JP2002353091A - 基板の塗布装置 - Google Patents
基板の塗布装置Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
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- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
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- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
- B05D3/10—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by other chemical means
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 回転された基板に塗布液を塗布する際に，基
板の外縁部においても所望の塗布膜が形成されるように
する。 【解決手段】 吐出ノズル６６は，ウェハＷの半径より
やや長い細長形状であり，アームによってウェハＷの半
径上に移動できる。吐出ノズル６６がウェハＷの半径上
に移動した際に，吐出ノズル６６のウェハＷの中心付近
に対向する位置にレジスト液吐出口８２を設け，ウェハ
Ｗの外縁部に対向する位置にレジスト液の溶剤ミストを
含むミスト含有ガスを吐出するミスト含有ガス吐出口８
５を設ける。回転されたウェハＷの中心にレジスト液吐
出口８２からレジスト液を吐出し，ウェハＷの外縁部に
ミスト含有ガスを供給すると，ウェハＷの中心から外縁
部に拡散されたレジスト液に対して溶剤ミストが補充さ
れ，レジスト液がウェハＷの外縁部まで好適に拡散され
る。
板の外縁部においても所望の塗布膜が形成されるように
する。 【解決手段】 吐出ノズル６６は，ウェハＷの半径より
やや長い細長形状であり，アームによってウェハＷの半
径上に移動できる。吐出ノズル６６がウェハＷの半径上
に移動した際に，吐出ノズル６６のウェハＷの中心付近
に対向する位置にレジスト液吐出口８２を設け，ウェハ
Ｗの外縁部に対向する位置にレジスト液の溶剤ミストを
含むミスト含有ガスを吐出するミスト含有ガス吐出口８
５を設ける。回転されたウェハＷの中心にレジスト液吐
出口８２からレジスト液を吐出し，ウェハＷの外縁部に
ミスト含有ガスを供給すると，ウェハＷの中心から外縁
部に拡散されたレジスト液に対して溶剤ミストが補充さ
れ，レジスト液がウェハＷの外縁部まで好適に拡散され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，基板の塗布装置に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトリソグラフィー工程では，ウェハ表面にレ
ジスト液を塗布し，レジスト膜を形成するレジスト塗布
処理，ウェハにパターンを露光する露光処理，露光後の
ウェハに対して現像を行う現像処理等が順次行われ，ウ
ェハに所定の回路パターンを形成する。
おけるフォトリソグラフィー工程では，ウェハ表面にレ
ジスト液を塗布し，レジスト膜を形成するレジスト塗布
処理，ウェハにパターンを露光する露光処理，露光後の
ウェハに対して現像を行う現像処理等が順次行われ，ウ
ェハに所定の回路パターンを形成する。
【０００３】上述したレジスト塗布処理は，通常レジス
ト塗布装置によって行われる。このレジスト塗布装置
は，ウェハを水平に吸着保持し，回転させるスピンチャ
ックと，ウェハの中心上方まで移動し，ウェハにレジス
ト液を吐出する吐出ノズルとを有している。そして，レ
ジスト塗布処理の際には，吐出ノズルから回転されたウ
ェハの中心にレジスト液が吐出され，当該レジスト液が
遠心力によって拡散されて，ウェハ表面にレジスト膜が
形成される。ところで，レジスト液が拡散されるために
は，レジスト液の粘性が低い必要があり，そのためにレ
ジスト液内には，予め所定量の溶剤が含まれている。
ト塗布装置によって行われる。このレジスト塗布装置
は，ウェハを水平に吸着保持し，回転させるスピンチャ
ックと，ウェハの中心上方まで移動し，ウェハにレジス
ト液を吐出する吐出ノズルとを有している。そして，レ
ジスト塗布処理の際には，吐出ノズルから回転されたウ
ェハの中心にレジスト液が吐出され，当該レジスト液が
遠心力によって拡散されて，ウェハ表面にレジスト膜が
形成される。ところで，レジスト液が拡散されるために
は，レジスト液の粘性が低い必要があり，そのためにレ
ジスト液内には，予め所定量の溶剤が含まれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上述の
ようにウェハを回転させながらレジスト液を拡散させる
と，ウェハの外縁部に行くにつれて周速度が増すため，
レジスト液がウェハの外縁部に到達する前に，レジスト
液内の溶剤が揮発してしまい，レジスト液が好適に拡散
されない場合がある。また，拡散されたとしてもウェハ
中心部と外縁部との膜厚が相異し，ウェハ上に不均一な
レジスト膜が形成される恐れがある。このように不均一
なレジスト膜が形成されると，半導体デバイスとして使
用可能な部分が減少し，歩留まりが低下する。特に，近
年レジスト膜の薄膜化，レジスト液の省量化が望まれて
おり，ウェハ上に供給されるレジスト液の液量を減少さ
せる傾向にあるので，ウェハに供給されたレジスト液の
粘性を維持し，適切な膜を形成することは極めて重要で
ある。
ようにウェハを回転させながらレジスト液を拡散させる
と，ウェハの外縁部に行くにつれて周速度が増すため，
レジスト液がウェハの外縁部に到達する前に，レジスト
液内の溶剤が揮発してしまい，レジスト液が好適に拡散
されない場合がある。また，拡散されたとしてもウェハ
中心部と外縁部との膜厚が相異し，ウェハ上に不均一な
レジスト膜が形成される恐れがある。このように不均一
なレジスト膜が形成されると，半導体デバイスとして使
用可能な部分が減少し，歩留まりが低下する。特に，近
年レジスト膜の薄膜化，レジスト液の省量化が望まれて
おり，ウェハ上に供給されるレジスト液の液量を減少さ
せる傾向にあるので，ウェハに供給されたレジスト液の
粘性を維持し，適切な膜を形成することは極めて重要で
ある。
【０００５】本発明は，かかる点に鑑みてなされたもの
であり，ウェハ等の基板の外縁部においても所望のレジ
スト膜等の塗布膜を形成する基板の塗布装置を提供する
ことをその目的とする。
であり，ウェハ等の基板の外縁部においても所望のレジ
スト膜等の塗布膜を形成する基板の塗布装置を提供する
ことをその目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明によれ
ば，基板に塗布液を塗布する塗布装置であって，下方の
基板に塗布液を吐出する塗布液吐出部材を有し，前記塗
布液吐出部材の下面は，少なくとも基板の半径よりも長
い細幅形状を有し，前記塗布液吐出部材が基板の直径上
に位置した際に，前記塗布液吐出部材における前記基板
の中心に対向する位置には，前記塗布液を吐出する塗布
液吐出口が設けられ，前記基板の外縁部に対向する位置
には，前記塗布液の溶剤ミストを吐出する溶剤ミスト吐
出口が設けられていることを特徴とする基板の塗布装置
が提供される。
ば，基板に塗布液を塗布する塗布装置であって，下方の
基板に塗布液を吐出する塗布液吐出部材を有し，前記塗
布液吐出部材の下面は，少なくとも基板の半径よりも長
い細幅形状を有し，前記塗布液吐出部材が基板の直径上
に位置した際に，前記塗布液吐出部材における前記基板
の中心に対向する位置には，前記塗布液を吐出する塗布
液吐出口が設けられ，前記基板の外縁部に対向する位置
には，前記塗布液の溶剤ミストを吐出する溶剤ミスト吐
出口が設けられていることを特徴とする基板の塗布装置
が提供される。
【０００７】このように，塗布装置が，基板の半径より
も長い細幅形状の塗布液吐出部材を有し，当該塗布液吐
出部材における前記基板の中心に対向する位置に，塗布
液吐出口を設け，基板の外縁部に対向する位置に，溶剤
ミスト吐出口を設けることによって，例えば基板の中心
に塗布された塗布液を遠心力で拡散させる際に，基板の
外縁部に溶剤ミストを供給し，塗布液の粘性を低く維持
することができる。それ故，塗布液が基板の外縁部まで
スムーズに拡散され，基板面内において均一な塗布膜が
形成される。また，ミスト状の溶剤を供給するので，蒸
気を供給する場合に比べて，より短時間により多くの溶
剤を基板に供給することができる。
も長い細幅形状の塗布液吐出部材を有し，当該塗布液吐
出部材における前記基板の中心に対向する位置に，塗布
液吐出口を設け，基板の外縁部に対向する位置に，溶剤
ミスト吐出口を設けることによって，例えば基板の中心
に塗布された塗布液を遠心力で拡散させる際に，基板の
外縁部に溶剤ミストを供給し，塗布液の粘性を低く維持
することができる。それ故，塗布液が基板の外縁部まで
スムーズに拡散され，基板面内において均一な塗布膜が
形成される。また，ミスト状の溶剤を供給するので，蒸
気を供給する場合に比べて，より短時間により多くの溶
剤を基板に供給することができる。
【０００８】前記塗布液吐出部材は，前記塗布液吐出口
に連通し，かつ所定の圧力で当該塗布液吐出部材内に供
給された塗布液を吐出前に一旦貯留する貯留部と，当該
貯留部の下方に位置する吐出圧調節室とを有し，前記塗
布液吐出口は，前記吐出圧調節室内に開口し，前記吐出
圧調節室の底面には，前記塗布液吐出口に対向する位置
にスリットが設けられ，さらに，前記吐出圧調節室内の
圧力が，圧力調節装置によって調節可能であってもよ
い。
に連通し，かつ所定の圧力で当該塗布液吐出部材内に供
給された塗布液を吐出前に一旦貯留する貯留部と，当該
貯留部の下方に位置する吐出圧調節室とを有し，前記塗
布液吐出口は，前記吐出圧調節室内に開口し，前記吐出
圧調節室の底面には，前記塗布液吐出口に対向する位置
にスリットが設けられ，さらに，前記吐出圧調節室内の
圧力が，圧力調節装置によって調節可能であってもよ
い。
【０００９】このように，前記貯留部の下方に，塗布液
吐出口が開口した前記吐出圧調節室を設け，さらに当該
吐出圧調節室の圧力が圧力調節装置によって調節できる
ようにすることによって，前記吐出圧調節室内の圧力を
変動させ，前記塗布液吐出口から吐出される塗布液の吐
出圧を調節することができる。すなわち，所定の圧力で
塗布液吐出部材の貯留部内に供給された塗布液は，当該
所定の圧力から吐出圧調節室内の圧力を引いた圧力で塗
布液吐出口から吐出され，当該吐出圧調節室の圧力を調
節することによって，塗布液の吐出圧を調節することが
できる。このように吐出圧が調節されると，基板に供給
される供給量も調節できる。したがって，塗布液吐出口
からの吐出量を処理される基板に見合った量に調節する
ことができ，余分な吐出が抑制されるので，塗布液の省
量化が図られる。また，吐出圧調節室にスリットを設け
るので，塗布液吐出口から吐出された塗布液は，当該ス
リットを通過して基板上に塗布される。
吐出口が開口した前記吐出圧調節室を設け，さらに当該
吐出圧調節室の圧力が圧力調節装置によって調節できる
ようにすることによって，前記吐出圧調節室内の圧力を
変動させ，前記塗布液吐出口から吐出される塗布液の吐
出圧を調節することができる。すなわち，所定の圧力で
塗布液吐出部材の貯留部内に供給された塗布液は，当該
所定の圧力から吐出圧調節室内の圧力を引いた圧力で塗
布液吐出口から吐出され，当該吐出圧調節室の圧力を調
節することによって，塗布液の吐出圧を調節することが
できる。このように吐出圧が調節されると，基板に供給
される供給量も調節できる。したがって，塗布液吐出口
からの吐出量を処理される基板に見合った量に調節する
ことができ，余分な吐出が抑制されるので，塗布液の省
量化が図られる。また，吐出圧調節室にスリットを設け
るので，塗布液吐出口から吐出された塗布液は，当該ス
リットを通過して基板上に塗布される。
【００１０】前記塗布液吐出部材は，前記塗布液吐出口
に連通し，かつ所定の圧力で当該塗布液吐出部材内に供
給された塗布液を吐出前に一旦貯留する貯留部と，当該
貯留部の下方に位置する吐出圧調節室と，前記塗布液吐
出部材内に供給される前記溶剤ミストを含む気体が通過
し前記溶剤ミスト吐出口に連通する気体供給経路と，を
有し，前記塗布液吐出口は，前記吐出圧調節室内に開口
し，前記気体供給経路は，前記吐出圧調節室に連通さ
れ，前記吐出圧調節室の底面には，前記塗布液吐出口に
対向する位置にスリットが設けられ，さらに，前記気体
供給経路内に供給される前記気体の圧力が，圧力調節装
置によって調整可能であってもよい。
に連通し，かつ所定の圧力で当該塗布液吐出部材内に供
給された塗布液を吐出前に一旦貯留する貯留部と，当該
貯留部の下方に位置する吐出圧調節室と，前記塗布液吐
出部材内に供給される前記溶剤ミストを含む気体が通過
し前記溶剤ミスト吐出口に連通する気体供給経路と，を
有し，前記塗布液吐出口は，前記吐出圧調節室内に開口
し，前記気体供給経路は，前記吐出圧調節室に連通さ
れ，前記吐出圧調節室の底面には，前記塗布液吐出口に
対向する位置にスリットが設けられ，さらに，前記気体
供給経路内に供給される前記気体の圧力が，圧力調節装
置によって調整可能であってもよい。
【００１１】このように，前記塗布液吐出部材内に，前
記吐出圧調節室と，前記溶剤ミストを含む気体が通過す
る前記気体供給経路とを設け，当該気体供給経路と前記
吐出圧調節室とを連通させることによって，当該気体供
給経路内に供給される前記気体の圧力と吐出圧調節室内
の圧力とを等しくすることができる。そして，前記気体
の圧力を，圧力調節装置によって調節できるようにする
ことによって，結果的に吐出圧調節室の圧力を調節する
ことが可能となる。一方，塗布液吐出口は，吐出圧調節
室に開口しているため，塗布液の吐出圧は，吐出圧調節
室の圧力に依存している。それ故，圧力調節装置によっ
て，吐出圧調節室内の圧力，引いては塗布液の吐出圧を
調節することができ，これによって塗布液の吐出量を調
節することができる。したがって，塗布液吐出口からの
吐出量を必要最小限の適正な量に調節することができ，
塗布液の省量化が図られる。また，吐出圧調節室の圧力
を前記溶剤ミストを含む気体の圧力調節装置で調節でき
るので，吐出圧調節室の圧力を調節するための圧力調節
装置を別途設ける必要がなく，装置が簡略化が図られ
る。
記吐出圧調節室と，前記溶剤ミストを含む気体が通過す
る前記気体供給経路とを設け，当該気体供給経路と前記
吐出圧調節室とを連通させることによって，当該気体供
給経路内に供給される前記気体の圧力と吐出圧調節室内
の圧力とを等しくすることができる。そして，前記気体
の圧力を，圧力調節装置によって調節できるようにする
ことによって，結果的に吐出圧調節室の圧力を調節する
ことが可能となる。一方，塗布液吐出口は，吐出圧調節
室に開口しているため，塗布液の吐出圧は，吐出圧調節
室の圧力に依存している。それ故，圧力調節装置によっ
て，吐出圧調節室内の圧力，引いては塗布液の吐出圧を
調節することができ，これによって塗布液の吐出量を調
節することができる。したがって，塗布液吐出口からの
吐出量を必要最小限の適正な量に調節することができ，
塗布液の省量化が図られる。また，吐出圧調節室の圧力
を前記溶剤ミストを含む気体の圧力調節装置で調節でき
るので，吐出圧調節室の圧力を調節するための圧力調節
装置を別途設ける必要がなく，装置が簡略化が図られ
る。
【００１２】前記溶剤ミスト吐出口は，前記スリットで
あってもよい。このように，前記スリットが前記溶剤ミ
スト吐出口の機能をも果たすことによって，別途溶剤ミ
スト吐出口を設ける必要がない。前記塗布液吐出部材に
前記塗布液吐出口が複数設けられていてもよい。このよ
うに基板に対向する位置に塗布液吐出口を複数設けるこ
とによって，基板中心の周辺にも塗布液が供給され，塗
布液の基板全面への塗布が促進される。
あってもよい。このように，前記スリットが前記溶剤ミ
スト吐出口の機能をも果たすことによって，別途溶剤ミ
スト吐出口を設ける必要がない。前記塗布液吐出部材に
前記塗布液吐出口が複数設けられていてもよい。このよ
うに基板に対向する位置に塗布液吐出口を複数設けるこ
とによって，基板中心の周辺にも塗布液が供給され，塗
布液の基板全面への塗布が促進される。
【００１３】前記塗布液吐出部材が前記基板の直径とほ
ぼ同じ長さを有しており，前記溶剤ミスト吐出口が前記
塗布液吐出部材の両端部に設けられていてもよい。この
ように，塗布液吐出部材を基板の直径の長さに形成し，
前記溶剤ミスト吐出口を前記塗布液吐出部材の両端部に
設けることによって，二箇所から基板の外縁部に溶剤ミ
ストを供給することができる。それ故，基板外縁部への
溶剤ミストの供給がより確実に，かつ多量に行えるた
め，基板の中心に塗布された塗布液がより滑らかに拡散
され，基板上に均一な塗布膜が形成される。
ぼ同じ長さを有しており，前記溶剤ミスト吐出口が前記
塗布液吐出部材の両端部に設けられていてもよい。この
ように，塗布液吐出部材を基板の直径の長さに形成し，
前記溶剤ミスト吐出口を前記塗布液吐出部材の両端部に
設けることによって，二箇所から基板の外縁部に溶剤ミ
ストを供給することができる。それ故，基板外縁部への
溶剤ミストの供給がより確実に，かつ多量に行えるた
め，基板の中心に塗布された塗布液がより滑らかに拡散
され，基板上に均一な塗布膜が形成される。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下，本発明の好ましい実施の形
態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる基
板の塗布装置が搭載された塗布現像処理システム１の構
成の概略を示す平面図であり，図２は，塗布現像処理シ
ステム１の正面図であり，図３は，塗布現像処理システ
ム１の背面図である。
態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる基
板の塗布装置が搭載された塗布現像処理システム１の構
成の概略を示す平面図であり，図２は，塗布現像処理シ
ステム１の正面図であり，図３は，塗布現像処理システ
ム１の背面図である。
【００１５】塗布現像処理システム１は，図１に示すよ
うに，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部か
ら塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセ
ットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットス
テーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定
の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステ
ーション３と，この処理ステーション３に隣接して設け
られている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け
渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構
成を有している。
うに，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部か
ら塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセ
ットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットス
テーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定
の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステ
ーション３と，この処理ステーション３に隣接して設け
られている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け
渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構
成を有している。
【００１６】カセットステーション２では，載置部とな
るカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセット
ＣをＲ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在とな
っている。そして，このカセット配列方向（Ｒ方向）と
カセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ
方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が
搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセッ
トＣに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。
るカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセット
ＣをＲ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在とな
っている。そして，このカセット配列方向（Ｒ方向）と
カセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ
方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が
搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセッ
トＣに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。
【００１７】ウェハ搬送体７は，ウェハＷの位置合わせ
を行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送
体７は後述するように処理ステーション３側の第３の処
理装置群G３に属するエクステンション装置３２に対し
てもアクセスできるように構成されている。
を行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送
体７は後述するように処理ステーション３側の第３の処
理装置群G３に属するエクステンション装置３２に対し
てもアクセスできるように構成されている。
【００１８】処理ステーション３では，その中心部に主
搬送装置１３が設けられており，この主搬送装置１３の
周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を
構成している。該塗布現像処理システム１においては，
４つの処理装置群G1，G2，G3，G4が配置されており，第
１及び第２の処理装置群G1，G2は塗布現像処理システム
１の正面側に配置され，第３の処理装置群G3は，カセッ
トステーション２に隣接して配置され，第４の処理装置
群G4は，インターフェイス部４に隣接して配置されてい
る。さらにオプションとして破線で示した第５の処理装
置群G5を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬
送装置１３は，これらの処理装置群G1，G2，G3，G4，G5
に配置されている後述する各種処理装置に対して，ウェ
ハＷを搬入出可能である。なお，処理装置群の数や配置
は，ウェハＷに施される処理の種類によって異なり，処
理装置群の数は，１つ以上であれば任意に選択してもよ
い。
搬送装置１３が設けられており，この主搬送装置１３の
周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を
構成している。該塗布現像処理システム１においては，
４つの処理装置群G1，G2，G3，G4が配置されており，第
１及び第２の処理装置群G1，G2は塗布現像処理システム
１の正面側に配置され，第３の処理装置群G3は，カセッ
トステーション２に隣接して配置され，第４の処理装置
群G4は，インターフェイス部４に隣接して配置されてい
る。さらにオプションとして破線で示した第５の処理装
置群G5を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬
送装置１３は，これらの処理装置群G1，G2，G3，G4，G5
に配置されている後述する各種処理装置に対して，ウェ
ハＷを搬入出可能である。なお，処理装置群の数や配置
は，ウェハＷに施される処理の種類によって異なり，処
理装置群の数は，１つ以上であれば任意に選択してもよ
い。
【００１９】第１の処理装置群G1では，例えば図２に示
すように，本実施の形態にかかる基板の塗布装置として
のレジスト塗布装置１７と，露光後にウェハＷを現像処
理する現像処理装置１８とが下から順に２段に配置され
ている。処理装置群G2の場合も同様に，レジスト塗布装
置１９と，現像処理装置２０とが下から順に２段に積み
重ねられている。
すように，本実施の形態にかかる基板の塗布装置として
のレジスト塗布装置１７と，露光後にウェハＷを現像処
理する現像処理装置１８とが下から順に２段に配置され
ている。処理装置群G2の場合も同様に，レジスト塗布装
置１９と，現像処理装置２０とが下から順に２段に積み
重ねられている。
【００２０】第３の処理装置群G3では，例えば図３に示
すように，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３
０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのア
ドヒージョン装置３１，ウェハＷの受け渡しを行うため
のエクステンション装置３２，レジスト液中の溶剤を蒸
発させるためのプリベーキング装置３３，３４及び現像
処理後の加熱処理を行うポストベーキング装置３５が下
から順に例えば６段に重ねられている。
すように，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３
０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのア
ドヒージョン装置３１，ウェハＷの受け渡しを行うため
のエクステンション装置３２，レジスト液中の溶剤を蒸
発させるためのプリベーキング装置３３，３４及び現像
処理後の加熱処理を行うポストベーキング装置３５が下
から順に例えば６段に重ねられている。
【００２１】第４の処理装置群G4では，例えばクーリン
グ装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクス
テンション・クーリング装置４１，エクステンション装
置４２，クーリング装置４３，露光後の加熱処理を行う
ポストエクスポージャーベーキング装置４４，４５，現
像処理後の加熱処理を行うポストベーキング装置４６が
下から順に例えば７段に積み重ねられている。
グ装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクス
テンション・クーリング装置４１，エクステンション装
置４２，クーリング装置４３，露光後の加熱処理を行う
ポストエクスポージャーベーキング装置４４，４５，現
像処理後の加熱処理を行うポストベーキング装置４６が
下から順に例えば７段に積み重ねられている。
【００２２】インターフェイス部４の中央部には，図１
に示すように例えばウェハ搬送体５０が設けられてい
る。このウェハ搬送体５０はＲ方向（図１中の上下方
向），Ｚ方向（垂直方向）の移動とθ方向（Ｚ軸を中心
とする回転方向）の回転が自在にできるように構成され
ており，第４の処理装置群G4に属するエクステンション
・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，周
辺露光装置５１及び図示しない露光装置に対してアクセ
スして，各々に対してウェハＷを搬送できるように構成
されている。
に示すように例えばウェハ搬送体５０が設けられてい
る。このウェハ搬送体５０はＲ方向（図１中の上下方
向），Ｚ方向（垂直方向）の移動とθ方向（Ｚ軸を中心
とする回転方向）の回転が自在にできるように構成され
ており，第４の処理装置群G4に属するエクステンション
・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，周
辺露光装置５１及び図示しない露光装置に対してアクセ
スして，各々に対してウェハＷを搬送できるように構成
されている。
【００２３】次に，上述したレジスト塗布装置１７の構
成について説明する。図４は，レジスト塗布装置１７の
構成の概略を示す縦断面の説明図であり，図５は，レジ
スト塗布装置の構成の概略を示す横断面の説明図であ
る。
成について説明する。図４は，レジスト塗布装置１７の
構成の概略を示す縦断面の説明図であり，図５は，レジ
スト塗布装置の構成の概略を示す横断面の説明図であ
る。
【００２４】レジスト塗布装置１７は，図４に示すよう
にケーシング１７ａを有し，当該ケーシング１７ａ内に
ウェハＷの保持手段であるスピンチャック６０を有す
る。スピンチャック６０は，上面に水平面を有し，当該
上面には，例えばウェハＷを吸着するための図示しない
吸引口が設けられている。したがって，スピンチャック
６０は，ウェハＷを水平に吸着保持することができる。
スピンチャック６０の下方には，当該スピンチャック６
０を回転させるための，例えばモータ等を備えた駆動部
６１が設けられている。駆動部６１は，制御装置６２に
よって制御されており，スピンチャック６０を所定の回
転速度で回転させることができる。
にケーシング１７ａを有し，当該ケーシング１７ａ内に
ウェハＷの保持手段であるスピンチャック６０を有す
る。スピンチャック６０は，上面に水平面を有し，当該
上面には，例えばウェハＷを吸着するための図示しない
吸引口が設けられている。したがって，スピンチャック
６０は，ウェハＷを水平に吸着保持することができる。
スピンチャック６０の下方には，当該スピンチャック６
０を回転させるための，例えばモータ等を備えた駆動部
６１が設けられている。駆動部６１は，制御装置６２に
よって制御されており，スピンチャック６０を所定の回
転速度で回転させることができる。
【００２５】スピンチャック６０の外方には，ウェハＷ
から飛散したレジスト液等を受け止め，回収するカップ
６３が設けられている。カップ６３は，上面が開口した
略円筒形状を有し，スピンチャック６０上のウェハＷの
外方と下方とを囲むように形成されている。カップ６３
の下面には，回収したレジスト液等を排液する排液管６
４とカップ６３内の雰囲気を排気する排気管６５とが設
けられている。
から飛散したレジスト液等を受け止め，回収するカップ
６３が設けられている。カップ６３は，上面が開口した
略円筒形状を有し，スピンチャック６０上のウェハＷの
外方と下方とを囲むように形成されている。カップ６３
の下面には，回収したレジスト液等を排液する排液管６
４とカップ６３内の雰囲気を排気する排気管６５とが設
けられている。
【００２６】レジスト液を吐出する塗布液吐出部材とし
ての吐出ノズル６６は，例えば図５に示すようにアーム
６７に支持されている。ケーシング１７ａ内には，Ｘ方
向（図５の上下方向）に伸びるレール６８が設けられて
おり，アーム６７は，当該レール６８上を移動できるよ
うになっている。アーム６７には，例えばモータ等を備
えた駆動部６９が設けられており，レール６８上を任意
に移動することができる。カップ６３のＸ方向負方向側
（図５の下方側）の外方には，吐出ノズル６６の待機位
置Ｔがあり，当該待機位置Ｔには，例えば吐出ノズル６
６を洗浄する図示しない洗浄槽が設けられている。吐出
ノズル６６は，アーム６７によって待機位置Ｔとカップ
６３内のウェハＷ上との間を往復移動することができ
る。アーム６７の駆動部６９には，アーム６７を昇降さ
せる機能が備えられており，必要に応じてアーム６７を
昇降させ，吐出ノズル６６とウェハＷとの距離を調節す
ることができる。
ての吐出ノズル６６は，例えば図５に示すようにアーム
６７に支持されている。ケーシング１７ａ内には，Ｘ方
向（図５の上下方向）に伸びるレール６８が設けられて
おり，アーム６７は，当該レール６８上を移動できるよ
うになっている。アーム６７には，例えばモータ等を備
えた駆動部６９が設けられており，レール６８上を任意
に移動することができる。カップ６３のＸ方向負方向側
（図５の下方側）の外方には，吐出ノズル６６の待機位
置Ｔがあり，当該待機位置Ｔには，例えば吐出ノズル６
６を洗浄する図示しない洗浄槽が設けられている。吐出
ノズル６６は，アーム６７によって待機位置Ｔとカップ
６３内のウェハＷ上との間を往復移動することができ
る。アーム６７の駆動部６９には，アーム６７を昇降さ
せる機能が備えられており，必要に応じてアーム６７を
昇降させ，吐出ノズル６６とウェハＷとの距離を調節す
ることができる。
【００２７】吐出ノズル６６は，図４，図５に示すよう
にウェハＷの半径よりやや長い細長形状を有している。
吐出ノズル６６は，当該吐出ノズル６６がＸ方向に平行
に移動しウェハＷの直径上に移動した際に，平面から見
て吐出ノズル６６の一端がウェハＷの端部付近に位置
し，吐出ノズル６６の他端部がウェハＷの中心部付近に
位置するようにアーム６７に支持されている。図６に示
すように吐出ノズル６６のＹ方向正方向側の上部には，
塗布液としてのレジスト液を供給するための供給管７０
が接続されており，吐出ノズル６６のＹ方向負方向側の
上部には，レジスト液の溶剤ミストを含む気体としての
ミスト含有ガスを供給するためのガス供給管７１が接続
されている。
にウェハＷの半径よりやや長い細長形状を有している。
吐出ノズル６６は，当該吐出ノズル６６がＸ方向に平行
に移動しウェハＷの直径上に移動した際に，平面から見
て吐出ノズル６６の一端がウェハＷの端部付近に位置
し，吐出ノズル６６の他端部がウェハＷの中心部付近に
位置するようにアーム６７に支持されている。図６に示
すように吐出ノズル６６のＹ方向正方向側の上部には，
塗布液としてのレジスト液を供給するための供給管７０
が接続されており，吐出ノズル６６のＹ方向負方向側の
上部には，レジスト液の溶剤ミストを含む気体としての
ミスト含有ガスを供給するためのガス供給管７１が接続
されている。
【００２８】供給管７０は，図４に示すようにレジスト
液の供給源であるレジストタンク７２に接続されてい
る。供給管７０には，例えばレジストタンク７２内のレ
ジスト液を設定圧力で圧送するポンプ７３が設けられて
いる。ポンプ７３と吐出ノズル６６の間の供給管７０に
は，開閉弁７４が設けられており，レジスト液の吐出ノ
ズル６６への供給を開始したり，当該供給を停止させた
りすることができる。したがって，レジストタンク７２
内のレジスト液は，ポンプ７３によって一定の設定圧力
で供給管７０内を圧送されており，開閉弁７４の開閉に
よって吐出ノズル６６内に供給される。
液の供給源であるレジストタンク７２に接続されてい
る。供給管７０には，例えばレジストタンク７２内のレ
ジスト液を設定圧力で圧送するポンプ７３が設けられて
いる。ポンプ７３と吐出ノズル６６の間の供給管７０に
は，開閉弁７４が設けられており，レジスト液の吐出ノ
ズル６６への供給を開始したり，当該供給を停止させた
りすることができる。したがって，レジストタンク７２
内のレジスト液は，ポンプ７３によって一定の設定圧力
で供給管７０内を圧送されており，開閉弁７４の開閉に
よって吐出ノズル６６内に供給される。
【００２９】ガス供給管７１は，前記ミスト含有ガスを
生成し，ミスト含有ガスの供給源となるガス生成タンク
７５に接続されている。ガス生成タンク７５には，例え
ばレジスト液の溶剤ミストを噴霧する噴霧器７６が設け
られ，ガス生成タンク７５内に窒素ガス等のキャリアガ
スを供給する配管７７が，ガス生成タンク７５に接続さ
れている。ガス生成タンク７５内に配管７７からキャリ
アガスを供給し，当該噴霧器７６から溶剤ミストを噴霧
することによって，ガス生成タンク７５内にミスト含有
ガスが生成される。
生成し，ミスト含有ガスの供給源となるガス生成タンク
７５に接続されている。ガス生成タンク７５には，例え
ばレジスト液の溶剤ミストを噴霧する噴霧器７６が設け
られ，ガス生成タンク７５内に窒素ガス等のキャリアガ
スを供給する配管７７が，ガス生成タンク７５に接続さ
れている。ガス生成タンク７５内に配管７７からキャリ
アガスを供給し，当該噴霧器７６から溶剤ミストを噴霧
することによって，ガス生成タンク７５内にミスト含有
ガスが生成される。
【００３０】ガス供給管７１には，例えばガス生成タン
ク７５内のミスト含有ガスを吐出ノズル６６に所定の圧
力で圧送するファン７８が設けられている。ファン７８
は，電力によって稼動し，ファン７８には，電源７９と
当該電源７９を操作できる制御部８０とが設けられてい
る。制御部８０は，ガス供給管７１内を流れるミスト含
有ガスの圧力を設定することができ，制御部８０は，当
該ミスト含有ガスの圧力が設定圧力になるように電源７
９の電圧をコントロールし，ファン７８の回転速度を調
節することができる。したがって，吐出ノズル６６内に
供給されるミスト含有ガスの圧力は，制御部８０によっ
て制御される。なお，本実施の形態に関しては，ファン
７８，電源７９及び制御部８０が，吐出ノズル６６内に
供給されるミスト含有ガスの圧力を調節する圧力調節装
置としての役割を果たす。また，ミスト含有ガスの圧力
を調節する他の手段として，溶剤を入れたタンク内の底
部からキャリアガスを噴出させるバブリングをさせても
よく，ガス供給管７１の途中に開閉バルブを設けて，当
該圧力を調節してもよい。
ク７５内のミスト含有ガスを吐出ノズル６６に所定の圧
力で圧送するファン７８が設けられている。ファン７８
は，電力によって稼動し，ファン７８には，電源７９と
当該電源７９を操作できる制御部８０とが設けられてい
る。制御部８０は，ガス供給管７１内を流れるミスト含
有ガスの圧力を設定することができ，制御部８０は，当
該ミスト含有ガスの圧力が設定圧力になるように電源７
９の電圧をコントロールし，ファン７８の回転速度を調
節することができる。したがって，吐出ノズル６６内に
供給されるミスト含有ガスの圧力は，制御部８０によっ
て制御される。なお，本実施の形態に関しては，ファン
７８，電源７９及び制御部８０が，吐出ノズル６６内に
供給されるミスト含有ガスの圧力を調節する圧力調節装
置としての役割を果たす。また，ミスト含有ガスの圧力
を調節する他の手段として，溶剤を入れたタンク内の底
部からキャリアガスを噴出させるバブリングをさせても
よく，ガス供給管７１の途中に開閉バルブを設けて，当
該圧力を調節してもよい。
【００３１】吐出ノズル６６の内部には，図７に示すよ
うにＹ方向正方向側に供給管７０からのレジスト液を一
旦貯留する貯留部８１が設けられている。貯留部８１
は，吐出ノズル６６内の上部に位置し，所定容量を有す
る空間を形成している。貯留部８１の下面には，複数の
塗布液吐出口としてのレジスト液吐出口８２がＹ方向に
並べられて設けられている。レジスト液吐出口８２は，
吐出ノズル６６がウェハＷの半径上に移動した際にウェ
ハＷの中心上方に位置するように設けられている。レジ
スト液吐出口８２は，貯留部８１に連通しており，貯留
部８１内に供給されたレジスト液は，各レジスト液吐出
口８２から吐出される。
うにＹ方向正方向側に供給管７０からのレジスト液を一
旦貯留する貯留部８１が設けられている。貯留部８１
は，吐出ノズル６６内の上部に位置し，所定容量を有す
る空間を形成している。貯留部８１の下面には，複数の
塗布液吐出口としてのレジスト液吐出口８２がＹ方向に
並べられて設けられている。レジスト液吐出口８２は，
吐出ノズル６６がウェハＷの半径上に移動した際にウェ
ハＷの中心上方に位置するように設けられている。レジ
スト液吐出口８２は，貯留部８１に連通しており，貯留
部８１内に供給されたレジスト液は，各レジスト液吐出
口８２から吐出される。
【００３２】吐出ノズル６６内の下部であって，貯留部
８１の下方には，吐出ノズル６６の長手方向に長い空間
を形成し，所定の圧力に維持できる吐出圧調節室Ｓが設
けられいる。吐出圧調節室Ｓには，レジスト液吐出口８
２が開口している。したがって，貯留部８１内のレジス
ト液は，貯留部８１と吐出圧調節室Ｓとの圧力差でレジ
スト液吐出口８２から吐出される。すなわち，貯留部８
１内に圧力を一定に維持した場合，レジスト液の吐出圧
は，吐出圧調節室Ｓの圧力によって決定できる。
８１の下方には，吐出ノズル６６の長手方向に長い空間
を形成し，所定の圧力に維持できる吐出圧調節室Ｓが設
けられいる。吐出圧調節室Ｓには，レジスト液吐出口８
２が開口している。したがって，貯留部８１内のレジス
ト液は，貯留部８１と吐出圧調節室Ｓとの圧力差でレジ
スト液吐出口８２から吐出される。すなわち，貯留部８
１内に圧力を一定に維持した場合，レジスト液の吐出圧
は，吐出圧調節室Ｓの圧力によって決定できる。
【００３３】吐出ノズル６６の下面であって，吐出圧調
節室Ｓのレジスト液吐出口８２に対向する位置には，図
８に示すようにウェハＷ側に開口するスリット８３が設
けられている。レジスト液吐出口８２から吐出されたレ
ジスト液は，スリット８３内を通過し，ウェハＷに供給
される。スリット８３は，Ｙ方向に長い細長形状に形成
されており，スリット８３の横幅は，吐出圧調節室Ｓ内
の圧力を維持し，安定させるため，例えば０．５〜１．
０ｍｍの範囲の狭小に形成されている。以上で記載した
構成によって，ポンプ７３によって吐出ノズル６６内に
供給されたレジスト液は，貯留部８１に一旦貯留され，
吐出圧調節室Ｓ内の圧力によって決定される吐出圧で，
レジスト液吐出口８２から吐出され，吐出圧調節室Ｓ及
びスリット８３を通過してウェハＷの中心付近に吐出さ
れる。
節室Ｓのレジスト液吐出口８２に対向する位置には，図
８に示すようにウェハＷ側に開口するスリット８３が設
けられている。レジスト液吐出口８２から吐出されたレ
ジスト液は，スリット８３内を通過し，ウェハＷに供給
される。スリット８３は，Ｙ方向に長い細長形状に形成
されており，スリット８３の横幅は，吐出圧調節室Ｓ内
の圧力を維持し，安定させるため，例えば０．５〜１．
０ｍｍの範囲の狭小に形成されている。以上で記載した
構成によって，ポンプ７３によって吐出ノズル６６内に
供給されたレジスト液は，貯留部８１に一旦貯留され，
吐出圧調節室Ｓ内の圧力によって決定される吐出圧で，
レジスト液吐出口８２から吐出され，吐出圧調節室Ｓ及
びスリット８３を通過してウェハＷの中心付近に吐出さ
れる。
【００３４】吐出ノズル６６のＹ方向負方向側の内部に
は，図７に示すようにガス供給管７１からのミスト含有
ガスが通過するガス供給経路８４が設けられている。ガ
ス供給経路８４は，吐出ノズル６６内を鉛直方向に形成
され，吐出ノズル６６の下面に設けられた溶剤ミスト吐
出口としてのミスト含有ガス吐出口８５は，ガス供給経
路８４の下方に位置している。
は，図７に示すようにガス供給管７１からのミスト含有
ガスが通過するガス供給経路８４が設けられている。ガ
ス供給経路８４は，吐出ノズル６６内を鉛直方向に形成
され，吐出ノズル６６の下面に設けられた溶剤ミスト吐
出口としてのミスト含有ガス吐出口８５は，ガス供給経
路８４の下方に位置している。
【００３５】ガス供給経路８４は，吐出圧調節室Ｓと連
通しており，吐出圧調節室Ｓ内の圧力は，ガス供給経路
８４内の圧力に等しくなる。ガス供給経路８４の圧力
は，ミスト含有ガスの供給圧力に等しく，ミスト含有ガ
スの供給圧力は，ファン７８を制御する制御部８０の設
定圧力に等しいので，ミスト含有ガスが供給されると，
吐出圧調節室Ｓの圧力は，制御部８０の設定圧力に維持
される。したがって，レジスト液は，吐出圧調節室Ｓ内
の圧力から貯留部８１内の圧力を引いた圧力と等しいポ
ンプ７３の一定の設定圧力から，制御部８０の設定圧力
を引いた圧力でレジスト液吐出口８２から吐出される。
通しており，吐出圧調節室Ｓ内の圧力は，ガス供給経路
８４内の圧力に等しくなる。ガス供給経路８４の圧力
は，ミスト含有ガスの供給圧力に等しく，ミスト含有ガ
スの供給圧力は，ファン７８を制御する制御部８０の設
定圧力に等しいので，ミスト含有ガスが供給されると，
吐出圧調節室Ｓの圧力は，制御部８０の設定圧力に維持
される。したがって，レジスト液は，吐出圧調節室Ｓ内
の圧力から貯留部８１内の圧力を引いた圧力と等しいポ
ンプ７３の一定の設定圧力から，制御部８０の設定圧力
を引いた圧力でレジスト液吐出口８２から吐出される。
【００３６】ミスト含有ガス吐出口８５は，図７，図８
に示すように吐出ノズル６６のＹ方向負方向側の下面で
あって，スリット８３の延長上に複数設けられており，
例えば円形状を有している。ミスト含有ガス吐出口８５
は，吐出ノズル６６がウェハＷの半径上に移動した際
に，ウェハＷの外縁部に対応する位置に設けられてい
る。したがって，ミスト含有ガスは，ガス供給管７１か
ら吐出ノズル６６内に供給されると，ガス供給経路８４
を通って，各ミスト含有ガス吐出口８５からウェハＷの
外縁部に吐出される。
に示すように吐出ノズル６６のＹ方向負方向側の下面で
あって，スリット８３の延長上に複数設けられており，
例えば円形状を有している。ミスト含有ガス吐出口８５
は，吐出ノズル６６がウェハＷの半径上に移動した際
に，ウェハＷの外縁部に対応する位置に設けられてい
る。したがって，ミスト含有ガスは，ガス供給管７１か
ら吐出ノズル６６内に供給されると，ガス供給経路８４
を通って，各ミスト含有ガス吐出口８５からウェハＷの
外縁部に吐出される。
【００３７】ケーシング１７ａの上面には，温度及び湿
度が調節され，清浄化された気体，例えばエアを供給す
るエア供給管８６が設けられており，ウェハＷの処理時
に当該気体を供給し，カップ６３内を所定の雰囲気に維
持すると同時に，カップ６３内をパージすることができ
る。
度が調節され，清浄化された気体，例えばエアを供給す
るエア供給管８６が設けられており，ウェハＷの処理時
に当該気体を供給し，カップ６３内を所定の雰囲気に維
持すると同時に，カップ６３内をパージすることができ
る。
【００３８】次に，以上のように構成されているレジス
ト塗布装置１７の作用について，塗布現像処理システム
１で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共
に説明する。
ト塗布装置１７の作用について，塗布現像処理システム
１で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共
に説明する。
【００３９】先ず，ウェハ搬送体７がカセットＣから未
処理のウェハＷを１枚取りだし，第３の処理装置群G3に
属するエクステンション装置３２に搬送する。次いでウ
ェハＷは，主搬送装置１３によってアドヒージョン装置
３１に搬入され，ウェハＷ上にレジスト液の密着性を向
上させる，例えばHMDSが塗布される。次にウェハＷは，
クーリング装置３０に搬送され，所定の温度に冷却され
る。そして，所定温度に冷却されたウェハＷは，主搬送
装置１３によって，例えばレジスト塗布装置１７に搬送
される。
処理のウェハＷを１枚取りだし，第３の処理装置群G3に
属するエクステンション装置３２に搬送する。次いでウ
ェハＷは，主搬送装置１３によってアドヒージョン装置
３１に搬入され，ウェハＷ上にレジスト液の密着性を向
上させる，例えばHMDSが塗布される。次にウェハＷは，
クーリング装置３０に搬送され，所定の温度に冷却され
る。そして，所定温度に冷却されたウェハＷは，主搬送
装置１３によって，例えばレジスト塗布装置１７に搬送
される。
【００４０】レジスト塗布装置１７においてレジスト液
が塗布されたウェハＷは，主搬送装置１３によってプリ
ベーキング装置３３，エクステンション・クーリング装
置４１に順次搬送され，さらにウェハ搬送体５０によっ
て周辺露光装置５１，露光装置（図示せず）に順次搬送
され，各装置で所定の処理が施される。そして露光処理
の終了したウェハＷは，ウェハ搬送体５０によりエクス
テンション装置４２に搬送され，その後，主搬送装置１
３によってポストエクスポージャーベーキング装置４
４，クーリング装置４３，現像処理装置１８，ポストベ
ーキング装置４６及びクーリング装置３０に順次搬送さ
れ，各装置において所定の処理が施される。その後，ウ
ェハＷは，エクステンション装置３２を介してカセット
Ｃに戻され，一連の塗布現像処理が終了する。
が塗布されたウェハＷは，主搬送装置１３によってプリ
ベーキング装置３３，エクステンション・クーリング装
置４１に順次搬送され，さらにウェハ搬送体５０によっ
て周辺露光装置５１，露光装置（図示せず）に順次搬送
され，各装置で所定の処理が施される。そして露光処理
の終了したウェハＷは，ウェハ搬送体５０によりエクス
テンション装置４２に搬送され，その後，主搬送装置１
３によってポストエクスポージャーベーキング装置４
４，クーリング装置４３，現像処理装置１８，ポストベ
ーキング装置４６及びクーリング装置３０に順次搬送さ
れ，各装置において所定の処理が施される。その後，ウ
ェハＷは，エクステンション装置３２を介してカセット
Ｃに戻され，一連の塗布現像処理が終了する。
【００４１】次に，上述したレジスト塗布装置１７の作
用について詳しく説明する。供給管７０のポンプ７３の
設定圧力を圧力Ｐ１に設定し，ファン７８の制御部８０
の設定圧力を圧力Ｐ２に設定する。圧力Ｐ２は，例えば
圧力Ｐ１＞圧力Ｐ２の条件を満たす。一定時間のレジス
ト液の吐出によってウェハＷ上に所定の膜厚のレジスト
膜が形成される最小限の吐出量となるようにＰ２を定め
るのが好ましい。レジスト塗布処理が開始される前に，
ケーシング１７ａのエア供給管８６から，例えば２３℃
に調節された清浄なエアが供給され始め，その一方でカ
ップ６３の排気管６５から排気が開始される。これによ
って，カップ６３内が所定温度の清浄な雰囲気に維持さ
れると共に，塗布処理中発生するパーティクルがパージ
される。
用について詳しく説明する。供給管７０のポンプ７３の
設定圧力を圧力Ｐ１に設定し，ファン７８の制御部８０
の設定圧力を圧力Ｐ２に設定する。圧力Ｐ２は，例えば
圧力Ｐ１＞圧力Ｐ２の条件を満たす。一定時間のレジス
ト液の吐出によってウェハＷ上に所定の膜厚のレジスト
膜が形成される最小限の吐出量となるようにＰ２を定め
るのが好ましい。レジスト塗布処理が開始される前に，
ケーシング１７ａのエア供給管８６から，例えば２３℃
に調節された清浄なエアが供給され始め，その一方でカ
ップ６３の排気管６５から排気が開始される。これによ
って，カップ６３内が所定温度の清浄な雰囲気に維持さ
れると共に，塗布処理中発生するパーティクルがパージ
される。
【００４２】レジスト塗布処理が開始されると，例えば
クーリング装置３０において前工程である冷却処理が終
了したウェハＷが，主搬送装置１３によってケーシング
１７ａ内に搬入される。搬入されたウェハＷは，スピン
チャック６０に受け渡されて，スピンチャック６０上に
吸着保持される。次に，待機位置Ｔで待機していた吐出
ノズル６６が，図５に示すようにアーム６７によってウ
ェハＷの半径上方まで移動される。このとき，図７に示
すようにレジスト液吐出口８２は，ウェハＷの中心上方
に位置し，ミスト含有ガス吐出口８５は，ウェハＷの外
縁部上方に位置する。このとき，駆動部６１によってス
ピンチャック６０が所定の回転速度で回転され始め，こ
れに伴ってウェハＷも回転される。
クーリング装置３０において前工程である冷却処理が終
了したウェハＷが，主搬送装置１３によってケーシング
１７ａ内に搬入される。搬入されたウェハＷは，スピン
チャック６０に受け渡されて，スピンチャック６０上に
吸着保持される。次に，待機位置Ｔで待機していた吐出
ノズル６６が，図５に示すようにアーム６７によってウ
ェハＷの半径上方まで移動される。このとき，図７に示
すようにレジスト液吐出口８２は，ウェハＷの中心上方
に位置し，ミスト含有ガス吐出口８５は，ウェハＷの外
縁部上方に位置する。このとき，駆動部６１によってス
ピンチャック６０が所定の回転速度で回転され始め，こ
れに伴ってウェハＷも回転される。
【００４３】続いて，例えばガス供給管７１のファン７
８が稼動され，制御部８０によって圧力Ｐ２に制御され
たミスト含有ガスが，ガス生成タンク７５からガス供給
管７１を通じてガス供給経路８４内に供給される。当該
ミスト含有ガスは，ガス供給経路８４を通過し，ミスト
含有ガス吐出口８５からウェハＷ上に吐出される。当該
吐出されたミスト含有ガスは，図９に示すように回転さ
れたウェハＷの外縁部に吐出され，ウェハＷの外縁部に
溶剤ミストが供給される。このとき，ガス供給経路８４
と連通した吐出圧調節室Ｓの圧力は，圧力Ｐ２に維持さ
れる。
８が稼動され，制御部８０によって圧力Ｐ２に制御され
たミスト含有ガスが，ガス生成タンク７５からガス供給
管７１を通じてガス供給経路８４内に供給される。当該
ミスト含有ガスは，ガス供給経路８４を通過し，ミスト
含有ガス吐出口８５からウェハＷ上に吐出される。当該
吐出されたミスト含有ガスは，図９に示すように回転さ
れたウェハＷの外縁部に吐出され，ウェハＷの外縁部に
溶剤ミストが供給される。このとき，ガス供給経路８４
と連通した吐出圧調節室Ｓの圧力は，圧力Ｐ２に維持さ
れる。
【００４４】ミスト含有ガスが吐出されて間もなく開閉
弁７４が開放され，図７に示すようにポンプ７３によっ
てレジストタンク７２内のレジスト液が圧力Ｐ１で貯留
部８１内に供給される。そして，貯留部８１内に供給さ
れたレジスト液は，吐出圧調節室Ｓの圧力から貯留部８
１の圧力を引いた圧力，すなわちＰ１−Ｐ２の圧力で各
レジスト液吐出口８２から吐出される。各レジスト液吐
出口８２から吐出されたレジスト液は，スリット８３を
通過し，図１０に示すようにウェハＷの中心部に供給さ
れる。
弁７４が開放され，図７に示すようにポンプ７３によっ
てレジストタンク７２内のレジスト液が圧力Ｐ１で貯留
部８１内に供給される。そして，貯留部８１内に供給さ
れたレジスト液は，吐出圧調節室Ｓの圧力から貯留部８
１の圧力を引いた圧力，すなわちＰ１−Ｐ２の圧力で各
レジスト液吐出口８２から吐出される。各レジスト液吐
出口８２から吐出されたレジスト液は，スリット８３を
通過し，図１０に示すようにウェハＷの中心部に供給さ
れる。
【００４５】ウェハＷの中心部に供給されたレジスト液
は，遠心力によってウェハＷの外縁部に広げられる。当
該レジスト液はウェハＷの外縁部に行くにつれ，レジス
ト液に元々含まれていた溶剤が揮発するが，ウェハＷの
外縁部に供給されている溶剤ミストによって，揮発した
分の溶剤が補充され，レジスト液の粘性は維持される。
したがって，レジスト液は，ウェハＷの外縁部までスム
ーズに広げられる。所定時間の吐出でウェハＷ上に所定
量のレジスト液が供給され，ウェハＷ上にレジスト液の
液膜が形成される。こうしてウェハＷ上に液膜が形成さ
れると，開閉弁７４が閉鎖され，レジスト液の供給が終
了する。これと同時にファン７８も停止され，ミスト含
有ガスの吐出が終了する。その後吐出ノズル６６は，再
びアーム６７によって待機位置Ｔに移動される。
は，遠心力によってウェハＷの外縁部に広げられる。当
該レジスト液はウェハＷの外縁部に行くにつれ，レジス
ト液に元々含まれていた溶剤が揮発するが，ウェハＷの
外縁部に供給されている溶剤ミストによって，揮発した
分の溶剤が補充され，レジスト液の粘性は維持される。
したがって，レジスト液は，ウェハＷの外縁部までスム
ーズに広げられる。所定時間の吐出でウェハＷ上に所定
量のレジスト液が供給され，ウェハＷ上にレジスト液の
液膜が形成される。こうしてウェハＷ上に液膜が形成さ
れると，開閉弁７４が閉鎖され，レジスト液の供給が終
了する。これと同時にファン７８も停止され，ミスト含
有ガスの吐出が終了する。その後吐出ノズル６６は，再
びアーム６７によって待機位置Ｔに移動される。
【００４６】一方，ウェハＷはそのまま回転され続け，
ウェハＷ上の液膜が平坦化されると共に，膜厚が所定の
膜厚に調整される。こうしてウェハＷ上に所定膜厚のレ
ジスト膜が形成されると，ウェハＷの回転が停止され
る。
ウェハＷ上の液膜が平坦化されると共に，膜厚が所定の
膜厚に調整される。こうしてウェハＷ上に所定膜厚のレ
ジスト膜が形成されると，ウェハＷの回転が停止され
る。
【００４７】その後，ウェハＷが主搬送装置１３に受け
渡され，ケーシング１７ａ外に搬出されて，一連のレジ
スト塗布処理が終了する。
渡され，ケーシング１７ａ外に搬出されて，一連のレジ
スト塗布処理が終了する。
【００４８】ウェハＷのロットが変更され場合には，ウ
ェハＷ上に供給されるレジスト液の供給量をより適正な
量に変更することが好ましい。以下，レジスト液の供給
量を変更する場合について説明する。
ェハＷ上に供給されるレジスト液の供給量をより適正な
量に変更することが好ましい。以下，レジスト液の供給
量を変更する場合について説明する。
【００４９】かかる場合，ポンプ７３の設定圧力の圧力
Ｐ１が維持され，制御部８０の設定圧力の圧力Ｐ２が変
更される。例えば，レジスト液の供給量を増やす場合に
は，制御部８０の設定圧力が圧力Ｐ２からより小さい圧
力（Ｐ２−α）に変更される。こうすることによって，
処理時の吐出圧調節室Ｓ内の圧力が圧力（Ｐ２−α）に
なり，貯留部８１内の圧力Ｐ１との圧力差が大きくなる
ので，レジスト液の吐出圧が上昇する。これによって，
所定の時間内にウェハＷに供給されるレジスト液の供給
量を増やすことができる。一方，レジスト液の供給量を
減少させる場合には，制御部８０の設定圧力が圧力Ｐ２
よりも大きい圧力（Ｐ２＋α）に変更される。こうする
ことによって，処理時の吐出圧調節室Ｓの圧力が（Ｐ２
−α）になり，レジスト液の吐出圧が下降し，所定時間
内に供給されるレジスト液の供給量が減少される。
Ｐ１が維持され，制御部８０の設定圧力の圧力Ｐ２が変
更される。例えば，レジスト液の供給量を増やす場合に
は，制御部８０の設定圧力が圧力Ｐ２からより小さい圧
力（Ｐ２−α）に変更される。こうすることによって，
処理時の吐出圧調節室Ｓ内の圧力が圧力（Ｐ２−α）に
なり，貯留部８１内の圧力Ｐ１との圧力差が大きくなる
ので，レジスト液の吐出圧が上昇する。これによって，
所定の時間内にウェハＷに供給されるレジスト液の供給
量を増やすことができる。一方，レジスト液の供給量を
減少させる場合には，制御部８０の設定圧力が圧力Ｐ２
よりも大きい圧力（Ｐ２＋α）に変更される。こうする
ことによって，処理時の吐出圧調節室Ｓの圧力が（Ｐ２
−α）になり，レジスト液の吐出圧が下降し，所定時間
内に供給されるレジスト液の供給量が減少される。
【００５０】以上の実施の形態によれば，吐出ノズル６
６をウェハＷの半径程度の細長形状に形成し，当該吐出
ノズル６６がウェハＷの半径上に移動した際に，ウェハ
Ｗの中心に対向する位置にレジスト液吐出口８２を設
け，ウェハＷの外縁部に対向する位置にミスト含有ガス
吐出口８５を設けるようにしたので，レジスト液をウェ
ハＷの中心に供給しながら，ウェハＷの外縁部に溶剤ミ
ストを供給することができる。このように，ウェハＷの
外縁部に溶剤ミストを供給することによって，ウェハＷ
の中心から外縁部に拡散されるレジスト液の粘性が維持
され，レジスト液がウェハＷの外縁部まで好適に広げら
れる。したがって，ウェハＷ外縁部におけるレジスト膜
がウェハＷ中心部と等しい膜厚で形成され，ウェハＷ面
内において均一なレジスト膜が形成される。また，溶剤
のミストを供給するので，比較的多量の溶剤がウェハＷ
に供給され，レジスト液の粘性を確実に維持することが
できる。
６をウェハＷの半径程度の細長形状に形成し，当該吐出
ノズル６６がウェハＷの半径上に移動した際に，ウェハ
Ｗの中心に対向する位置にレジスト液吐出口８２を設
け，ウェハＷの外縁部に対向する位置にミスト含有ガス
吐出口８５を設けるようにしたので，レジスト液をウェ
ハＷの中心に供給しながら，ウェハＷの外縁部に溶剤ミ
ストを供給することができる。このように，ウェハＷの
外縁部に溶剤ミストを供給することによって，ウェハＷ
の中心から外縁部に拡散されるレジスト液の粘性が維持
され，レジスト液がウェハＷの外縁部まで好適に広げら
れる。したがって，ウェハＷ外縁部におけるレジスト膜
がウェハＷ中心部と等しい膜厚で形成され，ウェハＷ面
内において均一なレジスト膜が形成される。また，溶剤
のミストを供給するので，比較的多量の溶剤がウェハＷ
に供給され，レジスト液の粘性を確実に維持することが
できる。
【００５１】また，レジスト液吐出口８２の開口部に吐
出圧調節室Ｓを設け，吐出圧調節室Ｓをガス供給経路８
４に連通するようにしたので，ガス供給経路８４内の圧
力を制御する制御部８０によって，レジスト液の吐出圧
を任意に変更することができる。したがって，ウェハＷ
のロットが変更された場合には，制御部８０の設定圧力
を変更し，レジスト液の吐出圧を変更して，ウェハＷへ
のレジスト液の供給量を変更することができる。また，
レジスト液の吐出圧をミスト含有ガスの供給圧力のみに
よって調節できるので，より細かい微調節が可能とな
り，より厳密にレジスト液の供給量を調節することがで
きる。したがって，レジスト液の供給量を，所望のレジ
スト膜が形成される必要最小限の適正な量に微調節し，
レジスト液の省量化を図ることができる。
出圧調節室Ｓを設け，吐出圧調節室Ｓをガス供給経路８
４に連通するようにしたので，ガス供給経路８４内の圧
力を制御する制御部８０によって，レジスト液の吐出圧
を任意に変更することができる。したがって，ウェハＷ
のロットが変更された場合には，制御部８０の設定圧力
を変更し，レジスト液の吐出圧を変更して，ウェハＷへ
のレジスト液の供給量を変更することができる。また，
レジスト液の吐出圧をミスト含有ガスの供給圧力のみに
よって調節できるので，より細かい微調節が可能とな
り，より厳密にレジスト液の供給量を調節することがで
きる。したがって，レジスト液の供給量を，所望のレジ
スト膜が形成される必要最小限の適正な量に微調節し，
レジスト液の省量化を図ることができる。
【００５２】吐出ノズル６６のレジスト液吐出口８２に
対向する位置に，横幅の狭いスリット８３を設けたの
で，吐出圧調節室Ｓ内の圧力が安定し，レジスト液の吐
出圧をより容易に制御することができる。
対向する位置に，横幅の狭いスリット８３を設けたの
で，吐出圧調節室Ｓ内の圧力が安定し，レジスト液の吐
出圧をより容易に制御することができる。
【００５３】レジスト液吐出口８２を複数設けたので，
ウェハＷの中心付近にもレジスト液が吐出され，レジス
ト液の供給とその拡散が促進される。なお，レジスト液
吐出口８２の数は，当然に単数であってもよい。また，
ミスト含有ガス吐出口８５は，複数設けられていたが単
数でもよい。また，ミスト含有ガス吐出口８５の形状
は，円形でなくても四角形等の他の形状でもよい。
ウェハＷの中心付近にもレジスト液が吐出され，レジス
ト液の供給とその拡散が促進される。なお，レジスト液
吐出口８２の数は，当然に単数であってもよい。また，
ミスト含有ガス吐出口８５は，複数設けられていたが単
数でもよい。また，ミスト含有ガス吐出口８５の形状
は，円形でなくても四角形等の他の形状でもよい。
【００５４】以上の実施の形態では，ミスト含有ガス吐
出口８５を別個に設けていたが，スリット８３がミスト
含有ガス吐出口の役割を担うようにしてもよい。図１１
に示した吐出ノズル９０は，その一例を示しており，こ
の吐出ノズル９０の下面には，吐出ノズル９０のＹ方向
負方向側まで伸びたスリット９１が設けられている。ス
リット９１は，レジスト吐出ノズル８２に対向する位置
からガス供給経路８４に対向する位置まで形成されてお
り，レジスト液とミスト含有ガスは，当該スリット９１
からウェハＷに供給される。このように，スリット９１
をミスト含有ガス吐出口として用いることによって，ミ
スト含有ガス吐出口を別途設ける必要が無く，吐出ノズ
ル９０の製造が簡略化される。
出口８５を別個に設けていたが，スリット８３がミスト
含有ガス吐出口の役割を担うようにしてもよい。図１１
に示した吐出ノズル９０は，その一例を示しており，こ
の吐出ノズル９０の下面には，吐出ノズル９０のＹ方向
負方向側まで伸びたスリット９１が設けられている。ス
リット９１は，レジスト吐出ノズル８２に対向する位置
からガス供給経路８４に対向する位置まで形成されてお
り，レジスト液とミスト含有ガスは，当該スリット９１
からウェハＷに供給される。このように，スリット９１
をミスト含有ガス吐出口として用いることによって，ミ
スト含有ガス吐出口を別途設ける必要が無く，吐出ノズ
ル９０の製造が簡略化される。
【００５５】また，以上の実施の形態において，吐出圧
調節室Ｓ内又はガス供給経路８４内の圧力を測定する圧
力センサを設け，当該圧力センサの測定値に基づいて制
御部８０が吐出圧調節室Ｓ内の圧力を微調節するように
してもよい。こうすることによって，より正確に吐出圧
調節室Ｓ内を設定圧力Ｐ２に維持することができるの
で，より厳格にレジスト液の吐出圧を制御することがで
きる。
調節室Ｓ内又はガス供給経路８４内の圧力を測定する圧
力センサを設け，当該圧力センサの測定値に基づいて制
御部８０が吐出圧調節室Ｓ内の圧力を微調節するように
してもよい。こうすることによって，より正確に吐出圧
調節室Ｓ内を設定圧力Ｐ２に維持することができるの
で，より厳格にレジスト液の吐出圧を制御することがで
きる。
【００５６】以上の実施の形態では，吐出圧調節室Ｓを
ガス供給経路８４に連通し，吐出圧調節室Ｓ内の圧力を
ミスト含有ガスの供給圧力によって制御するようにした
が，吐出圧調節室Ｓをガス供給経路８４と連通させず，
吐出圧調節室Ｓ内の圧力を別途調節するようにしてよ
い。
ガス供給経路８４に連通し，吐出圧調節室Ｓ内の圧力を
ミスト含有ガスの供給圧力によって制御するようにした
が，吐出圧調節室Ｓをガス供給経路８４と連通させず，
吐出圧調節室Ｓ内の圧力を別途調節するようにしてよ
い。
【００５７】例えば，図１２に示すように吐出ノズル１
００における貯留部１０１の下方に，ガス供給経路１０
２と遮断された吐出圧調節室Ｓ’が設けられる。吐出圧
調節室Ｓ’には，レジスト液吐出口１０３が開口し，当
該レジスト液吐出口１０３に対向する位置には，スリッ
ト１０４が設けられる。吐出圧調節室Ｓ’には，吐出圧
調節室Ｓ’内に所定の気体，例えば不活性気体，窒素ガ
ス等を供給する気体供給管１０５が設けられている。
００における貯留部１０１の下方に，ガス供給経路１０
２と遮断された吐出圧調節室Ｓ’が設けられる。吐出圧
調節室Ｓ’には，レジスト液吐出口１０３が開口し，当
該レジスト液吐出口１０３に対向する位置には，スリッ
ト１０４が設けられる。吐出圧調節室Ｓ’には，吐出圧
調節室Ｓ’内に所定の気体，例えば不活性気体，窒素ガ
ス等を供給する気体供給管１０５が設けられている。
【００５８】気体供給管１０５には，吐出圧調節室Ｓ’
内に供給される前記気体の圧力を調節する圧力調節装置
１０６が設けられている。圧力調節装置１０６は，例え
ばポンプ１０７，当該ポンプ１０７の電源１０８，当該
電源１０８を操作する制御部１０９及び吐出圧調節室
Ｓ’内の圧力を検出する圧力センサ１１０とを有してい
る。圧力センサ１１０は，吐出圧調節室Ｓ’内に設けら
れている。圧力センサ１１０において検出された検出値
は，制御部１０９に出力される。制御部１０９は，当該
検出値に基づいて吐出圧調節室Ｓ’内が設定圧力になる
ように，電源１０８を操作し，ポンプ１０７の圧力を制
御する。こうすることによって，吐出圧調節室Ｓ’が設
定圧力に維持され，前記実施の形態と同様にレジスト液
の吐出圧を維持，調節することができる。
内に供給される前記気体の圧力を調節する圧力調節装置
１０６が設けられている。圧力調節装置１０６は，例え
ばポンプ１０７，当該ポンプ１０７の電源１０８，当該
電源１０８を操作する制御部１０９及び吐出圧調節室
Ｓ’内の圧力を検出する圧力センサ１１０とを有してい
る。圧力センサ１１０は，吐出圧調節室Ｓ’内に設けら
れている。圧力センサ１１０において検出された検出値
は，制御部１０９に出力される。制御部１０９は，当該
検出値に基づいて吐出圧調節室Ｓ’内が設定圧力になる
ように，電源１０８を操作し，ポンプ１０７の圧力を制
御する。こうすることによって，吐出圧調節室Ｓ’が設
定圧力に維持され，前記実施の形態と同様にレジスト液
の吐出圧を維持，調節することができる。
【００５９】前記実施の形態で記載した吐出ノズル６６
は，ウェハＷの直径とほぼ同じ長さの細長形状を有して
いてもよい。図１３に示した吐出ノズル１２０は，その
一例を示しており，吐出ノズル１２０内の長手方向の中
央部には，レジスト液を一旦貯留する貯留部１２２が設
けられ，長手方向の両端部付近には，ガス供給管１２３
からミスト含有ガスが供給されるガス供給経路１２４，
１２５がそれぞれ設けられる。各ガス供給経路１２４，
１２５は，それぞれミスト含有ガス吐出口１２６，１２
７に連通されている。貯留部１２２の下部には，貯留部
１２２と連通するレジスト液吐出口１２８が設けられ，
さらにその下方には，レジスト液吐出口１２８が開口す
る吐出圧調節室Ｓが設けられる。吐出圧調節室Ｓは，各
ガス供給経路１２４，１２５に連通されており，吐出圧
調節室Ｓ内の圧力は，ガス供給経路１２４，１２５内を
通過するミスト含有ガスの供給圧力に等しくなる。レジ
スト液吐出口１２８に対向する位置には，スリット１２
９が設けられる。なお，他の構成は，上述した吐出ノズ
ル６６と同様であり，説明を省略する。
は，ウェハＷの直径とほぼ同じ長さの細長形状を有して
いてもよい。図１３に示した吐出ノズル１２０は，その
一例を示しており，吐出ノズル１２０内の長手方向の中
央部には，レジスト液を一旦貯留する貯留部１２２が設
けられ，長手方向の両端部付近には，ガス供給管１２３
からミスト含有ガスが供給されるガス供給経路１２４，
１２５がそれぞれ設けられる。各ガス供給経路１２４，
１２５は，それぞれミスト含有ガス吐出口１２６，１２
７に連通されている。貯留部１２２の下部には，貯留部
１２２と連通するレジスト液吐出口１２８が設けられ，
さらにその下方には，レジスト液吐出口１２８が開口す
る吐出圧調節室Ｓが設けられる。吐出圧調節室Ｓは，各
ガス供給経路１２４，１２５に連通されており，吐出圧
調節室Ｓ内の圧力は，ガス供給経路１２４，１２５内を
通過するミスト含有ガスの供給圧力に等しくなる。レジ
スト液吐出口１２８に対向する位置には，スリット１２
９が設けられる。なお，他の構成は，上述した吐出ノズ
ル６６と同様であり，説明を省略する。
【００６０】そして，レジスト塗布処理の際には，吐出
ノズル１２０がウェハＷの直径上に移動され，前記実施
の形態と同様にウェハＷが回転され，各ミスト含有ガス
吐出口１２６，１２７からウェハＷの外縁部に溶剤ミス
トが供給され，レジスト液吐出口１２８からウェハＷの
中心にレジスト液が供給される。遠心力によってレジス
ト液がウェハＷの外縁部に広げられると共に，当該ウェ
ハＷの外縁部においてレジスト液に溶剤ミストが補充さ
れ，ウェハＷ上に所定膜厚のレジスト膜が形成される。
このように，吐出ノズル１２０をウェハＷの直径の長さ
に形成し，その両端付近にミスト含有ガス吐出口１２
６，１２７を設けることによって，ウェハＷ外縁部への
溶剤ミストの供給が２箇所で行われ，溶剤ミスト供給が
より適切かつ確実に行われる。
ノズル１２０がウェハＷの直径上に移動され，前記実施
の形態と同様にウェハＷが回転され，各ミスト含有ガス
吐出口１２６，１２７からウェハＷの外縁部に溶剤ミス
トが供給され，レジスト液吐出口１２８からウェハＷの
中心にレジスト液が供給される。遠心力によってレジス
ト液がウェハＷの外縁部に広げられると共に，当該ウェ
ハＷの外縁部においてレジスト液に溶剤ミストが補充さ
れ，ウェハＷ上に所定膜厚のレジスト膜が形成される。
このように，吐出ノズル１２０をウェハＷの直径の長さ
に形成し，その両端付近にミスト含有ガス吐出口１２
６，１２７を設けることによって，ウェハＷ外縁部への
溶剤ミストの供給が２箇所で行われ，溶剤ミスト供給が
より適切かつ確実に行われる。
【００６１】以上の実施の形態は，本発明をレジスト液
を塗布するレジスト塗布装置に適用したものであった
が，他の塗布装置，例えば現像液を塗布する現像処理装
置等にも適用できる。また，以上の実施の形態は，半導
体ウェハデバイスの製造プロセスのフォトリソグラフィ
ー工程における塗布装置について適用したものであった
が，本発明は半導体ウェハ以外の基板例えばＬＣＤ基板
の塗布装置においても適用できる。
を塗布するレジスト塗布装置に適用したものであった
が，他の塗布装置，例えば現像液を塗布する現像処理装
置等にも適用できる。また，以上の実施の形態は，半導
体ウェハデバイスの製造プロセスのフォトリソグラフィ
ー工程における塗布装置について適用したものであった
が，本発明は半導体ウェハ以外の基板例えばＬＣＤ基板
の塗布装置においても適用できる。
【００６２】
【発明の効果】本発明によれば，基板面内に塗布される
塗布液の粘性を低く維持できるので，基板の外縁部にお
いても所定膜厚の塗布膜が形成され，基板面内に均一な
塗布膜が形成されるので，歩留まりの向上が図られる。
塗布液の粘性を低く維持できるので，基板の外縁部にお
いても所定膜厚の塗布膜が形成され，基板面内に均一な
塗布膜が形成されるので，歩留まりの向上が図られる。
【図１】実施の形態にかかるレジスト塗布装置を搭載し
た塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図であ
る。
た塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図であ
る。
【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】レジスト塗布装置の構成の概略を示す縦断面の
説明図である。
説明図である。
【図５】レジスト塗布装置の構成の概略を示す横断面の
説明図である。
説明図である。
【図６】吐出ノズルの概略を示す斜視図である。
【図７】吐出ノズル内の構成を示す縦断面の説明図であ
る。
る。
【図８】吐出ノズルを下方から見た場合の説明図であ
る。
る。
【図９】吐出ノズルからミスト含有ガスを吐出している
状態を示す説明図である。
状態を示す説明図である。
【図１０】ウェハ上にレジスト液が塗布された状態を示
す説明図である。
す説明図である。
【図１１】吐出ノズルの他の構成例を示す斜視図であ
る。
る。
【図１２】吐出ノズルの他の構成例を示す縦断面の説明
図である。
図である。
【図１３】吐出ノズルをウェハの直径長さに形成した場
合の吐出ノズルの構成例を示す縦断面の説明図である。
合の吐出ノズルの構成例を示す縦断面の説明図である。
１ 塗布現像処理システム １７ レジスト塗布装置 ６０ スピンチャック ６６ 吐出ノズル ７８ ファン ８０ 制御部 ８１ 貯留部 ８２ レジスト液吐出口 ８３ スリット ８４ ガス供給経路 ８５ ミスト含有ガス吐出口 Ｓ 吐出圧調節室 Ｗ ウェハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H025 AB16 EA05 4D075 AC64 BB56X CA47 DA06 DB13 DC22 EA07 EA21 EA45 4F042 AA02 AA07 AB00 BA07 BA08 BA25 CA01 CB02 CB03 CB08 CB10 CC10 EB05 EB09 EB13 EB18 EB21 EB24 EB25 EB29 5F046 JA02 JA04
Claims (6)
- 【請求項１】 基板に塗布液を塗布する塗布装置であっ
て，下方の基板に塗布液を吐出する塗布液吐出部材を有
し，前記塗布液吐出部材の下面は，少なくとも基板の半
径よりも長い細幅形状を有し，前記塗布液吐出部材が基
板の直径上に位置した際に，前記塗布液吐出部材におけ
る前記基板の中心に対向する位置には，前記塗布液を吐
出する塗布液吐出口が設けられ，前記基板の外縁部に対
向する位置には，前記塗布液の溶剤ミストを吐出する溶
剤ミスト吐出口が設けられていることを特徴とする，基
板の塗布装置。 - 【請求項２】 前記塗布液吐出部材は，前記塗布液吐出
口に連通し，かつ所定の圧力で当該塗布液吐出部材内に
供給された塗布液を吐出前に一旦貯留する貯留部と，当
該貯留部の下方に位置する吐出圧調節室とを有し，前記
塗布液吐出口は，前記吐出圧調節室内に開口し，前記吐
出圧調節室の底面には，前記塗布液吐出口に対向する位
置にスリットが設けられ，さらに，前記吐出圧調節室内
の圧力が，圧力調節装置によって調節可能に構成されて
いることを特徴とする，請求項１に記載の基板の塗布装
置。 - 【請求項３】 前記塗布液吐出部材は，前記塗布液吐出
口に連通し，かつ所定の圧力で当該塗布液吐出部材内に
供給された塗布液を吐出前に一旦貯留する貯留部と，当
該貯留部の下方に位置する吐出圧調節室と，前記塗布液
吐出部材内に供給される前記溶剤ミストを含む気体が通
過し前記溶剤ミスト吐出口に連通する気体供給経路と，
を有し，前記塗布液吐出口は，前記吐出圧調節室内に開
口し，前記気体供給経路は，前記吐出圧調節室に連通さ
れ，前記吐出圧調節室の底面には，前記塗布液吐出口に
対向する位置にスリットが設けられて，さらに，前記気
体供給経路内に供給される前記気体の圧力が，圧力調節
装置によって調整可能に構成されていることを特徴とす
る，請求項１に記載の基板の塗布装置。 - 【請求項４】 前記溶剤ミスト吐出口は，前記スリット
であることを特徴とする，請求項２又は３のいずれかに
記載の基板の塗布装置。 - 【請求項５】 前記塗布液吐出口が複数設けられている
ことを特徴とする，請求項１，２，３又は４のいずれか
に記載の基板の塗布装置。 - 【請求項６】 前記塗布液吐出部材が前記基板の直径と
ほぼ同じ長さを有しており，前記溶剤ミスト吐出口が前
記塗布液吐出部材の両端部に設けられていることを特徴
とする，請求項１，２，３，４又は５のいずれかに記載
の基板の塗布装置。
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