JP2004207703A - プロセス制御システム及びプロセス制御方法 - Google Patents
プロセス制御システム及びプロセス制御方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004207703A JP2004207703A JP2003408666A JP2003408666A JP2004207703A JP 2004207703 A JP2004207703 A JP 2004207703A JP 2003408666 A JP2003408666 A JP 2003408666A JP 2003408666 A JP2003408666 A JP 2003408666A JP 2004207703 A JP2004207703 A JP 2004207703A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- measurement
- processing
- processed
- measuring
- result
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
【解決手段】 工場内の各ベイ(エリア)110ごとに設けられ,処理結果を予測可能であるプロセス装置120,122,124により半導体ウエハに対して行うプロセス処理を制御するプロセス制御システムであって,各ベイ内でプロセス処理される被処理体の計測を行う少なくとも1つの計測装置130と,各ベイ内における各プロセス装置と,計測装置を含む各装置間で被処理体を搬送する搬送装置の搬送路140と,各ベイ内における各プロセス装置,計測装置,搬送装置を制御するプロセス制御装置150とを各ベイごとに設けた。
【選択図】 図1
Description
Mechanical Polishing:化学的機械的研磨)装置,PVD(Physical Vapor Deposition:物理気相成長法)装置,露光装置,イオンインプランタなどがある。なお,以下において,プロセス装置120は,特に区別しない場合には,ベイ110内のプロセス装置120,122,124…を示す。
Only Memory)から必要に応じて読出したプログラムを展開して記憶するメモリ領域などを設けたRAM(Random Access Memory)を備えたマイクロプロセッサを備える。また,ハードディスク装置などの記録手段,キーボードなどの入力手段,ディスプレイなどの表示手段,異常があったときに報知する報知手段などを設けてもよい。
エッチングガス:CF4+O2(総流量40sccm)
圧力:0.67Pa(5mTorr)
上部電極印加高周波電力:300W
下部電極印加高周波電力:60W
電極間距離;140mm
温度でトップ/ウォール/ボトム):80/60/75℃
Heガス圧力(センター/エッジ):400/400Pa(3Torr)
オーバーエッチング:10%
エッチングガス;CF4(流量20sccm)+CHF3(流量20sccm)
圧力:5.3Pa(40mTorr)
上部電極印加高周波電力:600W
下部電極印加高周波電力:100W
電極間距離:140mm
温度(トップ/ウォール/ボトム):80/30/65℃
Heガス圧力(センター/エッジ):1300/1300Pa(10Torr)
オーバーエッチング:10%
Least Squares)法を用いている。このPLS法は,行列X,Yそれぞれに多数の説明変量及び被説明変量があってもそれぞれの少数の実測値があればXとYの関係式を求めることができる。しかも,少ない実測値で得られた関係式であっても安定性及び信頼性の高いものであることもPLS法の特徴である。
Controller)バルブを設け,チャンバ202内のガス圧力に即してAPCバルブの開度を自動的に調節するように構成する。このAPCバルブによるAPC開度を検出してトレースデータに含めてもよい。
al.,(1985),Linearization and Scatter-infrared Reflactance Spectra of
Meat,Applied Spectroscopy, 3,491-500.に記載されている。
110 ベイ
120 プロセス装置
120a エッチング装置
120b 成膜装置
120c エッチング装置
122 プロセス装置
124 プロセス装置
130 計測装置
132 自己診断部
140 ベイ搬送路
142 主搬送路
150 プロセス制御装置
152 ネットワーク
160 計測装置
161 自己診断部
162 計測装置
163 自己診断部
201 エッチング装置
202 チャンバ
203 絶縁板
204 サセプタ支持台
205 サセプタ
207 温度調節媒体室
208 導入管
209 排出管
211 静電チャック
212 電極
213 直流電源
214 ガス通路
215 フォーカスリング
221 上部電極
222 絶縁材
223 吐出孔
224 電極板
225 電極支持体
226 ガス導入口
227 ガス供給管
228 バルブ
229 マスフローコントローラ
230 処理ガス供給源
231 排気管
232 ゲートバルブ
235 排気装置
240 高周波電源
241 整合器
250 高周波電源
251 整合器
320 プロセス装置
321 ポリシリコン膜
322 シリコン酸化膜
323 有機系反射防止膜
324 レジスト
400 多変量解析手段
410 運転データ記憶部
420 処理結果データ記憶部
430 多変量解析プログラム記憶部
440 多変量解析処理部
450 多変量解析結果記憶部
510 ベイ
520 プロセス装置
530 計測ユニット
550 プロセス制御装置
560 搬送路
564 ウエハ搬入部
566 ウエハ搬出部
570 搬送アーム
572 ベース
574 アーム
574 ピック
580 ドライエッチング装置
582a ゲート
582b ゲート
584a 処理室
584b 処理室
590 ウエットエッチング装置
592 トリートメント室
594 処理室
Claims (37)
- 工場内の各エリアごとに設けられ,処理結果を予測可能である少なくとも1つのプロセス装置により被処理体に対して行うプロセス処理を制御するプロセス制御システムであって,
前記各エリアごとに設けられ,前記各エリア内でプロセス処理される被処理体の計測を行う少なくとも1つの計測装置と,
前記各エリアごとに設けられ,前記各エリア内における前記プロセス装置,前記計測装置を含む各装置間で被処理体を搬送する搬送装置と,
前記各エリアごとに設けられ,前記各エリア内における前記プロセス装置,前記計測装置,前記搬送装置を制御する制御装置と,
を備えたことを特徴とするプロセス制御システム。 - 前記制御装置は,前記プロセス装置によってプロセス処理される被処理体について前記計測装置で計測し,その計測結果に基づいて前記プロセス装置の処理条件を設定することを特徴とする請求項1に記載のプロセス制御システム。
- 前記制御装置は,少なくとも前記プロセス装置によるプロセス処理後に前記被処理体を前記搬送装置により前記計測装置に搬送し,前記計測装置による少なくともプロセス処理後の計測結果に基づいて得られた被処理体の処理結果の実測値と処理結果の目標値とを比較して,前記実測値と前記目標値の誤差が所定値以上であると判断した場合は,その誤差に応じて前記プロセス装置の処理条件を設定し直すことを特徴とする請求項2に記載のプロセス制御システム。
- 前記制御装置は,少なくとも前記プロセス装置によるプロセス処理後に前記被処理体を前記搬送装置により前記計測装置に搬送し,前記計測装置による少なくともプロセス処理後の計測結果に基づいて得られた被処理体の処理結果の実測値と処理結果の目標値とを比較し,前記実測値と前記目標値の誤差の変動の状況を観測してその傾向を予測し,前記誤差が所定値を越える前に,その誤差変動の傾向に応じて,前記プロセス装置の処理条件を設定し直すことを特徴とする請求項2に記載のプロセス制御システム。
- 前記計測装置は,自機に異常があるか否かを診断する自己診断手段を設け,
前記制御装置は,前記処理結果の実測値と目標値の誤差が所定値以上であると判断した場合に,前記計測装置の自己診断手段により自己診断を行わせ,その自己診断の結果に基づいて前記計測装置に異常がないと判断した場合にのみ,前記プロセス装置の処理条件を設定し直すことを特徴とする請求項3又は4に記載のプロセス制御システム。 - 前記制御装置は,前記プロセス装置による運転データ及び処理結果データに基づいて多変量解析を行うことにより前記運転データと前記処理結果データの相関関係を求め,この相関関係に基づいて相関関係を得た被処理体以外の被処理体を処理した時の運転データを用いて処理結果の予測値を求めることを特徴とする請求項1に記載のプロセス制御システム。
- 前記制御装置は,少なくとも前記プロセス装置によるプロセス処理後に前記被処理体を前記搬送装置により前記計測装置に搬送し,前記計測装置による少なくともプロセス処理後の計測結果に基づいて得られた被処理体の処理結果の実測値と前記予測値とを比較して,前記実測値と前記予測値との誤差が所定値以上であると判断した場合に前記相関関係を生成し直すことを特徴とする請求項6に記載のプロセス制御システム。
- 前記計測装置は,自機に異常があるか否かを診断する自己診断手段を設け,
前記制御装置は,前記処理結果の実測値と予測値の誤差が所定値以上であると判断した場合に,前記計測装置の自己診断手段に自己診断を行わせ,自己診断の結果に基づいて前記計測装置に異常がないと判断した場合にのみ,前記相関関係を生成し直すことを特徴とする請求項6又は7に記載のプロセス制御システム。 - 前記多変量解析としてPLS法を用いることを特徴とする請求項6〜8のいずれかに記載のプロセス制御システム。
- 処理結果を予測可能である少なくとも1つのプロセス装置と,このプロセス装置でプロセス処理される被処理体の計測を行う少なくとも1つの計測装置と,前記プロセス装置及び前記計測装置を含む各装置間で被処理体を搬送する搬送装置と,前記プロセス装置,前記計測装置,前記搬送装置を制御する制御装置とを各エリアごとに設けたプロセス制御システムにおける前記各エリアの制御装置が行うプロセス制御方法であって,
前記プロセス装置によってプロセス処理される被処理体について前記計測装置で計測する工程と,
前記計測装置による計測結果に基づいて前記プロセス装置の処理条件を設定する工程と,
を有することを特徴とするプロセス制御方法。 - さらに,少なくとも前記プロセス装置によるプロセス処理後に前記被処理体を前記搬送装置により前記計測装置に搬送し,前記計測装置による少なくともプロセス処理後の計測結果に基づいて得られた被処理体の処理結果の実測値と処理結果の目標値とを比較し,前記実測値と前記目標値の誤差が所定値以上であると判断した場合は,その誤差に応じて前記プロセス装置の処理条件を設定し直す工程を有することを特徴とする請求項10に記載のプロセス制御方法。
- 少なくとも前記プロセス装置によるプロセス処理後に前記被処理体を前記搬送装置により前記計測装置に搬送し,前記計測装置による少なくともプロセス処理後の計測結果に基づいて得られた被処理体の処理結果の実測値と処理結果の目標値とを比較し,前記実測値と前記目標値の誤差の変動の状況を観測してその傾向を予測し,前記誤差が所定値を越える前に,その誤差変動の傾向に応じて,前記プロセス装置の処理条件を設定し直すことを特徴とする請求項10に記載のプロセス制御方法。
- 前記プロセス装置の処理条件を設定し直す工程は,前記処理結果の実測値と目標値の誤差が所定値以上であると判断した場合に,前記計測装置に自己診断を行わせ,その自己診断の結果に基づいて前記計測装置に異常がないと判断した場合にのみ,前記プロセス装置の処理条件を設定し直すことを特徴とする請求項11又は12に記載のプロセス制御方法。
- 前記プロセス装置による運転データ及び処理結果データに基づいて多変量解析を行うことにより前記運転データと前記処理結果データの相関関係を求め,この相関関係に基づいて相関関係を得た被処理体以外の被処理体を処理した時の運転データを用いて処理結果の予測値を求める工程を有することを特徴とする請求項10に記載のプロセス制御方法。
- さらに,少なくとも前記プロセス装置によるプロセス処理後に前記被処理体を前記搬送装置により前記計測装置に搬送し,前記計測装置による少なくともプロセス処理後の計測結果に基づいて得られた被処理体の処理結果の実測値と前記予測値とを比較して,前記実測値と前記予測値との誤差が所定値以上であると判断した場合に前記相関関係を生成し直すことを特徴とする請求項14に記載のプロセス制御方法。
- 前記相関関係を生成し直す工程は,前記処理結果の実測値と予測値の誤差が所定値以上であると判断した場合に,前記計測装置に自己診断を行わせ,自己診断の結果に基づいて前記計測装置に異常がないと判断した場合にのみ,前記相関関係を生成し直すことを特徴とする請求項15に記載のプロセス制御方法。
- 前記多変量解析としてPLS法を用いることを特徴とする請求項14〜16のいずれかに記載のプロセス制御方法。
- 工場内の各エリアごとに設けられ,少なくとも1つのプロセス装置により被処理体に対して行うプロセス処理を制御するプロセス制御システムであって,
前記各プロセス装置はそれそれ,被処理体をプロセス処理するための処理室と,この処理室において被処理体をプロセス処理する前後又はプロセス処理する前若しくは後のいずれかに,その被処理体の計測処理を実行する計測ユニットと,被処理体を少なくとも前記処理室と前記計測ユニットとの間で搬送可能な装置内搬送手段とを設け,
前記各エリアごとに設けられ,前記各エリア内でプロセス処理される被処理体の計測処理を実行可能な少なくとも1つの計測装置と,
前記各エリアごとに設けられ,前記各エリア内における前記プロセス装置,前記計測装置を含む各装置間で被処理体を搬送する搬送装置と,
前記各エリアごとに設けられ,前記各エリア内における前記プロセス装置,前記計測装置,前記搬送装置を制御する制御装置と,
を備えたことを特徴とするプロセス制御システム。 - 前記計測装置は,前記プロセス装置の計測ユニットに対する基準機として,前記計測ユニットによる計測結果と前記計測装置による計測結果とのずれがないか又はそのずれが許容範囲内であることを定期的に確認することを特徴とすることを特徴とする請求項18に記載のプロセス制御システム。
- 前記計測装置は,前記プロセス装置の計測ユニットが実行する計測処理に必要な計測処理情報を作成するために用い,
前記計測ユニットは,前記計測処理情報に基づいて計測処理を行うことを特徴とする請求項18に記載のプロセス制御システム。 - 前記計測処理情報は,少なくとも前記被処理体上に計測箇所を特定するための座標を設定するための座標情報を含むことを特徴とする請求項20に記載のプロセス制御システム。
- 前記計測装置及び前記プロセス装置の計測ユニットの計測対象は,前記被処理体上の膜の膜厚であることを特徴とする請求項1〜5,18〜21のいずれかに記載のプロセス制御システム。
- 前記計測装置及び前記プロセス装置の計測ユニットの計測対象は,前記被処理体上の堆積物であることを特徴とする請求項1〜5,18〜21のいずれかに記載のプロセス制御システム。
- 前記計測装置及び前記プロセス装置の計測ユニットの計測対象は,前記被処理体上に形成されたパターンの幅であることを特徴とする請求項1〜5,18〜21のいずれかに記載のプロセス制御システム。
- 前記計測装置及び前記プロセス装置の計測ユニットの計測対象は,前記被処理体上の欠陥であることを特徴とする請求項1〜5,18〜21のいずれかに記載のプロセス制御システム。
- 前記計測装置及び前記プロセス装置の計測ユニットの計測対象は,前記被処理体上に形成されたパターンのオーバーレイであることを特徴とする請求項1〜5,18〜21のいずれかに記載のプロセス制御システム。
- 少なくとも1つのプロセス装置と,前記各プロセス装置に設けられた少なくとも1つの計測ユニットと,前記プロセス装置でプロセス処理される被処理体の計測処理を実行可能な少なくとも1つの計測装置と,前記プロセス装置と前記計測装置を含む各装置間で被処理体を搬送する搬送装置と,前記プロセス装置及び前記計測装置及び前記搬送装置を制御する制御装置とを各エリアごとに設けたプロセス制御システムにおける前記各エリアの制御装置が行うプロセス制御方法であって,
前記プロセス装置によりプロセス処理される被処理体が前記計測ユニットで計測処理される工程と,
前記計測ユニットによる計測結果に基づいて前記プロセス装置の処理条件が設定される工程と,
前記計測ユニットのメンテナンス時には,被処理体が前記搬送装置により前記計測装置に搬送されて,前記計測装置により計測処理され,その計測結果に基づいて前記プロセス装置の処理条件が設定される工程と,
を有することを特徴とするプロセス制御方法。 - 前記計測装置は,前記プロセス装置の計測ユニットに対する基準機として,前記計測ユニットによる計測結果と前記計測装置による計測結果とのずれがないか又はそのずれが許容範囲であることを定期的に確認することを特徴とすることを特徴とする請求項27に記載のプロセス制御方法。
- 前記計測装置は,前記プロセス装置の計測ユニットが実行する計測処理に必要な計測処理情報を作成するために用い,
前記計測ユニットは,前記計測処理情報に基づいて計測処理を行うことを特徴とする請求項27に記載のプロセス制御方法。 - 前記計測処理情報は,少なくとも前記被処理体上に計測箇所を特定するための座標を設定するための座標情報を含むことを特徴とする請求項27に記載のプロセス制御方法。
- 前記計測装置及び前記プロセス装置の計測ユニットの計測対象は,前記被処理体上の膜の膜厚であることを特徴とする請求項10〜13,27〜30のいずれかに記載のプロセス制御方法。
- 前記計測装置及び前記プロセス装置の計測ユニットの計測対象は,前記被処理体上の堆積物であることを特徴とする請求項10〜13,27〜30のいずれかに記載のプロセス制御方法。
- 前記計測装置及び前記プロセス装置の計測ユニットの計測対象は,前記被処理体上に形成されたパターンの幅であることを特徴とする請求項10〜13,27〜30のいずれかに記載のプロセス制御方法。
- 前記計測装置及び前記プロセス装置の計測ユニットの計測対象は,前記被処理体上の欠陥であることを特徴とする請求項10〜13,27〜30のいずれかに記載のプロセス制御方法。
- 前記計測装置及び前記プロセス装置の計測ユニットの計測対象は,前記被処理体上に形成されたパターンのオーバーレイであることを特徴とする請求項10〜13,27〜30のいずれかに記載のプロセス制御方法。
- 工場内の各エリアごとに設けられ,2つ以上の異なる種類のプロセス装置により被処理体に対して行うプロセス処理を制御するプロセス制御システムであって,
前記各エリアごとに設けられ,前記各エリア内でプロセス処理される被処理体の計測を行う少なくとも1つの計測装置と,
前記各エリアごとに設けられ,前記各エリア内における前記プロセス装置,前記計測装置を含む各装置間で被処理体を搬送する搬送装置と,
前記各エリアごとに設けられ,前記各エリア内における前記プロセス装置,前記計測装置,前記搬送装置を制御する制御装置と,
を備えたことを特徴とするプロセス制御システム。 - 工場内の各エリアごとに設けられ,少なくとも1つのプロセス装置により被処理体に対して行うプロセス処理を制御するプロセス制御システムであって,
前記各プロセス装置はそれそれ,被処理体をプロセス処理するための処理室と,この処理室において被処理体をプロセス処理する前後又はプロセス処理する前若しくは後のいずれかに,その被処理体の計測処理を実行する計測ユニットと,被処理体を少なくとも前記処理室と前記計測ユニットとの間で搬送可能な装置内搬送手段とを設け,
前記各エリアごとに設けられ,前記各エリア内でプロセス処理される被処理体の計測処理を実行可能な少なくとも1つの計測装置と,
前記各エリアごとに設けられ,前記各エリア内における前記プロセス装置,前記計測装置を含む各装置間で被処理体を搬送する搬送装置と,
前記各エリアごとに設けられ,前記各エリア内における前記プロセス装置,前記計測装置,前記搬送装置を制御する制御装置とを備え,
前記制御装置は,あるプロセス装置の計測ユニットが使用できない場合に,そのプロセス装置で実行するプロセス処理のための被処理体の計測を他のプロセス装置の計測ユニットで行うように,前記プロセス装置,前記計測装置,前記搬送装置を制御することを特徴とするプロセス制御システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003408666A JP4869551B2 (ja) | 2002-12-06 | 2003-12-08 | プロセス制御システム及びプロセス制御方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002354763 | 2002-12-06 | ||
JP2002354763 | 2002-12-06 | ||
JP2003408666A JP4869551B2 (ja) | 2002-12-06 | 2003-12-08 | プロセス制御システム及びプロセス制御方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006299490A Division JP2007088497A (ja) | 2002-12-06 | 2006-11-02 | プロセス制御システム、プロセス制御方法およびプロセス処理装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004207703A true JP2004207703A (ja) | 2004-07-22 |
JP2004207703A5 JP2004207703A5 (ja) | 2006-12-21 |
JP4869551B2 JP4869551B2 (ja) | 2012-02-08 |
Family
ID=32828491
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003408666A Expired - Fee Related JP4869551B2 (ja) | 2002-12-06 | 2003-12-08 | プロセス制御システム及びプロセス制御方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4869551B2 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006001416A1 (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-05 | Nikon Corporation | 管理方法及び管理システム、並びにプログラム |
JP2008103424A (ja) * | 2006-10-17 | 2008-05-01 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置の制御装置、制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体 |
JP2009099901A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Sharp Corp | 半導体製造システム及び半導体製造方法 |
JP2009200388A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
KR100944555B1 (ko) * | 2006-10-20 | 2010-02-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치의 제어 장치, 제어 방법 및 제어프로그램을 기억한 기억 매체 |
JP2010169661A (ja) * | 2008-12-22 | 2010-08-05 | Nano Geometry Kenkyusho:Kk | パターン検査装置および方法 |
WO2014078565A1 (en) * | 2012-11-15 | 2014-05-22 | Spansion Llc | Method and system for processing a wafer |
US8924001B2 (en) | 2010-02-26 | 2014-12-30 | Hitachi High-Technologies Corporation | Etching apparatus, control simulator, and semiconductor device manufacturing method |
KR20200047791A (ko) * | 2013-10-29 | 2020-05-07 | 케이엘에이 코포레이션 | 프로세스 유도된 왜곡 예측 및 오버레이 에러의 피드포워드 및 피드백 보정 |
CN113544619A (zh) * | 2018-10-26 | 2021-10-22 | 伊利诺斯工具制品有限公司 | 具有先进零趋势诊断的质量流量控制器 |
JP7352378B2 (ja) | 2019-05-23 | 2023-09-28 | 株式会社東芝 | 製造制御装置、製造制御方法及びプログラム |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0729958A (ja) * | 1993-07-14 | 1995-01-31 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
JPH10242127A (ja) * | 1997-02-26 | 1998-09-11 | Sony Corp | 有機系反射防止膜のプラズマエッチング方法 |
WO2000072362A1 (de) * | 1999-05-19 | 2000-11-30 | Infineon Technologies Ag | Anlage zur bearbeitung von wafern |
JP2001196283A (ja) * | 1999-10-26 | 2001-07-19 | Nec Corp | 半導体製造装置及びその製造方法 |
JP2001237173A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Sony Corp | レジストパターンの形成方法および半導体装置の製造方法 |
JP2002026106A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-01-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置製造施設 |
JP2002107417A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-10 | Miyazaki Oki Electric Co Ltd | 半導体集積回路の試験装置及びその管理方法 |
JP2002110493A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-04-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 加工プロセス工程の異常抽出方法及び装置 |
-
2003
- 2003-12-08 JP JP2003408666A patent/JP4869551B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0729958A (ja) * | 1993-07-14 | 1995-01-31 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
JPH10242127A (ja) * | 1997-02-26 | 1998-09-11 | Sony Corp | 有機系反射防止膜のプラズマエッチング方法 |
WO2000072362A1 (de) * | 1999-05-19 | 2000-11-30 | Infineon Technologies Ag | Anlage zur bearbeitung von wafern |
JP2001196283A (ja) * | 1999-10-26 | 2001-07-19 | Nec Corp | 半導体製造装置及びその製造方法 |
JP2001237173A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Sony Corp | レジストパターンの形成方法および半導体装置の製造方法 |
JP2002026106A (ja) * | 2000-07-07 | 2002-01-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置製造施設 |
JP2002107417A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-10 | Miyazaki Oki Electric Co Ltd | 半導体集積回路の試験装置及びその管理方法 |
JP2002110493A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-04-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 加工プロセス工程の異常抽出方法及び装置 |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4678372B2 (ja) * | 2004-06-29 | 2011-04-27 | 株式会社ニコン | 管理方法及び管理システム、並びにプログラム |
JPWO2006001416A1 (ja) * | 2004-06-29 | 2008-04-17 | 株式会社ニコン | 管理方法及び管理システム、並びにプログラム |
WO2006001416A1 (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-05 | Nikon Corporation | 管理方法及び管理システム、並びにプログラム |
US7941232B2 (en) | 2004-06-29 | 2011-05-10 | Nikon Corporation | Control method, control system, and program |
JP2008103424A (ja) * | 2006-10-17 | 2008-05-01 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置の制御装置、制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体 |
KR100944555B1 (ko) * | 2006-10-20 | 2010-02-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치의 제어 장치, 제어 방법 및 제어프로그램을 기억한 기억 매체 |
US7844357B2 (en) | 2006-10-20 | 2010-11-30 | Tokyo Electron Limited | Controlling device for substrate processing apparatus and method therefor |
JP2009099901A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Sharp Corp | 半導体製造システム及び半導体製造方法 |
US7968260B2 (en) | 2008-02-25 | 2011-06-28 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method, computer-readable storage medium, and substrate processing system |
JP2009200388A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
US8308381B2 (en) | 2008-02-25 | 2012-11-13 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method, computer-readable storage medium, and substrate processing system |
TWI397954B (zh) * | 2008-02-25 | 2013-06-01 | Tokyo Electron Ltd | 基板之處理方法、程式及電腦儲存媒體與基板處理系統 |
JP2010169661A (ja) * | 2008-12-22 | 2010-08-05 | Nano Geometry Kenkyusho:Kk | パターン検査装置および方法 |
US8924001B2 (en) | 2010-02-26 | 2014-12-30 | Hitachi High-Technologies Corporation | Etching apparatus, control simulator, and semiconductor device manufacturing method |
WO2014078565A1 (en) * | 2012-11-15 | 2014-05-22 | Spansion Llc | Method and system for processing a wafer |
US9523976B1 (en) | 2012-11-15 | 2016-12-20 | Cypress Semiconductor Corporation | Method and system for processing a semiconductor wafer using data associated with previously processed wafers |
KR20200047791A (ko) * | 2013-10-29 | 2020-05-07 | 케이엘에이 코포레이션 | 프로세스 유도된 왜곡 예측 및 오버레이 에러의 피드포워드 및 피드백 보정 |
KR102579588B1 (ko) * | 2013-10-29 | 2023-09-15 | 케이엘에이 코포레이션 | 프로세스 유도된 왜곡 예측 및 오버레이 에러의 피드포워드 및 피드백 보정 |
US11761880B2 (en) | 2013-10-29 | 2023-09-19 | Kla Corporation | Process-induced distortion prediction and feedforward and feedback correction of overlay errors |
CN113544619A (zh) * | 2018-10-26 | 2021-10-22 | 伊利诺斯工具制品有限公司 | 具有先进零趋势诊断的质量流量控制器 |
JP7352378B2 (ja) | 2019-05-23 | 2023-09-28 | 株式会社東芝 | 製造制御装置、製造制御方法及びプログラム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4869551B2 (ja) | 2012-02-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7047095B2 (en) | Process control system and process control method | |
KR102546407B1 (ko) | 반도체 제작 장비 내의 소모성 부품의 마모 검출 | |
JP5636486B2 (ja) | 多層/多入力/多出力(mlmimo)モデル及び当該モデルの使用方法 | |
JP4213871B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR101124186B1 (ko) | 유전체 에칭 효율 개선을 위해 통합된 계측을 이용하는방법 및 장치 | |
JP4464276B2 (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
JP3708031B2 (ja) | プラズマ処理装置および処理方法 | |
US20100081285A1 (en) | Apparatus and Method for Improving Photoresist Properties | |
US8500950B2 (en) | Exposure condition setting method, substrate processing apparatus, and computer program | |
JP2018026558A (ja) | プラズマ処理システムを監視するための方法およびシステム、ならびに高度なプロセスおよびツール制御 | |
CN108140588B (zh) | 用于半导体设备的匹配腔室性能的方法 | |
JP4869551B2 (ja) | プロセス制御システム及びプロセス制御方法 | |
JP2004349419A (ja) | プラズマ処理装置の異常原因判定方法及び異常原因判定装置 | |
JP2007088497A (ja) | プロセス制御システム、プロセス制御方法およびプロセス処理装置 | |
JP2009295658A (ja) | 半導体製造装置の校正方法、ならびに半導体装置の製造システムおよび製造方法 | |
JP4220378B2 (ja) | 処理結果の予測方法および処理装置 | |
JP3960911B2 (ja) | 処理方法および処理装置 | |
JP2008034877A (ja) | 半導体装置の製造方法および製造システム | |
JP4675266B2 (ja) | 基板処理装置の処理結果の予測方法及び予測装置 | |
JP4344674B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
CN116802780B (zh) | 自主基板处理系统 | |
WO2024111454A1 (ja) | ドライ現像方法及びドライ現像装置 | |
CN116802780A (zh) | 自主基板处理系统 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061102 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061102 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101221 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110218 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110701 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110830 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111020 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111115 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111116 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4869551 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141125 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |