JPH11145022A - 半導体製造設備 - Google Patents
半導体製造設備Info
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- JPH11145022A JPH11145022A JP31171397A JP31171397A JPH11145022A JP H11145022 A JPH11145022 A JP H11145022A JP 31171397 A JP31171397 A JP 31171397A JP 31171397 A JP31171397 A JP 31171397A JP H11145022 A JPH11145022 A JP H11145022A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理工程を繰り返すような膜形成を生産性良
く行うことができ、またその他の各種膜形成も効率的に
行うことができる半導体製造設備を提供する。 【解決手段】 所定の膜形成を行うための各種処理を行
う複数のプロセス設備２１をワーク搬送通路７に沿って
ライン状に処理順序に基づいて配設したフローショップ
設備ユニット２０を設け、またプロセス設備６及びワー
ク搬送通路７の全体が清浄度の高い状態に保持された第
１のジョブショップ設備ユニット２と、プロセス設備８
の一部とワーク搬送通路７が清浄度の高い状態に保持さ
れた第２のジョブショップ設備ユニット３と、ワーク搬
送通路７のみが清浄度の高い状態に保持された第３のジ
ョブショップ設備ユニット４と組み合わせた。
く行うことができ、またその他の各種膜形成も効率的に
行うことができる半導体製造設備を提供する。 【解決手段】 所定の膜形成を行うための各種処理を行
う複数のプロセス設備２１をワーク搬送通路７に沿って
ライン状に処理順序に基づいて配設したフローショップ
設備ユニット２０を設け、またプロセス設備６及びワー
ク搬送通路７の全体が清浄度の高い状態に保持された第
１のジョブショップ設備ユニット２と、プロセス設備８
の一部とワーク搬送通路７が清浄度の高い状態に保持さ
れた第２のジョブショップ設備ユニット３と、ワーク搬
送通路７のみが清浄度の高い状態に保持された第３のジ
ョブショップ設備ユニット４と組み合わせた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造設備に
関するものである。
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体は、図３に示すように、シリコン
ウェハ（ワーク）を、洗浄工程、酸化工程、拡散工程、
イオン注入工程、絶縁膜形成工程、電極形成工程、エピ
タキシャル成長工程、及びパターンを形成するリソグラ
フィ工程などから適宜に選択された複数の工程に順次通
すことによって製造される。また、そのリソグラフィ工
程においては、レジスト塗布、プリベーク、フォトマス
クによる露光、現像、ポストベーク、エッチング、レジ
スト除去の複数の工程を経る。
ウェハ（ワーク）を、洗浄工程、酸化工程、拡散工程、
イオン注入工程、絶縁膜形成工程、電極形成工程、エピ
タキシャル成長工程、及びパターンを形成するリソグラ
フィ工程などから適宜に選択された複数の工程に順次通
すことによって製造される。また、そのリソグラフィ工
程においては、レジスト塗布、プリベーク、フォトマス
クによる露光、現像、ポストベーク、エッチング、レジ
スト除去の複数の工程を経る。
【０００３】半導体製造設備においては、上記各工程を
それぞれ実行する各プロセス設備に対してワークを高い
清浄度に保持しながら順次供給する必要があるため、ク
リーンルーム内にそれらのプロセス設備を配設し、クリ
ーンルーム内でワークを搬送して各プロセス設備に順次
供給するように構成されている。
それぞれ実行する各プロセス設備に対してワークを高い
清浄度に保持しながら順次供給する必要があるため、ク
リーンルーム内にそれらのプロセス設備を配設し、クリ
ーンルーム内でワークを搬送して各プロセス設備に順次
供給するように構成されている。
【０００４】一般的なクリーンルームは、天井室と、処
理室と、床下室の３層構造とされ、中間のプロセス設備
が配設される処理室の天井面に高性能フィルタ（ＨＥＰ
ＡフィルタやＵＬＰＡフィルタ）を設置し、処理室の床
面はグレーチング床等の通気構造の床面にて構成し、床
下室と天井室とをリターン通路にて連通するとともにそ
のリターン通路に空調機を配設し、空調機にて温度及び
湿度を調整され、高性能フィルタにて清浄にされた空気
を処理室の天井から床面に向かって吹き出してダウンフ
ローを形成するように構成されている。
理室と、床下室の３層構造とされ、中間のプロセス設備
が配設される処理室の天井面に高性能フィルタ（ＨＥＰ
ＡフィルタやＵＬＰＡフィルタ）を設置し、処理室の床
面はグレーチング床等の通気構造の床面にて構成し、床
下室と天井室とをリターン通路にて連通するとともにそ
のリターン通路に空調機を配設し、空調機にて温度及び
湿度を調整され、高性能フィルタにて清浄にされた空気
を処理室の天井から床面に向かって吹き出してダウンフ
ローを形成するように構成されている。
【０００５】従来の半導体製造設備においては、生産計
画に基づいた生産スペース全体を覆う鉄筋コンクリート
や鉄骨コンクリート製の建屋を構築し、その内部にクリ
ーンルームを構築してそのクリーンルーム内に上記各工
程を実行する各種プロセス設備を生産規模に合わせて適
当数づつそれぞれ纏めて配設している。そして、各ワー
クをその薄膜形成工程に応じて各プロセス設備に順次供
給することによって半導体を製造する、所謂ジョブショ
ップ生産方式で半導体を製造するように構成されてい
た。
画に基づいた生産スペース全体を覆う鉄筋コンクリート
や鉄骨コンクリート製の建屋を構築し、その内部にクリ
ーンルームを構築してそのクリーンルーム内に上記各工
程を実行する各種プロセス設備を生産規模に合わせて適
当数づつそれぞれ纏めて配設している。そして、各ワー
クをその薄膜形成工程に応じて各プロセス設備に順次供
給することによって半導体を製造する、所謂ジョブショ
ップ生産方式で半導体を製造するように構成されてい
た。
【０００６】また、特開平７−２８３０８９号公報に
は、各種プロセス設備を薄膜の単位層の形成タイプ毎に
組合せてそれぞれモジュール化し、そのモジュールを組
み合わせて構成した半導体製造設備が開示されている。
例えば、単位層形成タイプを、酸化・拡散・低圧ＣＶＤ
−ホトリソグラフィ−ドライエッチング−洗浄の組合せ
をタイプＡ、酸化・拡散・低圧ＣＶＤ−ホトリソグラフ
ィ−イオン注入−洗浄の組合せをタイプＢ、常圧プラズ
マＣＶＤ−ホトリソグラフィ−ドライエッチング−洗浄
の組合せをタイプＣ、以下同様にタイプＤ、タイプＥ、
・・とし、各タイプ毎にそれぞれのプロセス設備を組み
合わせてモジュール化している。また、各モジュールに
おいては、各プロセス設備毎に要求される清浄度レベル
に応じて清浄度領域を区分して空調し、各モジュール単
位でクリーンルームをユニット化している。
は、各種プロセス設備を薄膜の単位層の形成タイプ毎に
組合せてそれぞれモジュール化し、そのモジュールを組
み合わせて構成した半導体製造設備が開示されている。
例えば、単位層形成タイプを、酸化・拡散・低圧ＣＶＤ
−ホトリソグラフィ−ドライエッチング−洗浄の組合せ
をタイプＡ、酸化・拡散・低圧ＣＶＤ−ホトリソグラフ
ィ−イオン注入−洗浄の組合せをタイプＢ、常圧プラズ
マＣＶＤ−ホトリソグラフィ−ドライエッチング−洗浄
の組合せをタイプＣ、以下同様にタイプＤ、タイプＥ、
・・とし、各タイプ毎にそれぞれのプロセス設備を組み
合わせてモジュール化している。また、各モジュールに
おいては、各プロセス設備毎に要求される清浄度レベル
に応じて清浄度領域を区分して空調し、各モジュール単
位でクリーンルームをユニット化している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体製造設備では単体構造の大きなクリーンルーム内
に各種プロセス設備を配設しているので、各種半導体に
対応できる汎用性と各プロセス設備の稼働率を確保する
ために、上記のように各プロセス設備を所要数づつ纏め
て配設したジョブショップ方式が採用されているが、こ
のジョブショップ方式の生産では、配線工程のように処
理タクトの似通った処理工程を繰り返して膜形成するよ
うな工程では、ワークの搬出・搬送・搬入・待機等のハ
ンドリングに要する時間が多くなって生産性が非常に悪
くなるという問題があった。
半導体製造設備では単体構造の大きなクリーンルーム内
に各種プロセス設備を配設しているので、各種半導体に
対応できる汎用性と各プロセス設備の稼働率を確保する
ために、上記のように各プロセス設備を所要数づつ纏め
て配設したジョブショップ方式が採用されているが、こ
のジョブショップ方式の生産では、配線工程のように処
理タクトの似通った処理工程を繰り返して膜形成するよ
うな工程では、ワークの搬出・搬送・搬入・待機等のハ
ンドリングに要する時間が多くなって生産性が非常に悪
くなるという問題があった。
【０００８】一方、上記公報に開示された構成では、薄
膜の単位層形成タイプ毎にそれに用いる各種プロセス設
備を組合せてモジュール化しているが、処理工程を繰り
返して膜形成する場合に上記問題を完全に解消すること
ができず、かつ他方で各種膜構成の半導体に対して汎用
する場合にはジョブショップ方式の利点が得られないた
めに却って半導体製造設備全体の稼働率が低下するとい
う問題がある。
膜の単位層形成タイプ毎にそれに用いる各種プロセス設
備を組合せてモジュール化しているが、処理工程を繰り
返して膜形成する場合に上記問題を完全に解消すること
ができず、かつ他方で各種膜構成の半導体に対して汎用
する場合にはジョブショップ方式の利点が得られないた
めに却って半導体製造設備全体の稼働率が低下するとい
う問題がある。
【０００９】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、処理
工程を繰り返すような膜形成を生産性良く行うことがで
き、またその他の各種膜形成も効率的に行うことができ
かつ安価に構成できる半導体製造設備を提供することを
目的としている。
工程を繰り返すような膜形成を生産性良く行うことがで
き、またその他の各種膜形成も効率的に行うことができ
かつ安価に構成できる半導体製造設備を提供することを
目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造設備
は、所定の膜形成を行うための各種処理を行う複数のプ
ロセス設備をワーク搬送通路に沿ってライン状に処理順
序に基づいて配設したフローショップ設備ユニットを備
えたものであり、処理工程を繰り返すような膜形成を行
う場合に非常に生産性良く膜形成することができる。
は、所定の膜形成を行うための各種処理を行う複数のプ
ロセス設備をワーク搬送通路に沿ってライン状に処理順
序に基づいて配設したフローショップ設備ユニットを備
えたものであり、処理工程を繰り返すような膜形成を行
う場合に非常に生産性良く膜形成することができる。
【００１１】また、フローショップ設備ユニットとジョ
ブショップ設備ユニットとを組み合わせることにより、
特にプロセス設備及びワーク搬送通路の全体が清浄度の
高い状態に保持されたクリーンルームを有する第１のジ
ョブショップ設備ユニットと、プロセス設備の一部とワ
ーク搬送通路が清浄度の高い状態に保持されたクリーン
ルームを有する第２のジョブショップ設備ユニットと、
ワーク搬送通路のみが清浄度の高い状態に保持されたク
リーンルームを有する第３のジョブショップ設備ユニッ
トと組み合わせることにより、その他の各種膜形成も効
率的に行うことができ、かつ各ジョブショップ設備ユニ
ットをクリーンルームのエリアに応じて別々にユニット
化しているので、各設備ユニットのクリーンルームの構
成が単純となって低コストにて構成でき、半導体製造設
備全体では大幅に安価に構成することができる。
ブショップ設備ユニットとを組み合わせることにより、
特にプロセス設備及びワーク搬送通路の全体が清浄度の
高い状態に保持されたクリーンルームを有する第１のジ
ョブショップ設備ユニットと、プロセス設備の一部とワ
ーク搬送通路が清浄度の高い状態に保持されたクリーン
ルームを有する第２のジョブショップ設備ユニットと、
ワーク搬送通路のみが清浄度の高い状態に保持されたク
リーンルームを有する第３のジョブショップ設備ユニッ
トと組み合わせることにより、その他の各種膜形成も効
率的に行うことができ、かつ各ジョブショップ設備ユニ
ットをクリーンルームのエリアに応じて別々にユニット
化しているので、各設備ユニットのクリーンルームの構
成が単純となって低コストにて構成でき、半導体製造設
備全体では大幅に安価に構成することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明のクリーンルームの
一実施形態について、図１、図２を参照して説明する。
一実施形態について、図１、図２を参照して説明する。
【００１３】１は半導体製造設備で、第１〜第４のジョ
ブショップ設備ユニット２〜５及びフローショップ設備
ユニット２０を組み合わせて構成されている。第１のジ
ョブショップ設備ユニット２は、ホトリソグラフィなど
処理を大気中で行うためその処理部の全体が大気中にあ
るプロセス設備６が設置されているジョブショップ設備
ユニットであり、そのクリーンルームはプロセス設備６
及びワーク搬送通路７の全体を清浄度の高い状態に保持
するように構成されている。
ブショップ設備ユニット２〜５及びフローショップ設備
ユニット２０を組み合わせて構成されている。第１のジ
ョブショップ設備ユニット２は、ホトリソグラフィなど
処理を大気中で行うためその処理部の全体が大気中にあ
るプロセス設備６が設置されているジョブショップ設備
ユニットであり、そのクリーンルームはプロセス設備６
及びワーク搬送通路７の全体を清浄度の高い状態に保持
するように構成されている。
【００１４】この第１のジョブショップ設備ユニット２
のクリーンルームは、図２に示すように、天井室１１
と、プロセス設備６及びワーク搬送通路７の全体が配設
されたクラス１程度の高清浄度室１２と、床下室１３
と、機器室１４の上下４層構造に構成されており、床下
室１３とその下部の機器室１４とは気密分離されてい
る。
のクリーンルームは、図２に示すように、天井室１１
と、プロセス設備６及びワーク搬送通路７の全体が配設
されたクラス１程度の高清浄度室１２と、床下室１３
と、機器室１４の上下４層構造に構成されており、床下
室１３とその下部の機器室１４とは気密分離されてい
る。
【００１５】高清浄度室１２の天井面にはＨＥＰＡフィ
ルタやＵＬＰＡフィルタなどの高性能フィルタを有する
ファンフィルタユニット１５が設置され、高清浄度室１
２の床面は通気構造とするためグレーチング床１６にて
構成されている。１７は床下室１３と天井室１１とを連
通するリターン通路で、適所に空調機（図示せず）が配
設されている。かくして、空調機にて温度及び湿度を調
整され、高性能フィルタにて清浄にされた空気が高清浄
度室１２の天井面から床面に向かって吹き出して清浄な
空気のダウンフローが形成され、この清浄な温調空気が
循環使用されることにより効率的に高清浄度室１２内が
高い清浄度に保持される。機器室１４には、プロセス設
備６に必要な適宜補助機器１８が配設されている。ま
た、床下室１３の出口部にはケミカルフィルタ１９が配
設され、循環空気中にガス成分が含有しないように構成
されている。
ルタやＵＬＰＡフィルタなどの高性能フィルタを有する
ファンフィルタユニット１５が設置され、高清浄度室１
２の床面は通気構造とするためグレーチング床１６にて
構成されている。１７は床下室１３と天井室１１とを連
通するリターン通路で、適所に空調機（図示せず）が配
設されている。かくして、空調機にて温度及び湿度を調
整され、高性能フィルタにて清浄にされた空気が高清浄
度室１２の天井面から床面に向かって吹き出して清浄な
空気のダウンフローが形成され、この清浄な温調空気が
循環使用されることにより効率的に高清浄度室１２内が
高い清浄度に保持される。機器室１４には、プロセス設
備６に必要な適宜補助機器１８が配設されている。ま
た、床下室１３の出口部にはケミカルフィルタ１９が配
設され、循環空気中にガス成分が含有しないように構成
されている。
【００１６】第２のジョブショップ設備ユニット３は、
ウェットエッチングや減圧ＣＶＤやベーク炉など処理の
一部を大気中で行うためその処理部の一部が大気中にあ
るプロセス設備８が設置されているジョブショップ設備
ユニットであり、クリーンルームはプロセス設備８の一
部とワーク搬送通路７を清浄度の高い状態に保持するよ
うに構成されている。そのクリーンルームは第１のジョ
ブショップ設備ユニット２のクリーンルームと基本的に
同一の構成で、その高清浄度室１２にはプロセス設備８
の一部とワーク搬送通路７が配設されている。また、機
器室１４には、プロセス設備８の真空排気を行う真空ポ
ンプや、真空排気中の有害ガスを燃焼方式で無害化する
除害機などの補助機器１８が配設されている。
ウェットエッチングや減圧ＣＶＤやベーク炉など処理の
一部を大気中で行うためその処理部の一部が大気中にあ
るプロセス設備８が設置されているジョブショップ設備
ユニットであり、クリーンルームはプロセス設備８の一
部とワーク搬送通路７を清浄度の高い状態に保持するよ
うに構成されている。そのクリーンルームは第１のジョ
ブショップ設備ユニット２のクリーンルームと基本的に
同一の構成で、その高清浄度室１２にはプロセス設備８
の一部とワーク搬送通路７が配設されている。また、機
器室１４には、プロセス設備８の真空排気を行う真空ポ
ンプや、真空排気中の有害ガスを燃焼方式で無害化する
除害機などの補助機器１８が配設されている。
【００１７】第３のジョブショップ設備ユニット４は、
ドライエッチングやＣＶＤやプラズマＣＶＤなど処理の
全体を設備で管理された空間内で行うため処理部の全体
が大気に晒されないプロセス設備９が設置されているジ
ョブショップ設備ユニットであり、クリーンルームはワ
ーク搬送通路７のみを清浄度の高い状態に保持するよう
に構成されている。そのクリーンルームは第１のジョブ
ショップ設備ユニット２のクリーンルームと基本的に同
一の構成で、その高清浄度室１２にはワーク搬送通路７
のみが配設されている。また、機器室１４には、プロセ
ス設備８の真空排気を行う真空ポンプや、真空排気中の
有害ガスを燃焼方式で無害化する除害機などの補助機器
１８が配設されている。
ドライエッチングやＣＶＤやプラズマＣＶＤなど処理の
全体を設備で管理された空間内で行うため処理部の全体
が大気に晒されないプロセス設備９が設置されているジ
ョブショップ設備ユニットであり、クリーンルームはワ
ーク搬送通路７のみを清浄度の高い状態に保持するよう
に構成されている。そのクリーンルームは第１のジョブ
ショップ設備ユニット２のクリーンルームと基本的に同
一の構成で、その高清浄度室１２にはワーク搬送通路７
のみが配設されている。また、機器室１４には、プロセ
ス設備８の真空排気を行う真空ポンプや、真空排気中の
有害ガスを燃焼方式で無害化する除害機などの補助機器
１８が配設されている。
【００１８】第４のジョブショップ設備ユニット５は、
イオン注入やＣＭＰなど処理の全体を設備で管理された
空間内で行うため処理部の全体が大気に晒されず、さら
に補助機器を循環空気通路と隔離して設ける必要のない
プロセス設備１０が設置されているジョブショップ設備
ユニットであり、クリーンルームはワーク搬送通路７の
みを清浄度の高い状態に保持するように構成されてい
る。そのクリーンルームは第３のジョブショップ設備ユ
ニット４のクリーンルームと基本的に同じ構成である
が、４層構造ではなく機器室１４を設けていない３層構
造とされている。
イオン注入やＣＭＰなど処理の全体を設備で管理された
空間内で行うため処理部の全体が大気に晒されず、さら
に補助機器を循環空気通路と隔離して設ける必要のない
プロセス設備１０が設置されているジョブショップ設備
ユニットであり、クリーンルームはワーク搬送通路７の
みを清浄度の高い状態に保持するように構成されてい
る。そのクリーンルームは第３のジョブショップ設備ユ
ニット４のクリーンルームと基本的に同じ構成である
が、４層構造ではなく機器室１４を設けていない３層構
造とされている。
【００１９】フローショップ設備ユニット２０は、クリ
ーンルーム構成としては基本的に第１〜第３のジョブシ
ョップ設備ユニット２〜４の何れかのクリーンルーム構
成と同じであるが、第１〜第３のジョブショップ設備ユ
ニット２〜４の一端に沿うように細長く配設されるとと
もに、各ジョブショップ設備ユニット２〜４のワーク搬
送通路７と接続可能に一側にワーク搬送通路７が配設さ
れ、他側にはアルミスパッタとドライエッチングと絶縁
膜形成等の繰り返しによる電極形成工程や配線工程のよ
うに、処理タクトが均等になるように各種プロセス設備
２１が処理順序に基づいてワーク搬送通路７に沿ってラ
イン状に配設され、ワークを１ライン上を搬送すること
によって各種処理を順次行うように構成されている。
ーンルーム構成としては基本的に第１〜第３のジョブシ
ョップ設備ユニット２〜４の何れかのクリーンルーム構
成と同じであるが、第１〜第３のジョブショップ設備ユ
ニット２〜４の一端に沿うように細長く配設されるとと
もに、各ジョブショップ設備ユニット２〜４のワーク搬
送通路７と接続可能に一側にワーク搬送通路７が配設さ
れ、他側にはアルミスパッタとドライエッチングと絶縁
膜形成等の繰り返しによる電極形成工程や配線工程のよ
うに、処理タクトが均等になるように各種プロセス設備
２１が処理順序に基づいてワーク搬送通路７に沿ってラ
イン状に配設され、ワークを１ライン上を搬送すること
によって各種処理を順次行うように構成されている。
【００２０】以上の構成によれば、フローショップ設備
ユニット２０を設けたので、処理工程を繰り返すような
膜形成を行う場合に非常に生産性良く膜形成することが
できる。また、そのフローショップ設備ユニット２０と
ジョブショップ設備ユニットとを組み合わせることによ
り、特にプロセス設備６及びワーク搬送通路７の全体が
清浄度の高い状態に保持されたクリーンルームを有する
第１のジョブショップ設備ユニット２と、プロセス設備
８の一部とワーク搬送通路７が清浄度の高い状態に保持
されたクリーンルームを有する第２のジョブショップ設
備ユニット３と、ワーク搬送通路７のみが清浄度の高い
状態に保持されたクリーンルームを有する第３、第４の
ジョブショップ設備ユニット４、５と組み合わせること
により、その他の各種膜形成も効率的に行うことがで
き、かつ各ジョブショップ設備ユニット２〜５をクリー
ンルームのエリアに応じて別々にユニット化しているの
で、各設備ユニット２〜５のクリーンルームの構成が単
純となって低コストにて構成でき、半導体製造設備１全
体では大幅に安価に構成することができる。
ユニット２０を設けたので、処理工程を繰り返すような
膜形成を行う場合に非常に生産性良く膜形成することが
できる。また、そのフローショップ設備ユニット２０と
ジョブショップ設備ユニットとを組み合わせることによ
り、特にプロセス設備６及びワーク搬送通路７の全体が
清浄度の高い状態に保持されたクリーンルームを有する
第１のジョブショップ設備ユニット２と、プロセス設備
８の一部とワーク搬送通路７が清浄度の高い状態に保持
されたクリーンルームを有する第２のジョブショップ設
備ユニット３と、ワーク搬送通路７のみが清浄度の高い
状態に保持されたクリーンルームを有する第３、第４の
ジョブショップ設備ユニット４、５と組み合わせること
により、その他の各種膜形成も効率的に行うことがで
き、かつ各ジョブショップ設備ユニット２〜５をクリー
ンルームのエリアに応じて別々にユニット化しているの
で、各設備ユニット２〜５のクリーンルームの構成が単
純となって低コストにて構成でき、半導体製造設備１全
体では大幅に安価に構成することができる。
【００２１】
【発明の効果】本発明の半導体製造設備によれば、以上
の説明から明らかなように、所定の膜形成を行うための
各種処理を行う複数のプロセス設備をワーク搬送通路に
沿ってライン状に処理順序に基づいて配設したフローシ
ョップ設備ユニットを備えているので、処理工程を繰り
返すような膜形成を行う場合に非常に生産性良く膜形成
することができる。
の説明から明らかなように、所定の膜形成を行うための
各種処理を行う複数のプロセス設備をワーク搬送通路に
沿ってライン状に処理順序に基づいて配設したフローシ
ョップ設備ユニットを備えているので、処理工程を繰り
返すような膜形成を行う場合に非常に生産性良く膜形成
することができる。
【００２２】また、フローショップ設備ユニットと、プ
ロセス設備及びワーク搬送通路の全体が清浄度の高い状
態に保持されたクリーンルームを有する第１のジョブシ
ョップ設備ユニットと、プロセス設備の一部とワーク搬
送通路が清浄度の高い状態に保持されたクリーンルーム
を有する第２のジョブショップ設備ユニットと、ワーク
搬送通路のみが清浄度の高い状態に保持されたクリーン
ルームを有する第３のジョブショップ設備ユニットと組
み合わせているので、その他の各種膜形成も効率的に行
うことができ、かつ各ジョブショップ設備ユニットをク
リーンルームのエリアに応じて別々にユニット化してい
るので、各設備ユニットのクリーンルームの構成が単純
となって低コストにて構成でき、半導体製造設備全体で
は大幅に安価に構成することができる。
ロセス設備及びワーク搬送通路の全体が清浄度の高い状
態に保持されたクリーンルームを有する第１のジョブシ
ョップ設備ユニットと、プロセス設備の一部とワーク搬
送通路が清浄度の高い状態に保持されたクリーンルーム
を有する第２のジョブショップ設備ユニットと、ワーク
搬送通路のみが清浄度の高い状態に保持されたクリーン
ルームを有する第３のジョブショップ設備ユニットと組
み合わせているので、その他の各種膜形成も効率的に行
うことができ、かつ各ジョブショップ設備ユニットをク
リーンルームのエリアに応じて別々にユニット化してい
るので、各設備ユニットのクリーンルームの構成が単純
となって低コストにて構成でき、半導体製造設備全体で
は大幅に安価に構成することができる。
【図１】本発明の一実施形態の半導体製造設備の概略構
成を示す平面図である。
成を示す平面図である。
【図２】同実施形態の半導体製造設備の概略構成を示す
縦断面図である。
縦断面図である。
【図３】半導体製造における各処理工程の説明図であ
る。
る。
１ 半導体製造設備 ２ 第１のジョブショップ設備ユニット ３ 第２のジョブショップ設備ユニット ４ 第３のジョブショップ設備ユニット ６ プロセス設備 ７ ワーク搬送通路 ８ プロセス設備 ２０ フローショップ設備ユニット ２１ プロセス設備
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤原 一夫 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 (72)発明者 光井 章 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 (72)発明者 上田 誠二 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 (72)発明者 浜 昇 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 (72)発明者 河田 真一 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 所定の膜形成を行うための各種処理を行
う複数のプロセス設備をワーク搬送通路に沿ってライン
状に処理順序に基づいて配設したフローショップ設備ユ
ニットを備えたことを特徴とする半導体製造設備。 - 【請求項２】 プロセス設備及びワーク搬送通路の全体
が清浄度の高い状態に保持されたクリーンルームを有す
る第１のジョブショップ設備ユニットと、プロセス設備
の一部とワーク搬送通路が清浄度の高い状態に保持され
たクリーンルームを有する第２のジョブショップ設備ユ
ニットと、ワーク搬送通路のみが清浄度の高い状態に保
持されたクリーンルームを有する第３のジョブショップ
設備ユニットとを組み合わせたことを特徴とする請求項
１記載の半導体製造設備。
Priority Applications (1)
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1997
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7076317B2 (en) | 2001-06-14 | 2006-07-11 | Renesas Technology Corp. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US7032739B2 (en) | 2003-03-31 | 2006-04-25 | Seiko Epson Corporation | Intermediate product carrying apparatus, and intermediate product carrying method |
| CN1306558C (zh) * | 2003-03-31 | 2007-03-21 | 精工爱普生株式会社 | 制造对象物的搬送装置和制造对象物的搬送方法 |
| US7261746B2 (en) | 2003-04-03 | 2007-08-28 | Seiko Epson Corporation | Intermediate product manufacturing apparatus, and manufacturing method |
| CN100434642C (zh) * | 2005-12-05 | 2008-11-19 | 亚翔系统集成科技（苏州）有限公司 | 用于液晶显示器的制作工序导向模块化厂房 |
| WO2008062515A1 (fr) * | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Systemv Management Inc., | Système de fabrication de semiconducteurs |
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