JP2000012443A - 多段スピン型基板処理システム - Google Patents

多段スピン型基板処理システム

Info

Publication number
JP2000012443A
JP2000012443A JP10177627A JP17762798A JP2000012443A JP 2000012443 A JP2000012443 A JP 2000012443A JP 10177627 A JP10177627 A JP 10177627A JP 17762798 A JP17762798 A JP 17762798A JP 2000012443 A JP2000012443 A JP 2000012443A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
spin
nozzle
unit
stage
compartment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10177627A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3445937B2 (ja
Inventor
Yoshio Kimura
義雄 木村
Kazunari Ueda
一成 上田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP17762798A priority Critical patent/JP3445937B2/ja
Priority to TW088110588A priority patent/TW417184B/zh
Priority to US09/338,544 priority patent/US6444029B1/en
Priority to KR1019990023902A priority patent/KR100637558B1/ko
Publication of JP2000012443A publication Critical patent/JP2000012443A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3445937B2 publication Critical patent/JP3445937B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
    • B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高スループットであり、フットプリントが小
さく、十分にパーティクル対策された多段スピン型基板
処理システムを提供する。 【構成】 上下多段に積み重ねられた複数のコンパート
メント40を有する多段スピンユニット9 と、ウェハホル
ダと、このウェハホルダを前後に進退移動させ、かつ垂
直軸に沿って昇降移動させ、かつ垂直軸回りに旋回移動
させる駆動手段とを備えた主アーム機構24と、各コンパ
ートメントに設けられ主アーム機構により搬入されたウ
ェハを保持しスピン回転させるスピンチャックＳＣと、
このスピンチャックの周囲を取り囲み、基板から遠心分
離される処理液を受けて排出するカップＣＰと、を具備
し、コンパートメント内のスピンチャックに保持された
基板に向けて処理液を供給する共用ノズル52と、多段ス
ピンユニットに沿って設けられ、各コンパートメントに
連通し、共用ノズルが移動するためのノズル移動通路51
と、共用ノズルを移動させるノズル移動機構53,54,55
と、を具備する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ等の
基板にフォト基板を塗布し、現像する多段スピン型基板
処理システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイス製造のフォトリソグラフ
ィプロセスでは、半導体ウエハの表面にフォト基板を塗
布し、パターン露光後に基板を現像する。このような一
連の基板処理には、例えば図１１及び図１２に示すよう
な基板処理システムが用いられている。
【０００３】従来の基板処理システム１００は、第１の
サブアーム機構２１を有するカセットステーション１１
０と、それぞれが主アーム機構２４を有するプロセス部
１１１，１１２，１１３と、第２のサブアーム機構２６
を有するインターフェース部１１４とを備えている。図
１１に示すように、第１、第２、第３のプロセス部１１
１，１１２，１１３の中央には主アーム機構２４がそれ
ぞれ設けられ、主アーム機構２４を四方から取り囲むよ
うに各種の処理装置群Ｇ1 〜Ｇ15が配置されている。こ
れらのうち液処理系の処理装置群Ｇ1 〜Ｇ6 は処理シス
テム１００の正面側に配置され、熱処理系の処理装置群
Ｇ7 〜Ｇ15は処理システム１００の背面側と側面側とに
それぞれ配置されている。
【０００４】図１２に示すように、液処理系の処理装置
群Ｇ1 〜Ｇ6 は、上下２段に積み重ねられた左右１対の
ユニットＢＣＴ，ＣＯＴ，ＤＥＶをそれぞれ備えてい
る。各ユニットＢＣＴ，ＣＯＴ，ＤＥＶ内にはカップＣ
Ｐ及びスピンチャックＳＣを有するスピン回転液処理装
置がそれぞれ設けられている。液処理中にパーティクル
等の付着によるコンタミネーションを防止するととも
に、プロセス性能を安定させるために、各ユニットＢＣ
Ｔ，ＣＯＴ，ＤＥＶ内は温度と湿度が制御された清浄空
気が導入されるとともに強制排気されている。
【０００５】このような処理システム１００においてウ
ェハＷは、第１サブアーム機構２１によりカセットステ
ーション１１０のカセットＣＲから取り出され、主アー
ム機構２４に受け渡され、第１プロセス部１１１内の塗
布ユニットＢＣＴにて下地反射防止膜用の処理液が塗布
され、ベークされ、さらに第２プロセス部１１２内の塗
布ユニットＣＯＴにてレジスト液が塗布され、ベークさ
れ、さらに第２サブアーム機構２６に受け渡され、イン
ターフェース部１１４を介して露光装置（図示せず）に
搬送され、露光処理される。さらにウェハＷは、インタ
ーフェース部１１４を介して第３プロセス部１１３内に
搬送され、露光後にベーク（ＰＥＢ）され、現像ユニッ
トＤＥＶにて現像処理され、リンスされ、乾燥され、最
終的にカセットステーション１１０のカセットＣＲに戻
される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ウェハサイズの大型化
に伴い、さらに生産性を向上すべく単位時間当たりの処
理枚数の増加（高スループット）がユーザーから強く要
望されている。しかし、上記一連のレジスト処理におい
ては、回路パターンの高精細化とウェハサイズの大型化
とが更に進む中で、各処理工程ごとにかかる所要時間が
長くなる傾向にあり、スループットを向上させることが
困難になってきている。例えば現像処理工程では鮮明な
パターンを得るために、できるだけ長い現像時間を確保
する必要もある。とくに化学増幅型基板の場合には、現
像時の解像度を上げるために同じウェハに対して２回ま
たは３回と現像処理を繰り返すこともなされているた
め、処理に長時間を要し、スループットが低下しやす
い。
【０００７】また、スピン塗布方式により反射防止膜や
基板膜をウェハ上に塗布形成する工程においては、ウェ
ハ直径が８インチから１２インチに大型化するに伴い膜
厚均一性を達成するためにウエハ回転速度を低速にする
必要があり、レジスト液の振り切りや乾燥処理に時間が
かかりすぎ、スループットが低下する傾向にある。
【０００８】ところで、基板処理の高スループット化を
図るために、従来の基板処理システム１００に更にプロ
セス部を増設すると、装置のフットプリント（占有床面
積）が大きくなる。装置のフットプリントが大きくなる
と、これに伴い必然的にクリーンルームの総床面積が増
大し、設備投資額や、クリンルーム環境制御のランニン
グコストが過大になるという問題を生じる。このため、
装置のフットプリントをできるだけ小さくすることがユ
ーザーから強く要望されている。
【０００９】本発明の目的は、上記の課題を解決するた
めになされたものであって、高スループットであり、な
おかつフットプリントが小さい、多段スピン型基板処理
システムを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】（１）本発明に係る多段
スピン型基板処理システムは、上下多段に積み重ねられ
た複数のコンパートメントを有する多段スピンユニット
と、前記コンパートメントの各々に被処理基板を出し入
れするために、被処理基板を保持するホルダと、このホ
ルダを前後に進退移動させ、かつ垂直軸に沿って昇降移
動させ、かつ垂直軸回りに旋回移動させる駆動手段とを
備えた主アーム機構と、前記コンパートメントの各々に
設けられ、前記主アーム機構によリ搬入された基板を保
持し、スピン回転させるスピンチャックと、このスピン
チャックの周囲を取り囲み、基板から遠心力により分離
される処理液を受けて排出するカップと、を具備し、上
記コンパートメント内のスピンチャックに保持された基
板に向けて処理液をそれぞれ供給する共用ノズルと、上
記多段スピンユニットに沿って設けられ、上記各コンパ
ートメントに連通し、前記共用ノズルが移動するための
ノズル移動通路と、前記共用ノズルを移動させるノズル
移動機構と、を具備することを特徴とする。
【００１１】本発明のシステムにおいては、従来よりも
更に多数のスピン回転方式の液処理装置を１つの多段ス
ピンユニットに集約しているので、液処理の高スループ
ット化が達成される。また、多数の液処理装置間で１つ
の共用ノズルを共用するようにしているので、個々の液
処理装置が小さくなる。このため、全体として装置が小
型化し、クリーンルーム内における装置のフットプリン
トがさらに低減される。さらにスピン回転液処理部、主
アーム機構部、熱処理部の３者をそれぞれモジュール化
し、各々をブロック分割して搬送し組み立てることがで
きるので、従来よりも更にクリーンルームへの搬入・据
付け作業が容易になる。さらに、多段のスピン処理系装
置群（多段スピンユニット）を従来の横２列から縦１列
にしているので、主搬送アーム機構と縦１列の多段スピ
ン処理系装置群とを１対１に対応させることができる。
また、主搬送アーム機構の中心と多段スピン処理系装置
群（多段スピンユニット）のカップ中心とのずれが小さ
くなり、カップをコンパートメントの中央に配置するこ
とができるので、付属品をカップ内に左右対称に配置す
ることが可能になり、左右兼用のユニットとすることが
できる。
【００１２】（２）この場合に、上記多段スピンユニッ
トは少なくとも上下２段以上に積み重ねられたコンパー
トメントを有し、各コンパートメント内にはレジストの
塗布、処理部またはレジストを現像するための現像処理
部など、同一プロセス処理部が設けられていることが好
ましい。このようにすることにより同一ノズルにて、複
数の処理部に液供給が可能となる。また、多段スピンユ
ニットで同一の薬液処理を行うため、他の薬液雰囲気が
混入することがなく安全である。
【００１３】（３）さらに、上記各コンパートメント内
にはリンス液を基板に供給するためのリンスノズルがそ
れぞれ設けられていることが好ましい。例えば、リンス
ノズルを共有している場合、現像後のリンス開始タイミ
ングが遅れると、過剰現像や現像むら（現像均一性の不
良）が生じるので、リンスノズルは個々のコンパートメ
ント内に設けることが望ましい。しかしながら、もし上
記タイミングの問題が生じない液処理については、１つ
のリンスノズルを複数の現像装置間で共用するようにす
ることも可能である。
【００１４】（４）さらに、上記各コンパートメントの
上部にそれぞれ設けられ各コンパートメントごとに温湿
度調整された清浄空気を導入する清浄空気導入機構と、
上記共用ノズルが出入りするための開口が形成され、上
記ノズル移動通路と上記コンパートメントとを仕切る仕
切部材と、上記ノズル移動通路を排気する排気機構と、
を具備することが好ましい。このようにすると清浄空気
は、上方から各コンパートメント内に導入され、仕切部
材の開口、つまり、共用ノズルのアクセス開口部を通っ
てノズル移動通路に流入し、さらにノズル移動通路内を
下降して下方に排気される。この場合に仕切部材によっ
てノズル移動通路を各コンパートメントから仕切ってい
るので、開口部から常に移動通路へ空気が流れ、ノズル
移動機構で発生したパーティクルはコンパートメント内
に侵入することなく、清浄空気の下降流とともにパーテ
ィクルを効率よく排気することができる。
【００１５】（５）さらに、上記カップの各々にドレイ
ン通路を介して連通する集合ドレイン装置と、上記カッ
プの各々に排気通路を介して連通する集合排気装置と、
を具備することが好ましい。同じ多段スピンユニットに
属するカップは集合ドレイン装置および集合排気装置に
向けて排液・排気することで、排液・排気系の配管構造
が簡素化されるとともに、排出物の一括管理ができるよ
うになる。このような理由からも、１つの多段スピン処
理系装置群（多段スピンユニット）では同一の薬液処理
を行うことが望ましい。
【００１６】（６）さらに、上記排気通路にそれぞれ設
けられた開閉弁と、上記カップの排気タイミングが互い
に重なり合わないように前記開閉弁の動作をそれぞれ制
御する制御器と、を具備することが好ましい。このよう
に多数のカップ排気を制御することにより瞬間最大排気
量が低減され、工場側の集合排気装置にかかる負荷が軽
減される。また、制御器により常に多段スピン処理系装
置群（多段スピンユニット）内部の排気流量を一定に保
つことができ、供給空気量が一定であることから、内部
の圧力バランスを一定の陽圧に保つことができるため、
外部からのコンタミネーションの侵入を防止できる。
【００１７】（７）上記コンパートメントは従来より上
下の厚みが薄い薄型カップや、薄型スピンモーターを用
いることが好ましい。これにより、多段スピンユニット
を４段とした場合であっても、クリーンルームの高さ制
限（約３．５ｍ）をクリアすることが可能になる。
【００１８】（８）上記ノズル移動機構は、上記共用ノ
ズルを上記ノズル移動通路に沿って移動させる昇降機構
と、上記共用ノズルを垂直軸まわりに揺動旋回させる揺
動旋回機構と、を具備することが好ましい。共用ノズル
は、ノズル移動通路に沿って昇降し、多段スピンユニッ
ト内の目標とするコンパートメントの前面に到着する
と、揺動旋回し、開口を介してコンパートメント内に挿
入される。
【００１９】（９）さらに、上記多段スピンユニットか
ら離れたところに設けられ基板を加熱する熱板を有する
加熱ユニットと、この加熱ユニットよりも下方に設けら
れ基板を冷却する冷却ユニットと、を具備することが好
ましい。これらの熱処理ユニットは多段に構成され、熱
影響を考慮して多段スピン処理系装置群（多段スピンユ
ニット）とは隔絶した別モジュールにすることが好まし
い。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照しながら
本発明の種々の好ましい実施の形態について説明する。
図１及び図２に示すように、多段スピン型基板処理シス
テム８は、カセットステーション１０と、プロセス部１
１と、インターフェース部１４とを備えている。カセッ
トステーション１０にはウェハカセットＣＲが搬送ロボ
ット（図示せず）により搬入搬出されるようになってい
る。各カセットＣＲには例えば１５〜２５枚の１２イン
チ径のシリコンウエハＷが収容されている。
【００２１】カセットステーション１０は、載置台２０
および第１のサブアーム機構２１を備えている。載置台
２０には４つのカセットＣＲがＸ軸方向に並べて載置さ
れるようになっている。第１サブアーム機構２１はウェ
ハＷを保持するためのホルダを備え、通路２２に沿って
Ｘ軸方向に走行しうるようになっている。また、第１サ
ブアーム機構２１は、ウエハＷをプロセス部１１に対し
て位置合わせするためのアライメント機構（図示せず）
を備えている。
【００２２】プロセス部１１は、３つのスピン塗布処理
系装置群Ｇ1 〜Ｇ3 と、４つの熱処理系装置群Ｇ4 〜Ｇ
7 と、３つの主アーム機構２４と、を備えている。図１
に示すように、プロセス部１１の中央には３つの主アー
ム機構２４がＹ軸方向に並べて配置され、これら３つの
主アーム機構２４を四方から取り囲むように各種の処理
装置群Ｇ1 〜Ｇ7 が配置されている。これらのうち第
１、第２、第３のスピン回転液処理系装置群Ｇ1 ，Ｇ
2 ，Ｇ3 は処理システム８の正面側に配置され、第６、
第７の熱処理系装置群Ｇ6 ，Ｇ7 は背面側に配置されて
いる。また、第４の熱処理系装置群Ｇ4 はカセットステ
ーション２０側（処理システム８の一方側面側）に配置
され、第５の熱処理系装置群Ｇ5 はインターフェース部
１４側（処理システム８の他方側面側）に配置されてい
る。
【００２３】図２に示すように、第１、第２、第３のス
ピン塗布処理系装置群Ｇ1 ，Ｇ2 ，Ｇ3 はこの順に隣り
合って設けられ、例えば上下４段に積み重ねられたコン
パートメント４０を備えた多段スピンユニット９をそれ
ぞれ備えている。第１のスピン塗布処理系装置群Ｇ1 の
コンパートメント４０内には反射防止膜を形成するため
の塗布装置ＢＣＴが設けられ、第２のスピン塗布処理系
装置群Ｇ2 のコンパートメント４０内には基板膜を形成
するための塗布装置ＣＯＴが設けられ、第３のスピン塗
布処理系装置群Ｇ3 のコンパートメント４０内にはパタ
ーン露光された基板膜を現像するための現像装置ＤＥＶ
が設けられている。
【００２４】４つの熱処理系装置群Ｇ4 〜Ｇ7 の各々に
はレジストと基板の密着性を向上させるアドヒージョン
装置、ベーキング装置、クーリング装置、搬送アーム間
の基板受け渡しのためのエクステンション装置、洗浄装
置が上下多段に積み重ねられている。
【００２５】図１に示すように、第６及び第７の熱処理
系装置群Ｇ6 ，Ｇ7 は、処理システム８の背面側に敷設
されたスライドレール３４上をＹ軸方向に移動可能にそ
れぞれ設けられている。これら装置群Ｇ6 ，Ｇ7 をスラ
イド移動させると、主アーム機構２４を背面側から点検
修理するためのメンテナンス作業用のスペースが確保さ
れる。熱処理系装置群Ｇ4 〜Ｇ7 の装置３０，３２は熱
板又は冷板３０ａ，３２ａをそれぞれ備えており、３本
のリフトピンが各熱板又は冷板３０ａ，３２ａから突没
可能に設けられ、主アーム機構２４及びサブアーム機構
２１，２６からリフトピンにウェハＷが移載されるよう
になっている。
【００２６】主アーム機構２４は、ウエハＷを直接保持
する３本のアームホルダ２４ａ，２４ｂ，２４ｃからな
るホルダ部を備えている。各アームホルダ２４ａ，２４
ｂ，２４ｃは駆動機構（図示せず）によりそれぞれ支持
され、それぞれが基台（図示せず）に沿ってスライド移
動し、それぞれが別々にＸＹ面内で前進又は後退される
ようになっている。また、基台は垂直軸（図示せず）を
介して昇降機構（図示せず）によって支持され、垂直通
路２５に沿って昇降しうるようになっている。さらに、
主アーム機構２４のホルダ部はθ回転駆動機構（図示せ
ず）によって支持され、垂直通路２５内で垂直軸まわり
にθ回転しうるようになっている。
【００２７】インターフェース部１４は、ウェハＷに塗
布された基板をパターン露光するための露光装置（図示
せず）に隣接している。インターフェース部１４は第２
のサブアーム機構２６およびバッファ機構２８を備えて
いる。バッファ機構２８には待機中のウェハＷが一時的
に収容されるＢＲ（バッファー）、または通常使用する
カセットＣＲ（カセット／キャリアー）が載置されてい
る。第２サブアーム機構２６はウェハっを保持するため
のホルダを備え、通路に沿ってＸじく方向に走行しうる
ようになっている。また、第２サブアーム機構２６は、
ウェハっを露光装置およびプロセス部１１に対して位置
合わせするためのアラインメント機構（図示せず）を備
えている。
【００２８】処理システム８の上部には各種のフィルタ
（図示せず）が設けられ、これらのフィルタを介して温
湿度調整エアー送風回路（図示せず）から各部１０、１
１、１４に清浄空気がそれぞれ供給されるようになって
いる。また、図２及び図４に示すように、多段スピンユ
ニットの各コンパートメント４０内には他の回路（図示
せず）を介して清浄空気が供給されるようになってい
る。なお、多段スピンユニットの各コンパートメント４
０内の温度及び湿度は制御器９０または独立した制御器
によって最適制御されるようになっている。ちなみに、
各コンパートメント４０に供給される清浄空気は、目標
温度に対して±０．１℃の範囲内に調整され、目標湿度
に対して±０．５％の範囲内に調整されている。また、
この制御器９０は、７つの処理装置群Ｇ1 〜Ｇ7 に属す
る各装置、３つの主アーム機構２４及び２つのサブアー
ム機構２１、２６の各動作をそれぞれ制御するようにな
っている。
【００２９】次に、図３〜図６を参照しながら４つの現
像装置ＤＥＶを有する第３のスピン塗布処理系装置群Ｇ
3 について説明する。図３に示すように、同系統の多段
スピンユニット９に属する４つのカップＣＰは、排出系
が１本化されている。すなわち、一方の底部排出口６０
に連通する通路６１を介して４つのカップＣＰから集合
ドレイン装置６２に廃液が流下排出され、他方の底部排
出口６０に連通する通路６３を介して４つのカップＣＰ
から集合排気装置６４にミスト等が強制排気されるよう
になっている。
【００３０】各カップＣＰの排気通路６３には開閉弁６
５がそれぞれ設けられており、制御器９０が４つの開閉
弁６５の開閉動作のタイミングを制御するようになって
いる。すなわち、４つのカップＣＰの排気タイミングが
互いに重なり合わないように開閉弁６５の動作をそれぞ
れ制御することにより、集合排気装置６４の瞬間最大排
気量が低減され、その負荷が軽減されるようになってい
る。
【００３１】図４に示すように、多段スピンユニット９
および共用ノズルユニット４９は外装パネル４８で周囲
を取り囲まれている。仕切部材５８が多段スピンユニッ
ト９と共用ノズルユニット４９との間に設けられ、両者
は仕切部材５８によって仕切られている。この仕切部材
５８と外装パネル４８との間にノズル移動通路５１が形
成され、このノズル移動通路５１のなかを共用ノズル５
２がノズル移動機構５０により昇降されるようになって
いる。仕切部材５８には開口５８ａが形成され、各開口
５８ａを介して４つのコンパートメントの内部スペース
４１とノズル移動通路５１とが連通している。
【００３２】清浄空気導入機構４２が各コンパートメン
ト４０の上部にそれぞれ設けられ、各コンパートメント
４０ごとに内部スペース４１に清浄空気が導入されるよ
うになっている。４２の内部には空気清浄のためのＵＬ
ＰＡフィルターを内蔵する。ノズル移動通路５１は集合
排気装置６４に連通し、ノズル移動通路５１内が下方に
排気されるようになっている。清浄空気は、清浄空気導
入機構４２により上方から各コンパートメントの内部ス
ペース４１に導入され、仕切部材の開口４８ａを通って
ノズル移動通路５１に流入し、さらにノズル移動通路５
１内を下降して下方に排気される。この場合に仕切部材
によってノズル移動通路５１を各コンパートメントの内
部スペース４１から仕切っているので、ノズル移動機構
５０で発生したパーティクルはコンパートメントの内部
スペース４１に侵入しにくくなる。
【００３３】図５に示すように、共用ノズル５２は、ノ
ズル移動機構５０により昇降及び揺動旋回可能に支持さ
れている。共用ノズル５２の供給流路はディスペンスポ
ンプ機構５３の流路に連通している。共用ノズル５２
は、下端部がノズル移動機構５０の駆動部に連結された
垂直アーム５４と、この垂直アーム５４の上端部に連結
された水平アーム５５と、この水平アーム５５の先端部
に取り付けられた液吐出部５６と、を備えている。
【００３４】各コンパートメント４０ごとにリンスノズ
ル４３がそれぞれ設けられ、スピンチャックＳＣ上のウ
ェハＷにリンス液（純水）がかけられ、ウェハＷ上から
現像液が洗い流されるようになっている。リンスノズル
４３は、下端部がノズル移動機構（図示せず）の駆動部
に連結された垂直アーム４４と、この垂直アーム４４の
上端部に連結された水平アーム４５と、この水平アーム
４５の先端部に取り付けられた液吐出部４６と、を備え
ている。リンスノズル４３のノズル移動機構は水平アー
ム４５を垂直アーム４４まわりに揺動旋回させる機構を
備えている。
【００３５】図６に示すように、リンスノズル４３はウ
ェハ挿入口４８ａの近傍に設けられ、カップＣＰ外方の
待機位置からカップＣＰ直上の使用位置まで液吐出部４
６が移動しうるようになっている。また、共用ノズル５
２は、仕切部材５８の開口５８ａを介してノズル移動通
路５１の待機位置からカップＣＰ直上の使用位置まで液
吐出部５６が移動しうるようになっている。図８に示す
ように、主アーム機構２４のホルダ２４ａはウェハ挿入
口４８ａを介して各コンパートメント４０内に挿入さ
れ、ウェハＷがスピンチャックＳＣの上に移載されるよ
うになっている。さらに、ウェハ挿入口には搬送アーム
側へのコンタミネーションを防止するために、シャッタ
ー（図示せず）を設けることが望ましい。
【００３６】次に、図７を参照しながら現像装置ＤＥＶ
の概要について説明する。現像装置ＤＥＶの共用ノズル
５２は液供給回路７０を介してタンク７１に連通してい
る。タンク７１には現像液７２が貯留されている。液供
給回路７０にはバルブ７４、ポンプ７５、フィルタ７
６、エアオペレートバルブ７７、温度調整機構７８がこ
の順に設けられ、所定流量で所定温度に調整された現像
液７２が液吐出部５６からスピンチャックＳＣ上のウェ
ハＷに向けて吐出されるようになっている。なお、スピ
ンチャックＳＣの駆動モータ３９は制御器９０により駆
動制御されるようになっている。
【００３７】次に、図８を参照しながら塗布装置ＣＯＴ
の概要について説明する。塗布装置ＣＯＴの共用ノズル
５２はフレキシブルチューブ８０を介してレジスト供給
源（図示せず）に連通している。フレキシブルチューブ
８０はコンパートメント床板４９の貫通孔４９ａを通っ
てノズル移動通路５１内に導入されている。フレキシブ
ルチューブ８０の末端には液吐出部５６が取り付けら
れ、所定流量、所定温度、所定濃度に調整されたレジス
ト液が液吐出部５６からスピンチャックＳＣ上のウェハ
Ｗに向けて吐出されるようになっている。なお、符号８
１はレジスト液の温度調整のための温度調整部である。
【００３８】図９及び図１０に示すように、第１のカッ
プＣＰ１に対する専用ノズルとしての第１のノズルＮ１
および第２のカップＣＰ２に対する専用ノズルとしての
第２のノズルＮ２の他に、水平移動可能な第３のノズル
Ｎ３を第１カップＣＰ１と第２カップＣＰ２との間に配
置して、互いに隣り合う２つのカップＣＰ１，ＣＰ２間
で第３のノズルＮ３を共用するようにしてもよい。
【００３９】次に、上記の多段スピン型基板処理システ
ム８を用いてウェハＷを処理する場合について説明す
る。第１のサブアーム機構２１はカセットＣＲからウェ
ハＷを取り出し、第４の処理装置群Ｇ4 のエクステンシ
ョンユニットＥＸＴに搬入する。第１の主アーム機構２
４はエクステンションユニットＥＸＴからウェハＷを搬
出し、第４の処理装置群Ｇ4 のアドヒージョンユニット
ＡＤに搬入し、加熱下でＨＭＤＳ蒸気を作用させてウェ
ハＷの表面を疎水化処理する。冷却ユニットＣＯＬ内で
ウェハＷを室温程度まで冷却し、第１の処理装置群Ｇ1
の塗布ユニットＢＣＴ内に搬入し、スピンチャックＳＣ
によりウェハＷをスピン回転させながら共用ノズル５２
から反射防止膜用の処理液を吐出させ、反射防止膜を塗
布形成する。次いで、第６の処理装置群Ｇ6 のベーキン
グユニットＨＯＴにウェハＷを搬入し、塗布膜をベーク
する。
【００４０】次いで、ウェハＷを第１の主アーム機構２
４により第６の処理装置群Ｇ6 の冷却ユニットＣＯＬ内
に搬入し、室温程度まで冷却したところで、第２の主ア
ーム機構２４によりウェハＷを搬出する。第２の主アー
ム機構２４はウェハＷを第２の処理装置群Ｇ2 の塗布コ
ンパートメントＣＯＴ内に搬入し、スピンチャックＳＣ
によりウェハＷをスピン回転させながら共用ノズル５２
からレジスト液を吐出させ、基板膜を塗布形成する。次
いで、第７の処理装置群Ｇ7 のベーキングユニットＨＰ
にウェハＷを搬入し、塗布膜をベークする。
【００４１】第３の主アーム機構２４によりベーキング
ユニットＨＰからウェハＷを搬出し、第５の処理装置群
Ｇ5 の冷却ユニットＣＯＬに搬入し、室温程度まで冷却
したところで、第２のサブアーム機構２６によりウェハ
Ｗを搬出する。さらに第２のサブアーム機構２６は、ウ
エハＷをインタフェース部１４の載置台上に載置する。
さらに、露光装置側の搬送機構（図示せず）がインタフ
ェース部１４の載置台からウエハＷを取り上げ、これを
露光装置（図示せず）に搬入し、露光処理する。露光処
理後、搬送機構（図示せず）がウエハＷを再びインタフ
ェース部１４の載置台に載置する。第２サブアーム機構
２６は、インタフェース部１４の載置台からウエハＷを
取り上げ、これを第５の処理装置群Ｇ5 のエクステンシ
ョンユニットＥＸＴを介して第３の主アーム機構２４に
受け渡す。
【００４２】次いで、第３の主アーム機構２４は第７の
処理装置群Ｇ7 のベーキングユニットＨＰにウェハＷを
搬入し、露光後ベーク（ＰＥＢ）処理を実行する。ウェ
ハＷを冷却ユニットＣＯＬ内で室温程度まで冷却した後
に、第３の処理装置群Ｇ3 の現像コンパートメントＤＥ
Ｖ内に搬入する。スピンチャックＳＣによりウェハＷを
スピン回転させながら共用ノズル５２から現像液を吐出
させ、パターン露光された基板膜を現像する。現像後、
リンスノズル４３から純水を吐出させ、ウェハＷから現
像液を洗い流す。さらに、スピンチャックＳＣを高速回
転させ、ウェハＷから付着液を遠心分離除去し、これを
第７の処理装置群Ｇ7 のベーキングユニットＨＰにウェ
ハＷを搬入し、加熱乾燥させる。ウェハＷを室温程度ま
で冷却するとともに、エクステンション兼冷却ユニット
ＥＸＴ／ＣＯＬを介して主アーム機構２４から第１サブ
アーム機構２１に受け渡す。最終的に処理済みのウェハ
Ｗは第１サブアーム機構２１によりカセットＣＲ内にも
どされる。以上の一連の基板処理は、複数のウエハＷに
対して処理システム８内で同時並行的に行われる。
【００４３】なお、上記実施形態では縦１列の多段スピ
ンユニットは上下４段に積み重ねたコンパートメントを
備えるものとしたが、本発明はこれのみに限られるもの
ではなく、２段、３段又は５段にコンパートメントを積
み重ねるようにしてもよい。
【００４４】また、上記実施形態では現像ユニットの場
合について説明したが、本発明はこれのみに限られるも
のではなく、レジスト塗布ユニットや反射防止膜塗布ユ
ニットにも適用することができる。
【００４５】
【発明の効果】本発明によれば、従来よりも更に多数の
スピン回転方式の液処理装置を１つの多段スピンユニッ
トに集約化しているので、液処理の高スループット化が
達成される。また、多数の液処理装置間で１つの共用ノ
ズルを共用するようにしているので、個々の液処理装置
（部材）のスペースが小さくなる。このため、全体とし
て装置が小型化し、クリーンルーム内における装置のフ
ットプリントを従来の６０〜７０％に低減することがで
きる。また、スピン回転液処理部、主アーム機構部、熱
処理部の３者をそれぞれモジュール化し、各々をブロッ
ク分割して搬送し組み立てることができるので、従来よ
りも更にクリーンルームへの搬入・据付け作業が容易に
なる。
【００４６】さらに、多段スピンユニットを従来の縦２
列から縦１列に変えているので、主アーム機構と多段ス
ピンユニットとを１対１に向き合わせることができ、主
アーム機構から各コンパートメントの基板挿入口に向け
てアームを真っ直ぐに伸ばすことができ、デッドスペー
スを生じることなく最短距離で基板を各コンパートメン
トに搬入搬出することができる。
【００４７】また、本発明によれば、従来と同等のスピ
ン処理スペースで多段構成により、処理部を２箇所から
４箇所へ増やすことが可能であり、スループットが大幅
に向上する。
【００４８】また、本発明によれば、清浄空気は、上方
から各コンパートメント内に導入され、仕切部材の開口
を通ってノズル移動通路に流入し、さらにノズル移動通
路内を下降して下方に排気される。この場合に仕切部材
によってノズル移動通路を各コンパートメントから仕切
っているので、ノズル移動機構で発生したパーティクル
はコンパートメント内に侵入することなく、清浄空気の
下降流とともにパーティクルを効率よく排気することが
できる。
【００４９】また、本発明によれば、同じ多段スピンユ
ニットに属するカップは集合ドレイン装置および集合排
気装置に向けて排液・排気することで、排液・排気系の
配管構造が簡素化されるとともに、排出物の一括管理が
できるようになる。
【００５０】また、本発明によれば、同じ多段スピンユ
ニットに属する多数のカップ排気を制御することによ
り、その多段スピンユニットにおける瞬間最大排気量が
低減され、工場側の集合排気装置にかかる負荷が軽減さ
れる。
【００５１】また、本発明によれば、従来のスピン塗布
ユニットよりも上下の厚みが薄い薄型ユニットを採用す
ることにより、クリーンルームの高さ制限（約３．５
ｍ）内においても４段程度の多段化が実現でき、装置の
フットプリントを小さくすることが可能になる。
【００５２】また、本発明によれば、共用ノズルを多段
スピンユニット間で共用することにより、結果としてス
ピン塗布ユニットを小型化でき、装置のフットプリント
を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る多段スピン型基板処理
システムを示す透視平面図。
【図２】本発明の実施形態に係る多段スピン型基板処理
システムを示す透視正面図。
【図３】多段スピンユニットの排出系の概要を示すブロ
ック回路図。
【図４】多段スピンユニット及びノズル移動通路内での
気流の概要を示す模式図。
【図５】共用ノズル及びリンスノズルの概要を示す透視
側面図。
【図６】共用ノズル及びリンスノズルの概要を示す透視
平面図。
【図７】現像装置の概要を示すブロック回路図。
【図８】塗布装置の概要を示す縦断面図。
【図９】他の実施形態の共用ノズルの概要を示す透視正
面図。
【図１０】他の実施形態の共用ノズルの概要を示す透視
平面図。
【図１１】従来の基板処理システムを示す平面図。
【図１２】従来の基板処理システムを示す正面図。
【符号の説明】
８…多段スピン型基板処理システム、９…多段スピンユ
ニット、１０…カセットステーション、１１…プロセス
部、１４…インターフェース部、２１，２６…サブアー
ム機構、２４…主アーム機構、４０…コンパートメン
ト、４２…清浄空気導入機構（エアフィルタ）、４３…
リンスノズル、４８ａ…ウェハ挿入口、４９…共用ノズ
ルユニット、５０…ノズル移動機構、５１…ノズル移動
通路、５２…共用ノズル、５８…仕切部材、５８ａ…開
口、６０…排出口、６２…集合ドレイン装置、６４…集
合排気装置、６５…開閉バルブ、９０…制御器、Ｗ…半
導体ウェハ（基板）、ＳＰ…スピンチャック、ＣＰ…カ
ップ、ＣＲ…カセット。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/30 ５０２ Ｇ０３Ｆ 7/30 ５０２ ５Ｆ０４６ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６９Ｃ Ｆターム(参考） 2H025 AB15 AB16 EA05 2H096 AA25 AA26 CA14 CA20 4D075 AC64 AC78 AC84 AC86 AC88 BB21Z BB56Y CA48 DA07 DB14 DC22 EA45 4F042 AA07 EB02 EB08 EB21 EB24 EB30 5F031 CC01 CC12 CC13 KK03 KK06 LL01 5F046 HA01 JA02 JA03 JA05 JA07 JA08 JA22 JA24 KA07 LA03 LA04 LA07 LA18

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 上下多段に積み重ねられた複数のコンパ
    ートメントを有する多段スピンユニットと、 前記コンパートメントの各々に被処理基板を出し入れす
    るために、被処理基板を保持するホルダと、このホルダ
    を前後に進退移動させ、かつ垂直軸に沿って昇降移動さ
    せ、かつ垂直軸回りに旋回移動させる駆動手段とを備え
    た主アーム機構と、 前記コンパートメントの各々に設けられ、前記主アーム
    機構により搬入された基板を保持し、スピン回転させる
    スピンチャックと、 このスピンチャックの周囲を取り囲み、基板から遠心力
    により分離される処理液を受けて排出するカップと、を
    具備し、 上記コンパートメント内のスピンチャックに保持された
    基板に向けて処理液をそれぞれ供給する共用ノズルと、 上記多段スピンユニットに沿って設けられ、上記各コン
    パートメントに連通し、前記共用ノズルが移動するため
    のノズル移動通路と、 前記共用ノズルを移動させるノズル移動機構と、を具備
    することを特徴とする多段スピン型基板処理システム。
  2. 【請求項２】 上記多段スピンユニットは少なくとも２
    段以上に積み重ねられたコンパートメントを有し、各コ
    ンパートメント内には基板に塗布された基板を現像する
    ための現像装置がそれぞれ設けられていることを特徴と
    する請求項１記載の多段スピン型基板処理システム。
  3. 【請求項３】 さらに、上記各コンパートメント内には
    リンス液を基板に供給するためのリンスノズルがそれぞ
    れ設けられていることを特徴とする請求項２記載の多段
    スピン型基板処理システム。
  4. 【請求項４】 さらに、上記各コンパートメントの上部
    にそれぞれ設けられ各コンパートメントごとに清浄空気
    を導入する清浄空気導入機構と、上記共用ノズルが出入
    りするための開口が形成され、上記ノズル移動通路と上
    記コンパートメントとを仕切る仕切部材と、上記ノズル
    移動通路を排気する排気機構と、を具備することを特徴
    とする請求項１記載の多段スピン型基板処理システム。
  5. 【請求項５】 さらに、上記カップの各々にドレイン通
    路を介して連通する集合ドレイン装置と、上記カップの
    各々に排気通路を介して連通する集合排気装置と、を具
    備することを特徴とする請求項１記載の多段スピン型基
    板処理システム。
  6. 【請求項６】 さらに、上記排気通路にそれぞれ設けら
    れた開閉弁と、上記カップの排気タイミングが互いに重
    なり合わないように前記開閉弁の動作をそれぞれ制御す
    る制御器と、を具備することを特徴とする請求項５記載
    の多段スピン型基板処理システム。
  7. 【請求項７】 上記スピンチャックは、スピンチャック
    軸上からオフセットして高さが抑えられた薄型のスピン
    モーターを具備しており、この薄型のスピンモーターに
    より上記カップの上下方向の厚みが低減されていること
    を特徴とする請求項１記載の多段スピン型基板処理シス
    テム。
  8. 【請求項８】 上記ノズル移動機構は、上記共用ノズル
    を上記ノズル移動通路に沿って移動させる昇降機構と、
    上記共用ノズルを垂直軸まわりに揺動旋回させる揺動旋
    回機構と、を具備することを特徴とする請求項１記載の
    多段スピン型基板処理システム。
  9. 【請求項９】 さらに、上記多段スピンユニットから離
    れたところに設けられ基板を加熱する熱板を有する加熱
    ユニットと、この加熱ユニットよりも下方に設けられ基
    板を冷却する冷却ユニットと、を具備することを特徴と
    する請求項１記載の多段スピン型基板処理システム。
JP17762798A 1998-06-24 1998-06-24 多段スピン型基板処理システム Expired - Fee Related JP3445937B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17762798A JP3445937B2 (ja) 1998-06-24 1998-06-24 多段スピン型基板処理システム
TW088110588A TW417184B (en) 1998-06-24 1999-06-23 Multi-stage spin-type treatment system for substrate
US09/338,544 US6444029B1 (en) 1998-06-24 1999-06-23 Multistage spin type substrate processing system
KR1019990023902A KR100637558B1 (ko) 1998-06-24 1999-06-24 다단 스핀형 기판처리시스템

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17762798A JP3445937B2 (ja) 1998-06-24 1998-06-24 多段スピン型基板処理システム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000012443A true JP2000012443A (ja) 2000-01-14
JP3445937B2 JP3445937B2 (ja) 2003-09-16

Family

ID=16034318

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17762798A Expired - Fee Related JP3445937B2 (ja) 1998-06-24 1998-06-24 多段スピン型基板処理システム

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6444029B1 (ja)
JP (1) JP3445937B2 (ja)
KR (1) KR100637558B1 (ja)
TW (1) TW417184B (ja)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100387418B1 (ko) * 2001-05-23 2003-06-18 한국디엔에스 주식회사 반도체 제조 공정에서 사용되는 스피너 시스템
JP2003243481A (ja) * 2002-02-21 2003-08-29 Asm Japan Kk 半導体製造装置及びメンテナンス方法
KR100567237B1 (ko) * 2002-08-23 2006-04-03 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치
KR100637716B1 (ko) 2005-06-10 2006-10-25 세메스 주식회사 점유 면적을 줄일 수 있는 웨이퍼 에지 노광 장치
JP2009267023A (ja) * 2008-04-24 2009-11-12 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 塗布装置
JP2010034219A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Sokudo Co Ltd 基板処理ユニットおよび基板処理装置
JP2010034222A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Sokudo Co Ltd 基板処理ユニット、基板処理装置およびノズルの位置制御方法
JP2010056318A (ja) * 2008-08-28 2010-03-11 Sokudo Co Ltd 基板処理ユニットおよび基板処理装置
JP2012039165A (ja) * 2011-11-25 2012-02-23 Sokudo Co Ltd 基板処理装置
US8851008B2 (en) 2007-06-29 2014-10-07 Sokudo Co., Ltd. Parallel substrate treatment for a plurality of substrate treatment lines
US9184071B2 (en) 2007-11-30 2015-11-10 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Multi-story substrate treating apparatus with flexible transport mechanisms and vertically divided treating units
JP2016029703A (ja) * 2014-07-23 2016-03-03 東京エレクトロン株式会社 現像装置
US9299596B2 (en) 2007-12-28 2016-03-29 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus with parallel substrate treatment lines simultaneously treating a plurality of substrates
US9368383B2 (en) 2007-12-28 2016-06-14 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus with substrate reordering
JP2017501022A (ja) * 2013-12-03 2017-01-12 アドヴェニラ エンタープライジーズ，インコーポレイテッド 同時回転および振動を使用したコーティング材料分布
TWI646594B (zh) * 2016-09-26 2019-01-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理方法及基板處理裝置

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6752544B2 (en) * 2002-03-28 2004-06-22 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Developing apparatus and developing method
JP4093878B2 (ja) * 2003-02-20 2008-06-04 東京応化工業株式会社 多段式処理装置
US7041172B2 (en) * 2003-02-20 2006-05-09 Asml Holding N.V. Methods and apparatus for dispensing semiconductor processing solutions with multi-syringe fluid delivery systems
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7255747B2 (en) 2004-12-22 2007-08-14 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with independent stations
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
JP4955977B2 (ja) * 2005-01-21 2012-06-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
JP4919665B2 (ja) * 2006-01-25 2012-04-18 オリジン電気株式会社 液状物質供給装置
US7694688B2 (en) 2007-01-05 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Wet clean system design
US7950407B2 (en) * 2007-02-07 2011-05-31 Applied Materials, Inc. Apparatus for rapid filling of a processing volume
JP2009111186A (ja) * 2007-10-30 2009-05-21 Toshiba Corp 基板処理方法、基板搬送方法および基板搬送装置
JP5318403B2 (ja) 2007-11-30 2013-10-16 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
KR101116320B1 (ko) * 2009-09-22 2012-03-09 에이피시스템 주식회사 액상물 적하 장치
CN104835767B (zh) 2015-05-20 2019-12-31 合肥鑫晟光电科技有限公司 湿法刻蚀机及采用该刻蚀机进行刻蚀的方法
JP6778548B2 (ja) * 2016-08-24 2020-11-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
KR20180062502A (ko) * 2016-11-30 2018-06-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20220097680A (ko) * 2020-12-30 2022-07-08 세메스 주식회사 노즐 대기 포트와 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 노즐 세정 방법
JP2022124070A (ja) * 2021-02-15 2022-08-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、および、筒状ガードの加工方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2843134B2 (ja) * 1990-09-07 1999-01-06 東京エレクトロン株式会社 塗布装置および塗布方法
US5565034A (en) * 1993-10-29 1996-10-15 Tokyo Electron Limited Apparatus for processing substrates having a film formed on a surface of the substrate
JP3196917B2 (ja) * 1994-06-17 2001-08-06 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
TW297910B (ja) 1995-02-02 1997-02-11 Tokyo Electron Co Ltd
KR0168522B1 (ko) * 1995-12-29 1999-02-01 김광호 반도체 소자제조용 스피너 설비
JP3227595B2 (ja) * 1996-08-20 2001-11-12 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法及び現像処理装置
JP3488576B2 (ja) * 1996-08-30 2004-01-19 株式会社東芝 光変流器
TW383414B (en) * 1997-03-05 2000-03-01 Tokyo Electron Ltd Photoresist agent processing method and photoresist agent processing system and evaluation method and processing apparatus for photoresist agent film
JP3310212B2 (ja) * 1998-02-06 2002-08-05 東京エレクトロン株式会社 塗布・現像処理システムおよび液処理システム

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100387418B1 (ko) * 2001-05-23 2003-06-18 한국디엔에스 주식회사 반도체 제조 공정에서 사용되는 스피너 시스템
JP2003243481A (ja) * 2002-02-21 2003-08-29 Asm Japan Kk 半導体製造装置及びメンテナンス方法
KR100567237B1 (ko) * 2002-08-23 2006-04-03 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치
KR100637716B1 (ko) 2005-06-10 2006-10-25 세메스 주식회사 점유 면적을 줄일 수 있는 웨이퍼 에지 노광 장치
US9174235B2 (en) 2007-06-29 2015-11-03 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus using horizontal treatment cell arrangements with parallel treatment lines
US10290521B2 (en) 2007-06-29 2019-05-14 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus with parallel gas supply pipes and a gas exhaust pipe
US9230834B2 (en) 2007-06-29 2016-01-05 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus
US8851008B2 (en) 2007-06-29 2014-10-07 Sokudo Co., Ltd. Parallel substrate treatment for a plurality of substrate treatment lines
US9165807B2 (en) 2007-06-29 2015-10-20 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus with vertical treatment arrangement including vertical blowout and exhaust units
US9687874B2 (en) 2007-11-30 2017-06-27 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Multi-story substrate treating apparatus with flexible transport mechanisms and vertically divided treating units
US9184071B2 (en) 2007-11-30 2015-11-10 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Multi-story substrate treating apparatus with flexible transport mechanisms and vertically divided treating units
US9299596B2 (en) 2007-12-28 2016-03-29 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus with parallel substrate treatment lines simultaneously treating a plurality of substrates
US9368383B2 (en) 2007-12-28 2016-06-14 Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. Substrate treating apparatus with substrate reordering
JP2009267023A (ja) * 2008-04-24 2009-11-12 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 塗布装置
JP2010034222A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Sokudo Co Ltd 基板処理ユニット、基板処理装置およびノズルの位置制御方法
JP2010034219A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Sokudo Co Ltd 基板処理ユニットおよび基板処理装置
JP2010056318A (ja) * 2008-08-28 2010-03-11 Sokudo Co Ltd 基板処理ユニットおよび基板処理装置
JP2012039165A (ja) * 2011-11-25 2012-02-23 Sokudo Co Ltd 基板処理装置
JP2017501022A (ja) * 2013-12-03 2017-01-12 アドヴェニラ エンタープライジーズ，インコーポレイテッド 同時回転および振動を使用したコーティング材料分布
JP2016029703A (ja) * 2014-07-23 2016-03-03 東京エレクトロン株式会社 現像装置
TWI646594B (zh) * 2016-09-26 2019-01-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理方法及基板處理裝置
US10553422B2 (en) 2016-09-26 2020-02-04 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate treatment method of treating substrate, and substrate treatment apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP3445937B2 (ja) 2003-09-16
US6444029B1 (en) 2002-09-03
KR20000006406A (ko) 2000-01-25
KR100637558B1 (ko) 2006-10-20
TW417184B (en) 2001-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3445937B2 (ja) 多段スピン型基板処理システム
KR100493989B1 (ko) 레지스트처리시스템및레지스트처리방법
JP3259092B2 (ja) 現像処理方法
US6432199B1 (en) Apparatus and method for processing a substrate
US6656281B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US8023099B2 (en) Substrate processing system and substrate processing method for double patterning with carrier block, process section, and interface block
KR101743303B1 (ko) 도포 방법, 도포 장치 및 기억 매체
US6063439A (en) Processing apparatus and method using solution
US5960225A (en) Substrate treatment apparatus
JP3910054B2 (ja) 基板処理装置
JPH09205047A (ja) 処理装置
JP2003178946A (ja) 現像処理方法及び現像処理装置
JPH08236435A (ja) 現像装置及び現像処理方法
JP3669897B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP3624127B2 (ja) 基板処理装置
JP2003218015A (ja) 基板処理装置
KR20200017027A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP3635214B2 (ja) 基板処理装置
JP2003218005A (ja) 処理方法
JP3708880B2 (ja) 基板の処理方法及び基板の処理装置
JP2003178942A (ja) 現像処理方法及び現像処理装置
JP3811359B2 (ja) 液処理装置
JP3465146B2 (ja) 現像装置
KR101817213B1 (ko) 기판 처리 장치
US20230063639A1 (en) Heat treatment unit and substrate processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120627

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120627

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150627

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees