投資増大という欠点が併存していた。
造工場において、集中配置方式のレイアウトでは設備投
資低減という利点と搬送の長時間化という欠点、分散配
置方式のレイアウトでは搬送時間短縮という利点と設備
投資増大という欠点が併存していた。
【００１５】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
であり、ウェット装置の台数及びウェットエリアの設備
投資を最小限とすることができ、かつ、ウェットエリア
と他のプロセスエリアとの間の搬送距離および搬送時間
を短縮することができ、これによって、ウェットプロセ
スを、他のプロセスの直前・直後に行う場合の効率が良
好になる半導体装置製造ラインを提供することを目的と
する。
であり、ウェット装置の台数及びウェットエリアの設備
投資を最小限とすることができ、かつ、ウェットエリア
と他のプロセスエリアとの間の搬送距離および搬送時間
を短縮することができ、これによって、ウェットプロセ
スを、他のプロセスの直前・直後に行う場合の効率が良
好になる半導体装置製造ラインを提供することを目的と
する。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置製造
ラインは、略中央に位置決めされ、ウェット装置が集中
配置されたウェットエリアと、そのウェットエリアの周
囲に位置決めされた複数のプロセスエリアと、ウェット
エリアと各プロセスエリアとの間に設けられ、製品を搬
送するための直接搬送機構と、プロセスエリア間に設け
られ、製品を搬送するためのエリア搬送機構と、を有す
ることを特徴とするものである。
ラインは、略中央に位置決めされ、ウェット装置が集中
配置されたウェットエリアと、そのウェットエリアの周
囲に位置決めされた複数のプロセスエリアと、ウェット
エリアと各プロセスエリアとの間に設けられ、製品を搬
送するための直接搬送機構と、プロセスエリア間に設け
られ、製品を搬送するためのエリア搬送機構と、を有す
ることを特徴とするものである。
【００１７】本発明によれば、ウェット装置を集中配置
したウェットエリアが設けられているので、複数のウェ
ットプロセスを少ないウェット装置で共有することがで
き、ウェット装置の台数を最小限とし、設備投資を最小
限とすることができる。また、ウェットエリアは製造ラ
インの略中央に配置されるので、ライン内の他のプロセ
スエリアとの距離を、どのプロセスエリアに対しても短
くできる。本発明の半導体装置製造ラインには、ウェッ
トエリアと各プロセスエリアとの間に設けられ、製品を
搬送するための直接搬送機構を有するので、ウェットエ
リアと他のプロセスエリアとの間の搬送距離および搬送
時間を短縮することができる。これによって、ウェット
プロセスを、他のプロセスの直前・直後に行う場合の効
率が良好になる。
したウェットエリアが設けられているので、複数のウェ
ットプロセスを少ないウェット装置で共有することがで
き、ウェット装置の台数を最小限とし、設備投資を最小
限とすることができる。また、ウェットエリアは製造ラ
インの略中央に配置されるので、ライン内の他のプロセ
スエリアとの距離を、どのプロセスエリアに対しても短
くできる。本発明の半導体装置製造ラインには、ウェッ
トエリアと各プロセスエリアとの間に設けられ、製品を
搬送するための直接搬送機構を有するので、ウェットエ
リアと他のプロセスエリアとの間の搬送距離および搬送
時間を短縮することができる。これによって、ウェット
プロセスを、他のプロセスの直前・直後に行う場合の効
率が良好になる。
【００１８】ウェット装置はベイ方式又は大部屋のレイ
アウトでウェットエリア内に集中配置される。また、表
面変化に非常に敏感なプロセスを有する場合には、ウェ
ット装置は、ウェットエリア内で集中配置されるととも
に、他のプロセスエリア内で分散配置されるのが好まし
い。
アウトでウェットエリア内に集中配置される。また、表
面変化に非常に敏感なプロセスを有する場合には、ウェ
ット装置は、ウェットエリア内で集中配置されるととも
に、他のプロセスエリア内で分散配置されるのが好まし
い。
【００１９】本発明は又、複数の階にわたって設けられ
た半導体装置製造ラインであって、少なくとも１つの階
には、略中央に位置決めされ、ウェット装置が集中配置
されたウェットエリアと、そのウェットエリアの周囲に
位置決めされた複数のプロセスエリアと、ウェットエリ
アと各プロセスエリアとの間に設けられ、製品を搬送す
るための直接搬送機構と、プロセスエリア間に設けら
れ、製品を搬送するためのエリア搬送機構と、を有し、
かつ、各階の間に設けられ、製品を搬送するための垂直
搬送機構が設けられている、ことを特徴とするものであ
る。
た半導体装置製造ラインであって、少なくとも１つの階
には、略中央に位置決めされ、ウェット装置が集中配置
されたウェットエリアと、そのウェットエリアの周囲に
位置決めされた複数のプロセスエリアと、ウェットエリ
アと各プロセスエリアとの間に設けられ、製品を搬送す
るための直接搬送機構と、プロセスエリア間に設けら
れ、製品を搬送するためのエリア搬送機構と、を有し、
かつ、各階の間に設けられ、製品を搬送するための垂直
搬送機構が設けられている、ことを特徴とするものであ
る。
【００２０】この垂直搬送機構は複数設けられていても
よい。
よい。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら説明する。図１は本発明の半導体装置製
造ラインを示す概略的な構成図である。
を参照しながら説明する。図１は本発明の半導体装置製
造ラインを示す概略的な構成図である。
【００２２】図１に示すように、本発明の半導体装置製
造ライン１のクリーンルーム内には、略中央に位置決め
され、ウェット装置が集中配置されたウェットエリア２
と、そのウェットエリア２の周囲に位置決めされた複数
のプロセスエリアＡ〜Ｈと、ウェットエリア２とプロセ
スエリアＡ〜Ｈとの間に設けられ、ウェハを搬送するた
めの直接搬送機構３と、プロセスエリアＡ〜Ｈ間に設け
られ、ウェハを搬送するためのエリア搬送機構４とを有
する。
造ライン１のクリーンルーム内には、略中央に位置決め
され、ウェット装置が集中配置されたウェットエリア２
と、そのウェットエリア２の周囲に位置決めされた複数
のプロセスエリアＡ〜Ｈと、ウェットエリア２とプロセ
スエリアＡ〜Ｈとの間に設けられ、ウェハを搬送するた
めの直接搬送機構３と、プロセスエリアＡ〜Ｈ間に設け
られ、ウェハを搬送するためのエリア搬送機構４とを有
する。
【００２３】ウェット装置はウェットエリア１内に集中
配置されるが、他のプロセスエリアＡ〜Ｈの一部に分散
配置してもよい。直接搬送機構３及びエリア搬送機構４
のウェハ搬送方式は循環式、往復式のいずれでもよく，
搬送車方式、トンネル方式、レール方式等、搬送方式も
問わない。搬送すべきウェハは箱状に形成されたキャリ
アに収納されてもよい。
配置されるが、他のプロセスエリアＡ〜Ｈの一部に分散
配置してもよい。直接搬送機構３及びエリア搬送機構４
のウェハ搬送方式は循環式、往復式のいずれでもよく，
搬送車方式、トンネル方式、レール方式等、搬送方式も
問わない。搬送すべきウェハは箱状に形成されたキャリ
アに収納されてもよい。
【００２４】図２は、ベイ方式のウェットエリアを有す
る本発明の第１の実施の形態を示す構成図である。図２
に示すように、第１の形態の半導体装置製造ライン２１
では、ウェット装置２５はベイ方式のレイアウトでウェ
ットエリア２２内に集中配置され、ウェットエリア２２
はクリーンルームの中央に位置決めされる。また、ウェ
ットエリア２２とプロセスエリアＡ〜Ｈとの間に設けら
れ、ウェハを搬送するための直接搬送機構２３と、プロ
セスエリアＡ〜Ｈ間に設けられ、ウェハを搬送するため
のエリア搬送機構２４と、ウェットエリア２２内でウェ
ハを搬送するための往復搬送機構２６とが設けられてい
る。なお、図２中、２７はエリア内通路、２８はエリア
用搬送ポート、２９はクリーンルーム内通路である。
る本発明の第１の実施の形態を示す構成図である。図２
に示すように、第１の形態の半導体装置製造ライン２１
では、ウェット装置２５はベイ方式のレイアウトでウェ
ットエリア２２内に集中配置され、ウェットエリア２２
はクリーンルームの中央に位置決めされる。また、ウェ
ットエリア２２とプロセスエリアＡ〜Ｈとの間に設けら
れ、ウェハを搬送するための直接搬送機構２３と、プロ
セスエリアＡ〜Ｈ間に設けられ、ウェハを搬送するため
のエリア搬送機構２４と、ウェットエリア２２内でウェ
ハを搬送するための往復搬送機構２６とが設けられてい
る。なお、図２中、２７はエリア内通路、２８はエリア
用搬送ポート、２９はクリーンルーム内通路である。
【００２５】本発明の第１の形態によれば、ウェットエ
リア２２と他のプロセスエリアＡ〜Ｈとの間の搬送距離
は最短となるとともに、他のプロセスエリア間の搬送に
影響されなくなるため搬送待ち時間もなくなる。
リア２２と他のプロセスエリアＡ〜Ｈとの間の搬送距離
は最短となるとともに、他のプロセスエリア間の搬送に
影響されなくなるため搬送待ち時間もなくなる。
【００２６】すなわち、ウェットエリア２２以外のプロ
セスエリアＡ〜Ｈでの処理、例えばドライエッチングの
後のウェット処理を、クリーンルーム内のエリア搬送機
構２４を介さずに、ウェットエリア２２とプロセスエリ
アＡ〜Ｈとの間を直接結ぶ直接搬送機構２３を介してウ
ェハを搬送することにより行うことができるので、搬送
待ち時間および搬送時間を大幅に短縮できる。その結
果、ウェット処理前のコロージョン発生等の表面状態の
変化を抑制でき、ウェット処理効果が下がることを防止
できる。
セスエリアＡ〜Ｈでの処理、例えばドライエッチングの
後のウェット処理を、クリーンルーム内のエリア搬送機
構２４を介さずに、ウェットエリア２２とプロセスエリ
アＡ〜Ｈとの間を直接結ぶ直接搬送機構２３を介してウ
ェハを搬送することにより行うことができるので、搬送
待ち時間および搬送時間を大幅に短縮できる。その結
果、ウェット処理前のコロージョン発生等の表面状態の
変化を抑制でき、ウェット処理効果が下がることを防止
できる。
【００２７】また、ウェットエリア２２内での処理、例
えば洗浄やフッ酸系薬液による処理の後の他のプロセス
エリアでのプロセス（例えばＣＶＤ、スパッタリング、
結晶成長等）を、クリーンルーム内のエリア搬送機構２
４を介さずに、直接搬送機構２３を介して行うことがで
き、搬送待ち時間および搬送時間を大幅に短縮できる。
その結果、ウェット処理後の表面汚染や自然酸化膜成長
等の表面状態変化を抑制でき、ウェット処理効果が下が
ることを防止できる。
えば洗浄やフッ酸系薬液による処理の後の他のプロセス
エリアでのプロセス（例えばＣＶＤ、スパッタリング、
結晶成長等）を、クリーンルーム内のエリア搬送機構２
４を介さずに、直接搬送機構２３を介して行うことがで
き、搬送待ち時間および搬送時間を大幅に短縮できる。
その結果、ウェット処理後の表面汚染や自然酸化膜成長
等の表面状態変化を抑制でき、ウェット処理効果が下が
ることを防止できる。
【００２８】さらに、ウェット装置２５はウェットエリ
ア２２内で集中配置されるので、一台の装置で多数の工
程を処理することが可能である。その結果、製造ライン
２１に必要な設備台数を最小限に抑え、フロア面積およ
び設備投資を削減することができる。
ア２２内で集中配置されるので、一台の装置で多数の工
程を処理することが可能である。その結果、製造ライン
２１に必要な設備台数を最小限に抑え、フロア面積およ
び設備投資を削減することができる。
【００２９】図３は、大部屋方式のウェットエリアを有
する本発明の第２の実施の形態を示す構成図である。図
３に示すように、第２の形態の製造ライン３１では、ウ
ェット装置３５は大部屋方式のレイアウトでウェットエ
リア３２内に集中配置され、ウェットエリア３２はクリ
ーンルームの中央に位置決めされる。また、ウェットエ
リア３２とプロセスエリアＡ〜Ｈとの間に設けられ、ウ
ェハを搬送するための直接搬送機構３３と、プロセスエ
リアＡ〜Ｈ間に設けられ、ウェハを搬送するためのエリ
ア搬送機構３４と、ウェットエリア３２内でウェハを搬
送するための往復搬送機構３６とが設けられている。な
お、図３中、３７はエリア内通路、３８はエリア用搬送
ポート、３９はクリーンルーム内通路である。
する本発明の第２の実施の形態を示す構成図である。図
３に示すように、第２の形態の製造ライン３１では、ウ
ェット装置３５は大部屋方式のレイアウトでウェットエ
リア３２内に集中配置され、ウェットエリア３２はクリ
ーンルームの中央に位置決めされる。また、ウェットエ
リア３２とプロセスエリアＡ〜Ｈとの間に設けられ、ウ
ェハを搬送するための直接搬送機構３３と、プロセスエ
リアＡ〜Ｈ間に設けられ、ウェハを搬送するためのエリ
ア搬送機構３４と、ウェットエリア３２内でウェハを搬
送するための往復搬送機構３６とが設けられている。な
お、図３中、３７はエリア内通路、３８はエリア用搬送
ポート、３９はクリーンルーム内通路である。
【００３０】第２の形態の製造ライン３１によれば、第
１の形態と同様に、最小限の設備台数・面積・設備投資
で、ウェットエリア３２と他のプロセスエリアＡ〜Ｈの
間の搬送距離は最短となり、かつ他のエリア間の搬送に
影響されなくなるため搬送待ち時間もなくなり、ウェハ
を洗浄後成膜し、その後洗浄する場合のようにウェット
プロセスを他のプロセスの直前・直後に行う場合の効率
が良好になる。
１の形態と同様に、最小限の設備台数・面積・設備投資
で、ウェットエリア３２と他のプロセスエリアＡ〜Ｈの
間の搬送距離は最短となり、かつ他のエリア間の搬送に
影響されなくなるため搬送待ち時間もなくなり、ウェハ
を洗浄後成膜し、その後洗浄する場合のようにウェット
プロセスを他のプロセスの直前・直後に行う場合の効率
が良好になる。
【００３１】図４は、プロセスエリアに分散配置された
ウェット装置を有する本発明の第３の実施の形態を示す
構成図である。図４に示すように、本発明の第３の形態
の製造ライン４１は、第２の形態３１と同様に、ウェッ
ト装置４５ａは大部屋方式のレイアウトでウェットエリ
ア４２内に集中配置され、ウェットエリア４２はクリー
ンルームの中央に位置決めされる。また、ウェットエリ
ア４２とプロセスエリアＡ〜Ｈとの間に設けられ、ウェ
ハを搬送するための直接搬送機構４３と、プロセスエリ
アＡ〜Ｈ間に設けられ、ウェハを搬送するためのエリア
搬送機構４４と、ウェットエリア４２内でウェハを搬送
するための往復搬送機構４６とが設けられている。ま
た、例えば、基板上に酸化膜を形成するプロセスのよう
に表面変化に非常に敏感なプロセス（本実施の形態で
は、Ａ，Ｆ，Ｈが該当する）については、分散配置した
ウェット装置４５ｂがそれぞれ設けられる。なお、図４
中、４７はエリア内通路、４８はエリア用搬送ポート、
４９はクリーンルーム内通路である。
ウェット装置を有する本発明の第３の実施の形態を示す
構成図である。図４に示すように、本発明の第３の形態
の製造ライン４１は、第２の形態３１と同様に、ウェッ
ト装置４５ａは大部屋方式のレイアウトでウェットエリ
ア４２内に集中配置され、ウェットエリア４２はクリー
ンルームの中央に位置決めされる。また、ウェットエリ
ア４２とプロセスエリアＡ〜Ｈとの間に設けられ、ウェ
ハを搬送するための直接搬送機構４３と、プロセスエリ
アＡ〜Ｈ間に設けられ、ウェハを搬送するためのエリア
搬送機構４４と、ウェットエリア４２内でウェハを搬送
するための往復搬送機構４６とが設けられている。ま
た、例えば、基板上に酸化膜を形成するプロセスのよう
に表面変化に非常に敏感なプロセス（本実施の形態で
は、Ａ，Ｆ，Ｈが該当する）については、分散配置した
ウェット装置４５ｂがそれぞれ設けられる。なお、図４
中、４７はエリア内通路、４８はエリア用搬送ポート、
４９はクリーンルーム内通路である。
【００３２】第３の形態の製造ライン４１によれば、分
散配置したウェット装置４５ｂが設けられているので、
設備投資は第２の形態よりも過剰となるが、非常に表面
変化に敏感なプロセスの場合には、ウェット処理前後の
搬送時間を極めて短くできるので、表面変化を避けるこ
とができ、さらに本発明の第１の形態及び第２の形態の
ライン２１、３１と同様、少ない設備台数・面積・設備
投資でありながら、ウェットエリア４２と他エリアの間
の搬送距離は最短となり、かつ他のエリア間の搬送に影
響されなくなるため搬送待ち時間もなくなり、ウェット
プロセス全般を他のプロセスの直前・直後に行う場合の
効率が良好になる。
散配置したウェット装置４５ｂが設けられているので、
設備投資は第２の形態よりも過剰となるが、非常に表面
変化に敏感なプロセスの場合には、ウェット処理前後の
搬送時間を極めて短くできるので、表面変化を避けるこ
とができ、さらに本発明の第１の形態及び第２の形態の
ライン２１、３１と同様、少ない設備台数・面積・設備
投資でありながら、ウェットエリア４２と他エリアの間
の搬送距離は最短となり、かつ他のエリア間の搬送に影
響されなくなるため搬送待ち時間もなくなり、ウェット
プロセス全般を他のプロセスの直前・直後に行う場合の
効率が良好になる。
【００３３】図５は、複数階を備えた半導体装置製造工
場において、ウェット装置が集中配置されたウェットエ
リアが複数階に設置されている本発明の第４の実施の形
態を示す斜視図である。図５に示すように、第４の実施
の形態のライン５１は、複数階にわたって設けられてお
り、各階の中央部にウェット装置が集中配置されたウェ
ットエリア５２が設けられている。また、ウェットエリ
ア５２とプロセスエリアとの間に設けられ、ウェハを搬
送するための直接搬送機構５３と、プロセスエリア間に
設けられ、ウェハを搬送するためのエリア搬送機構５４
と、ウェットエリア５２内でウェハを搬送するための往
復搬送機構５６とが設けられ、さらに、各階の間に設け
られ、ウェハを搬送するための垂直搬送機構５８が設け
られている。
場において、ウェット装置が集中配置されたウェットエ
リアが複数階に設置されている本発明の第４の実施の形
態を示す斜視図である。図５に示すように、第４の実施
の形態のライン５１は、複数階にわたって設けられてお
り、各階の中央部にウェット装置が集中配置されたウェ
ットエリア５２が設けられている。また、ウェットエリ
ア５２とプロセスエリアとの間に設けられ、ウェハを搬
送するための直接搬送機構５３と、プロセスエリア間に
設けられ、ウェハを搬送するためのエリア搬送機構５４
と、ウェットエリア５２内でウェハを搬送するための往
復搬送機構５６とが設けられ、さらに、各階の間に設け
られ、ウェハを搬送するための垂直搬送機構５８が設け
られている。
【００３４】第４の形態の製造ライン５１によれば、垂
直搬送機構５８を設けることにより、ウェハの搬送距離
及び搬送時間を短縮することができる。
直搬送機構５８を設けることにより、ウェハの搬送距離
及び搬送時間を短縮することができる。
【００３５】図６は、複数階を備えた半導体装置製造工
場において、ウェット装置が集中配置されたウェットエ
リアがーつの階にのみ設置されている本発明の第５の実
施の形態を示す斜視図である。図６に示すように、第５
の形態の製造ライン６１では、複数の階にわたって設け
られており、複数の階のうちーつの階にのみ、ウェット
装置が集中配置されたウェットエリア６２が設けられ
る。
場において、ウェット装置が集中配置されたウェットエ
リアがーつの階にのみ設置されている本発明の第５の実
施の形態を示す斜視図である。図６に示すように、第５
の形態の製造ライン６１では、複数の階にわたって設け
られており、複数の階のうちーつの階にのみ、ウェット
装置が集中配置されたウェットエリア６２が設けられ
る。
【００３６】また、ウェットエリア６２とプロセスエリ
アとの間に設けられ、ウェハを搬送するための直接搬送
機構６３と、プロセスエリア間に設けられ、ウェハを搬
送するためのエリア搬送機構６４と、ウェットエリア６
２内でウェハを搬送するための往復搬送機構６６とが設
けられ、さらに、各階の間に設けられ、ウェハを搬送す
るための垂直搬送機構６８が複数設けられている。
アとの間に設けられ、ウェハを搬送するための直接搬送
機構６３と、プロセスエリア間に設けられ、ウェハを搬
送するためのエリア搬送機構６４と、ウェットエリア６
２内でウェハを搬送するための往復搬送機構６６とが設
けられ、さらに、各階の間に設けられ、ウェハを搬送す
るための垂直搬送機構６８が複数設けられている。
【００３７】第５の形態の製造ライン６１によれば、複
数の垂直搬送機構６８が設けられているので、第４の形
態の製造ライン５１に比べ、搬送距離及び搬送時間をさ
らに短縮することができる。
数の垂直搬送機構６８が設けられているので、第４の形
態の製造ライン５１に比べ、搬送距離及び搬送時間をさ
らに短縮することができる。
【００３８】本発明は、上記実施の形態に限定されるこ
とはなく、特許請求の範囲に記載された技術的事項の範
囲内において、種々の変更が可能である。
とはなく、特許請求の範囲に記載された技術的事項の範
囲内において、種々の変更が可能である。
【００３９】
【発明の効果】本発明の半導体装置製造ラインによれ
ば、ウェット装置を集中配置したウェットエリアが設け
られているので、複数のウェットプロセスを少ないウェ
ット装置で共有することができ、ウェット装置の台数を
最小限とし、設備投資を最小限とすることができる。
ば、ウェット装置を集中配置したウェットエリアが設け
られているので、複数のウェットプロセスを少ないウェ
ット装置で共有することができ、ウェット装置の台数を
最小限とし、設備投資を最小限とすることができる。
【００４０】また、このウェットエリアは製造ラインの
略中央に配置され、ウェットエリアと各プロセスエリア
との間に設けられ、ウェハ等の製品を搬送するための直
接搬送機構が設けられているので、ウェットエリアと他
のプロセスエリアとの間の搬送距離および搬送時間を短
縮することができる。これによって、ウェットプロセス
を、他のプロセスの直前・直後に行う場合の効率が良好
になるので、ウェット処理効果が低下することなく、そ
の効果を最大限に発揮させることが可能となる。
略中央に配置され、ウェットエリアと各プロセスエリア
との間に設けられ、ウェハ等の製品を搬送するための直
接搬送機構が設けられているので、ウェットエリアと他
のプロセスエリアとの間の搬送距離および搬送時間を短
縮することができる。これによって、ウェットプロセス
を、他のプロセスの直前・直後に行う場合の効率が良好
になるので、ウェット処理効果が低下することなく、そ
の効果を最大限に発揮させることが可能となる。
【図１】本発明の半導体装置製造ラインを示す概略的な
構成図である。
構成図である。
【図２】ベイ方式のウェットエリアを有する本発明の第
１の実施の形態を示す構成図である。
１の実施の形態を示す構成図である。
【図３】大部屋方式のウェットエリアを有する本発明の
第２の実施の形態を示す構成図である。
第２の実施の形態を示す構成図である。
【図４】プロセスエリアに分散配置されたウェット装置
を有する本発明の第３の実施の形態を示す構成図であ
る。
を有する本発明の第３の実施の形態を示す構成図であ
る。
【図５】複数の階にわたる半導体装置製造工場におい
て、集中配置のウェットエリアが複数階に設置されてい
る本発明の第４の実施の形態を示す斜視図である。
て、集中配置のウェットエリアが複数階に設置されてい
る本発明の第４の実施の形態を示す斜視図である。
【図６】複数の階にわたる半導体装置製造工場におい
て、集中配置のウェットエリアがー層にのみ設置されて
いる本発明の第５の実施の形態を示す斜視図である。
て、集中配置のウェットエリアがー層にのみ設置されて
いる本発明の第５の実施の形態を示す斜視図である。
【図７】従来の集中配置方式の半導体装置製造ラインを
示す基本的な構成図である。
示す基本的な構成図である。
【図８】従来の分散配置方式の半導体装置製造ラインを
示す基本的な構成図である。
示す基本的な構成図である。
１、２１、３１、４１、５１、６１：半導体装置製造ラ
イン ２、２２、３２、４２、５２、６２：ウェットエリア Ａ〜Ｈ：他のプロセスエリア ３、２３、３３、４３、５３、６３：直接搬送機構 ４、２４、３４、４４、５４、６４：エリア搬送機構 ２５、３５、４５ａ、４５ｂ：ウェット装置 ５８、６８：垂直搬送機構
イン ２、２２、３２、４２、５２、６２：ウェットエリア Ａ〜Ｈ：他のプロセスエリア ３、２３、３３、４３、５３、６３：直接搬送機構 ４、２４、３４、４４、５４、６４：エリア搬送機構 ２５、３５、４５ａ、４５ｂ：ウェット装置 ５８、６８：垂直搬送機構
Claims (6)
- 【請求項１】略中央に位置決めされ、ウェット装置が集
中配置されたウェットエリアと、 そのウェットエリアの周囲に位置決めされた複数のプロ
セスエリアと、 前記ウェットエリアと各プロセスエリアとの間に設けら
れ、製品を搬送するための直接搬送機構と、 前記プロセスエリア間に設けられ、製品を搬送するため
のエリア搬送機構と、 を有することを特徴とする半導体装置製造ライン。 - 【請求項２】前記ウェット装置はベイ方式のレイアウト
でウェットエリア内に集中配置されることを特徴とする
請求項１に記載の半導体装置製造ライン。 - 【請求項３】前記ウェット装置は大部屋方式のレイアウ
トでウェットエリア内に集中配置されることを特徴とす
る請求項１に記載の半導体装置製造ライン。 - 【請求項４】前記ウェット装置は、ウェットエリア内で
集中配置されるとともに、他のプロセスエリア内で分散
配置されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか
１つの項に記載の半導体装置製造ライン。 - 【請求項５】複数の階にわたって設けられた半導体装置
製造ラインであって、少なくとも１つの階には、略中央
に位置決めされ、ウェット装置が集中配置されたウェッ
トエリアと、そのウェットエリアの周囲に位置決めされ
た複数のプロセスエリアと、前記ウェットエリアと各プ
ロセスエリアとの間に設けられ、製品を搬送するための
直接搬送機構と、前記プロセスエリア間に設けられ、製
品を搬送するためのエリア搬送機構と、を有し、かつ、
各階の間に設けられ、製品を搬送するための垂直搬送機
構が設けられている、ことを特徴とする半導体装置製造
ライン。 - 【請求項６】前記垂直搬送機構は複数設けられているこ
とを特徴とする請求項５に記載の半導体装置製造ライ
ン。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8284953A JP2853677B2 (ja) | 1996-10-28 | 1996-10-28 | 半導体装置製造ライン |
| US08/958,157 US6328768B1 (en) | 1996-10-28 | 1997-10-27 | Semiconductor device manufacturing line |
| GB9722782A GB2318686B (en) | 1996-10-28 | 1997-10-28 | Semiconductor device manufacturing line |
| KR1019970055630A KR100262710B1 (ko) | 1996-10-28 | 1997-10-28 | 습식 처리 장치를 최소화할 수 있는 반도체 장치 제조 라인 |
| TW086116235A TW348270B (en) | 1996-10-28 | 1997-10-28 | Semiconductor manufacturing line capable of minimizing wet process unit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8284953A JP2853677B2 (ja) | 1996-10-28 | 1996-10-28 | 半導体装置製造ライン |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10135302A true JPH10135302A (ja) | 1998-05-22 |
| JP2853677B2 JP2853677B2 (ja) | 1999-02-03 |
Family
ID=17685223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8284953A Expired - Fee Related JP2853677B2 (ja) | 1996-10-28 | 1996-10-28 | 半導体装置製造ライン |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP2853677B2 (ja) |
| KR (1) | KR100262710B1 (ja) |
| GB (1) | GB2318686B (ja) |
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| JP2002289671A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-04 | Toshiba Corp | 半導体製造装置及び半導体装置の製造システム |
| TWI256700B (en) * | 2005-01-06 | 2006-06-11 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | Manufacturing system and operative method thereof |
| US9159592B2 (en) | 2005-06-18 | 2015-10-13 | Futrfab, Inc. | Method and apparatus for an automated tool handling system for a multilevel cleanspace fabricator |
| US9059227B2 (en) | 2005-06-18 | 2015-06-16 | Futrfab, Inc. | Methods and apparatus for vertically orienting substrate processing tools in a clean space |
| US9339900B2 (en) | 2005-08-18 | 2016-05-17 | Futrfab, Inc. | Apparatus to support a cleanspace fabricator |
| US10627809B2 (en) | 2005-06-18 | 2020-04-21 | Frederick A. Flitsch | Multilevel fabricators |
| US7513822B2 (en) | 2005-06-18 | 2009-04-07 | Flitsch Frederick A | Method and apparatus for a cleanspace fabricator |
| US9457442B2 (en) * | 2005-06-18 | 2016-10-04 | Futrfab, Inc. | Method and apparatus to support process tool modules in a cleanspace fabricator |
| US11024527B2 (en) | 2005-06-18 | 2021-06-01 | Frederick A. Flitsch | Methods and apparatus for novel fabricators with Cleanspace |
| US10651063B2 (en) | 2005-06-18 | 2020-05-12 | Frederick A. Flitsch | Methods of prototyping and manufacturing with cleanspace fabricators |
| WO2007025199A2 (en) * | 2005-08-26 | 2007-03-01 | Flitsch Frederick A | Multi-level cleanspace fabricator elevator system |
| CN102986016B (zh) | 2005-09-18 | 2015-11-25 | 弗雷德里克·A·弗里奇 | 用于在洁净空间中垂直定位基片处理设备的方法和装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2539447B2 (ja) * | 1987-08-12 | 1996-10-02 | 株式会社日立製作所 | 枚葉キャリアによる生産方法 |
| JPH07101706B2 (ja) * | 1988-09-14 | 1995-11-01 | 富士通株式会社 | ウェーハの連続処理装置及び連続処理方法 |
| US5536128A (en) | 1988-10-21 | 1996-07-16 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for carrying a variety of products |
| JPH04240714A (ja) | 1991-01-25 | 1992-08-28 | Fujitsu Ltd | 半導体装置製造工場のレイアウト |
| JPH0590118A (ja) | 1991-09-30 | 1993-04-09 | Hitachi Ltd | 半導体製造ライン |
| US5256204A (en) | 1991-12-13 | 1993-10-26 | United Microelectronics Corporation | Single semiconductor water transfer method and manufacturing system |
| JP3282219B2 (ja) | 1992-07-09 | 2002-05-13 | 株式会社日立製作所 | 半導体製造ラインの構成方法 |
| ATE129360T1 (de) * | 1992-08-04 | 1995-11-15 | Ibm | Unter druck stehende koppelsysteme zum transferieren von einem halbleiterwafer zwischen einem tragbaren abdichtbaren unter druckstehenden behälter und einer bearbeitungsanlage. |
| JPH0684740A (ja) | 1992-09-02 | 1994-03-25 | Hitachi Ltd | 半導体製造ラインの構成方法 |
| JPH0722488A (ja) | 1993-07-06 | 1995-01-24 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体装置製造工場のウエハ搬送システム |
| TW276353B (ja) * | 1993-07-15 | 1996-05-21 | Hitachi Seisakusyo Kk | |
| JPH0766265A (ja) | 1993-08-30 | 1995-03-10 | Hitachi Ltd | 製造装置 |
| US5344365A (en) | 1993-09-14 | 1994-09-06 | Sematech, Inc. | Integrated building and conveying structure for manufacturing under ultraclean conditions |
| US5795356A (en) * | 1996-05-31 | 1998-08-18 | Slsp Partners, Inc. | Microelectronic component fabrication facility, and process for making and using the facility |
-
1996
- 1996-10-28 JP JP8284953A patent/JP2853677B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-10-27 US US08/958,157 patent/US6328768B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-10-28 GB GB9722782A patent/GB2318686B/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-10-28 TW TW086116235A patent/TW348270B/zh active
- 1997-10-28 KR KR1019970055630A patent/KR100262710B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
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| GB2318686A (en) | 1998-04-29 |
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