JP3282219B2 - 半導体製造ラインの構成方法 - Google Patents
半導体製造ラインの構成方法Info
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- JP3282219B2 JP3282219B2 JP18211292A JP18211292A JP3282219B2 JP 3282219 B2 JP3282219 B2 JP 3282219B2 JP 18211292 A JP18211292 A JP 18211292A JP 18211292 A JP18211292 A JP 18211292A JP 3282219 B2 JP3282219 B2 JP 3282219B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体のような多層構
造の製品を製造する設備において、その形成層に合わせ
た一連の設備を４種類の設備で組み合わせる方法と、そ
のパターン及びラインを構成させるのに当たっては、各
設備を２台以上で構成させる方法に関するものである。
造の製品を製造する設備において、その形成層に合わせ
た一連の設備を４種類の設備で組み合わせる方法と、そ
のパターン及びラインを構成させるのに当たっては、各
設備を２台以上で構成させる方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】これまでにあっては、ライン内の設備構
成に関して、特開昭６１−２４９２３５号公報に記載さ
れているように、ラインに導入する設備に対し、設備選
択上の制約条件を入力することによって、最適な設備構
成案が得られるといった方式がある。また、レイアウト
配置方法としては、特開平１−２３４９７９号公報に記
載されているようにラインの設備構成が既に設計されて
いる段階で、レイアウト上の最適化を狙った設備配置に
ついての例があり、個々の設備をラインに配置すること
が可能である。同じく特開平２−７８２４３号公報に記
載されているように処理効率を向上させるため、同一工
程に複数の設備を持ち、複数工程設備を並列に配置し、
搬送設備と結合することによって、連続処理を可能とす
るレイアウト方式がある。
成に関して、特開昭６１−２４９２３５号公報に記載さ
れているように、ラインに導入する設備に対し、設備選
択上の制約条件を入力することによって、最適な設備構
成案が得られるといった方式がある。また、レイアウト
配置方法としては、特開平１−２３４９７９号公報に記
載されているようにラインの設備構成が既に設計されて
いる段階で、レイアウト上の最適化を狙った設備配置に
ついての例があり、個々の設備をラインに配置すること
が可能である。同じく特開平２−７８２４３号公報に記
載されているように処理効率を向上させるため、同一工
程に複数の設備を持ち、複数工程設備を並列に配置し、
搬送設備と結合することによって、連続処理を可能とす
るレイアウト方式がある。
【０００３】更に、生産工程間の物の流れに着目し、本
技術と比較されるものとして特開昭６３−５７１５８号
公報が挙げられる。図８は、同公報に記載されているラ
イン化の原理を示した図である。繰り返しのある製品の
製造ラインにおいて、例えば、図８においては、繰り返
し工程Ａ、Ｂ、Ｃに着目して説明すると、１回目の処理
を、２回目の処理をで表示している。各工程の前に
繰り返し工程回数分のステーションを設置して仮想の流
れを想定する。これを実現するために、マルチステーシ
ョン１００を考案した。この方式をサークルライン方式
と呼んでいる。
技術と比較されるものとして特開昭６３−５７１５８号
公報が挙げられる。図８は、同公報に記載されているラ
イン化の原理を示した図である。繰り返しのある製品の
製造ラインにおいて、例えば、図８においては、繰り返
し工程Ａ、Ｂ、Ｃに着目して説明すると、１回目の処理
を、２回目の処理をで表示している。各工程の前に
繰り返し工程回数分のステーションを設置して仮想の流
れを想定する。これを実現するために、マルチステーシ
ョン１００を考案した。この方式をサークルライン方式
と呼んでいる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
６１−２４９２３５号公報による設備構成案は、製造ラ
インを設計するに当たって、制約条件からどの設備を何
台用いれば良いかを算出するが、実際のライン設計に当
たっては、設備のメンテナンス、トラブル等を吸収でき
るようなライン案を設計する必要があるため、レイアウ
ト案まで考慮して設備構成案を作成する必要がある。ま
た、特開平１−２３４９７９号公報による場合は、個々
の設備をレイアウト配置していく方法である。しかしこ
の方法では、設備を組み合わせて配置を考えるような生
産ラインのレイアウトに関しては、その設備の組み合わ
せ及び組み合わせ台数が無数にあることから、その中か
ら最適な組み合わせを抽出して、最適なレイアウト案を
作成するのには適していない。特開平２−７８２４３号
公報による場合は、加工処理順に設備の組み合わせを考
慮してはいるが、具体的な組み合わせパターン及びライ
ン全体への設備配置に関しては考えられていない。
６１−２４９２３５号公報による設備構成案は、製造ラ
インを設計するに当たって、制約条件からどの設備を何
台用いれば良いかを算出するが、実際のライン設計に当
たっては、設備のメンテナンス、トラブル等を吸収でき
るようなライン案を設計する必要があるため、レイアウ
ト案まで考慮して設備構成案を作成する必要がある。ま
た、特開平１−２３４９７９号公報による場合は、個々
の設備をレイアウト配置していく方法である。しかしこ
の方法では、設備を組み合わせて配置を考えるような生
産ラインのレイアウトに関しては、その設備の組み合わ
せ及び組み合わせ台数が無数にあることから、その中か
ら最適な組み合わせを抽出して、最適なレイアウト案を
作成するのには適していない。特開平２−７８２４３号
公報による場合は、加工処理順に設備の組み合わせを考
慮してはいるが、具体的な組み合わせパターン及びライ
ン全体への設備配置に関しては考えられていない。
【０００５】実際、半導体のような微細加工を行う製品
を製作するラインでは、超クリーンな環境を必要とす
る。この環境を維持、管理していくためには、維持単位
はできるだけ小さい方が良く、また、管理単位は大きい
方が楽である。このような特徴のある製品を製作するラ
インのレイアウトは、最適な管理単位、より具体的には
最適な設備の組み合わせを作成し、配置する方法が最適
である。従って、特開昭６３−５７１５８号公報に記載
されているようなサークルフロー方式では、ライン全体
を管理単位とするので実現化が難しい方式と考えられ
る。
を製作するラインでは、超クリーンな環境を必要とす
る。この環境を維持、管理していくためには、維持単位
はできるだけ小さい方が良く、また、管理単位は大きい
方が楽である。このような特徴のある製品を製作するラ
インのレイアウトは、最適な管理単位、より具体的には
最適な設備の組み合わせを作成し、配置する方法が最適
である。従って、特開昭６３−５７１５８号公報に記載
されているようなサークルフロー方式では、ライン全体
を管理単位とするので実現化が難しい方式と考えられ
る。
【０００６】本発明の第１の目的は、生産するラインを
構成する設備を製品及びラインの持つ特性を考慮し、組
み合わせ、管理単位を供することにある。
構成する設備を製品及びラインの持つ特性を考慮し、組
み合わせ、管理単位を供することにある。
【０００７】本発明の第２の目的は、第１の目的で得ら
れた設備の単位を、製品の持つ特性に合わせ、膨大な設
備の組み合わせからその組み合わせパターンを抽出する
ことにある。
れた設備の単位を、製品の持つ特性に合わせ、膨大な設
備の組み合わせからその組み合わせパターンを抽出する
ことにある。
【０００８】本発明の第３の目的は、実際のライン設計
に当たって、設備のメンテナンス、トラブル等を吸収す
る設備配置の方式を供することにある。
に当たって、設備のメンテナンス、トラブル等を吸収す
る設備配置の方式を供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の多層構造を有する半導体製品の製造方法
は、製造ラインを構成する設備を一連の形成層を加工す
る処理単位に４種類の設備で組み合わせ、前記処理単位
のうちホトリソ設備を有する処理単位が隣り合う場合に
は、前記ホトリソ設備を隣接して配置してなる製造ライ
ンにより前記半導体製品を製造する。
に、本発明の多層構造を有する半導体製品の製造方法
は、製造ラインを構成する設備を一連の形成層を加工す
る処理単位に４種類の設備で組み合わせ、前記処理単位
のうちホトリソ設備を有する処理単位が隣り合う場合に
は、前記ホトリソ設備を隣接して配置してなる製造ライ
ンにより前記半導体製品を製造する。
【００１０】また、上記目的を達成するために、本発明
の半導体製品の製造方法は、前記４種類の設備のモジュ
ールとして（１）酸化、拡散、低圧ＣＶＤ設備→ホトリ
ソ設備→ドライエッチ設備→アッシャ除去設備（２）酸
化、拡散、低圧ＣＶＤ設備→ホトリソ設備→インプラ設
備→アッシャ除去設備（３）常圧・プラズマＣＶＤ設備
→ホトリソ設備→ドライエッチ設備→アッシャ除去設備
（４）スパッタ設備→ホトリソ設備→ドライエッチ設備
→アッシャ除去設備（５）異物・外観検査設備→測長検
査（寸法・膜厚）設備→分析設備→特性検査設備のパタ
ーンとした組み合わせを特徴とする半導体製品の製造方
法。
の半導体製品の製造方法は、前記４種類の設備のモジュ
ールとして（１）酸化、拡散、低圧ＣＶＤ設備→ホトリ
ソ設備→ドライエッチ設備→アッシャ除去設備（２）酸
化、拡散、低圧ＣＶＤ設備→ホトリソ設備→インプラ設
備→アッシャ除去設備（３）常圧・プラズマＣＶＤ設備
→ホトリソ設備→ドライエッチ設備→アッシャ除去設備
（４）スパッタ設備→ホトリソ設備→ドライエッチ設備
→アッシャ除去設備（５）異物・外観検査設備→測長検
査（寸法・膜厚）設備→分析設備→特性検査設備のパタ
ーンとした組み合わせを特徴とする半導体製品の製造方
法。
【００１１】また、上記目的を達成するために、本発明
の多層構造を有する半導体製品の製造ラインの構成方法
は、半導体製品の製造プロセス情報と処理能力と生産予
定数量とから、製造ラインを構成する設備の必要数を算
出し、製造ラインを構成する設備を一連の形成層を加工
する処理単位に４種類の設備で組み合わせ、前記処理単
位のうちホトリソ設備を有する処理単位が隣り合う場合
には、前記ホトリソ設備を隣接して配置する。
の多層構造を有する半導体製品の製造ラインの構成方法
は、半導体製品の製造プロセス情報と処理能力と生産予
定数量とから、製造ラインを構成する設備の必要数を算
出し、製造ラインを構成する設備を一連の形成層を加工
する処理単位に４種類の設備で組み合わせ、前記処理単
位のうちホトリソ設備を有する処理単位が隣り合う場合
には、前記ホトリソ設備を隣接して配置する。
【００１２】
【作用】半導体のような多層構造の製品を生産するライ
ンのレイアウトを設計するのに当たって、複数の設備か
らなる設備モジュール毎に配置することによって作成す
る。その際、無数にある設備の組み合わせの中から層形
成単位に、４種類の設備に組み合わせを規定し、更に、
５つのパターンのモジュールに分類することによって、
容易にラインレイアウト配置することが可能になる。そ
して、モジュールを構成する設備を２台以上で構成させ
ることから、設備の能力バランス、メンテナンス、トラ
ブル等の問題を吸収することが可能になる。
ンのレイアウトを設計するのに当たって、複数の設備か
らなる設備モジュール毎に配置することによって作成す
る。その際、無数にある設備の組み合わせの中から層形
成単位に、４種類の設備に組み合わせを規定し、更に、
５つのパターンのモジュールに分類することによって、
容易にラインレイアウト配置することが可能になる。そ
して、モジュールを構成する設備を２台以上で構成させ
ることから、設備の能力バランス、メンテナンス、トラ
ブル等の問題を吸収することが可能になる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を図１から図７及び表１を用い
て説明する。
て説明する。
【００１４】
【表１】
【００１５】まず、本発明による半導体生産ライン設備
の組み合わせ方法について説明すれば、図１は半導体生
産ライン１にそのモジュール４、５、６他を次々に配置
したものである。配置の方法について、詳細は後で記載
するが、形成層単位に、工程の順序に処理の対応するモ
ジュールを並べている。図中Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅはその
パターンを示している。このパターンの詳細を表１に示
した。半導体製造プロセスにおける加工処理は図２に示
すように、まず、回路パターンを焼き付けるホトリソ工
程１２を中心にパターン焼き付け後、ドライエッチング
１３を行うかイオンを打ち込むインプラ工程１４の処理
が行われ、共にアッシャ除去工程１５を経て次工程に進
む。次工程に進む頻度は図中工程間に引いた矢印の太さ
で表している。次にホトリソ工程１２に進む前の工程は
成膜であり、形成膜の種類によって酸化・拡散・低圧Ｃ
ＶＤ工程１６によるもの、常圧・プラズマＣＶＤ工程１
７によるもの、スパッタ工程１８によるものに分類で
き、これに、表１におけるＥのパターンである検査・分
析に関する設備の組み合わせ考えることによって、４種
類の設備を組み合わせることによって一連の加工処理が
可能であり、また、その組み合わせパターンは５種類に
集約できる。更に、個々のモジュールの構成は、図３に
示すようにモジュール内搬送設備２３から処理ステージ
２４を経て処理設備１９、２０、２１、２２で処理され
る。その際、拡大図（Ａ）に示すように処理設備１９
は、設備の能力バランス、メンテナンス、トラブル等を
考慮し、２台構成になっている。また、モジュール内設
備は、処理中の設備の状態をモニタする監視システム２
００とネットワーク２０１で接続されており、モジュー
ル内で製品が規格通りに処理ができたか判定できる検査
機能を有している。例えば、この機能によって再生処理
と判定された場合は、再度同モジュール内で再生着工さ
れる。また、不適と判断された場合は、表１におけるＥ
タイプモジュールに搬送する等再調査する。しかし、各
モジュール内で持つ検査機能は、表１おけるＥタイプモ
ジュールの処理機能とは異なり、設備の性能向上やプロ
セスの安定化によって随時削減されていく機能である。
の組み合わせ方法について説明すれば、図１は半導体生
産ライン１にそのモジュール４、５、６他を次々に配置
したものである。配置の方法について、詳細は後で記載
するが、形成層単位に、工程の順序に処理の対応するモ
ジュールを並べている。図中Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅはその
パターンを示している。このパターンの詳細を表１に示
した。半導体製造プロセスにおける加工処理は図２に示
すように、まず、回路パターンを焼き付けるホトリソ工
程１２を中心にパターン焼き付け後、ドライエッチング
１３を行うかイオンを打ち込むインプラ工程１４の処理
が行われ、共にアッシャ除去工程１５を経て次工程に進
む。次工程に進む頻度は図中工程間に引いた矢印の太さ
で表している。次にホトリソ工程１２に進む前の工程は
成膜であり、形成膜の種類によって酸化・拡散・低圧Ｃ
ＶＤ工程１６によるもの、常圧・プラズマＣＶＤ工程１
７によるもの、スパッタ工程１８によるものに分類で
き、これに、表１におけるＥのパターンである検査・分
析に関する設備の組み合わせ考えることによって、４種
類の設備を組み合わせることによって一連の加工処理が
可能であり、また、その組み合わせパターンは５種類に
集約できる。更に、個々のモジュールの構成は、図３に
示すようにモジュール内搬送設備２３から処理ステージ
２４を経て処理設備１９、２０、２１、２２で処理され
る。その際、拡大図（Ａ）に示すように処理設備１９
は、設備の能力バランス、メンテナンス、トラブル等を
考慮し、２台構成になっている。また、モジュール内設
備は、処理中の設備の状態をモニタする監視システム２
００とネットワーク２０１で接続されており、モジュー
ル内で製品が規格通りに処理ができたか判定できる検査
機能を有している。例えば、この機能によって再生処理
と判定された場合は、再度同モジュール内で再生着工さ
れる。また、不適と判断された場合は、表１におけるＥ
タイプモジュールに搬送する等再調査する。しかし、各
モジュール内で持つ検査機能は、表１おけるＥタイプモ
ジュールの処理機能とは異なり、設備の性能向上やプロ
セスの安定化によって随時削減されていく機能である。
【００１６】次に、この半導体製造設備のモジュールを
ラインレイアウトする方法について説明する。図１にお
いて上記で説明したようにして構成させたモジュール
４、５、６他は、その製造プロセスと処理能力及び生産
予定数量から配置必要モジュール数が算出される。これ
らの上記で記載した５パターン及び複数の同一モジュー
ルで構成されるモジュール４、５、６他は、その製造プ
ロセスに沿って、投入口３から投入され、モジュール間
搬送設備７を通して運ばれるウェハを加工処理する順に
モジュール４、モジュール５という順に配置する。ここ
でモジュール間搬送設備７は、図３における各モジュー
ルのモジュール内搬送設備２３と接続されており、搬送
先のモジュール内の処理ステージ２４が満杯の時は、そ
のモジュールには搬送せず、製品をバッファとして保管
する機能もしくはウェハストッカとの接続機能をを有し
ている。さて、ここでモジュール４の次に加工処理を行
うモジュール５は、モジュール６の位置にあっても良い
はずである。しかし、例えば、モジュール４の次に加工
処理を行うモジュール５に排気口・薬液供給等のユーテ
ィリティ部位の必要性のある設備が含まれていたなら
ば、ユーティリティエリア２のないモジュール６の位置
に配置することはできないので、ユーティリティエリア
２のあるモジュール５の位置に配置する。また、配置に
当たって図４に示すように４つのモジュールにおいて、
モジュール内のホトリソ設備２０を図のように配置する
ことによって、ホトリソ設備がその性格上必要とする高
クリーンな環境を図５に示すように集中高クリーンエリ
ア２７によって管理すれば、高クリーンなクリーンエリ
アはより少ないスペースで済む。
ラインレイアウトする方法について説明する。図１にお
いて上記で説明したようにして構成させたモジュール
４、５、６他は、その製造プロセスと処理能力及び生産
予定数量から配置必要モジュール数が算出される。これ
らの上記で記載した５パターン及び複数の同一モジュー
ルで構成されるモジュール４、５、６他は、その製造プ
ロセスに沿って、投入口３から投入され、モジュール間
搬送設備７を通して運ばれるウェハを加工処理する順に
モジュール４、モジュール５という順に配置する。ここ
でモジュール間搬送設備７は、図３における各モジュー
ルのモジュール内搬送設備２３と接続されており、搬送
先のモジュール内の処理ステージ２４が満杯の時は、そ
のモジュールには搬送せず、製品をバッファとして保管
する機能もしくはウェハストッカとの接続機能をを有し
ている。さて、ここでモジュール４の次に加工処理を行
うモジュール５は、モジュール６の位置にあっても良い
はずである。しかし、例えば、モジュール４の次に加工
処理を行うモジュール５に排気口・薬液供給等のユーテ
ィリティ部位の必要性のある設備が含まれていたなら
ば、ユーティリティエリア２のないモジュール６の位置
に配置することはできないので、ユーティリティエリア
２のあるモジュール５の位置に配置する。また、配置に
当たって図４に示すように４つのモジュールにおいて、
モジュール内のホトリソ設備２０を図のように配置する
ことによって、ホトリソ設備がその性格上必要とする高
クリーンな環境を図５に示すように集中高クリーンエリ
ア２７によって管理すれば、高クリーンなクリーンエリ
アはより少ないスペースで済む。
【００１７】次に、上記によって構成された製造ライン
に対しての物流方法とその物流方法から考えたレイアウ
ト方法について説明する。まず、モジュール内配置とし
て、図１においてライン内で配置されるモジュールの１
つについて着目したものである図３のように、加工処理
順に酸化、拡散、低圧ＣＶＤ設備１９、ホトリソ設備２
０、ドライエッチ設備２１アッシャ除去設備２２の順に
並べ、モジュール内搬送設備２３から処理ステージ２４
を経て処理設備１９、２０、２１、２２へ搬送される。
次に、モジュール間搬送設備７を通してモジュール間搬
送が行われるが、その際、製品を流す時、全てのモジュ
ール４、５、６他を１回しか通らないものとすると加工
処理の作業工程数分だけ処理設備台数が必要となるた
め、設備台数が膨大になり、製造ラインの面積、設備投
資額が大きくなるため、例えば、図１において製造プロ
セスと処理内容から投入口３から投入されたウェハを、
モジュール４→モジュール５→モジュール４→モジュー
ル５→モジュール４→モジュール６のように流すことに
よってより少ない設備台数になるように流れを規定す
る。しかし、これを推し進め過ぎると、従来のラインの
物流の流れを示した図６のように投入口３から排出口８
まで複雑、且つ搬送距離の長いレイアウトに成ってしま
うので、例えば、図１において分離線９によって分けら
れる２つの区分１０、１１に分けられるスペースをブロ
ックとし、ブロック１０、１１間では搬送が起きないよ
うにレイアウトさせる。ここで、分離線９を入れる位置
は設備台数、製造ラインの面積、設備投資額を勘案しな
がら人による判断、もしくは制約条件を入力することに
よって自動的に設定されるシステムを用いて設定され
る。。これによって図７に示すように投入口３から排出
口８までの流れを規制することから単純、且つ搬送距離
の短いレイアウトを得ることができる。
に対しての物流方法とその物流方法から考えたレイアウ
ト方法について説明する。まず、モジュール内配置とし
て、図１においてライン内で配置されるモジュールの１
つについて着目したものである図３のように、加工処理
順に酸化、拡散、低圧ＣＶＤ設備１９、ホトリソ設備２
０、ドライエッチ設備２１アッシャ除去設備２２の順に
並べ、モジュール内搬送設備２３から処理ステージ２４
を経て処理設備１９、２０、２１、２２へ搬送される。
次に、モジュール間搬送設備７を通してモジュール間搬
送が行われるが、その際、製品を流す時、全てのモジュ
ール４、５、６他を１回しか通らないものとすると加工
処理の作業工程数分だけ処理設備台数が必要となるた
め、設備台数が膨大になり、製造ラインの面積、設備投
資額が大きくなるため、例えば、図１において製造プロ
セスと処理内容から投入口３から投入されたウェハを、
モジュール４→モジュール５→モジュール４→モジュー
ル５→モジュール４→モジュール６のように流すことに
よってより少ない設備台数になるように流れを規定す
る。しかし、これを推し進め過ぎると、従来のラインの
物流の流れを示した図６のように投入口３から排出口８
まで複雑、且つ搬送距離の長いレイアウトに成ってしま
うので、例えば、図１において分離線９によって分けら
れる２つの区分１０、１１に分けられるスペースをブロ
ックとし、ブロック１０、１１間では搬送が起きないよ
うにレイアウトさせる。ここで、分離線９を入れる位置
は設備台数、製造ラインの面積、設備投資額を勘案しな
がら人による判断、もしくは制約条件を入力することに
よって自動的に設定されるシステムを用いて設定され
る。。これによって図７に示すように投入口３から排出
口８までの流れを規制することから単純、且つ搬送距離
の短いレイアウトを得ることができる。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、生産ラインのレイアウ
ト配置を行う際に、請求項１、２によりモジュールを作
成するので、個々の設備を配置するよりも容易に配置設
計を行うことができる。また、請求項３によってモジュ
ールを構成する個々の設備を複数に設定しているので、
このモジュールをもとにラインレイアウト設計を行え
ば、個々の設備の能力バランス、メンテナンス、トラブ
ル等を吸収したラインを設計することができる。
ト配置を行う際に、請求項１、２によりモジュールを作
成するので、個々の設備を配置するよりも容易に配置設
計を行うことができる。また、請求項３によってモジュ
ールを構成する個々の設備を複数に設定しているので、
このモジュールをもとにラインレイアウト設計を行え
ば、個々の設備の能力バランス、メンテナンス、トラブ
ル等を吸収したラインを設計することができる。
【図１】本発明の一実施例を示すライン構成図である。
【図２】工程フロー分析図である。
【図３】モジュールの詳細構成例（ Ａ タイプ）を示す
図である。
図である。
【図４】設備の特性を考慮したモジュール内配置を示す
図である。
図である。
【図５】集中管理エリアを持つモジュールを示す図であ
る。
る。
【図６】従来のライン内物流流れ線図である。
【図７】本発明によるライン内物流流れ線図である。
【図８】サークルライン方式の原理を示した図である。
１…半導体生産ライン、 ２…ユーティリティエリア、 ３…ウェハ投入口、 ４、５、６…設備モジュール、 ７…モジュール間搬送設備、 ８…ウェハ排出口、 ９…ブロック分離線、 １０、１１…設備配置ブロック、 １２…ホトリソ工程、 １３…ドライエッチ工程、 １４…インプラ工程、 １５…アッシャ除去工程、 １６…酸化・拡散・低圧ＣＶＤ工程、 １７…常圧・プラズマＣＶＤ工程、 １８…スパッタ工程、 １９…酸化・拡散・低圧ＣＶＤ設備、 ２０…ホトリソ設備、 ２１…ドライエッチ設備、 ２２…アッシャ除去設備、 ２３…モジュール内搬送設備、 ２４…処理ステージ、 ２５…設備投入口、 ２６…高クリーンエリア、 １００…マルチステーション、 ２００…設備プロセス状態監視機構（システム）、 ２０１…ローカルエリアネットワーク。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−202931（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−57158（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−186861（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/02 H01L 21/68
Claims (3)
- 【請求項１】多層構造を有する半導体製品の製造方法で
あって、 製造ラインを 構成する設備を一連の形成層を加工する処
理単位に４種類の設備で組み合わせ、前記処理単位のう
ちホトリソ設備を有する処理単位が隣り合う場合には、
前記ホトリソ設備を隣接して配置してなる製造ラインに
より前記半導体製品を製造することを特徴とする半導体
製品の製造方法。 - 【請求項２】請求項１に記載の半導体製品の製造方法に
おいて、前記４種類の設備のモジュールとして（１） 酸化、拡散、低圧ＣＶＤ設備→ホトリソ設備→ド
ライエッチ設備→アッシャ除去設備（２） 酸化、拡散、低圧ＣＶＤ設備→ホトリソ設備→イ
ンプラ設備→アッシャ除去設備（３） 常圧・プラズマＣＶＤ設備→ホトリソ設備→ドラ
イエッチ設備→アッシャ除去設備（４） スパッタ設備→ホトリソ設備→ドライエッチ設備
→アッシャ除去設備（５） 異物・外観検査設備→測長検査（寸法・膜厚）設
備→分析設備→特性検査設備のパターンとした組み合わ
せを特徴とする半導体製品の製造方法。 - 【請求項３】多層構造を有する半導体製品の製造ライン
の構成方法であって、 半導体製品の製造プロセス情報と処理能力と生産予定数
量とから、製造ラインを構成する設備の必要数を算出
し、 製造ラインを構成する設備を一連の形成層を加工する処
理単位に４種類の設備で組み合わせ、 前記処理単位のうちホトリソ設備を有する処理単位が隣
り合う場合には、前記ホトリソ設備を隣接して配置する
ことを特徴とする半導体製造ラインの構成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18211292A JP3282219B2 (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 半導体製造ラインの構成方法 |
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| JP18211292A JP3282219B2 (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 半導体製造ラインの構成方法 |
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