JP4030697B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体ウエハや液晶ディスプレイ用のガラス基板などの基板に対して例えばレジスト液の塗布処理や現像処理などを行う基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造工程におけるフォトリソグラフィ−技術においては半導体ウエハ(以下ウエハという)の表面にレジストを塗布し、この塗布レジストを所定パタ−ンに露光処理し、更に現像処理して所定パタ−ンのレジスト膜が形成される。このような一連の処理は、塗布/現像装置に露光装置を接続したシステムにより行われる。
【0003】
図15はこのような装置の従来例を示す平面図であり、基板例えば半導体ウエハを25枚収納したカセットCはカセットステ−ションA1のカセットステ−ジ1に搬入される。
【0004】
前記カセットステ−ションA1には処理ステ−ションA2が接続されており、更に処理ステ−ションA2にはインタ−フェイスステ−ションA3を介して露光装置A4が接続されている。処理ステ−ションA2は、ウエハWにレジスト液を塗布する例えば2個の塗布ユニット11と、露光後のウエハWを現像する例えば2個の現像ユニットとを備えている(この例では下段に現像ユニットが配列されている)。なおウエハWにレジストを塗布する前に反射防止膜を形成する場合には反射防止膜形成ユニットが更に設けられる。
【0005】
また当該ステ−ションA2は、ウエハWが多段に載置される例えば3個の棚ユニット12,13,14を備えており、これら棚ユニット12,13,14の各棚は、加熱部、冷却部、ウエハWの受け渡し部などとして構成されている。そしてウエハWはウエハ搬送手段15により、前記塗布ユニット11と現像ユニットと棚ユニット12,13,14との間で搬送されるようになっている。
【0006】
このようなシステムでは、前記カセットステ−ジ1上のカセットC内のウエハWは、受け渡しア−ム16により取り出され、棚ユニット12の受け渡し部を介して塗布ユニット11に送られ、ここでレジストが塗布される。その後ウエハWはウエハ搬送手段15→棚ユニット13の受け渡し部→インタ−フェイスステ−ションA3の受け渡しアーム17→露光装置A4の経路で搬送されて露光される。露光後のウエハWは、逆経路で処理ステ−ションA2に搬送され、塗布ユニット11の下段に設けられた図示しない現像ユニットにて現像された後、ウエハ搬送手段15→棚ユニット12の受け渡し部→カセットCの経路で搬送される。なお17は処理ステ−ションA2と露光装置A4との間でウエハWの受け渡しを行うための受け渡しア−ムである。
【0007】
塗布ユニットや現像ユニットにて用いられる処理液(レジスト液あるいは現像液は容器内に貯溜されており、これら容器は、処理ステーションA2全体を囲む筺体18の外に設けられた外置きボックス内に設置されている。
【0008】
更に塗布ユニット及び現像ユニットに用いられる用力系、例えば前記容器内の処理液を圧送するためのN2(窒素)ガス供給系、スピンチャック等の駆動用給電部、エアシリンダのエア供給部なども前記筺体18の外に設置されていた。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
上述の装置では、処理液を収納する容器がステーションA2の外に置かれているので塗布ユニットや現像ユニットに処理液を供給するための配管が長くなっている。この配管内の処理液はメンテナンス時等には廃棄されるが、パターンの微細化に対応するためのレジスト液や現像液のコストが高価になっていることから、処理液の滞留距離が長いとトータルのコストが高くなってしまう。一方ノズルからの処理液の吐出量を高精度にコントロールし、吐出後に処理液が基板上に垂れないように、ノズルの先端から処理液面を僅かに戻す必要があり、このため微妙に処理液の加圧力を調整しなければならない。そこで定量ポンプやサックバルブなどの供給制御機器はノズルからあまり離れないようにするために外置きボックス内に置かずに塗布(現像)ユニット内に設けるようにしているが、各塗布(現像)ユニット内に供給制御機器を配置するとメンテナンス作業がやりにくいという課題がある。
【0010】
本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は処理液の配管を短くすることのできる基板処理装置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る基板処理装置は、基板を収納した基板カセットを載置する載置部と、この載置部に載置された基板カセットに対して基板の受け渡しをする受け渡し手段と、を含むカセットステ−ションと、
このカセットステ−ションに接続され、前記受け渡し手段により搬送された基板を処理する処理ステ−ションと、を有し、
前記処理ステ−ションは、複数段に積み重ねられると共に横方向に直線状に複数配置され、各々処理液により基板に対して処理を行う液処理ユニットと、これら液処理ユニットに対して基板の搬出入を行う搬送手段と、前記処理液を収納する容器が収納され、複数段に積み重ねられた液処理ユニット毎に当該液処理ユニットの隣または下方側に設けられた容器収納部と、を備えたことを特徴とする。
【0012】
このような発明によれば、処理液の配管が短くて済むため、高価な処理液の滞留量が少なく、コストの低減を図ることができる。
【0013】
前記容器収納部は、容器から液処理ユニットに処理液を供給する配管に設けられる処理液の供給制御機器を収納するようにしてもよく、このようにすればメンテナンの作業性がよいなどの利点がある。更に複数段に積み重ねられた液処理ユニットの最下段の下方側に、各段の液処理ユニットに用いられる用力機器を配置するようにしてもよい。
【0014】
処理ステ−ションは、例えば、液処理ユニットにおける処理に対する前処理及び/または後処理を行うために、加熱処理及び/または冷却処理するためのユニットが多段に積み重ねられている棚ユニットを備えている。
また他の発明は、基板を収納した基板カセットを載置する載置部と、この載置部に載置された基板カセットに対して基板の受け渡しをする受け渡し手段と、を含むカセットステ−ションと、
このカセットステ−ションに接続され、前記受け渡し手段により搬送された基板を処理する処理ステ−ションと、を有し、
前記処理ステ−ションは、複数段に積み重ねられると共に各々処理液により基板に対して処理を行う液処理ユニットと、これら液処理ユニットに対して基板の搬出入を行う搬送手段と、前記処理液を収納する容器が収納され、液処理ユニットの隣に設けられた容器収納部と、
液処理ユニットにおける処理に対する前処理及び/または後処理を行うために、加熱処理及び/または冷却処理するためのユニットが多段に積み重ねられている棚ユニットと、を備えた基板処理装置であって、
棚ユニットにて基板を冷却した後、更に精度よく所定の温度に冷却するための微調整用の冷却部を、搬送手段の搬送領域から区画して、液処理ユニットで用いられる雰囲気気体の流れる環境中であって、前記容器収納部の上または下に配置したことを特徴とする。
【0015】
そして棚ユニットを設けた装置においては、次のように構成してもよく、この場合カセットステ−ションから見て奥行きの長さを短くできるといった利点がある。
【0016】
a.基板カセットがX方向に複数配列される。
【0017】
b.処理ステ−ションは、搬送手段、複数段に積み重ねられた液処理ユニット及び棚ユニットを有するブロックをY方向に接続して構成される。
【0018】
c.処理ステ−ション全体で見て、複数段に積み重ねられた液処理ユニットは、Y方向に直線状に複数配置され、棚ユニットはY方向に複数並び、搬送手段は、棚ユニットの並びと液処理ユニットの並びとの間に配置される。
【0019】
d.カセットステ−ション寄りのブロックにおいては、棚ユニットの少なくとも一つの段が受け渡し手段と搬送手段との間で基板を受け渡すための受け渡し部として構成され、当該棚ユニットは、搬送手段から見てX方向に対してカセットステ−ション側に斜めに配置されている。
【0020】
e.カセットステ−ション寄りのブロックに接続されるブロックにおいては、棚ユニットは、搬送手段から見てX方向に配置されている。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の基板処理装置を基板の塗布、現像装置に適用した実施の形態について説明する。図1はこの実施の形態の内部を透視して示す概観図、図2は概略平面図である。図中S1はカセットステ−ション、S2はウエハWに対してレジストの塗布処理や現像処理等を行うための処理ステ−ション、S3はインタ−フェイスステ−ション、S4は露光ステーションである。
【0022】
カセットステ−ションS1は、複数の基板例えば25枚のウエハWを収納した例えば5個の基板カセットをなすウエハカセット(以下「カセット」という)22をX方向に配列して載置する載置部をなすカセットステ−ジ21と、カセットステ−ジ21上のカセット22と後述する処理ステ−ションS2の受け渡し部との間でウエハWの受け渡しを行なうための受け渡し手段をなす受け渡しア−ム23とを備えている。受け渡しア−ム23は、昇降自在、X,Y方向に移動自在、鉛直軸まわりに回転自在に構成されている。
【0023】
処理ステーションS2は、カセットステーションS1から露光ステーションS3を見て奥側に向かって3個のブロックB1、B2、B3が配列されて構成されている。各ブロックB1、B2、B3及びインターフェイスステーションS3は筺体で囲まれており、各ブロックB1、B2、B3の間、及びブロックB1とカセットステーションS1との間、ブロックB3とインターフェイスステーションS3との間も仕切られていて、各々雰囲気が区画されるように構成されている。なおカセットステーションS1及びブロックB1、B2、B3はクリーンエアのダウンフローが形成されている。
【0024】
ブロックB1は、カセットステーションS1の背面に沿って設けられた棚ユニットR1と、カセットステーションS1から奥側を見て左側及び右側に夫々設けられた棚ユニットR2及び液処理ユニットである反射防止膜形成ユニット3と、棚ユニットR1、R2及び反射防止膜形成ユニット3の間並びに隣のブロックB2の受け渡し部の間でウエハWの搬送を行う基板搬送手段であるメインアーム4Aと、後述する容器収納部であるケミカルユニット5Aとを備えている。
【0025】
図3はカセットステーションS1及びブロックB1の一部を側面から見て平面的に展開した説明図である。前記棚ユニットR1は図3に示すようにウエハWを加熱するための加熱部24、ウエハWを冷却するための冷却部25が積み重ねられており、更にこれら棚の一部にウエハWの位置合わせを行うアライメント部26と、受け渡しアーム23及びメインアーム4Aの間でウエハWの受け渡しを行う、ステージを備えた受け渡し部27とが割り当てられている。なお加熱部24、冷却部25は互に異なる棚ユニットに夫々割り当ててもよい。
【0026】
反射防止膜形成ユニット3について例えば図4に基づいて説明すると、31はカップであり、このカップ31内に真空吸着機能を有する回転自在なスピンチャック32が設けられている。このスピンチャック32は昇降機構33により昇降自在に構成されており、カップ31の上方側に位置しているときに、前記搬送手段4Aの後述するア−ム41との間でウエハWの受け渡しが行われる。34は吐出ノズル、35は処理液供給管、34aはノズルを水平移動させる支持ア−ムである。処理液供給管35は、処理液を収納している容器51内に上流端が突入されており、容器51内に蓄えられた処理液をポンプ36により吸入してフィルタ37にて濾過し、パーティクル等を除いた処理液をサックバルブ38、ノズル34を通して吐出する。ノズル34から吐出した処理液は、スピンチャック32により回転しているウエハW上に滴下され、伸展されて反射防止膜が形成される。またカップ31内は気液分離手段39aを介して排気ポンプ39により吸引されている。
【0027】
図5は反射防止膜形成ユニット3及びケミカルユニット5Aのレイアウトを横から見た図であり、反射防止膜形成ユニット3は例えば3段に積み重ねられている。各ユニット3は、既述のカップ31やノズル34aが筐体30により覆われていると共に、筐体30の上部にフィルタユニットFが設けられており、フィルタユニットFから温度、湿度調整された清浄気体のダウンフローが形成され、筐体30によって、その外の雰囲気と区画されている。
【0028】
3段の反射防止膜形成ユニット3のカセットステーションS1側の隣には、既述のようにケミカルユニット5Aが設けられ、このケミカルユニット5Aは全体が筐体50で囲まれると共に、例えば3段の反射防止膜形成ユニット3の夫々に使用される処理液を収納した容器51が、3段に配置して収納されている。更にケミカルユニット5A内には、ポンプ36、フィルタ37及びサックバルブ38等の処理液供給制御機器が収納されている。なお図面では、容器51を代表して記載してある。
【0029】
また最下段の反射防止膜形成ユニット3の下方側には、各段の反射防止膜形成ユニット3に用いられる用力機器61が筐体60内にまとめて配置されて、用力系ユニット6Aを構成している。用力機器61とは、例えばカップ31内を排気するための排気ポンプ39、スピンチャック32の吸引源である真空ポンプ、昇降部33をなすエアシリンダーに用いられるエアー源、スピンチャック32を回転させるモータの電力源などが相当する。また容器内に加圧気体が供給されることにより処理液が吐出される場合には加圧気体の供給源である例えば窒素ボンベなども用力機器61に相当する。前記メインアーム4Aは、図6に示すようにウエハWを保持するアーム41と、このアーム41を進退自在に支持する支持台42と、この支持台42を昇降自在に支持する基体43と、この基体43を鉛直軸周りに回転自在に駆動するための回転駆動部44とを備えている。アーム41は、夫々ウエハWを保持し得るように3段構成になっており、その各段にそれぞれ設けられた例えば3片の爪部45の上にウエハWの周縁を載せるようになっている。
【0030】
以上のようにブロックB1は構成されているが、このブロックB1の隣に接続されているブロックB2も同様の構成である。ブロックB1がウエハWの表面に反射防止膜を形成するのに対し、ブロックB2は、ウエハWの反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためのものであり、反射防止膜形成ユニット3の代りに、液処理ユニットであるレジスト液を塗布する塗布ユニット7が配置されている。両ユニット3、7は同様の構成であり、塗布ユニット7では処理液としてレジスト液が用いられる。R3、R4は棚ユニット、4Bはメインアーム、5Bはケミカルユニット、6Bは用力系ユニットである。
【0031】
ブロックB2の隣に接続されているブロックB3は、露光ステーションS4にて露光されたウエハを現像するためのものである。液処理ユニットである現像ユニット8は、前記反射防止膜形成ユニット3及び塗布ユニット7の並びの延長線上に2個ずつ上下に合計4個設けられている。現像ユニット8の構成は反射防止膜形成ユニット3とほぼ同じであるが、ウエハWの直径方向に多数の供給孔を配列したノズルを用いるなどの点に差異がある。またケミカルユニット5Cは現像ユニット8の下方側に配置され、用力系ユニット6Cはケミカルユニット5Cの下方側に配置されている。
【0032】
棚ユニットR5、R6は夫々ブロックB2及びインターフェイスステーションS3寄りに設けられており、棚ユニットR1、R2とほぼ同じ構成であるが、加熱板と冷却板とを1枚に並べ、この間を専用に搬送する搬送アームを設けた加熱−冷却部が含まれている。加熱−冷却部を設ける理由は、化学増幅型のレジストを用いた場合、露光後に行う加熱時間を高精度に管理する必要があることに基づいている。
【0033】
またブロックB3の奥側に接続されたインターフェイスステーションS4は、X、Y、Z方向に移動自在でかつ鉛直軸まわりに回転自在な受け渡しアーム28をを備えており、この受け渡しアーム28はブロックB3及び露光ステーションS4間でウエハWの受け渡しを行う。
【0034】
次に上述の実施の形態の作用について説明する。外部から例えば25枚のウエハWを収納したカセット22がカセットステージ21に搬入されると、受け渡しアーム23によりカセット21内からウエハWが取り出されてブロックB1の棚ユニット内の受け渡し部27に置かれ、メインアーム4Aに受け渡される。このウエハWはブロックB1にて先ず反射防止膜が形成され、次いでブロックB2にて反射防止膜の上に例えば化学増幅型のレジスト膜が形成され、その後露光ステーションS4にて露光される。ブロックB1では、反射防止膜が形成されたウエハWは棚ユニットR1(R2)の加熱部24にて加熱され、次いで冷却部25にて冷却される。またブロックB2においてもレジスト膜が形成されたウエハWは棚ユニットR3(R4)にて加熱、冷却される。ブロックB1、B2、B3及びインターフェイスステーションS3間のウエハWの搬送は、棚ユニットR3、R5、R6内の受け渡し部を通じて行われる。
【0035】
露光されたウエハWは、棚ユニットR5(R6)内の加熱−冷却部に加熱、冷却され、現像ユニット8にて現像処理される。現像後のウエハWは棚ユニットR5(R6)にて加熱、冷却されて一連のレジストパターン形成工程を終了し、ブロックB2、B1を介して元のカセット21内に戻される。
【0036】
上述実施の形態によれば、ケミカルユニット5A(5B)を反射防止膜形成ユニット3(塗布ユニット7)の隣に設けているため、処理液の配管を短くできる。従って高価な処理液の滞留量が少なくて済み、滞留して処理液はメンテナンス時等に廃棄されるので、コストの削減を図れる。またケミカルユニット5A(5B)と反射防止膜形成ユニット3(塗布ユニット7)が接近しているので、処理液を定量的に送るポンプ36や、ノズル34からの処理液吐出後に液ダレを防止するために処理液を若干吸引してノズル34内の液面を引き上げるサックバルブ38といった供給制御機器をケミカルユニット5A(5B)内に設けても圧損が少ないので処理液の供給制御を精度良く行うことができると共に、供給制御機器をケミカルユニット5A(5B)内に設けることによりメンテナンスが行いやすくなる。そして上記ユニット3、7を複数段積み重ねる場合に、例えば各段のユニット3、7に夫々適応した高さに、容器51や供給制御機器を配置すれば処理液の配管をより短くすることができ、有利である。
【0037】
また現像ユニット8においても、処理液である現像液の容器や供給制御機器を最下段の現像ユニット8の下方側に設けているため、現像液の配管が短くて済み、メンテナンスも行いやすい。更に反射防止膜形成ユニット等の液処理ユニット3、7、8の下方側に既述の用力機器61が配置されているため、排気管、真空引きチューブ、エアー供給管、加圧気体供給管などの用力線の引き回し長さが短くて済み、また各ブロックB1(B2、B3)単位で用力機器61や用力線が組み込まれるので、例えばブロックB1(B2、B3)を接続する前に調整を行うことができる等、作業性が良いという利点がある。
【0038】
図7及び図8は本発明の他の実施の形態を示し、この実施の形態では反射防止膜形成ユニット3及び塗布ユニット7を2段積みの構成とし、反射防止膜形成ユニット3(塗布ユニット7)の下方側にケミカルユニット5A(5B)を配置すると共に、ケミカルユニット5A(5B)の下方に用力系ユニット6A(6B)を配置している。なお図8では反射防止膜形成ユニット3の並びを代表して示してある。更にブロックB2、B3においては、棚ユニットを1個ずつ(R1、R4)設けていると共に、ブロックB2、B3間のウエハWの受け渡しは、メインアーム4A、4Bからアクセスできる位置に設けた中間ステージ91により行うように構成されている。
【0039】
図9〜図11は本発明の更に他の実施の形態を示している。この実施の形態における反射防止膜形成ユニット3(塗布ユニット7)、ケミカルユニット5A(5B)、用力系ユニット6A(6B)のレイアウトは図1等に示す1番目の実施の形態と同じであるが、ケミカルユニット5A(5B)の上に冷却部101を設け、この冷却部101を、メインアーム4Aの搬送領域(搬送雰囲気)から区画し、反射防止膜形成ユニット3(塗布ユニット7)のカップ31が置かれている雰囲気と同じになるように構成している。例えば冷却部101が置かれている雰囲気を筐体102で囲み、当該雰囲気と反射防止膜形成ユニット3内の雰囲気との間に、筐体30の一部である仕切り板103を介在させると共に、両雰囲気の天井部のフィルタFから共通の雰囲気形成用の清浄気体、つまり温度、湿度調整された共通の清浄気体を降下させるように構成している。
【0040】
このような構成とした理由は次の通りである。即ち反射防止膜やレジスト膜の膜厚は、ウエハWの温度により左右されるため、棚ユニットR1(R3)の加熱部24で加熱した後、冷却部25でいわば粗熱取りを行い(ラフな冷却温度に調整し)、その後前記冷却部101にて冷却を行えば、冷却部101は反射防止膜形成ユニット3(塗布ユニット7)と同じ雰囲気であるため同じ温度になり、膜厚が精度が良くなるからである。この場合冷却部101からの搬送は、メインアーム4A(4B)を用いてもよいが、冷却部101と反射防止膜形成ユニット3との間を結ぶ専用の搬送手段を設ければ、冷却後のウエハWがメインアーム4A(4B)の搬送領域を通らないのでより好ましい。
【0041】
冷却部101はケミカルユニット5A(5B)の下方側に設けてもよい。なお図11中104、105は夫々反射防止膜形成ユニット3(塗布ユニット7)及び筐体102に形成されたウエハWの搬送口である。また現像ユニット8においても反射防止膜形成ユニット3と同様に3段積みの構成となっており、ケミカルユニット5C、用力系ユニット6C、冷却部101(便宜上同符号を用いている)の構成についても図10、図11に示したと同様の構成である。
【0042】
図12は、図9に示した実施の形態の変形例を示し、3段積みの現像ユニット8を2個設け、その間にケミカルユニット及び冷却部101を設けた点及び棚ユニットR5、R6の配置が図9の構成と異なる。
【0043】
図13は上記以外の本発明の実施の形態を示す図である。この実施の形態では図7に示す実施の形態のように反射防止膜形成ユニット3及び塗布ユニット7を2段積みとし、その下にケミカルユニット5A(5B)を設け、更にその下に用力系ユニット6A(6B)を設けている。また現像ユニット8に関しても同様の構成となっている。またブロックB3とインターフェイスステーションS3との間のウエハWの受け渡しはインターフェイスユニットS3に設けた受け渡しステージ92を介して行われる。
【0044】
図14は図13の実施の形態の変形例を示す図である。この実施の形態においては、メインアーム4A、4B、4Cが夫々反射防止膜形成ユニット3、塗布ユニット7及び現像ユニット8に対してX方向に対向しており、棚ユニットR1、R3、R6の並びは、搬送手段4A、4B、4Cの並びから見て液処理ユニット3、7、8の並びと反対側に配置されている。そしてカセットステーションS1寄りのブロックB1の棚ユニットR1はメインアーム4Aから見てX方向に対してカセットステーションS1側に斜めに配置されていると共に、その隣のブロックB2の棚ユニットR3はメインアーム4Bから見てX方向に配置されている。またインターフェイスステーションS3寄りのブロックB3の棚ユニットR6は、メインアーム4Cから見てX方向に対してインターフェイスステーションS3側に斜めに配置されている。メインアーム4A、4B間及び4B、4C間のウエハの受け渡しは中間ステージ91を介して行われる。
【0045】
図14のようなレイアウトによれば、各ブロックB1、B2、B3を小型化できる。即ち棚ユニットR1(R6)はカセットステーションS1(インターフェイスステーション5)寄りに設けなければならないがメインアーム4A(4C)の真横に配置するよりも図14で斜め左(右)に配置した方がY方向の長さを短くでき、また中央のブロックB2については棚ユニットR3を中央に置くことによりY方向の長さを短くできる。半導体製造工場では半導体製造装置の奥行きが短い方が有利であるので、図14のレイアウトは有効である。
【0046】
以上において塗布、現像装置は反射防止膜形成ユニットを含むブロックB1がない場合もあり、その場合例えば塗布ユニットを含むブロックB2の棚ユニットR3(R4)内で疎水化処理が行われる。また本発明は、塗布、現像装置に限らず、シリコン酸化膜の前駆体を含む処理液をスピンコーティング等で基板上に塗布し、その後加熱、冷却する装置に対しても適用できる。なお基板にはウエハに限らず液晶ディスプレイ用のガラス基板であってもよい。
【0047】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によれば、複数段の液処理ユニットを含む処理ステーションをカセットステーションに接続し、カセット内の基板を取り出して液処理を行う装置において、液処理ユニットで用いられる処理液の配管を短くでき、従って高価な処理液の滞留量が少なくて済みコストの削減を図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態である塗布、現像装置の概観を示す斜視図である。
【図2】図1の塗布、現像装置を示す概略平面図である。
【図3】図1の塗布、現像装置の一部を横に展開して示す説明図である。
【図4】図1の塗布、現像装置に用いられる液処理ユニット及び処理液の供給系を示す説明図である。
【図5】図1の塗布、現像装置の液処理ユニット及び関連部位を略解的に示す側面図である。
【図6】基板搬送装置であるメインアームを示す斜視図である。
【図7】本発明の他の実施の形態である塗布、現像装置を示す概略平面図である。
【図8】図7の塗布現像装置の液処理ユニット及び関連部位を略解的に示す側面図である。
【図9】本発明の更に他の実施の形態である塗布、現像装置を示す概略平面図である。
【図10】図9の塗布現像装置の液処理ユニット及び関連部位を略解的に示す側面図である。
【図11】図9の実施の形態おいて冷却部を液処理ユニット内の雰囲気に配置した構成を示す概観斜視図である。
【図12】本発明の更にまた他の実施の形態である塗布、現像装置を示す概略平面図である。
【図13】上記以外の実施の形態である塗布、現像装置を示す概略平面図である。
【図14】上記以外の実施の形態である塗布、現像装置を示す概略平面図である。
【図15】従来の塗布、現像装置を示す概略平面図である。
【符号の説明】
S1 カセットステ−ション
S2 処理ステ−ション
S3 インタ−フェイスステ−ション
S4 露光ステーション
B1〜B3 ブロック
22 ウエハカセット
R1〜R6 棚ユニット
23 加熱部
25 冷却部
3 反射防止膜形成ユニット
31 カップ
32 スピンチャック
34 ノズル
36 ポンプ
37 フィルタ
38 サックバルブ
39 排気ポンプ
4A〜4C メインアーム
5A〜5C ケミカルユニット
51 容器
6A〜6C 用力系ユニット
61 用力機器
7 塗布ユニット
8 現像ユニット
Claims (6)
- 基板を収納した基板カセットを載置する載置部と、この載置部に載置された基板カセットに対して基板の受け渡しをする受け渡し手段と、を含むカセットステ−ションと、
このカセットステ−ションに接続され、前記受け渡し手段により搬送された基板を処理する処理ステ−ションと、を有し、
前記処理ステ−ションは、複数段に積み重ねられると共に横方向に直線状に複数配置され、各々処理液により基板に対して処理を行う液処理ユニットと、これら液処理ユニットに対して基板の搬出入を行う搬送手段と、前記処理液を収納する容器が収納され、複数段に積み重ねられた液処理ユニット毎に当該液処理ユニットの隣または下方側に設けられた容器収納部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 容器収納部は、容器から液処理ユニットに処理液を供給する配管に設けられる処理液の供給制御機器を収納することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 複数段に積み重ねられた液処理ユニットの最下段の下方側に、各段の液処理ユニットに用いられる用力機器が配置されていることを特徴とする請求項1または2記載の基板処理装置。
- 処理ステ−ションは、液処理ユニットにおける処理に対する前処理及び/または後処理を行うために、加熱処理及び/または冷却処理するためのユニットが多段に積み重ねられている棚ユニットを備えていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の基板処理装置。
- 基板を収納した基板カセットを載置する載置部と、この載置部に載置された基板カセットに対して基板の受け渡しをする受け渡し手段と、を含むカセットステ−ションと、
このカセットステ−ションに接続され、前記受け渡し手段により搬送された基板を処理する処理ステ−ションと、を有し、
前記処理ステ−ションは、複数段に積み重ねられると共に各々処理液により基板に対して処理を行う液処理ユニットと、これら液処理ユニットに対して基板の搬出入を行う搬送手段と、前記処理液を収納する容器が収納され、液処理ユニットの隣に設けられた容器収納部と、液処理ユニットにおける処理に対する前処理及び/または後処理を行うために、加熱処理及び/または冷却処理するためのユニットが多段に積み重ねられている棚ユニットと、を備えた基板処理装置であって、
棚ユニットにて基板を冷却した後、更に精度よく所定の温度に冷却するための微調整用の冷却部を、搬送手段の搬送領域から区画して、液処理ユニットで用いられる雰囲気気体の流れる環境中であって、前記容器収納部の上または下に配置したことを特徴とする基板処理装置。 - 基板を収納した基板カセットを載置する載置部と、この載置部に載置された基板カセットに対して基板の受け渡しをする受け渡し手段と、を含むカセットステ−ションと、
このカセットステ−ションに接続され、前記受け渡し手段により搬送された基板を処理する処理ステ−ションと、を有し、
前記処理ステ−ションは、複数段に積み重ねられると共に各々処理液により基板に対して処理を行う液処理ユニットと、これら液処理ユニットに対して基板の搬出入を行う搬送手段と、前記処理液を収納する容器が収納され、液処理ユニットの隣に設けられた容器収納部と、液処理ユニットにおける処理に対する前処理及び/または後処理を行うために、加熱処理及び/または冷却処理するためのユニットが多段に積み重ねられている棚ユニットと、を備えた基板処理装置であって、次のように構成されていることを特徴とする基板処理装置。
a.基板カセットがX方向に複数配列される。
b.処理ステ−ションは、搬送手段、複数段に積み重ねられた液処理ユニット及び棚ユニットを有するブロックをY方向に接続して構成される。
c.処理ステ−ション全体で見て、複数段に積み重ねられた液処理ユニットは、Y方向に直線状に複数配置され、棚ユニットはY方向に複数並び、搬送手段は、棚ユニットの並びと液処理ユニットの並びとの間に配置される。
d.カセットステ−ション寄りのブロックにおいては、棚ユニットの少なくとも一つの段が受け渡し手段と搬送手段との間で基板を受け渡すための受け渡し部として構成され、当該棚ユニットは、搬送手段から見てX方向に対してカセットステ−ション側に斜めに配置されている。
e.カセットステ−ション寄りのブロックに接続されるブロックにおいては、棚ユニットは、搬送手段から見てX方向に配置されている。
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