JP2002026106A

JP2002026106A - 半導体装置製造施設

Info

Publication number: JP2002026106A
Application number: JP2000206773A
Authority: JP
Inventors: Masahito Fujita; 雅人藤田; Akira Mitsui; 章光井
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2000-07-07
Filing date: 2000-07-07
Publication date: 2002-01-25

Abstract

(57)【要約】【課題】ワークがプロセス設備ユニットを配設したベ
イ間でプロセス設備を渡り歩くことなく、全工程にわた
って効率良く生産を行うことができる半導体装置製造施
設を提供する。【解決手段】同じ処理工程を繰り返すフローショップ
設備ユニット２、３を配設するだけでなく、非繰り返し
工程でも、各ベイにプロセス設備を機能毎に配設するの
ではなく、所定の膜形成を行うための各種処理を行う複
数のプロセス設備をワーク搬送通路９を中心として集約
配置したフローショップ方式のジョブショップ設備ユニ
ット４〜７を配設し、ベイ間で無駄に往復するワークの
動線を排除し、素子形成もしくは膜形成などのワーク動
線を最短化した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置製造施
設に関し、特にそのレイアウトに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置は、図４に示すように、洗
浄、酸化、拡散、イオン注入、絶縁膜形成、エッチング
・レジスト除去などの工程を含むトランジスタ形成工
程、洗浄、導電膜形成、絶縁膜形成、エッチング・レジ
スト除去などの工程を含む配線工程、及び回路パターン
を形成するリソグラフィ工程などから適宜に選択された
複数の工程にシリコンウエハ（ワーク）を順次通すこと
によって製造される。また、そのリソグラフィ工程にお
いては、レジスト塗布、プリベーク、フォトマスクによ
る露光、現像、ポストベーク等の複数の工程を経る。

【０００３】半導体装置製造施設においては、上記各工
程を実行する各プロセス設備に対してワークを高い清浄
度を保持しながら順次供給する必要があるため、クリー
ンルーム内にそれらのプロセス設備を配設し、クリーン
ルーム内でワークを搬送して各プロセス設備に順次供給
するように構成されている。

【０００４】従来の半導体装置製造施設３１において
は、図５に示すように、生産規模に基づいた生産スペー
ス全体を覆う鉄筋コンクリートや鉄骨コンクリート製の
建屋を建設し、その内部にクリーンルームを設置し、そ
のクリーンルーム内に、上記各工程を各々実行する各種
プロセス設備を生産規模に合わせて適当数づつまとめて
配設したジョブショップ設備ユニット３２を設置して構
成されている。そして、各ワークを例えば薄膜形成工程
に応じて各プロセス設備に順次供給することによって半
導体装置を製造する、所謂ジョブショップ生産方式で製
造するように構成されていた。

【０００５】一方、特開平７−２８３０８９号公報に
は、各種プロセス設備を薄膜の単位層の形成タイプごと
に組み合わせてそれぞれモジュール化し、そのモジュー
ルを組み合わせて構成した半導体装置製造施設が開示さ
れている。例えば、単位層形成タイプを、酸化・拡散・
減圧ＣＶＤ−フォトリソグラフィ−ドライエッチング−
洗浄の組合せをタイプＡ、拡散・酸化・減圧ＣＶＤ−フ
ォトリソグラフィ−イオン注入−洗浄の組合せをタイプ
Ｂ、常圧プラズマＣＶＤ−フォトリソグラフィ−ドライ
エッチング−洗浄の組合せをタイプＣ、以下同様にタイ
プＤ、タイプＥ、・・とし、各タイプ毎にそれぞれのプ
ロセス設備を組み合わせてモジュール化している。ま
た、各モジュールにおいては、各プロセス設備毎に要求
される清浄度レベルに応じて清浄度領域を区分して空調
し、各モジュール単位でクリーンルームをユニット化し
ている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体装置製造施設では、単体構造の１つの大きなクリ
ーンルーム内に各種プロセス設備を配設しているので、
各種の半導体デバイスに対応できる汎用性と各プロセス
設備の稼働率を確保するために、上記のように各プロセ
ス設備を所要数づつまとめて配設したジョブショップ方
式が採用されているが、このジョブショップ方式に基づ
く生産では、配線工程のように処理タクトの似通った処
理工程を繰り返して膜形成するような工程では、ワーク
の搬出・搬送・搬入・待機などのハンドリングに要する
時間が多くなって、生産性が非常に悪くなるという問題
があった。

【０００７】一方、上記特開平７−２８３０８９号公報
に開示された構成では、薄膜の単位層形成タイプ毎にそ
れに用いる各種プロセス設備を組み合わせてモジュール
化しているが、処理工程を繰り返して膜形成する場合に
上記問題を完全に解消することができず、かつ他方では
各種膜構成の半導体装置に対して汎用する場合には、ワ
ークの搬送方式がＯＨＴ（Overhead Hoist Transport S
ystem ）やＯＨＳ（Over Head Shuttle もしくは Over
Head Transport System ）＋リフタなどの天井からのア
クセスだけに限られ、非常時の作業者による補助作業す
らできない形態で、ジョブショップ方式の利点が得られ
ないために、却って半導体装置製造施設の稼働率が低下
するという問題がある。

【０００８】これに対して、特開平１１−１４５０２２
号公報で開示されたシステムでは、フローショップ設備
をモジュールではなくライン形態としているので、ＯＨ
Ｔ等の天井走行台車やＡＧＶ（Auto Guided Vehicle ）
やＲＧＶ（Rail Guided Vehicle ）等の地上走行台車、
あるいは作業者による手搬送等、様々なワーク搬送方式
に柔軟に対応でき、そのフローショップ設備のライン内
の特定の設備のみを使用する場合などのイレギュラーな
運用に対して柔軟性を持っているが、他方でジョブショ
ップ方式のラインでは依然として各種プロセス設備を機
能でまとめて配設した形態に止まっているため、薄膜の
単位層形成毎にジョブショップの設備群を渡り歩くこと
になり、特開平７−２８３０８９号公報に開示されたモ
ジュール方式に対して優位性はあるが、フローショプ方
式のラインを組み合わせた部分にのみその効果が止まる
ものである。

【０００９】また、特開平７−２３７０９５号公報に開
示されているように、機能モジュールを専用搬送系で結
び、中継バッファで仕掛かりワーク量を制御しながら進
行する方法もあるが、この手法は機能モジュールに代替
設備を複数持つことでリスクを分散することを前提にし
ているものであり、この手法を用いるためにはかなり大
規模な半導体装置製造施設になってしまい、１工程設備
で複数台の設備を配設するような大規模な半導体装置製
造施設でなければ効果が発揮できないという問題があ
る。

【００１０】さらに、工期短縮はリスク分散による方法
しかとれないため、各プロセス・ステップが機能毎に１
台のプロセス設備でラインが賄えるほどの小規模の工程
では逆にモジュール自体がプロセス設備１台という状況
が発生し、その場合は個々のプロセス設備の特性を生か
して、プロセス・レシピ等の作業手順で回避するという
手法をとることもできず、却って逆効果になってしまう
という問題がある。

【００１１】また、搬送系を中継することによって、あ
たかもフローショップであるかのように振る舞うため、
物理的な動線を短縮する効果は殆ど望めない。さらに、
搬送システム自体の定義が、各エリアを直線的に最短距
離で結ぶ専用の搬送システムを使用するものということ
になっているが、実際には直線で結ぶにはＯＨＴもしく
はＯＨＳ＋リフタの方式でしか実現できない上に、いく
つかの動線が重複しているために現実には物理的に不可
能であるという構造的な欠陥がある。また、専用搬送シ
ステムであるという前提を覆せば、動線が重複する場合
は重複する区間の搬送システムを共用化することで実現
可能であるが、その場合はいくつかの動線を共有するこ
とになり、プロセス設備で発生する処理待ち行列に加え
て共有する搬送システムで搬送待ち行列が発生してしま
うこととなり、無駄に搬送工期及びその波及効果でプロ
セス処理待ち工期を延長しかねない。

【００１２】また、上記のＯＨＴもしくはＯＨＳ＋リフ
タ方式を使わず、エリアをＯＨＳ＋ストッカで構成する
一般的な工程間搬送で結ぶ場合も、同様に、若しくはス
トッカの能力限界による頭打ちなど、それ以上に不利な
状況が発生し、最悪の場合、従来のジョブショップ・ベ
イ方式と物理的に何ら変わらない状態に陥る恐れがある
という問題がある。

【００１３】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、処理
工程を繰り返すような膜形成のみならず、非繰り返し工
程でもワークが設備ユニットを配設したベイ間でプロセ
ス設備を渡り歩かず、一つのベイで処理を完結できるよ
うにし、全工程にわたって生産を効率良く行うことがで
きる半導体装置製造施設を提供することを目的としてい
る。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置製造
施設は、所定の膜形成を行うための各種処理を行う複数
のプロセス設備をワーク搬送路に処理順序に基づいて配
置したフローショップ設備ユニットと、所定の一纏まり
の各種処理を行う複数のプロセス設備をワーク搬送路を
中心として配設したジョブショップ設備ユニットとを備
えたものであり、処理工程を繰り返すような膜形成のみ
ならず、非繰り返し工程でも所定の一纏まりの各種処理
を行うための設備ユニットをまとめて配設したベイ内で
所定の処理を行うことができ、ベイ間でプロセス設備を
渡り歩くことなく処理できるので、生産を効率的に行う
ことができ、またワーク動線自体を大幅にして工程間搬
送を事実上排除することにより製造工期を短縮すること
ができ、製造工期を短縮することより、浮遊塵埃による
半導体装置の不良発生を抑え、不良による損失コストを
削減することができる。

【００１５】ジョブショップ設備ユニットとしては、半
導体プロセスユニット毎に複数のプロセス設備を集約配
置したり、形成する膜単位毎に複数のプロセス設備を集
約配置した構成とすることができる。

【００１６】また、リソグラフィ設備ユニットを中心に
据え、その周囲に半導体プロセスユニット毎に複数のプ
ロセス設備を集約配置したジョブショップ設備ユニット
と、形成する膜単位毎に複数のプロセス設備を集約配置
したジョブショップ設備ユニット、及び所定の膜形成を
行うための各種処理を行う複数のプロセス設備をワーク
搬送路に処理順序に基づいて配置したフローショップ設
備ユニットを配置し、各リソグラフィ・レイヤ間でのプ
ロセスを各設備ユニットで完結させるようにすると、一
つのベイでリソグラフイ工程間の処理を完結でき、全工
程にわたって生産を効率良く行うことができ、またワー
ク動線自体を大幅にして工程間搬送を事実上排除するこ
とにより製造工期を短縮することができ、製造工期を短
縮することより、浮遊塵埃による半導体装置の不良発生
を抑え、不良による損失コストを削減することができ
る。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体装置製造施
設の一実施形態について、図１〜図３を参照して説明す
る。

【００１８】図１において、１は半導体装置製造施設で
あり、第１及び第２のフローショップ設備ユニット２、
３を各々配設したベイ、枚葉ジョブショップ設備ユニッ
ト４を配設したベイ、リソグラフィ設備ユニット５を配
設したベイ、第１及び第２バッチ処理設備ユニット６、
７を各々配設したベイ、及び一部の独立した評価用検査
設備１５を配設したベイにて構成されている。

【００１９】リソグラフィ設備ユニット５は中心部のベ
イに配設され、露光装置やレジスト処理装置、パターン
検査装置などの複数のフォトリソグラフィ・プロセス設
備１２がワーク搬送通路９に沿って配設されている。

【００２０】第１及び第２のフローショップ設備ユニッ
ト２、３は、図２に示す第１及び第２のフローショップ
設備ユニットにおける代表的ワーク動線パターン２１、
２２のように、ワーク搬送通路９に沿って配線工程専用
の複数の枚葉プロセス設備８、１０が処理順序に基づい
て配設され、リソグラフィ設備ユニット５から出発し、
他のベイに一切移動することなく配線工程処理を完結し
て再びリソグラフィ設備ユニット５に戻るように構成さ
れている。例えば、第１のフローショップ設備ユニット
２は、配線コンタクト窓形成のリソグラフィ工程と配線
パターン形成リソグラフィ工程の間に使用し、第２のフ
ローショップ設備ユニット３は、配線パターン形成リソ
グラフィ工程と配線コンタクト窓形成のリソグラフィ工
程の間に使用するように構成されている。

【００２１】なお、第１及び第２のフローショップ設備
ユニット２、３は、配線溝に配線材料を埋め込み平坦化
エッチングで配線形成を行うデュアルダマシン構造の配
線形成工程の設備であっても、配線をエッチングしてパ
ターンニングし、層間絶縁膜で平坦化する従来型のプロ
セスの場合であっても、設備の種類、順序が入れ替わる
程度で大きな差はなく、同様のフローショップ設備ユニ
ットを構成することが可能である。

【００２２】枚葉ジョブショップ設備ユニット４は、ワ
ーク搬送通路９に沿って配設された複数の枚葉プロセス
設備１１で構成され、図２に示す代表的なワーク動線パ
ターン２３のように、ワークを設備ユニット４内の特定
のプロセス設備１１、１１間で所要のプロセス処理、例
えば素子分離のためのシャロートレンチ・エッチング−
トレンチ埋め込み−平坦化処理や、トランジスタ形成の
ためのゲート電極形成のためのポリシリコン・エッチン
グ−レジスト剥離などの処理を完結し、他の設備ユニッ
ト・ベイに移動することなく、再びリソグラフィ設備ユ
ニット５ヘ戻るように構成されている。

【００２３】第１のバッチ処理設備ユニット６は、イオ
ン注入設備とその後の処理設備であるレジスト剥離、ア
ニール処理設備などの複数のバッチ・プロセス設備１３
で構成され、図２に示す代表的ワーク動線パターン２４
のように、リソグラフィ設備ユニット５から出発したワ
ークをユニット内でイオン注入−注入後の後処理（レジ
スト剥離など）を行った後、熱処理（アニール処理）を
行い、再びリソグラフィ設備ユニット５へ戻すように構
成されている。

【００２４】第２のバッチ処理設備ユニット７は、熱拡
散処理炉、及び減圧ＣＶＤ設備、及び炉前洗浄設備等の
バッチ処理薄膜成長／熱処理工程を司る複数のバッチ・
プロセス設備１４で構成され、図２に示す代表的ワーク
動線パターン２５のように、リソグラフィ設備ユニット
５から出発したワークを、洗浄−熱処理（拡散炉による
熱拡散、アニール処理、シンター処理や減圧ＣＶＤ装置
による薄膜成長など）−後処理などを行い、再びリソグ
ラフィ設備ユニット５へ戻すように構成されている。

【００２５】検査設備１５は、抜き取りやオフライン評
価用の物とし、通常のインライン評価設備は各設備ユニ
ットに組み込まれた形態で運用する。

【００２６】これらの動線を遵守してワーク所を進行す
ることにより、ワークを滞留させる箇所はリソグラフィ
設備ユニット５への出入りの部分のみとなり、半導体装
置製造施設１内のワークの移動量をリソグラフィ設備ユ
ニット５で完全に掌握することが可能となる。

【００２７】また、リソグラフィ設備ユニット５から出
発したワークは、再びリソグラフィ設備ユニット５に戻
るまでの間、同じプロセス設備ユニットを二度通ること
はないため、プロセス設備ユニットのベイ間で発生する
ワークの動線を最短にできる。

【００２８】ただし、プロセス・フロー全体をみた場
合、第１のバッチ処理設備ユニット６で一部イオン注入
用のハードマスク形成後に、リソグラフィ設備ユニット
５を経ずに、枚葉ジョブショップ設備ユニット４へ向か
う例外的フローが発生するが、この場合のベイ間移動は
リソグラフィ設備ユニット５に戻るまでは一方通行なの
で、リソグラフィ設備ユニット５を経ずに枚葉ジョブシ
ョップ設備ユニット４と第１のバッチ処理設備ユニット
６の間でワークが往復することはない。

【００２９】以上の構成によれば、所定の膜形成を行う
ための各種処理を行う複数のプロセス設備８、１０をワ
ーク搬送通路９に沿ってライン状に、処理順序に基づい
て配設したフローショップ設備ユニット２、３を備える
とともに、各ジョブショップ設備ユニット４〜７をより
小さなフローショップ設備ユニットの集合体とし、さら
に設備ユニット内及び設備ユニット間でのワークフロー
を考慮したシステムとしているので、処理工程を繰り返
すような膜形成を行う場合はもとより、突発的に特定の
処理設備群を飛び越えるプロセスに対しても、ジョブシ
ョップ設備ユニット４〜７のベイを飛び越えることなく
対応でき、非常に生産性良く膜形成することができる。

【００３０】また、半導体装置は、図３に示すように、
写真製版を行うリソグラフィ工程を中心として、リソグ
ラフィ工程から出てリソグラフィ工程に戻るループの繰
り返しであると見なすことができるため、そのリソグラ
フィ工程から出たあとのエッチング、成膜などの工程を
一つのプロセス設備集合体である各プロセス設備ユニッ
ト２〜４、６、７で完結させることにより、従来の半導
体装置製造施設では必須であった処理ベイを結ぶ工程間
搬送を排除することが可能となり、ワークであるウエハ
の動線を大幅に短縮することができる。

【００３１】さらに、リソグラフィ設備ユニット５と他
のプロセス設備ユニット２〜４、６、７の連結に関して
は、既に提唱されているような例である円形の建物であ
れば、文字通りリソグラフィ設備ユニット５を中心とし
て各設備ユニットを物理的に放射状に配置することも可
能であるが、円形の建屋は実際には施工上あるいは矩形
の集合体であるプロセス設備の配置に困難な部分があ
り、現実的ではない。しかしながら、ワークを保管する
ストッカを各設備ユニット間を連結する手段として利用
し、理論的に放射状に配置するのであれば、一般的な矩
形の建屋でも円形と同等の効果が得られる。

【００３２】また、動線を短縮することは、中継するス
トッカなどの保管場所の容量自体を削減することとな
り、クリーンルーム面積の縮小に効果がある。また、同
様の理由で保管場所でのワークであるウエハの滞留時間
を短縮することに繋がり、全体として半導体装置の製造
リードタイムを効果的に短縮することに繋がる。

【００３３】クリーンルームは、いかに清浄化能力を上
げようとも設備や建屋、人体などから発生する浮遊塵埃
を完全に除去することは理論的に不可能である。プロセ
ス設備を連結してワーク動線を最短化することにより、
製造リードタイムの短縮して僅かに残る浮遊塵埃に対す
る暴露時間を削減することが可能となる。浮遊塵埃によ
る汚染はクリーンルームの清浄度とワークの暴露時間に
単純に比例するめ、完成した半導体装置の浮遊塵埃汚染
による不良発生を抑える効果がある。

【００３４】本実施形態によれば、所定の膜形成を行う
ための各処理を行う複数のプロセス設備８、１０をワー
ク搬送通路９に沿ってライン状に処理順序に基づいて配
設したフローショップ設備ユニット２、３を備えている
ので、処理工程を繰り返すような膜形成を行う場合に非
常に生産性良く膜形成することができ、また従来ジョブ
ショップ方式の設備ユニットで構成されていた工程につ
いても、フローショップ設備ユニットの利点を用いて各
機能単位の集合体を一つのジョブショップ設備ユニット
４、５、６、７にまとめたことにより、ワークフローの
移動を最短に抑えることができる。そのため、ベイ間を
移動するワークの搬送距離は、図５に示すような、従来
型の典型的なジョブショップ方式に対しては１／２〜１
／３まで動線を短縮することができる。また、ワーク・
フローを最適化し、動線を最短にすることで、プロセス
・リード・タイムが短縮され、半導体装置製造施設自体
の生産効率を向上することができる。

【００３５】また、処理設備群を越えることなくリソグ
ラフィ間のレイヤの処理を完結することができるので、
ワークの進捗を上位のホスト・コンピュータ等で管理し
なくてもワークフローの指示さえできれば、物理的に進
行可能となり、搬送を管理するシステムを簡素化するこ
とが可能となり、上位ホスト・コンピュータを本来求め
られている情報の収集・配信の自動化に専念させること
ができ、情報システムの簡素化及び投資削減を図ること
ができる。

【００３６】同様に、リソグラフィ設備ユニット５を中
心にしてその周囲に各設備ユニット２、３、４、６、７
を配設して、これら設備ユニット２、３、４、６、７を
リソグラフィ設備ユニット５に直結していることで、工
程間搬送を事実上廃止することが可能となるため、自動
化システム自体を大幅に簡素化することができる。

【００３７】さらに、プロセス・リード・タイムを短縮
することで、リード・タイムに比例して増加する浮遊塵
埃による汚染、欠陥の発生度合いを低く抑えることが可
能となり、ワークの製品歩留りを向上することができ
る。

【００３８】これらの効果で、最終的に極小規模の半導
体装置製造施設であっても、非常に生産効率の高い半導
体装置製造施設を提供することができる。

【００３９】なお、上記実施形態で示しているレイアウ
トは、ほぼ最小規模に近い半導体装置製造施設を図示し
ているが、工場の規模により、この最小規模の設備配置
をユニット化して複数配設する、もしくは最小公倍数に
近い規模で融合させるなどの手法を採ることにより、極
小規模から大規模までの半導体装置製造施設に対応可能
である。

【００４０】

【発明の効果】本発明の半導体装置製造施設によれば、
以上の説明から明らかなように、処理工程を繰り返すよ
うな膜形成のみならず、非繰り返し工程でも所定の一纏
まりの各種処理を行うための設備ユニットを各ベイにま
とめて配設し、ベイ内で所定の処理を行うようにしたの
で、ベイ間でプロセス設備を渡り歩くことなくワークを
処理できるので、生産を効率的に行うことができ、また
ワーク動線自体を大幅にして工程間搬送を事実上排除す
ることにより製造工期を短縮することができ、製造工期
を短縮することより、浮遊塵埃による半導体装置の不良
発生を抑え、不良による損失コストを削減することがで
きる。

【００４１】また、リソグラフィ設備ユニットを中心に
据え、その周囲に半導体プロセスユニット毎に複数のプ
ロセス設備を集約配置したジョブショップ設備ユニット
と、形成する膜単位毎に複数のプロセス設備を集約配置
したジョブショップ設備ユニット、及び所定の膜形成を
行うための各種処理を行う複数のプロセス設備をワーク
搬送路に処理順序に基づいて配置したフローショップ設
備ユニットを配置し、各リソグラフィ・レイヤ間でのプ
ロセスを各設備ユニットで完結させるようにすると、一
つのベイでリソグラフイ工程間の処理を完結でき、全工
程にわたって生産を効率良く行うことができ、またワー
ク動線自体を大幅にして工程間搬送を事実上排除するこ
とにより製造工期を短縮することができ、製造工期を短
縮することより、浮遊塵埃による半導体装置の不良発生
を抑え、不良による損失コストを削減することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体装置製造施設の一実施形態の概
略構成を示す平面図である。

【図２】同実施形態でのワークの動線を示す平面図であ
る。

【図３】同実施形態におけるワーク・フローの概念図で
ある。

【図４】半導体装置製造における各処理工程の説明図で
ある。

【図５】従来例の半導体装置製造施設の概略構成を示す
平面図である。

【符号の説明】

１半導体装置製造施設２第１のフローショップ設備ユニット３第２のフローショップ設備ユニット４枚葉ジョブショップ設備ユニット５リソグラフィ設備ユニット６第１のバッチ処理設備ユニット７第２のバッチ処理設備ユニット８、１０、１１枚葉プロセス設備９ワーク搬送通路１２フォトリソグラフィ・プロセス設備１３、１４バッチ・プロセス設備１５検査設備

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定の膜形成を行うための各種処理を行
う複数のプロセス設備をワーク搬送路に処理順序に基づ
いて配置したフローショップ設備ユニットと、所定の一
纏まりの各種処理を行う複数のプロセス設備をワーク搬
送路を中心として配設したジョブショップ設備ユニット
とを備えたことを特徴とする半導体装置製造施設。
【請求項２】ジョブショップ設備ユニットは、半導体
プロセスユニット毎に複数のプロセス設備を集約配置し
て構成したことを特徴とする請求項１記載の半導体装置
製造施設。
【請求項３】ジョブショップ設備ユニットは、形成す
る膜単位毎に複数のプロセス設備を集約配置して構成し
たことを特徴とする請求項１記載の半導体装置製造施
設。
【請求項４】リソグラフィ設備ユニットを中心に据
え、その周囲に複数のプロセス設備を半導体プロセスユ
ニット毎に集約配置したジョブショップ設備ユニット
と、複数のプロセス設備を形成する膜単位毎に集約配置
したジョブショップ設備ユニット、及び所定の膜形成を
行うための各種処理を行う複数のプロセス設備をワーク
搬送路に処理順序に基づいて配置したフローショップ設
備ユニットを配置し、各リソグラフィ・レイヤ間でのプ
ロセスを各設備ユニットで完結させるようにしたことを
特徴とする半導体装置製造施設。